JP2001162498A - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】従来のように生産性を重視して複数枚の半導体
ウエハを同時に研削する方法では、スライシングのため
に発生したそりが残留したり、スライシングの際の厚み
の不揃いがそのまゝ影響を及ぼしたりして、後の各加工
工程での障害と成っていた。 【解決手段】夫々の研削盤本体１１，２１，３１と、研
削盤本体に立設させた夫々のコラム１２，２２，３２
と、夫々のコラムに担持させたスピンドル軸１３，２
３，３３と、夫々のスピンドル軸に備えたカップホイル
砥石１４，２４，３４と、夫々のカップホイル砥石と対
面させ研削盤本体に配設した半導体ウエハＷを吸着させ
る吸着チャック１５，２５，３５とを備えた第１の研削
盤１と第２の研削盤２と第３の研削盤３とを間隔を有し
て並設すると共に、第１の研削盤と第２の研削盤と第３
の研削盤との間には反転移送装置４，５を配設させた３
台の研削盤を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤソーで円板状に
スライシング後の半導体ウエハの研削方法に関するもの
であり、更に詳細には、スライシング後の半導体ウエハ
に最初の研削で後の各加工工程での基準面を研削する方
法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】本発明に係るこの種の半導体ウエハは、コ
ンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器、モバイル
機器等の集積回路に多用されており、その開発は日々進
歩しており、最終製品の小型化に伴うより一層の極薄化
と、生産性の観点からより一層の拡径化と、歩留まりの
観点からのより一層の超高精度の平坦及び鏡面の加工精
度が要求されてきている。

【０００３】一般的に半導体ウエハは、円柱状のシリコ
ン結晶体を一定の厚さにワイヤソーでスライシングし、
そのスライシングした円板状の半導体ウエハを更に所望
の厚さにするために研削加工を行っている。

【０００４】通常、研削加工は研削盤のスピンドル軸の
下面に取着されたカップホイル砥石によって研削されて
いるが、昨今要求される半導体ウエハは超高精度の平坦
精度と鏡面加工であり、従来のようなカップホイル砥石
で研削するだけでは、半導体ウエハに研削によるダメー
ジ又スライシングの際に発生したそりが残留し、昨今求
められる超高精度の平坦精度、鏡面加工を施すのは不可
能と成ってきており、研削加工後に更に研磨加工を必要
としている。

【０００５】

【解決しようとする課題】然し乍ら、昨今要求される半
導体ウエハは従来２ｍｍ程度の肉厚であったものが１ｍ
ｍ程度への極薄化、又、従来６インチ乃至８インチの直
径であったものが１２インチ乃至１６インチへの拡径
化、更には、品質の均一化と超高精度の平坦加工、鏡面
加工の仕上であり、従来のように生産性を重視して複数
枚の半導体ウエハを同時に研削する方法では、スライシ
ングのために発生したそりが残留したり、スライシング
の際の厚みの不揃いがそのまゝ影響を及ぼしたりして、
後の各加工工程での障害と成っていた。

【０００６】

【課題を解決する手段】本発明は前述の課題に鑑みて成
されたもので、鋭意研鑚の結果、前述の課題を解決する
もので、夫々の研削盤本体と、夫々の研削盤本体に立設
させた夫々のコラムと、夫々のコラムに担持させた夫々
のスピンドル軸と、夫々のスピンドル軸に備えた夫々の
カップホイル砥石と、夫々のカップホイル砥石と対面さ
せ夫々の研削盤本体に配設した半導体ウエハを吸着させ
る夫々の吸着チャックとを備えた第１の研削盤と第２の
研削盤と第３の研削盤とを間隔を有して並設すると共
に、第１の研削盤と第２の研削盤と第３の研削盤との間
には夫々反転移送装置を配設させた３台の研削盤を用い
るものである。

【０００７】従って、本発明の目的は、円柱状のシリコ
ン結晶体をワイヤソーで円板状に且つ一定の厚さにスラ
イシングされた半導体ウエハに最初の研削加工で基準面
を形成するものである。

【０００８】

【発明の作用】本発明は、スライシング後の半導体ウエ
ハの片面を第１の研削盤の吸着チャックに吸着させて他
面を研削して基準面とし、基準面を研削した後に第１の
研削盤と第２の研削盤との間に配設した反転移送装置で
半導体ウエハを第２の研削盤の吸着チャックに反転移送
させて片面を研削し、片面を研削した後に第２の研削盤
と第３の研削盤との間に配設した次の反転移送装置で半
導体ウエハを第３の研削盤の吸着チャックに反転移送さ
せて再度基準面を研削することによって、半導体ウエハ
の最終加工工程までの各加工工程での基準面を設定する
ものである。

【０００９】

【実施例】斯る目的を達成した本発明の半導体ウエハの
研削方法を以下実施例の図面によって説明する。

【００１０】図１は本発明の半導体ウエハの研削方法に
用いる研削盤の概要正面図であり、図２は本発明の半導
体ウエハの研削方法に用いる研削盤の概要概要平面図で
ある。

【００１１】本発明は、ワイヤソーで円板状にスライシ
ング後の半導体ウエハＷの研削方法に関するものであ
り、更に詳細には、スライシング後の半導体ウエハＷに
最初の研削で後の各加工工程での基準面を研削する方法
に関するものであり、夫々の研削盤本体１１．２１．３
１と、該夫々の研削盤本体１１．２１．３１に立設させ
た旋回自在の夫々のコラム１２．２２．３２と、該夫々
のコラム１２．２２．３２に回転自在に且つ昇降自在に
担持させた夫々のスピンドル軸１３．２３．３３と、該
夫々のスピンドル軸１３．２３．３３の下面に備えた夫
々のカップホイル砥石１４．２４．３４と、該夫々のカ
ップホイル砥石１４．２４．３４と対面させ前記夫々の
研削盤本体１１．２１．３１の上面に配設した半導体ウ
エハＷを吸着させる夫々の吸着チャック１５．２５．３
５とを備えた第１の研削盤１と第２の研削盤２と第３の
研削盤３とを間隔を有して並設すると共に、第１の研削
盤１と第２の研削盤２と第３の研削盤３との間には夫々
進退自在に且つ旋回反転自在な反転移送装置４．５を配
設させた３台の研削盤１．２．３を用いて、スライシン
グ後の半導体ウエハＷの片面を第１の研削盤１の吸着チ
ャック１５に吸着させて他面を研削して基準面とし、該
基準面を研削した後に第１の研削盤１と第２の研削盤２
との間に配設した反転移送装置４で半導体ウエハＷを第
２の研削盤２の吸着チャック２５に反転移送させて片面
を研削し、該片面を研削した後に第２の研削盤２と第３
の研削盤３との間に配設した次の反転移送装置５で半導
体ウエハＷを第３の研削盤３の吸着チャック３５に反転
移送させて再度基準面を研削するものである。

【００１２】即ち、本発明の半導体ウエハＷの研削方法
は、第１の研削盤１と第２の研削盤２と第３の研削盤３
との３台の研削盤を用いてワイヤソーでスライシング後
の半導体ウエハＷに最終製品までの各加工工程での基準
面を最初の研削加工で設定する方法に関するものであ
る。

【００１３】そして、本発明に用いる第１の研削盤１と
第２の研削盤２と第３の研削盤３は、夫々、上面に半導
体ウエハＷをチャックして研削する後述する吸着チャッ
ク１５．２５．３５を備えた回転テーブルを備えた研削
盤本体１１．２１．３１を床面に適宜な間隔を有して設
置したもので、研削盤本体１１．２１．３１には旋回自
在にコラム１２．２２．３２を立設しているものであ
る。

【００１４】次に、前記コラム１２．２２．３２には回
転自在に且つ昇降自在にスピンドル軸１３．２３．３３
を担持させているもので、スピンドル軸１３．２３．３
３の下面にはカップホイル砥石１４．２４．３４を備え
ているものである。

【００１５】更に、前記カップホイル砥石１４．２４．
３４と対面させた吸着チャック１５．２５．３５を研削
盤本体１１．２１．３１に設けた回転テーブルの上面に
配設しているものであり、半導体ウエハＷは吸着チャッ
ク１５．２５．３５に吸着させて上方によりスピンドル
軸１３．２３．３３を降下させて下面に取着したカップ
ホイル砥石１４．２４．３４で研削加工するものであ
る。

【００１６】そして、前述のような構成の第１の研削盤
１と第２の研削盤２と第３の研削盤３とを間隔を有して
並設しているもので、並設した第１の研削盤１と第２の
研削盤２と第３の研削盤３との夫々の間には夫々進退自
在に且つ旋回反転自在な反転移送装置４．５を配設して
いるものである。

【００１７】先ず、本発明の半導体ウエハＷの研削方法
は、ワイヤソーでスライシング後の半導体ウエハＷの片
面を第１の研削盤１の吸着チャック１５に吸着させて上
面をスピンドル軸１３を降下させて下面のカップホイル
砥石１４で研削するものであるが、最初に研削した面を
基準面とするものである。

【００１８】次いで、基準面を研削した後の半導体ウエ
ハＷは第１の研削盤１と第２の研削盤２との間に配設し
た反転移送装置４を駆動させて、第１の研削盤１の吸着
チャック１５から第２の研削盤２の吸着チャック２５に
反転移送させるものであり、第２の研削盤２では基準面
の反対面を研削するものである。

【００１９】更に、基準面の反対面を研削した後に第２
の研削盤２と第３の研削盤３との間に配設した次反転移
送装置で半導体ウエハＷを第３の研削盤３の吸着チャッ
ク３５に反転移送させて再度基準面を研削するものであ
る。

【００２０】つまり、本発明に用いた第１の研削盤１、
第２の研削盤２、第３の研削盤３は同タイプのものを使
用するもので、枚葉ごとに研削加工する周知のものを用
いるものであり、更に、第１の研削盤１と第２の研削盤
２と第３の研削盤３との間に配設した反転移送装置４．
５は、半導体ウエハＷを第１の研削盤１の吸着チャック
１５から取外し、反転させて第２の研削盤２の吸着チャ
ック２５に移送、又は、第２の研削盤２の吸着チャック
３５から取外して反転させて第３の研削盤３の吸着チャ
ック３５に移送できる構造のものであれば構わないもの
で、この種の構造については本件出願人が先に開示して
いるものである。

【００２１】

【発明の効果】前述の如く構成した本発明の半導体ウエ
ハの研磨方法は、円柱状のシリコン結晶体をワイヤソー
でスライシングした半導体ウエハに基準面を設定するも
ので、スライシングの際のそりを取り、更に、不揃いな
厚みを基準面に基づいて均一化できるものであり、極め
て有意義な効果を奏することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の半導体ウエハの研削方法に用い
る研削盤の概要正面図である。

【図２】図２は本発明の半導体ウエハの研削方法に用い
る研削盤の概要概要平面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ １ 第１の研削盤 １１ 研削盤本体 １２ コラム １３ スピンドル軸 １４ カップホイル砥石 １５ 吸着チャック ２ 第２の研削盤 ２１ 研削盤本体 ２２ コラム ２３ スピンドル軸 ２４ カップホイル砥石 ３ 第２の研削盤 ３１ 研削盤本体 ３２ コラム ３３ スピンドル軸 ３４ カップホイル砥石 ４ 反転移送装置 ５ 反転移送装置

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】夫々の研削盤本体と、該夫々の研削盤本体
   に立設させた旋回自在の夫々のコラムと、該夫々のコラ
   ムに回転自在に且つ昇降自在に担持させた夫々のスピン
   ドル軸と、該夫々のスピンドル軸の下面に備えた夫々の
   カップホイル砥石と、該夫々のカップホイル砥石と対面
   させ前記夫々の研削盤本体の上面に配設した半導体ウエ
   ハを吸着させる夫々の吸着チャックとを備えた第１の研
   削盤と第２の研削盤と第３の研削盤とを間隔を有して並
   設すると共に、第１の研削盤と第２の研削盤と第３の研
   削盤との間には夫々進退自在に且つ旋回反転自在な反転
   移送装置を配設させた３台の研削盤を用いて、スライシ
   ング後の半導体ウエハの片面を第１の研削盤の吸着チャ
   ックに吸着させて他面を研削して基準面とし、該基準面
   を研削した後に第１の研削盤と第２の研削盤との間に配
   設した反転移送装置で半導体ウエハを第２の研削盤の吸
   着チャックに反転移送させて片面を研削し、該片面を研
   削した後に第２の研削盤と第３の研削盤との間に配設し
   た次の反転移送装置で半導体ウエハを第３の研削盤の吸
   着チャックに反転移送させて再度基準面を研削すること
   を特徴とする半導体ウエハの研削方法。