JPH11162893A - ポリッシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 並列配置された２つの研磨処理ラインを有す
るポリッシング装置において、ターンテーブルのアイド
ルタイムを最小限に抑えてスループットを上げたパラレ
ル処理を行なうことができるポリッシング装置を提供す
る。 【解決手段】 被研磨材Ｗを収容する収容部１２ａ，１
２ｂと、収容部からほぼ平行に延びる少なくとも２つの
ライン上にそれぞれ洗浄ユニット１４ａ，１４ｂ，１８
ａ，１８ｂ及び研磨ユニット１０ａ，１０ｂが配置され
た少なくとも２つの研磨処理ラインと、洗浄ユニットと
研磨ユニットの間に配置された２つの研磨処理ライン共
用の仮置き台２０とを有し、仮置き台、研磨ユニット及
び洗浄ユニットとの間で被研磨材を搬送可能なロボット
手段２６ａ，２６ｂを各研磨処理ラインのそれぞれに設
けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリッシング装置
に係り、特に、半導体ウエハ等の被研磨材を平坦かつ鏡
面状に研磨するポリッシング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。これに伴い、光リソグラフィなどで回路
形成を行なう場合に焦点深度が浅くなるので、ステッパ
の結像面のより高い平坦度を必要とする。半導体ウエハ
の表面を平坦化する手段として、回転するターンテーブ
ル上に貼付した研磨布に砥粒を含む研磨液を供給しなが
ら、キャリアで保持した半導体ウエハを研磨布に押しつ
けて研磨する化学機械的研磨が行われている。

【０００３】図８は、特開平９−１１７８５７号に開示
されたポリッシング装置であり、全体が長方形をなす床
上のスペースの一端側に一対の研磨ユニット１０１ａ，
１０１ｂが左右に対向して配置され、他端側にそれぞれ
半導体ウエハ収納用カセット１０２ａ，１０２ｂを載置
する一対のロード・アンロードユニットが配置されてい
る。そして、研磨ユニットとロード・アンロードユニッ
トを結ぶ線上に走行レール１０３が敷設され、この走行
レール１０３の両側に、それぞれ１台の反転機１０５，
１０６とこれの両隣の２台の洗浄機１０７ａ，１０７
ｂ，１０８ａ，１０８ｂが配置されている。

【０００４】このように、搬送ラインの両側に１対の研
磨処理ラインが構成されたポリッシング装置によれば、
通常の１段研磨はそれぞれの研磨処理ラインでパラレル
に行って能率を向上させ、化合物半導体などにおいて研
磨液を変えて２段階で研磨する２段階研磨を行う場合に
は、一方の研磨ユニット１０１ａで研磨した後に一端洗
浄工程を行ってから他の研磨ユニット１０１ｂに移動し
て２次研磨を行なう。従って、１つの装置によって、２
段階研磨を行うシリーズ処理と、１段研磨をパラレルに
行うパラレル処理とを選択的に行うことができる。

【０００５】このポリッシング装置のパラレル処理にお
いては、被研磨材は以下のように搬送される。すなわ
ち、研磨ユニット１０１ａ，１０１ｂにおける被研磨材
の研磨処理が終わった後、トップリング１１０が回転し
てプッシャ１１２上に移動して処理済みの被研磨材を渡
す。これを第２のロボット１０４ｂが洗浄機１０７ａ、
又は１０７ｂに搬送してから未処理の被研磨材を反転機
１０５，１０６より受け取り、これをプッシャ１１２に
渡す。トップリング１１０はこれをプッシャから受け取
ってターンテーブル１０９上に移動して研磨を再開す
る。１１１はターンテーブル１０９上の研磨面の再生を
するためのドレッサーである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のポリ
ッシング装置においてスループットを上げるには、律速
段階となる研磨工程を行なうターンテーブル１０９の稼
動率を向上させる必要がある。しかしながら、上記の従
来の技術では、２つのプッシャ１１２からの処理済みの
被研磨材の除去と未処理の被研磨材の供給を１基のロボ
ット１０４ｂで行っているために時間を要し、ターンテ
ーブルのアイドルタイムが生じてしまっていた。

