JP6295023B2 - 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置 - Google Patents
基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6295023B2 JP6295023B2 JP2012221488A JP2012221488A JP6295023B2 JP 6295023 B2 JP6295023 B2 JP 6295023B2 JP 2012221488 A JP2012221488 A JP 2012221488A JP 2012221488 A JP2012221488 A JP 2012221488A JP 6295023 B2 JP6295023 B2 JP 6295023B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- cleaning liquid
- chemical
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 216
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 111
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 115
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 57
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 6
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
また、本発明は、そのような基板洗浄装置を備えた研磨装置を提供することを目的とする。
本発明の第4の態様は、基板を基板保持部により回転させながら、薬液ノズルから前記基板に薬液を供給することにより、前記基板をエッチングし、前記基板に薬液を供給している間、揺動する複数の洗浄液ノズルから洗浄槽の内面を構成する正面、背面、2つの側面のそれぞれに洗浄液を供給して前記洗浄液の膜を前記洗浄槽の内面上に形成し、該洗浄液の膜により薬液から前記洗浄槽の内面を保護する工程を含み、前記洗浄槽の内面には親水化処理が施されており、前記洗浄液の膜は、前記基板保持部に保持された前記基板の全周を囲むように形成されることを特徴とする基板洗浄方法である。
2 基板保持部
3 シャッタ
5 薬液ノズル
7 洗浄液ノズル
8 連結配管
10 ロータリージョイント
12,12A〜12D リンク機構
14 モータ
15 偏心軸
16A,16B 中間リンク
20 エアシリンダ
21 ピストンロッド
23 電磁弁
102 フロントロード部
132A,131B,131C,131D 研磨ユニット
132A,132B,132C,132D 研磨テーブル
133A,133B,133C,133D トップリング
134A,134B,134C,134D 研磨液供給ノズル
135A,135B,135C,135D ドレッサ
136A,136B,136C,136D アトマイザ
137A,137B,137C,137D トップリングシャフト
140 洗浄部
141〜143 洗浄ユニット
144 基板洗浄装置
145 乾燥ユニット
Claims (14)
- 基板を収容する洗浄槽と、
前記洗浄槽内に配置された基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板に薬液を供給することにより、前記基板をエッチングする薬液ノズルと、
前記薬液ノズルが薬液を前記基板に供給している間、前記洗浄槽の内面を構成する正面、背面、2つの側面のそれぞれに洗浄液を供給する複数の洗浄液ノズルと、
前記複数の洗浄液ノズルを鉛直軸を中心として水平方向に揺動させる揺動機構を備え、
前記洗浄槽の内面には親水化処理が施されていることを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記複数の洗浄液ノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板の全周方向に沿って配列されており、前記複数の洗浄液ノズルは、前記洗浄槽の内面を構成する正面、背面、2つの側面を向いて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
- 前記複数の洗浄液ノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板よりも上方に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板洗浄装置。
- 前記複数の洗浄液ノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板の全周を囲む前記洗浄液の膜を前記洗浄槽の内面に形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 前記親水化処理は、粗面化処理、親水性材料のコーティング、プラズマ処理による表面改質、およびこれらの組み合わせのうちいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 基板を収容する洗浄槽と、
前記洗浄槽内に配置された基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板に薬液を供給することにより、前記基板をエッチングする薬液ノズルと、
前記薬液ノズルが薬液を前記基板に供給している間、前記洗浄槽の内面を構成する正面、背面、2つの側面のそれぞれに洗浄液を供給する複数の洗浄液ノズルと、
前記複数の洗浄液ノズルを鉛直軸を中心として水平方向に揺動させる揺動機構を備えており、
前記揺動機構は、前記複数の洗浄液ノズルに連結された複数のリンク機構と、前記複数のリンク機構に連結されたエアシリンダとを備えることを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記複数の洗浄液ノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板の全周方向に沿って配列されており、前記複数の洗浄液ノズルは、前記洗浄槽の内面を構成する正面、背面、2つの側面を向いて配置されていることを特徴とする請求項6に記載の基板洗浄装置。
- 前記複数の洗浄液ノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板よりも上方に配置されていることを特徴とする請求項6または7に記載の基板洗浄装置。
- 前記複数の洗浄液ノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板の全周を囲む前記洗浄液の膜を前記洗浄槽の内面に形成することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 前記洗浄槽の内面には親水化処理が施されていることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 前記親水化処理は、粗面化処理、親水性材料のコーティング、プラズマ処理による表面改質、およびこれらの組み合わせのうちいずれかであることを特徴とする請求項10に記載の基板洗浄装置。
- 基板を研磨する研磨部と、
研磨された前記基板を洗浄する請求項1乃至11のいずれか一項に記載の基板洗浄装置とを備えたことを特徴とする研磨装置。 - 基板を基板保持部により回転させながら、薬液ノズルから前記基板に薬液を供給することにより、前記基板をエッチングし、
前記基板に薬液を供給している間、揺動する複数の洗浄液ノズルから洗浄槽の内面を構成する正面、背面、2つの側面のそれぞれに洗浄液を供給して前記洗浄液の膜を前記洗浄槽の内面上に形成し、該洗浄液の膜により薬液から前記洗浄槽の内面を保護する工程を含み、
前記洗浄槽の内面には親水化処理が施されており、
前記洗浄液の膜は、前記基板保持部に保持された前記基板の全周を囲むように形成されることを特徴とする基板洗浄方法。 - 鉛直軸を中心として水平方向に揺動する前記複数の洗浄液ノズルから前記洗浄槽の内面に洗浄液を供給することを特徴とする請求項13に記載の基板洗浄方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012221488A JP6295023B2 (ja) | 2012-10-03 | 2012-10-03 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置 |
KR1020130115016A KR101937493B1 (ko) | 2012-10-03 | 2013-09-27 | 기판 세정 장치 및 연마 장치 |
CN201310461098.6A CN103707179B (zh) | 2012-10-03 | 2013-09-30 | 基板清洗装置及研磨装置 |
US14/043,419 US10096492B2 (en) | 2012-10-03 | 2013-10-01 | Substrate cleaning apparatus and polishing apparatus |
