TWI654047B - 拋光處理裝置、基板處理裝置及拋光處理方法 - Google Patents

拋光處理裝置、基板處理裝置及拋光處理方法

Info

Publication number
TWI654047B
TWI654047B TW104133187A TW104133187A TWI654047B TW I654047 B TWI654047 B TW I654047B TW 104133187 A TW104133187 A TW 104133187A TW 104133187 A TW104133187 A TW 104133187A TW I654047 B TWI654047 B TW I654047B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polishing
substrate
liquid
processing
wafer
Prior art date
Application number
TW104133187A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201625380A (zh
Inventor
山口都章
小畠厳貴
水野稔夫
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2014209063A external-priority patent/JP6346541B2/ja
Priority claimed from JP2014248996A external-priority patent/JP2016111265A/ja
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW201625380A publication Critical patent/TW201625380A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI654047B publication Critical patent/TWI654047B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber

Abstract

本發明抑制基板的損傷並且進行研磨。或者有效率地清洗去除粘性較大的異物等。用於對基板進行拋光處理的拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台是用於支承基板的拋光台，並構成為能夠旋轉；及拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對基板進行拋光處理的拋光墊。拋光頭構成為能夠旋轉，並且構成為能夠向接近拋光台的方向及遠離拋光台的方向移動。用於向基板供給拋光處理用的處理液的內部供給線路形成於拋光頭的內部。拋光處理裝置還具備除所述內部供給線路以外另外設置的外部噴嘴，該外部噴嘴用於向基板供給處理液。

Description

拋光處理裝置、基板處理裝置及拋光處理方法
本發明有關基板的拋光處理技術。
在半導體設備的製造中，已知對基板的表面進行研磨的化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)裝置。具備CMP裝置的基板處理系統具備用於進行基板的研磨處理的研磨單元(CMP單元)、用於進行基板的清洗處理及乾燥處理的清洗單元及向研磨單元傳遞基板並且接收通過清洗單元而進行了清洗處理及乾燥處理後的基板的裝載/卸載單元等。在研磨單元中，在研磨台的上表面上貼有研磨墊，而形成研磨面。該研磨單元將由頂環保持的基板的被研磨面按壓於研磨面，並一邊向研磨面供給作為研磨液的漿料，一邊使研磨台和頂環旋轉。由此，研磨面與被研磨面滑動地相對移動，而被研磨面被研磨。此外，申請人提出了如下申請：在主要的研磨部以外還在CMP裝置內設有精加工處理單元，所述精加工處理單元將比基板直徑小的接觸部件按壓於研磨後的基板並使其相對運動，而對基板輕微地進行追加研磨或者清洗。
現有技術文獻
<專利文獻>
專利文獻1：日本特開2010-50436號公報
專利文獻2：日本特開平8-71511
在上述以往的基板處理裝置中，有時在研磨單元中作用於基板的機械性的作用力變大，難以抑制基板的損傷(瑕疵)地進行研磨。另外，在清洗單元中難以有效率地清洗去除粘性較大的異物等。另外，為了提高生產率，希望提高基板處理的生產量。
另外，在以往的精加工處理單元中，基板和與基板接觸的接觸部件的界面上未充分地供給處理液，例如無法充分提高研磨速度，另外，清洗的效果也有改善的餘地。另外，希望減少處理液的消耗量。
本發明為了解決上述課題中的至少一部分而作出，能夠作為以下的方式實現。
〔技術方案1〕根據本發明的第一技術方案，提供用於對基板進行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台用於支承基板，並且構成為能夠旋轉；及拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對基板進行拋光處理的拋光墊。拋光頭構成為能夠旋轉，並且構成為能夠向接近拋光台的方向及遠離拋光台的方向移動。用於向基板供給拋光處理用的處理液的內部供給線路形成於拋光頭的內部。拋光處理裝置還具備除所述內部供給線路以外另外設置的外部噴嘴，該外部噴嘴用於向所述基板供給所述處理液。
根據上述拋光處理裝置，能夠進行通過化學機械研磨裝置而 被處理後的基板的後期處理。根據拋光處理裝置，能夠抑制基板的損傷(瑕疵)並且進行精研磨，或者能夠去除由化學機械研磨裝置產生的損傷。或者，與以往的輥清洗、筆清洗相比，能夠有效率地清洗去除粘性較大的異物等。並且，由於該拋光處理裝置具備形成於拋光頭的內部的內部供給線路和外部噴嘴這兩個系統的處理液供給單元，若使用該兩方來供給處理液，則無論拋光頭的位置如何(例如，即使在拋光頭在配置於拋光台的外部的修整工具(dresser)中被修整的情況下)，在拋光處理的開始前都能夠將充分的量的處理液沒有遺漏地供給至基板的加工面。因此，能夠進一步抑制基板的損傷。或者，在拋光頭在配置於拋光台的外部的修整工具中被修整的情況下，在修整動作的期間及拋光頭從修整工具移動至接觸位置的期間能夠從外部噴嘴向基板預裝載(預先供給)處理液，因此與在使拋光頭從修整工具移動至基板上，然後僅使用內部供給線路來預裝載處理液後開始拋光處理的情況相比，能夠提高生產量。另外，在本申請中，對基板進行拋光處理的表述除了對基板整體進行拋光處理以外，還包含僅對基板上的特定部位進行拋光處理。
〔技術方案2〕根據本發明的第二技術方案，在第一技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構成為對拋光處理裝置的動作進行控制。控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光頭接近拋光台直至用於使拋光墊與基板接觸的接觸位置之前，在拋光台旋轉的狀態下從外部噴嘴供給處理液。根據所述技術方案，在拋光台旋轉的狀態下向基板供給處理液，因此通過該旋轉力而處理液沒有遺漏地被供給至基板整體。因此，之後在拋光墊在接觸位置旋轉時，在基板 與拋光墊之間存在有充分的量的處理液，因此能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
〔技術方案3〕根據本發明的第三技術方案，在第二技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光頭接近拋光台直至接觸位置的中途，從內部供給線路供給處理液。根據所述技術方案，由於預裝載時的處理液供給量增加，因此能夠進一步沒有遺漏地將處理液供給至基板整體。
〔技術方案4〕根據本發明的第四技術方案，在第二或者第三技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光處理開始後或者從拋光處理開始經過規定時間後，僅從內部供給線路及外部噴嘴中的內部供給線路供給處理液。根據所述技術方案，能夠減少處理液的使用量。
〔技術方案5〕根據本發明的第五技術方案，在第二或者第三技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光處理中，從內部供給線路及外部噴嘴這兩方供給處理液。根據所述技術方案，能夠抑制拋光處理中的處理液的不足。因此，能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
〔技術方案6〕根據本發明的第六技術方案，在第一技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構成為對拋光處理裝置的動作進行控制。控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光頭接近拋光台直至接觸位置之前，在拋光台的旋轉停止的狀態下從外部噴嘴供給處理液，在該供給開始後，使拋光頭移動至接觸位置， 並開始拋光台的旋轉。根據所述技術方案，能夠在與拋光頭接觸的基板上區域有效率地對處理液進行預裝載，而能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
〔技術方案7〕根據本發明的第七技術方案，提供一種用於對基板進行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台用於支承基板，並且構成為能夠旋轉；及拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對基板進行拋光處理的拋光墊。拋光頭構成為能夠旋轉，並且構成為能夠向接近拋光台的方向及遠離拋光台的方向移動。用於向基板供給拋光處理用的處理液的內部供給線路形成於拋光頭的內部。拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構成為對拋光處理裝置的動作進行控制。控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光頭接近拋光台直至用於使拋光墊與基板接觸的接觸位置之前，在拋光台旋轉的狀態下從內部供給線路供給處理液。根據所述技術方案，由於在拋光台旋轉的狀態下向基板供給處理液，因此通過該旋轉力而處理液沒有遺漏地供給至基板整體。因此，能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
〔技術方案8〕根據本發明的第八技術方案，提供一種用於對基板進行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台用於支承基板，並且構成為能夠旋轉；及拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對基板進行拋光處理的拋光墊。拋光頭構成為能夠旋轉，並且構成為能夠向接近拋光台的方向及遠離拋光台的方向移動。用於向基板供給拋光處理用的處理液的內部供給線路形成於拋光頭的內部。拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構成為對拋光處理裝置的動作進行控制。控 制部構成為，在拋光台及拋光頭的旋轉停止的狀態下拋光頭接近拋光台直至用於使拋光墊與基板接觸的位置之後，從內部供給線路供給處理液，並在供給了該處理液規定時間後，開始拋光台及拋光頭的旋轉。根據所述技術方案，能夠在至少拋光墊與基板之間遍及了充分的量的處理液後，開始拋光處理。因此，能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
〔技術方案9〕根據本發明的第九技術方案，在第二至第八中的任一技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對拋光頭進行控制：在拋光處理的初始期間，第一負載通過拋光頭作用於基板，在初始後的期間，大於第一負載的第二負載通過拋光頭作用於基板。根據所述技術方案，在處理液難以沒有遺漏地遍及於基板的初始期間，以相對較小的負載進行拋光處理，能夠由此抑制基板受到損傷。
〔技術方案10〕根據本發明的第十技術方案，提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置具備：化學機械研磨裝置；及用於對通過化學機械研磨裝置而被處理後的基板進行後期處理的第一至第九中的任一技術方案的拋光處理裝置。根據所述基板處理裝置，能夠實現第一至第九中的任一技術方案相同的效果。
〔技術方案11〕根據本發明的第十一技術方案，提供一種用於通過拋光處理裝置而對基板進行拋光處理的方法。該方法具備如下工序：將基板配置於拋光台的工序，所述拋光台用於以能夠旋轉的方式支承基板；在使安裝於形成有內部供給線路的拋光頭的拋光墊與基板接觸前，在拋光台旋轉的狀態下從外部噴嘴供給處理液的工序，所述內部供給線路用於向基板供給拋光處理用的處理液；在從外部噴嘴供給處理液的工序之 後，一邊從內部供給線路供給處理液一邊進行拋光處理的工序。根據所述拋光處理方法，能夠實現與第二技術方案相同的效果。在該方法中，處理液從內部供給線路的供給可以僅在進行拋光處理的工序中進行，也可以在進行拋光處理的工序和從外部噴嘴供給處理液的工序這兩方中進行。另外，在進行拋光處理的工序中，也可以從外部噴嘴供給處理液。
〔技術方案12〕根據本發明的第十二技術方案，提供一種用於通過拋光處理裝置而對基板進行拋光處理的方法。該方法具備如下工序：將基板配置於拋光台的工序，所述拋光台用於以能夠旋轉的方式支承基板；在使安裝於形成有內部供給線路的拋光頭的拋光墊與基板接觸前，在拋光台的旋轉停止的狀態下從外部噴嘴供給處理液的工序，所述內部供給線路用於向基板供給拋光處理用的處理液；在處理液從外部噴嘴的供給開始後，使拋光墊與基板接觸，並使拋光台的旋轉開始的工序；及在使拋光台的旋轉開始的工序之後，一邊從內部供給線路供給處理液一邊進行拋光處理的工序。根據所述拋光處理方法，能夠實現與第六技術方案相同的效果。在該方法中，處理液從內部供給線路的供給可以僅在進行拋光處理的工序中進行，也可以在進行拋光處理的工序和從外部噴嘴供給處理液的工序這兩方中進行。另外，在進行拋光處理的工序中，也可以從外部噴嘴供給處理液。
〔技術方案13〕根據本發明的第十三技術方案，提供一種用於對基板進行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台用於支承基板，並構成為能夠旋轉；拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對基板進行拋光處理的拋光墊，並配置於所述拋光台的上方，所 述拋光頭構成為能夠旋轉；處理液供給部，所述處理液供給部用於向基板供給拋光處理用的處理液；及壁部，所述壁部在通過拋光台保持基板用的區域的外側，在周向整體上向鉛垂方向上方延伸，並且構成為能夠在壁部的內側區域存儲處理液。