【０００７】本発明は、並列配置された２つの研磨処理
ラインを有するポリッシング装置において、ターンテー
ブルのアイドルタイムを最小限に抑えてスループットを
上げたパラレル処理を行なうことができるポリッシング
装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、被研磨材を収容する収容部と、前記収容部からほぼ
平行に延びる少なくとも２つのライン上にそれぞれ洗浄
ユニット及び研磨ユニットが配置された少なくとも２つ
の研磨処理ラインと、前記洗浄ユニットと前記研磨ユニ
ットの間に配置された前記２つの研磨処理ライン共用の
仮置き台とを有し、前記仮置き台、研磨ユニット及び洗
浄ユニットとの間で被研磨材を搬送可能なロボット手段
を前記各研磨処理ラインのそれぞれに設けたことを特徴
とするポリッシング装置である。

【０００９】このような構成により、それぞれのロボッ
ト手段は仮置き台にある未研磨の被研磨材を研磨ユニッ
トに供給し、研磨ユニットの研磨済みの被研磨材はこれ
を直接洗浄ユニットに送るので、研磨ユニットの研磨済
みの被研磨材を未研磨の被研磨材と迅速に交換すること
ができる。従って、ポリッシング装置の律速段階である
研磨ユニットの被研磨材待ちによる非稼動時間を最小限
に抑え、ポリッシング装置のスループットを大幅に向上
させることができる。

【００１０】請求項２に記載の発明は、前記研磨ユニッ
トは、ターンテーブル、トップリング装置及び被研磨材
を前記ロボット手段との間で授受するプッシャを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置で
ある。

【００１１】請求項３に記載の発明は、前記トップリン
グ装置は、前記プッシャと前記ターンテーブルにそれぞ
れ配置可能な２つのトップリングと、これらの２つのト
ップリングを水平に回転可能に支持する旋回アームとを
有することを特徴とする請求項２に記載のポリッシング
装置である。これにより、一方のトップリングをターン
テーブル上に位置させて研磨工程を行なう間に、他方の
トップリングの被研磨材の交換を行なうことができるの
で、ターンテーブルの非稼動時間が減少して、スループ
ットが向上する。

【００１２】請求項４に記載の発明は、前記研磨ユニッ
トには、前記トップリングにより把持された被研磨材の
上に成膜された薄膜の厚さを前記ターンテーブルを離れ
た位置で測定する膜厚測定センサが設けられていること
を特徴とする請求項３に記載のポリッシング装置であ
る。これにより、研磨量の算出を行い、この測定値に基
づいてよりきめ細かい研磨量制御を行なうことができ
る。

【００１３】請求項５に記載の発明は、前記研磨ユニッ
トには、小径のバフ研磨テーブルが設けられていること
を特徴とする請求項２に記載のポリッシング装置であ
る。

【００１４】請求項６に記載の発明は、設置床の一端側
に設けられた被研磨材を収容する収容部と、設置床の他
端側に設けられ、それぞれがターンテーブル装置、トッ
プリング装置及び基板プッシャを有する２つの研磨ユニ
ットと、研磨ユニットにおいて研磨がされた被研磨材を
洗浄する少なくとも２基の洗浄装置と、これらの装置の
間で被研磨材を移送する搬送装置とを備え、前記研磨ユ
ニットと洗浄装置は、該設置床の前記一端から他端に向
けて延びる中心線に対して左右対称に配置され、前記搬
送装置は、前記洗浄装置と前記研磨ユニットの間の前記
中心線上に配置された仮置き台と、この仮置き台の左右
両側に配置されたロボットを有することを特徴とするポ
リッシング装置である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、
本発明のポリッシング装置の第１の実施の形態を説明す
る図であり、この装置は、全体が長方形をなす設置床１
０上のスペースに、構成要素が設置床の中心線Ｃに対し
て左右対称に配置されて構成されている。すなわち、設
置床の一端側に一対の研磨ユニット１０ａ，１０ｂが左
右に対向して配置され、他端側にそれぞれ半導体ウエハ
収納用カセット１２ａ，１２ｂを載置する一対のロード
・アンロードユニットが配置され、さらにこれらの間に
ロード・アンロードユニット側から順に１対の２次洗浄
機１４ａ，１４ｂ、１対の反転機１６ａ，１６ｂ、１対
の１次洗浄機１８ａ，１８ｂ、１基の仮置き台２０が設
けられている。１対の１次及び２次洗浄機１４ａ，１４
ｂ，１８ａ，１８ｂ、反転機１６ａ，１６ｂは、互いに
中心線を挟んで対向して配置され、その間の中心線上の
位置には関節で結合されたアームを有する固定型のロボ
ット２２，２４が配置されている。また、仮置き台２０
の左右には１対の固定ロボット２６ａ，２６ｂが設けら
れている。

