TWI654698B - 擦光處理組件、基板處理裝置及擦光墊清洗方法 - Google Patents

擦光處理組件、基板處理裝置及擦光墊清洗方法

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Abstract

本發明之目的之一為在研磨處理中提高供基板安裝之台及襯墊材料之清潔度。依據本發明之一實施方式，本發明提供一種裝置，係對處理對象物進行擦光處理用之裝置，其具有：擦光台，其具有對處理對象物進行支承用之支承面；以及藥液供給器，其將對擦光台的支承面進行清洗用的藥液供給到支承面。

Description

擦光處理組件、基板處理裝置及擦光墊清洗方法
本發明涉及一種半導體晶圓等基板的處理裝置。
在半導體器件的製造中，已知有一種對基板的表面進行研磨的化學機械研磨(CMP,Chemical Mechanical Polishing)裝置。在CMP裝置中，在研磨台的上表面貼附有研磨墊，形成研磨面。該CMP裝置將由頂環保持的基板的被研磨面按壓到研磨面，一邊將作為研磨液的漿料(Slurry)供給到研磨面、一邊使研磨台和頂環旋轉，由此，研磨面和被研磨面相對滑動地移動，被研磨面得到研磨。
代表性的CMP裝置是，研磨台或研磨墊比要研磨的基板大，基板的被研磨面由頂環保持成向下而被研磨。研磨後的基板，通過使聚乙烯醇(PVA)等的海綿材料旋轉同時使其與基板接觸而得到清洗，再被乾燥。
本申請案的申請人提出了如下技術：在基板研磨後，將比基板小的小徑的接觸部件壓到研磨後的基板上並使其相對運動的精處理單元設在與主研磨部不同的CMP裝置內，稍微對基板進一步進行研磨，或進行 清洗(專利文獻2)。
CMP裝置具有：對基板進行研磨處理用的研磨單元；對基板進行清洗處理及乾燥處理用的清洗單元；以及將基板交接到研磨單元並接受利用清洗單元進行清洗處理及乾燥處理後的基板的裝載/卸載單元等。另外，CMP裝置具有在研磨單元、清洗單元、以及裝載/卸載單元內對基板進行搬送的搬送機構。CMP裝置一邊由搬送機構對基板進行搬送一邊依次進行研磨、清洗及乾燥的各種處理。作為清洗單元，公開了這樣一種技術：使清洗部件與半導體基板抵接而進行摩擦清洗，將清洗後的清洗部件與表面粗糙的矯正部件的平面摩擦而進行自身清洗(參照專利文獻1)。
然而，有時在基板處理裝置中設置擦光(buff)處理組件。該擦光處理組件對基板實施擦光研磨處理和擦光清洗處理中的至少一方處理。所謂擦光研磨處理是如下處理：使擦光墊與晶圓接觸，同時使晶圓和擦光墊相對運動，通過使漿料夾在晶圓與擦光墊之間而對晶圓的處理面進行研磨去除。另一方面，所謂擦光清洗處理是如下處理：使擦光墊與晶圓接觸，同時使晶圓和擦光墊相對運動，通過使清洗處理液(藥液，或藥液與純水)夾在晶圓與擦光墊之間而將晶圓表面的污染物去除，或對處理面進行改性。
當利用擦光墊繼續進行擦光研磨處理及擦光清洗處理時，擦光墊的表面就會產生網孔堵塞，研磨性能和清洗性能就會下降。因此，為恢復擦光墊的性能，必須進行稱為修整(dress)處理(磨銳)的修正(condition)。利用修正部進行該修正。修正部具有：修整台；以及設置於修整台的修整件(dresser)。修整台可利用驅動機構進行旋轉。修整件由金剛石修整件、刷 子修整件或它們的組合而形成。
擦光處理組件在對擦光墊進行修正時，使擦光臂回旋直至擦光墊成為與修整件相對的位置。擦光處理組件使修整台繞規定的旋轉軸旋轉並使擦光頭旋轉，通過將擦光墊按壓到修整件，從而進行擦光墊的修整處理(修正)。
圖式的圖38，是表示用於研磨單元的而不是擦光墊的修整件4-33A的示圖。在該研磨單元中，相對於大口徑的研磨墊4-10，而使用小徑的修整件4-33A。在進行修整處理時，處理液利用處理液供給噴管4-32A而滴下到研磨墊4-10的中央部，通過修整件4-33A沿研磨墊4-10的半徑往復移動，利用與研磨墊4-10旋轉運動的複合作用，而對研磨墊4-10的整個面進行修整處理。然而，對於研磨墊4-10，往往使用漿料那樣的高粘度的液體作為處理液，處理液的固體成分就固定、堆積在形成於研磨墊4-10表面的溝槽內。這種汙物，無法僅靠修整處理將其去除。因此，使用成為噴霧器4-34A的清洗機構而對研磨墊4-10的表面進行清洗。這裡，如圖36(B)所示，所謂噴霧器4-34A是可對研磨墊4-10噴射高壓的液體或液體與氣體的混合體的清洗機構。將該噴霧器4-34A如圖38(A)所示地配置在研磨墊的半徑部分處，在噴射高壓清洗流體的同時使研磨墊4-10旋轉，將固定、堆積在研磨墊4-10的溝槽內的汙物去除。
專利文獻1：日本專利特開平9-92633號公報
專利文獻2：日本專利特開平8-71511號公報
在精處理單元中，要使接觸部件利用高的壓力接觸來提高清 洗效果或提高研磨速度，則必須利用與基板的背面整體接觸的台來保持基板。此外，在利用整個面支承基板的台來支承基板的情況下，磨料和研磨生成物(有機殘渣等)就會積蓄在台面上，有時污染被處理的基板。因此，要求對支承基板的台及附加於台的構造物(基板的搬送機構等)始終維持高的清潔度。
本發明的一個目的是，在研磨處理中使安裝基板的台及附加於台的構造物的清潔度提高。
另外，以往技術只是通過使擦光墊與修整件相對運動而對擦光墊進行清洗，因此，雖然可進行某種程度的清洗處理，但僅此有時不能充分清洗擦光墊。
因此，本申請案發明的一個目的是，提供一種將擦光墊的清洗力強化的擦光處理組件。
另外，對於上述例子，要對擦光處理組件設置噴霧器，則有如下那樣的問題。即，在以往技術的圖38的例子中，相比於修整件4-33A的直徑，研磨墊4-10的直徑大。因此，在圖38的例子中，與研磨墊4-10的未被修整件4-33A覆蓋的面相對而設置噴霧器4-34。
相對於此，在擦光處理組件中，擦光墊的尺寸與修整件尺寸同等或在其以下。因此，在擦光處理組件中，擦光墊的整個面由修整件覆蓋。其結果是，在擦光處理組件中如以往技術那樣難以設置噴霧器。
因此，本申請案發明的目的在於，提供一種噴霧器，可適用 於擦光墊的尺寸與修整件的尺寸同等或在其以下的擦光處理組件。
另外，在上述的以往技術中，有如下那樣的問題。即，修正部的修整件，在繼續進行擦光墊的修整處理時會積蓄汙物。因此，必須定期地對修整件的表面進行清洗(dress rinse：修整沖洗)。此時，修整件的表面與處理對象物即晶圓的表面，大致處於同一個平面內。這是因為：只要使擦光墊平行(例如水平)移動，就可進行擦光研磨處理、擦光清洗處理及修整處理。然而，在清洗修整件的情況下，也不進行任何設計的情況下，向修整件噴射出的清洗液就會向晶圓側飛散，會污染晶圓。
因此，本申請案發明的一個目的是，提供一種即使對修整件進行清洗也不會污染相鄰的擦光台上的晶圓的修正部。
另外，在上述的清洗單元中，由於僅採用一個清洗方法，因此，有時不能充分對清洗部件進行清洗。例如，在清洗部件形成有溝槽的情況下，進入該溝槽內的粒子(例如，研磨中使用後的漿料、基板的切削屑等)僅被刷子等刮擦時，有時無法充分去除。在這種情況下，除了用刷子等對清洗部件進行修整的處理外，另外，較好的是利用噴霧器對清洗部件噴射加壓水，充分去除粒子。即，較好的是進行二種以上的修正。如此，在進行二種以上的修正的情況下，必須設置複數個修正裝置，以分別進行修正。在該情況下，由於裝置的設置空間隨著修正裝置的數量而增大，因此，設備就會產生大型化。另外，由於必須使清洗部件在這些裝置間移動，因此，僅僅該移動所花費的時間就使處理時間延長。這種問題不限於清洗單元，對於主要的研磨單元中的研磨之後進行精研磨的精研磨單元也是一樣的。
本發明是為解決上述問題的至少一部分而作出的，可作為以下的方式來實現。
[方式1]
根據本發明的方式1，提供一種裝置，是對處理對象物進行擦光處理用的裝置，具有：擦光台，該擦光台具有對處理對象物進行支承用的支承面；以及噴管，該噴管用於將對擦光台的支承面進行清洗用的藥液供給到支承面。
[方式2]
根據本發明的方式2，在方式1的進行擦光處理用的裝置中，擦光台具有襯墊材料(backing material)，襯墊材料的表面是對處理對象物進行支承的支承面。
[方式3]
根據本發明的方式3，在方式1或方式2的進行擦光處理用的裝置中，構成為，噴管在擦光台的面內方向可變更所朝的方向。
[方式4]
根據本發明的方式4，在方式1至方式3中任一方式的進行擦光處理用的裝置中，構成為，噴管在垂直於擦光台的平面的面內方向可變更所朝的方向。
[方式5]
根據本發明的方式5，在方式1至方式4中任一方式的進行擦光處理用的裝置中，構成為，噴管沿垂直於擦光台的平面的方向可變更位置。
[方式6]
根據本發明的方式6，在方式1至方式5中任一方式的進行擦光處理用的裝置中，擦光台具有延伸至擦光台的支承面的流體通道，當對擦光台的支承面進行清洗時，該流體通道使流體通過擦光台而供給到支承面。
[方式7]
根據本發明的方式7，在方式6的進行擦光處理用的裝置中，流體通道構成為，與純水及/或藥液的供給源連接。
[方式8]
根據本發明的方式8，在方式6或方式7的進行擦光處理用的裝置中，流體通道構成為，可與真空源連接，該真空源在對處理對象物進行擦光處理時使處理對象物真空吸附在支承面上。
[方式9]
根據本發明的方式9，在方式1至方式8中任一方式的的進行擦光處理用的裝置中，具有清洗機構，該清洗機構利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式10]
根據本發明的方式10，在方式9的進行擦光處理用的裝置中，構成為，具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊，且使用擦光頭及擦光墊並利用物理的接觸而對擦光台的支持面進行清洗。
[方式11]
根據本發明的方式11，在方式10的進行擦光處理用的裝置中，具有流體通道，該流體通道使流體通過擦光頭及擦光墊而供給到支承面。
[方式12]
根據本發明的方式12，在方式9的進行擦光處理用的裝置中，構成為，具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊，擦光頭可安裝利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗用的刷子或海綿材料。
[方式13]
根據本發明的方式13，在方式9的進行擦光處理用的裝置中，具有：擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊；以及清洗頭，該清洗頭可安裝利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗用的清洗部件、刷子或海綿材料。
[方式14]
根據本發明的方式14，在方式9的進行擦光處理用的裝置中，具有輥形 海綿材料，該輥形海綿材料構成為，通過在擦光台上進行旋轉從而利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式15]
根據本發明的方式15，在方式1至14中任一方式的進行擦光處理用的裝置中，還具有如下部件中的至少一個：對擦光台的支承面進行清洗用的噴霧器清洗機；超聲波清洗機；以及氣蝕射流(cavityjet)清洗機。
[方式16]
根據本發明的方式16，在方式1至14中任一方式中，構成為，擦光台具有搬送機構，該搬送機構相對於擦光台將處理對象物搬入及/或搬出，在清洗支承面的同時，搬送機構被清洗。
[方式17]
根據本發明的方式17，提供一種方法，是對將處理對象物擦光處理用的裝置的、支承處理對象物的擦光台的支承面進行清洗的方法，該方法具有如下步驟：將對擦光台的支承面進行清洗用的藥液供給到支承面。
[方式18]
根據本發明的方式18，在方式17的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，擦光台具有襯墊材料，襯墊材料的表面是對處理對象物進行支承的支承面。
[方式19]
根據本發明的方式19，在方式17或方式18的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，擦光台具有搬送機構，該搬送機構相對於擦光台將處理對象物搬入及/或搬出，在清洗支承面的同時，搬送機構被清洗。
[方式20]
根據本發明的方式20，在方式17至方式19中任一方式的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，具有如下步驟：在對擦光台的支承面進行清洗過程中，變更將藥液供給到支承面的位置。
[方式21]
根據本發明的方式21，在方式17至方式20中任一方式的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，擦光台具有延伸至擦光台的支承面的流體通道，當對擦光台的支承面進行清洗時，該流體通道使流體通過擦光台而供給到支承面，所述方法具有使流體在流體通道中流動的步驟。
[方式22]
根據本發明的方式22，在方式21的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，具有使純水及/或藥液在流體通道中流動的步驟。
[方式23]
根據本發明的方式23，在方式17至方式22中任一方式的對擦光台的支 承面進行清洗的方法中，還具有利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗的步驟。
[方式24]
根據本發明的方式24，在方式17至方式23中任一方式的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，裝置具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊，方法具有如下步驟：使用擦光頭及擦光墊並利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式25]
根據本發明的方式25，在方式24的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，具有流體通道，該流體通道使流體通過擦光頭及擦光墊而供給到支承面，方法具有通過流體通道而供給流體的步驟。
[方式26]
根據本發明的方式26，在方式23的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，具有使用刷子或海綿材料而對擦光台的支承面進行清洗的步驟。
[方式27]
根據本發明的方式27，在方式17至方式26中任一方式的對擦光台的支承面進行清洗的方法中，還具有如下步驟：使用噴霧器清洗機、超聲波清洗機及氣蝕射流清洗機中的至少一個而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式28]
根據本發明的方式28，提供一種對處理對象物進行擦光處理用的裝置，該裝置具有：擦光台，該擦光台具有對處理對象物進行支承用的支承面；以及藥液供給構件，該藥液供給構件用於將對擦光台的支承面進行清洗用的藥液供給到支承面。
[方式29]
根據本發明的方式29，在方式28的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，擦光台具有襯墊材料，襯墊材料的表面是對處理對象物進行支承的支承面。
[方式30]
根據本發明的方式30，在方式28或方式29的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，擦光台具有搬送機構，該搬送機構相對於擦光台將處理對象物搬入及/或搬出，在清洗支承面的同時，搬送機構被清洗。
[方式31]
根據本發明的方式31，在方式28至方式30中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，擦光台具有延伸至擦光台的支承面的流體通道，當對擦光台的支承面進行清洗時，該流體通道使流體通過擦光台而供給到支承面。
[方式32]
根據本發明的方式32，在方式31的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，流體通道可與真空源連接，該真空源在對處理對象物進行擦光處理時使處理對象物真空吸附在支承面上。
[方式33]
根據本發明的方式33，在方式28至方式32中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有清洗機構，該清洗機構利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式34]
根據本發明的方式34，在方式33的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊，使用擦光頭及擦光墊並利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式35]