根據所述拋光處理裝置，能夠進行通過化學機械研磨裝置而被處理後的基板的後期處理。根據拋光處理裝置，能夠抑制基板的損傷(瑕疵)並且進行精研磨或者能夠去除由化學機械研磨裝置產生的損傷。或者，與以往的輥清洗、筆清洗相比，能夠有效率地清洗去除粘性較大的異物等。此外，根據該拋光處理裝置，能夠以在內側區域存儲有處理液的狀態進行拋光處理，因此能夠使處理液可靠地存在於拋光墊與基板之間。因此，能夠抑制產生液膜中斷而基板受到損傷的情況。另外，與處理液沒有限制地從基板上向外部流出的結構相比，能夠減少處理液的消耗量並且確保較高的處理率。另外，在本申請中，對基板進行拋光處理的表述除了對基板整體進行拋光處理以外，還包含僅對基板上的特定部位進行拋光處理。
〔技術方案14〕根據本發明的第十四技術方案，在第十三技術方案的基礎上，拋光處理裝置構成為還具備拋光臂，所述拋光臂以能夠旋轉的方式安裝有拋光頭，並構成為能夠移動拋光頭的位置。處理液供給部具備用於供給處理液的處理液噴嘴，該處理液噴嘴向拋光頭的移動軌跡以外的區域供給處理液。根據第十三技術方案，能夠以在內側區域存儲有處理液的狀態進行拋光處理，因此能夠在內側區域的任意場所供給處理液。例如，即使在距離拋光墊較遠的場所供給處理液，也不會產生液膜中斷。因此，如第十四技術方案那樣，能夠向避開了拋光頭的移動軌跡的區 域供給處理液。根據所述第十四技術方案，從處理液供給部供給的處理液不會碰到拋光臂或者拋光頭。因此，能夠抑制由於處理液飛散並粘合於拋光臂或者拋光頭，在拋光處理中粘合物落下到基板上而基板受到損傷的情況。
〔技術方案15〕根據本發明的第十五技術方案，在第十三或者第十四技術方案的基礎上，處理液供給部具備形成於拋光頭的內部的處理液的內部供給線路。內部供給線路構成為從形成於拋光墊的開口部供給處理液。根據所述技術方案，經由內部供給線路而從拋光墊的中央部供給處理液，因此通過離心力和處理液的供給壓力，處理液在拋光墊與基板之間能夠沒有遺漏地蔓延。
〔技術方案16〕根據本發明的第十六技術方案，在第十三至第十五中的任一技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備存儲量調節部，所述存儲量調節部通過調節從內側區域排出的處理液的量，而能夠調節存儲於內側區域的處理液的量。根據所述技術方案，能夠根據狀況而靈活地進行處理液的存儲及排出。
〔技術方案17〕根據本發明的第十七技術方案，在第十六技術方案的基礎上，存儲量調節部構成為能夠排出存儲於內側區域的處理液的全部量。根據所述技術方案，能夠根據狀況而不將處理液存儲於內側區域地進行拋光處理。另外，在清洗處理後的基板、拋光台時，能夠適當地排出清洗水。
〔技術方案18〕根據本發明的第十八技術方案，在第十六或者第十七技術方案的基礎上，存儲量調節部具備使壁部的至少一部分進行 鉛垂運動、水平運動或者旋轉運動的機構。根據所述技術方案，能夠適當地調節存儲於內側區域的處理液的量。
〔技術方案19〕根據本發明的第十九技術方案，在第十六至第十八中的任一技術方案的基礎上，存儲量調節部具備能夠排出存儲於內側區域的處理液的排出路徑和能夠對排出路徑進行開閉的閥。根據所述技術方案，能夠適當地調節存儲於內側區域的處理液的量。
〔技術方案20〕根據本發明的第二十技術方案，在第十六至第十九中的任一技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構成為對拋光處理裝置的動作進行控制。控制部構成為，基於預定的設定來決定是否在內側區域存儲處理液。根據所述技術方案，能夠根據狀況來適當地切換以在內側區域存儲有處理液的狀態進行的處理和以在內側區域未存儲有處理液的狀態進行的處理。
〔技術方案21〕根據本發明的第二十一技術方案，在第十六至第十九中的任一技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備：控制部，所述控制部構成為對拋光處理裝置的動作進行控制；及傳感器，所述傳感器構成為對存儲於內側區域的處理液的液面水平進行檢測。控制部構成為以如下方式對存儲量調節部進行控制：基於傳感器的檢測結果而將處理液的液面水平調節為所設定的水平。根據所述技術方案，根據狀況而能夠將適當量的處理液存儲於內側區域。例如，在使拋光台以比較高的速度旋轉的情況下，由於離心力而處理液向基板的外周方向移動，基板外周附近的液面水平容易上升。在這樣的情況下，通過傳感器而對基板外周附近的液面水平進行檢測，通過存儲量調整部降低液面水平，而能夠抑制處理液的飛 散。
〔技術方案22〕根據本發明的第二十二技術方案，在第二十或者第二十一技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對存儲量調節部進行控制：在規定的時機，排出存儲於內側區域的處理液的全部量，並存儲從處理液供給部重新供給的處理液。根據所述技術方案，通過拋光處理而產生的研磨生成物(去除物)或者清洗生成物(去除物)與存儲的處理液一起排出，能夠使用不包含上述生成物的新鮮的處理液來使拋光處理持續。因此，能夠抑制由於上述生成物而基板受到損傷的情況。
〔技術方案23〕根據本發明的第二十三技術方案，在第二十至第二十二中的任一技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：通過同時進行處理液從處理液供給部的供給和存儲於內側區域的處理液的一部分的排出，而連續性地替換存儲於內側區域的處理液。根據所述技術方案，由於連續性地替換處理液，因此能夠抑制研磨生成物或者清洗生成物濃縮。另外，由於能夠一邊進行處理液的供給及排出一邊進行拋光處理，因此生產量較高。
〔技術方案24〕根據本發明的第二十四技術方案，在第二十或者第二十一技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光處理的前期，以在內側區域存儲有處理液的狀態實施拋光處理，在拋光處理的後期，在排出了存儲於內側區域的處理液後實施拋光處理。根據所述技術方案，在研磨生成物或者清洗生成物的濃度比較低的前期，使拋光台以比較高的速度旋轉而提高研磨率或者清洗率，在上述生成物的濃度比較高的後期，以排出了包含生成物的處理液的狀態進行 拋光處理，而能夠抑制基板受到損傷。在前期，由於以在內側區域存儲有處理液的狀態進行拋光處理，因此即使使拋光台以比較高的速度旋轉，也能夠使處理液沒有遺漏地存在於拋光墊與基板之間。
〔技術方案25〕根據本發明的第二十五技術方案，在第二十至第二十四中的任一個技術方案的基礎上，控制部構成為以如下方式對拋光處理裝置進行控制：在拋光處理的開始前，在內側區域存儲處理液。根據所述技術方案，在容易產生拋光墊與基板之間的處理液不足的拋光處理開始時，能夠使充分的量的處理液遍及它們之間。因此，能夠抑制基板受到損傷。並且，與不具有壁部的結構(即，所供給的處理液不被攔截地流出的結構)相比，能夠縮短對處理液進行預裝載(預先供給)的時間，而提高生產量。
〔技術方案26〕根據本發明的第二十六技術方案，在第十三至第二十七中的任一個技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備用於向內側區域內供給清洗液的清洗液供給部。根據所述技術方案，在將清洗液存儲於內側區域內後排出，由此能夠沖洗附著於壁部的處理液。因此，能夠抑制附著於壁部的處理液對基板產生不良影響。
〔技術方案27〕根據本發明的第二十七技術方案，在第十三至第二十六中的任一技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備能夠向壁部噴射清洗液的噴嘴機構。根據所述技術方案，能夠有效率地沖洗附著於壁部的處理液。
〔技術方案28〕根據本發明的第二十八技術方案，在第十三至第二十七中的任一技術方案的基礎上，拋光處理裝置還具備能夠調節存 儲於壁部的內側區域的處理液的溫度的溫度調節部。根據所述技術方案，在溫度條件方面能夠最優化拋光處理的工藝性能。
〔技術方案29〕根據本發明的第二十九技術方案，提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置具備：化學機械研磨裝置；用於對通過化學機械研磨裝置而被處理後的基板進行後期處理的第十三至第二十八中的任一技術方案的拋光處理裝置。根據所述基板處理裝置，能夠實現與第十三至第二十八中的任一技術方案相同的效果。
〔技術方案30〕根據本發明的第三十技術方案，提供一種用於對基板進行拋光處理的拋光處理方法。該拋光處理方法具備如下工序：將基板配置於拋光臺上的工序；在壁部的內側區域存儲處理液的工序，所述壁部在基板的配置區域的外側，在周向整體上向鉛垂方向上方延伸；以在內側區域存儲有處理液的狀態下，對配置於拋光臺上的基板進行拋光處理的工序。根據所述拋光處理方法，能夠實現與第十三技術方案相同的效果。
1‧‧‧外殼
1a、1b‧‧‧分隔壁
2‧‧‧裝載/卸載單元
3、3A、3B、3C、3D‧‧‧研磨單元
4‧‧‧清洗單元
5‧‧‧控制裝置
6、7‧‧‧直線式傳送裝置
10‧‧‧研磨墊
11‧‧‧升降機
12‧‧‧擺動式傳送裝置
20‧‧‧前裝載部
21‧‧‧移動機構
22‧‧‧搬運自動裝置
30A、30B、30C、30D‧‧‧研磨台
31A、31B、31C、31D‧‧‧頂環
32A、32B、32C、32D‧‧‧研磨液供給噴嘴
33A、33B、33C、33D‧‧‧修整工具
34A、34B、34C、34D‧‧‧噴霧器
36‧‧‧頂環旋轉軸
180‧‧‧臨時載置台
190‧‧‧輥清洗室
191‧‧‧第一搬運室
192‧‧‧筆清洗室
193‧‧‧第二搬運室
194‧‧‧乾燥室
195‧‧‧第三搬運室
201A、201B‧‧‧輥清洗組件
202A、202B‧‧‧筆清洗組件
203、204‧‧‧臨時載置台
205A、205B‧‧‧乾燥組件
207‧‧‧過濾器風扇單元
209、210、213‧‧‧搬運自動裝置
211、212、214‧‧‧支承軸
300‧‧‧拋光處理室
300A、300B‧‧‧拋光處理組件
400‧‧‧拋光台
500‧‧‧拋光頭
502‧‧‧拋光墊
504‧‧‧旋轉軸
506‧‧‧內部供給線路
600‧‧‧拋光臂
700‧‧‧液體供給系統
710‧‧‧純水外部噴嘴
712‧‧‧純水配管
712a‧‧‧分支純水配管
714‧‧‧純水供給源
716、718‧‧‧開閉閥
720‧‧‧藥液外部噴嘴
722‧‧‧藥液配管
722a‧‧‧分支藥液配管
724‧‧‧藥液供給源
726、728‧‧‧開閉閥
730‧‧‧漿料外部噴嘴
732‧‧‧漿料配管
732a‧‧‧分支漿料配管
734‧‧‧漿料供給源
736、738‧‧‧開閉閥
740‧‧‧液體供給配管
800‧‧‧修正部
810‧‧‧修整台
820‧‧‧修整工具
1000‧‧‧基板處理裝置
2-1‧‧‧外殼
2-1a‧‧‧分隔壁
2-2‧‧‧裝載/卸載單元
2-3、2-3A、2-3B、2-3C、2-3D‧‧‧研磨單元
2-4‧‧‧清洗單元
2-5‧‧‧控制裝置
2-6、2-7‧‧‧直線式傳送裝置
2-10‧‧‧研磨墊
2-11‧‧‧升降機
2-12‧‧‧擺動式傳送裝置
2-20‧‧‧前裝載部
2-21‧‧‧移動機構
2-22‧‧‧搬運自動裝置
2-30A、2-30B、2-30C、2-30D‧‧‧研磨台
2-31A、2-31B、2-31C、2-31D‧‧‧頂環
2-32A、2-32B、2-32C、2-32D‧‧‧研磨液供給噴嘴
2-33A、2-33B、2-33C、2-33D‧‧‧修整工具
2-34A、2-34B、2-34C、2-34D‧‧‧噴霧器
2-36‧‧‧頂環旋轉軸
2-180‧‧‧臨時載置台
2-190‧‧‧輥清洗室
2-191、2-193、2-195‧‧‧第一搬運室
2-192‧‧‧筆清洗室
2-194‧‧‧乾燥室
2-201A、2-201B‧‧‧輥清洗組件
2-202A、2-202B‧‧‧筆清洗組件
2-203、2-204‧‧‧臨時載置台
2-205A、2-205B‧‧‧乾燥組件
2-207‧‧‧過濾器風扇單元
2-209、2-210‧‧‧搬運自動裝置
2-211‧‧‧支承軸
2-213‧‧‧第三搬運自動裝置
2-300A‧‧‧拋光處理組件
2-300‧‧‧拋光處理室
2-300A、2-300B‧‧‧拋光處理組件
2-400‧‧‧拋光台
2-402‧‧‧壁部
2-402a、2-402c‧‧‧第一部分
2-402b、2-402d‧‧‧第二部分
2-404‧‧‧開口
2-406‧‧‧存儲量調節部
2-406‧‧‧促動器
2-408‧‧‧排出路徑
2-410‧‧‧閥
2-412‧‧‧溫度調節器
2-420‧‧‧傳感器
2-500‧‧‧拋光頭
2-502‧‧‧拋光墊
2-504‧‧‧旋轉軸
2-506‧‧‧內部供給線路
2-600‧‧‧拋光臂
2-700‧‧‧液體供給系統
2-710‧‧‧純水外部噴嘴
2-710‧‧‧外部噴嘴
2-712‧‧‧純水配管
2-712a‧‧‧分支純水配管
2-714‧‧‧純水供給源
2-716、2-718‧‧‧開閉閥
2-720‧‧‧藥液外部噴嘴
2-722‧‧‧藥液配管
2-722a‧‧‧分支藥液配管
2-724‧‧‧藥液供給源
2-726、2-728‧‧‧開閉閥
2-730‧‧‧漿料外部噴嘴
2-732‧‧‧漿料配管
2-732a‧‧‧分支漿料配管
2-734‧‧‧漿料供給源
2-736‧‧‧開閉閥
2-740‧‧‧液體供給配管
2-800‧‧‧修正部
2-810‧‧‧修整台
2-820‧‧‧修整工具
2-1000‧‧‧基板處理裝置
W‧‧‧晶圓
L1、L2‧‧‧處理液
DIW‧‧‧純水
圖1是表示作為本發明的一實施例的基板處理裝置的整體結構的概略俯視圖。
圖2是示意性地表示研磨單元的立體圖。
圖3A是清洗單元的概略俯視圖。
圖3B是清洗單元的概略側視圖。
圖4是表示拋光處理組件的概略結構的圖。
圖5是表示拋光頭的內部結構的概略圖。
圖6A是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第一例的示意圖。
圖6B是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第一例的示意圖。
圖6C是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第一例的示意圖。
圖7A是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第二例的示意圖。
圖7B是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第二例的示意圖。
圖7C是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第二例的示意圖。
圖8A是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第三例的示意圖。
