JP2010157528A - 基板乾燥装置及び基板の乾燥方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】周囲に飛散する薬液や水の跳ね返りを抑制することができる半導体基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Wを保持する保持部2と、保持部を回転させる回転部3と、保持部の周囲を囲って設けられたカップ4とを備え、半導体基板Wの乾燥時には、回転部3を回転すると共に、エア吹き付け部5によってカップの内面にエアを吹き付ける。更に、ヒータ6によって少なくともカップ4の内面を100℃程度に加熱する。
【選択図】図3
【解決手段】半導体基板Wを保持する保持部2と、保持部を回転させる回転部3と、保持部の周囲を囲って設けられたカップ4とを備え、半導体基板Wの乾燥時には、回転部3を回転すると共に、エア吹き付け部5によってカップの内面にエアを吹き付ける。更に、ヒータ6によって少なくともカップ4の内面を100℃程度に加熱する。
【選択図】図3
Description
本発明は基板乾燥装置及び基板の乾燥方法に関する。詳しくは、基板を回転させて乾燥させる基板乾燥装置及び基板を回転させて乾燥させる基板の乾燥方法に係るものである。
半導体デバイスの製造に用いられる半導体基板洗浄装置として、回転する半導体基板の中心付近に薬液や水を供給して洗浄を行う手法がある。そして、こうした洗浄の後には半導体基板を回転させ、遠心力によって薬液や水を振り切って乾燥を行っている(例えば、特許文献1参照。)。
ところで、半導体基板乾燥装置には、薬液や水の飛散防止のために半導体基板の周囲を囲ってカップが設けられているのであるが、高速回転により振り飛ばされた薬液や水がカップに当たり、半導体基板上に跳ね返ることで再付着することがある。そして、半導体基板に薬液や水が再付着した場合には、半導体基板に残渣が生じる可能性があり、製品不良の一因となってしまう。
なお、特開2006−32637号公報には回収チャンバ(カップに相当)の内壁に吸収材を貼付して跳ね返りを抑制する技術が開示されている。しかし、吸水した水滴により回収チャンバ表面にはうっすらと水膜が張った状態となり、連続的に水滴が飛散してきた場合には、水膜と飛散してきた水滴が衝突することによって、水滴が半導体基板上に跳ね返ってしまう。
同様に、特開2000−70884号公報には洗浄チャンバ(カップに相当)の内壁に親水化処理を施す技術が開示されている。しかし、洗浄チャンバ表面にはうっすらと水膜が張った状態となり、連続的に水滴が飛散してきた場合には、水膜と飛散してきた水滴が衝突することによって、水滴が半導体基板上に跳ね返ってしまう。
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、周囲に飛散する薬液や水の跳ね返りを抑制することができる基板乾燥装置及び基板の乾燥方法を提供することを目的とするものである。
上記の目的を達成するために、本発明に係る基板乾燥装置は、基板を保持する保持部と、該保持部を回転させる回転部と、前記保持部の周囲を囲って設けられた飛散防止部と、該飛散防止部の内面を乾燥させる乾燥部とを備える。
ここで、乾燥部により飛散防止部の内面を乾燥させることによって、飛散防止部の内面に付着した薬液や水を除去することができる。なお、ここでの「内面」とは基板に面している側の面を意味している。
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る基板の乾燥方法は、基板の周囲を囲って設けられた飛散防止部を乾燥させながら、前記基板を回転する工程を備える。
ここで、基板の周囲を囲って設けられた飛散防止部を乾燥させることによって、飛散防止部の内面に付着した薬液や水を除去することができる。上記と同様に、ここでの「内面」とは基板に面している側の面を意味している。
本発明を適用した基板乾燥装置及び基板の乾燥方法では、周囲に飛散する薬液や水の跳ね返りを抑制することができるために、基板に生じる残差を抑制することができ、製品不良の低減が実現する
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、「実施の形態」と称する。)について説明を行う。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(乾燥手段がエア吹き付け部の場合)
2.第2の実施の形態(乾燥手段がヒータの場合)
3.第3の実施の形態(乾燥手段がエア吹き付け手段及びヒータの場合)
4.変形例