根據本發明的方式35，在方式34的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有流體通道，該流體通道使流體通過擦光頭及擦光墊而供給到支承面。
[方式36]
根據本發明的方式36，在方式33的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對 象物進行擦光處理用的擦光墊，且擦光頭可安裝利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗用的刷子或海綿材料。
[方式37]
根據本發明的方式37，在方式33的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有：擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊；以及清洗頭，該清洗頭可安裝利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗用的清洗部件、刷子或海綿材料。
[方式38]
根據本發明的方式38，在方式33的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有輥形海綿材料，該輥形海綿材料構成為，通過在擦光台上進行旋轉從而利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式39]
根據本發明的方式39，在方式28至方式38中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，還具有如下部件中的至少一個：對擦光台的支承面進行清洗用的噴霧器清洗機；超聲波清洗機；以及氣蝕射流清洗機。
[方式40]
根據本發明的方式40，提供一種對處理對象物進行擦光處理用的裝置，該裝置具有：擦光台，該擦光台具有對處理對象物進行支承用的支承 面；以及清洗機構，該清洗機構利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式41]
根據本發明的方式41，在方式40的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊，使用擦光頭及擦光墊並利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式42]
根據本發明的方式42，在方式41的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有流體通道，該流體通道使流體通過擦光頭及擦光墊而供給到支承面。
[方式43]
根據本發明的方式43，在方式40的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊，擦光頭可安裝利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗用的刷子或海綿材料。
[方式44]
根據本發明的方式44，在方式40的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有：擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進 行擦光處理用的擦光墊；以及清洗頭，該清洗頭可安裝利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗用的清洗墊、刷子或海綿材料。
[方式45]
根據本發明的方式45，在方式40的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有輥形海綿材料，該輥形海綿材料構成為，通過在擦光台上進行旋轉從而利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式46]
根據本發明的方式46，在方式40至方式45中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，還具有如下部件中的至少一個：對擦光台的支承面進行清洗用的噴霧器清洗機；超聲波清洗機；以及氣蝕射流清洗機。
[方式47]
根據本發明的方式47，在方式40至方式46中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，具有噴管，該噴管用於將對擦光台的支承面進行清洗用的液體供給到支承面。
[方式48]
根據本發明的方式48，在方式47的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，噴管在擦光台的面內方向可變更所朝的方向。
[方式49]
根據本發明的方式49，在方式47或方式48的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，噴管在垂直於擦光台的平面的面內方向可變更所朝的方向。
[方式50]
根據本發明的方式50，在方式47至方式49中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，噴管沿垂直於擦光台的平面的方向可變更位置。
[方式51]
根據本發明的方式51，在方式47至方式50中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，擦光台具有延伸至擦光台的支承面的流體通道，當對擦光台的支承面進行清洗時，該流體通道使流體通過擦光台而供給到支承面。
[方式52]
根據本發明的方式52，在方式51的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，流體通道與純水及/或藥液的供給源連接。
[方式53]
根據本發明的方式53，在方式51或方式52的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，流體通道可與真空源連接，該真空源在對處理對象物進行擦光處理時使處理對象物真空吸附在支承面上。
[方式54]
根據本發明的方式54，在方式40至方式53中任一方式的對處理對象物進行擦光處理用的裝置中，構成為，擦光台具有搬送機構，該搬送機構相對於擦光台將處理對象物搬入及/或搬出，在清洗支承面的同時，搬送機構被清洗。
[方式55]
根據本發明的方式55，提供一種方法，是對將處理對象物擦光處理用的裝置的、支承處理對象物的擦光台的支承面進行清洗的方法，該方法具有利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗的步驟。
[方式56]
根據本發明的方式56，是一種基於方式55的方法，該方法對將處理對象物擦光處理用的裝置的、支承處理對象物的擦光台的支承面進行清洗，該裝置具有擦光頭，該擦光頭可安裝通過物理的接觸而對處理對象物進行擦光處理用的擦光墊，該方法具有如下步驟：使用擦光頭及擦光墊並利用物理的接觸而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式57]
根據本發明的方式57，是一種基於方式56的方法，該方法對將處理對象物擦光處理用的裝置的、支承處理對象物的擦光台的支承面進行清洗，該裝置具有流體通道，該流體通道將流體通過擦光頭及擦光墊而供給到支承面，本方法具有通過流體通道而提供流體的步驟。
[方式58]
根據本發明的方式58，是一種基於方式55的方法，該方法對將處理對象物擦光處理用的裝置的、支承處理對象物的擦光台的支承面進行清洗，在該方法中，具有使用刷子或海綿材料而對擦光台的支承面進行清洗的步驟。
[方式59]
根據本發明的方式59，是一種基於方式55至方式58中任一方式的方法，該方法對將處理對象物擦光處理用的裝置的、支承處理對象物的擦光台的支承面進行清洗，在該方法中，還具有如下步驟：使用噴霧器清洗機、超聲波清洗機及氣蝕射流清洗機中的至少一個而對擦光台的支承面進行清洗。
[方式60]
根據本發明的方式60，是一種基於方式55至方式59中任一方式的方法，該方法對將處理對象物擦光處理用的裝置的、支承處理對象物的擦光台的支承面進行清洗，在該方法中，擦光台具有搬送機構，該搬送機構相對於擦光台將處理對象物搬入及/或搬出，在清洗支承面的同時，搬送機構被清洗。
[方式61]
根據本發明的方式61，是一種擦光處理組件，具有：擦光台，該擦光 台用於設置處理對象物；擦光頭，該擦光頭對擦光墊進行保持，該擦光墊用於對所述處理對象物進行規定的處理；修整件，該修整件用於對所述擦光墊進行修整；以及刷子清洗機構，配置在所述擦光台與所述修整件之間，用於對所述擦光墊進行清洗。
[方式62]
根據本發明的方式62，除了方式61的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構可對在所述擦光台與所述修整件之間進行移動的所述擦光墊的整個面進行清洗。
[方式63]
根據本發明的方式63，除了方式62的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構配置成，可與在所述擦光台與所述修整件之間進行移動的所述擦光墊的半徑部分接觸，通過所述擦光頭進行旋轉，可清洗所述擦光墊的整個面。
[方式64]
根據本發明的方式64，除了方式61至方式63中任一方式的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構可相對於所述擦光墊的移動路徑可進入退出。
[方式65]
根據本發明的方式65，除了方式64的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構可利用旋轉式促動器進行旋轉移動，或利用工作缸(cylinder)進行直線移動。
[方式66]
根據本發明的方式66，除了方式61至方式65中任一方式的結構外，還採用如下結構：在所述修整件的近旁設有台座，在該台座上配置有所述刷子清洗機構。
[方式67]
根據本發明的方式67，除了方式61至方式66中任一方式的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構進行的清洗在修整處理前、修整處理過程中及修整處理後的至少任一階段進行。
[方式68]
根據本發明的方式68，除了方式61至方式67中任一方式的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構具有向所述擦光墊噴射處理液的處理液噴出口。
[方式69]
根據本發明的方式69，除了方式61至方式68中任一方式的結構外，還採用如下結構：在所述擦光墊的表面形成有從中央部至外周部連續的溝 槽，在所述擦光墊的中央部設有流出處理液的處理液流出口，所述處理液在所述擦光墊與所述修整件抵接的狀態下，從所述處理液流出口流出。
[方式70]
根據本發明的方式70，除了方式69的結構外，還採用如下結構：在擦光墊的最外周部近旁具有對所述處理液的流量進行抑制的流量抑制部。
[方式71]
根據本發明的方式71，除了方式61至方式70中任一方式的結構外，還採用如下結構：在所述修整件的表面形成有修整件槽溝。
[方式72]
根據本發明的方式72，除了方式71的結構外，還採用如下結構：所述修整件溝槽是放射狀或螺旋狀。
[方式73]
根據本發明的方式73，除了方式68的結構外，還採用如下結構：在所述處理液噴出口連接有對處理液的流量及壓力的至少任一方進行調整的調整閥。
[方式74]
根據本發明的方式74，除了方式61至方式73中任一方式的結構外，還 採用如下結構：在所述擦光墊的近旁具有防止處理液飛散的擦光墊罩蓋。
[方式75]
根據本發明的方式75，除了方式74的結構外，還採用如下結構：所述擦光臂的至少一部分承擔所述擦光墊罩蓋的一部分的功能。
[方式76]
根據本發明的方式76，除了方式61至方式75中任一方式的結構外，還採用如下結構：所述處理液是從由DIW(Deionized Water：純水)、藥液及漿料構成的組中選擇的至少一種液體或該液體與壓縮空氣的混合體。
[方式77]
根據本發明的方式77，除了方式76的結構外，還採用如下結構：所述各液體的供給是可切換的。
[方式78]
根據本發明的方式78，除了方式69至方式77中任一方式的結構外，還採用如下結構：利用超聲波清洗流體取代所述處理液或與處理液一起對擦光墊進行清洗。
[方式79]
根據本發明的方式79，是一種基板處理裝置，採用如下結構：具有方 式61至方式78中任一方式的擦光處理組件。
[方式80]
根據本發明的方式80，是一種擦光墊清洗方法，用於清洗對處理對象物進行規定的處理用的擦光墊，該擦光墊清洗方法採用如下結構：利用擦光臂對保持所述擦光墊的擦光頭進行支承並使其進行擺動，利用刷子清洗機構對所述擦光墊進行清洗，該刷子清洗機構配置在用於設置所述處理對象物的擦光台與用於修整所述擦光墊的修整件之間。
[方式81]
根據本發明的方式81，除了方式80的結構外，還採用如下結構：利用所述刷子清洗機構對在所述擦光台與上述修整件之間移動的所述擦光墊的整個面進行清洗。
[方式82]
根據本發明的方式82，除了方式81的結構外，還採用如下結構：使所述擦光頭進行旋轉，並利用所述刷子清洗機構對所述擦光墊的整個面進行清洗，所述刷子清洗機構配置成，可與在所述擦光台與所述修整件之間移動的所述擦光墊的半徑部分接觸。
[方式83]
根據本發明的方式83，除了方式80至方式82中任一方式的結構外，還 採用如下結構：所述刷子清洗機構可相對於所述擦光墊的移動路徑而進入退出。
[方式84]
根據本發明的方式84，除了方式80至方式83中任一方式的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構利用旋轉式促動器而進行旋轉移動，或者利用工作缸進行直線移動。
[方式85]
根據本發明的方式85，除了方式80至方式84中任一方式的結構外，還採用如下結構：所述刷子清洗機構進行的清洗在修整處理前、修整處理過程中及修整處理後的至少任一階段進行。
[方式86]
根據本發明的方式86，除了方式80至方式85中任一方式的結構外，還採用如下結構：一邊從設於所述刷子清洗機構的處理液噴出口噴射處理液一邊進行所述刷子清洗機構進行的清洗。
[方式87]
根據本發明的方式87，是一種擦光處理組件，具有：保持於擦光頭的擦光墊；以及對該擦光墊的表面進行清洗的清洗機構，該擦光處理組件採用如下結構：在擦光墊的表面形成有溝槽，清洗機構包含噴射高壓清洗流 體而將溝槽內的堆積物去除的噴霧器。
[方式88]
根據本發明的方式88，除了方式87的結構外，還採用如下結構：噴霧器配置在朝向鉛垂下方的擦光墊的下方。
[方式89]
根據本發明的方式89，除了方式87或方式88的結構外，還採用如下結構：擦光墊可在保持基板的擦光台與修整擦光墊的修整件之間進行移動，噴霧器配置在擦光墊的移動路徑內。
[方式90]
根據本發明的方式90，除了方式89的結構外，還採用如下結構：擦光頭可相對於修整件離開，噴霧器定位在擦光頭與修整件之間並噴射高壓清洗流體。
[方式91]
根據本發明的方式91，除了方式87至方式90中任一方式的結構外，還採用如下結構：噴霧器移動自如。
[方式92]
根據本發明的方式92，除了方式91的結構外，還採用如下結構：噴霧 器可利用旋轉式促動器進行旋轉移動，或利用工作缸進行直線移動。
[方式93]
根據本發明的方式93，除了方式87至方式92中任一方式的結構外，還採用如下結構：噴霧器定位成可對擦光墊的至少半徑部分進行清洗，可利用擦光墊的旋轉而對整個面進行清洗。
[方式94]
根據本發明的方式94，除了方式87至方式93中任一方式的結構外，還採用如下結構：噴霧器沿直線狀的主體而具有複數個流體噴射口。
[方式95]
根據本發明的方式95，除了方式87至方式94中任一方式的結構外，還採用如下結構：在擦光墊的近旁具有防止高壓清洗流體飛散用的罩蓋。
[方式96]
根據本發明的方式96，除了方式95的結構外，還採用如下結構：還具有對擦光頭進行保持的擦光臂，該擦光臂安裝有罩蓋。
[方式97]
根據本發明的方式97，除了方式95或方式96的結構外，還採用如下結構：替代罩蓋而具有固定於修整件的周圍的固定罩蓋。
[方式98]
根據本發明的方式98，除了方式97的結構外，還採用如下結構：固定罩蓋形成有用於避免與擦光臂接觸的缺口。
[方式99]
根據本發明的方式99，除了方式96的結構外，還採用如下結構：所述擦光臂自身具有所述罩蓋的功能。
[方式100]
根據本發明的方式100，除了方式96的結構外，還採用如下結構：噴霧器在被定位在擦光臂的下方時噴射高壓清洗流體。