圖8B是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第三例的示意圖。
圖9A是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第四例的示意圖。
圖9B是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第四例的示意圖。
圖9C是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第四例的示意圖。
圖10A是表示拋光處理組件的變形例的概略圖。
圖10B是表示拋光處理組件的變形例的概略圖。
圖11是表示作為本發明的一實施例的基板處理裝置的整體結構的概略俯視圖。
圖12是示意性表示研磨單元的立體圖。
圖13A是清洗單元的概略俯視圖。
圖13B是清洗單元的概略側視圖。
圖14是表示拋光處理組件的概略結構的圖。
圖15是表示拋光頭的內部結構的概略圖。
圖16A是表示拋光處理的概略的說明圖。
圖16B是表示拋光處理的概略的說明圖。
圖17A是表示用於排出處理液的構造的例子的概略圖。
圖17B是表示用於排出處理液的構造的其他例子的概略圖。
圖17C是表示用於排出處理液的構造的其他例子的概略圖。
圖17D是表示用於排出處理液的構造的其他例子的概略圖。
圖17E是表示用於排出處理液的構造的其他例子的概略圖。
圖18是表示拋光處理的順序的一例的示意圖。
圖19是表示拋光台的變形方式的概略圖。
以下，基於圖1-圖10對本申請的一實施方式的拋光處理裝置及基板處理裝置進行說明。
A.實施例：
圖1是表示本發明的一實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。如圖1所示，基板處理裝置1000具備大致矩形的外殼1。外殼1的內部由隔壁1a、1b劃分為裝載/卸載單元2、研磨單元3、清洗單元4。裝載/卸載單元2、研磨單元3及清洗單元4分別獨立地組裝，並獨立地進行排氣。另外，清洗單元4具備對基板處理裝置供給電源的電源供給部(省略圖示)和控制基板處理動作的控制裝置5。
裝載/卸載單元2具備兩個以上(在本實施方式中為四個)的前裝載部20，所述前裝載部20中載置有存儲大量的晶圓(基板)的晶圓盒。上述前裝載部20相鄰地配置於外殼1，沿著基板處理裝置的寬度方向(與長 度方向垂直的方向)排列。構成為在前裝載部20上能夠搭載開放式匣盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：標準製造介面)盒或者FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)。
另外，在裝載/卸載單元2上沿著前裝載部20的排列而配置有移動機構21。在移動機構21上設置有能夠沿著晶圓盒的排列方向移動的兩台搬運自動裝置(conveyance robot)22。搬運自動裝置22構成為通過在移動機構21上移動，而能夠對搭載於前裝載部20的晶圓盒進行存取。各搬運自動裝置22從晶圓盒取出處理前的晶圓，並且使處理後的晶圓返回晶圓盒。
研磨單元3是進行晶圓的研磨(平坦化)的區域。研磨單元3具備：第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C及第四研磨單元3D。如圖1所示，上述研磨單元3A~3D沿著基板處理裝置的長度方向排列。
如圖1所示，第一研磨單元3A具備：研磨台30A，所述研磨台30A安裝有具有研磨面的研磨墊10；頂環31A，所述頂環31A用於一邊保持晶圓並將其按壓在研磨台30A上的研磨墊10上，一邊進行研磨；研磨液供給噴嘴32A，所述研磨液供給噴嘴32A用於向研磨墊10供給研磨液或者修整液(例如，純水)；修整工具33A，所述修整工具33A用於進行研磨墊10的研磨面的修整；及噴霧器34A，使液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)的混合流體或者液體(例如純水)形成霧狀並噴射至研磨面。
相同地，第二研磨單元3B具備：研磨台30B、頂環31B、研磨液供給噴嘴32B、修整工具33B及噴霧器34B。第三研磨單元3C具備：研磨台30C、頂環31C、研磨液供給噴嘴32C、修整工具33C及噴霧器34C。第 四研磨單元3D具備：研磨台30D、頂環31D、研磨液供給噴嘴32D、修整工具33D及噴霧器34D。
第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C及第四研磨單元3D具有彼此相同的結構，因此以下僅對第一研磨單元3A進行說明。
圖2是示意性表示第一研磨單元3A的立體圖。頂環31A支承於頂環旋轉軸(top ring shaft)36。在研磨台30A的上表面上貼付有研磨墊10。研磨墊10的上表面形成對晶圓W進行研磨的研磨面。另外，也可以代替研磨墊10而使用固定磨料。頂環31A及研磨台30A如箭頭所示地構成為繞其軸心旋轉。晶圓W通過真空吸附而被保持於頂環31A的下表面。在研磨時，從研磨液供給噴嘴32A向研磨墊10的研磨面供給研磨液，並通過頂環31A將作為研磨對象的晶圓W按壓於研磨面而進行研磨。
接下來，對用於搬運晶圓的搬運機構進行說明。如圖1所示，與第一研磨單元3A及第二研磨單元3B相鄰地配置有第一直線式傳送裝置(first linear transporter)6。第一直線式傳送裝置6是在沿著研磨單元3A、3B排列的方向的四個搬運位置(從裝載/卸載單元側開始依次設為第一搬運位置TP1、第二搬運位置TP2、第三搬運位置TP3、第四搬運位置TP4)之間搬運晶圓的機構。
另外，與第三研磨單元3C及第四研磨單元3D相鄰地配置有第二直線式傳送裝置7。第二直線式傳送裝置7是在沿著研磨單元3C、3D排列的方向的三個搬運位置(從裝載/卸載單元側開始依次設為第五搬運位置TP5、第六搬運位置TP6、第七搬運位置TP7)之間搬運晶圓的機構。
晶圓被第一直線式傳送裝置6搬運至研磨單元3A、3B。第一研磨單元3A的頂環31A通過頂環頭的擺動動作而在研磨位置與第二搬運位置TP2之間移動。因此，在第二搬運位置TP2進行晶圓向頂環31A的傳遞。相同地，第二研磨單元3B的頂環31B在研磨位置與第三搬運位置TP3之間移動，在第三搬運位置TP3進行晶圓向頂環31B的傳遞。第三研磨單元3C的頂環31C在研磨位置與第六搬運位置TP6之間移動，在第六搬運位置TP6進行晶圓向頂環31C的傳遞。第四研磨單元3D的頂環31D在研磨位置與第七搬運位置TP7之間移動，在第七搬運位置TP7進行晶圓向頂環31D的傳遞。
第一搬運位置TP1配置有用於從搬運自動裝置22接收晶圓的升降機11。晶圓經由升降機11而從搬運自動裝置22轉移至第一直線式傳送裝置6。在第一直線式傳送裝置6、第二直線式傳送裝置7、清洗單元4之間配置有擺動式傳送裝置12。擺動式傳送裝置12具有能夠在第四搬運位置TP4與第五搬運位置TP5之間移動的手部。晶圓從第一直線式傳送裝置6向第二直線式傳送裝置7的傳遞由擺動式傳送裝置12進行。晶圓由第二直線式傳送裝置7搬運至第三研磨單元3C及/或者第四研磨單元3D。另外，由研磨單元3研磨後的晶圓通過擺動式傳送裝置12而被搬運至臨時載置台180。載置於臨時載置台180的晶圓被搬運至清洗單元4。
圖3A是表示清洗單元4的俯視圖，圖3B是表示清洗單元4的側視圖。如圖3A及圖3B所示，清洗單元4被劃分為：輥清洗室190、第一搬運室191、筆清洗室192、第二搬運室193、乾燥室194、拋光處理室300及第三搬運室195。
在輥清洗室190內配置有沿著縱方向排列的上側輥清洗組件 201A及下側輥清洗組件201B。上側輥清洗組件201A配置於下側輥清洗組件201B的上方。上側輥清洗組件201A及下側輥清洗組件201B是通過一邊將清洗液供給於晶圓的表面背面，一邊將旋轉的兩個輥形海綿分別按壓於晶圓的表面背面，而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側輥清洗組件201A與下側輥清洗組件201B之間設有晶圓的臨時載置台204。
在筆清洗室192內配置有沿著縱方向排列的上側筆清洗組件202A及下側筆清洗組件202B。上側筆清洗組件202A配置於下側筆清洗組件202B的上方。上側筆清洗組件202A及下側筆清洗組件202B是通過一邊將清洗液供給於晶圓的表面，一邊將旋轉的筆形海綿按壓於晶圓的表面並沿著晶圓的徑向擺動，而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側筆清洗組件202A與下側筆清洗組件202B之間設有晶圓的臨時載置台203。
在乾燥室194內配置有沿著縱方向排列的上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B。上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B彼此分離。上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B的上部設有將乾淨的空氣分別供給至乾燥組件205A、205B內的過濾器風扇單元207、207。
在第一搬運室191中配置有能夠上下移動的第一搬運自動裝置(搬運機構)209。在第二搬運室193中配置有能夠上下移動的第二搬運自動裝置210。在第三搬運室195中配置有能夠上下移動的第三搬運自動裝置(搬運機構)213。第一搬運自動裝置209、第二搬運自動裝置210及第三搬運自動裝置213分別移動自如地支承於沿著縱方向延伸的支承軸211、212、214。第一搬運自動裝置209、第二搬運自動裝置210及第三搬運自動裝置213在內部具有電動機等驅動機構，並構成為能夠沿著支承軸211、 212、214上下移動。第一搬運自動裝置209具有上下兩級的手部。在圖3A如虛線所示，第一搬運自動裝置209配置於其下側的手部能夠對上述臨時載置台180進行存取的位置。
第一搬運自動裝置209以在臨時載置台180、上側輥清洗組件201A、下側輥清洗組件201B、臨時載置台204、臨時載置台203、上側筆清洗組件202A及下側筆清洗組件202B之間搬運晶圓W的方式進行動作。在搬運清洗前的晶圓(附著有漿料的晶圓)時，第一搬運自動裝置209使用下側的手部，在搬運清洗後的晶圓時使用上側的手部。
第二搬運自動裝置210以在上側筆清洗組件202A、下側筆清洗組件202B、臨時載置台203、上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B之間搬運晶圓W的方式進行動作。第二搬運自動裝置210僅搬運清洗後的晶圓，因此僅具備一個手部。圖1所示的搬運自動裝置22使用上側的手部從上側乾燥組件205A或者下側乾燥組件205B取出晶圓，並使該晶圓返回晶圓盒。
在拋光處理室300中具備上側的拋光處理組件300A及下側的拋光處理組件300B。第三搬運自動裝置213以在上側的輥清洗組件201A、下側的輥清洗組件201B、臨時載置台204、上側的拋光處理組件300A及下側的拋光處理組件300B之間搬運晶圓W的方式進行動作。
在本實施方式中，表示了在清洗單元4內，從距裝載/卸載單元2較遠的方向開始依次並列配置拋光處理室300、輥清洗室190及筆清洗室192的例子，但並不限定於此。拋光處理室300、輥清洗室190及筆清洗室192的配置形態能夠根據晶圓的品質及生產量等而適當選擇。由於上側的拋光處理組件300A及下側的拋光處理組件300B是相同的結構，因此以下僅對上 側的拋光處理組件300A進行說明。
圖4是表示上側的拋光處理組件的概略結構的圖。如圖4所示，拋光處理組件300A具備：拋光台400，所述拋光台400用於對作為一種基板的晶圓W進行支承；拋光頭500，所述拋光頭500安裝有用於對晶圓W的處理面進行拋光處理的拋光墊502；拋光臂600，所述拋光臂600用於對拋光頭500進行保持；液體供給系統700，所述液體供給系統700用於供給各種處理液；及修正部800，所述修正部800用於進行拋光墊502的修正(conditioning)(磨銳)。
拋光台400具有對晶圓W進行保持的機構。晶圓保持機構在本實施例中是真空吸附方式，但能夠設為任意的方式。例如，晶圓保持機構可以使在晶圓W的周緣部的至少一處夾緊晶圓W的表面及背面的夾緊方式，也可以是在晶圓W的周緣部的至少一處保持晶圓W的側面的輥輪卡盤方式。在本實施例中，拋光台400以晶圓W的加工面朝向上方的方式保持晶圓W。
另外，拋光台400構成為通過未圖示的驅動機構而繞旋轉軸A旋轉。在拋光臂600上經由能夠旋轉地構成的旋轉軸504而安裝有拋光頭500。在拋光頭500的與晶圓W(或者拋光台400)相對的面上安裝有用於對晶圓W進行拋光處理的拋光墊502。拋光臂600構成為使拋光頭500繞著旋轉軸B旋轉。另外，拋光墊502的面積小於晶圓W(或者拋光台400)的面積，因此拋光臂600構成為使拋光頭500如箭頭C所示地沿著晶圓W的徑向擺動，以能夠沒有遺漏地對晶圓W進行拋光處理。另外，拋光臂600構成為能夠使拋光頭500擺動至拋光墊502與修正部800相對的位置。拋光頭500通過 促動器(省略圖示)而能夠向接近拋光台400的方向及遠離拋光台400的方向(在本實施例中向上下)移動。由此，能夠以規定的壓力將拋光墊502按壓於晶圓W。所述結構能夠通過旋轉軸504的伸縮來實現，也可以通過拋光臂600的上下運動來實現。
液體供給系統700具備用於向晶圓W的處理面供給純水(在圖中顯示為DIW)的純水外部噴嘴710。純水外部噴嘴710經由純水配管712而連接於純水供給源714。在純水配管712上設有能夠對純水配管712進行開閉的開閉閥716。控制裝置5通過控制開閉閥716的開閉，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給純水。
另外，液體供給系統700具備用於向晶圓W的處理面供給藥液(在圖中顯示為Chemi)的藥液外部噴嘴720。藥液外部噴嘴720經由藥液配管722而連接於藥液供給源724。在藥液配管722上設有能夠對藥液配管722進行開閉的開閉閥726。控制裝置5通過控制開閉閥726的開閉，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給藥液。
另外，液體供給系統700具備用於向晶圓W的處理面供給漿料(在圖中顯示為Slurry)的漿料外部噴嘴730。漿料外部噴嘴730經由漿料配管732而連接於漿料供給源734。在漿料配管732上設有能夠對漿料配管732進行開閉的開閉閥736。控制裝置5通過控制開閉閥736的開閉，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給漿料。
在本實施例中，外部噴嘴710、720、730的位置都固定，向預定的固定位置供給純水、藥液或者漿料。上述處理液通過晶圓W的旋轉而供給至高效率地向拋光墊502供給處理液的位置。外部噴嘴710、720、730 也可以構成為各種處理液中的兩個以上共用的一個或者兩個噴嘴。另外，外部噴嘴也可以構成為供給純水、藥液及漿料中的至少一種處理液。