1.第1の実施の形態(乾燥手段がエア吹き付け部の場合)
2.第2の実施の形態(乾燥手段がヒータの場合)
3.第3の実施の形態(乾燥手段がエア吹き付け手段及びヒータの場合)
4.変形例
<1.第1の実施の形態>
[半導体基板乾燥装置の概略構成図]
図1は本発明を適用した基板乾燥装置の一例である半導体基板乾燥装置を説明するための模式的な概略説明図である。ここで示す半導体基板乾燥装置1は、主として保持部2と、回転部3と、カップ4と、エア吹き付け部5とによって構成されている。なお、カップ4は飛散防止部の一例であり、エア吹き付け部5は乾燥部の一例である。
[半導体基板乾燥装置の概略構成図]
図1は本発明を適用した基板乾燥装置の一例である半導体基板乾燥装置を説明するための模式的な概略説明図である。ここで示す半導体基板乾燥装置1は、主として保持部2と、回転部3と、カップ4と、エア吹き付け部5とによって構成されている。なお、カップ4は飛散防止部の一例であり、エア吹き付け部5は乾燥部の一例である。
ここで、保持部2は、半導体基板Wを保持可能に構成されており、具体的には、回転部3に取り付けられた十字形状の樹脂製アーム21に設けられたツメ部22により半導体基板Wを4方向から挟み込むことで半導体基板Wを保持可能に構成されている。
なお、樹脂製アーム21が取り付けられた回転部3はその下面に回転軸31が連結されている。そして、回転軸31は図示しないモータに連結されており、このモータを駆動することによって保持部2が図1中符号Aで示す方向に10rpm〜200rpm程度で回転可能に構成されている。
また、カップ4は、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)樹脂やポリ塩化ビニル(PVC)樹脂等の樹脂材料からなり、保持部3の周囲を囲む様に配置されている。具体的には、回転部3が保持する半導体基板Wの外周から10mm〜15mm離れて配置する。この様な位置にカップ4を配置した際に、カップ4の上端が半導体基板Wから5mm〜30mmに位置し、カップ4の下端が半導体基板Wからの薬液や水滴の飛散を充分に防止できる程度に位置する様に、カップ4は形成されている。なお、カップ4の上端部には概ね10°〜89°程度のテーパ部41が形成されている。
更に、エア吹き付け部5は、カップ4の内面に向けてエアを吹き付けることが可能に構成されている。
ここで、エア吹き付け部5は、より一層充分にカップ4の内面を乾燥させるために、複数個のノズルが設けられた方が良く、好ましくは1〜10cm間隔、更に好ましくは3cm間隔で設けられた方が望ましい。なお、ノズルからは、チャンバの排気能力を超えない程度であって、カップ4の内面に付着した薬液や水を吹き飛ばすのに充分な量のエアを吹き付ける。
ここで、エア吹き付け部5は、より一層充分にカップ4の内面を乾燥させるために、複数個のノズルが設けられた方が良く、好ましくは1〜10cm間隔、更に好ましくは3cm間隔で設けられた方が望ましい。なお、ノズルからは、チャンバの排気能力を超えない程度であって、カップ4の内面に付着した薬液や水を吹き飛ばすのに充分な量のエアを吹き付ける。
[半導体基板の乾燥方法]
次に、上記の様に構成された半導体基板乾燥装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した基板の乾燥方法の一例である半導体基板の乾燥方法について説明を行う。
次に、上記の様に構成された半導体基板乾燥装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した基板の乾燥方法の一例である半導体基板の乾燥方法について説明を行う。
先ず、チャンバ(図示せず)内に設置された半導体基板乾燥装置1の保持部2に半導体基板Wを載置し、保持部2の樹脂製アーム21に設けられたツメ部22により半導体基板Wを4方向から挟み込むことで半導体基板Wを保持する。
そして、保持部2により半導体基板Wを保持するとチャンバの内部を閉塞する。チャンバの内部が閉塞されると、真空吸引源(図示せず)を作動してチャンバの内部を減圧し、チャンバの内部が所定の圧力まで減圧されると、回転部3を低速で回転する。更に、図示しないリンスノズルからリンス液を供給する。
これにより半導体基板Wに付着している純水等がリンス液で置換されると共に、遠心力により保持部2の周囲に向かって飛散する。
所定時間だけ上記した処理を行った後に、図示しないリンスノズルからのリンス供給を停止すると共に、回転部3を高速で回転させる。このときに、エア吹き付け部5によってカップ4の内面に向けたエアの吹き付けを開始する。なお、同時に図示しない気体ノズルから半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給する。
