TW201420273A - 基板清洗裝置及研磨裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種不僅可用便宜的材料來構成清洗槽而且可防止因藥液造成清洗槽腐蝕之基板清洗裝置。本發明之基板清洗裝置具備有：收容基板W之清洗槽1；配置在清洗槽1內之基板保持部2；將藥液供給至由基板保持部2所保持的基板W之藥液噴嘴5；以及將清洗液供給至清洗槽1的內面1a之複數個清洗液噴嘴7。清洗槽1的內面1a係經粗面化處理及親水性材料塗佈等之親水化處理。

Description

基板清洗裝置及研磨裝置
本發明係關於清洗晶圓等的基板之基板清洗裝置，尤其關於具備用來清洗基板的清洗槽之基板清洗裝置。此外，本發明還關於具備有如上述的基板清洗裝置之研磨裝置。
以CMP(化學機械研磨)裝置為代表之研磨裝置，係一邊將研磨液(磨漿(slurry))供給至研磨墊(polishing pad)一邊使晶圓與研磨墊滑動接觸來研磨晶圓的表面。在經過研磨的晶圓上，會有包含磨粒之研磨液或研磨屑殘留。因此，一直以來都在晶圓研磨後將晶圓予以洗淨。
有一種在清洗槽內將藥液供給至晶圓來清洗晶圓之裝置。此種清洗裝置係藉由將具有腐蝕作用的藥液供給至晶圓的表面，而將附著於晶圓的異物去除掉者。最近，為了提高蝕刻作用，有使用80℃左右的高溫的藥液之清洗方法。使用如此強腐蝕作用的藥液，就可將以往藥液所不能去除的異物加以去除掉。
然而，使用強腐蝕作用的藥液，會有使清洗裝置的 清洗槽受到藥液腐蝕的情形。雖然只要用耐腐蝕性高的材料來構成清洗槽就可防止因藥液所造成之腐蝕，但耐腐蝕性高的材料很貴，使用這樣的材料，清洗裝置整體的價格就會變高。
本發明係為了解決上述的以往的問題點而完成者，其目的在提供一種不僅可用便宜的材料來構成清洗槽而且可防止因藥液造成清洗槽腐蝕之基板清洗裝置。
另外，本發明係以提供具備有如上述的基板清洗裝置之研磨裝置為其目的。
為了達成上述的目的，本發明的第一態樣係為一種基板清洗裝置，具備有：收容前述基板之清洗槽、配置在前述清洗槽內之基板保持部、將藥液供給至由前述基板保持部所保持的前述基板之藥液噴嘴、以及將清洗液供給至前述清洗槽的內面之複數個清洗液噴嘴，其中，前述清洗槽的內面係經親水化處理。
本發明的第二態樣係為一種基板清洗裝置，具備有：收容前述基板之清洗槽、配置在前述清洗槽內之基板保持部、將藥液供給至由前述基板保持部所保持的前述基板之藥液噴嘴、將清洗液供給至前述清洗槽的內面之複數個清洗液噴嘴、以及使前述複數個清洗液噴嘴擺動之擺動機構。
本發明的第三態樣係為一種研磨裝置，具備有：對基板進行研磨之研磨部、以及將研磨過的前述基板予以洗淨之上述基板清洗裝置。
根據本發明，就可將清洗液供給至清洗槽的內面上 之所希望的要清洗區域整體。因此，可防止藥液接觸到清洗槽，且可保護清洗槽不受藥液腐蝕。
1‧‧‧清洗槽
1a‧‧‧內面
1b‧‧‧開口部
2‧‧‧基板保持部
3,111,112,113,114‧‧‧閘門
5‧‧‧藥液噴嘴
7‧‧‧清洗液噴嘴
8‧‧‧連結配管
10‧‧‧旋轉接頭
12,12A至12D‧‧‧連桿機構
14‧‧‧馬達
15‧‧‧偏心軸
16A,16B‧‧‧中間連桿
20‧‧‧氣缸
21‧‧‧活塞桿
23‧‧‧電磁閥
100‧‧‧外殼
101a,101b,101c‧‧‧間隔壁
102‧‧‧裝載/卸載部
110‧‧‧閘門
120‧‧‧前方裝載部
121‧‧‧移行機構
122‧‧‧第一搬送機器人
124‧‧‧第二搬送機器人