拋光處理組件300A進一步能夠經由拋光臂600、拋光頭500及拋光墊502而向晶圓W的處理面選擇性地供給處理液(純水、藥液、或者漿料)。即，從純水配管712中的純水供給源714與開閉閥716之間分支有分支純水配管712a。相同地，從藥液配管722中的藥液供給源724與開閉閥726之間分支有分支藥液配管722a。從漿料配管732中的漿料供給源734與開閉閥736之間分支有分支漿料配管732a。分支純水配管712a、分支藥液配管722a及分支漿料配管732a匯合於液體供給配管740。在分支純水配管712a上設有能夠對分支純水配管712a進行開閉的開閉閥718。在分支藥液配管722a上設有能夠對分支藥液配管722a進行開閉的開閉閥728。在分支漿料配管732a上設有能夠對分支漿料配管732a進行開閉的開閉閥738。
液體供給配管740與拋光臂600的內部、拋光頭500的中央內部及拋光墊502的中央內部連通。具體來說，如圖5所示，在拋光臂600、拋光頭500及拋光墊502的內部形成有內部供給線路506，該內部供給線路506與液體供給配管740連通。內部供給線路506朝向拋光台400的上表面(晶圓W的處理面)開口。在本實施例中，內部供給線路506的開口部在拋光墊502的中央僅設有一個，也可以設有複數個開口部。例如，內部供給線路506也可以通過形成於拋光頭500內的水池套(water pool jacket)構造而向分散配置的複數個開口分支。複數個開口部以它們的徑向的位置不同的方式分散配置。控制裝置5通過對開閉閥718、開閉閥728及開閉閥738的開閉進行控制，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給純水、藥液、漿料中的任一個 或者它們的任意的組合的混合液。由以上說明可知，拋光處理組件300A具備外部噴嘴710、720、730和內部供給線路506這兩個系統的處理液供給單元。
拋光處理組件300A經由外部噴嘴710、720、730和內部供給線路506中的至少一方而向晶圓W供給處理液，並且使拋光台400繞旋轉軸A旋轉，將拋光墊502按壓於晶圓W的處理面，使拋光頭500一邊繞旋轉軸B旋轉，一邊沿著箭頭C方向擺動，由此能夠對晶圓W進行拋光處理。另外，拋光處理時的拋光台400與拋光頭500的相對運動不限定於上述例子，也可以通過旋轉運動、平移運動、圓弧運動、往復運動、渦卷(scroll)運動、角度旋轉運動(僅旋轉小於360度的規定的角度的運動)中的至少一個來實現。
在本申請中，拋光處理包括拋光研磨處理及拋光清洗處理中的至少一方。拋光研磨處理是指，通過一邊使拋光墊502與晶圓W接觸，一邊使拋光墊502與晶圓W相對運動，在晶圓W與拋光墊502之間夾有漿料而對晶圓W的處理面進行研磨去除的處理。拋光研磨處理通常是，以對晶圓的表面的凹凸進行平坦化或者去除形成於溝道(trench)、導通孔(via)內部以外的表面的多餘的膜的目的而進行的主研磨之後，進行所謂的精研磨的處理。拋光研磨的去除加工量為例如幾nm~十幾nm左右。作為拋光墊502，能夠使用例如對發泡聚氨酯與無紡布進行了層疊的墊(具體來說，例如能夠在市場上得到的IC1000(註冊商標)/SUBA(註冊商標)類)、絨面狀的多孔性聚氨酯非纖維質墊(具體來說，例如能夠在市場上得到的POLITEX(註冊商標))等。拋光研磨處理是能夠對晶圓W施加比在輥清洗室190中通過由PVA(polyvinyl alcohol：聚乙烯醇)構成的輥形海綿而對晶圓W施加的 物理作用力及在筆清洗室192中通過由PVA構成的筆形海綿而對晶圓W施加的物理作用力強的物理作用力的處理。通過拋光研磨處理而能夠實現具有擦痕等損傷的表層部或者附著有異物的表層部的去除、在研磨單元3的主研磨中無法去除的部位的追加去除或者主研磨後的微小區域的凹凸、有關基板整體的膜厚分佈的形態的改善。
拋光清洗處理是指，通過一邊使拋光墊502與晶圓W接觸，一邊使拋光墊502與晶圓W相對運動，在晶圓W與拋光墊502之間夾有清洗處理液(藥液、純水或者它們的混合物)而去除晶圓W表面的異物或者對處理面進行改質的精加工處理。作為拋光墊502而使用上述IC1000(註冊商標)/SUBA(註冊商標)類、POLITEX(註冊商標)等。拋光清洗處理是能夠對晶圓W施加比在輥清洗室190中通過由PVA構成的輥形海綿而對晶圓W施加的物理作用力及在筆清洗室192中通過由PVA構成的筆形海綿而對晶圓W施加的物理作用力強的物理作用力的處理。根據拋光清洗處理，能夠有效率地清洗去除僅由PVA構成的海綿材料接觸而無法去除的、粘性較大的異物等。另外，為了本發明的拋光清洗處理，作為拋光墊也能夠使用PVA海綿。
修正部800是用於對拋光墊502的表面進行修正(修整)的部件。在本實施例中，修正部800配置於拋光台400的外部。作為代替形態，修正部800也可以向拋光台400的上方並且拋光頭500的下方移動，來進行拋光墊502的修正。在該情況下，修正較佳為在搬出完成處理的晶圓W後進行。修正部800具備修整台810和設置於修整台810的修整工具820。修整台810構成為通過未圖示的驅動機構而能夠繞旋轉軸D旋轉。修整工具820由例如金剛石修整工具、刷形修整工具或者它們的組合形成。
拋光處理組件300A在進行拋光墊502的修正時，使拋光臂600回轉直至拋光墊502變為與修整工具820相對的位置。拋光處理組件300A使修整台810繞旋轉軸D旋轉，並且使拋光頭500旋轉，將拋光墊502按壓於修整工具820，由此進行拋光墊502的修正。所述修正動作例如能夠在將拋光處理後的晶圓W置換為接下來應該進行拋光處理的晶圓W的期間進行。
根據以上所說明的拋光處理組件300A，作為化學機械研磨處理後的晶圓W的後期處理而進行拋光處理，由此能夠抑制晶圓W的損傷(瑕疵)並且進行精研磨，或者能夠去除在化學機械研磨處理中產生的損傷。或者，與以往的輥清洗和筆清洗相比，能夠有效率地清洗去除粘性較大的異物等。尤其是，在本實施例中，以能夠抑制晶圓W的損傷的方式，在拋光處理開始前對處理液進行預裝載(預先供給)。在拋光處理開始時若晶圓W與拋光墊502之間未充分地存在處理液，則有可能在晶圓W上產生擦痕等損傷。因此，在拋光處理開始時，以至少在拋光墊502與晶圓W之間存在充分的量的處理液的方式，進行處理液的預裝載，而避免產生處理液不足。以下，對這種處理液的供給形態進行說明。
圖6A~圖6C是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第一例的示意圖。該順序在本實施例中，通過控制裝置5對拋光處理組件300A的動作進行控制而實現。拋光處理組件300A也可以由拋光處理組件300A專用的控制組件代替控制裝置5控制。在該例子中，首先，如圖6A所示，首先，在拋光頭500從以拋光墊502不與晶圓W接觸的方式上升至上方的位置(以下也稱為上升位置)移動至用於使拋光墊502與晶圓W接觸的位置(以下也稱為接觸位置)前(即，移動開始前及/或者移動中途)，在拋光 台400旋轉的狀態下，從外部噴嘴710、720、730中的至少一個向晶圓W上供給處理液L1。在拋光台400旋轉的狀態下供給處理液L1，因此該處理液L1能夠沒有遺漏地蔓延至晶圓W上。因此，晶圓W上的處理液L1的供給部位也可以任意地設定。
接下來，處理液L1在遍及了晶圓W後，拋光頭500移動(下降)至接觸位置。在該移動動作的中途，如圖6B所示，從形成於拋光墊502的內部的內部供給線路506向晶圓W上供給處理液L2。此時，也從外部噴嘴710、720、730中的至少一個供給處理液L1。根據所述結構，在拋光墊502與晶圓W接觸而開始拋光處理時，在晶圓W與拋光墊502之間充分地存在有處理液的狀態下，能夠開始拋光處理。通過從兩個系統供給處理液L1、L2，而處理液的供給量增加，因此能夠進一步沒有遺漏地向晶圓W的加工面供給處理液。此外，在本實施例中，如圖6B所示，拋光頭500一邊旋轉一邊向下方移動。根據所述結構，能夠在拋光頭500到達接觸位置的同時開始拋光處理，因此能夠提高生產量。但是，拋光頭500也可以在到達接觸位置後開始旋轉。
並且，如圖6C所示，當拋光頭500到達接觸位置，並從拋光頭500向晶圓W施加按壓力，而開始拋光處理時，處理液L1從外部噴嘴710、720、730中的至少一個的供給停止，在僅從內部供給線路506供給處理液L2的狀態下實施拋光處理。根據所述結構，在容易產生基板的損傷的拋光處理開始時，預先從兩個系統供給處理液L1、L2。然後，在晶圓W與拋光墊502之間穩定地存在處理液，拋光處理也穩定，所以通過僅從內部供給線路506供給處理液L2，而能夠抑制晶圓W的損傷，並且減少處理液的使用量。 處理液L2經由內部供給線路506而從拋光墊502的中央部被供給，因此通過離心力與處理液L2的供給壓力，處理液L2能夠沒有遺漏地蔓延至拋光墊502與晶圓W之間。也可以代替上述結構，停止處理液L1的供給的時機在從拋光處理開始經過規定時間後。
作為代替形態，在拋光處理中，也可以始終從外部噴嘴710、720、730中的至少一個和內部供給線路506這兩方供給處理液L1、L2。根據所述結構，在拋光處理中能夠有效地抑制產生處理液的不足。
圖7A~圖7C是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第二例的示意圖。在該例子中，首先，如圖7A所示，首先，在拋光頭500從避讓位置移動至接觸位置前，在拋光台400的旋轉停止的狀態下，從外部噴嘴710、720、730中的至少一個向晶圓W上供給處理液L1。由於拋光台400未旋轉，因此所供給的處理液L1大致停留於所供給的區域的周邊。因此，處理液L1被向拋光頭500下降的位置、即拋光墊502最初與晶圓W接觸的位置供給。
然後，處理液L1的供給停止，並且拋光頭500從避讓位置移動至接觸位置。當拋光頭500移動至接觸位置時，如圖7B所示，開始處理液L2從內部供給線路506的供給。接下來，通過開始拋光台400及拋光頭500的旋轉，而開始拋光處理。如圖7C所示，在拋光處理中僅從內部供給線路506供給處理液L2，處理液L1不從外部噴嘴710、720、730中的至少一個供給。根據所述結構，能夠在與拋光墊502接觸的晶圓W上的區域高效地預裝載處理液。即，能夠減少處理液的使用量。
圖7A~圖7C所示的順序能夠與圖6A~圖6C所示的順序相 同地進行各種變形。例如，也可以在拋光頭500從上升位置移動至接觸位置的中途，從內部供給線路506向晶圓W上供給處理液L2。或者，也可以在拋光處理中代替從內部供給線路506供給的處理液L2，而從外部噴嘴710、720、730中的至少一個供給處理液L1。或者，拋光頭500也可以一邊旋轉一邊移動至接觸位置。
如上述第一例、第二例那樣，不是使用內部供給線路506，而使用外部噴嘴710、720、730來進行處理液的預裝載，由此能夠提高生產量。具體來說，根據第一或者第二例，拋光頭500在配置於拋光台400的外部的修正部800的修整工具820中進行修整的情況下，能夠在修整的期間及拋光頭500從修正部800移動至上升位置的移動的期間從外部噴嘴710、720、730向晶圓W上預裝載處理液L1。因此，與使拋光頭500從修整工具820移動至晶圓W上，然後在僅使用內部供給線路506對處理液L2進行了預裝載後開始拋光處理的情況相比，沒有用於預裝載的待機時間，因此能夠提高生產量。
圖8A及圖8B是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第三例的示意圖。該例子是未設有外部噴嘴710、720、730的情況或者未使用外部噴嘴710、720、730的情況的例子。在該例子中，首先，如圖8A所示，在拋光頭500處於上升位置的期間及從上升位置移動至接觸位置的期間，在拋光台400旋轉的狀態下，從內部供給線路506向晶圓W上供給處理液L2。由於在拋光台400旋轉的狀態下供給處理液L2，該處理液L2能夠沒有遺漏地蔓延至晶圓W上。在本實施例中，為了提高生產量，拋光頭500一邊旋轉一邊移動至接觸位置。但是，如上所述，拋光頭500也可以在到達接觸位置後 開始旋轉。並且，當處理液L2充分地遍及了晶圓W上時，如圖8B所示，拋光頭500移動至接觸位置，並開始拋光處理。
圖9A~圖9是表示拋光處理中的處理液的預裝載的順序的第四例的示意圖。該例子是未設有外部噴嘴710、720、730的情況或者未使用外部噴嘴710、720、730的情況的例子。在該例子中，首先，如圖9A所示，在拋光台400及拋光頭500的旋轉停止的狀態下，拋光頭500從上升位置移動至接觸位置。接下來，如圖9B所示，從內部供給線路506向晶圓W上供給處理液L2。並且，供給了規定時間處理液L2之後，如圖9C所示，開始拋光台400及拋光頭500的旋轉，由此開始拋光處理。規定時間被設定為在拋光墊502與晶圓W之間遍及有充分的量的處理液L2。
B.變形例：
B-1.變形例1：
控制裝置5也可以是以在拋光處理的初始期間、小於之後的期間的負載從拋光墊502作用於晶圓W的方式對拋光頭500的動作進行控制。所述負載能夠通過調節拋光墊502與晶圓W之間的接觸壓力而調節。根據所述結構，在處理液難以沒有遺漏地遍及晶圓W的初始期間，以相對較小的負載進行拋光處理，由此能夠進一步抑制晶圓W的損傷。
B-2.變形例2：
控制裝置5也可以是以根據拋光臂600的擺動位置而對處理液L1從外部噴嘴710、720、730的供給進行接通/斷開的方式對拋光處理組件300A進行 控制。或者也可以設置供給同一種類的處理液的複數個外部噴嘴。在該情況下，也可以根據拋光臂600的擺動位置來控制處理液L1從各噴嘴的供給的接通/斷開。也可以代替接通/斷開控制或者除此以外進行從各噴嘴供給的處理液L1的流量調整或者壓力調整。另外，也能夠代替複數個噴嘴而設置具有位置不同的複數個供給口的噴嘴。
或者，外部噴嘴710、720、730也可以具備能夠根據拋光臂600的擺動位置而變更處理液L1的供給位置的機構。所述機構包括：例如通過旋轉式傳動裝置等旋轉機構而使噴嘴的供給口的水平方向的朝向變化的機構、通過氣缸等而使噴嘴的供給口升降的機構、通過搖頭機構等而使噴嘴的供給口的鉛垂方向的朝向變化的機構、通過調節壓力及流量中的至少一方，而調節處理液L1從噴嘴的供給口的飛行距離的機構等。當然，也能夠對上述機構和接通/斷開控制進行組合。
根據上述結構，在拋光處理中從外部噴嘴供給處理液L1的情況下，能夠抑制處理液L1碰上拋光臂600或者拋光頭500而向目標外的位置飛散。其結果是，能夠抑制由於處理液L1的飛散，而供給於拋光墊502及晶圓W之間的處理液L1減少而晶圓W受到損傷。此外，能夠抑制處理液飛散並粘合於拋光臂600或者拋光頭500，在拋光處理中粘合物落下到晶圓W上而對晶圓W造成損傷。在上述結構中，在拋光臂600未位於晶圓的中心的情況下，處理液L1也可以向晶圓的中心供給。根據所述結構，通過拋光台400的旋轉引起的離心力，處理液L1能夠沒有遺漏地遍及至晶圓W整體。
B-3.變形例3：