TW102135490A TWI623384B (zh) | 2012-10-03 | 2013-10-01 | 基板清洗裝置、硏磨裝置及基板清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012221488A JP6295023B2 (ja) | 2012-10-03 | 2012-10-03 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014075438A JP2014075438A (ja) | 2014-04-24 |
JP2014075438A5 JP2014075438A5 (ja) | 2015-07-30 |
JP6295023B2 true JP6295023B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=50400718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012221488A Active JP6295023B2 (ja) | 2012-10-03 | 2012-10-03 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10096492B2 (ja) |
JP (1) | JP6295023B2 (ja) |
KR (1) | KR101937493B1 (ja) |
CN (1) | CN103707179B (ja) |
TW (1) | TWI623384B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102272661B1 (ko) | 2014-10-02 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 세정 장치 |
SG10201508329UA (en) | 2014-10-10 | 2016-05-30 | Ebara Corp | Buffing apparatus and substrate processing apparatus |
JP6313196B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2018-04-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法 |
JP6559602B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2019-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および処理チャンバ洗浄方法 |
JP6659368B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-03-04 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄装置、基板処理装置、および基板処理方法 |
CN108780746B (zh) * | 2016-03-08 | 2024-03-22 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置 |
JP2017168528A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造方法 |
JP2018085354A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 反転機、反転ユニット、反転方法および基板処理方法 |
WO2018225497A1 (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | 株式会社トクヤマ | 洗浄装置、および洗浄方法 |
KR101971152B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2019-04-22 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법 |
CN109549589B (zh) * | 2017-09-26 | 2021-10-26 | 青岛海尔洗碗机有限公司 | 一种喷淋系统及洗碗机 |
CN107627216B (zh) * | 2017-10-11 | 2019-04-05 | 盐城环宇汽车零部件制造有限公司 | 一种基于物联网的高安全性能的智能磨床 |
CN108212883A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于清洁湿法蚀刻机的缓冲单元的快门的装置和方法 |
TWI818037B (zh) * | 2018-06-20 | 2023-10-11 | 美商維克儀器公司 | 半導體處理系統 |
JP6878386B2 (ja) | 2018-12-10 | 2021-05-26 | ファナック株式会社 | 洗浄装置、洗浄方法および工作機械 |
JP7144315B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-09-29 | 株式会社ディスコ | 清掃治具 |
CN109712915B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-08-21 | 安徽龙芯微科技有限公司 | 芯片除尘设备 |
CN111081524B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-02-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种可旋转的法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
CN111546195B (zh) * | 2020-05-13 | 2021-08-17 | 佛山市金战金属制品有限公司 | 一种不锈钢制品加工系统 |
CN111631659B (zh) * | 2020-06-04 | 2021-07-27 | 温州大学激光与光电智能制造研究院 | 一种基于复合润湿表面产生高速自旋液滴的高效洗涤装置 |
CN112185857A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-05 | 王健 | 一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺 |
CN112706060B (zh) * | 2020-12-23 | 2021-11-09 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 具有自清洗功能的双面抛光设备及抛光方法 |
CN113594063B (zh) * | 2021-06-01 | 2023-12-29 | 陕西东芯恒科电子有限公司 | 一种晶圆清洁装置以及清洁方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH069195B2 (ja) * | 1989-05-06 | 1994-02-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法 |
JPH10172945A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Nittetsu Semiconductor Kk | ウエハー洗浄装置 |
US6197123B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning a process chamber used for manufacturing substrates during nonproduction intervals |
JP3745140B2 (ja) | 1998-03-16 | 2006-02-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH11297652A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6447853B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-09-10 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method and apparatus for processing semiconductor substrates |
JP3556110B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2004-08-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6358128B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US20020028288A1 (en) * | 2000-06-14 | 2002-03-07 | The Procter & Gamble Company | Long lasting coatings for modifying hard surfaces and processes for applying the same |