130a‧‧‧第一研磨部
130b‧‧‧第二研磨部
131A,131B,131C,131D‧‧‧研磨單元
132A,132B,132C,132D‧‧‧研磨台
133A,133B,133C,133D‧‧‧頂環
134A,134B,134C,134D‧‧‧研磨液供給噴嘴
135A,135B,135C,135D‧‧‧修整器
136A,136B,136C,136D‧‧‧噴霧器
137A,137B,137C,137D‧‧‧頂環軸
140‧‧‧清洗部
141,151‧‧‧翻轉機
142至144‧‧‧清洗單元
145‧‧‧乾燥單元
146‧‧‧搬送單元
150‧‧‧第一線性輸送機
152,155,166‧‧‧升降機
153,154,167,168‧‧‧推送機
160‧‧‧第二線性輸送機
W‧‧‧基板
第1圖係顯示本發明之基板清洗裝置的第一實施形態之示意圖。
第2圖係顯示清洗槽之斜視圖。
第3圖係第1圖所示的基板清洗裝置的俯視圖。
第4圖係顯示本發明之基板清洗裝置的第二實施形態之圖。
第5圖係第4圖所示的基板清洗裝置的俯視圖。
第6圖係顯示第5圖所示的基板清洗裝置的變形例之俯視圖。
第7圖係顯示第5圖所示的基板清洗裝置的另一變形例之俯視圖。
第8圖係顯示具備基板清洗裝置之研磨裝置之圖。
第9圖係示意性顯示第8圖所示的研磨裝置之斜視圖。
以下，參照圖式來說明本發明之基板清洗裝置的實施形態。第1圖係顯示本發明之基板清洗裝置的第一實施形態之示意圖。第1圖中描繪晶圓以作為基板。如第1圖所示，基板清洗裝置係具備有：收容晶圓W之清洗槽1；配置在清洗槽1內，用來保持晶圓W之基板保持部2；配置在由該基板保持部2所保持的晶圓W的上方之藥液噴嘴5；以及將清洗液供給至清洗槽1的內面1a之複數個清洗液噴嘴7。基板保持部2係構成為一邊利用真空吸著將晶圓W保持成水平，一邊使晶圓W在水平面內旋 轉。
藥液噴嘴5將藥液供給到旋轉的晶圓W的上面，藉此來蝕刻晶圓W。就所使用的藥液的例子而言，可列舉硫酸等之酸性溶液、氨水等之鹼性溶液等。為了促進蝕刻作用，有時會使用高溫的藥液。例如，可使用常溫至100℃之藥液。
第2圖係顯示清洗槽1之斜視圖。清洗槽1係由聚氯乙烯(PVC)等之便宜的合成樹脂所構成之密閉容器。在清洗槽1的底部，設有供藥液及清洗液排出之排出口(未圖示)。在清洗槽1形成有供晶圓W放入取出之開口部1b。此開口部1b係形成為在清洗槽1的三個側面形成之水平延伸的缺口部。開口部1b係由閘門(shutter)3關閉。晶圓W係藉由搬送機器人的手臂(未圖示)在水平狀態下通過開口部1b而被搬送到清洗槽1內，並載置於基板保持部2上。然後，在清洗槽1內進行以藥液來蝕刻晶圓W之蝕刻處理。藥液處理中，開口部1b係由閘門3加以關閉。藥液處理完成後，藉由上述搬送機器人的手臂使晶圓W在水平狀態下通過開口部1b而從清洗槽1被搬出。
藥液處理中，晶圓W係藉由基板保持部2而旋轉。因此，藥液會因為離心力而從晶圓W往周圍飛散。若藥液附著在清洗槽1的內面1a，會有清洗槽1被腐蝕之虞。因而，為了保護清洗槽1不被藥液腐蝕，在將藥液供給至晶圓W的期間，要從清洗液噴嘴7供給清洗液到清洗槽1的內面1a而使清洗液的膜形成於內面1a上。清洗液噴嘴7係配置在比由基板保持部2所保持的晶圓W更上方的位置。