ここで、回転部3を高速で回転することによって保持部2に保持された半導体基板Wに付着した純水等が遠心力によって振り切られる。また、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給することで、こうした窒素ガスによっても半導体基板Wは乾燥することとなる。
こうした処理を所定期間行った後に、回転部3の回転を停止すると共に、窒素ノズルからの窒素供給を停止し、更には、エア吹き付け部5からのエア吹き付けを停止する。その後、チャンバを開放し、半導体基板Wを外部に搬出することで半導体基板Wの乾燥処理が完了する。
本発明を適用した半導体基板乾燥装置では、エア吹き付け部5によってカップ4の内面に向けてエアを吹き付けながら乾燥処理を行っているために、周囲に飛散する純水等の半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができる。即ち、カップ4の内面にエアを吹き付け、積極的にカップ4の内面を乾燥させながら半導体基板Wの乾燥処理を行っているために、半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができるのである。そして、その結果として、乾燥処理による純水等の残渣を低減することができる。
なお、上記した第1の実施の形態では、リンスノズルからリンス液を供給し、純水等とリンス液とを置換した上で乾燥処理を行う場合を例に挙げて説明を行っているが、必ずしもリンス液を供給する必要はない。但し、純水等とリンス液を置換した上で乾燥処理を行った方がより充分に乾燥を行うことができる。
また、上記した第1の実施の形態では、回転部3の高速回転と同時にエアの吹き付けを開始しているが、エアの吹き付け開始タイミングについては、回転部3の高速回転の開始前であっても、開始後であっても良い。
更に、上記した第1の実施の形態では、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給しながら乾燥させる場合を例に挙げているが、必ずしも窒素ガスを供給する必要は無い。但し、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給することによって、より短時間で乾燥処理が完了することとなる。
<2.第2の実施の形態>
[半導体基板乾燥装置の概略構成図]
図2は本発明を適用した基板乾燥装置の他の一例である半導体基板乾燥装置を説明するための模式的な概略説明図である。ここで示す半導体基板乾燥装置1は、主として保持部2と、回転部3と、カップ4と、ヒータ6とによって構成されている。なお、カップ4は飛散防止部の一例であり、ヒータ6は乾燥部の一例である。
[半導体基板乾燥装置の概略構成図]
図2は本発明を適用した基板乾燥装置の他の一例である半導体基板乾燥装置を説明するための模式的な概略説明図である。ここで示す半導体基板乾燥装置1は、主として保持部2と、回転部3と、カップ4と、ヒータ6とによって構成されている。なお、カップ4は飛散防止部の一例であり、ヒータ6は乾燥部の一例である。
ここで、保持部2は、上記した第1の実施の形態と同様に、半導体基板Wを保持可能に構成されている。具体的には、回転部3に取り付けられた十字形状の樹脂製アーム21に設けられたツメ部22により半導体基板Wを4方向から挟み込むことで半導体基板Wを保持可能に構成されている。
なお、樹脂製アーム21が取り付けられた回転部3はその下面に回転軸31が連結されている点についても上記した第1の実施の形態と同様であり、モータを駆動することによって保持部2が図2中符号Aで示す方向に回転する。
また、カップ4は、例えば、セラミックス材料からなり、保持部3の周囲を囲む様に配置されている。具体的には、回転部3が保持する半導体基板Wの外周から10mm〜15mm離れて配置する。この様な位置にカップ4を配置した際に、カップ4の上端が半導体基板Wから5mm〜30mmに位置し、カップ4の下端が半導体基板Wからの薬液や水滴の飛散を充分に防止できる程度に位置する様に、カップ4は形成されている。なお、カップ4の上端部には概ね10°〜89°程度のテーパ部41が形成されている。
ここで、ヒータ6は、カップ4を加熱可能に構成されている。具体的には、ヒータ6によってカップ4を50℃〜150℃程度の温度域に加熱することができる様に構成されている。ヒータ6によって、カップ4の内面に付着した薬液や水を加熱乾燥するのに充分な熱量を印加することが好ましく、カップを水の沸点以上に加熱することが効果的であると考えられる。なお、ヒータ6によって少なくともカップ4の内面が加熱されれば充分であって、必ずしもカップ4全体を加熱する必要は無い。