JP4017463B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2007-12-05 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄方法 |
JP2004079793A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理方法 |
KR101087633B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2011-11-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP2005032915A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN100442448C (zh) * | 2003-08-07 | 2008-12-10 | 株式会社荏原制作所 | 基片处理装置 |
WO2005043611A1 (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Ebara Corporation | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2006066501A (ja) | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スピン洗浄乾燥装置及びスピン洗浄乾燥方法 |
JP4324527B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び現像装置 |
JP2006114884A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
JPWO2007108315A1 (ja) | 2006-03-22 | 2009-08-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US20080038448A1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Lam Research Corp. | Chemical resistant semiconductor processing chamber bodies |
US8177993B2 (en) * | 2006-11-05 | 2012-05-15 | Globalfoundries Singapore Pte Ltd | Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers |
JP5261077B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2010157528A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Sony Corp | 基板乾燥装置及び基板の乾燥方法 |
JP5294944B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-09-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板の洗浄方法 |
DE102009059038A1 (de) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Lechler Gmbh | Tankreinigungsdüse |
US8707974B2 (en) * | 2009-12-11 | 2014-04-29 | United Microelectronics Corp. | Wafer cleaning device |
JP5461236B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-04-02 | 株式会社高田工業所 | 半導体基板の処理装置 |
CN101797714B (zh) * | 2010-03-23 | 2012-07-11 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 抛光机晶片在线清洗装置 |
JP2012015348A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | スピンナ洗浄装置 |
-
2012
- 2012-10-03 JP JP2012221488A patent/JP6295023B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-27 KR KR1020130115016A patent/KR101937493B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-30 CN CN201310461098.6A patent/CN103707179B/zh active Active
- 2013-10-01 US US14/043,419 patent/US10096492B2/en active Active
- 2013-10-01 TW TW102135490A patent/TWI623384B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103707179B (zh) | 2019-05-28 |
US10096492B2 (en) | 2018-10-09 |
US20140190530A1 (en) | 2014-07-10 |
JP2014075438A (ja) | 2014-04-24 |
KR20140043866A (ko) | 2014-04-11 |
TW201420273A (zh) | 2014-06-01 |
CN103707179A (zh) | 2014-04-09 |
TWI623384B (zh) | 2018-05-11 |
KR101937493B1 (ko) | 2019-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6295023B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置 | |
JP5932330B2 (ja) | 液飛散防止カップ及び該カップを備えた基板処理装置 | |
JP6250924B2 (ja) | 基板洗浄装置および研磨装置 | |
US20230405762A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5654075B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP6205341B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板処理装置 | |
JP2016111265A (ja) | バフ処理装置、および、基板処理装置 | |
JP6426965B2 (ja) | 処理コンポーネント、処理モジュール、及び、処理方法 | |
US20220203411A1 (en) | Substrate cleaning device and method of cleaning substrate | |
JP6412385B2 (ja) | コンディショニング部、バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、ドレスリンス方法 | |
JP6578040B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2016055398A (ja) | バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、バフパッド洗浄方法 | |
JP2024089113A (ja) | 基板回転処理装置及び基板研磨装置 | |
JP2016119368A (ja) | コンディショニング装置、バフ処理装置、基板処理装置、ドレッサ、および、コンディショニング方法 | |
JP2005045035A (ja) | 基板の洗浄方法、基板の研磨及び洗浄方法、基板洗浄装置並びに基板研磨及び洗浄システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150611 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160614 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6295023 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |