CN215496649U - 一种tft基板制作用蚀刻槽结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽的顶端设置有盖板，所述盖板的底端固定有雾液转换板，且雾液转换板位于盖板底部呈直线阵列分布，所述雾液转换板的底端连接有导流管，所述盖板与蚀刻槽的平行面之间夹角为30度‑40度；本实用新型通过设计的盖板和雾液转换板，雾液转换板的内部装有冷却液体，使其雾气接触时进行凝结形成水滴，同时盖板呈一定斜度设置在蚀刻槽的顶端，保证其雾气凝聚的水滴进行汇流到一定位置，避免其直接下落。

Description

一种TFT基板制作用蚀刻槽结构

技术领域

本实用新型属于蚀刻槽结构技术领域，具体涉及一种TFT基板制作用蚀刻槽结构。

背景技术

在有机发光二极管显示器具备自发光特性，低功耗，宽视角，响应速度快，超轻超薄，抗震性好等特点被广泛运用于柔性显示领域，其中OLED显示器采用Array TFT驱动OLED器件发光，优良的Array TFT器件可以提高器件整体的寿命和显示效果，在薄膜晶体管(TFT)基板制作的阵列(Array)工艺制程中，蚀刻主要有两种方式：旋转蚀刻方式和喷淋蚀刻方式，由于旋转蚀刻方式需要多次显影蚀刻，且会产生酸雾以及静电，从而导致产能较低，因此，在液晶面板的生产过程中通常使用喷淋蚀刻方式。

现有的喷淋蚀刻方式将基板送入蚀刻槽蚀刻进行蚀刻工艺时，由于湿刻机台药液腔内部的温度较高并且采用喷淋式蚀刻方式，喷嘴喷出的药液量较大，药液会形成蒸汽向上运动，并在盖板上聚集成液滴，当液滴聚集到一定量后，由于重力影响，会滴落在正常刻蚀的基板表面，导致基板刻蚀不均，进而影响基板良率的问题，为此我们提出一种TFT基板制作用蚀刻槽结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽的顶端设置有盖板，所述盖板的底端固定有雾液转换板，且雾液转换板位于盖板底部呈直线阵列分布，所述雾液转换板的底端连接有导流管，所述盖板与蚀刻槽的平行面之间夹角为30度-40度。

优选的，所述导流管的纵截面为C字型结构，所述雾液转换板的纵截面为倒三角形结构。

优选的，所述蚀刻槽的表面开设有输送孔，且输送孔的形状为矩形状结构。

优选的，所述蚀刻槽的内壁两侧均固定有输送管，且两个输送管之间连接有喷淋管。

优选的，所述喷淋管的侧壁开设有喷淋孔，所述喷淋孔上装设有喷头。

优选的，所述蚀刻槽的纵截面为直角梯形结构，所述蚀刻槽的横截面为矩形结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

（1）通过设计的盖板和雾液转换板，雾液转换板的内部装有冷却液体，使其雾气接触时进行凝结形成水滴，同时盖板呈一定斜度设置在蚀刻槽的顶端，保证其雾气凝聚的水滴进行汇流到一定位置，避免其直接下落，通过设计的导流管，导流管安装在雾液转换板的底部，对转换后的液体下滴时进行集中接收处理，有利于避免液滴滴落在正常蚀刻的基板表面，避免由于药液浓度不均导致蚀刻速率不均的问题，提高了Array TFT基板制备的良率，导流管将收集的液滴导入到槽中，并与槽中反应的药液以及新补充的药液混合，形成的混合液将被重新利用。

（2）通过设计的输送孔，便于将基板输送到蚀刻槽内部进行蚀刻制作，通过设计的喷头，实现将喷淋孔喷出的液体进行雾化，使其喷淋更加均匀。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的正面剖视结构示意图；

图3为本实用新型图2中的A处放大图；

图中：1、蚀刻槽；2、输送孔；3、盖板；4、输送管；5、喷淋管；6、喷头；7、导流管；8、雾液转换板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1