第3圖係基板清洗裝置的俯視圖。如第3圖所示， 複數個清洗液噴嘴7係沿著晶圓W的整個圓周方向排列。最好將清洗液噴嘴7配置成從晶圓W的上方觀看時沿著晶圓W的圓周方向大致等間隔排列。各清洗液噴嘴7係朝向清洗槽1的內面1a而配置，以使清洗液供給至清洗槽1的內面1a。清洗槽1的內面1a係由正面、背面、及兩個側面所構成，在各個面都至少配置一個，且最好為複數個清洗液噴嘴7。在第3圖所示的例子中，係在正面、背面、兩個側面分別配置有兩個清洗液噴嘴7，但本發明並不限於此。例如，亦可在各個面分別設置三個以上的清洗液噴嘴7。
各個清洗液噴嘴7係連接至環狀的連結配管8。清洗液噴嘴7係透過連結配管8而連結至清洗液供給部(未圖示)，使清洗液從該清洗液供給部供給至各個清洗液噴嘴7。就所使用的清洗液的例子而言，可列舉純水。清洗液噴嘴7具有朝向清洗槽1的內面1a噴灑清洗液之形狀，且形成扇狀的廣角的噴霧。因此，各清洗液噴嘴7係可將清洗液供給至清洗槽1的內面1a上的寬廣區域。
清洗液係從清洗液噴嘴7呈扇形擴散噴出而到達清洗槽1的內面1a。清洗液係在清洗槽1的內面1a上流下，在內面1a上形成液膜。若清洗槽1的內面1a為疏水性，則會有在清洗液的膜形成裂縫，或暫時形成的液膜破裂掉之情形。如此情況下，露出的清洗槽1的內面1a就會有被藥液腐蝕之虞。因此，為了形成均勻的液膜而預先對清洗槽1的內面1a施加親水化處理。因為在親水性的內面1a上可均勻地形成沒有裂縫之清洗液膜，所以可保護清洗槽1不被藥液腐蝕。
就對清洗槽1的內面1a施加之親水化處理而言，可列舉以下之例：噴附將磨粒混合在液體中而成的磨漿(slurry)而使表面粗糙化(粗面化)之濕式噴砂(wet blast)處理、使用銼刀等之粗面化處理、利用電漿處理而進行之表面改質、玻璃纖維(被膜)系的被覆劑(coating agent)之塗佈、使用電漿CVD法之二氧化鈦膜之成膜、覆蓋二氧化鈦(TiO2)光觸媒薄膜等之超親水性材料之後照射紫外線之處理、在由使用SiC粒子等細粒之噴砂所進行的粗面化處理之後形成親水性皮膜(例如SiO2或半導體層間絕緣膜材料)之處理等。就上述半導體層間絕緣膜材料而言，可列舉SOG(Spin On Glass：旋塗式玻璃)。上述親水性皮膜係可藉由先在經過粗面化後的表面進行全氫聚矽氮烷(perhydropolysilazane：PHPS)系塗覆劑的噴塗然後使之乾燥而形成。PHPS系被覆劑係適當地使用例如NAX120-20(AZ Electronic Materials公司製)。
複數個清洗液噴嘴7係配置成從晶圓W的上方觀看時圍繞在晶圓W的整個周圍。因此，從複數個清洗液噴嘴7供給至親水性的內面1a之清洗液，即形成包圍由清洗槽1的基板保持部2所保持的晶圓W的整個周圍之膜。以此清洗液所構成之膜，就可保護清洗槽1使之不會被從晶圓W甩落、或從晶圓W濺回的藥液腐蝕。
第4圖係顯示本發明之基板清洗裝置的第二實施形態之圖，第5圖係第4圖所示的基板清洗裝置的俯視圖。與上述第一實施形態相同的元件都標以相同的符號，並省略其重複的說明。
在第二實施形態中，並未對清洗槽1的內面1a施加 親水化處理。取而代之的是，將複數個清洗液噴嘴7分別構成為可在水平方向擺動，以確實地將清洗液供給至應清洗的區域。更具體言之，各清洗液噴嘴7係以可轉動之方式支持在旋轉接頭(rotary joint)10，旋轉接頭10則連接至連結配管8。並且，透過連桿機構12而將清洗液噴嘴7連結至馬達14的偏心軸15。亦可將此偏心軸15用作為曲軸(crank)。當馬達14的偏心軸15旋轉時，連結至偏心軸15之連桿機構12就會擺動，且藉由連桿機構12之擺動，清洗液噴嘴7就會以鉛直軸為中心而交互地朝順時針及逆時針轉動達預定的角度。以此方式，藉由馬達14的偏心軸15之旋轉，使複數個清洗液噴嘴7同步地擺動(搖擺或轉動)。
