CN112185857A - 一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺 - Google Patents

一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，将需要喷淋的硅晶圆取出放置于摇摆机构下方的放置槽内，所述硅晶圆的正面朝向喷淋头；在所述摇摆机构的带动下所述喷淋头开始在所述硅晶圆上方做往复运动，所述摇摆机构带动所述喷淋头往复运动的速度为30±5次/分钟，所述喷淋头喷淋的水雾具体呈扇形；进一步的所述喷淋头开始向所述硅晶圆喷淋水，所述喷淋头喷出水的流量具体为1升/分钟，所述喷淋头喷出水的水压具体为0.3±0.05MPa；当喷淋一段时间后停止喷淋工序，将硅晶圆取走放置于指定位置处工作结束。本发明提供一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，提高了喷淋效率，提高了硅晶圆的润湿效果，提高了后段电镀的品质。

Description

一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺
技术领域
本发明涉及硅晶圆生产领域，具体涉及一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺。
背景技术
硅晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，在生产过程中需要对硅晶圆进行电镀工序，在电镀工序前需要将硅晶圆上的浅孔润湿，方便药水进入浅孔内，最终确保在浅孔内电镀上铜，从而保证硅晶圆可以正常使用。
现在在对硅晶圆直接进行电镀工艺之前首先需要对硅晶圆进行喷淋，但是硅晶圆上面有几十万个浅孔，在喷淋过程中由于水的本身特性，水不能进入部分浅孔内，对硅晶圆的润湿效果差，影响了后续电镀工艺的品质。
发明内容
本发明的目的是：提供一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，解决以上问题。
为了实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：
一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，其特征在于：其制作方法为：
a)首先将需要喷淋的硅晶圆取出放置于摇摆机构下方的放置槽内，所述硅晶圆的正面朝向喷淋头；
b)在所述摇摆机构的带动下所述喷淋头开始在所述硅晶圆上方做往复运动，所述摇摆机构带动所述喷淋头往复运动的速度为30±5次/分钟，所述喷淋头喷淋的水雾具体呈扇形；
c)进一步的所述喷淋头开始向所述硅晶圆喷淋水，所述喷淋头喷出水的流量具体为1升/分钟，所述喷淋头喷出水的水压具体为0.3±0.05MPa；
d)当喷淋一段时间后停止喷淋工序，将硅晶圆取走放置于指定位置处工作结束。
进一步的，所述喷淋头有多个，所述喷淋头的喷淋时间具体为60s，所述喷淋头喷出的水的温度具体为25±2摄氏度。
进一步的，所述喷淋头与硅晶圆的夹角具体为垂直90度，所述喷淋头喷水时在摇摆机构的带动下所述喷淋头的行程具体为30±1mm。
本发明的有益效果为：提供一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，通过摇摆机构在喷淋过程中带动喷淋头做往复运动，进而确保喷淋头喷淋的水相对于硅晶圆的角度不断的变化，实现硅晶圆上的孔内全部被喷淋上水的效果，提高了喷淋效率，提高了硅晶圆的润湿效果，提高了后段电镀的品质。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下对本发明作进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，其特征在于：其制作方法为：
a)首先将需要喷淋的硅晶圆取出放置于摇摆机构下方的放置槽内，所述硅晶圆的正面朝向喷淋头，即硅晶圆上的浅孔朝向摇摆机构的喷淋头；
b)在所述摇摆机构的带动下所述喷淋头开始在所述硅晶圆上方做往复运动，此时硅晶圆上的浅孔与喷淋头喷淋的水雾之间的相对角度不断在发生变化，所述摇摆机构带动所述喷淋头往复运动的速度为30±5次/分钟，用于增加喷淋的次数，所述喷淋头喷淋的水雾具体呈扇形，用于确保喷淋头喷淋的水雾的角度范围大，进而在喷淋头运动过程中浅孔接收多个角度的水雾；
c)进一步的所述喷淋头开始向所述硅晶圆喷淋水，所述喷淋头喷出水的流量具体为1升/分钟，所述喷淋头喷出水的水压具体为0.3±0.05MPa，用于达到最佳的喷淋效果；
d)当喷淋一段时间后停止喷淋工序，将硅晶圆取走放置于指定位置处工作结束。
所述喷淋头有多个，所述喷淋头的喷淋时间具体为60s，所述喷淋头喷出的水的温度具体为25±2摄氏度，用于达到最佳的喷淋效果。
所述喷淋头与硅晶圆的夹角具体为垂直90度，所述喷淋头喷水时在摇摆机构的带动下所述喷淋头的行程具体为30±1mm，用于和硅晶圆的尺寸相配合。
上述实施例用于对本发明作进一步的说明，但并不将本发明局限于这些具体实施方式。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应理解为在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，其特征在于：其制作方法为：
a)首先将需要喷淋的硅晶圆取出放置于摇摆机构下方的放置槽内，所述硅晶圆的正面朝向喷淋头；
b)在所述摇摆机构的带动下所述喷淋头开始在所述硅晶圆上方做往复运动，所述摇摆机构带动所述喷淋头往复运动的速度为30±5次/分钟，所述喷淋头喷淋的水雾具体呈扇形；
c)进一步的所述喷淋头开始向所述硅晶圆喷淋水，所述喷淋头喷出水的流量具体为1升/分钟，所述喷淋头喷出水的水压具体为0.3±0.05MPa；
d)当喷淋一段时间后停止喷淋工序，将硅晶圆取走放置于指定位置处工作结束。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，其特征在于：所述喷淋头有多个，所述喷淋头的喷淋时间具体为60s，所述喷淋头喷出的水的温度具体为25±2摄氏度。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺，其特征在于：所述喷淋头与硅晶圆的夹角具体为垂直90度，所述喷淋头喷水时在摇摆机构的带动下所述喷淋头的行程具体为30±1mm。
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Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274052A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Hitachi Ltd 板状物の洗浄方法および装置
US6488984B1 (en) * 1998-10-29 2002-12-03 Applied Materials Inc. Film deposition method and apparatus
JP2003193246A (ja) * 2001-12-25 2003-07-09 Ebara Corp 無電解めっきの前処理方法及び前処理液
CN101032721A (zh) * 2007-04-06 2007-09-12 大连理工大学 复合摆动喷淋清洗与吹干大型轴承的装置
CN101459047A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体晶片表面的清洗方法
JP2010070779A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 脱泡装置、気泡除去方法、めっき方法、および微少金属構造体
US20120260949A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Kenji Sekiguchi Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium
CN103103585A (zh) * 2012-12-29 2013-05-15 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种用于铜互连的高速凸点电镀方法
CN103707179A (zh) * 2012-10-03 2014-04-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置及研磨装置
CN105006424A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 上海集成电路研发中心有限公司 单片式湿法清洗方法
CN105448816A (zh) * 2014-09-29 2016-03-30 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种半导体基片的预湿方法
JP2016187049A (ja) * 2016-06-29 2016-10-27 小林　光 ウェハの洗浄装置および洗浄方法
US20180282892A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
CN109962028A (zh) * 2019-04-18 2019-07-02 上海允哲机电科技有限公司 一种用于芯片的全自动清洗装置及其清洗工艺