请参阅图1至图3，本实用新型提供一种技术方案：一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，包括蚀刻槽1，蚀刻槽1的顶端设置有盖板3，盖板3的底端固定有雾液转换板8，通过设计的盖板3和雾液转换板8，雾液转换板8的内部装有冷却液体，使其雾气接触时进行凝结形成水滴，同时盖板3呈一定斜度设置在蚀刻槽1的顶端，保证其雾气凝聚的水滴进行汇流到一定位置，避免其直接下落，且雾液转换板8位于盖板3底部呈直线阵列分布，雾液转换板8的底端连接有导流管7，通过设计的导流管7，导流管7安装在雾液转换板8的底部，对转换后的液体下滴时进行集中接收处理，有利于避免液滴滴落在正常蚀刻的基板表面，避免由于药液浓度不均导致蚀刻速率不均的问题，提高了Array TFT基板制备的良率，导流管7将收集的液滴导入到槽中，并与槽中反应的药液以及新补充的药液混合，形成的混合液将被重新利用，盖板3与蚀刻槽1的平行面之间夹角为30度，导流管7的纵截面为C字型结构，雾液转换板8的纵截面为倒三角形结构。

本实施例中，优选的，蚀刻槽1的表面开设有输送孔2，通过设计的输送孔2，便于将基板输送到蚀刻槽1内部进行蚀刻制作，且输送孔2的形状为矩形状结构，蚀刻槽1的内壁两侧均固定有输送管4，且两个输送管4之间连接有喷淋管5。

本实施例中，优选的，喷淋管5的侧壁开设有喷淋孔，喷淋孔上装设有喷头6，通过设计的喷头6，实现将喷淋孔喷出的液体进行雾化，使其喷淋更加均匀，蚀刻槽1的纵截面为直角梯形结构，蚀刻槽1的横截面为矩形结构。

实施例2

请参阅图1至图3，本实用新型提供一种技术方案：一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，包括蚀刻槽1，蚀刻槽1的顶端设置有盖板3，盖板3的底端固定有雾液转换板8，通过设计的盖板3和雾液转换板8，雾液转换板8的内部装有冷却液体，使其雾气接触时进行凝结形成水滴，同时盖板3呈一定斜度设置在蚀刻槽1的顶端，保证其雾气凝聚的水滴进行汇流到一定位置，避免其直接下落，且雾液转换板8位于盖板3底部呈直线阵列分布，雾液转换板8的底端连接有导流管7，通过设计的导流管7，导流管7安装在雾液转换板8的底部，对转换后的液体下滴时进行集中接收处理，有利于避免液滴滴落在正常蚀刻的基板表面，避免由于药液浓度不均导致蚀刻速率不均的问题，提高了Array TFT基板制备的良率，导流管7将收集的液滴导入到槽中，并与槽中反应的药液以及新补充的药液混合，形成的混合液将被重新利用，盖板3与蚀刻槽1的平行面之间夹角为35度，导流管7的纵截面为C字型结构，雾液转换板8的纵截面为倒三角形结构。

本实施例中，优选的，蚀刻槽1的表面开设有输送孔2，通过设计的输送孔2，便于将基板输送到蚀刻槽1内部进行蚀刻制作，且输送孔2的形状为矩形状结构，蚀刻槽1的内壁两侧均固定有输送管4，且两个输送管4之间连接有喷淋管5。

本实施例中，优选的，喷淋管5的侧壁开设有喷淋孔，喷淋孔上装设有喷头6，通过设计的喷头6，实现将喷淋孔喷出的液体进行雾化，使其喷淋更加均匀，蚀刻槽1的纵截面为直角梯形结构，蚀刻槽1的横截面为矩形结构。