[半導体基板の乾燥方法]
次に、上記の様に構成された半導体基板乾燥装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した基板の乾燥方法の他の一例である半導体基板の乾燥方法について説明を行う。
次に、上記の様に構成された半導体基板乾燥装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した基板の乾燥方法の他の一例である半導体基板の乾燥方法について説明を行う。
先ず、チャンバ(図示せず)内に設置された半導体基板乾燥装置1の保持部2に半導体基板Wを載置し、保持部2の樹脂製アーム21に設けられたツメ部22により半導体基板Wを4方向から挟み込むことで半導体基板Wを保持する。
そして、保持部2により半導体基板Wを保持するとチャンバの内部を閉塞する。チャンバの内部が閉塞されると、真空吸引源(図示せず)を作動してチャンバの内部を減圧し、チャンバの内部が所定の圧力まで減圧されると、回転部3を低速で回転する。更に、図示しないリンスノズルからリンス液を供給する。
なお、リンス液を供給することによって、半導体基板Wに付着している純水等がリンス液で置換されるという点については、上記した第1の実施の形態と同様である。
所定時間だけ上記した処理を行った後に、図示しないリンスノズルからのリンス供給を停止すると共に、回転部3を高速で回転させる。このときに、ヒータ6によってカップ4の加熱を開始する。なお、同時に図示しない気体ノズルから半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給する。
ここで、回転部3を高速で回転することによって保持部2に保持された半導体基板Wに付着した純水等が遠心力によって振り切られる。また、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給することで、こうした窒素ガスによっても半導体基板Wは乾燥することとなる。こうした点については、上記した第1の実施の形態と同様である。
こうした処理を所定期間行った後に、回転部3の回転を停止すると共に、窒素ノズルからの窒素供給を停止し、更には、ヒータ6によるカップ4の加熱を停止する。その後、チャンバを開放し、半導体基板Wを外部に搬出することで半導体基板Wの乾燥処理が完了する。
本発明を適用した半導体基板乾燥装置では、ヒータ6によってカップ4を加熱しながら乾燥処理を行っているために、周囲に飛散する純水等の半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができる。即ち、ヒータ6によってカップ4を加熱し、積極的にカップ4の内面を乾燥させながら半導体基板Wの乾燥処理を行っているために、半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができるのである。そして、その結果として、乾燥処理による純水等の残渣を低減することができる。
なお、上記した第2の実施の形態では、リンスノズルからリンス液を供給し、純水等とリンス液とを置換した上で乾燥処理を行う場合を例に挙げて説明を行っているが、必ずしもリンス液を供給する必要はない。但し、純水等とリンス液を置換した上で乾燥処理を行った方がより充分に乾燥を行うことができる。
また、上記した第2の実施の形態では、回転部3の高速回転と同時にカップの加熱を開始しているが、カップの加熱タイミングについては、回転部3の高速回転の開始前であっても、開始後であっても良い。
更に、上記した第2の実施の形態では、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給しながら乾燥させる場合を例に挙げているが、必ずしも窒素ガスを供給する必要は無い。但し、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給することによって、より短時間で乾燥処理が完了することとなる。
<3.第3の実施の形態>
[半導体基板乾燥装置の概略構成図]
図3は本発明を適用した基板乾燥装置の更に他の一例である半導体基板乾燥装置を説明するための模式的な断面図である。ここで示す半導体基板乾燥装置1は、主として保持部2と、回転部3と、カップ4と、エア吹き付け部5と、ヒータ6とによって構成されている。なお、カップ4は飛散防止部の一例であり、エア吹き付け部5及びヒータ6は乾燥部の一例である。