【００１６】各研磨ユニット１０ａ，１０ｂは、被研磨
材Ｗを授受するプッシャ３０と、２基のトップリング３
２，３４を有するトップリング装置３６と、表面に研磨
工具面を有するターンテーブル３８と、研磨工具面の目
立てを行なうドレッサ４０とがほぼ前記中心線に平行に
配置されている。また、この例ではトップリング装置３
６の脇にバフ研磨を行なう小径のバフ研磨テーブル４２
が設けられている。

【００１７】以下、研磨ユニット１０ａ，１０ｂの実体
的な構成を、図２を参照して説明する。トップリング装
置３６は、ターンテーブル３８のベース４４より側方に
突出するブラケット４６に取り付けられた基台４８によ
り回転自在に支持された鉛直方向に延びる支柱５０と、
この支柱５０の先端に水平方向に延びて取り付けられた
旋回アーム５２と、この旋回アーム５２の先端にそれぞ
れ取り付けられた１対のトップリング３２，３４とを備
えている。トップリング３２，３４は、各々の下面に被
研磨材を吸着する機能を有し、それぞれ独立に駆動モー
タ５６により水平面内で回転可能かつエアシリンダ５８
により昇降可能となっている。ターンテーブルの上面に
は所定位置に砥液供給ノズルが開口して設けられてい
る。

【００１８】プッシャ３０は、支柱５０に対してターン
テーブル３８と反対側に位置しており、一方のトップリ
ング３２（３４）がターンテーブル３８上の研磨位置に
あるときには、他方のトップリング３４（３２）がプッ
シャ３０の直上にあるようになっている。プッシャ３０
は昇降可能な被研磨材載置台６０を備えており、トップ
リング３２，３４とロボット２６ａ，２６ｂの間での被
研磨材の授受を補助する。また、ターンテーブル３８の
ベース４４のトップリング装置３６とは反対側に突出す
るブラケット６２には、ドレッサ４０の支柱６４が回転
自在に支持されている。

【００１９】小径のバフ研磨テーブル４２は、図３に示
すように被研磨材とほぼ同じ大きさであり、トップリン
グ装置３６の支柱５０の中心に対してプッシャ３０ある
いはターンテーブル３８の研磨位置とほぼ同じ距離にあ
る。ここでは、通常は、砥粒を含む砥液を用いた仕上げ
研磨又は純水を用いて仕上げ研磨兼洗浄を行う。バフ研
磨テーブル４２は被研磨材とほぼ同じ大きさなので、旋
回アーム５２を揺動させて互いの中心を適宜にずらした
状態で研磨を行なうが、被研磨材の姿勢を安定させるた
めに、被研磨材の中心がバフ研磨テーブル４２の面から
外れないように制御するのが好ましい。

【００２０】仮置き台２０は、図４に示すように上下２
段に構成され、上側は乾燥した被研磨材を置くドライス
テーション２０Ａ、下側は濡れた状態の被研磨材を乾燥
を防止しながら置くウエットステーション２０Ｂであ
る。ドライステーション２０Ａはオープンであるが、ウ
エットステーション２０Ｂは被研磨材の上下に配置され
たスプレーノズル６６を有するために箱体６８に覆われ
たクローズタイプであり、側面に設けられた開閉ゲート
７０から被研磨材Ｗの出し入れを行なう。

【００２１】洗浄機１４ａ，１４ｂ，１８ａ，１８ｂの
形式は任意であるが、例えば、研磨ユニット１０ａ，１
０ｂ側の１次洗浄機１８ａ，１８ｂがスポンジ付きのロ
ーラで半導体ウエハ表裏両面を拭う形式であり、カセッ
ト１２ａ，１２ｂ側の２次洗浄機１４ａ，１４ｂが半導
体ウエハのエッジを把持して水平面内で回転させながら
洗浄液を供給する形式である。後者は、遠心脱水して乾
燥させる乾燥機としての機能をも持つ。