实施例3

请参阅图1至图3，本实用新型提供一种技术方案：一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，包括蚀刻槽1，蚀刻槽1的顶端设置有盖板3，盖板3的底端固定有雾液转换板8，通过设计的盖板3和雾液转换板8，雾液转换板8的内部装有冷却液体，使其雾气接触时进行凝结形成水滴，同时盖板3呈一定斜度设置在蚀刻槽1的顶端，保证其雾气凝聚的水滴进行汇流到一定位置，避免其直接下落，且雾液转换板8位于盖板3底部呈直线阵列分布，雾液转换板8的底端连接有导流管7，通过设计的导流管7，导流管7安装在雾液转换板8的底部，对转换后的液体下滴时进行集中接收处理，有利于避免液滴滴落在正常蚀刻的基板表面，避免由于药液浓度不均导致蚀刻速率不均的问题，提高了Array TFT基板制备的良率，导流管7将收集的液滴导入到槽中，并与槽中反应的药液以及新补充的药液混合，形成的混合液将被重新利用，盖板3与蚀刻槽1的平行面之间夹角为40度，导流管7的纵截面为C字型结构，雾液转换板8的纵截面为倒三角形结构。

本实施例中，优选的，蚀刻槽1的表面开设有输送孔2，通过设计的输送孔2，便于将基板输送到蚀刻槽1内部进行蚀刻制作，且输送孔2的形状为矩形状结构，蚀刻槽1的内壁两侧均固定有输送管4，且两个输送管4之间连接有喷淋管5。

本实施例中，优选的，喷淋管5的侧壁开设有喷淋孔，喷淋孔上装设有喷头6，通过设计的喷头6，实现将喷淋孔喷出的液体进行雾化，使其喷淋更加均匀，蚀刻槽1的纵截面为直角梯形结构，蚀刻槽1的横截面为矩形结构。

本实用新型的工作原理及使用流程：当蚀刻槽1在进行蚀刻工艺反应时，喷淋管5向下喷淋药液引起的水蒸气雾气，以及蚀刻反应放出大量的热量形成的水蒸气雾气上升聚集在倒三角状的雾液转换板8上，雾液转换板8为内部通入冷却水的换热板，雾液转换板8内部为中空结构并与外界循环的冷却水管连通，水蒸气与雾液转换板8接触形成冷热交换，将水蒸气液化形成液滴，液化的液滴沿着雾液转换板8的斜边从导流管7的开孔处进入到导流管7中，导流管7将液滴收集并导入到槽中，并与槽中反应的药液以及新补充的药液混合，形成的混合液将被重新利用，本实用新型有利于避免液滴滴落在正常蚀刻的基板表面，避免由于药液浓度不均导致蚀刻速率不均的问题，提高了Array TFT基板制备的良率。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，包括蚀刻槽（1），其特征在于：所述蚀刻槽（1）的顶端设置有盖板（3），所述盖板（3）的底端固定有雾液转换板（8），且雾液转换板（8）位于盖板（3）底部呈直线阵列分布，所述雾液转换板（8）的底端连接有导流管（7），所述盖板（3）与蚀刻槽（1）的平行面之间夹角为30度-40度。

2.根据权利要求1所述的一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，其特征在于：所述导流管（7）的纵截面为C字型结构，所述雾液转换板（8）的纵截面为倒三角形结构。

3.根据权利要求1所述的一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，其特征在于：所述蚀刻槽（1）的表面开设有输送孔（2），且输送孔（2）的形状为矩形状结构。

4.根据权利要求3所述的一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，其特征在于：所述蚀刻槽（1）的内壁两侧均固定有输送管（4），且两个输送管（4）之间连接有喷淋管（5）。

5.根据权利要求4所述的一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，其特征在于：所述喷淋管（5）的侧壁开设有喷淋孔，所述喷淋孔上装设有喷头（6）。

6.根据权利要求4所述的一种TFT基板制作用蚀刻槽结构，其特征在于：所述蚀刻槽（1）的纵截面为直角梯形结构，所述蚀刻槽（1）的横截面为矩形结构。

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