[半導体基板乾燥装置の概略構成図]
図3は本発明を適用した基板乾燥装置の更に他の一例である半導体基板乾燥装置を説明するための模式的な断面図である。ここで示す半導体基板乾燥装置1は、主として保持部2と、回転部3と、カップ4と、エア吹き付け部5と、ヒータ6とによって構成されている。なお、カップ4は飛散防止部の一例であり、エア吹き付け部5及びヒータ6は乾燥部の一例である。
ここで、保持部2は、上記した第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様に、半導体基板Wを保持可能に構成されている。具体的には、回転部3に取り付けられた十字形状の樹脂製アーム21に設けられたツメ部22により半導体基板Wを4方向から挟み込むことで半導体基板Wを保持可能に構成されている。
なお、樹脂製アーム21が取り付けられた回転部3はその下面に回転軸31が連結されている点についても上記した第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様であり、モータを駆動することによって保持部2が図3中符号Aで示す方向に回転する。
また、カップ4は、例えば、セラミックス材料からなり、保持部3の周囲を囲む様に配置されている点についても第2の実施の形態と同様である。
更に、エア吹き付け部5は、上記した第1の実施の形態と同様に、カップ4の内面に向けてエアを吹き付けることが可能に構成されている。また、ヒータ6は、上記した第2の実施の形態と同様に、カップ4を加熱可能に構成されている。
[半導体基板の乾燥方法]
次に、上記の様に構成された半導体基板乾燥装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した基板の乾燥方法の更に他の一例である半導体基板の乾燥方法について説明を行う。
次に、上記の様に構成された半導体基板乾燥装置の動作について説明を行う。即ち、本発明を適用した基板の乾燥方法の更に他の一例である半導体基板の乾燥方法について説明を行う。
先ず、チャンバ(図示せず)内に設置された半導体基板乾燥装置1の保持部2に半導体基板Wを載置し、保持部2の樹脂製アーム21に設けられたツメ部22により半導体基板Wを4方向から挟み込むことで半導体基板Wを保持する。
そして、保持部2により半導体基板Wを保持するとチャンバの内部を閉塞する。チャンバの内部が閉塞されると、真空吸引源(図示せず)を作動してチャンバの内部を減圧し、チャンバの内部が所定の圧力まで減圧されると、回転部3を低速で回転する。更に、図示しないリンスノズルからリンス液を供給する。
なお、リンス液を供給することによって、半導体基板Wに付着している純水等がリンス液で置換されるという点については、上記した第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様である。
所定時間だけ上記した処理を行った後に、図示しないリンスノズルからのリンス供給を停止すると共に、回転部3を高速で回転させる。このときに、エア吹き付け部5によってカップの内面に向けたエアの吹き付けを開始すると共に、ヒータ6によってカップ4の加熱を開始する。なお、同時に図示しない気体ノズルから半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給する。
ここで、回転部3を高速で回転することによって保持部2に保持された半導体基板Wに付着した純水等が遠心力によって振り切られる。また、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給することで、こうした窒素ガスによっても半導体基板Wは乾燥することとなる。こうした点については、上記した第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様である。
こうした処理を所定期間行った後に、回転部3の回転を停止すると共に、窒素ノズルからの窒素供給を停止し、更には、エア吹き付け部5からのエア吹き付けを停止し、ヒータ6によるカップ4の加熱を停止する。その後、チャンバを開放し、半導体基板Wを外部に搬出することで半導体基板Wの乾燥処理が完了する。
本発明を適用した半導体基板乾燥装置では、エア吹き付け部5によってカップ4の内面に向けてエアを吹き付けながら乾燥処理を行っているために、周囲に飛散する純水等の半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができる。また、同時にヒータ6によってカップ4を加熱しながら乾燥処理を行っているために、周囲に飛散する純水等の半導体基板Wへの跳ね返りをより一層充分に抑制することができる。即ち、エアの吹き付けや加熱といった方法によってカップ4の内面を積極的に乾燥させながら半導体基板Wの乾燥処理を行っているために、半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができるのである。そして、その結果として、乾燥処理による純水等の残渣を低減することができる。
なお、上記した第3の実施の形態では、リンスノズルからリンス液を供給し、純水等とリンス液とを置換した上で乾燥処理を行う場合を例に挙げて説明を行っているが、必ずしもリンス液を供給する必要はない。但し、純水等とリンス液を置換した上で乾燥処理を行った方がより充分に乾燥を行うことができる。
また、上記した第3の実施の形態では、回転部3の高速回転と同時にエアの吹き付けを開始しているが、エアの吹き付け開始タイミングについては、回転部3の高速回転の開始前であっても、開始後であっても良い。
更に、上記した第3の実施の形態では、回転部3の高速回転と同時にカップの加熱を開始しているが、カップの加熱タイミングについては、回転部3の高速回転の開始前であっても、開始後であっても良い。
また、上記した第3の実施の形態では、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給しながら乾燥させる場合を例に挙げているが、必ずしも窒素ガスを供給する必要は無い。但し、半導体基板Wの表面に窒素ガスを供給することによって、より短時間で乾燥処理が完了することとなる。
<4.変形例>
上記した第1の実施の形態では、PVA樹脂やPCV樹脂等の樹脂材料からなるカップ4を例に挙げて説明を行っているが、カップ4の内面に親水性を付与することによって、より一層半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができる。即ち、カップ4の内面に親水性を付与し、カップ4の内面に付着する純水等の膜を薄膜化することによって、カップ4の内面の乾燥し易い状況となるために、より一層半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができるのである。
上記した第1の実施の形態では、PVA樹脂やPCV樹脂等の樹脂材料からなるカップ4を例に挙げて説明を行っているが、カップ4の内面に親水性を付与することによって、より一層半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができる。即ち、カップ4の内面に親水性を付与し、カップ4の内面に付着する純水等の膜を薄膜化することによって、カップ4の内面の乾燥し易い状況となるために、より一層半導体基板Wへの跳ね返りを抑制することができるのである。
例えば、カップ4の内面にガラス繊維(被膜)系のコーティング剤を塗布することによって、カップ4の内面に親水性を付与することができる。なお、プラズマCVD法を用いてカップ4の内面に酸化チタン膜を成膜する方法によっても、カップ4の内面に親水性を付与することができる。
1 半導体基板乾燥装置
2 保持部
3 回転部
4 カップ
5 エア吹き付け部
6 ヒータ
21 アーム部
22 ツメ部
31 回転軸
41 テーパ部
2 保持部
3 回転部
4 カップ
5 エア吹き付け部
6 ヒータ
21 アーム部
22 ツメ部
31 回転軸
41 テーパ部
Claims (6)
- 基板を保持する保持部と、
該保持部を回転させる回転部と、
前記保持部の周囲を囲って設けられた飛散防止部と、
該飛散防止部の内面を乾燥させる乾燥部とを備える
基板乾燥装置。 - 前記乾燥部は、前記飛散防止部の内面に気体を吹き付ける気体吹き付け部を有する
請求項1に記載の基板乾燥装置。 - 前記乾燥部は、前記飛散防止部の少なくとも内面を加熱する加熱部を有する
請求項1または請求項2に記載の基板乾燥装置。 - 前記飛散防止部は、その内面が親水性を有する
請求項1または請求項2または請求項3に記載の基板乾燥装置。 - 前記飛散防止部は、セラミック材料からなる
請求項3に記載の基板乾燥装置。 - 基板の周囲を囲って設けられた飛散防止部を乾燥させながら、前記基板を回転する工程を備える
基板の乾燥方法。
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2008
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