拋光處理組件300A、300B不限定於包含於清洗單元4的結構，也可以包含於研磨單元3。
B-4.變形例4：
純水外部噴嘴710及藥液外部噴嘴720在拋光處理後，也能夠使用於處理後的晶圓W或者搬出了晶圓W後的拋光台400的清洗處理。
B-5.變形例5：
在上述實施例中，拋光台400不限定於以晶圓W的處理面朝向水平方向的保持晶圓W的結構，也可以是以晶圓W的處理面朝向鉛垂方向的方式保持晶圓W的結構。即，也可以是以拋光台400的晶圓W支承面朝向鉛垂方向的方式配置拋光台400。在該情況下，如圖10A所示，拋光頭500以拋光墊502朝向鉛垂方向的方式配置。另外，拋光頭500構成為能夠向接近拋光台400的方向及遠離拋光台400的方向移動。具體來說，拋光頭500構成為在水平方向上能夠在接觸位置與退避位置之間移動，所述接觸位置是用於使拋光墊502與晶圓W的位置，所述退避位置是以避免拋光墊502與晶圓W接觸的方式向拋光台400相反的方向退避的位置。
另外，漿料外部噴嘴730配置為將漿料向拋光頭500的鉛垂方向上方的晶圓W的區域供給。在圖10A所示的例子中，漿料外部噴嘴730在拋光頭500的鉛垂方向上方配置於拋光頭500的附近。在圖10A中，雖然省略圖示，純水外部噴嘴710及藥液外部噴嘴720也能夠設為與漿料外部噴嘴730相同的配置。
根據所述結構，由於從外部噴嘴710、720、730供給的處理液L1由於重力而在晶圓W上向下方蔓延，處理液在晶圓W與拋光墊502之間高效率地被供給。另外，在圖10A中，表示在拋光頭500處於晶圓W的中心位置時，通過漿料外部噴嘴730而對處理液L1進行預裝載的狀態，但預裝載能夠在拋光頭500位於晶圓W的任意的位置的情況下進行。
圖10B表示圖10A所示的結構的變形例。如圖示那樣，漿料外部噴嘴730構成為與拋光處理時的拋光台400和拋光頭500之間的相對移動(是沿著晶圓W的處理面的相對移動，在圖示的例子中，拋光頭500在移動)同步地移動。根據所述結構，漿料外部噴嘴730能夠始終位於拋光頭500的鉛垂方向上方。其結果是，不僅在預裝載時，在拋光處理中處理液也被高效地供給於晶圓W與拋光墊502之間。漿料外部噴嘴730也可以構成為與拋光頭500一起支承於拋光臂600，並與拋光頭500一體地移動。或者，漿料外部噴嘴730也可以構成為與拋光頭500獨立地、通過其他支承、移動機構而被支承、移動。在圖10B中，省略了圖示，但純水外部噴嘴710及藥液外部噴嘴720也能夠設為與漿料外部噴嘴730相同的結構。
以上，基於幾個實施例而對本發明的實施方式進行了說明，但上述發明的實施方式是用於容易地理解本發明的結構，不限定本發明。本發明能夠不脫離其主旨地進行變更、改良，並且本發明包含其等效物，這是不言而喻的。另外，在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍或者實現效果的至少一部分的範圍中，能夠對記載於申請專利範圍及說明書的各結構要素進行任意的組合或者省略。
以下，基於圖11~圖19，對本申請發明的一實施方式的拋光 處理裝置及基板處理裝置進行說明。
A.實施例：
圖11是表示本發明的一實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。如圖11所示，基板處理裝置2-1000具備大致矩形狀的外殼2-1。外殼2-1的內部由隔壁2-1a、2-1b劃分為裝載/卸載單元2-2、研磨單元2-3、清洗單元2-4。裝載/卸載單元2-2、研磨單元2-3及清洗單元2-4分別獨立的組裝，獨立地排氣。另外，清洗單元2-4具備：向基板處理裝置供給電源的電源供給部(省略圖示)、對基板處理動作進行控制的控制裝置2-5。
裝載/卸載單元2-2具備兩個以上(在本實施方式中為四個)的前裝載部20，所述前裝載部2-20中載置有存儲大量的晶圓(基板)的晶圓盒。上述前裝載部2-20相鄰地配置於外殼2-1，沿著基板處理裝置的寬度方向(與長度方向垂直的方向)排列。構成為在前裝載部2-20上能夠搭載開放式匣盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：標準製造介面)盒或者FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)。
另外，在裝載/卸載單元2-2上沿著前裝載部2-20的排列而配置有移動機構2-21。在移動機構2-21上設置有能夠沿著晶圓盒的排列方向移動的兩台搬運自動裝置2-22。搬運自動裝置2-22構成為通過在移動機構2-21上移動，而能夠對搭載於前裝載部2-20的晶圓盒進行存取。各搬運自動裝置2-22從晶圓盒取出處理前的晶圓，並且使處理後的晶圓返回晶圓盒。
研磨單元2-3是進行晶圓的研磨(平坦化)的區域。研磨單元2-3具備：第一研磨單元2-3A、第二研磨單元2-3B、第三研磨單元2-3C及 第四研磨單元2-3D。如圖11所示，上述研磨單元2-3A~2-3D沿著基板處理裝置的長度方向排列。
如圖11所示，第一研磨單元2-3A具備：研磨台2-30A，所述研磨台2-30A安裝有具有研磨面的研磨墊2-10；頂環2-31A，所述頂環2-31A用於一邊保持晶圓並按壓在研磨台2-30A上的研磨墊2-10上，一邊進行研磨；研磨液供給噴嘴2-32A，所述研磨液供給噴嘴2-32A用於向研磨墊2-10供給研磨液或者修整液(例如，純水)；修整工具2-33A，所述修整工具2-33A用於進行研磨墊2-10的研磨面的修整；及噴霧器2-34A，使液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)的混合流體或者液體(例如純水)形成霧狀並噴射至研磨面。
相同地，第二研磨單元2-3B具備：研磨台2-30B、頂環2-31B、研磨液供給噴嘴2-32B、修整工具2-33B及噴霧器2-34B。第三研磨單元2-3C具備：研磨台2-30C、頂環2-31C、研磨液供給噴嘴2-32C、修整工具2-33C及噴霧器2-34C。第四研磨單元2-3D具備：研磨台2-30D、頂環2-31D、研磨液供給噴嘴2-32D、修整工具2-33D及噴霧器2-34D。
第一研磨單元2-3A、第二研磨單元2-3B、第三研磨單元2-3C及第四研磨單元2-3D具有彼此相同的結構，因此以下僅對第一研磨單元2-3A進行說明。
圖12是示意性表示第一研磨單元2-3A的立體圖。頂環2-31A支承於頂環旋轉軸2-36。在研磨台2-30A的上表面上貼付有研磨墊2-10。研磨墊2-10的上表面形成對晶圓W進行研磨的研磨面。另外，也可以代替研磨墊2-10而使用固定磨料。頂環2-31A及研磨台2-30A如箭頭所示地構成為繞 其軸心旋轉。晶圓W通過真空吸附而被保持於頂環2-31A的下表面。在研磨時，從研磨液供給噴嘴2-32A向研磨墊2-10的研磨面供給研磨液，並通過頂環2-31A將作為研磨對象的晶圓W按壓於研磨面而進行研磨。
接下來，對用於搬運晶圓的搬運機構進行說明。如圖11所示，與第一研磨單元2-3A及第二研磨單元2-3B相鄰地配置有第一直線式傳送裝置2-6。第一直線式傳送裝置2-6是在沿著研磨單元2-3A、2-3B排列的方向的四個搬運位置(從裝載/卸載單元側開始依次設為第一搬運位置TP1、第二搬運位置TP2、第三搬運位置TP3、第四搬運位置TP4)之間搬運晶圓的機構。
另外，與第三研磨單元2-3C及第四研磨單元2-3D相鄰地配置有第二直線式傳送裝置2-7。第二直線式傳送裝置2-7是在沿著研磨單元2-3C、2-3D排列的方向的三個搬運位置(從裝載/卸載單元側開始依次設為第五搬運位置TP5、第六搬運位置TP6、第七搬運位置TP7)之間搬運晶圓的機構。
晶圓被第一直線式傳送裝置2-6搬運至研磨單元2-3A、2-3B。第一研磨單元2-3A的頂環2-31A通過頂環頭的擺動動作而在研磨位置與第二搬運位置TP2之間移動。因此，在第二搬運位置TP2進行晶圓向頂環2-31A的傳遞。相同地，第二研磨單元2-3B的頂環2-31B在研磨位置與第三搬運位置TP3之間移動，在第三搬運位置TP3進行晶圓向頂環2-31B的傳遞。第三研磨單元2-3C的頂環2-31C在研磨位置與第六搬運位置TP6之間移動，在第六搬運位置TP6進行晶圓向頂環2-31C的傳遞。第四研磨單元2-3D的頂環2-31D在研磨位置與第七搬運位置TP7之間移動，在第七搬運位置TP7進行 晶圓向頂環2-31D的傳遞。
第一搬運位置TP1配置有用於從搬運自動裝置2-22接收晶圓的升降機2-11。晶圓經由升降機2-11而從搬運自動裝置2-22轉移至第一直線式傳送裝置2-6。在第一直線式傳送裝置2-6、第二直線式傳送裝置2-7、清洗單元2-4之間配置有擺動式傳送裝置2-12。擺動式傳送裝置2-12具有能夠在第四搬運位置TP4與第五搬運位置TP5之間移動的手部。晶圓從第一直線式傳送裝置2-6向第二直線式傳送裝置2-7的傳遞由擺動式傳送裝置2-12進行。晶圓由第二直線式傳送裝置2-7搬運至第三研磨單元2-3C及/或者第四研磨單元2-3D。另外，由研磨單元2-3研磨後的晶圓通過擺動式傳送裝置2-12而被搬運至臨時載置台2-180。載置於臨時載置台2-180的晶圓被搬運至清洗單元2-4。
圖13A是表示清洗單元2-4的俯視圖，圖13B是表示清洗單元2-4的側視圖。如圖13A及圖13B所示，清洗單元2-4被劃分為：輥清洗室2-190、第一搬運室2-191、筆清洗室2-192、第二搬運室2-193、乾燥室2-194、拋光處理室2-300及第三搬運室2-195。
在輥清洗室2-190內配置有沿著縱方向排列的上側輥清洗組件2-201A及下側輥清洗組件2-201B。上側輥清洗組件2-201A配置於下側輥清洗組件2-201B的上方。上側輥清洗組件2-201A及下側輥清洗組件2-201B是通過一邊將清洗液供給於晶圓的表面背面，一邊將旋轉的兩個輥形海綿分別按壓於晶圓的表面背面，而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側輥清洗組件2-201A與下側輥清洗組件2-201B之間設有晶圓的臨時載置台2-204。
在筆清洗室2-192內配置有沿著縱方向排列的上側筆清洗組 件2-202A及下側筆清洗組件2-202B。上側筆清洗組件2-202A配置於下側筆清洗組件2-202B的上方。上側筆清洗組件2-202A及下側筆清洗組件2-202B是通過一邊將清洗液供給於晶圓的表面，一邊將旋轉的筆形海綿按壓於晶圓的表面並沿著晶圓的徑向擺動，而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側筆清洗組件2-202A與下側筆清洗組件2-202B之間設有晶圓的臨時載置台2-203。
在乾燥室2-194內配置有沿著縱方向排列的上側乾燥組件2-205A及下側乾燥組件2-205B。上側乾燥組件2-205A及下側乾燥組件2-205B彼此分離。上側乾燥組件2-205A及下側乾燥組件2-205B的上部設有將乾淨的空氣分別供給至乾燥組件2-205A、2-205B內的過濾器風扇單元2-207、2-207。
在第一搬運室2-191中配置有能夠上下移動的第一搬運自動裝置(搬運機構)2-209。在第二搬運室2-193中配置有能夠上下移動的第二搬運自動裝置2-210。在第三搬運室2-195中配置有能夠上下移動的第三搬運自動裝置(搬運機構)2-213。第一搬運自動裝置2-209、第二搬運自動裝置2-210及第三搬運自動裝置2-213分別移動自如地支承於沿著縱方向延伸的支承軸2-211、2-212、2-214。第一搬運自動裝置2-209、第二搬運自動裝置2-210及第三搬運自動裝置2-213在內部具有電動機等驅動機構，並構成為能夠沿著支承軸2-211、2-212、2-214上下移動。第一搬運自動裝置2-209具有上下兩級的手部。在圖13A如虛線所示，第一搬運自動裝置2-209配置於其下側的手部能夠對上述臨時載置台2-180進行存取的位置。
第一搬運自動裝置2-209以在臨時載置台2-180、上側輥清洗 組件2-201A、下側輥清洗組件2-201B、臨時載置台2-204、臨時載置台2-203、上側筆清洗組件2-202A及下側筆清洗組件2-202B之間搬運晶圓W的方式進行動作。在搬運清洗前的晶圓(附著有漿料的晶圓)時，第一搬運自動裝置2-209使用下側的手部，在搬運清洗後的晶圓時使用上側的手部。
第二搬運自動裝置2-210以在上側筆清洗組件2-202A、下側筆清洗組件2-202B、臨時載置台2-203、上側乾燥組件2-205A及下側乾燥組件2-205B之間搬運晶圓W的方式進行動作。第二搬運自動裝置2-210僅搬運清洗後的晶圓，因此僅具備一個手部。圖11所示的搬運自動裝置2-22使用上側的手部從上側乾燥組件2-205A或者下側乾燥組件2-205B取出晶圓，並使該晶圓返回晶圓盒。
在拋光處理室2-300中具備上側的拋光處理組件2-300A及下側的拋光處理組件2-300B。第三搬運自動裝置2-213以在上側的輥清洗組件2-201A、下側的輥清洗組件2-201B、臨時載置台2-204、上側的拋光處理組件2-300A及下側的拋光處理組件2-300B之間搬運晶圓W的方式進行動作。
在本實施方式中，表示了在清洗單元2-4內，從距裝載/卸載單元2-2較遠的方向開始依次並列配置拋光處理室2-300、輥清洗室2-190及筆清洗室2-192的例子，但並不限定於此。拋光處理室2-300、輥清洗室2-190及筆清洗室2-192的配置形態能夠根據晶圓的品質及生產量等而適當選擇。由於上側的拋光處理組件2-300A及下側的拋光處理組件2-300B是相同的結構，因此以下僅對上側的拋光處理組件2-300A進行說明。
圖14是表示上側的拋光處理組件的概略結構的圖。如圖14所示，拋光處理組件2-300A具備：拋光台2-400，所述拋光台2-400用於對作 為一種基板的晶圓W進行支承；拋光頭2-500，所述拋光頭2-500安裝有用於對晶圓W的處理面進行拋光處理的拋光墊2-502；拋光臂2-600，所述拋光臂2-600用於對拋光頭2-500進行保持；液體供給系統2-700，所述液體供給系統2-700用於供給各種處理液；及修正部2-800，所述修正部2-800用於進行拋光墊2-502的修正。
拋光台2-400具有對晶圓W進行保持的機構。晶圓保持機構在本實施例中是真空吸附方式，但能夠設為任意的方式。例如，晶圓保持機構可以使在晶圓W的周緣部的至少一處夾緊晶圓W的表面及背面的夾緊方式，也可以是在晶圓W的周緣部的至少一處保持晶圓W的側面的輥輪卡盤方式。在本實施例中，拋光台2-400以晶圓W的加工面朝向上方的方式保持晶圓W。
在拋光台2-400的外周部上，在周向整體上設有從拋光台2-400向鉛垂方向上方延伸的壁部2-402。壁部2-402具有環形狀，並在水平方向上閉合。壁部2-402的高度設定為高於保持於拋光台2-400上時的晶圓W的上表面。例如，能夠將壁部2-402相對於晶圓W的上表面的高度設為幾cm。該壁部2-402的詳細情況在後文敘述。
另外，拋光台2-400構成為通過未圖示的驅動機構而繞旋轉軸A旋轉。在拋光臂2-600上經由能夠旋轉地構成的旋轉軸2-504而安裝有拋光頭2-500。在拋光頭2-500的與晶圓W(或者拋光台2-400)相對的面上安裝有用於對晶圓W進行拋光處理的拋光墊2-502。拋光臂2-600構成為使拋光頭2-500繞著旋轉軸B旋轉。另外，拋光墊2-502的面積小於晶圓W(或者拋光台2-400)的面積，因此拋光臂2-600構成為使拋光頭2-500如箭頭C所示地 沿著晶圓W的徑向擺動，以能夠沒有遺漏地對晶圓W進行拋光處理的方式。另外，拋光臂2-600構成為能夠使拋光頭2-500擺動至拋光墊2-502與修正部2-800相對的位置。拋光頭2-500通過促動器(省略圖示)而能夠向接近拋光台2-400的方向及遠離拋光台2-400的方向(在本實施例中向上下)移動。由此，能夠以規定的壓力將拋光墊2-502按壓於晶圓W。所述結構能夠通過旋轉軸2-504的伸縮來實現，也可以通過拋光臂2-600的上下運動來實現。
液體供給系統2-700具備用於向晶圓W的處理面供給純水(在圖中顯示為DIW)的純水外部噴嘴2-710。純水外部噴嘴2-710經由純水配管2-712而連接於純水供給源2-714。在純水配管2-712上設有能夠對純水配管2-712進行開閉的開閉閥2-716。控制裝置2-5通過控制開閉閥2-716的開閉，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給純水。
另外，液體供給系統2-700具備用於向晶圓W的處理面供給藥液(在圖中顯示為Chemi)的藥液外部噴嘴2-720。藥液外部噴嘴2-720經由藥液配管2-722而連接於藥液供給源2-724。在藥液配管2-722上設有能夠對藥液配管2-722進行開閉的開閉閥2-726。控制裝置2-5通過控制開閉閥2-726的開閉，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給藥液。
另外，液體供給系統2-700具備用於向晶圓W的處理面供給漿料(在圖中顯示為Slurry)的漿料外部噴嘴2-730。漿料外部噴嘴2-730經由漿料配管2-732而連接於漿料供給源2-734。在漿料配管2-732上設有能夠對漿料配管2-732進行開閉的開閉閥2-736。控制裝置2-5通過控制開閉閥2-736的開閉，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給漿料。
在本實施例中，外部噴嘴2-710、2-720、2-730的位置都固定， 向預定的固定位置供給純水、藥液或者漿料。上述處理液通過晶圓W的旋轉而供給至高效率地向拋光墊2-502供給處理液的位置。外部噴嘴2-710、2-720、2-730也可以構成為各種處理液中的兩個以上共用的一個或者兩個噴嘴。另外，外部噴嘴也可以構成為供給純水、藥液及漿料中的至少一種處理液。
拋光處理組件2-300A進一步能夠經由拋光臂2-600、拋光頭2-500及拋光墊2-502而向晶圓W的處理面選擇性地供給處理液(純水、藥液、或者漿料)。即，從純水配管2-712中的純水供給源2-714與開閉閥2-716之間分支有分支純水配管2-712a。相同地，從藥液配管2-722中的藥液供給源2-724與開閉閥2-726之間分支有分支藥液配管2-722a。從漿料配管2-732中的漿料供給源2-734與開閉閥2-736之間分支有分支漿料配管2-732a。分支純水配管2-712a、分支藥液配管2-722a及分支漿料配管2-732a匯合於液體供給配管2-740。在分支純水配管2-712a上設有能夠對分支純水配管2-712a進行開閉的開閉閥2-718。在分支藥液配管2-722a上設有能夠對分支藥液配管2-722a進行開閉的開閉閥2-728。在分支漿料配管2-732a上設有能夠對分支漿料配管2-732a進行開閉的開閉閥2-738。
液體供給配管2-740與拋光臂2-600的內部、拋光頭2-500的中央內部及拋光墊2-502的中央內部連通。具體來說，如圖15所示，在拋光臂2-600、拋光頭2-500及拋光墊2-502的內部形成有內部供給線路2-506，該內部供給線路2-506與液體供給配管2-740連通。內部供給線路2-506朝向拋光台2-400的上表面(晶圓W的處理面)開口。在本實施例中，內部供給線路2-506的開口部在拋光墊2-502的中央僅設有一個，但也可以設有複數個開口 部。例如，內部供給線路2-506也可以通過形成於拋光頭2-500內的水池套構造而向分散配置的複數個開口分支。複數個開口部以它們的徑向的位置不同的方式分散配置。控制裝置2-5通過對開閉閥2-718、開閉閥2-728及開閉閥2-738的開閉進行控制，而能夠在任意的時機向晶圓W的處理面供給純水、藥液、漿料中的任一個或者它們的任意的組合的混合液。由以上說明可知，拋光處理組件2-300A具備外部噴嘴2-710、2-720、2-730和內部供給線路2-506這兩個系統的處理液供給單元。能夠選擇性地使用上述兩個系統中的任一方或者雙方。
拋光處理組件2-300A經由外部噴嘴2-710、2-720、2-730和內部供給線路2-506中的至少一方而向晶圓W供給處理液，並且使拋光台2-400繞旋轉軸A旋轉，將拋光墊2-502按壓於晶圓W的處理面，使拋光頭2-500一邊繞旋轉軸B旋轉，一邊沿著箭頭C方向擺動，由此能夠對晶圓W進行拋光處理。在本實施例中，所述拋光處理組件2-300A的動作由控制裝置2-5控制。但是，拋光處理組件2-300A也可以由拋光處理組件2-300A專用的控制組件代替控制裝置2-5控制。另外，拋光處理時的拋光台2-400與拋光頭2-500的相對運動不限定於上述例子，也可以通過旋轉運動、平移運動、圓弧運動、往復運動、渦卷運動、角度旋轉運動(僅旋轉小於360度的規定的角度的運動)中的至少一個來實現。
在本申請中，拋光處理包括拋光研磨處理及拋光清洗處理中的至少一方。拋光研磨處理是指，通過一邊使拋光墊2-502與晶圓W接觸，一邊使拋光墊2-502與晶圓W相對運動，在晶圓W與拋光墊2-502之間夾有漿料而對晶圓W的處理面進行研磨去除的處理。拋光研磨處理通常是，以對 晶圓的表面的凹凸進行平坦化或者去除形成於溝道、導通孔內部以外的表面的多餘的膜的目的而進行的主研磨之後，進行所謂的精研磨的處理。拋光研磨的去除加工量為例如幾nm~十幾nm左右。作為拋光墊2-502，能夠使用例如對發泡聚氨酯與無紡布進行了層疊的墊(具體來說，例如能夠在市場上得到的IC1000(註冊商標)/SUBA(註冊商標)類)、絨面狀的多孔性聚氨酯非纖維質墊(具體來說，例如能夠在市場上得到的POLITEX(註冊商標))等。拋光研磨處理是，能夠對晶圓W施加比在輥清洗室2-190中通過由PVA構成的輥形海綿而對晶圓W施加的物理作用力及在筆清洗室192中通過由PVA構成的筆形海綿而對晶圓W施加的物理作用力強的物理作用力的處理。通過拋光研磨處理而能夠實現具有擦痕等損傷的表層部或者附著有異物的表層部的去除、在研磨單元2-3的主研磨中無法去除的部位的追加去除或者主研磨後的微小區域的凹凸、有關基板整體的膜厚分佈的形態的改善。
拋光清洗處理是指，通過一邊使拋光墊2-502與晶圓W接觸，一邊使拋光墊2-502與晶圓W相對運動，在晶圓W與拋光墊2-502之間夾有清洗處理液(藥液、純水或者它們的混合物)而去除晶圓W表面的異物或者對處理面進行改質的精加工處理。作為拋光墊2-502而使用上述IC1000(註冊商標)/SUBA(註冊商標)類、POLITEX(註冊商標)等。拋光清洗處理是能夠對晶圓W施加比在輥清洗室2-190中通過由PVA構成的輥形海綿而對晶圓W施加的物理作用力及在筆清洗室2-192中通過由PVA構成的筆形海綿而對晶圓W施加的物理作用力強的物理作用力的處理。根據拋光清洗處理，能夠有效率地清洗去除僅由PVA構成的海綿材料接觸而無法去除 的、粘性較大的異物等。另外，為了本發明的拋光清洗處理，作為拋光墊也能夠使用PVA海綿。
修正部2-800是用於對拋光墊2-502的表面進行修正(修整)的部件。在本實施例中，修正部2-800配置於拋光台2-400的外部。作為代替形態，修正部2-800也可以向拋光台2-400的上方並且拋光頭2-500的下方移動，來進行拋光墊2-502的修正。在該情況下，修正較佳為在搬出完成處理的晶圓W後進行。修正部2-800具備修整台2-810和設置於修整台2-810的修整工具2-820。修整台2-810構成為通過未圖示的驅動機構而能夠繞旋轉軸D旋轉。修整工具2-820由例如金剛石修整工具、刷形修整工具或者它們的組合形成。
拋光處理組件2-300A在進行拋光墊2-502的修正時，使拋光臂2-600回轉直至拋光墊2-502變為與修整工具2-820相對的位置。拋光處理組件2-300A使修整台2-810繞旋轉軸D旋轉，並且使拋光頭2-500旋轉，將拋光墊2-502按壓於修整工具2-820，由此進行拋光墊2-502的修正。所述修正動作例如能夠在將拋光處理後的晶圓W置換為接下來應該進行拋光處理的晶圓W的期間進行。
根據以上所說明的拋光處理組件2-300A，作為化學機械研磨處理後的晶圓W的後期處理而進行拋光處理，由此能夠抑制晶圓W的損傷(瑕疵)並且進行精研磨，或者能夠去除在化學機械研磨處理中產生的損傷。或者，與以往的輥清洗和筆清洗相比，能夠有效率地清洗去除粘性較大的異物等。尤其是，在本實施例中，通過上述壁部2-402，而能夠使處理液可靠地存在於拋光墊2-502與晶圓W之間。因此，能夠抑制產生液膜中斷 而晶圓W受到損傷。或者，能夠提高清洗效率。以下，對利用了壁部2-402的拋光處理進行說明。
圖16A、16B是表示拋光處理的概略的說明圖。圖16A是拋光處理組件2-300A的概略側視圖，圖16B是拋光處理組件2-300A的俯視圖。在圖示的例子中，拋光處理組件2-300A從外部噴嘴2-710、2-720、2-730中的至少一個供給處理液L1，並且使拋光臂2-600(進而使拋光頭2-500)擺動，而進行拋光處理。如圖16A所示，由於在拋光台2-400的外周部上設有壁部2-402，因此從外部噴嘴2-710、2-720、2-730中的至少一個供給的處理液L1存儲於壁部2-402的內側區域。因此，能夠使處理液可靠地存在於拋光墊2-502與晶圓W之間。在連續性地或者間歇性地不斷供給處理液L1的情況下，超過內側區域的容量的處理液L1溢出壁部2-402而向壁部2-402的外部流出。也可以代替從外部噴嘴2-710、2-720、2-730供給處理液L1的結構，或者在此基礎上從形成於拋光頭2-500的內部供給線路2-506供給處理液L1。
根據所述結構，由於能夠以在壁部2-402的內側區域存儲有處理液L1的狀態進行拋光處理，因此即使在內側區域的任意場所供給處理液L1，例如即使在遠離拋光墊2-502的場所供給處理液L1，拋光墊2-502與晶圓W之間的液膜也不會產生中斷。因此，在本實施例中，能夠從外部噴嘴2-710、2-720、2-730中的至少一個向避開了拋光墊2-502的擺動軌跡的區域AR供給處理液L1。在圖16B中，圖示了拋光墊2-502的中心的軌跡TR。根據所述結構，從外部噴嘴2-710、2-720、2-730供給的處理液L1不會碰到拋光臂2-600或者拋光頭2-500。因此，能夠抑制由於處理液L1飛散並粘合於拋光臂2-600或者拋光頭2-500、在拋光處理中粘合物落下到晶圓W上而晶圓W受 到損傷的情況。
如圖17A所示，在本實施例中，壁部2-402構成為其整體能夠通過促動器2-406而進行鉛垂運動。具體來說，壁部2-402的高度的整體能夠收容於形成於拋光台2-400的凹部。在圖17A中，通過虛線圖示壁部2-402完全收容於凹部時的位置。由此，壁部2-402的高度能夠調整成零至圖17中實線所示的最高高度的任意的高度。當在壁部2-402的內側區域中存儲有處理液L1的情況下，當壁部2-402向壁部2-402的高度變低的方向移動時，所存儲的處理液L1向外部排出超過壁部2-402的量。當然，當壁部2-402移動至壁部2-402的高度變為零時，所存儲的處理液L1的全部量(在此的全部量是實質上的全部量，也包含在晶圓W上殘留有液膜的情況)向外部排出。即，通過壁部2-402的鉛垂移動，而能夠調節可存儲於壁部2-402的內側區域的處理液的量。因此，在本實施例中，將用於變更壁部2-402的高度的促動器2-406也稱為存儲量調節部2-406。
另外，如圖17A所示，拋光處理組件2-300A具備用於對存儲於壁部2-402的內側區域的處理液L1的液面水平進行檢測的傳感器2-420。控制裝置2-5能夠使用傳感器2-420的檢測結果來對存儲於壁部2-402的內側區域的處理液L1的液面水平進行調節。液面水平的調節能夠通過調節處理液L1的供給量及調節壁部2-402的高度中的至少一方而進行。根據所述結構，能夠根據狀況而在內側區域存儲適當的量的處理液L1。關於這種控制的具體例在後文敘述。
圖17B~17E表示用於調節能夠存儲於壁部2-402的內側區域的處理液的量的幾個的代替形態。在表示從上方觀察壁部2-402的狀態的 圖17B所示的例子中，壁部2-402具備第一部分2-402a和第二部分2-402b。第一部分2-402a及第二部分2-402b均具有大致半圓形狀，上述端部彼此重疊地配置，由此在水平方向上閉合(即，構成為能夠在內側區域存儲處理液L1)。第一部分2-402a的位置固定。另外，第二部分2-402b構成為通過存儲量調節部2-406(省略圖示)而水平移動(水平旋轉運動)。如圖示那樣，通過第二部分2-402b旋轉，而在第一部分2-402a與第二部分2-402b之間形成水平方向的開口。在壁部2-402的內側區域存儲有處理液L1的情況下，處理液L1從該開口向外部流出。通過調節形成該開口的時間，而能夠調節處理液L1的液面水平，即調節存儲量。
在表示從上方觀察壁部2-402的狀態的圖17C所示的例子中，壁部2-402具備第一部分2-402c和第二部分2-402d。第一部分2-402c及第二部分2-402d均具有圓弧形狀，上述端部彼此重疊地配置，由此在水平方向上閉合。第二部分2-402d的全長比第一部分2-402c的短。第一部分2-402c的位置固定。另一方面，第二部分2-402d構成為能夠通過存儲量調節部2-406(省略圖示)而鉛垂移動。根據所述結構，能夠實現與圖17A所示的結構相同的效果。並且，與圖17A的結構相比而可動部分變小，因此能夠使促動器2-406小型化。此外，能夠將排水僅向特定的方向引導，因此能夠有效率地進行排水的集水。即，能夠通過較小的集水設備將排水向排水處理設備(省略圖示)引導。第二部分2-402d也可以代替鉛垂運動而設為與圖17B所示的結構相同地水平運動(水平旋轉運動)。或者，第二部分2-402d也可以如圖17D所示那樣以其鉛垂方向的上端為中心進行旋轉運動。第二部分2-402d也可以是以其鉛垂方向的下端為中心進行旋轉運動。當然，也可以組合上述 各種運動中的兩個以上。