在本實施形態中，使清洗液噴嘴7擺動之擺動機構，係由四個連桿機構12及兩個馬達14所構成。各洗液噴嘴7係連結至四個連桿機構12中的任一個。四個連桿機構12中的兩個係連結至一方的馬達14，另外兩個連桿機構12係連結至另一方的馬達14。不過，本發明並不限與此。例如，亦可利用一個馬達14來使四個連桿機構12擺動。另外，也可使用氣缸(air cylinder)代替馬達14，以作為驅動連桿機構12之致動器(actuator)。
第6圖係顯示構成為利用一個馬達來使四個連桿機構擺動的構成例之俯視圖。如第6圖所示，連桿機構12A的一端部係連結至馬達14的偏心軸15，連桿機構12A的另一端部係透過中間連桿16A而連結至另一個連桿機構12B。同樣地，連桿機構12C的一端部係連結至馬達14的偏心軸15，連桿機構12C的另一端部係透過中間連桿16B而連結至另一個連桿機構12D。在如此的構成中，當馬達14的偏心軸15旋轉時，四個連桿機構12A 至12D就會擺動，進而使連結至連桿機構12A至12D之清洗液噴嘴7同步地擺動(搖擺或轉動)。
第7圖係顯示構成為利用一個氣缸來使四個連桿機構擺動的構成例之俯視圖。如第7圖所示，連桿機構12A的一端部係連結至氣缸20的活塞桿(piston rod)21，連桿機構12A的另一端部係透過中間連桿16A而連結至另一個連桿機構12B。同樣地，將連桿機構12C的一端部連結至氣缸20的活塞桿21，將連桿機構12C的另一端部透過中間連桿16B而連結至另一個連桿機構12D。在氣缸20連結有電磁閥23，通過此電磁閥23而使氣體(通常為空氣)交互地供給至氣缸20內的活塞(未圖示)的兩側的兩個作動室(未圖示)。在如此的構成中，藉由進行電磁閥23之切換，使氣缸20的活塞桿21如第7圖中的箭號所示往復運動，連結至活塞桿21之四個連桿機構12A至12D就會擺動，進而使連結至連桿機構12A至12D之清洗液噴嘴7同步地擺動(搖擺或轉動)。
根據第5至7圖所示的實施形態，清洗液係從擺動的清洗液噴嘴7供給至清洗槽1的內面1a。因此，可使清洗液供給至清洗槽1的內面1a上之所希望的要清洗區域全域，而可將藥液從清洗槽1上沖掉。
亦可與上述的第一實施形態同樣地，對清洗槽1的內面1a施加親水化處理。藉由親水性的內面1a及清洗液噴嘴7的擺動，可更確實地保護清洗槽1不受藥液腐蝕。
第8圖係顯示具備有上述的基板清洗裝置之研磨裝置之圖。如第8圖所示，研磨裝置具備有大致為矩形之外殼100，外殼100的內部係由間隔壁101a,101b,101c區隔成裝載/卸載部 102及研磨部130及清洗部140。
裝載/卸載部102具備有用來載置晶圓匣(匣中可儲存複數個晶圓)之兩個以上(第8圖中為三個)的前方裝載(front load)部120。在前方裝載部120可搭載開放式晶圓匣(open cassette)、標準機械介面晶圓盒(Standard Mechanical Interface pod：SMIF)、或前開統一標準晶圓盒(Front Opening Unified Pod：FOUP)。SMIF、FOUP係於內部收納晶圓匣，且藉由以間隔壁加以覆蓋而可保持與外部空間獨立的環境之密閉容器。