【００２２】反転機１６ａ，１６ｂは、この実施の形態
では、カセット１２ａ，１２ｂの収納方式やロボットの
把持機構との関係で必要であるが、常に半導体ウエハの
研磨面が下向きの状態で移送されるような場合には必要
ではない。また、ロボットに反転機能を持たせるような
構造の場合も必要ではない。この実施の形態では、２つ
の反転機１６ａ，１６ｂをドライな半導体ウエハを扱う
ものと、ウエットな半導体ウエハを扱うものと使い分け
ている。

【００２３】ロボット２２，２４，２６ａ，２６ｂは、
この実施の形態では４基が設けられ、それぞれ固定式
で、先端にハンドを有する関節アームが動く形式のもの
である。第１のロボット２２は、それぞれ１対のカセッ
ト、２次洗浄機１４ａ，１４ｂ，反転機１６ａ，１６ｂ
の間で被研磨材の搬送を行なう。第２のロボット２４
は、それぞれ１対の反転機１６ａ，１６ｂ、１次洗浄機
１８ａ，１８ｂ、及び仮置き台２０の間で被研磨材の授
受を行なう。また、第３及び第４のロボット２６ａ，２
６ｂは、仮置き台２０、いずれかの１次洗浄機１８ａ，
１８ｂ、いずれかのプッシャ３０の間で被研磨材の授受
を行なう。

【００２４】このような構成のポリッシング装置におい
ては、シリーズ処理とパラレル処理の双方が行われる。
図１では、ロード・アンロードユニットにおいて１つの
カセットを用いてパラレル処理を行なう場合の半導体ウ
エハの流れが示されている。なお、この説明では、中心
線Ｃを挟んで１対設けられている要素については、それ
ぞれ図１において上側に位置するものを右、下側に位置
するものを左として表記する。

【００２５】右側研磨処理ラインのパラレル処理におけ
る被研磨材（半導体ウエハ）の流れは、以下のようにな
る。右カセット１２ａ→第１のロボット２２→ドライ反
転機１６ａ→第２のロボット２４→ドライステーション
２０Ａ→第３のロボット２６ａ→右研磨ユニット１０ａ
のプッシャ３０→トップリング３２又は３４→ターンテ
ーブル３８での研磨→（バフ研磨テーブル４２でのバフ
研磨）→プッシャ３０→第３のロボット２６ａ→１次洗
浄機１８ａ→第２のロボット２４→ウェット反転機１６
ｂ→第１のロボット２２→２次洗浄機１４ａ，１４ｂ→
右カセット１２ａ

【００２６】各研磨ユニット１０ａ，１０ｂにおける処
理の流れを、図５を参照して説明する。プッシャ３０に
は既に第３のロボット２６ａ（又は第４のロボット２６
ｂ）により新たな未研磨のウエハが用意されている。同
図（ａ）に示すように、研磨は、トップリング３２でウ
エハを把持して行われ、その間、他方のトップリング３
４はプッシャ３０上に有り未処理ウエハをプッシャ３０
から受け取る。ターンテーブル３８で本研磨処理が終わ
ると、トップリング３２は、同図（ｂ）に示すように、
旋回アーム５２の旋回によりバフ研磨テーブル４２上に
移動し、ここで仕上げ研磨兼洗浄の水ポリッシングを行
なうことができる。もちろん、本研磨処理後ただちにプ
ッシャ３０に受け渡すことも可能である。

【００２７】水ポリッシングが終わると、同図（ｃ）に
示すように、トップリング装置３６が動作して旋回アー
ム５２を旋回させ、トップリング３２をプッシャ３０の
直上に移動させる。そして、トップリング３２が下降す
るか又はプッシャ３０が上昇して、研磨済みのウエハを
プッシャ３０に渡す。研磨済みのウエハは第３のロボッ
ト２６ａ（又は第４のロボット２６ｂ）により新たな未
研磨のウエハに交換される。この間に他方のトップリン
グ３４はターンテーブル３８上の研磨位置に移動し、タ
ーンテーブル３８による研磨が行われ、同図（ｄ）に示
すように、旋回アーム５２の旋回によりバフ研磨テーブ
ル４２上に移動し、ここで仕上げ研磨兼洗浄の水ポリッ
シングを行ない、再度同図（ａ）の工程に戻る。