在圖17E所示的例子中，壁部2-402固定地設置。另外，拋光處理組件2-300A具備排出路徑2-408和閥2-410來代替促動器2-406。排出路徑2-408從形成於拋光台2-400的上表面的開口2-404沿著鉛垂方向貫通拋光台2-400，而與排水處理設備連通。閥2-410對排出路徑2-408的流通狀態進行開閉。閥2-410也可以設於開口2-404的附近。在所述例子中，通過打開閥2-410，而能夠排出存儲於壁部2-402的內側區域的處理液L1。通過控制閥2-410的開閉狀態，也能夠調節處理液L1的液面水平。通過拋光處理而生成的研磨生成物或者清洗生成物很多時候會在所存儲的處理液L1中沉澱，因此如圖17E所示地通過從拋光台2-400的上表面，即從處理液L1的存儲空間的最下部排水，而能夠有效率地排出上述生成物。其結果是，能夠抑制上述生成物引起的晶圓W受到損傷的情況。但是，開口部也可以形成於壁部2-402。在該情況下，開口部可以設於壁部2-402的最下部的附近，也可以設於其上方。上述各種形態也可以組合使用。
圖18表示利用傳感器2-420而進行處理液的存儲控制的情況下的拋光處理的順序的一例。在該例子中，實施作為拋光處理的一形態的拋光研磨處理。如圖所示，當開始拋光處理時，首先，在壁部2-402從拋光台2-400向上方延伸的狀態下，從純水外部噴嘴2-710、藥液外部噴嘴2-720及漿料外部噴嘴2-730中的至少一個預裝載處理液L1(步驟S2-10)。在此，從漿料外部噴嘴2-730供給漿料作為處理液L1。由此，在壁部2-402的內側區域存儲處理液L1直至規定的液面水平。也可以代替外部噴嘴2-710、2-720、2-730或者在此基礎上從內部供給線路2-506供給處理液L1。這樣，通過預先 存儲處理液L1，而在拋光墊2-502與晶圓W之間的處理液容易不足的拋光處理開始時，能夠使充分的量的處理液L1遍及它們之間。其結果是，能夠抑制在拋光處理的初始階段、晶圓W受到損傷的情況。並且，與不具有壁部2-402的結構(即，所供給的處理液L1未被攔截地流出的結構)相比，能夠縮短對處理液L1進行預裝載的時間，而提高生產量。
接下來，拋光頭2-500從避免拋光墊2-502與晶圓W接觸的方式上升至上方的位置(以下也稱為上升位置)移動至用於使拋光墊2-502與晶圓W接觸的位置(以下也稱為接觸位置)，並且拋光台2-400及拋光頭2-500旋轉，而開始拋光處理(步驟S2-20)。如圖所示，在拋光處理的前期，在壁部2-402的內側區域存儲有處理液L1的狀態實施拋光處理。壁部2-402除了作為處理液L1的存儲壁，還作為飛散防止壁發揮作用。拋光處理開始以後，可以停止處理液L1從外部噴嘴2-710、2-720、2-730的供給，也可以連續性地或者間歇性地持續。在處理液L1的供給停止的情況下，能夠減少處理液L1的使用量。另一方面，在處理液L1的供給持續的情況下，也可以是，一部分處理液L1從壁部2-402溢出，一點點替換處理液L1。在採用圖17E所示的結構的情況下，也可以代替溢出，而經由排出路徑2-408排出一部分處理液L1，由此依次替換處理液L1。由此，減少研磨生成物的濃縮。在前期，拋光台2-400以比較高的速度旋轉。
並且，在拋光處理的後期，壁部2-402完全退避至拋光台2-400內，而排出所存儲的處理液L1的全部量。此時，處理液L1從外部噴嘴2-710、2-720、2-730的供給停止，並且處理液L1從內部供給線路2-506的供給開始。通過伴隨拋光頭2-500的旋轉的離心力和處理液L1的供給壓力，而 能夠使處理液L1沒有遺漏地蔓延至拋光墊2-502與晶圓W之間。在後期，較佳的是拋光台2-400以比前期低的速度旋轉。
在所述步驟S2-20中，在前期，通過拋光台2-400高速旋轉，而能夠提高研磨率。具體來說，在拋光台2-400上未設有壁部2-42的情況下，當從外部噴嘴2-710、2-720、2-730供給處理液L1時，即當在拋光墊2-502的外部供給處理液L1時，在拋光台2-400的高速旋轉時處理液L1有可能不充分地遍及至拋光墊2-502的中央部。這是因為由於高速旋轉而離心力變大。另外，在對於比較大的口徑(例如300mm)的晶圓W進行拋光處理的情況下，為了有效率地進行拋光處理，拋光頭2-500的直徑也比較大(例如100mm)。因此，當在拋光墊2-502的外部供給處理液L1時，處理液L1有可能不充分地遍及至拋光墊2-502的中央部。當產生上述現象時，研磨率會下降。但是，根據本實施例的結構，以在壁部2-402的內側區域存儲有處理液L1的狀態進行拋光處理，因此能夠促進充分的量的處理液L1遍及至拋光墊2-502的中央部。此外，當在拋光台2-400上未設有壁部2-402的情況下，對研磨沒有貢獻地向晶圓W外流出的處理液L1相對於供給到晶圓W上的處理液L1的比例不少。但是，通過設置壁部2-402，而有效率地使用所供給的處理液L1，能夠以較少的供給量得到最大限度的研磨率。除此以外，也能夠減少用於研磨處理前的預裝載的處理液L1的量，能夠抑制處理液L1的消耗量，並且也能夠提高生產量。
另一方面，在處理液L1中的生成物的濃度比較高的後期，由於以排出了處理液L1的狀態進行拋光處理，因此能夠抑制由於生成物而晶圓W受到損傷的情況。並且，由於拋光台2-400低速旋轉，因此處理液L1 容易遍及拋光墊2-502整體。該效果通過從拋光墊2-502的中央供給處理液L1而被進一步促進。這樣，在本實施例中，在前期與後期以不同的形態實施拋光處理，由此同時保證了拋光研磨處理的研磨率和晶圓W的品質。前期和後期的時間的長度能夠考慮研磨率與晶圓W的品質而適當設定。
當這樣拋光清洗工序結束時，接下來經由內部供給線路2-506而向晶圓W供給純水DIW，進行純水置換(步驟S2-30)。此時，壁部2-402保持為完全退避於拋光台2-400內。由此，晶圓W上的純水被迅速地排出，因此與壁部2-402向上方延伸的情況相比提高了置換效率。
接下來，拋光墊2-502向上方上升，從藥液外部噴嘴2-720向晶圓W供給處理液L2(在此是清洗藥液)，晶圓W被洗淨(rinse)(清洗)(步驟S2-40)。此時，壁部2-402保持為完全退避於拋光台2-400內。由此，晶圓W上的純水被迅速地排出，因此與壁部2-402向上方延伸的情況相比提高了清洗效率。
接下來，晶圓W被搬出(步驟S2-50)，然後完全退避於拋光台2-400內的壁部2-402向上方移動，並且從純水外部噴嘴2-710向拋光台2-400上供給純水DIW(步驟S2-60)。由此，在壁部2-402的內部存儲純水DIW，清洗壁部2-402。根據所述工序，能夠抑制附著於壁部2-402的處理液L1、L2對下次處理的晶圓W產生不良影響。也可以代替所述壁部2-402的清洗或者在此基礎上設置噴射清洗水的噴嘴機構，並通過該噴嘴機構而向壁部2-402噴射清洗液。根據所述結構，能夠更高效地進行壁部2-402的清洗。
接下來，壁部2-402再次完全退避於拋光台2-400內，並且從純水外部噴嘴2-710向拋光台2-400上供給純水DIW(步驟S2-70)。由此，拋 光台2-400被清洗(洗淨)。由於壁部2-402退避，因此拋光台2-400上的純水DIW被迅速地排出，提高了清洗效率。並且，將接下來應該進行處理的晶圓W搬入至拋光台2-400上(步驟S2-80)，並返回上述步驟S2-10。另外，至此，使用拋光研磨處理的例子，對拋光處理中的處理液的存儲控制進行了說明，但在拋光清洗處理中上述那樣的處理液的存儲控制也有效。例如，能夠在拋光清洗的前半段存儲處理液而抑制處理液的消耗量，在後半段使用新鮮的處理液而進行清洗性更高的拋光清洗。另外，用於拋光清洗的處理液和用於晶圓W的洗淨(圖18中的步驟S2-40)的處理液可以使用相同的處理液，另外，也可以使用不同的處理液。
上述拋光處理方法是一例，控制裝置2-5能夠基於預定的設定來決定是否在壁部2-402的內側區域存儲處理液，而實現各種拋光處理方法。例如，控制裝置2-5也可以根據拋光台2-400的旋轉速度來控制壁部2-402的高度。具體來說，控制裝置2-5也可以以旋轉速度越高，則壁部2-402的高度越高的方式對促動器2-406進行控制。或者，也可以是控制裝置2-5在使拋光台2-400以規定以上的速度旋轉的(提高研磨率或者清洗率的)情況下，使用傳感器2-420，以處理液L1的液面水平比使拋光台2-400以小於規定的速度旋轉的情況低的方式對液面水平進行管理。根據上述結構，能夠減少處理液的飛散量。即，在以比較低的速度旋轉的情況下，處理液L1飛散的可能性較少，因此能夠容許處理液L1積存至比較高的液面水平。在高速旋轉的情況下，飛散的可能性變高，因此以將液面水平抑制得比較低的方式，抑制處理液L1的供給量或者一邊供給處理液L1，一邊通過例如如圖17E所示那樣的排出路徑2-408及閥2-410來調整液面水平。
或者，控制裝置2-5也可以在拋光處理中途的規定的時機暫時中斷拋光處理，並排出存儲於壁部2-402的內側區域的處理液的全部量，然後存儲重新供給的處理液，而再次開始拋光處理。根據所述結構，通過拋光處理而產生的生成物與所存儲的處理液一起排出，能夠使用不包含上述生成物的新鮮的處理液來持續進行拋光處理。因此，能夠抑制由於上述生成物而晶圓W受到損傷的情況。
B.變形例：
B-1.變形例1：
拋光處理組件2-300A也可以具備對存儲於壁部2-402的內側區域的處理液的溫度進行調整的溫度調節部。例如，也可以如圖19所示，在拋光台2-400的內部設有溫度調節器2-412。溫度調節器2-412可以是溫度調節用水套(water jacket)。代替地，溫度調節部也可以對供給於晶圓W前的供給液的溫度進行調節。由於工藝性能依賴於處理液的溫度，因此根據所述結構，能夠在溫度條件方面最優化工藝性能。
B-2.變形例2：
拋光處理組件2-300A也可以僅具備外部噴嘴2-710、2-720、2-730和內部供給線路2-506中的任一方作為供給處理液的單元。由於能夠在壁部2-402的內側存儲處理液，因此即使拋光處理組件2-300A僅具備外部噴嘴，也能夠向晶圓W與拋光墊2-502之間的界面充分地供給處理液。在該情況下，不需要附隨內部供給線路2-506而設置的旋轉連接等複雜的機構，因此能夠簡 化裝置結構。
B-3.變形例3：
壁部2-402也可以配置於拋光台2-400的外側。作為該情況下的一形態，壁部2-402也可以配置於拋光台2-400的附近。並且，也可以是，在拋光處理(例如在圖18所示的拋光處理的後期)中，以在拋光台2-400所保持的晶圓W的上表面的位置與壁部2-402的上表面的位置一致的狀態下、拋光頭2-500的一部分位於壁部2-402上的方式，對晶圓W的邊緣部進行拋光處理。根據所述結構，能夠以均勻的壓力對邊緣部和其內側部分進行拋光處理。
B-4.變形例4：
拋光處理組件2-300A、2-300B不限定於包含於清洗單元2-4的結構，也可以包含於研磨單元2-3。
以上，基於幾個實施例而對本發明的實施方式進行了說明，但上述發明的實施方式是用於容易地理解本發明的結構，不限定本發明。本發明能夠不脫離其主旨地進行變更、改良，並且本發明包含其等效物，這是不言而喻的。另外，在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍或者實現效果的至少一部分的範圍中，能夠對記載於申請專利範圍及說明書的各結構要素進行任意的組合或者省略。

Claims (14)

  1. 一種拋光處理裝置，用於對基板進行拋光處理，所述拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台用於支承所述基板，並構成為能夠旋轉；拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對所述基板進行拋光處理的拋光墊，所述拋光頭構成為能夠旋轉，並且構成為能夠向接近所述拋光台的方向及遠離該拋光台的方向移動，用於向所述基板供給所述拋光處理用的處理液的內部供給線路形成於所述拋光頭的內部；除所述內部供給線路以外另外設置的外部噴嘴，該外部噴嘴用於向所述基板供給所述處理液；及控制部，所述控制部構成為對所述拋光處理裝置的動作進行控制，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光處理裝置進行控制：在所述拋光頭接近所述拋光台直至用於使所述拋光墊與所述基板接觸的接觸位置的中途，從所述內部供給線路供給所述處理液。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光處理裝置進行控制：在所述拋光頭接近所述拋光台直至用於使所述拋光墊與所述基板接觸的接觸位置之前，在所述拋光台旋轉的狀態下從所述外部噴嘴供給所述處理液。
  3. 根據申請專利範圍第1項或第2項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光處理裝置進行控制：在拋光處理開始後或者從所述拋光處理開始經過規定時間後，僅從所述內部供給線路及所述外部噴嘴中的所述內部供給線路供給所述處理液。
  4. 根據申請專利範圍第1項或第2項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制 部構成為以如下方式對所述拋光處理裝置進行控制：在所述拋光處理中，從所述內部供給線路及所述外部噴嘴這兩方供給所述處理液。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光處理裝置進行控制：在所述拋光頭接近所述拋光台直至所述接觸位置之前，在所述拋光台的旋轉停止的狀態下從所述外部噴嘴供給所述處理液，在該供給開始後，使所述拋光頭移動至所述接觸位置，並開始所述拋光台的旋轉。
  6. 一種拋光處理裝置，用於對基板進行拋光處理，所述拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台用於支承所述基板，並構成為能夠旋轉；拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對所述基板進行拋光處理的拋光墊，所述拋光頭構成為能夠旋轉，並且構成為能夠向接近所述拋光台的方向及遠離該拋光台的方向移動，用於向所述基板供給所述拋光處理用的處理液的內部供給線路形成於所述拋光頭的內部；及控制部，所述控制部構成為對所述拋光處理裝置的動作進行控制，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光處理裝置進行控制：在所述拋光頭接近所述拋光台直至用於使所述拋光墊與所述基板接觸的位置之前，在所述拋光台旋轉的狀態下從所述內部供給線路供給所述處理液。
  7. 一種拋光處理裝置，用於對基板進行拋光處理，所述拋光處理裝置具備：拋光台，所述拋光台用於支承所述基板，並構成為能夠旋轉；拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用於對所述基板進行拋光處理的拋光墊，所述拋光頭構成為能夠旋轉，並且構成為能夠向接近所述拋光台的方向及遠離該拋光台的方向移動，用於向所述基板供給所述拋光處理用的處 理液的內部供給線路形成於所述拋光頭的內部；及控制部，所述控制部構成為對所述拋光處理裝置的動作進行控制，所述控制部構成為，在所述拋光台及所述拋光頭的旋轉停止的狀態下所述拋光墊接近所述拋光台直至用於使所述拋光墊與所述基板接觸的位置之後，從所述內部供給線路供給所述處理液，並在供給了該處理液規定時間後，開始所述拋光台及所述拋光頭的旋轉。