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274052A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Hitachi Ltd 板状物の洗浄方法および装置
US6488984B1 (en) * 1998-10-29 2002-12-03 Applied Materials Inc. Film deposition method and apparatus
JP2003193246A (ja) * 2001-12-25 2003-07-09 Ebara Corp 無電解めっきの前処理方法及び前処理液
CN101032721A (zh) * 2007-04-06 2007-09-12 大连理工大学 复合摆动喷淋清洗与吹干大型轴承的装置
CN101459047A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体晶片表面的清洗方法
JP2010070779A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 脱泡装置、気泡除去方法、めっき方法、および微少金属構造体
US20120260949A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Kenji Sekiguchi Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium
CN103707179A (zh) * 2012-10-03 2014-04-09 株式会社荏原制作所 基板清洗装置及研磨装置
CN103103585A (zh) * 2012-12-29 2013-05-15 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种用于铜互连的高速凸点电镀方法
CN105448816A (zh) * 2014-09-29 2016-03-30 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种半导体基片的预湿方法
CN105006424A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 上海集成电路研发中心有限公司 单片式湿法清洗方法
JP2016187049A (ja) * 2016-06-29 2016-10-27 小林　光 ウェハの洗浄装置および洗浄方法
US20180282892A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
CN108691000A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 株式会社荏原制作所 镀覆方法和镀覆装置
CN109962028A (zh) * 2019-04-18 2019-07-02 上海允哲机电科技有限公司 一种用于芯片的全自动清洗装置及其清洗工艺

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