JP2016119368A - コンディショニング装置、バフ処理装置、基板処理装置、ドレッサ、および、コンディショニング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２種類以上のコンディショニングを行うことができる小型のコンディショニング装置を提供する。【解決手段】バフ処理に使用するバフパッドをコンディショニングするためのコンディショニング装置は、回転可能に構成されたベースプレートと、ベースプレートの設置領域内に設けられた第１のコンディショニング部と、ベースプレートの設置領域内に設けられた第２のコンディショニング部であって、第１のコンディショニング部とはコンディショニング特性が異なる第２のコンディショニング部と、を備える。【選択図】図６Ａ

Description

本発明は、基板のバフ処理技術に関する。

半導体デバイスの製造において、基板の表面を研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ，Chemical Mechanical Polishing）装置が知られている。ＣＭＰ装置を備える基板処理システムは、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット（ＣＭＰユニット）、基板の洗浄処理および乾燥処理を行うための洗浄ユニット、および、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理および乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。研磨ユニットでは、研磨テーブルの上面に研磨パッドが貼り付けられて、研磨面が形成される。この研磨ユニットは、トップリングによって保持される基板の被研磨面を研磨面に押しつけ、研磨面に研磨液としてのスラリーを供給しながら、研磨テーブルとトップリングとを回転させる。これによって、研磨面と被研磨面とが摺動的に相対移動され、被研磨面が研磨される（例えば、下記の特許文献１）。

また、研磨後の基板に対して、基板よりも小径の洗浄部材を基板に押し付けて相対運動させる洗浄ユニットを、メインの研磨ユニットとは別に設けて、メインの研磨ユニットで処理された基板の後処理を行う技術が知られている（下記の特許文献２）。かかる洗浄ユニットでは、洗浄部材は、洗浄処理後に、基板の配置位置の外部に設置された洗浄カップに移動され、そこでセルフクリーニングされる。

特開２０１０−５０４３６号公報 特開平８−７１５１１

上述した洗浄ユニットでは、１つの洗浄方法のみが採用されるので、洗浄部材を十分に洗浄できない場合がある。例えば、洗浄部材に溝が形成されている場合、この溝内に入り込んだパーティクル（例えば、研磨で使用されたスラリー、基板の削り屑など）は、ブラシなどでこするだけでは十分に除去できないことがある。このような場合には、ブラシなどを用いて洗浄部材をドレスする処理の他に、別途、アトマイザによって洗浄部材に対して加圧水を噴射して、パーティクルを十分に除去することが望ましい。つまり、２種類以上のコンディショニングを行うことが望ましい。このように２種類以上のコンディショニングを行う場合には、それぞれのコンディショニングを行うために、複数のコンディショニング装置を設置する必要がある。この場合、コンディショニング装置の数に応じて装置の設置スペースが増大するので、設備が大型化することになる。また、これらの装置間で洗浄部材を移動させる必要があるので、その移動にかかる時間だけ、処理時間が長くなる。かかる問題は、洗浄ユニットに限らず、メインの研磨ユニットでの研磨の後に仕上げ研磨を行う仕上げ研磨ユニットにも共通する。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

本発明の第１の形態によれば、バフ処理に使用するバフパッドをコンディショニングするためのコンディショニング装置が提供される。このコンディショニング装置は、回転可能に構成されたベースプレートと、ベースプレートの設置領域内に設けられた第１のコンディショニング部と、ベースプレートの設置領域内に設けられた第２のコンディショニング部であって、第１のコンディショニング部とはコンディショニング特性が異なる第２のコンディショニング部と、を備えている。

かかるコンディショニング装置によれば、１つのベースプレートの設置スペース内で、第１のコンディショニング部と第２のコンディショニング部とによって、２種類のコンディショニングを行うことができる。したがって、単一の種類のコンディショニング機能を有する複数のコンディショニング装置を設置する場合と比べて、コンディショング装置のための設置スペースを省スペース化することができる。しかも、バフパッドに対して２種類のコンディショニングを行う場合に、２つのコンディショニング装置の間でバフパッドを移動させる必要がないので、バフパッドのコンディショングに要する時間を短縮できる。バフパッドに対して行うコンディショニングの種類は、３つ以上であってもよい。また、複数の種類のコンディショニングは、同時に行われてもよいし、順次行われてもよい。

本発明の第２の形態によれば、第１の形態において、第１のコンディショニング部は、相互に間隔が隔てられた複数のブロックを備える。複数のブロックの間に第２のコンディショニング部が設けられる。かかる形態によれば、第１のコンディショニング部と第２のコンディショニング部とをベースプレートの設置領域内に容易に設置することができる。したがって、コンディショニング装置を製造しやすい。

本発明の第３の形態によれば、第１の形態において、第１のコンディショニング部には、穴、溝および切欠きのうちの少なくとも１つが形成されている。穴、溝および切欠きのうちの少なくとも１つに第２のコンディショニング部が設けられる。かかる形態によれば、第１のコンディショニング部と第２のコンディショニング部とをベースプレートの設置領域内に好適に形成することができる。穴は、貫通穴であってもよいし、貫通していない穴であってもよい。

本発明の第４の形態によれば、第１ないし第３のいずれかの形態において、第２のコンディショニング部は、ブラシと、噴射ノズルと、のうちの少なくとも一方を備える。かかる形態によれば、ブラッシングおよび流体噴射のうちの少なくとも一方によって、バフパッドを好適にコンディショニングすることができる。

本発明の第５の形態によれば、第２のコンディショニング部は、複数の噴射ノズルを備える。かかる形態によれば、バフパッドの全面にわたってコンディショニングを行いやすい。

本発明の第６の形態によれば、第５の形態において、ベースプレートの内部には、複数の噴射ノズルの各々に流体を供給するための共通の供給路が形成されている。かかる形態によれば、流体の供給路の構成を単純化することができるので、コンディショニング装置を小型化できる。あるいは、コンディショニング装置の製造やメンテナンスを行いやすくすることができる。

本発明の第７の形態によれば、第４ないし第６のいずれかの形態において、第１のコンディショニング部には、第１のコンディショニング部を表裏方向に貫通する貫通穴が形成されている。貫通穴は、噴射ノズルとして機能する。かかる形態によれば、第１のコンディショニング部の貫通穴が第２のコンディショニング部として機能するので、コンディショニング装置の構成を簡略化できる。

本発明の第８の形態によれば、第４ないし第６のいずれかの形態において、第１のコンディショニング部には、第１のコンディショニング部を表裏方向に貫通する貫通穴が形成されている。噴射ノズルは、貫通穴内に配置される。かかる形態によれば、ベースプレート上に噴射ノズルを設け、貫通穴内に噴射ノズルが収まるように第１のコンディショニング部をベースプレートに取り付けることによって、コンディショニング装置を製造できる。したがって、製造が容易になる。

本発明の第９の形態によれば、第５および第６の形態、ならびに、第５の形態を備える第７および第８の形態のいずれかにおいて、複数の噴射ノズルは、コンディショニングを行うための所定位置にバフパッドが配置された場合に、複数の噴射ノズルと、所定位置に配置されたバフパッドとの間において、複数の噴射ノズルの各々についての噴射範囲が相互に重複しないように構成されている。かかる形態によれば、複数の噴射ノズルの各々から噴射された流体同士が衝突して、当該流体がバフパッドに加える圧力が低下することを防止できる。したがって、当該衝突によるコンディショニング性能の低下を防止できる。

本発明の第１０の形態によれば、第５、第６および第９の形態、ならびに、第５の形態を備える第７および第８の形態のいずれかにおいて、複数の噴射ノズルは、半径方向の位置が互いに異なるように配置される。かかる形態によれば、ベースプレートの回転に伴って第１および第２のコンディショニング部が回転する際に、複数の噴射ノズルの各々は、異なる回転軌跡上に配置されることになる。したがって、少ない数の噴射ノズルによって、バフパッドの全面をコンディショニングすることができる。換言すれば、同一の回転軌跡上に噴射ノズルが複数設けられる状態を避けることによって、噴射ノズルの数を低減することができる。

本発明の第１１の形態によれば、第１０の形態において、複数の噴射ノズルは、流体の噴射量が互いに異なるように構成される。かかる形態によれば、より自由度の高いコンディショニングが行える。例えば、半径方向において相対的に外側に配置された噴射ノズルは、相対的に内側に配置された噴射ノズルと比べて、コンディショニングすべき面積が大きいので、これに合わせて、外側に配置された噴射ノズルの噴射量を内側に配置された噴射ノズルよりも大きくすることによって、面積当たりの流体のバフパッドへの衝突流量分布のバランスを図ることができる。

本発明の第１２の形態によれば、第１ないし第１１のいずれかの形態において、第１のコンディショニング部は、ダイヤモンド、セラミックまたはブラシによって形成されている。かかる形態によれば、第１のコンディショニング部によってバフパッドを好適にコンディショニングすることができる。

本発明の第１３の形態によれば、第１ないし第１２のいずれかの形態のコンディショニング装置を備えたバフ処理装置が提供される。かかるバフ処理装置によれば、第１ないし第１２のいずれかの形態と同様の効果を奏する。

本発明の第１４の形態によれば、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、化学機械研磨装置と、第１３の形態のバフ処理装置であって、化学機械研磨装置で処理された基板の後処理を行うためのバフ処理装置と、を備える。かかる基板処理装置によれば、第１ないし第１２のいずれかの形態と同様の効果を奏する。

本発明の第１５の形態によれば、バフ処理に使用するためのバフパッドをコンディショニングするためのドレッサが提供される。このドレッサは、穴、溝および切欠きのうちの少なくとも１つが形成されている。かかるドレッサは、第３の形態のコンディショニング
装置に使用することができる。

本発明の第１６の形態によれば、バフ処理に使用するバフパッドをコンディショニングするためのコンディショニング方法が提供される。この方法は、バフパッドのコンディショニングを行うための第１の領域と、第１の領域とはコンディショニング特性が異なるコンディショニングを行うための第２の領域と、を同時に使用して、２種類のコンディショニングをバフパッドに対して同時に行う工程を備えている。かかる方法によれば、第１の形態と同様の効果を奏する。しかも、コンディショニングに要する時間を短縮することができる。

本発明の第１７の形態によれば、バフ処理に使用するバフパッドをコンディショニングするためのコンディショニング方法が提供される。この方法は、コンディショニング用の噴射ノズルが設けられた第２の領域と、第２の領域とは異なる方法によってコンディショニングを行うための第１の領域と、がベースプレートの設置領域内に形成されたコンディショニング装置を用意する工程と、第１の領域によってバフパッドのコンディショニングを行う第１のコンディショニング工程と、第１の工程よりも前または後に、ベースプレートとバフパッドとの距離を、第１の工程におけるベースプレートとバフパッドとの距離よりも離した状態で、第２の領域によって、バフパッドのコンディショニングを行う第２のコンディショニング工程と、を備えている。かかる方法によれば、第１の形態と同様の効果を奏する。特に、第２の工程を第１の工程よりも後に実施する場合には、バフパッドと第１のコンディショニング部との間に空隙が形成された状態で噴射ノズルから流体が噴射されるので、第１の工程および第２の工程で発生するコンディショニング屑を外部に排出しやすくなる。

本発明の一実施例としての基板処理装置の全体構成を示す概略平面図である。 研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 洗浄ユニットの概略平面図である。 洗浄ユニットの概略側面図である。 バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。 バフヘッドの内部構造を示す概略図である。 コンディショニング装置の構成を示す概略平面図である。 コンディショニング装置の構成を示す概略部分断面図である。 変形例としてのコンディショニング装置の構成を示す概略部分断面図である。 変形例としてのコンディショニング装置の構成を示す概略平面図である。 変形例としてのコンディショニング装置の構成を示す概略平面図である。 バフ処理およびバフパッドのコンディショニングの手順の一例を示す説明図である。

Ａ．実施例：
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置１０００は、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３および洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理装置に電源を供給する電源供給部（図示省略）と、基板処理動作を制御する制御装置５と、を備える。

ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセッ
トが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッドまたはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるように構成されている。

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が配置される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるように構成されている。各搬送ロボット２２は、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すとともに、処理されたウェハをウェハカセットに戻す。

研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの研磨ユニット３Ａ〜３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列される。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａについてのみ説明する。

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａおよび研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。

次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ
１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。

また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃおよび／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２によって仮置き台１８０に搬送される。仮置き台１８０に載置されたウェハは、洗浄ユニット４に搬送される。

図３Ａは洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３Ｂは洗浄ユニット４を示す側面図である。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、洗浄ユニット４は、ロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、バフ処理室３００と、第３搬送室１９５と、に区画されている。

ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａおよび下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａおよび下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。

ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａおよび下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａおよび下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給し
ながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。

乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置される。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、および、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、および、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動可能に構成されている。第１搬送ロボット２０９は、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３Ａに点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、仮置き台２０３、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、および、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。

第２搬送ロボット２１０は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、および、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａまたは下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。

バフ処理室３００には、上側のバフ処理モジュール３００Ａ、および、下側のバフ処理モジュール３００Ｂが備えられる。第３搬送ロボット２１３は、上側のロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側のロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側のバフ処理モジュール３００Ａ、および、下側のバフ処理モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。

本実施形態では、洗浄ユニット４内において、バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、および、ペン洗浄室１９２、を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、および、ペン洗浄室１９２の配置態様は、ウェハの品質およびスループットなどに応じて適宜選択し得る。上側のバフ処理モジュール３００Ａおよび下側のバフ処理モジュール３００Ｂは、同様の構成であるため、以下では、上側のバフ処理モジュール３００Ａについてのみ説明する。

図４は、上側のバフ処理モジュールの概略構成を示す図である。図４に示すように、バ
フ処理モジュール３００Ａは、基板の一種としてのウェハＷを支持するためのバフテーブル４００と、ウェハＷの処理面にバフ処理を行うためのバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するためのバフアーム６００と、各種処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニングを行うためのコンディショニング部８００と、を備える。

バフテーブル４００は、ウェハＷを保持する機構を有している。ウェハ保持機構は、本実施例では、真空吸着方式であるが、任意の方式とすることができる。例えば、ウェハ保持機構は、ウェハＷの周縁部の少なくとも１ヶ所においてウェハＷの表面および裏面をクランプするクランプ方式であってもよいし、ウェハＷの周縁部の少なくとも１ヶ所においてウェハＷの側面を保持するローラチャック方式であってもよい。本実施例においては、バフテーブル４００は、ウェハＷの加工面が上方を向くようにウェハＷを保持する。

また、バフテーブル４００は、図示していない駆動機構によって回転軸Ａ周りに回転するように構成されている。バフアーム６００には、回転可能に構成されたシャフト５０４を介してバフヘッド５００が取り付けられている。バフヘッド５００の、ウェハＷ（または、バフテーブル４００）に対向する面には、ウェハＷをバフ処理するためのバフパッド５０２が取り付けられる。バフアーム６００は、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させるように構成されている。また、バフパッド５０２の面積は、ウェハＷ（または、バフテーブル４００）の面積よりも小さいので、バフアーム６００は、バフヘッド５００を矢印Ｃに示すようにウェハＷの径方向に揺動できるように構成されている。これによって、ウェハＷを満遍なくバフ処理することができる。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を揺動できるように構成されている。バフヘッド５００は、アクチュエータ（図示省略）によってバフテーブル４００に近づく方向およびバフテーブル４００から遠ざかる方向に（本実施例では、上下に）移動可能に構成されている。これにより、ウェハＷに対してバフパッド５０２を所定の圧力で押圧することができる。かかる構成は、シャフト５０４の伸縮によって実現されてもよいし、バフアーム６００の上下運動によって実現されてもよい。

液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に純水（図中では、ＤＩＷと表示）を供給するための純水外部ノズル７１０を備える。純水外部ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設けられる。制御装置５は、開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に純水を供給することができる。

また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に薬液（図中では、Ｃｈｅｍｉと表示）を供給するための薬液外部ノズル７２０を備える。薬液外部ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。制御装置５は、開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に薬液を供給することができる。

また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面にスラリー（図中では、Ｓｌｕｒｒｙと表示）を供給するためのスラリー外部ノズル７３０を備える。スラリー外部ノズル７３０は、スラリー配管７３２を介してスラリー供給源７３４に接続される。スラリー配管７３２には、スラリー配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。制御装置５は、開閉弁７３６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面にスラリーを供給することができる。

本実施例においては、外部ノズル７１０，７２０，７３０は、いずれも位置が固定され
ており、予め定められた固定位置に向けて、純水、薬液またはスラリーを供給する。これらの処理液は、ウェハＷの回転によってバフパッド５０２に処理液が効率よく供給される位置に供給される。外部ノズル７１０，７２０，７３０は、各種処理液の２つ以上に共通の１つまたは２つのノズルとして構成されてもよい。また、外部ノズルは、純水、薬液およびスラリーのうちの少なくとも１種類の処理液を供給するように構成されていてもよい。

バフ処理モジュール３００Ａは、さらに、バフアーム６００、バフヘッド５００、および、バフパッド５０２を介して、ウェハＷの処理面に、処理液（純水、薬液またはスラリー）を選択的に供給できるように構成されている。すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。同様に、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。スラリー配管７３２におけるスラリー供給源７３４と開閉弁７３６との間からは分岐スラリー配管７３２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａおよび分岐スラリー配管７３２ａは、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。分岐スラリー配管７３２ａには、分岐スラリー配管７３２ａを開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。

液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央内部、および、バフパッド５０２の中央内部と連通している。具体的には、図５に示すように、バフアーム６００、バフヘッド５００およびバフパッド５０２の内部には、内部供給ライン５０６が形成されており、この内部供給ライン５０６は液供給配管７４０と連通している。内部供給ライン５０６は、バフテーブル４００の上面（ウェハＷの処理面）に向けて開口している。かかる構成によれば、バフ処理中において、内部供給ライン５０６を介してバフパッド５０２の中央部から処理液を供給することができる。バフパッド５０２の中央部から供給される処理液は、バフヘッド５００の回転による遠心力と処理液の供給圧力とによって、バフパッド５０２とウェハＷとの間で万遍なく広がることができる。処理液の流れを制御するために、すなわち、バフパッド５０２の中央部から供給される処理液を径方向外側に導きやすくするために、バフパッド５０２には、溝が形成されていてもよい。この溝は、例えば、放射状に形成されていてもよい。

本実施例では、内部供給ライン５０６の開口部は、バフパッド５０２の中央に１つのみ設けられているが、複数の開口部が設けられていてもよい。例えば、内部供給ライン５０６は、バフヘッド５００内に形成されたウォータープール・ジャケット構造によって、分散配置された複数の開口に向けて分岐していてもよい。複数の開口部は、それらの径方向の位置が異なるように分散配置されていてもよい。制御装置５は、開閉弁７１８、開閉弁７２８および開閉弁７３６の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷの処理面に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、またはこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。以上の説明から明らかなように、バフ処理モジュール３００Ａは、外部ノズル７１０，７２０，７３０と、内部供給ライン５０６と、の２系統の処理液供給手段を備えている。

バフ処理モジュール３００Ａは、外部ノズル７１０，７２０，７３０と、内部供給ライン５０６と、のうちの少なくとも一方を介してウェハＷに処理液を供給するとともにバフテーブル４００を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面に押圧し、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、ウェハＷにバフ処理を行うことができる。なお、バフ処理の際のバフテーブル４００とバフヘッド５００との相対運動は、上述の例に限らず、回転運動、並進運動、円弧運動
、往復運動、スクロール運動、角度回転運動（３６０度未満の所定の角度だけ回転する運動）のうちの少なくとも１つによって実現されてもよい。

本願において、バフ処理には、バフ研磨処理およびバフ洗浄処理の少なくとも一方が含まれる。バフ研磨処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間にスラリー等を介在させることによりウェハＷの処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、通常、ウェハの表面の凹凸を平坦化したり、トレンチやビア内部以外の表面に形成された余分な膜を除去したりといった目的で行う主研磨の後に、いわゆる仕上げ研磨を行うものである。バフ研磨の除去加工量は、例えば数nm〜10数nm程度である。バフパッド５０２としては、例えば、発砲ポリウレタンと不織布とを積層したパッド（具体的には、例えば、市場で入手できるＩＣ１０００（登録商標）／ＳＵＢＡ（登録商標）系）や、スウェード状の多孔性ポリウレタン非繊維質パッド（具体的には、例えば、市場で入手できるＰＯＬＩＴＥＸ（登録商標））などを用いることができる。バフ研磨処理は、ロール洗浄室１９０においてＰＶＡからなるロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、および、ペン洗浄室１９２においてＰＶＡからなるペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージを有する表層部または異物が付着した表層部の除去、研磨ユニット３における主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、または、主研磨後の、微小領域の凹凸や基板全体に渡る膜厚分布といったモフォロジーの改善を実現することができる。

バフ洗浄処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間に洗浄処理液（薬液、純水、または、これらの混合物）を介在させることによりウェハＷ表面の異物を除去したり、処理面を改質したりする仕上げ処理である。バフパッド５０２としては、上述のＩＣ１０００（登録商標）／ＳＵＢＡ（登録商標）系やＰＯＬＩＴＥＸ（登録商標）などが用いられる。バフ洗浄処理は、ロール洗浄室１９０においてＰＶＡからなるロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、および、ペン洗浄室１９２においてＰＶＡからなるペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。バフ洗浄処理によれば、ＰＶＡからなるスポンジ材料を接触させるだけでは除去できないような、粘着性の大きな異物などを効率的に洗浄除去することができる。また、本発明におけるバフ洗浄処理のために、バフパッドとしてＰＶＡスポンジを用いることも可能である。

コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングする。コンディショニングには、バフパッドの表面を削り取ること、表面を削り取りながら洗浄すること、および、表面を削り取ることなく洗浄すること、が含まれる。本実施例では、コンディショニング部８００は、バフテーブル４００の外部に配置されている。コンディショニング部８００は、ベースプレート８１０と、ベースプレート８１０上に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ベースプレート８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できるように構成されている。本実施例では、ドレッサ８２０の面積は、バフパッド５０２の面積よりも大きいが、ドレッサ８２０とバフパッド５０２との大小関係は、任意に設定することができる。ドレッサ８２０の詳細については、後述する。

バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる。バフ処理モジュール３００Ａは、ベースプレート８１０を回転軸Ｄ周りに回転させるとともにバフヘッド５００を回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付
けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。この際、バフヘッド５００は、バフ処理時と同様に、水平方向に任意の移動を行う。これによって、バフパッド５０２の処理面が満遍なくコンディショングされる。かかるコンディショニング動作は、例えば、バフ処理されたウェハＷを、次にバフ処理すべきウェハＷと置き換える間に行うことができる。

以上説明したバフ処理モジュール３００Ａによれば、化学機械研磨処理されたウェハＷの後処理としてバフ処理を行うことによって、ウェハＷのダメージ（ディフェクト）を抑制しつつ仕上げ研磨を行うことができ、あるいは、化学機械研磨処理で生じたダメージを除去することができる。あるいは、従来のロール洗浄やペン洗浄と比べて、粘着性の大きな異物などを効率的に洗浄除去することができる。

図６Ａは、コンディショニング部８００の構成を示す概略平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ線に沿った概略部分断面模式図である。図６Ａ，６Ｂに示すように、ベースプレート８１０上には、ドレッサ８２０が設けられている。図６Ａに示すように、本実施例では、ドレッサ８２０は、相互に間隔が隔てられた複数（ここでは４つ）のドレッサブロック８２１〜８２４を備えている。本実施例では、ドレッサブロック８２１〜８２４は、四半円の形状を有している。ただし、ドレッサブロックの形状は、任意の形状を有することができる。また、本実施例では、ドレッサブロック８２１〜８２４は、ダイヤモンドによって形成されている。これらのドレッサブロック８２１〜８２４は、それらの間に、直交する２つの直線上の溝８２５が形成されるように配置されている。

溝８２５には（つまり、ベースプレート８１０上には）、複数の噴射ノズル８３０が間隔を隔てて設けられている。ただし、噴射ノズル８３０の数は、単数であってもよい。これらの噴射ノズル８３０は、噴射ノズル８３０の頂部がドレッサ８２０の上面よりも下方に退避した位置となるように配置されている。つまり、バフパッド５０２をドレッサ８２０の上面に接触させた際に、噴射ノズル８３０はバフパッド５０２に接触しない。

ベースプレート８１０の内部には、ウォータージャケット８１１が形成されている。このウォータージャケット８１１は、純水供給源７１４（図４参照）と、噴射ノズル８３０の各々と、に接続されている。つまり、ウォータージャケット８１１は、噴射ノズル８３０の各々に純水を供給するための共通の供給路として機能する。かかる構成によれば、純水の供給路の構成を単純化することができるので、コンディショニング部８００を小型化できる。あるいは、コンディショニング部８００の製造やメンテナンスを行いやすくすることができる。

かかるコンディショニング部８００でバフパッド５０２のコンディショニングが行われる際には、バフヘッド５００に取り付けられたバフパッド５０２が、バフアーム６００の旋回によってドレッサ８２０および噴射ノズル８３０の上方に配置される。バフパッド５０２は、さらに、バフヘッド５００が下方に移動することによって、ドレッサ８２０の上面に接触するまで下降される。これによって、ドレッサ８２０に対してバフパッド５０２を所定の圧力で押圧することができる。そして、バフヘッド５００の回転によってバフパッド５０２が回転されるとともに、ベースプレート８１０の回転によって、ドレッサ８２０および噴射ノズル８３０が回転され、さらに、噴射ノズル８３０から純水が噴射されて、バフパッド５０２のコンディショニングが行われる。この際、ドレッサ８２０が設けられた第１の領域Ａ１（図６Ｂ参照）では、ドレッサ８２０とバフパッド５０２とが接触した状態で相対移動することによって、バフパッド５０２のドレスが行われる。また、これと同時に、噴射ノズル８３０が設けられた（換言すれば、ドレッサ８２０が設けられていない）第２の領域Ａ２（図６Ｂ参照）では、噴射ノズル８３０からバフパッド５０２に向けて純水が噴射されることによって、バフパッド５０２の洗浄が行われる。なお、本実施
例では、第１の領域Ａ１の総面積は、第２の領域Ａ２の総面積よりも大きいが、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２との大小関係は、任意に設定可能である。

かかるコンディショニング部８００によれば、ドレッサ８２０と噴射ノズル８３０とによって、２種類のコンディショニング（ドレスおよび洗浄）を行うことができる。これにより、バフパッド５０２を効果的にコンディショニングすることができる。例えば、バフパッド５０２に溝が形成されている場合、バフパッド５０２の溝が形成されていない領域に対してドレスを行いつつ、当該溝に入り込んだパーティクル（例えば、研磨で使用されたスラリー、基板の削り屑など）を、純水噴射によって除去することができる。しかも、単一の種類のコンディショニング機能を有する複数のコンディショニング部（例えば、ドレス用のコンディショニング部と洗浄用のコンディショニング部）を設置する場合と比べて、コンディショニング部８００のための設置スペースを省スペース化することができる。さらに、バフパッド５０２に対して複数種類のコンディショニングを行う場合に、複数のコンディショニング部の間でバフパッド５０２を移動させる必要がないので、その移動時間分だけバフパッド５０２のコンディショングに要する時間を短縮できる。

図６Ｃは、代替態様としてのコンディショニング部８００ａの概略部分断面模式図である。図６Ｃにおいて、図６Ｂの構成要素と同一の構成要素には、図６Ｂと同一の符号を付している。この例では、コンディショニング部８００ａは、噴射ノズル８３０に代えて、ブラシ８３０ａを備えている。このブラシ８３０ａは、ベースプレート８１０ａ上に設けられている。ベースプレート８１０ａには、ウォータージャケット８１１は設けられていない。ブラシ８３０ａの先端は、ドレッサ８２０の上面よりも上方に位置している。バフパッド５０２のコンディショニングが行われる際には、バフパッド５０２は、ドレッサ８２０の上面に接触するまで下降される。このため、コンディショニング中においては、ドレッサ８２０とバフパッド５０２とが第１の領域Ａ１で接触すると同時に、ブラシ８３０ａとバフパッド５０２とが第２の領域Ａ２で接触する。これにより、２種類のコンディショニングを同時に行うことができる。ブラシ８３０ａの長さや硬さを調節することによって、ブラシ８３０ａのコンディショニング特性を調節することができる。

図７は、代替態様としてのコンディショニング部８００ｂの概略平面図である。図７において、図６Ａの構成要素と同一の構成要素には、図６Ａと同一の符号を付している。コンディショニング部８００ｂは、１つのドレッサ８２０ｂを備えている。つまり、ドレッサ８２０ｂは、複数のブロックに分割されていない。このドレッサ８２０ｂには、ドレッサ８２０ｂを表裏方向（つまり、厚み方向）に貫通する複数の貫通穴８２５ｂが形成されている。これらの貫通穴８２５ｂは、相互に直交する２つの方向に直線状に配置されている。貫通穴８２５ｂの各々の内部には、ベースプレート８１０上に噴射ノズル８３０（図６Ｂ参照）が設けられる。ベースプレート８１０の内部には、図６Ｂに示したように、貫通穴８２５ｂの各々と接続されたウォータージャケット８１１が形成されている（図７では、図示省略）。このように、噴射ノズル８３０は、穴に設けられてもよい。穴は、貫通していない穴であってもよい。この場合、噴射ノズル８３０は、ドレッサ８２０ｂ上に設けられる。噴射ノズル８３０は、穴に限らず、ドレッサ８２０ｂに形成された溝または切欠きの内部に設けられてもよい。このように、噴射ノズルおよびドレッサは、ベースプレート８１０の設置範囲内に混在するように配置されればよい。

また、ドレッサ８２０ｂの上面には、複数の溝８２６ｂが形成されている。溝８２６ｂの各々は、ドレッサ８２０ｂの中心部から外縁まで半径方向に延在し、放射状に形成されている。かかるコンディショニング部８００ｂは、コンディショニング中において噴射ノズル８３０から供給された純水が溝８２６ｂを介してドレッサ８２０ｂの外部に排出されやすくなる。その結果、純水噴射によって除去された付着物が純水とともに外部に排出されやすくなる。

図８は、代替態様としてのコンディショニング部８００ｃの概略平面図である。図８において、図６Ａの構成要素と同一の構成要素には、図６Ａと同一の符号を付している。コンディショニング部８００ｃは、噴射ノズル８３０ｃの配置が図６Ａに示したコンディショニング部８００と異なっている。この例では、噴射ノズル８３０ｃの各々は、互いに半径方向の位置が異なるように配置されている。かかる構成によれば、ベースプレート８１０の回転に伴ってドレッサ８２０および噴射ノズル８３０が回転する際に、複数の噴射ノズル８３０ｃの各々は、異なる回転軌跡上に配置されることになる。したがって、少ない数の噴射ノズル８３０ｃによって、バフパッド５０２の全面をコンディショニングすることができる。換言すれば、噴射ノズル８３０ｃの数を低減することができる。その結果、ドレッサ８２０によるドレス面積を大きくすることができ、また、メンテナンスコストを低減することができる。

図９は、バフ処理（ここでは、バフ洗浄処理として示す）と、バフパッドのコンディショニングと、の手順の一例を示す説明図である。図９において、各工程を表すブロックに付された○印は、バフアーム６００の位置、すなわち、バフパッド５０２がバフテーブル４００およびコンディショニング部８００のうちのいずれの側に位置しているのかを示している。図示する手順では、まず、バフアーム６００（バフパッド５０２）はバフテーブル４００側に配置されており、このバフテーブル４００において、バフパッド５０２を用いてウェハＷに対してバフ洗浄処理が行われる（ステップＳ１０）。具体的には、内部供給ライン５０６および薬液外部ノズル７２０のうちの少なくとも一方から薬液が供給された状態で、バフテーブル４００とともに回転されるウェハＷと、バフヘッド５００によって回転されるバフパッド５０２とが接触され、ウェハＷのバフ処理が行われる。バフ洗浄処理が終了すると、バフテーブル４００では、内部供給ライン５０６および純水外部ノズル７１０のうちの少なくとも一方から純水がウェハＷ上に供給され、ウェハＷがリンスされる（ステップＳ２０）。このステップＳ２０の間において、バフアーム６００（バフパッド５０２）は、バフテーブル４００からコンディショニング部８００まで移動され、バフパッド５０２がリンスされる（ステップＳ７０）。具体的には、バフパッド５０２とドレッサ８２０とが離間した状態で、噴射ノズル８３０からバフパッド５０２に向けて純水を噴射することによって、バフパッド５０２がリンスされる。この際、バフパッド５０２およびドレッサ８２０が相対回転することによって、バフパッド５０２の全面がリンスされる。噴射ノズルを備えていないコンディショニング部（例えば、図６Ｃに示したコンディショニング部８００ａ）が使用される場合には、ドレッサ８２０の外部に設けられた外部ノズルから斜め上方に向けてバフパッド５０２に対して純水が噴射されてもよい。この場合、外部ノズルから、少なくともバフパッド５０２半径をカバーする領域に純水を噴射しながら、バフパッド５０２を回転させることによって、バフパッド５０２の全面をリンスすることができる。このようにバフパッド５０２を回転させながらリンスを行えば、リンスに使用されて汚れた純水が遠心力によって外側に排出されることを促進できる。ただし、バフパッド５０２の全面を噴射範囲としてカバーできる外部ノズルを使用する場合には、バフパッド５０２が停止された状態、つまり、非回転状態でリンスが行われてもよい。

バフテーブル４００においてウェハＷのリンスが終了すると、当該ウェハＷがバフテーブル４００から搬出される（ステップＳ３０）。そして、ウェハＷが搬出された後のバフテーブル４００に対して純水外部ノズル７１０から純水が供給され、バフテーブル４００がリンスされる（ステップＳ４０）。このステップＳ３０，Ｓ４０の間において、バフアーム６００は、依然としてコンディショニング部８００側に配置されている。このコンディショニング部８００では、ステップＳ３０，Ｓ４０の間に、バフパッド５０２のコンディショニングが行われる。本実施例では、コンディショニングとして、ドレスと洗浄とが同時に行われる（ステップＳ８０）。かかるコンディショニングを行うためのコンディシ
ョニング部８００の構成については、後述する。

一方、バフテーブル４００では、バフテーブル４００のリンスが終了すると、新たにバフ洗浄処理されるべきウェハＷがバフテーブル４００に搬入される（ステップＳ５０）。ウェハＷがバフテーブル４００上に配置されると、バフアーム６００は、バフテーブル４００側に移動される。そして、新たに搬入されたウェハＷに対して、上記ステップＳ１０と同様にバフ洗浄処理が行われる（ステップＳ６０）。このステップＳ６０の間において、コンディショニング部８００では、ドレッサ８２０がリンスされる（ステップＳ９０）。具体的には、ドレッサ８２０の外部に設けられた外部ノズルから斜め下方に向けてドレッサ８２０に対して純水を噴射することによって、ドレッサ８２０がリンスされる。上記ステップＳ７０と同様に、リンスの際、ドレッサ８２０は回転されていてもよいし、停止されていてもよい。また、ステップＳ９０は、ステップＳ８０の直後に開始することが可能であるが、ステップＳ８０が終了し、バフアーム６００がバフテーブル４００側に移動された後に実施されてもよい。

Ｂ．変形例：
Ｂ−１．変形例１：
噴射ノズル８３０は、ドレッサ８２０を表裏に貫通する貫通穴であってもよい。つまり、当該貫通穴が噴射ノズルとして機能してもよい。かかる構成によれば、コンディショニング部８００の構成を簡略化することができる。この場合にも、ベースプレート８１０に、当該貫通穴の各々と連通するウォータージャケットが形成されていてもよい。

Ｂ−２．変形例２：
上述の実施例では、２種類のコンディショニングを同時に行う構成について示したが、これら２種類のコンディショニングは、順次行われてもよい。例えば、ドレッサ８２０によるコンディショニングを最初に行い、噴射ノズル８３０によるコンディショニングをその後に行ってもよい。具体的には、まず、噴射ノズル８３０から純水を噴射することなく、ドレッサ８２０とバフパッド５０２とを接触させて、第１のコンディショニングが行われてもよい。その後、バフヘッド５００を上昇させた状態（つまり、第１のコンディショニングを行う際よりも、ベースプレート８１０とバフパッド５０２との距離を離した状態、換言すれば、ドレッサ８２０とバフパッド５０２とが非接触の状態）で噴射ノズル８３０から純水を噴射して、第２のコンディショニングが行われてもよい。かかる手順によれば、バフパッド５０２とドレッサ８２０との間に空隙が形成された状態で噴射ノズル８３０から純水が噴射されるので、第２のコンディショニングにおいて、第１のコンディショニングによって発生する屑を外部に排出しやすくなる。なお、第２のコンディショニングを行った後に、第１のコンディショニングを行うことも可能である。

このように、バフパッド５０２とドレッサ８２０とが離間した状態で噴射ノズル８３０から純水を噴射する制御を行う場合には、噴射ノズル８３０の各々は、コンディショニング中に、噴射ノズル８３０の各々についての噴射範囲が相互に重複しないように構成されてもよい。このような噴射範囲の重複を避ける制御は、噴射ノズル８３０の各々を、それらの半径方向の位置が互いに異なるように配置することによって行いやすくなる。かかる構成によれば、複数の噴射ノズル８３０から噴射された純水同士が衝突して、純水がバフパッド５０２に加える圧力が低下することを防止できる。したがって、当該衝突によるコンディショニング性能の低下を防止できる。

Ｂ−３．変形例３：
ドレッサ８２０は、ダイヤモンドに限らず、バフパッド５０２と接触し、バフパッド５０２との間で相対移動することによってバフパッド５０２のコンディショニングを行う任意の部材であってもよい。例えば、ドレッサ８２０は、セラミック材料から形成されてい
てもよい。あるいは、ドレッサ８２０は、ブラシであってもよい。このように、コンディショニング部８００は、接触式のコンディショニング手段と、流体噴射式のコンディショニング手段と、を任意に組み合わせることによって実現されてもよい。

さらに、コンディショニング部８００は、第１の接触式コンディショニング手段と、第２の接触式コンディショニング手段と、の組合せによって実現されてもよい。例えば、第１の接触式コンディショニング手段は、ブラシ、ダイヤモンドおよびセラミックのうちの１つであってもよく、第２の接触式コンディショニング手段は、第１の接触式コンディショニング手段とはコンディショニング特性が異なる、ブラシ、ダイヤモンドおよびセラミックのうちの１つであってもよい。さらに具体的には、第１の接触式コンディショニング手段および第２の接触式コンディショニング手段は、いずれも、ブラシであってもよい。この場合、第１の接触式コンディショニング手段および第２の接触式コンディショニング手段に、相互に長さや硬さが異なるブラシが採用されてもよい。コンディショニング部８００が噴射ノズル８３０を備えていない場合には、内部供給ライン５０６からコンディショニング液が供給されてもよい。勿論であるが、コンディショニング部８００は、３種類以上のコンディショニング手段を備えていてもよい。例えば、図６Ａに示した溝８２５に噴射ノズル８３０とブラシとが配置されていてもよい。

Ｂ−４．変形例４：
図８に示したように、複数の噴射ノズル８３０ｃが、それらの半径方向の位置が互いに異なるように配置される場合において、複数の噴射ノズル８３０ｃは、それらからの流体の噴射量が互いに異なるように構成されてもよい。かかる構成によれば、より自由度の高いコンディショニングが行える。例えば、半径方向において相対的に外側に配置された噴射ノズル８３０ｃは、相対的に内側に配置された噴射ノズル８３０ｃと比べて、半径が大きい領域に純水を噴射する必要があるので、コンディショニングすべき面積が大きい。これに合わせて、外側に配置された噴射ノズル８３０ｃの噴射量を内側に配置された噴射ノズル８３０ｃよりも大きくすることによって、面積当たりの純水のバフパッド５０２への衝突流量分布のバランスを図ることができる。あるいは、噴射ノズル８３０ｃに加えて、半径方向の内側に純水噴射よりもコンディショニング性能が低いブラシ（例えば、図６Ｃに示したブラシ８３０ａ）が設けられている場合には、ブラシによるコンディショニングを補完するために、内側に配置された噴射ノズル８３０ｃの噴射量を外側に配置された噴射ノズル８３０ｃよりも大きくてもよい。このように、半径方向のいずれの側の噴射ノズル８３０ｃの噴射量を相対的に大きくするのかは、適宜設定することができる。噴射流量の制御は、例えば、噴射ノズル８３０ｃの噴射孔の径を調節することによって実施できる。

Ｂ−５．変形例５：
バフヘッド５００が、バフテーブル４００から水平方向（重力方向と直交する方向）にコンディショニング部８００の下方まで移動する構成に代えて、コンディショニング部８００が水平方向にバフヘッド５００の下方まで移動する構成が採用されてもよい。この場合、コンディショニングは、コンディショニングによる除去物等がウェハＷ上に飛散しないようにするために、ウェハＷがバフテーブル４００から搬出された後に行われることが望ましい。あるいは、バフヘッド５００およびコンディショニング部８００の両方が、所定のコンディショング位置まで移動する構成が採用されてもよい。この場合、コンディショニング位置は、バフテーブル４００の外部に位置していることが望ましい。

Ｂ−６．変形例６：
バフテーブル４００は、ウェハＷを任意の方向に向けて保持するように構成されてもよい。例えば、バフテーブル４００は、ウェハＷを、上述の実施例とは反対の方向に保持するように構成されてもよい。つまり、バフテーブル４００は、ウェハＷの処理面からバフ
テーブル４００と反対の方向に延びる当該処理面の法線が重力方向上方に向けられるようにウェハＷを保持する構成に代えて、当該法線が鉛直方向下方に向けられるようにウェハＷを保持するように構成されてもよい。あるいは、バフテーブル４００は、ウェハＷの処理面からバフテーブル４００と反対の方向に延びる当該処理面の法線が水平方向（重力方向と直交する方向）に向けられるようにウェハＷを保持するように構成されてもよい。これらの場合、コンディショニング部８００は、その処理面がバフパッド５０２の処理面と対向する方向に向けられるように配置されてもよい。

Ｂ−７．変形例７：
バフ処理モジュール３００Ａ，３００Ｂは、洗浄ユニット４に含まれる構成に限らず、研磨ユニット３に含まれてもよい。

以上、いくつかの実施例に基づいて本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

１…ハウジング
２…ロード／アンロードユニット
１ａ，１ｂ…隔壁
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ…研磨ユニット
４…洗浄ユニット
５…制御装置
６，７…リニアトランスポータ
１０…研磨パッド
１１…リフタ
１２…スイングトランスポータ
２０…フロントロード部
２１…走行機構
２２…搬送ロボット
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ…研磨テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ…トップリング
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ…研磨液供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ…ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ…アトマイザ
３６…トップリングシャフト
１８０…仮置き台
１９０…ロール洗浄室
１９１…第１搬送室
１９２…ペン洗浄室
１９３…第２搬送室
１９４…乾燥室
１９５…第３搬送室
２０１Ａ，２０１Ｂ…ロール洗浄モジュール
２０２Ａ，２０２Ｂ…ペン洗浄モジュール
２０３，２０４…仮置き台
２０５Ａ，２０５Ｂ…乾燥モジュール
２０７…フィルタファンユニット
２０９，２１０，２１３…搬送ロボット
２１１…支持軸
３００…バフ処理室
３００Ａ，３００Ｂ…バフ処理モジュール
４００…バフテーブル
５００…バフヘッド
５０２…バフパッド
５０４…シャフト
５０６…内部供給ライン
５８０…コンディショング部
６００…バフアーム
７００…液供給系統
７１０…純水外部ノズル
７１２…純水配管
７１２ａ…分岐純水配管
７１４…純水供給源
７１６…開閉弁
７１８…開閉弁
７２０…薬液外部ノズル
７２２…薬液配管
７２２ａ…分岐薬液配管
７２４…薬液供給源
７２６…開閉弁
７２８…開閉弁
７３０…スラリー外部ノズル
７３２…スラリー配管
７３２ａ…分岐スラリー配管
７３４…スラリー供給源
７３６…開閉弁
７４０…液供給配管
８００，８００ａ，８００ｂ，８００ｃ…コンディショニング部
８１０，８１０ａ…ベースプレート
８１１…ウォータージャケット
８２０，８２０ｂ…ドレッサ
８２１〜８２４…ドレッサブロック
８２５…溝
８２５ｂ…貫通穴
８２６ｂ…溝
８３０…噴射ノズル
８３０ａ…ブラシ
８３０ｃ…噴射ノズル
１０００…基板処理装置
Ｗ…ウェハ

Claims (17)

1. バフ処理に使用するバフパッドをコンディショニングするためのコンディショニング装置であって、
   回転可能に構成されたベースプレートと、
   前記ベースプレートの設置領域内に設けられた第１のコンディショニング部と、
   前記ベースプレートの設置領域内に設けられた第２のコンディショニング部であって、前記第１のコンディショニング部とはコンディショニング特性が異なる第２のコンディショニング部と
   を備えるコンディショニング装置。
2. 請求項１に記載のコンディショニング装置であって、
   前記第１のコンディショニング部は、相互に間隔が隔てられた複数のブロックを備え、
   前記複数のブロックの間に前記第２のコンディショニング部が設けられる
   コンディショニング装置。
3. 請求項１に記載のコンディショニング装置であって、
   前記第１のコンディショニング部には、穴、溝および切欠きのうちの少なくとも１つが形成されており、
   前記穴、溝および切欠きのうちの少なくとも１つに前記第２のコンディショニング部が設けられる
   コンディショニング装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のコンディショニング装置であって、
   前記第２のコンディショニング部は、ブラシと、噴射ノズルと、のうちの少なくとも一方を備える
   コンディショニング装置。
5. 請求項４に記載のコンディショニング装置であって、
   前記第２のコンディショニング部は、複数の噴射ノズルを備える
   コンディショニング装置。
6. 請求項５に記載のコンディショニング装置であって、
   前記ベースプレートの内部には、前記複数の噴射ノズルの各々に流体を供給するための共通の供給路が形成された
   コンディショニング装置。
7. 請求項４ないし請求項６のいずれか一項に記載のコンディショニング装置であって、
   前記第１のコンディショニング部には、該第１のコンディショニング部を表裏方向に貫通する貫通穴が形成されており、
   前記貫通穴は、前記噴射ノズルとして機能する
   コンディショニング装置。
8. 請求項４ないし請求項６のいずれか一項に記載のコンディショニング装置であって、
   前記第１のコンディショニング部には、前記第１のコンディショニング部を表裏方向に貫通する貫通穴が形成されており、
   前記噴射ノズルは、前記貫通穴内に配置される
   コンディショニング装置。
9. 請求項５および請求項６、ならびに、請求項５を引用元に含む請求項７および請求項８
   のいずれか一項に記載のコンディショニング装置であって、
   前記複数の噴射ノズルは、コンディショニングを行うための所定位置に前記バフパッドが配置された場合に、前記複数の噴射ノズルと、前記所定位置に配置された前記バフパッドとの間において、前記複数の噴射ノズルの各々についての噴射範囲が相互に重複しないように構成されているコンディショニング装置。
10. 請求項５、請求項６および請求項９、ならびに、請求項５を引用元に含む請求項７および請求項８のいずれか一項に記載のコンディショニング装置であって、
    前記複数の噴射ノズルは、半径方向の位置が互いに異なるように配置される
    コンディショニング装置。
11. 請求項１０に記載のコンディショニング装置であって、
    前記複数の噴射ノズルは、流体の噴射量が互いに異なるように構成された
    コンディショニング装置。
12. 請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載のコンディショニング装置であって、
    前記第１のコンディショニング部は、ダイヤモンド、セラミックまたはブラシによって形成されている
    コンディショニング装置。
13. 請求項１ないし請求項１２のいずれか一項に記載のコンディショニング装置を備えたバフ処理装置。
14. 基板処理装置であって、
    化学機械研磨装置と、
    請求項１３に記載のバフ処理装置であって、前記化学機械研磨装置で処理された基板の後処理を行うためのバフ処理装置と
    を備えた基板処理装置。
15. バフ処理に使用するためのバフパッドをコンディショニングするためのドレッサであって、
    穴、溝および切欠きのうちの少なくとも１つが形成されたドレッサ。
16. バフ処理に使用するバフパッドをコンディショニングするためのコンディショニング方法であって、
    前記バフパッドのコンディショニングを行うための第１の領域と、前記第１の領域とはコンディショニング特性が異なるコンディショニングを行うための第２の領域と、を同時に使用して、２種類のコンディショニングを前記バフパッドに対して同時に行う工程を備える
    コンディショニング方法。
17. バフ処理に使用するバフパッドをコンディショニングするためのコンディショニング方法であって、
    コンディショニング用の噴射ノズルが設けられた第２の領域と、前記第２の領域とは異なる方法によってコンディショニングを行うための第１の領域と、がベースプレートの設置領域内に形成されたコンディショニング装置を用意する工程と、
    前記第１の領域によって前記バフパッドのコンディショニングを行う第１のコンディショニング工程と、
    前記第１の工程よりも前または後に、前記ベースプレートと前記バフパッドとの距離を、前記第１の工程における前記ベースプレートと前記バフパッドとの距離よりも離した状
    態で、前記第２の領域によって、前記バフパッドのコンディショニングを行う第２のコンディショニング工程と
    を備えるコンディショニング方法。

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