另外，在裝載/卸載部102係沿著前方裝載部120的行列鋪設有移行機構121，在此移行機構121上設有可沿著前方裝載部120的排列方向而移動之第一搬送機器人(robot)122。第一搬送機器人122係在移行機構121上移動而可相對於前方裝載部120上所搭載的晶圓匣進行晶圓的取放。該第一搬送機器人122係於上下具備有兩個手臂(hand)，且例如在將研磨過的晶圓送回到晶圓匣時使用上側的手臂，在搬送研磨前的晶圓時使用下側的手臂，而可分別使用上下手臂。
研磨部130係進行晶圓的研磨之區域，具備有：具有第一研磨單元131A及第二研磨單元131B之第一研磨部130a；以及具有第三研磨單元131C及第四研磨單元131D之第二研磨部130b。此第一研磨單元131A、第二研磨單元131B、第三研磨單元131C、及第四研磨單元131D係如第8圖所示，沿著裝置的長邊方向而排列。
第一研磨單元131A具備有：用來保持研磨墊之研磨台132A；用來保持晶圓且將晶圓朝研磨台132A上的研磨墊的研 磨面按壓之頂環(top ring)133A；用來將研磨液(例如磨漿(slurry))及修整(dressing)液(例如純水)供給至研磨墊的研磨面之研磨液供給噴嘴134A；用來進行研磨墊的修整(dressing)之修整器(dresser)135A；以及使液體(例如純水)及氣體(例如氮氣)的混合流體成為霧狀而從噴嘴噴射到研磨面之噴霧器(atomizer)136A。
同樣地，第二研磨單元131B具備有：研磨台132B、頂環133B、研磨液供給噴嘴134B、修整器135B、以及噴霧器136B，第三研磨單元131C具備有：研磨台132C、頂環133C、研磨液供給噴嘴134C、修整器135C、以及噴霧器136C，第四研磨單元131D具備有：研磨台132D、頂環133D、研磨液供給噴嘴134D、修整器135D、以及噴霧器136D。
研磨台132A之上固定有研磨墊(未圖示)。研磨台132A係連結至配置於其下方之馬達(未圖示)，而可繞其軸心而旋轉。如第9圖所示，頂環133A係透過頂環軸137A而連結至馬達及升降缸(未圖示)。藉此，使頂環133A可升降且可繞著頂環軸137A旋轉。在該頂環133A的下面藉由真空抽吸等而保持晶圓。研磨墊的上表面係構成為與晶圓滑動接觸之研磨面。
保持在頂環133A的下面之晶圓係由頂環133A一邊使之旋轉一邊將之按壓在旋轉中的研磨台132A上的研磨墊。此時，從研磨液供給噴嘴134A將研磨液供給至研磨墊的研磨面(上表面)，且在晶圓與研磨墊之間存在有研磨液的狀態下研磨晶圓。研磨台132A及頂環133A係構成使晶圓與研磨面相對移動之機構。第二研磨單元131B、第三研磨單元131C、及第四研磨單元131D都具有與第一研磨單元131A相同的構成，故將其說明予以 省略。
在第一研磨部130a配置有第一線性輸送機(linear transporter)150，此第一線性輸送機150係在沿著長邊方向之四個搬送位置，亦即在第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4之間搬送晶圓。在該第一線性輸送機150的第一搬送位置TP1的上方，配置有使從第一搬送機器人122接過來之晶圓翻面之翻轉機151，在該第一搬送位置TP1的下方，配置有可上下升降之升降機(lifter)152。另外，在第二搬送位置TP2的下方配置有可上下升降之推送機(pusher)153，在第三搬送位置TP3的下方配置有可上下升降之推送機154，在第四搬送位置TP4的下方配置有可上下升降之升降機155。