[方式101]
根據本發明的方式101，除了方式96或方式100的結構外，還採用如下結構：噴霧器在清洗擦光墊的同時，也清洗擦光臂的下表面。
[方式102]
根據本發明的方式102，除了方式87至方式101中任一方式的結構外，還採用如下結構：清洗機構還包含清洗液容器內的超聲波清洗機構及刷子清洗機構中的至少任一方。
[方式103]
根據本發明的方式103，除了方式87至方式102中任一方式的結構外，還採用如下結構：高壓清洗流體是液體或液體與氣體的混合流體。
[方式104]
根據本發明的方式104，除了方式103的結構外，還採用如下結構：所述清洗液是從由DIW、藥液及漿料構成的組中選擇的至少任一種液體或該液體與壓縮空氣的混合體。
[方式105]
根據本發明的方式105，除了方式104的結構外，還採用如下結構：各種液體的供給可切換。
[方式106]
根據本發明的方式106，除了方式105的結構外，還採用如下結構：與高壓清洗流體一起使用超聲波清洗流體。
[方式107]
根據本發明的方式107，是一種基板處理裝置，採用如下結構：具有方式87至方式106中任一方式的擦光處理組件。
[方式108]
根據本發明的方式108，是一種擦光墊清洗方法，用於對基板處理裝置中使用的擦光墊進行清洗，採用如下結構：使用由修整件進行修整處理後的擦光墊，從噴霧器向該擦光墊噴射高壓清洗流體。
[方式109]
根據本發明的方式109，除了方式108的結構外，還採用如下結構：清洗液向擦光墊的噴射，與對在擦光台上的基板的處理並行進行。
[方式110]
根據本發明的方式110，除了方式108或方式109的結構外，還採用如下結構：在擦光墊位於修整件的上方的情況下，噴霧器在這些擦光墊與修整件之間移動，並噴射清洗液。
[方式111]
根據本發明的方式111，除了方式108至方式110中任一方式的結構外，還採用如下結構：在使擦光墊擺動的擦光臂位於上方的情況下，噴霧器噴射清洗液。
[方式112]
根據本發明的方式112，是一種修正部，該修正部具有用於對基板處理裝置的擦光墊進行修整的修整件，該修正部採用如下結構：還具有將清洗液向修整件噴射而進行清洗的修整件清洗機構，修整件的表面處於比與修 整件相鄰配置的擦光台低的位置。
[方式113]
根據本發明的方式113，除了方式112的結構外，還採用如下結構：修整件清洗機構向離開擦光台的方向噴射清洗液。
[方式114]
根據本發明的方式114，除了方式112或方式113的結構外，還採用如下結構：在修整件與擦光台之間具有用於防止清洗液飛散的罩蓋。
[方式115]
根據本發明的方式115，除了方式114的結構外，還採用如下結構：罩蓋具有接觸避免機構，該接觸避免機構避免與擺動的擦光墊接觸。
[方式116]
根據本發明的方式116，除了方式115的結構外，還採用如下結構：接觸避免機構包含罩蓋移動機構，該罩蓋移動機構使罩蓋沿修整件或擦光台的旋轉軸的軸線方向移動。
[方式117]
根據本發明的方式117，除了方式115或方式116的結構外，還採用如下結構：罩蓋包含將修整件的周圍的至少一部分或擦光台的周圍的至少一部 分包圍的大致圓筒狀的罩蓋，接觸避免機構包含：形成於大致圓筒狀罩蓋的至少一部分的擦光墊通過用的缺口；以及使罩蓋以與修整件或擦光台的旋轉軸同心的方式旋轉的旋轉驅動機構。
[方式118]
根據本發明的方式118，除了方式117的結構外，還採用如下結構：接觸避免機構包含用於開閉缺口的可動蓋部件。
[方式119]
根據本發明的方式119，除了方式118的結構外，還採用如下結構：可動蓋部件可相對於罩蓋而沿圓周方向或中心軸線方向移動。
[方式120]
根據本發明的方式120，除了方式112至方式119中任一方式的結構外，還採用如下結構：包含在與擦光台之間的空間形成氣幕的氣幕形成機構。
[方式121]
根據本發明的方式121，除了方式120的結構外，還採用如下結構：清洗液停止噴射的期間，也停止形成氣幕。
[方式122]
根據本發明的方式122，除了方式112至方式121中任一方式的結構外， 還採用如下結構：包含在修整件的周圍形成局部排氣狀態的局部排氣形成機構。
[方式123]
根據本發明的方式123，除了方式112至方式122中任一方式的結構外，還採用如下結構：清洗液，是包含從由DIW、藥液、漿料構成的組中選擇的至少任一種液體或該液體與壓縮空氣的混合流體。
[方式124]
根據本發明的方式124，除了方式123的結構外，還採用如下結構：所述各種液體的供給可切換。
[方式125]
根據本發明的方式125，除了方式112至方式124中任一方式的結構外，還採用如下結構：與所述高壓清洗流體一起使用超聲波清洗流體。
[方式126]
根據本發明的方式126，除了方式112至方式125中任一方式的結構外，還採用如下結構：所述清洗液是高壓清洗流體。
[方式127]
根據本發明的方式127，是一種擦光處理組件，包括：方式112至方式 126中任一方式的修正部；對晶圓進行保持的擦光台；以及對擦光墊進行保持並對晶圓進行擦光處理的擦光頭，該擦光處理組件採用如下結構：在所述修整件與擦光台之間固定地設有用於防止所述清洗液飛散的罩蓋的情況下，所述擦光頭可沿所述修整件的旋轉軸線的方向或所述晶圓的旋轉軸線的方向移動，所述擦光頭在移動至比所述罩蓋高的位置的狀態下，可在所述修正部與所述擦光台之間進行移動。
[方式128]
根據本發明的方式128，除了方式127的結構外，還採用如下結構：在擦光台的周圍的至少一部分具有擦光台罩蓋。
[方式129]
根據本發明的方式129，除了方式127或方式128的結構外，還採用如下結構：包含從擦光台的上方產生下降氣流的下降氣流產生機構。
[方式130]
根據本發明的方式130，是一種基板處理裝置，採用如下結構：具有方式112至方式126中任一方式的修正部。
[方式131]
根據本發明的方式131，是一種基板處理裝置，採用如下結構：具有方式127至方式129中任一方式的擦光處理組件。
[方式132]
根據本發明的方式132，是一種修整沖洗方法，在修正部中對修整件進行清洗，該修正部具有用於對基板處理裝置的擦光墊進行修整的修整件，該修整沖洗方法採用如下結構：具有向修整件噴射清洗液而進行清洗的修整件清洗機構，將修整件的表面設為比與修整件相鄰配置的擦光台低的位置，從修整件清洗機構向修整件噴射清洗液。
[方式133]
根據本發明的方式133，除了方式132的結構外，還採用如下結構：清洗液向修整件的噴射，與對在擦光台上的基板的處理並行進行。
[方式134]
根據本發明的方式134，除了方式132或方式133的結構外，還採用如下結構：在修整件的周圍或擦光台的周圍的至少一部分設有規定的罩蓋，當使擦光墊在擦光台與修整件之間移動時，使接觸避免機構動作，避免擦光墊與罩蓋的接觸。
[方式135]
根據本發明的方式135，除了方式132至方式134中任一方式的結構外，還採用如下結構：在向修整件噴射清洗液的同時，進行如下動作中的至少任一種動作：在擦光台與修整件之間形成氣幕；在修整件的周圍形成局部 排氣狀態；以及從擦光台的上方形成下降氣流。
[方式136]
根據本發明的方式136，是一種修正部，具有用於對基板處理裝置的擦光墊進行修整的修整件，該修正部採用如下結構：還具有向所述修整件噴射清洗液而進行清洗的修整件清洗機構，在所述修整件和與所述修整件相鄰配置的擦光台之間，具有用於防止所述清洗液飛散的罩蓋。
[方式137]
根據本發明的方式137，是一種修正部，具有用於對基板處理裝置的擦光墊進行修整的修整件，該修正部採用如下結構：還具有向所述修整件噴射清洗液而進行清洗的修整件清洗機構，所述修整件清洗機構向離開所述擦光台的方向噴射所述清洗液。
[方式138]
根據本發明的方式138，提供一種修正裝置，用於對擦光處理所使用的擦光墊進行修正。該修正裝置具有：底板，該底板構成為可旋轉；第1修正部，該第1修正部設在底板的設置區域內；以及第2修正部，該第2修正部設在底板的設置區域內，且修正特性不同於第1修正部。
採用方式138的修正裝置，在一個底板的設置空間內，可利用第1修正部和第2修正部而進行二種的修正。因此，與設置具有單一種修正功能的複數個修正裝置的情況相比，可節省修正裝置用的設置空間。而 且，在對擦光墊進行二種修正的情況下，由於不必使擦光墊在二個修正裝置間移動，因此，可縮短擦光墊的修正所需的時間。對擦光墊進行的修正的種類，也可是三個以上。另外，複數個種類的修正既可同時進行，也可依次進行。
[方式139]
根據本發明的方式139，在方式138中，第1修正部具有相互隔著間隔的複數個塊，在複數個塊之間設置第2修正部。採用這種方式，可容易在底板的設置區域內設置第1修正部和第2修正部。因此，容易製造修正裝置。
[方式140]
根據本發明的方式140，在方式138中，第1修正部形成有孔、溝槽及缺口中的至少一個。在孔、溝槽及缺口中的至少一個上設置第2修正部。採用這種方式，可在底板的設置區域內較佳地形成第1修正部和第2修正部。孔既可是貫通孔，也可是不貫通的孔。
[方式141]
根據本發明的方式141，在方式138至方式140中任一方式中，第2修正部具有刷子、和噴射噴管中的至少一方。採用這種方式，可利用刷毛及流體噴射中的至少一方而較佳地對擦光墊進行修正。
[方式142]
根據本發明的方式142，在方式141中，第2修正部具有複數個噴射噴管。採用這種方式，容易在擦光墊的整個面上進行修正。
[方式143]
根據本發明的方式143，在方式142中，在底板的內部形成有共同的供給道，該供給道用於將流體供給到複數個噴射噴管。採用這種方式，由於可簡化流體的供給道的結構，因此，可將修正裝置小型化。或者，可容易進行修正裝置的製造和維護保養。
[方式144]
根據本發明的方式144，在方式141至方式143中任一方式中，在第1修正部形成有在表背方向上貫通第1修正部的貫通孔。貫通孔發揮噴射噴管的功能。採用這種方式，由於第1修正部的貫通孔發揮第2修正部的功能，因此，可將修正裝置的結構簡單化。
[方式145]
根據本發明的方式145，在方式141至方式143中任一方式中，在第1修正部形成有在表背方向上貫通第1修正部的貫通孔。噴射噴管配置在貫通孔內。採用這種方式，通過在底板上設置噴射噴管，以噴射噴管被收納在貫通孔內的方式將第1修正部安裝於底板，從而可製造修正裝置。因此，製造變得容易。
[方式146]
根據本發明的方式146，在方式142及方式143和具有方式142的方式144及方式145的任何一個中，複數個噴射噴管構成為，在用於進行修正的規定位置配置有擦光墊的情況下，在複數個噴射噴管與配置在規定位置的擦光墊之間，複數個噴射噴管的各自的噴射範圍相互不重複。採用這種方式，可防止從複數個噴射噴管噴射的流體互相碰撞、該流體施加於擦光墊的壓力產生下降的現象。因此，可防止該碰撞所帶來的修正功能的下降。
[方式147]
根據本發明的方式147，在方式142、方式143及方式146的方式和具有方式142的方式144及方式145的任何一方式中，複數個噴射噴管配置成，其半徑方向的位置互相不同。採用這種方式，當第1及第2修正部隨著底板的旋轉而旋轉時，複數個噴射噴管就各自配置在不同的旋轉軌跡上。因此，可利用較少數量的噴射噴管對擦光墊的整個面進行修正。換言之，通過避免在同一旋轉軌跡上設置複數個噴射噴管的狀態，從而可減少噴射噴管的數量。
[方式148]
根據本發明的方式148，在方式147中，複數個噴射噴管構成為，流體的噴射量互相不同。採用這種方式，可進行自由度更高的修正。例如，在半徑方向上相對配置在外側的噴射噴管，相比於相對配置在內側的噴射噴管，由於要進行修正的面積大，因此，與其對應地，通過將配置在外側的 噴射噴管的噴射量作成大於配置在內側的噴射噴管，可實現單位面積的流體的向擦光墊的碰撞流量分佈的平衡。
[方式149]
根據本發明的方式149，在方式138至方式148中任一方式中，第1修正部由金剛石、陶瓷或刷子形成。採用這種方式，可利用第1修正部而較佳地對擦光墊進行修正。
[方式150]
根據本發明的方式150，提供一種擦光處理裝置，具有方式138至方式149中任一方式的修正裝置。採用這種擦光處理裝置，獲得與方式138至方式149中任一方式相同的效果。
[方式151]
根據本發明的方式151，提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置具有：化學機械研磨裝置；以及第13方式的擦光處理裝置，即對由化學機械研磨裝置處理後的基板進行後處理用的擦光處理裝置。採用這種基板處理裝置，獲得與方式138至方式149中任一方式相同的效果。
[方式152]
根據本發明的方式152，提供一種修整件，用於對擦光處理所使用的擦光墊進行修正。該修整件形成有孔、溝槽及缺口中的至少一個。這種修整 件可用於140方式的修正裝置。
[方式153]
根據本發明的方式153，提供一種修正方法，用於對擦光處理所使用的擦光墊進行修正。該方法具有如下工序：同時使用第1區域和第2區域，而對擦光墊同時進行二種修正，第1區域用於進行擦光墊的修正，第2區域用於進行修正特性不同於第1區域的修正。採用這種方法，獲得與方式138相同的效果。而且，可縮短修正所需的時間。
[方式154]
根據本發明的方式154，提供一種修正方法，用於對擦光處理所使用的擦光墊進行修正。該方法具有如下工序：第2區域和第1區域準備修正裝置的工序，修正裝置形成在底板的設置區域內，第2區域設有修正用的噴射噴管，第1區域利用不同於第2區域的方法而進行修正；第1修正工序，該第1修正工序利用第1區域而進行擦光墊的修正；第2修正工序，該第2修正工序在第1工序之前或之後，在底板與擦光墊的距離離開第1工序中的底板與擦光墊的距離的狀態下，利用第2區域而進行擦光墊的修正。採用這種方法，獲得與第1方式138相同的效果。特別是，在第1工序之後實施第2工序的情況下，在擦光墊與第1修正部之間形成有空隙的狀態下，由於流體從噴射噴管噴射，因此，容易將第1工序及第2工序中所產生的修正屑排出到外部。
300A‧‧‧擦光處理組件
400‧‧‧擦光台
402‧‧‧支承面
404‧‧‧開口部
410‧‧‧流體通道
450‧‧‧襯墊材料
480‧‧‧升降銷
500‧‧‧擦光頭
502‧‧‧擦光墊
600‧‧‧擦光臂
650‧‧‧清洗臂
652‧‧‧清洗頭
654‧‧‧清洗部件
656‧‧‧輥形海綿
680‧‧‧噴霧器清洗機
682‧‧‧超聲波清洗機
684‧‧‧氣蝕射流清洗機
710‧‧‧純水噴管
714‧‧‧純水供給源
720‧‧‧第1藥液噴管
720-2‧‧‧第2藥液噴管
724‧‧‧第1藥液供給源
724-2‧‧‧第2藥液供給源
3-300‧‧‧擦光處理室
3-300A‧‧‧上側擦光處理組件
3-300B‧‧‧下側擦光處理組件
3-400‧‧‧擦光台
3-500‧‧‧擦光頭
3-502‧‧‧擦光墊
3-503‧‧‧液體流出口
3-600‧‧‧擦光臂
3-601‧‧‧旋轉軸
3-800‧‧‧修正部
3-810‧‧‧修整台
3-820、3-820A、3-820B‧‧‧修整件
3-821A、3-821B‧‧‧修整件溝槽
3-910‧‧‧擦光頭罩蓋
3-960‧‧‧刷子清洗機構
3-963‧‧‧主體部
3-965‧‧‧液體流通道
3-967‧‧‧液體噴出口
3-970‧‧‧台座
3-1000‧‧‧基板處理裝置
4-300‧‧‧擦光處理室
4-300A‧‧‧上側擦光處理組件
4-300B‧‧‧下側擦光處理組件
4-400‧‧‧擦光台
4-500‧‧‧擦光頭
4-502‧‧‧擦光墊
4-600‧‧‧擦光臂
4-601‧‧‧旋轉軸
4-800‧‧‧修正部
4-810‧‧‧修整台
4-820‧‧‧修整件
4-830‧‧‧擦光墊清洗機構
4-840‧‧‧修整件清洗機構
4-910‧‧‧擦光頭罩蓋
4-920‧‧‧固定罩蓋
4-921‧‧‧缺口
4-950、4-951A、4-951B‧‧‧噴霧器(清洗機構)
4-951a‧‧‧噴霧器的旋轉軸
4-951b‧‧‧工作缸
4-953‧‧‧無用空間
4-955‧‧‧罩蓋
4-1000‧‧‧基板處理裝置
5-300‧‧‧擦光處理室
5-300A‧‧‧上側擦光處理組件
5-300B‧‧‧下側擦光處理組件
5-400‧‧‧擦光台
5-500‧‧‧擦光頭
5-502‧‧‧擦光墊
5-600‧‧‧擦光臂
5-601‧‧‧旋轉軸
5-800‧‧‧修正部
5-810‧‧‧修整台
5-820‧‧‧修整件
5-830‧‧‧擦光墊清洗機構
5-840‧‧‧修整件清洗機構
5-850‧‧‧修整件罩蓋
5-851‧‧‧傾斜部
5-853‧‧‧工作缸
5-860‧‧‧修整件罩蓋
5-861‧‧‧缺口
5-861a‧‧‧缺口的下端部
5-870‧‧‧修整件罩蓋
5-871‧‧‧缺口
5-873‧‧‧可動蓋部件
5-880‧‧‧修整件罩蓋
5-891‧‧‧氣幕形成機構
5-891a‧‧‧氣幕
5-893‧‧‧局部排氣形成機構
5-893a‧‧‧局部排氣