【００２８】この工程において、研磨ユニット１０ａ，
１０ｂに対して被研磨材を出し入れするためのロボット
２６ａ，２６ｂが各研磨処理ライン毎に設けられている
ので、プッシャ３０の既処理被研磨材は迅速に未処理被
研磨材と交換される。従って、トップリング３２，３４
が次の被研磨材の到着を待機する必要がなく、ターンテ
ーブル３８が研磨作業をしていないアイドルタイムが減
少する。

【００２９】また、この実施の形態では、各トップリン
グ装置３６が旋回アーム５２の両端に搭載された２基の
トップリング３２，３４を有しているので、研磨処理中
に他方のトップリング３２，３４の被研磨材を未処理の
ものに交換しておくことにより、トップリング３２，３
４への被研磨材の取り付けのためのアイドルタイムも生
じない。従って、ターンテーブル３８の稼動効率が高
い、高スループットのパラレル処理を行なうことができ
る。

【００３０】図１の装置によるパラレル処理のスループ
ットを図８に示す従来の場合と比較して示す。ここで
は、１枚当たりの研磨時間を２分とし、洗浄は１次と２
次の両方を順次行なう２段洗浄とした。従来の場合では
時間当たり４０枚であったのに対して、本発明の場合に
は５３枚であった。また、装置全体に対する単位床面積
当たりのスループットを比較すると、従来の場合が７．
４枚／ｍ²・時間であるのに対して、本発明では７．９
枚／ｍ²・時間であった。

【００３１】図６は、上記実施の形態のポリッシング装
置を用いて２段研磨を行なう場合、すなわち、シリーズ
処理を行なう場合の被研磨材の流れを説明している。流
れの概略は以下の通りである。右カセット１２ａ→第１
のロボット２２→ドライ反転機１６ａ→第２のロボット
２４→ドライステーション２０Ａ→第３のロボット２６
ａ→第１研磨ユニット１０ａ→第３のロボット２６ａ→
右１次洗浄機１８ａ→第２のロボット２４→ウエットス
テーション２０Ｂ→第３のロボット２６ｂ→２次研磨ユ
ニット１０ｂ→第３のロボット２６ｂ→左１次洗浄機１
８ｂ→第２のロボット２４→ウェット反転機１６ｂ→第
１のロボット２２→左２次洗浄機１４ｂ→第１のロボッ
ト２２→右カセット１２ａ

【００３２】このシリーズ処理においては、濡れた状態
のウエハを研磨ユニット１０ｂに供給するので、ドライ
ステーション２０Ａとウエットステーション２０Ｂを使
い分けるようにしている。ウエットステーション２０Ｂ
ではノズル６６より被研磨材Ｗの上下面に対してリンス
液が供給されており、被研磨材の乾燥を防止している。
尚、図６では便宜上ドライステーション２０Ａとウェッ
トステーション２０Ｂを別に示したが、これらは図４で
説明したように、実際には上下に重なっている。

【００３３】図７は、この発明の他の実施の形態を示す
もので、この研磨ユニットには、プッシャ３０上に位置
するトップリング３４に近接する位置に被研磨材上に成
膜された薄膜の厚さを測定する膜厚測定器７２が設けら
れているものである。この膜厚測定器７２は、例えば、
非接触で薄膜の厚さを測定することができる光学ヘッド
７４を先端に取り付けたアーム７６と、このアームを被
研磨面に沿って走査させるための例えばＸＹテーブルの
ような位置決め装置７８とを備えている。

【００３４】このような構成のポリッシング装置では、
旋回アーム５２が反転した時に、トップリング３４に把
持された研磨済みのウエハに成膜された薄膜の厚さを測
定することができる。従って、この測定値を基にして研
磨量を知り、次の被研磨材（ウエハ）の研磨時間を調整
するようにフィードバック制御したり、あるいは、これ
が許容値に達していない場合には再度の研磨を行なうよ
うに制御することができる。すなわち、一旦研磨の終了
したウエハを、プッシャ上部でその研磨量を側ることが
でき、研磨量測定のためのスペ−スを別途設ける必要が
ない。第３又は第４のロボット２６ａ，２６ｂが研磨済
みのウエハを交換するのに要する時間は、通常、ターン
テーブル３８での研磨所要時間より短いので、この時間
の差を利用して厚さ測定を行えばダウンタイムの発生も
防止される。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ロボット手段により、仮置き台にある未研磨の被研磨材
は研磨ユニットに供給され、研磨ユニットの研磨済みの
被研磨材は直接洗浄ユニットに送られるので、研磨ユニ
ットの研磨済みの被研磨材を未研磨の被研磨材と迅速に
交換することができ、従って、ポリッシング装置の律速
段階である研磨ユニットの被研磨材待ちによる非稼動時
間を最小限に抑えてスループットを上げたパラレル処理
を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のポリッシング装置と被研磨材の流れ
を模式的に示す平面図である。

【図２】この発明のポリッシング装置の研磨ユニットを
示す正面図である。

【図３】研磨ユニットを示す平面図である。

【図４】仮置き台の構成を示す断面図である。

【図５】研磨ユニットの動作を示す平面図である。

【図６】この発明のポリッシング装置における被研磨材
の別の態様の流れを模式的に示す平面図である。

【図７】この発明のポリッシング装置の研磨ユニットの
他の実施の形態を示す正面図である。

【図８】従来のポリッシング装置を模式的に示す平面図
である。

【符号の説明】

１０ａ，１０ｂ 研磨ユニット １２ａ，１２ｂ 収容部 １４ａ，１４ｂ，１８ａ，１８ｂ 洗浄ユニット ２０ 仮置き台 ２６ａ，２６ｂ ロボット手段 ３０ プッシャ ３２，３４ トップリング ３６ トップリング装置 ３８ ターンテーブル ４２ 研磨テーブル ５２ 旋回アーム Ｗ 被研磨材

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被研磨材を収容する収容部と、 前記収容部からほぼ平行に延びる少なくとも２つのライ
   ン上にそれぞれ洗浄ユニット及び研磨ユニットが配置さ
   れた少なくとも２つの研磨処理ラインと、 前記洗浄ユニットと前記研磨ユニットの間に配置された
   前記２つの研磨処理ライン共用の仮置き台とを有し、 前記仮置き台、研磨ユニット及び洗浄ユニットとの間で
   被研磨材を搬送可能なロボット手段を前記各研磨処理ラ
   インのそれぞれに設けたことを特徴とするポリッシング
   装置。
2. 【請求項２】 前記研磨ユニットは、ターンテーブル、
   トップリング装置及び被研磨材を前記ロボット手段との
   間で授受するプッシャを有することを特徴とする請求項
   １に記載のポリッシング装置。
3. 【請求項３】 前記トップリング装置は、前記プッシャ
   と前記ターンテーブルにそれぞれ配置可能な２つのトッ
   プリングと、これらの２つのトップリングを水平に回転
   可能に支持する旋回アームとを有することを特徴とする
   請求項２に記載のポリッシング装置。
4. 【請求項４】 前記研磨ユニットには、前記トップリン
   グにより把持された被研磨材の上に成膜された薄膜の厚
   さを前記ターンテーブルを離れた位置で測定する膜厚測
   定センサが設けられていることを特徴とする請求項３に
   記載のポリッシング装置。
5. 【請求項５】 前記研磨ユニットには、小径のバフ研磨
   テーブルが設けられていることを特徴とする請求項２に
   記載のポリッシング装置。
6. 【請求項６】 設置床の一端側に設けられた被研磨材を
   収容する収容部と、 設置床の他端側に設けられ、それぞれがターンテーブル
   装置、トップリング装置及び基板プッシャを有する２つ
   の研磨ユニットと、 研磨ユニットにおいて研磨がされた被研磨材を洗浄する
   少なくとも２基の洗浄装置と、 これらの装置の間で被研磨材を移送する搬送装置とを備
   え、 前記研磨ユニットと洗浄装置は、該設置床の前記一端か
   ら他端に向けて延びる中心線に対して左右対称に配置さ
   れ、 前記搬送装置は、前記洗浄装置と前記研磨ユニットの間
   の前記中心線上に配置された仮置き台と、この仮置き台
   の左右両側に配置されたロボットを有することを特徴と
   するポリッシング装置。