在第二研磨部130b配置有與第一線性輸送機150鄰接之第二線性輸送機160，此第二線性輸送機160係在沿著長邊方向之三個搬送位置，亦即在第五搬送位置TP5、第六搬送位置TP6、第七搬送位置TP7之間搬送晶圓。在該第二線性輸送機160的第五搬送位置TP5的下方，配置有可上下升降之升降機166，在第六搬送位置TP6的下方配置有推送機167，在第七搬送位置TP7的下方配置有推送機168。
如第9圖所示，第一線性輸送機150具備有可直線往復移動之四個平台(stage)，亦即第一平台、第二平台、第三平台、及第四平台。這些平台係形成為上下兩段之構成，亦即，第一平台、第二平台、第三平台係配置在下段、第四平台係配置在上段。
下段的平台與上段的平台其設置的高度不同，所以 下段的平台與上段的平台可互不干涉地自由移動。第一平台係在第一搬送位置TP1與屬於晶圓交接位置之第二搬送位置TP2之間搬送晶圓，第二平台係在第二搬送位置TP2與屬於晶圓交接位置之第三搬送位置TP3之間搬送晶圓，第三平台係在第三搬送位置TP3與第四搬送位置TP4之間搬送晶圓，第四平台係在第一搬送位置TP1與第四搬送位置TP4之間搬送晶圓。
第二線性輸送機160具有與第一線性輸送機150實質上相同的構成。亦即，在上段配置有第五平台及第六平台，在下段配置有第七平台。第五平台係在第五搬送位置TP5與屬於晶圓交接位置之第六搬送位置TP6之間搬送晶圓，第六平台係在第六搬送位置TP6與屬於晶圓交接位置之第七搬送位置TP7之間搬送晶圓，第七平台係在第五搬送位置TP5與第七搬送位置TP7之間搬送晶圓
清洗部140係將研磨後的晶圓予以清洗且使之乾燥之區域，具備有：第二搬送機器人124；使從第二搬送機器人124接過來的晶圓翻面之翻轉機141；將研磨後的晶圓予以洗淨之三個清洗單元142至144；使清洗後的晶圓乾燥之乾燥單元145；以及在翻轉機141、清洗單元142至144、及乾燥單元145之間搬送晶圓之搬送單元146。
搬送單元146具有用來把持晶圓之複數個支臂，且藉由此等支臂而可同時使複數個晶圓在翻轉機141、清洗單元142至144、及乾燥單元145之間在水平方向移動。清洗單元142及清洗單元143係可採用例如使配置在上下之滾筒狀的海綿旋轉而壓接在晶圓的表面及背面來清洗晶圓的表面及背面之滾筒型的清洗 單元。另外，清洗單元144係為第1或第4圖所述之上述的實施形態之基板清洗裝置。乾燥單元145係使清洗過的晶圓高速旋轉而使之乾燥之旋轉乾燥機。
在翻轉機151與第一搬送機器人122之間設置有閘門110，在晶圓的搬送時將閘門110打開而在第一搬送機器人122與翻轉機151之間進行晶圓的交接。另外，在翻轉機141與第二搬送機器人124之間、翻轉機141與一次清洗單元142之間、第一研磨部130a與第二搬送機器人124之間、及第二研磨部130b與第二搬送機器人124之間分別設置有閘門111、112、113、114，在晶圓的搬送時分別將該等閘門111、112、113、114打開而進行晶圓的交接。
第8圖所示之研磨裝置係可對晶圓進行包含研磨、清洗、及乾燥之一連串的處理。
上述的實施形態係為了讓在本發明所屬技術領域中具有通常知識者能夠實施本發明為目的而揭示者。上述實施形態的各種變形例係只要是相關業者當然就能夠推知，本發明的技術思想也可適用於其他的實施形態。因此，本發明並不限定於以上揭示的實施形態，本發明的範圍應依照申請專利範圍所定義之技術思想做最廣的解釋。
1‧‧‧清洗槽
1a‧‧‧內面
1b‧‧‧開口部
2‧‧‧基板保持部
3‧‧‧閘門
5‧‧‧藥液噴嘴
7‧‧‧清洗液噴嘴
8‧‧‧連結配管
W‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種基板清洗裝置，係具備有：收容基板之清洗槽；配置在前述清洗槽內之基板保持部；將藥液供給至由前述基板保持部所保持的前述基板之藥液噴嘴；以及將清洗液供給至前述清洗槽的內面之複數個清洗液噴嘴；其中，前述清洗槽的內面係經親水化處理。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板清洗裝置，其中，前述複數個清洗液噴嘴係沿著由前述基板保持部所保持的前述基板的整個圓周方向排列。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板清洗裝置，其中，前述複數個清洗液噴嘴係配置在比由前述基板保持部所保持的前述基板更上方的位置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板清洗裝置，其中，前述複數個清洗液噴嘴係在前述清洗槽的內面形成圍繞由前述基板保持部所保持的前述基板的整個周圍之前述清洗液之膜。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板清洗裝置，還具備有：使前述複數個清洗液噴嘴擺動之擺動機構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板清洗裝置，其中，前述親水化處理係經粗面化處理、親水性材料之塗佈、利用電漿處理進行之表面改質、以及上述處理的組合中的任一 者。
  7. 一種研磨裝置，係具備有：對基板進行研磨之研磨部；以及將研磨過的前述基板予以清洗之申請專利範圍第1項所述之基板清洗裝置。
  8. 一種基板清洗裝置，係具備有：收容基板之清洗槽、配置在前述清洗槽內之基板保持部、將藥液供給至由前述基板保持部所保持的前述基板之藥液噴嘴；將清洗液供給至前述清洗槽的內面之複數個清洗液噴嘴；以及使前述複數個清洗液噴嘴擺動之擺動機構。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板清洗裝置，其中，前述複數個清洗液噴嘴係沿著由前述基板保持部所保持的前述基板的整個圓周方向排列。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之基板清洗裝置，其中，前述複數個清洗液噴嘴係配置在比由前述基板保持部所保持的前述基板更上方的位置。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之基板清洗裝置，其中，前述複數個清洗液噴嘴係在前述清洗槽的內面形成圍繞由前述基板保持部所保持的前述基板的整個周圍之前述清洗液之膜。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之基板清洗裝置，其中， 前述清洗槽的內面係經親水化處理。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板清洗裝置，其中，前述親水化處理係經粗面化處理、親水性材料之塗佈、利用電漿處理進行之表面改質、以及上述處理的組合中的任一者。
  14. 一種研磨裝置，係具備有：對基板進行研磨之研磨部；以及將研磨過的前述基板予以洗淨之申請專利範圍第8項所述之基板清洗裝置。
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