5-893b‧‧‧吸引口
5-895‧‧‧下降氣流形成機構
5-895a‧‧‧下降氣流
5-900‧‧‧擦光台罩蓋
5-910‧‧‧擦光頭罩蓋
5-920‧‧‧固定罩蓋
5-921‧‧‧缺口
5-1000‧‧‧基板處理裝置
6-1‧‧‧殼體
6-2‧‧‧裝載/卸載單元
6-1a、6-1b‧‧‧分隔壁
6-3、6-3A、6-3B、6-3C、6-3D‧‧‧研磨單元
6-4‧‧‧清洗單元
6-5‧‧‧控制裝置
6-6、6-7‧‧‧線性輸送機
6-10‧‧‧研磨墊
6-11‧‧‧升降器
6-12‧‧‧擺動式輸送機
6-20‧‧‧前裝載部
6-21‧‧‧行走機構
6-22‧‧‧搬送機器人
6-30A、6-30B、6-30C、6-30D‧‧‧研磨台
6-31A、6-31B、6-31C、6-31D‧‧‧頂環
6-32A、6-32B、6-32C、6-32D‧‧‧研磨液供給噴管
6-33A、6-33B、6-33C、6-33D‧‧‧修整件
6-34A、6-34B、6-34C、6-34D‧‧‧噴霧器
6-36‧‧‧頂環旋轉軸
6-180‧‧‧臨時放置台
6-190‧‧‧輥形清洗室
6-191‧‧‧第1搬送室
6-192‧‧‧筆形清洗室
6-193‧‧‧第2搬送室
6-194‧‧‧乾燥室
6-195‧‧‧第3搬送室
6-201A、6-201B‧‧‧輥形清洗組件
6-202A、6-202B‧‧‧筆形清洗組件
6-203、6-204‧‧‧臨時放置台
6-205A、6-205B‧‧‧乾燥組件
6-207‧‧‧過濾器風扇單元
6-209、6-210、6-213‧‧‧搬送機器人
6-211‧‧‧支承軸
6-300‧‧‧擦光處理室
6-300A‧‧‧上側擦光處理組件
6-300B‧‧‧下側擦光處理組件
6-400‧‧‧擦光台
6-500‧‧‧擦光頭
6-502‧‧‧擦光墊
6-504‧‧‧旋轉軸
6-506‧‧‧內部供給管線
6-580‧‧‧修正部
6-600‧‧‧擦光臂
6-700‧‧‧液供給系統
6-710‧‧‧純水外部噴管
6-712‧‧‧純水配管
6-712a‧‧‧分支純水配管
6-714‧‧‧分支供給源
6-716‧‧‧開閉閥
6-718‧‧‧開閉閥
6-720‧‧‧藥液外部噴管
6-722‧‧‧藥液配管
6-722a‧‧‧分支藥液配管
6-724‧‧‧藥液供給源
6-726‧‧‧開閉閥
6-728‧‧‧開閉閥
6-730‧‧‧漿料外部噴管
6-732‧‧‧漿料配管
6-732a‧‧‧分支漿料配管
6-734‧‧‧漿料供給源
6-736‧‧‧開閉閥
6-740‧‧‧液供給配管
6-800、6-800a、6-800b、6-800c‧‧‧修正部
6-810、6-810a‧‧‧底板
6-811‧‧‧水套
6-820、6-820b‧‧‧修整件
6-821~6-824‧‧‧修整件塊
6-825‧‧‧溝槽
6-825b‧‧‧貫通孔
6-826b‧‧‧溝槽
6-830‧‧‧噴射噴管
6-830a‧‧‧刷子
6-830c‧‧‧噴射噴管
6-1000‧‧‧基板處理裝置
L‧‧‧擦光臂的擺動中心
W‧‧‧晶圓
圖1是表示本發明一實施方式的、擦光處理組件的概略結構的示圖。
圖2是表示在安裝有晶圓W的狀態下對支承面進行清洗的擦光處理組件的狀態的示圖。
圖3是表示本發明一實施方式的、擦光台及襯墊材料的剖視圖。
圖4(a)是表示本發明一實施方式的、使用了擦光墊的擦光台的支承面的清洗的俯視圖。
圖4(b)是表示本發明一實施方式的、擦光墊及清洗部件的示圖。
圖4(c)是表示本發明一實施方式的、擦光墊及清洗部件的示圖。
圖5是表示本發明一實施方式的、另一臂進行的擦光台的支承面的清洗的俯視圖。
圖6是表示本發明一實施方式的、使用了輥形海綿的擦光台的支承面的清洗的俯視圖。
圖7是表示本發明一實施方式的、使用了噴霧器清洗機的擦光台的支承面的清洗的側視圖。
圖8是表示本發明一實施方式的、使用了超聲波清洗機的擦光台的支承面的清洗的側視圖。
圖9是表示本發明一實施方式的、使用了氣蝕射流清洗機的擦光台的支承面的清洗的側視圖。
圖10是表示使用純水(DIW)對擦光台的支承面進行清洗時的各結構要素的時間圖的示圖。
圖11是表示使用藥液對擦光台的支承面進行清洗時的各結構要素的時間圖的示圖。
圖12是表示使用非接觸式清洗機對擦光台的支承面進行清洗時的各結構要素的時間圖的示圖。
圖13是表示使用擦光墊對擦光台的支承面進行清洗時的各結構要素的時間圖的示圖。
圖14是表示使用擦光墊及純水的沖洗(rinse)清洗對擦光台的支承面進行清洗時的各結構要素的時間圖的示圖。
圖15是表示使用擦光墊、純水的沖洗清洗、非接觸式清洗機對擦光台的支承面進行清洗時的各結構要素的時間圖的示圖。
圖16是表示本實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。
圖17是示意表示研磨單元的立體圖。
圖18(a)是清洗單元的俯視圖，圖18(b)是清洗單元的側視圖。
圖19是表示上側擦光處理組件的概略結構的示圖。
圖20是用於說明擦光台與修整台的位置關係及擦光臂的擺動的示圖。
圖21是表示圖20所公開的擦光台與修整台中的處理加工的示圖。
圖22是表示圖21所公開的處理加工的對擦光台、修整台及擦光頭的動作進行說明的示圖。
圖23是用於說明擦光墊的清洗的示圖，圖23(A)表示擦光墊由修整件按壓的狀態，圖23(B)是表示形成於修整件的修整件溝槽的形狀的俯視圖，圖23(C)是表示不同形狀的修整件溝槽的俯視圖。
圖24表示具有刷子清洗機構的擦光處理組件，圖24(A)是整體概要圖，圖24(B)是刷子清洗機構的詳細圖。
圖25是表示設在修整台的近旁的台座和刷子清洗機構的示圖，圖25(A) 表示俯視圖，圖25(B)表示將一部分剖視後的側視圖。
圖26是表示設於擦光頭的擦光頭罩蓋的示圖。
圖27是表示本實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。
圖28是示意表示研磨單元的立體圖。
圖29(a)是清洗單元的俯視圖，圖29(b)是清洗單元的側視圖。
圖30是表示上側擦光處理組件的概略結構的示圖。
圖31是表示配置在擦光臂的擺動範圍的擦光台、修整件及噴霧器的位置關係的示圖。
圖32是表示圖31所公開的擦光處理組件中的處理加工的示圖。
圖33是說明圖32所公開的處理加工的說明擦光台、修整台、擦光頭及噴霧器的動作的示圖。
圖34是用於說明噴霧器為可動式的情況下的無用空間(dead space)減少的示圖，圖34(A)表示將噴霧器配置在與修整件的位置不同的位置的例子，圖34(B)表示可將噴霧器移動到修整件的上方的例子。
圖35是表示可動式的噴霧器與飛散防止用的罩蓋的示圖，圖35(A)表示俯視圖，圖35(B)表示左側視圖。
圖36是表示具有擦光臂的下表面清洗的功能的、可動式的噴霧器與飛散防止用的罩蓋的另一實施方式的示圖，圖36(A)表示俯視圖，圖36(B)表示左側視圖，圖36(C)表示在圖36(B)中從箭頭C方向看到的擦光臂。
圖37是表示罩蓋的另一例子的示圖，圖37(A)表示設於擦光頭的擦光頭罩蓋，圖37(B)是表示固定配置於修正部的固定罩蓋。
圖38是表示在研磨單元上設有噴霧器的情況的示圖，圖38(A)是包含研 磨墊的整體概要的俯視圖，圖38(B)是噴霧器和擦光墊的側視圖。
圖39是表示本實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。
圖40是示意表示研磨單元的立體圖。
圖41(a)是清洗單元的俯視圖，圖41(b)是清洗單元的側視圖。
圖42是表示上側擦光處理組件的概略結構的示圖。
圖43是用於說明擦光台與修整台的位置關係及擦光臂的擺動的示圖。
圖44是表示圖43所公開的擦光台與修整台中的處理加工的示圖。
圖45是表示圖44所公開的處理加工的說明擦光台、修整台及擦光頭的動作的示圖。
圖46是表示在比擦光台低的位置配置有修整件的實施方式的示圖。
圖47是表示用於防止晶圓污染的另一結構例子的示圖，圖47(A)是對清洗液的噴射方向作了設計後的例子，圖47(B)是在修整件的周圍設有修整件罩蓋的例子。
圖48是表示在圖47(B)所公開的修整罩蓋中、修整件罩蓋自身具有進一步的特徵的實施方式的示圖，圖48(A)是修整件罩蓋的側視圖，圖48(B)表示擦光墊即將進入修整件罩蓋的內部的示圖，圖48(C)表示擦光墊完全進入修整件罩蓋的內部的狀態。
圖49是表示具有缺口和可動蓋部件的修整件罩蓋的示圖，圖49(A-1)、(A-2)是缺口由可動蓋部件關閉的狀態的俯視圖和側視圖，圖49(B-1)、(B-2)是可動蓋部件向下方移動後狀態的俯視圖和側視圖，圖49(C-1)、(C-2)是可動蓋部件向圓周方向移動後狀態的俯視圖和側視圖。
圖50是用於說明擦光頭向上下方向移動，並避免與修整件罩蓋接觸的 情況的結構的示圖。
圖51是用於說明形成於擦光台及修整台之間的氣幕、形成在修整台的周圍的局部排氣狀態及來自擦光台上方的下降氣流的示意圖。
圖52是表示在擦光台的周圍設有擦光台罩蓋的例子的示圖。
圖53是表示設於擦光頭的擦光頭罩蓋的示圖。
圖54是表示作為本發明一實施例的基板處理裝置的整體結構的概略俯視圖。
圖55是示意表示研磨單元的立體圖。
圖56A是清洗單元的概略俯視圖。
圖56B是清洗單元的概略側視圖。
圖57是表示擦光處理組件的概略結構的示圖。
圖58是表示擦光頭的內部構造的概略圖。
圖59A是表示修正裝置的結構的概略俯視圖。
圖59B是表示修正裝置的結構的概略局部剖視圖。
圖59C是表示作為變形例的修正裝置的結構的概略局部剖視圖。
圖60是表示作為變形例的修正裝置的結構的概略俯視圖。
圖61是表示作為變形例的修正裝置的結構的概略俯視圖。
圖62是表示擦光處理及擦光墊的修正順序的一例子的說明圖。
以下，參照圖式的圖1~圖15來說明本發明的基板處理裝置即擦光處理裝置的實施方式。在圖式中，對於相同或類似的元件，標註類似的元件符號，在各實施方式的說明中有時省略有關相同或類似的元件的 重複說明。另外，在各實施方式中表示的特徵，只要不互相矛盾，也可適用於其它的實施方式。
圖1是表示一實施方式的擦光處理裝置的概略結構的示圖。圖1所示的擦光處理裝置可構成為對半導體晶圓等的基板進行研磨處理的CMP裝置的一部分或CMP裝置內的一個單元。作為一例子，擦光處理裝置可裝入具有研磨單元、清洗單元及基板的搬送機構的CMP裝置，擦光處理裝置可在CMP裝置內的主研磨之後用於精處理。
在本說明書中，所謂的擦光處理，包含擦光研磨處理和擦光清洗處理的至少一方。
所謂的擦光研磨處理是如下處理：使擦光墊與基板接觸，同時使基板和擦光墊相對運動，通過將漿料夾在基板與擦光墊之間而對基板的處理面進行研磨去除。擦光研磨處理是如下處理：可對基板施加比在用海綿材料(例如聚乙烯醇(PVA)海綿材料)等而利用物理的作用對基板進行清洗的情況下施加於基板的物理性作用力更強的物理性作用力。因此，作為擦光墊，可使用：例如將發泡聚氨酯和無紡布層疊後的墊，具體來說是在市場可購買到的IC1000(商標)/SUBA(註冊商標)系；和絨面革狀的多孔性聚氨酯非纖維質墊，具體來說是在市場可購買到的POLITEX(註冊商標)等。利用擦光研磨處理，可實現：去除附著有擦傷等損傷或污染物的表層部；補充去除不能用主要研磨單元中的主研磨進行去除的部位；或者主研磨後的、微小區域的凹凸和在基板整體上的膜厚分佈這種表面波度(Morphology)的改善。
所謂的擦光清洗處理是如下處理：使擦光墊與基板接觸，同時使基板和擦光墊相對運動，通過將清洗處理液(藥液，或藥液與純水)夾在 基板與擦光墊之間而將基板表面的污染物去除，或將處理面改性。擦光清洗處理是如下處理：可對基板施加比在用海綿材料等利用物理的作用而對基板進行清洗的情況下施加於基板的物理性作用力強的物理性作用力。因此，作為擦光墊，可使用上述的IC1000(商標)/SUBA(註冊商標)系、和POLITEX(註冊商標)等。此外，在本發明的擦光處理裝置中，也可將PVA海綿用作為擦光墊。
圖1是概略表示一實施方式的、安裝有晶圓W(基板)的狀態的擦光處理組件300A的結構的示圖。如圖1所示，一實施方式的擦光處理組件300A具有：擦光台400，該擦光台400設置晶圓W；擦光頭500，該擦光頭500安裝有用於對晶圓W的處理面進行擦光處理的擦光墊502；擦光臂600，該擦光臂600對擦光頭500進行保持；液供給系統700，該液供給系統700用於供給各種處理液；以及修正部800，該修正部800用於進行擦光墊502的修正(修整)。
擦光處理組件300A可進行上述的擦光研磨處理及/或擦光清洗處理。另外，擦光處理組件300A在圖2所示的安裝有晶圓W的狀態下，也可用於對擦光台400的支承面402進行清洗，詳細如後述。另外，為了後述的清洗，也可替代擦光處理用的擦光墊502，而將清洗用的刷子或海綿材料安裝於擦光頭500。
擦光台400具有對晶圓W進行支承用的支承面402。支承面402具有用於吸附晶圓W的流體通道410(參照圖3)的開口404。流體通道410與未圖示的真空源連接，可真空吸附晶圓W。晶圓W也可借助襯墊材料450(參照圖3)而吸附於擦光台400。襯墊材料450例如可由具有彈性的發泡聚 氨酯形成。襯墊材料450作為擦光台400與晶圓W之間的緩衝材料，可防止損傷晶圓W，或可緩和擦光台400的表面凹凸對擦光處理的影響。襯墊材料450可利用粘接帶安裝於擦光台400的表面。襯墊材料450可利用公知的材料，可使用在與擦光台400的開口部402對應的位置設有貫通孔452的結構(參照圖3)。
另外，在本說明書中，在晶圓W借助襯墊材料450而安裝於擦光台400的情況下，安裝有襯墊材料450的狀態下的襯墊材料450的表面成為對晶圓W進行支承的「支承面」，在不借助襯墊材料450而將晶圓W直接吸附於擦光台400的情況下，擦光台的表面成為對晶圓W進行支承的「支承面」。以下，在僅稱為「支承面」或「擦光台的支承面」的情況下，就是包含該兩者的情況。
此外，擦光台400具有升降銷480(參照圖3)來作為擦光台400上的搬送機構，該升降銷480接受由未圖示的搬送機器人搬送的晶圓W，並用於載放擦光台400的晶圓W。升降銷480沿擦光台400的外周配置複數個，升降銷480利用未圖示的機構而進行伸縮。升降銷480在升降銷480突出的狀態下對晶圓W的外周部進行支承並接受，然後，升降銷480後退而將晶圓W載放於擦光台400的支承面402。擦光處理結束後，升降銷480突出並對晶圓W的外周部進行支承並提起，搬送機器人將晶圓W從下捧起。
另外，擦光台400利用未圖示的驅動機構而可繞旋轉軸A旋轉。擦光頭500構成為可上升下降。擦光墊502安裝在擦光頭500的與晶圓W相對的面。擦光墊502利用擦光頭500的下降而被按壓在保持於擦光台400的支承面402的晶圓W上。擦光臂600可使擦光頭500繞旋轉軸B旋轉，並可使 擦光頭500如箭頭C所示地沿晶圓W的徑向擺動。另外，擦光臂600可使擦光頭500擺動直至擦光墊502與修正部800相對的位置。
液供給系統700具有用於將純水(DIW)供給到晶圓W的處理面的純水噴管710。純水噴管710借助純水配管712而與純水供給源714連接。在純水噴管712上設置可對純水配管712進行開閉的開閉閥716。通過使用未圖示的控制裝置對開閉閥716的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水供給到晶圓W的處理面或擦光台400的對晶圓W進行支承用的支承面402。
純水噴管710可在擦光台400的支承面402的面內方向(xy平面的面內方向)變更朝向(擺動)。代替或補充來說，純水噴管710可在垂直於擦光台400的支承面402的面內方向(zx平面的面內方向)變更朝向(傾斜)。此外，代替或補充來說，純水噴管710可在垂直於擦光台400的支承面402的方向(z方向)變更位置。對純水噴管710的朝向及位置進行變更用的機構可以是任意的。
另外，液供給系統700具有用於將藥液(Chemi)供給到晶圓W的處理面的第1藥液噴管720。第1藥液噴管720在擦光清洗處理或擦光研磨處理後的藥液清洗中，將藥液供給到晶圓W表面。第1藥液噴管720借助藥液配管722而與第1藥液供給源724連接。在藥液配管722上設置可對藥液配管722進行開閉的開閉閥726。通過使用未圖示的控制裝置對開閉閥726的開閉進行控制，從而可在任意的時間將藥液供給到晶圓W的處理面或擦光台400的對晶圓W進行支承用的支承面402。
第1藥液噴管720可在擦光台400的支承面402的面內方向(xy 平面的面內方向)變更朝向(擺動)。代替或補充來說，第1藥液噴管720可在垂直於擦光台400的支承面402的面內方向(zx平面的面內方向)變更朝向(傾斜)。此外，代替或補充來說，第1藥液噴管720可在垂直於擦光台400的支承面402的方向(z方向)變更位置。對第1藥液噴管720的朝向及位置進行變更用的機構可以是任意的。
補充來說，液供給系統700具有第2藥液噴管720-2，用於將藥液供給到對擦光台400的晶圓W進行支承用的支承面402。第2藥液噴管720-2在對支承面402進行清洗時，將藥液吹附到支承面402。第2藥液噴管720-2借助藥液配管722-2而與第2藥液供給源724-2連接。在藥液配管722-2上設置可對藥液配管722-2進行開閉的開閉閥726-2。通過使用未圖示的控制裝置對開閉閥726-2的開閉進行控制，從而可在任意的時間將藥液供給到支承面402。
第2藥液噴管720-2與第1藥液噴管720相同，可變更噴管的朝向及/或高度。
由第1藥液噴管720-2供給的藥液，可使用不同於由第1藥液噴管720供給的藥液，或者也可使用相同的藥液。在使用相同的藥液的情況下，可省略第2藥液噴管720-2及與其對應的配管等。
圖示的實施方式的擦光處理組件300A能夠借助擦光臂600、擦光頭500及擦光墊502而將純水、藥液或漿料選擇性地供給到晶圓W的處理面或擦光台400的對晶圓W進行支承用的支承面420。
即，分支純水配管712a從純水配管712中的純水供給源714與開閉閥716之間分支。另外，分支藥液配管722a從藥液配管722中的第1藥 液供給源724與開閉閥726之間分支。分支純水配管712a、分支藥液配管722a及與漿料供給源734連接的漿料配管732在液供給配管740合流。在分支純水配管712a上設置可對分支純水配管712a進行開閉的開閉閥718。在分支藥液配管722a上設置可對分支藥液配管722a進行開閉的開閉閥728。在漿料配管732上設置可對漿料配管732進行開閉的開閉閥736。
液供給配管740的第1端部與分支純水配管712a、分支藥液配管722a及漿料配管732這三個系統的配管連接。液供給配管740通過擦光臂600的內部、擦光頭500的中央及擦光墊502的中央而延伸。液供給配管740的第2端部向晶圓W的處理面或擦光台400的對晶圓W進行支承用的支承面402開口。未圖示的控制裝置通過對開閉閥718、開閉閥728及開閉閥736的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水、藥液、漿料中的任一種或它們的任意組合的混合液供給到晶圓W的處理面或擦光台400的對晶圓W進行支承用的支承面402。
圖示的實施方式的擦光處理組件300A借助液供給配管740而將處理液供給到晶圓W，並使擦光台400繞旋轉軸A旋轉，將擦光墊502按壓到晶圓W的處理面，使擦光頭500繞旋轉軸B旋轉同時向箭頭C方向擺動，從而可對晶圓W進行擦光處理。
圖1所示的修正部800是用於對擦光墊502的表面進行修正的部件。修正部800具有：修整台810；以及設置於修整台810的修整件820。修整台810可利用未圖示的驅動機構而繞旋轉軸D旋轉。修整件820由金剛石修整件、刷子修整件或它們的組合而形成。
擦光處理組件300A在對擦光墊502進行修正時，使擦光臂 600回旋，直至擦光墊502處於與修整件820相對的位置(參照圖2)。擦光處理組件300A，通過使修整台810繞旋轉軸D旋轉並使擦光頭500旋轉，將擦光墊502按壓到修整件820，從而對擦光墊502進行修正。
在圖示的實施方式中，可包含至少局部包圍擦光台400的罩蓋470，以防止在擦光墊502的修正中等、異物飛散到擦光台400上的晶圓W對晶圓W或支承面402產生污染(參照圖3)。圖3的罩蓋470沿圓周方向包圍擦光台400。另外，罩蓋470可變更高度。
圖2表示晶圓W的擦光處理結束、晶圓W被從擦光台400取出後對用於支承擦光台400的晶圓W的支承面402進行清洗的狀況。在圖2所示的例子中，當清洗支承面402時，在修正部800中進行擦光墊502的修正。或者，當清洗支承面402時，擦光頭500也可處於離開擦光台400的支承面402的上升位置。
當清洗支承面402時，將藥液從與第2藥液供給源724-2連接的第2藥液噴管720-2吹附到支承面402而清洗支承面402。通過使用藥液，可更有效地清洗附著於支承面402的磨料和研磨生成物。然後，從純水噴管710將純水供給到支承面402，進一步清洗支承面402。
第2藥液噴管720-2與第1藥液噴管720相同，可使朝向或位置變化，可使供給藥液的位置變化同時清洗支承面402。
由第2藥液噴管720-2供給的藥液可使用不同於由第1藥液噴管720供給的藥液。或者，也可使用相同的藥液。在使用第2藥液噴管720-2和第1藥液噴管720相同的藥液的情況下，可省略第2藥液噴管720-2。
圖3是概略表示安裝有襯墊材料450的擦光台400剖面的示 圖。擦光台400如前所述，具有用於使支承面402真空吸附晶圓W的流體通道410。該流體通道410，還可與用於使晶圓W裝卸的氮源744、可在清洗擦光台400的支承面402時任意選擇利用的純水供給源714及第2藥液供給源724-2(在省略第2藥液供給源724-2及第2藥液噴管720-2的情況下，是第1藥液供給源724)連接。在從擦光台400上裝卸晶圓W時，也可從純水供給源714供給純水，也可供給純水和氮的混合物。在將純水、藥液及氮氣供給到擦光台400的流體通道410的配管上，分別設置開閉閥750、752、754。通過使用未圖示的控制裝置對開閉閥750、752、754的開閉進行控制，從而可在任意的時間使純水、藥液及氮氣通過擦光台400的流體通道410而供給到支承面402。
在擦光台400的清洗過程中，通過從流體通道410供給純水及/或藥液，從而可防止在清洗過程中異物混入擦光台400的內部，可提高清洗效率。這裡，作為對流體通道410進行清洗用的藥液，使用了與用於清洗擦光台400的支承面402的藥液相同的藥液，但也可使用分別不同的藥液。
如圖4(a)所示，也可使用於擦光處理的擦光墊502旋轉同時與支承面402接觸而清洗支承面402。由此，可對支承面402上的異物施加物理的力而將其去除。在該情況下，也可將用於清洗支承面402的第2藥液供給源724-2連接於圖1所示的液供給系統700的液供給配管740。如圖4(b)及圖4(c)所示，也可做成如下結構：在擦光頭500的中心安裝擦光處理用的擦光墊502，在其外周安裝用於清洗支承面402的清洗部件654，且可分別獨立地上升下降。圖4(b)表示擦光處理時的狀態，擦光墊502相對於清洗部件654而突出。圖4(c)表示清洗時的狀態，清洗部件654相對於擦光墊502而突出。 清洗部件654例如是刷子或海綿材料。由此，使用相同的擦光臂600，而可使僅用於清洗支承面402的清洗部件654與支承面402接觸並對其進行操作。當對支承面402施加物理的力同時進行清洗時，可同時從純水噴管710供給純水來進行，或同時通過液供給管740供給純水或藥液來進行，或同時從第2藥液噴管720-2供給藥液來進行，或者將它們任意組合來進行。
作為本案揭露的一實施方式，擦光處理組件300A可具有：與安裝擦光墊502的擦光臂600不同的用於清洗擦光台400的支承面402的專用的清洗臂650；清洗頭652；以及清洗部件654(參照圖5)。清洗臂650、清洗頭652及清洗部件654可分別形成為與擦光臂600、擦光頭500及擦光墊502類似的結構，另外，既可以是也可以不是能夠借助清洗臂650、清洗頭652及清洗部件654而將純水及/或藥液選擇性地供給到擦光台400的支承面402。
清洗部件654可形成為與擦光墊502相同的結構。另外，作為清洗部件654，也可使用刷子或海綿材料。
作為本案揭露的一實施方式，擦光處理組件300A具有對擦光台400的支承面402進行清洗用的輥形海綿656(參照圖6)。輥形海綿656構成為，與擦光台400的支承面402接觸同時旋轉，以對支承面402進行清洗。為了使輥形海綿656沿著擦光台400的支承面402移動、旋轉，而可利用任意的機構。
作為本案揭露的一實施方式，擦光處理組件300A可具有如下部件中的至少一個(圖7、圖8、圖9)：用於對擦光台400的支承面402進行清洗的噴霧器清洗機680；超聲波清洗機682；以及氣蝕射流清洗機684。這些非接觸清洗機680、682、684對如下情況等是有效的：在使用擦光墊502和海綿材料等的接觸式的清洗中有可能對襯墊材料450帶來損傷的情況；在 利用純水及藥液進行的清洗中難以去除異物的情況；在藥液及接觸式的清洗組合中難以去除異物的情況；對鑽進襯墊材料450的凹部等的異物進行去除的情況；以及對附著於進入擦光台400附近的搬送機構部(例如升降銷480)的異物進行去除的情況。
如圖7所示，噴霧器清洗機680將高壓的純水及氣體噴射到擦光台400的支承面402而對支承面402進行清洗。使用噴霧器清洗機680可使用公知的噴霧器清洗機等任意的噴霧器清洗機。
如圖8所示，超聲波清洗機682將超聲波適用於擦光台400的支承面402而將附著在支承面402上的異物等去除。超聲波清洗機682可使用公知的超聲波清洗機等任意的超聲波清洗機。
如圖9所示，氣蝕射流清洗機684將高壓水和低壓水施加給擦光台400的支承面402而將附著在支承面402上的異物等去除。氣蝕射流清洗機684可使用公知的氣蝕射流清洗機等任意的氣蝕射流清洗機。
至此，說明了擦光台400的支承面402的清洗，即利用純水、藥液、擦光墊502或擦光清洗專用的清洗部件654的物理接觸、或利用非接觸清洗機680、682、684對支承面402進行的清洗，但也可利用這些構件進行擦光台400的搬送機構(例如升降銷480)的清洗。
以下，作為本案揭露的實施方式，說明利用了擦光處理組件300A的、對支承擦光台400的晶圓W的支承面402記性清洗的處理。
圖10表示使用純水(DIW)而對擦光台400的支承面402進行清洗時的各結構要素的時間圖。在該圖中，橫軸是時間軸，表示「擦光處理」、對擦光處理結束後的基板進行移送的「基板卸載」、對擦光台400的支承面402進行 清洗的「清洗」、以及在支承面402的清洗後對下一基板進行擦光處理用的「基板裝載」的各階段。該圖的縱軸列舉有各結構要素，且表示各自的動作。
如圖10所示，擦光處理中，擦光台400進行旋轉，擦光臂600從晶圓W的中心向外側擺動並進行擦光處理(參照圖1等)。擦光處理中，基板(晶圓W)被真空吸附於擦光台400的支承面402。擦光處理的詳細情況，由於不是本案揭露的主題，因此省略說明。
當擦光處理結束時，擦光台400結束旋轉，為了釋放晶圓W，從流體通路410供給氮氣，再利用升降銷480而將晶圓W抬起。被釋放的晶圓W利用基板搬送機器人而被移動到下一處理階段。
當基板被卸載時，擦光台400的支承面402被清洗。圖10表示使用了純水(DIW)進行清洗的例子。清洗過程中，使擦光台400旋轉，同時從純水噴管710將純水供給到支承面402的中心(參照圖中的「DIW沖洗」)。由於擦光台400旋轉，因此，利用離心力而從支承面402的中心向外側形成純水的流動，因此，異物被沖走。此時，變更純水噴管710的朝向和高度而從支承面402的中心向外側供給純水，可更有效地形成從支承面402的中心向外側的流動而將異物沖走(參照圖10中的「沖洗噴管移動(擺動、傾斜、高度」)。另外，清洗過程中，通過借助擦光台400的流體通道410而將純水供給到支承面402(參照圖中的「基板解放DIW」)，來防止異物混入擦光台400的內部。另外，擦光台400的旋轉速度可設為50~1000min-1，較佳為100~200min-1。但是，為了儘量利用離心力將異物從擦光台400的支承面402去除，也可使用比500min-1以上或1000min-1以上等更高的旋轉速度。
圖10表示僅使用純水(DIW)進行清洗的例子，但圖10中的粗線所圍起的部分可根據清洗的內容而進行任意變更。另外，根據清洗的內容，擦光處理組件300A不必具有上述的全部結構。例如，在僅使用圖10的純水進行清洗的情況下，也可不是通過擦光頭500而供給純水及/或藥液的結構。另外，在圖10所示的例子中，也可沒有噴霧器清洗機680、超聲波清洗機682及氣蝕射流清洗機684。
圖11表示使用藥液對擦光台400的支承面402進行清洗時的時間圖的一例子。在本例中，清洗過程中，使擦光台400旋轉同時將藥液從第2藥液噴管720-2供給到支承面402。第2藥液噴管720-2在與圖10的例子相同地變更朝向和高度而從支承面402的中央向外側供給藥液時，可有效地進行清洗。在清洗的最後階段，停止從第2藥液噴管720-2供給藥液，將純水從純水噴管710供給到支承面402，由此用純水沖刷藥液。在圖11的例子中，在清洗的最初和最後，通過流體通道410而從支承面402的下方供給純水。在清洗的最初將純水注入到流體通道410內並用純水充滿流體通道410內，由此來防止異物進入到流體通道410內。清洗的中間階段，中止純水向流體通道410內的注入，防止對支承面402進行清洗的藥液被稀釋。在清洗的最後，再將純水注入到流體通道410內而最終沖刷流體通道內的異物。另外，也可將藥液從第2藥液供給源724-2注入到流體通道410內，對流體通道410內進行清洗。
使用了藥液的擦光台400的支承面402的清洗所使用的藥液的種類可根據用途而使用任意的藥液。例如，在沖刷殘留於支承面402的垃圾和有機物的情況下，通過使用氨過氧化氫溶液等鹼性藥液，利用零電 位的作用而可去除支承面402的粒子。另外，通過使用表面活性劑對支承面進行親水化處理，從而可抑制異物的附著。
在要從支承面402去除的異物是銅、鐵、鋁等的金屬離子的情況下，可通過使用酸性藥液、檸檬酸及草酸和添加劑而利用螯合作用來防止金屬離子等的再附著。
在圖11所示的例子中，也與圖10的例子相同，也可沒有通過擦光頭500而供給純水及/或藥液用的結構、噴霧器清洗機680、超聲波清洗機682及氣蝕射流清洗機684。
圖12表示使用噴霧器清洗機680、超聲波清洗機682或氣蝕射流清洗機684對支承面進行清洗時的時間圖的一例子。在本例中，清洗過程中，使擦光台400旋轉，同時利用噴霧器清洗機680、超聲波清洗機682或氣蝕射流清洗機684對擦光台400的支承面402進行清洗。清洗過程中，超聲波清洗機682或氣蝕射流清洗機684也可從支承面402的中心向外周擺動(用圖12的虛線表示)。另一方面，如噴霧器清洗機680那樣，在具有支承面402的整體(支承面402的半徑部分)的清洗範圍的情況下，由於通過使擦光台400旋轉而可對支承面402的整個面進行清洗，因此，不需要擺動(用圖12的實線表示)。在圖示的例子中，在清洗的最後階段，停止由噴霧器清洗機680、超聲波清洗機682或氣蝕射流清洗機684進行的清洗，將純水從純水噴管710供給到支承面402並對支承面402進行沖洗。清洗過程中，通過借助擦光台400的流體通道410而將純水供給到支承面402，來防止異物混入擦光台400的內部。
圖13表示使用擦光墊502對擦光台400的支承面402進行清洗 時的時間圖的一例子。在本例中，通過使擦光台400旋轉，同時將擦光頭502按壓到支承面402，且使擦光頭500旋轉，同時使其從支承面402的中心向外側擺動(參照圖13的「擦光臂位置」)而進行清洗(參照圖4)。此時，對開閉閥718、728進行適當控制而可通過擦光頭500及擦光墊502而將純水及/或藥液供給到支承面402。在使用藥液的情況下，可使用與圖11一起說明的藥液等任意的藥液。在圖13所示的例子中，在清洗的最後階段將純水從純水噴管710供給到支承面402而對支承面402進行沖洗。另外，清洗過程中，通過借助擦光台400的流體通道410而將純水供給到支承面402，來防止異物混入擦光台400的內部。但清洗結束時，在下一基板被裝載在支承面402的期間，擦光墊502被移動到修整件820並進行修正以進行下一基板的擦光處理。
在圖13所示的例子中，雖然說明了利用擦光處理所使用的擦光墊502而對擦光台400的支承面402進行清洗的情況，但是，也可將與擦光處理所使用的擦光墊502不同的專用的清洗部件、刷子或海綿材料安裝於擦光頭500來進行清洗。另外，在圖13所示的例子中，雖然說明了使用擦光臂600、擦光頭500及擦光墊502來進行清洗的情況，但是，也可使用具有與它們類似的構造的專用的清洗臂650、清洗頭652及清洗部件654(包含刷子、海綿材料)來清洗支承面402(參照圖5)。
圖14表示將使用了圖10所示的純水的清洗和使用圖13所示的擦光墊502的清洗組合後的情況下的時間圖的一例子。在本例的清洗中，從擦光墊502供給純水或藥液，同時使擦光墊502從支承面402的中心向外側擺動而接觸式地清洗支承面402(參照圖4)，此外，遵循擦光墊502那樣對純水噴管710進行操作而從支承面402的中心向外側將純水供給到支承面 402，對接觸清洗後的部分進行連續沖刷。在圖14的例子中，將擦光墊502從支承面402的中心向外側的擺動、及來自純水噴管710的純水從支承面402的中心向外側供給的時間錯開並反復三次，但反復的次數可是任意的。另外，與其它例子相同，清洗過程中，通過借助擦光台400的流體通道410而將純水供給到支承面402，來防止異物混入擦光台400的內部。在圖14的例子中，作為純水噴管710進行的清洗，也可是使用第2藥液噴管720-2的藥液清洗。
另外，在圖14所示的例子中，說明了利用擦光處理所使用的擦光墊502來清洗支承面402的情況，但是，也可將與擦光處理所使用的擦光墊502不同的專用的清洗部件、刷子或海綿材料安裝於擦光頭500來進行清洗。另外，在圖14所示的例子中，雖然說明了使用擦光臂600、擦光頭500及擦光墊502來進行清洗的情況，但是，也可使用具有與它們類似的構造的專用的清洗臂650、清洗頭652及清洗部件654(包含刷子、海綿材料)來清洗支承面402(參照圖5)。
圖15表示將由純水、非接觸清洗機(噴霧器清洗機680、超聲波清洗機682、氣蝕射流清洗機684等)、及擦光頭502進行的接觸式清洗組合後的時間圖。在圖示的例子中，由純水噴管710供給純水的位置、非接觸清洗機680、682、684的位置、擦光頭502的位置在時間上錯開並互相遵循的狀態。在圖示的例子中，首先，由非接觸式清洗機680、682、684進行清洗，使異物上浮，接著由擦光頭502進行接觸式清洗，掃出該異物，最後由純水洗刷異物等。另外，在圖15的例子中，作為上述的順序，不限定於上述，也可任意選擇順序。與其它例子相同，清洗過程中，通過借助擦光台400的 流體通道410而將純水供給到支承面402，來防止異物混入擦光台400的內部。
另外，在圖15所示的例子中，雖然說明了使用擦光處理所用的擦光墊502來清洗支承面402的情況，但是，也可將與擦光處理所用的擦光墊502不同的專用的清洗部件、刷子或海綿材料安裝於擦光頭500來進行清洗。另外，在圖15所示的例子中，雖然說明了使用擦光臂600、擦光頭500及擦光墊502來進行清洗的情況，但是，也可使用具有與它們類似的構造的專用的清洗臂650、清洗頭652及清洗部件654(包含刷子、海綿材料)來清洗支承面402(參照圖5)。
如上所述，參照圖1~圖15說明了具有對擦光台的支承面進行清洗的功能的擦光處理裝置及清洗方法，但是，本發明並不限於上述的實施方式。另外，只要上述的實施方式的各自的特徵互相不矛盾就可進行組合或更換。例如，在上述的實施方式中，圖示說明了擦光台為水平、支承面為鉛垂向上的結構，但是，也可形成為擦光台的支承面朝向水平方向而配置的擦光處理裝置。在上述的實施方式中，雖然說明了可將用於清洗擦光台400的支承面402的專用的擦光墊代替擦光處理用的擦光墊502而安裝於擦光頭502的情況，但是，也可以構成為，將清洗專用的擦光墊或刷子、海綿材料安裝在擦光臂600的其他部位。
以下，根據圖16~圖26，來說明本申請案發明一實施方式的基板處理裝置及修正部。
<基板處理裝置>
圖16是表示本發明一實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。 如圖16所示，基板處理裝置(CMP裝置)3-1000，具有大致矩形的殼體(housing)3-1。殼體3-1的內部，利用分隔壁3-1a、3-1b劃分為：裝載/卸載單元3-2；研磨單元3-3；以及清洗單元3-4。裝載/卸載單元3-2、研磨單元3-3及清洗單元3-4分別獨立裝配，獨立排氣。另外，清洗單元3-4具有：將電源供給到基板處理裝置的電源供給部；以及對基板處理動作進行控制的控制裝置3-5。
<裝載/卸載單元>
裝載/卸載單元3-2具有載放對多個晶圓(基板)進行貯存的晶圓盒的二個以上(在本實施方式中為四個)前裝載部3-20。這些前裝載部3-20與殼體3-1相鄰配置，且沿基板處理裝置的寬度方向(與長度方向垂直的方向)排列。在前裝載部3-20上可搭載開放式匣盒(open cassette)、SMIF(Standard Manufacturing Interface：標準製造接口)盒、或FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)，這裡，SMIF及FOUP是內部收納晶圓盒、通過由分隔壁覆蓋而可保證與外部空間獨立的密閉空間。
另外，在裝載/卸載單元3-2上，沿前裝載部3-20的排列敷設行走機構3-21。在行走機構3-21上，設置可沿晶圓盒的排列方向移動的二台搬送機器人(裝載器、搬送機構)3-22。搬送機器人3-22能夠通過在行走機構3-21上移動而對搭載於前裝載部3-20的晶圓盒進行存取。各搬送機器人3-22在上下具有二個機械手。上側機械手在將已處理的晶圓返回到晶圓盒時使用。下側的機械手在從晶圓盒取出處理前的晶圓時使用。如此，可分別使用上下的機械手。此外，搬送機器人3-22的下側的機械手構成為，可使晶圓 翻轉。
由於裝載/卸載單元3-2是必需保持最清潔狀態的區域，因此，裝載/卸載單元3-2的內部始終被維持成比基板處理裝置外部、研磨單元3-3及清洗單元3-4都高的壓力。研磨單元3-3由於使用漿料作為研磨液故是最髒的區域。因此，研磨單元3-3的內部形成負壓，其壓力維持得比清洗單元3-4的內部壓力低。裝載/卸載單元3-2設有過濾器風扇單元(未圖示)，該過濾器風扇單元具有高效過濾器(HEPA：High Efficiency Particulate Air Filter)、超高效過濾器(ULPA：Ultra Low Penetration Air Filter)或化學過濾器等空氣濾清器。從過濾器風扇單元始終吹出被去除了粒子、有毒蒸氣或有毒氣體後的清潔空氣。
<研磨單元>
研磨單元3-3是對晶圓進行研磨(平坦化)的區域。研磨單元3-3具有：第1研磨單元3-3A、第2研磨單元3-3B、第3研磨單元3-3C及第4研磨單元3-3D。第1研磨單元3-3A、第2研磨單元3-3B、第3研磨單元3-3C及第4研磨單元3-3D如圖16所示，沿基板處理裝置的長度方向排列。
如圖16所示，第1研磨單元3-3A具有：研磨台3-30A，該研磨台3-30A安裝有具有研磨面的研磨墊3-10；頂環3-31A，該頂環3-31A用於對晶圓進行保持且將晶圓推壓到研磨台3-30A的研磨墊3-10上同時進行研磨；研磨液供給噴管3-32A，該研磨液供給噴管3-32A用於將研磨液或修整液(例如純水)供給到研磨墊3-10；修整件3-33A，該修整件3-33A用於對研磨墊3-10的研磨面進行修整；以及噴霧器3-34A，該噴霧器3-34A將液體(例如 純水)和氣體(例如氮氣)的混合流體或液體(例如純水)作成霧狀而噴射到研磨面。
同樣，第2研磨單元3-3B具有：研磨台3-30B；頂環3-31B；研磨液供給噴管3-32B；修整件3-33B；以及噴霧器3-34B。第3研磨單元3-3C具有：研磨台3-30C；頂環3-31C；研磨液供給噴管3-32C；修整件3-33C；以及噴霧器3-34C。第4研磨單元3-3D具有：研磨台3-30D；頂環3-31D；研磨液供給噴管3-32D；修整件3-33D；以及噴霧器3-34D。
第1研磨單元3-3A、第2研磨台3-3B、第3研磨單元3-3C及第4研磨台3-3D具有互相相同的結構，因此，以下僅說明第1研磨台3-3A。
圖17是示意表示第1研磨單元3-3A的立體圖。頂環3-31A支承在頂環旋轉軸3-36上。在研磨台3-30A的上表面貼附有研磨墊3-10。研磨塊3-10的上表面形成對晶圓W進行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨墊3-10而使用固定磨料。頂環3-31A及研磨台3-30A如圖箭頭所示，構成為繞其軸心旋轉。晶圓W利用真空吸附而被保持在頂環3-31A的下表面。研磨時，研磨液從研磨液供給噴管3-32A供給到研磨墊3-10的研磨面，作為研磨對象的晶圓利用頂環3-31A而被推壓到研磨面被研磨。
<搬送機構>
接著，說明對晶圓進行搬送用的搬送機構。如圖16所示，與第1研磨單元3-3A及第2研磨單元3-3B相鄰而配置有第1線性輸送機3-6。該第1線性輸送機3-6是在沿研磨單元3-3A、3-3B所排列的方向的四個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第1搬送位置3-TP1、第2搬送位置3-TP2、第3搬送位置 3-TP3及第4搬送位置3-TP4)之間對晶圓進行搬送的機構。
另外，與第3研磨單元3-3C及第4研磨單元3-3D相鄰而配置有第2線性輸送機3-7。該第2線性輸送機3-7是在沿研磨單元3-3C、3-3D所排列的方向的三個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第5搬送位置3-TP5、第6搬送位置3-TP6及第7搬送位置3-TP7)之間對晶圓進行搬送的機構。
晶圓由第1線性輸送機3-6搬送到研磨單元3-3A、3-3B。第1研磨單元3-3A的頂環3-31A利用頂環頭的擺動動作而在研磨位置與第2搬送位置3-TP2之間進行移動。因此，晶圓至頂環3-31A的交接在第2搬送位置3-TP2進行。同樣，第2研磨單元3-3B的頂環3-31B在研磨位置與第3搬送位置3-TP3之間進行移動。晶圓至頂環3-31B的交接在第3搬送位置3-TP3進行。第3研磨單元3-3C的頂環3-31C在研磨位置與第6搬送位置3-TP6之間進行移動。晶圓至頂環3-31C的交接在第6搬送位置3-TP6進行。第4研磨單元3-3D的頂環3-31D在研磨位置與第7搬送位置3-TP7之間進行移動。晶圓至頂環3-31D的交接在第7搬送位置3-TP7進行。
在第1搬送位置3-TP1，配置有用於從搬送機器人3-22接受晶圓的升降器3-11。晶圓借助該升降器3-11而從搬送機器人3-22被交接到第1線性輸送機3-6。在位於升降器3-11與搬送機器人3-22之間的分隔壁3-1a設有百葉門(shutter)(未圖示)。在搬送晶圓時百葉門打開，晶圓就從搬送機器人3-22被交接到升降器3-11。另外，在第1線性輸送機3-6、第2線性輸送機3-7與清洗單元3-4之間配置有擺動式輸送機3-12。該擺動式輸送機3-12具有可在第4搬送位置3-TP4與第5搬送位置3-TP5之間移動的機械手。晶圓從第1線 性輸送機3-6至第2線性輸送機3-7的交接，由擺動式輸送機3-12進行。晶圓由第2線性輸送機3-7搬送到第3研磨單元3-3C及/或第4研磨單元3-3D。另外，由研磨單元3-3研磨後的晶圓經由擺動式輸送機3-12而被搬送到清洗單元3-4。
<清洗單元>
圖18(a)是表示清洗單元3-4的俯視圖。圖18(b)是表示清洗單元3-4的側視圖。如圖18(a)及圖18(b)所示，清洗單元3-4被劃分為：輥形清洗室3-190；第1搬送室3-191；筆形清洗室3-192；第2搬送室3-193；乾燥室3-194；擦光處理室3-300；以及第3搬送室3-195。
在輥形清洗室3-190內，配置有沿縱向排列的上側輥形清洗組件3-201A及下側輥形清洗組件3-201B。上側輥形清洗組件3-201A配置在下側清洗清洗組件3-201B的上方。上側輥形清洗組件3-201A及下側輥形清洗組件3-201B，是通過將清洗液供給到晶圓的表背面，同時將旋轉的二個輥形海綿分別按壓到晶圓的表背面而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側輥形清洗組件3-201A與下側輥形清洗組件3-201B之間，設有晶圓的臨時放置台3-204。
在筆形清洗室3-192內，配置有沿縱向排列的上側筆形清洗組件3-202A及下側筆形清洗組件3-202B。上側筆形清洗組件3-202A配置在下側筆形清洗組件3-202B的上方。上側筆形清洗組件3-202A及下側筆形清洗組件3-202B，是通過將清洗液供給到晶圓的表面，同時將旋轉的筆形海綿按壓到晶圓的表面且向晶圓的徑向擺動而對晶圓進行清洗的清洗機。在 上側筆形清洗組件3-202A與下側筆形清洗組件3-202B之間，設有晶圓的臨時放置台3-203。
在乾燥室3-194內，配置有沿縱向排列的上側乾燥組件3-205A及下側乾燥組件3-205B。上側乾燥組件3-205A及下側乾燥組件3-205B互相離開。在上側乾燥組件3-205A及下側乾燥組件3-205B的上部，設有將清潔的空氣分別供給到乾燥組件3-205A、3-205B內的過濾器風扇單元3-207、3-207。
上側輥形清洗組件3-201A、下側輥形清洗組件3-201B、上側筆形清洗組件3-202A、下側筆形清洗組件3-202B、臨時放置台3-203、上側乾燥組件3-205A及下側乾燥組件3-205B，借助螺栓等而固定於未圖示的框架。
在第1搬送室3-191，配置可上下移動的第1搬送機器人(搬送機構)3-209。在第2搬送室3-193，配置可上下移動的第2搬送機器人3-210。在第3搬送室3-195，配置可上下移動的第3搬送機器人(搬送機構)3-213。第1搬送機器人3-209、第2搬送機器人3-210及第3搬送機器人3-213，分別移動自如地支承於沿縱向延伸的支承軸3-211、3-212、3-214。第1搬送機器人3-209、第2搬送機器人3-210及第3搬送機器人3-213在內部具有電動機等驅動機構，沿支承軸3-211、3-212、3-214上下移動自如。第1搬送機器人3-209與搬送機器人3-22相同，上下具有二層的機械手。第1搬送機器人3-209如圖18(a)的虛線所示，其下側的機械手配置在可對上述的臨時放置台3-180進行存取的位置。當第1搬送機器人3-209的下側的機械手對臨時放置台3-180進行存取時，設於分隔壁3-1b的百葉門(未圖示)就打開。
第1搬送機器人3-209動作成，在臨時放置台3-180、上側輥形清洗組件3-201A、下側輥形清洗組件3-201B、臨時放置台3-204、臨時放置台3-203、上側筆形清洗組件3-202A及下側筆形清洗組件3-202B之間對晶圓W進行搬送。當搬送清洗前的晶圓(附著有漿料的晶圓)時，第1搬送機器人3-209使用下側的機械手，當搬送清洗後的晶圓時，使用上側的機械手。
第2搬送機器人3-210動作成，在上側筆形清洗組件3-202A、下側筆形清洗組件3-202B、臨時放置台3-203、上側乾燥組件3-205A及下側乾燥組件3-205B之間對晶圓W進行搬送。由於第2搬送機器人3-210僅搬送清洗後的晶圓，因此僅具有一個機械手。圖16所示的搬送機器人3-22使用上側的機械手而從上側乾燥組件3-205A或下側乾燥組件3-205B取出晶圓，且將該晶圓返回到晶圓盒。當搬送機器人3-22的上側機械手對乾燥組件3-205A、3-205B進行存取時，設於分隔壁3-1a的百葉門(未圖示)就打開。
在擦光處理室3-300，具有上側擦光處理組件3-300A及下側擦光處理組件3-300B。第3搬送機器人3-213動作成，在上側輥形清洗組件3-201A、下側輥形清洗組件3-201B、臨時放置台3-204、上側擦光處理組件3-300A及下側擦光處理組件3-300B之間對晶圓W進行搬送。
另外，在本實施方式中，例示了如下例子：在清洗單元3-4內，從遠離裝載/卸載單元3-2的一方按順序排列配置擦光處理室3-300、輥形清洗室3-190以及筆形清洗室3-192，但並不限定於此。擦光處理室3-300、輥形清洗室3-190及筆形清洗室3-192的配置方式，可根據晶圓的質量及處理量等而適當選擇。以下，說明上側擦光處理組件3-300A及下側擦光處理組件3-300B。上側擦光處理組件3-300A及下側擦光處理組件3-300B是同樣的 結構，因此，僅說明上側擦光處理組件3-300A。
<擦光處理組件>
圖19是表示上側擦光處理組件3-300A的概略結構的示圖。如圖19所示，上側擦光處理組件3-300A具有：擦光台3-400，該擦光台3-400設置晶圓W；擦光頭3-500，該擦光頭3-500安裝有對晶圓W的處理面進行擦光處理用的擦光墊3-502；擦光臂3-600，該擦光臂3-600對擦光頭3-500進行保持；液供給系統3-700，該液供給系統3-700用於供給各種處理液；以及修正部3-800，該修正部3-800用於對擦光墊3-502進行修正(修整)。
擦光台3-400具有吸附晶圓W的機構。另外，擦光台3-400可利用未圖示的驅動機構而繞旋轉軸旋轉。擦光墊3-502安裝在擦光頭3-500的與晶圓W相對的面。擦光臂3-600使擦光頭3-500繞旋轉軸B旋轉，並可如箭頭C所示那樣將擦光頭3-500向晶圓W的徑向擺動。另外，擦光臂3-600可將擦光頭3-500擺動直至擦光墊3-502與修正部3-800相對的位置。
液供給系統3-700具有用於將純水(DIW)供給到晶圓W的處理面的純水噴管3-710。純水噴管3-710借助純水配管3-712而與純水供給源3-714連接。在純水配管3-712上，設置可對純水配管3-712進行開閉的開閉閥3-716。未圖示的控制裝置通過對開閉閥3-716的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水供給到晶圓W的處理面。
另外，液供給系統3-700具有用於將藥液(Chemi)供給到晶圓W的處理面的藥液噴管3-720。藥液噴管3-720借助藥液配管3-722而與藥液供給源3-724連接。在藥液配管3-722上設置可對藥液配管3-722進行開閉的 開閉閥3-726。控制裝置通過對開閉閥3-726的開閉進行控制，從而可在任意的時間將藥液供給到晶圓W的處理面。
上側擦光處理組件3-300A，借助擦光臂3-600、擦光頭3-500及擦光墊3-502而可將純水、藥液或漿料有選擇地供給到晶圓W的處理面。
即，分支純水配管3-712a從純水配管3-712中的純水供給源3-714與開閉閥3-716之間分支。另外，分支藥液配管3-722a從藥液配管3-722中的藥液供給源3-724與開閉閥3-726之間分支。分支純水配管3-712a、分支藥液配管3-722a及與漿料供給源3-734連接的漿料配管3-732在液供給配管3-740合流。在分支純水配管3-712a上，設置可對分支純水配管3-712a進行開閉的開閉閥3-718。在分支藥液配管3-722a上，設置可對分支藥液配管3-722a進行開閉的開閉閥3-728。在漿料配管3-732上，設置可對漿料配管3-732進行開閉的開閉閥3-736。
液供給配管3-740的第1端部與分支純水配管3-712a、分支藥液配管3-722a及漿料配管3-732這三個系統的配管連接。液供給配管3-740通過擦光臂3-600的內部、擦光頭3-500的中央及擦光墊3-500的中央而延伸。液供給配管3-740第2端部向晶圓W的處理面開口。控制裝置通過對開閉閥3-718、開閉閥3-728及開閉閥3-736的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水、藥液和漿料中的任何一種或它們的任意組合的混合液供給到晶圓W的處理面。
上側擦光處理組件3-300A借助液供給配管3-740而將處理液供給到晶圓W，並使擦光台3-400繞旋轉軸A旋轉，將擦光墊3-502按壓到晶圓W的處理面，且使擦光頭3-500繞旋轉軸B旋轉同時向箭頭C方向擺動，從 而可對晶圓W進行擦光處理。另外，本實施方式的擦光墊具有與處理對象即晶圓相比相當小的直徑。這是因為在擦光處理中能實現高的平坦性。
這裡，所謂的擦光處理包含擦光研磨處理和擦光清洗處理的至少一方。所謂的擦光研磨處理是如下處理：使擦光墊3-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊3-502相對運動，將漿料夾在晶圓W與擦光墊3-502之間，由此對晶圓W的處理面進行研磨去除。擦光研磨處理是如下處理：可對晶圓W施加比輥形清洗室3-190中由輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用力、及筆形清洗室3-192中由筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。利用擦光研磨處理，可實現：去除表層部所附著的擦傷等損傷或污染物；補充去除不能用研磨單元3-3中的主研磨進行去除的部位；或者主研磨後的、表面波度的改善。
另外，所謂的擦光清洗處理是如下處理：使擦光墊3-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊3-502相對運動，通過使清洗處理液(藥液，或藥液與純水)夾在晶圓W與擦光墊3-502之間而將晶圓W表面的污染物去除，或對處理面進行改性。擦光清洗處理是如下處理：可對晶圓W施加比在輥形清洗室3-190中由輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用、及筆形清洗室3-192中由筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。
修正部3-800用於對擦光墊3-502的表面進行修正。修正部3-800具有：修整台3-810；以及設置在修整台3-810上的修整件3-820。修整台3-810利用未圖示的驅動機構而可繞旋轉軸D旋轉。修整件3-820由金剛石修整件、刷子修整件或它們的組合而形成。
上側擦光處理組件3-300A在對擦光墊3-502進行修正時，使擦光臂3-600回旋直至擦光墊3-502與修整件3-820相對的位置。上側擦光處理組件3-300A使修整台3-810繞旋轉軸D旋轉，並也使擦光頭3-500旋轉，將擦光墊3-502按壓到修整件3-820，由此進行擦光墊3-502的修正。
<修正部>
下面，根據各種圖式，來說明修正部3-800及對擦光墊3-502的清洗處理中的具體加工。圖20表示對晶圓W進行保持的擦光台3-400、對用於修正擦光墊3-502的修整件3-820進行支承的修整件3-810。由這些修整件3-820及修整件台3-810和其它的結構要素形成修正部3-800。
修正部3-800與擦光台3-400相鄰配置，其位置與擦光臂3-600的擺動中心L有關，是與擦光台3-400大致相同的半徑位置。因此，在擦光臂3-600擺動(圖20中逆時針擺動)的情況下，擦光墊3-502就可被定位在修正部3-800中的修整件3-820的上方。在修正部3-800中，利用修整台3-810旋轉、且與擦光墊3-502的旋轉的複合作用，擦光墊3-502的表面就被修整處理。
另外，在擦光台3-400與修整台3-810之間，設有刷子清洗機構3-960。該刷子清洗機構3-960用於對擦光墊3-502的表面進行刷毛清洗。之所以在擦光台3-400與修整台3-810之間設置刷子清洗機構3-960，是因為此處成為擦光墊3-502利用擦光臂3-600的擺動而移動的路徑的緣故。刷子清洗機構3-960的具體構造及作用後述。
圖21及圖22是用於說明擦光清洗及與其相關的具體加工的示圖。圖21中，上方部分表示擦光台3-400的加工，下方部分表示修整台3-810 的加工。這些各加工同時並行進行。另外，圖中的圓標記表示擦光墊3-502的位置。例如，當擦光清洗處理時，擦光墊3-502位於擦光台3-400，在之後的墊沖洗處理時移動到修整台3-810。另外，在圖22中，擦光頭3-500的一部分為便於說明而作成剖視圖。另外，對於本實施方式中使用的擦光頭3-500，設置由半球狀的凹凸面構成的平衡環架(gimbal)機構，擦光頭3-500就可稍微進行搖頭。
首先，在擦光台3-400中對晶圓W進行擦光處理(步驟S3-11)。此時，不言而喻，擦光墊3-502位於擦光台3-400。在擦光清洗處理中，從液供給配管3-740供給擦光清洗用的處理液，且通過擦光臂及擦光頭旋轉軸3-601(參照圖20)的內部而供給到擦光墊3-502的中央部。與此同時，旋轉的擦光墊3-502在被按壓到晶圓W上的狀態下，擦光臂3-600進行擺動，對與擦光台3-400一起旋轉的晶圓W的表面進行清洗處理(參照圖22(A))。擦光墊3-502在下一加工中移動到修整件3-820的上方，以後進行修整相關處理，對此在後文中敘述。
在擦光台3-400中，進行晶圓沖洗處理(步驟S3-12)。該晶圓沖洗處理是利用DIW對晶圓W進行清洗的處理。當晶圓W的晶圓沖洗處理結束時，接著從擦光台3-400取出晶圓W(步驟S3-13)，並被搬送到下一工序。然後，擦光台3-400利用DIW而通過擦光台沖洗處理進行清洗(步驟S3-14)。由此，擦光台中的一系列的加工結束，引入接著處理用的新的晶圓W(步驟S3-15)，反復進行上述的各處理加工。
另一方面，在修整台3-810中，與上述加工並行地進行擦光墊3-502的修整處理。擦光清洗(步驟S3-11)所使用的擦光墊3-502(參照圖 22(A))移動到修整件3-820的上方。此時，擦光墊3-502朝向鉛垂下方。並且，清洗液(DIW)從配置在擦光墊3-502的斜下方的擦光墊清洗機構3-830噴射，擦光墊3-502的表面被進行墊沖洗處理(步驟S3-22)(參照圖22(B))。墊沖洗處理的期間，擦光墊3-502旋轉，整個面被均勻清洗。另外，作為用於清洗擦光墊的清洗液，也可使用使用超聲波清洗液。
接著，擦光頭3-500下降並與修整件3-820抵接，對擦光墊3-502進行修整處理(步驟S3-23)(參照圖22(C))。修整處理在處理液被供給到擦光墊3-502的中央部的狀態下進行。修整處理的期間，擦光墊3-502及修整件3-820一起旋轉。另外，修整處理在擦光墊3-502的旋轉中心和修整件3-820的旋轉中心錯開的狀態下進行。這是為了防止擦光墊3-502和修整件3-820的特定部位彼此持續產生滑動的的對策。
在進行了修整處理後，擦光頭3-500移動到刷子清洗機構的上方，修整處理後的擦光墊被進行擦刷處理(步驟S3-24)(參照圖22(D))。另外，修整處理(步驟S3-23)所使用的修整件3-820利用從設在其近旁的修整件清洗機構(未圖示)噴射的清洗液(DIW)而進行修整沖洗處理(步驟S3-21)。修整沖洗處理的期間，修整台3-810旋轉，可將修整件3-820的表面均勻清洗。
另外，在上述的說明中，說明了擦光墊3-502朝向鉛垂下方的情況，但本發明並不限定於此，即使是擦光墊3-502朝向鉛垂上方的情況、朝向水平方向的情況，也可適用本發明。
接著，根據圖23，來詳述修整處理(圖12步驟S3-23)時的擦光墊3-502的清洗。擦光墊3-502如上所述，利用修整處理而進行表面的修整(修整)。此時，擦光墊3-502被形成為與修整件的表面接觸的狀態。在擦光 墊的表面形成有從中心部向外周部連續的溝槽。並且，處理液從擦光墊3-502的中央部的處理液流出口3-503流出。流出的處理液利用因擦光墊3-502的旋轉所產生的離心力及排出壓力通過擦光墊3-502的溝槽而被排出到外部。因此，積蓄在溝槽內的堆積物也與處理液一起被排出到外部。除上述外，若以高壓使處理液流出，則處理液在溝槽的內部進行強力流動，可更有效地對溝槽的內部進行清洗。
形成於擦光墊的溝槽的形狀可考慮各種各樣。例如，將簡單的直線狀的溝槽沿圓周方向形成放射狀，或者也可形成螺旋狀的溝槽。另外，即使是形成格子狀的溝槽的情況下，只要該溝槽連續至擦光墊3-502的最外周部，則也可將堆積物排出到外部。另外，溝槽的截面形狀和剖面積不必沿其長度方向為一定。尤其，由於擦光墊3-502是高速旋轉的部件，因此，在對溝槽的構造不實施任何設計的情況下，處理液有時就在寬大範圍產生飛散。為了避免這種現象，在擦光墊3-502的最外周部近旁，對溝槽形成流量抑制部，順便說一下，在圖23(A)中，為便於說明，表示在擦光頭3-500的旋轉軸3-601的內部形成有處理液的流道、該處理液滯留於擦光墊3-502的中央部的處理液流出口3-503的狀態。並且，表示處理液液也滯留在擦光墊3-502與修整件3-820的邊界區域的狀態。
圖23(B)及圖23(C)表示形成於修整件3-820A、3-820B表面的修整件溝槽3-821A、3-821B。圖23(B)的修整件溝槽3-821A是放射狀的溝槽。採用這種放射狀的溝槽，處理液利用離心力而被順暢地排出。此時，從擦光墊3-502的溝槽剝離後的堆積物即使是較大的尺寸，也可容易通過修整件3-820A的修整件溝槽3-821A。因此，與僅用擦光墊3-502的溝槽來排出 堆積物的情況相比，可提高排出效果。
圖23(C)表示形成於修整件3-820B的螺旋狀的修整件溝槽3-821B。螺旋狀的修整件溝槽3-821B，通過適當設定旋轉方向和旋轉速度，有時相比於放射狀的修整件溝槽3-821A而提高堆積物的排出效果。另外，修整件溝槽也可是將放射狀的溝槽和螺旋狀的溝槽組合的構造。另外，在本實施方式中，每隔約10°的角度形成總計36條溝槽，但這是一例子，也可將溝槽的數量做得更少，也可做得更多。
圖24表示在修整台3-810的近旁設有刷子清洗機構3-960的實施方式。在圖24(A)中，刷子清洗機構3-960配置在擦光台3-400與修整台3-810之間的區域。因此，當擦光頭3-500及擦光墊3-502通過擦光台3-400與修整台3-810之間時，擦光墊3-502的表面就與刷子清洗機構3-960接觸(參照圖22(D))，擦光墊3-502的表面被進行刷子清洗。另外，刷子清洗機構有時會妨礙擦光墊3-502移動。因此，也可設置使刷子清洗機構升降、或使其從擦光墊的移動路徑沿水平方向退避的機構。本實施方式中，通過設置刷子清洗機構3-960而使用修整件3-820對擦光墊3-502進行清洗，此外，可利用刷子清洗機構3-960對擦光墊3-502進行清洗。其結果是，採用本實施方式，可強化擦光墊3-502的清洗力。
本實施方式的刷子清洗機構3-960只要是可將擦光墊3-502的至少半徑部分程度覆蓋的尺寸即可。這是因為擦光墊3-502自身進行旋轉，且擦光墊3-502旋轉一次就可與刷子清洗機構3-960接觸的緣故。但是，也可設定刷子清洗機構3-960的尺寸和位置，以使刷子清洗機構3-960覆蓋擦光墊3-502的直徑部分。
圖24(B)是刷子清洗機構3-960的詳細圖。如該圖所示，刷子清洗機構3-960具有：刷子部3-961；對該刷子部3-961進行支承的主體部3-963。並且，在主體部3-963的內部形成有液體流通道3-965。另外，在主體部3-963的上表面，形成有從刷子部3-961的間隙噴出液體用的液體噴出口3-967。並且，該液體噴出口3-967與液體流通道3-965連通。因此，當將高壓的液體供給到液體流通道3-965時，就從液體噴出口3-967噴出液體(清洗液)3-969。
另外，圖25表示在修整台3-810的近旁設置台座3-970、在該台座3-970上設有刷子清洗機構3-960的例子。如圖所示，台座3-970具有沿修整台3-810的外周部形成的圓弧狀的部分，並在規定的角度範圍內而接近修整台3-810。台座3-970的表面被定位成為修整件3-820的大致同一個面。這是因為在擦光頭3-500設有平衡環架機構、且當台座3-970和修整件3-820的高度不同時擦光頭3-500就產生傾斜的緣故。
並且，在該台座3-970上，固定有刷子清洗機構構件。刷子清洗機構3-960的刷子部3-961從台座3-970的表面突出，該刷子部與擦光墊3-502的表面接觸而對其進行刷子清洗。刷子清洗機構3-960作為一例子而在與修整台3-810的徑向平行的方向上延伸。在設有這種的刷子清洗機構3-960和台座3-970的情況下，擦光墊3-502也在擦光台3-400與修整台3-810之間進行移動，由此，擦光墊3-502的表面由刷子清洗機構3-960清洗。
接著，根據圖26，來說明飛散防止用的罩蓋的變形例。在圖26所示的例子中，在擦光頭3-500上安裝有擦光頭罩蓋3-910。即，在擦光頭3-500的規定部位設有開口向下方的、有底圓筒形狀的擦光頭罩蓋3-910。擦 光頭罩蓋3-910的尺寸及形狀被決定為，其下端部成為比修整件3-820的表面稍高的位置。另外，擦光頭罩蓋3-910的內徑比修整件3-820的直徑大。因此，從擦光墊3-502與修整件3-820的邊界流出的處理液即使因離心力而飛散，也會通過該擦光頭罩蓋3-910來防止飛散。尤其，由於擦光頭罩蓋3-910與擦光臂一起擺動，因此，可始終擋住從擦光墊及修整件飛散的處理液和清洗液。另外，擦光頭罩蓋3-910也兼用為利用刷子清洗機構3-960對擦光墊3-502的表面進行清洗時的清洗液飛散防止用的罩蓋。即，但利用刷子清洗機構3-960對擦光墊3-502的表面進行清洗時，從液體噴出口3-967噴出的液體(清洗液)3-969即使從擦光墊3-502飛散，也會通過擦光頭罩蓋3-910來防止飛散。
另外，在根據以上的圖16~圖26的實施方式的說明中，說明了各種的特徵。一併具有這些特徵的發明也是本申請案所設想的發明。但是另一方面，各特徵即使是分別單獨的，也有作為發明而成立的情況。因此，作為本發明的技術思想的範圍，不僅是上述各特徵單獨進行規定的範圍，而且，由這些特徵的任意組合所規定的範圍也是本發明的設想的範圍。
以下，根據圖27~圖38，來說明本申請案發明一實施方式的基板處理裝置及修正部。
<基板處理裝置>
圖27是表示本發明一實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。如圖27所示，基板處理裝置(CMP裝置)4-1000，具有大致矩形的殼體4-1。殼體4-1的內部，利用分隔壁4-1a、4-1b劃分為：裝載/卸載單元4-2；研磨單元4-3；以及清洗單元4-4。裝載/卸載單元4-2、研磨單元4-3及清洗單元4-4分別獨立裝配，獨立排氣。另外，清洗單元4-4具有：將電源供給到基板處 理裝置的電源供給部；以及對基板處理動作進行控制的控制裝置4-5。
<裝載/卸載單元>
裝載/卸載單元4-2具有載放對多個晶圓(基板)進行貯存的晶圓盒的二個以上(在本實施方式中為四個)前裝載部4-20。這些前裝載部4-20與殼體4-1相鄰配置，且沿基板處理裝置的寬度方向(與長度方向垂直的方向)排列。在前裝載部4-20上可搭載開放式匣盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：標準製造接口)盒、或FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)，這裡，SMIF及FOUP是內部收納晶圓盒、通過由分隔壁覆蓋而可保證與外部空間獨立的密閉空間。