  8. 根據申請專利範圍第1項或第2項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光頭進行控制：在所述拋光處理的初始期間，第一負載通過所述拋光頭作用於所述基板，在所述初始後的期間，大於所述第一負載的第二負載通過所述拋光頭作用於所述基板。
  9. 根據申請專利範圍第3項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光頭進行控制：在所述拋光處理的初始期間，第一負載通過所述拋光頭作用於所述基板，在所述初始後的期間，大於所述第一負載的第二負載通過所述拋光頭作用於所述基板。
  10. 根據申請專利範圍第4項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光頭進行控制：在所述拋光處理的初始期間，第一負載通過所述拋光頭作用於所述基板， 在所述初始後的期間，大於所述第一負載的第二負載通過所述拋光頭作用於所述基板。
  11. 根據申請專利範圍第5項至第7項中任一項所述的拋光處理裝置，其中，所述控制部構成為以如下方式對所述拋光頭進行控制：在所述拋光處理的初始期間，第一負載通過所述拋光頭作用於所述基板，在所述初始後的期間，大於所述第一負載的第二負載通過所述拋光頭作用於所述基板。
  12. 一種基板處理裝置，其具備：化學機械研磨裝置；及申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的拋光處理裝置，所述拋光處理裝置用於對由所述化學機械研磨裝置處理後的基板進行後期處理。
  13. 一種拋光處理方法，是用於通過拋光處理裝置而對基板進行拋光處理的方法，所述拋光處理方法具備如下工序：將基板配置於拋光台的工序，所述拋光台用於以能夠旋轉的方式支承所述基板；在使安裝於拋光頭的拋光墊與所述基板接觸前，在所述拋光台旋轉的狀態下從外部噴嘴供給處理液的工序，所述拋光頭形成有內部供給線路，所述內部供給線路用於向所述基板供給拋光處理用的所述處理液；及在從所述外部噴嘴供給所述處理液的工序之後，一邊從所述內部供給線路供給所述處理液一邊進行拋光處理的工序。
  14. 一種拋光處理方法，是用於通過拋光處理裝置而對基板進行拋光處理的 方法，所述拋光處理方法具備如下工序：將基板配置於拋光台的工序，所述拋光台用於以能夠旋轉的方式支承所述基板；在使安裝於拋光頭的拋光墊與所述基板接觸前，在所述拋光台的旋轉停止的狀態下從外部噴嘴供給處理液的工序，所述拋光頭形成有內部供給線路，所述內部供給線路用於向所述基板供給拋光處理用的所述處理液；在所述處理液從所述外部噴嘴的供給開始後，使所述拋光墊與所述基板接觸，並開始所述拋光台的旋轉的工序；及在開始所述拋光台的旋轉的工序之後，一邊從所述內部供給線路供給所述處理液一邊進行拋光處理的工序。
TW104133187A 2014-10-10 2015-10-08 拋光處理裝置、基板處理裝置及拋光處理方法 TWI654047B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014209063A JP6346541B2 (ja) 2014-10-10 2014-10-10 バフ処理装置、および、基板処理装置
JP2014-209063 2014-10-10
JP2014248996A JP2016111265A (ja) 2014-12-09 2014-12-09 バフ処理装置、および、基板処理装置
JP2014-248996 2014-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201625380A TW201625380A (zh) 2016-07-16
TWI654047B true TWI654047B (zh) 2019-03-21

Family

ID=55654810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104133187A TWI654047B (zh) 2014-10-10 2015-10-08 拋光處理裝置、基板處理裝置及拋光處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10131030B2 (zh)
KR (1) KR102265229B1 (zh)
CN (1) CN105500181B (zh)
SG (1) SG10201508329UA (zh)
TW (1) TWI654047B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6740065B2 (ja) 2016-09-13 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
CN106312780B (zh) * 2016-09-28 2019-04-02 清华大学 抛光设备
CN106607765A (zh) * 2017-01-19 2017-05-03 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种紧凑型可调节的抛光液输送臂及其工作工程
JP6885754B2 (ja) * 2017-03-09 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7396785B2 (ja) * 2018-02-20 2023-12-12 株式会社ディスコ 研削装置
CN110421481B (zh) * 2019-08-09 2021-03-02 衢州学院 蓝宝石切片游离磨料研磨装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW396086B (en) 1997-10-01 2000-07-01 Vanguard Int Semiconduct Corp Apparatus for polishing and rinsing a semiconductor chip
TW412460B (en) 1998-01-20 2000-11-21 Ontrak Systems Inc A cleaning/buffing apparatus for use in a wafer processing device
JP2001252861A (ja) 2000-03-07 2001-09-18 Sony Corp 研磨方法、研磨装置及び研磨パッド
US20020102853A1 (en) 2000-12-22 2002-08-01 Applied Materials, Inc. Articles for polishing semiconductor substrates
TW500015U (en) 2001-03-21 2002-08-21 Ultra Tera Corp Grinding machine for workpiece
TW200744790A (en) 2005-09-09 2007-12-16 Inopla Inc Apparatus and method for polishing objects using object cleaners
TW200952057A (en) 2008-06-10 2009-12-16 Semes Co Ltd Single type substrate treating apparatus and method
TW201420273A (zh) 2012-10-03 2014-06-01 Ebara Corp 基板清洗裝置及研磨裝置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3114156B2 (ja) 1994-06-28 2000-12-04 株式会社荏原製作所 洗浄方法および装置
JPH1190816A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Toshiba Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2000158331A (ja) * 1997-12-10 2000-06-13 Canon Inc 基板の精密研磨方法および装置
US7374644B2 (en) * 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US20020155795A1 (en) * 2001-04-24 2002-10-24 Mark Ferra Optical endpoint detection for buff module on CMP tool
US6817923B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical processing system with mobile load cup
JP4757580B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-24 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム
JP5744382B2 (ja) 2008-07-24 2015-07-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN203282328U (zh) * 2013-04-28 2013-11-13 株式会社荏原制作所 抛光装置以及基板处理装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW396086B (en) 1997-10-01 2000-07-01 Vanguard Int Semiconduct Corp Apparatus for polishing and rinsing a semiconductor chip
TW412460B (en) 1998-01-20 2000-11-21 Ontrak Systems Inc A cleaning/buffing apparatus for use in a wafer processing device
JP2001252861A (ja) 2000-03-07 2001-09-18 Sony Corp 研磨方法、研磨装置及び研磨パッド
US20020102853A1 (en) 2000-12-22 2002-08-01 Applied Materials, Inc. Articles for polishing semiconductor substrates
TW500015U (en) 2001-03-21 2002-08-21 Ultra Tera Corp Grinding machine for workpiece
TW200744790A (en) 2005-09-09 2007-12-16 Inopla Inc Apparatus and method for polishing objects using object cleaners
TW200952057A (en) 2008-06-10 2009-12-16 Semes Co Ltd Single type substrate treating apparatus and method
TW201420273A (zh) 2012-10-03 2014-06-01 Ebara Corp 基板清洗裝置及研磨裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105500181B (zh) 2019-05-28
KR20160042786A (ko) 2016-04-20
CN105500181A (zh) 2016-04-20
KR102265229B1 (ko) 2021-06-15
SG10201508329UA (en) 2016-05-30
TW201625380A (zh) 2016-07-16
US20160101498A1 (en) 2016-04-14
US10131030B2 (en) 2018-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI654047B (zh) 拋光處理裝置、基板處理裝置及拋光處理方法
TWI672759B (zh) 修正部、擦光處理組件、基板處理裝置、及修整沖洗方法
KR102213468B1 (ko) 버프 처리 장치 및 기판 처리 장치
TWI787555B (zh) 基板處理裝置及處理方法
US10562150B2 (en) Polishing apparatus
KR101814650B1 (ko) 연마 방법 및 장치
US20190039203A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2016111265A (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
JP6445298B2 (ja) 研磨装置、及び、処理方法
JP6842859B2 (ja) ドレッシング装置、研磨装置、ホルダー、ハウジング及びドレッシング方法
JP6346541B2 (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
JP2015044250A (ja) ポリッシング方法
JP6578040B2 (ja) 基板処理装置
JP2016119333A (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
JP2017147334A (ja) 基板の裏面を洗浄する装置および方法
JP2016119368A (ja) コンディショニング装置、バフ処理装置、基板処理装置、ドレッサ、および、コンディショニング方法
JP2016111264A (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
US10651057B2 (en) Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
TW202322919A (zh) 基板清洗裝置以及基板研磨裝置
JP2016078156A (ja) 処理モジュール
TW201842983A (zh) 清洗基板裏面的裝置及方法