另外，在裝載/卸載單元4-2上，沿前裝載部4-20的排列敷設行走機構4-21。在行走機構4-21上，設置可沿晶圓盒的排列方向移動的二台搬送機器人(裝載器、搬送機構)4-22。搬送機器人4-22能夠通過在行走機構4-21上移動而對搭載於前裝載部4-20的晶圓盒進行存取。各搬送機器人4-22在上下具有二個機械手。上側機械手在將已處理的晶圓返回到晶圓盒時使用。下側的機械手在從晶圓盒取出處理前的晶圓時使用。如此，可分別使用上下的機械手。此外，搬送機器人4-22的下側的機械手構成為，可使晶圓翻轉。
由於裝載/卸載單元4-2是必需保持最清潔狀態的區域，因此，裝載/卸載單元4-2的內部始終被維持成比基板處理裝置外部、研磨單元4-3及清洗單元4-4都高的壓力。研磨單元4-3由於使用漿料作為研磨液故是最髒的區域。因此，研磨單元4-3的內部形成負壓，其壓力維持得比清洗單 元4-4的內部壓力低。裝載/卸載單元4-2設有過濾器風扇單元(未圖示)，該過濾器風扇單元具有HEPA過濾器、ULPA過濾器或化學過濾器等空氣濾清器。從過濾器風扇單元始終吹出被去除了粒子、有毒蒸氣或有毒氣體後的清潔空氣。
<研磨單元>
研磨單元4-3是對晶圓進行研磨(平坦化)的區域。研磨單元4-3具有：第1研磨單元4-3A、第2研磨單元4-3B、第3研磨單元4-3C及第4研磨單元4-3D。第1研磨單元4-3A、第2研磨單元4-3B、第3研磨單元4-3C及第4研磨單元4-3D如圖27所示，沿基板處理裝置的長度方向排列。
如圖27所示，第1研磨單元4-3A具有：研磨台4-30A，該研磨台4-30A安裝有具有研磨面的研磨墊4-10；頂環4-31A，該頂環4-31A用於對晶圓進行保持且將晶圓推壓到研磨台4-30A的研磨墊4-10上同時進行研磨；研磨液供給噴管4-32A，該研磨液供給噴管4-32A用於將研磨液或修整液(例如純水)供給到研磨墊4-10；修整件4-33A，該修整件4-33A用於對研磨墊4-10的研磨面進行修整；以及噴霧器4-34A，該噴霧器4-34A將液體(例如純水)和氣體(例如氮氣)的混合流體或液體(例如純水)作成霧狀而噴射到研磨面。
同樣，第2研磨單元4-3B具有：研磨台4-30B；頂環4-31B；研磨液供給噴管4-32B；修整件4-33B；以及噴霧器4-34B。第3研磨單元4-3C具有：研磨台4-30C；頂環4-31C；研磨液供給噴管4-32C；修整件4-33C；以及噴霧器4-34C。第4研磨單元4-3D具有：研磨台4-30D；頂環4-31D；研 磨液供給噴管4-32D；修整件4-33D；以及噴霧器4-34D。
第1研磨單元4-3A、第2研磨台4-3B、第3研磨單元4-3C及第4研磨台4-3D具有互相相同的結構，因此，以下僅說明第1研磨台4-3A。
圖28是示意表示第1研磨單元4-3A的立體圖。頂環4-31A支承在頂環旋轉軸4-36上。在研磨台4-30A的上表面貼附有研磨墊4-10。研磨塊4-10的上表面形成對晶圓W進行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨墊4-10而使用固定磨料。頂環4-31A及研磨台4-30A如圖箭頭所示，構成為繞其軸心旋轉。晶圓W利用真空吸附而被保持在頂環4-31A的下表面。研磨時，研磨液從研磨液供給噴管4-32A供給到研磨墊4-10的研磨面，作為研磨對象的晶圓利用頂環4-31A而被推壓到研磨面被研磨。
<搬送機構>
接著，說明對晶圓進行搬送用的搬送機構。如圖27所示，與第1研磨單元4-3A及第2研磨單元4-3B相鄰而配置有第1線性輸送機4-6。該第1線性輸送機4-6是在沿研磨單元4-3A、4-3B所排列的方向的四個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第1搬送位置4-TP1、第2搬送位置4-TP2、第3搬送位置4-TP3及第4搬送位置4-TP4)之間對晶圓進行搬送的機構。
另外，與第3研磨單元4-3C及第4研磨單元4-3D相鄰而配置有第2線性輸送機4-7。該第2線性輸送機4-7是在沿研磨單元4-3C、4-3D所排列的方向的三個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第5搬送位置4-TP5、第6搬送位置4-TP6及第7搬送位置4-TP7)之間對晶圓進行搬送的機構。
晶圓由第1線性輸送機4-6搬送到研磨單元4-3A、4-3B。第1研磨單元4-3A的頂環4-31A利用頂環頭的擺動動作而在研磨位置與第2搬送位置4-TP2之間進行移動。因此，晶圓至頂環4-31A的交接在第2搬送位置4-TP2進行。同樣，第2研磨單元4-3B的頂環4-31B在研磨位置與第3搬送位置4-TP3之間進行移動。晶圓至頂環4-31B的交接在第3搬送位置4-TP3進行。第3研磨單元4-3C的頂環4-31C在研磨位置與第6搬送位置4-TP6之間進行移動。晶圓至頂環4-31C的交接在第6搬送位置4-TP6進行。第4研磨單元4-3D的頂環4-31D在研磨位置與第7搬送位置4-TP7之間進行移動。晶圓至頂環4-31D的交接在第7搬送位置4-TP7進行。
在第1搬送位置4-TP1，配置有用於從搬送機器人4-22接受晶圓的升降器4-11。晶圓借助該升降器4-11而從搬送機器人4-22被交接到第1線性輸送機4-6。在位於升降器4-11與搬送機器人4-22之間的分隔壁4-1a設有百葉門(未圖示)。在搬送晶圓時百葉門打開，晶圓就從搬送機器人4-22被交接到升降器4-11。另外，在第1線性輸送機4-6、第2線性輸送機4-7與清洗單元4-4之間配置有擺動式輸送機4-12。該擺動式輸送機4-12具有可在第4搬送位置4-TP4與第5搬送位置4-TP5之間移動的機械手。晶圓從第1線性輸送機4-6至第2線性輸送機4-7的交接，由擺動式輸送機4-12進行。晶圓由第2線性輸送機4-7搬送到第3研磨單元4-3C及/或第4研磨單元4-3D。另外，由研磨單元4-3研磨後的晶圓經由擺動式輸送機4-12而被搬送到清洗單元4-4。
<清洗單元>
圖29(a)是表示清洗單元4-4的俯視圖。圖29(b)是表示清洗單元4-4的側 視圖。如圖29(a)及圖29(b)所示，清洗單元4-4被劃分為：輥形清洗室4-190；第1搬送室4-191；筆形清洗室4-192；第2搬送室4-193；乾燥室4-194；擦光處理室4-300；以及第3搬送室4-195。
在輥形清洗室4-190內，配置有沿縱向排列的上側輥形清洗組件4-201A及下側輥形清洗組件4-201B。上側輥形清洗組件4-201A配置在下側清洗清洗組件4-201B的上方。上側輥形清洗組件4-201A及下側輥形清洗組件4-201B，是通過將清洗液供給到晶圓的表背面，同時將旋轉的二個輥形海綿分別按壓到晶圓的表背面而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側輥形清洗組件4-201A與下側輥形清洗組件4-201B之間，設有晶圓的臨時放置台4-204。
在筆形清洗室4-192內，配置有沿縱向排列的上側筆形清洗組件4-202A及下側筆形清洗組件4-202B。上側筆形清洗組件4-202A配置在下側筆形清洗組件4-202B的上方。上側筆形清洗組件4-202A及下側筆形清洗組件4-202B，是通過將清洗液供給到晶圓的表面，同時將旋轉的筆形海綿按壓到晶圓的表面且向晶圓的徑向擺動而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側筆形清洗組件4-202A與下側筆形清洗組件4-202B之間，設有晶圓的臨時放置台4-203。
在乾燥室4-194內，配置有沿縱向排列的上側乾燥組件4-205A及下側乾燥組件4-205B。上側乾燥組件4-205A及下側乾燥組件4-205B互相離開。在上側乾燥組件4-205A及下側乾燥組件4-205B的上部，設有將清潔的空氣分別供給到乾燥組件4-205A、4-205B內的過濾器風扇單元4-207、4-207。
上側輥形清洗組件4-201A、下側輥形清洗組件4-201B、上側筆形清洗組件4-202A、下側筆形清洗組件4-202B、臨時放置台4-203、上側乾燥組件4-205A及下側乾燥組件4-205B，借助螺栓等而固定於未圖示的框架。
在第1搬送室4-191，配置可上下移動的第1搬送機器人(搬送機構)4-209。在第2搬送室4-193，配置可上下移動的第2搬送機器人4-210。在第3搬送室4-195，配置可上下移動的第3搬送機器人(搬送機構)4-213。第1搬送機器人4-209、第2搬送機器人4-210及第3搬送機器人4-213，分別移動自如地支承於沿縱向延伸的支承軸4-211、4-212、4-214。第1搬送機器人4-209、第2搬送機器人4-210及第3搬送機器人4-213在內部具有電動機等驅動機構，沿支承軸4-211、4-212、4-214上下移動自如。第1搬送機器人4-209與搬送機器人4-22相同，上下具有二層的機械手。第1搬送機器人4-209如圖29(a)的虛線所示，其下側的機械手配置在可對上述的臨時放置台4-180進行存取的位置。當第1搬送機器人4-209的下側的機械手對臨時放置台4-180進行存取時，設於分隔壁4-1b的百葉門(未圖示)就打開。
第1搬送機器人4-209動作成，在臨時放置台4-180、上側輥形清洗組件4-201A、下側輥形清洗組件4-201B、臨時放置台4-204、臨時放置台4-203、上側筆形清洗組件4-202A及下側筆形清洗組件4-202B之間對晶圓W進行搬送。當搬送清洗前的晶圓(附著有漿料的晶圓)時，第1搬送機器人4-209使用下側的機械手，當搬送清洗後的晶圓時，使用上側的機械手。
第2搬送機器人4-210動作成，在上側筆形清洗組件4-202A、下側筆形清洗組件4-202B、臨時放置台4-203、上側乾燥組件4-205A及下側 乾燥組件4-205B之間對晶圓W進行搬送。由於第2搬送機器人4-210僅搬送清洗後的晶圓，因此僅具有一個機械手。圖27所示的搬送機器人4-22使用上側的機械手而從上側乾燥組件4-205A或下側乾燥組件4-205B取出晶圓，且將該晶圓返回到晶圓盒。當搬送機器人4-22的上側機械手對乾燥組件4-205A、4-205B進行存取時，設於分隔壁4-1a的百葉門(未圖示)就打開。
在擦光處理室4-300，具有上側擦光處理組件4-300A及下側擦光處理組件4-300B。第3搬送機器人4-213動作成，在上側輥形清洗組件4-201A、下側輥形清洗組件4-201B、臨時放置台4-204、上側擦光處理組件4-300A及下側擦光處理組件4-300B之間對晶圓W進行搬送。
另外，在本實施方式中，例示了如下例子：在清洗單元4-4內，從遠離裝載/卸載單元4-2的一方按順序排列配置擦光處理室4-300、輥形清洗室4-190以及筆形清洗室4-192，但並不限定於此。擦光處理室4-300、輥形清洗室4-190及筆形清洗室4-192的配置方式，可根據晶圓的質量及處理量等而適當選擇。以下，說明上側擦光處理組件4-300A及下側擦光處理組件4-300B。上側擦光處理組件4-300A及下側擦光處理組件4-300B是同樣的結構，因此，僅說明上側擦光處理組件4-300A。
<擦光處理組件>
圖30是表示上側擦光處理組件4-300A的概略結構的示圖。如圖30所示，上側擦光處理組件4-300A具有：擦光台4-400，該擦光台4-400設置晶圓W；擦光頭4-500，該擦光頭4-500安裝有對晶圓W的處理面進行擦光處理用的擦光墊4-502；擦光臂4-600，該擦光臂4-600對擦光頭4-500進行保持；液 供給系統4-700，該液供給系統4-700用於供給各種處理液；以及修正部4-800，該修正部4-800用於對擦光墊4-502進行修正(修整)。
擦光台4-400具有吸附晶圓W的機構。另外，擦光台4-400可利用未圖示的驅動機構而繞旋轉軸旋轉。擦光墊4-502安裝在擦光頭4-500的與晶圓W相對的面。擦光臂4-600使擦光頭4-500繞旋轉軸B旋轉，並可如箭頭C所示那樣將擦光頭4-500向晶圓W的徑向擺動。另外，擦光臂4-600可將擦光頭4-500擺動直至擦光墊4-502與修正部4-800相對的位置。
液供給系統4-700具有用於將純水(DIW)供給到晶圓W的處理面的純水噴管4-710。純水噴管4-710借助純水配管4-712而與純水供給源4-714連接。在純水配管4-712上，設置可對純水配管4-712進行開閉的開閉閥4-716。未圖示的控制裝置通過對開閉閥4-716的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水供給到晶圓W的處理面。
另外，液供給系統4-700具有用於將藥液(Chemi)供給到晶圓W的處理面的藥液噴管4-720。藥液噴管4-720借助藥液配管4-722而與藥液供給源4-724連接。在藥液配管4-722上設置可對藥液配管4-722進行開閉的開閉閥4-726。控制裝置通過對開閉閥4-726的開閉進行控制，從而可在任意的時間將藥液供給到晶圓W的處理面。
上側擦光處理組件4-300A，借助擦光臂4-600、擦光頭4-500及擦光墊4-502而可將純水、藥液或漿料有選擇地供給到晶圓W的處理面。
即，分支純水配管4-712a從純水配管4-712中的純水供給源4-714與開閉閥4-716之間分支。另外，分支藥液配管4-722a從藥液配管4-722中的藥液供給源4-724與開閉閥4-726之間分支。分支純水配管4-712a、分支 藥液配管4-722a及與漿料供給源4-734連接的漿料配管4-732在液供給配管4-740合流。在分支純水配管4-712a上，設置可對分支純水配管4-712a進行開閉的開閉閥4-718。在分支藥液配管4-722a上，設置可對分支藥液配管4-722a進行開閉的開閉閥4-728。在漿料配管4-732上，設置可對漿料配管4-732進行開閉的開閉閥4-736。
液供給配管4-740的第1端部與分支純水配管4-712a、分支藥液配管4-722a及漿料配管4-732這三個系統的配管連接。液供給配管4-740通過擦光臂4-600的內部、擦光頭4-500的中央及擦光墊4-500的中央而延伸。液供給配管4-740第2端部向晶圓W的處理面開口。控制裝置通過對開閉閥4-718、開閉閥4-728及開閉閥4-736的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水、藥液和漿料中的任何一種或它們的任意組合的混合液供給到晶圓W的處理面。
上側擦光處理組件4-300A借助液供給配管4-740而將處理液供給到晶圓W，並使擦光台4-400繞旋轉軸A旋轉，將擦光墊4-502按壓到晶圓W的處理面，且使擦光頭4-500繞旋轉軸B旋轉同時向箭頭C方向擺動，從而可對晶圓W進行擦光處理。另外，本實施方式的擦光墊具有與處理對象即晶圓相比相當小的直徑。這是因為在擦光處理中能實現高的平坦性。
這裡，所謂的擦光處理包含擦光研磨處理和擦光清洗處理的至少一方。所謂的擦光研磨處理是如下處理：使擦光墊4-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊4-502相對運動，將漿料夾在晶圓W與擦光墊4-502之間，由此對晶圓W的處理面進行研磨去除。擦光研磨處理是如下處理：可對晶圓W施加比輥形清洗室4-190中由輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用 力、及筆形清洗室4-192中由筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。利用擦光研磨處理，可實現：去除表層部所附著的擦傷等損傷或污染物；補充去除不能用研磨單元4-3中的主研磨進行去除的部位；或者主研磨後的、表面波度的改善。
另外，所謂的擦光清洗處理是如下處理：使擦光墊4-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊4-502相對運動，通過使清洗處理液(藥液，或藥液與純水)夾在晶圓W與擦光墊4-502之間而將晶圓W表面的污染物去除，或對處理面進行改性。擦光清洗處理是如下處理：可對晶圓W施加比在輥形清洗室4-190中由輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用、及筆形清洗室4-192中由筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。
修正部4-800用於對擦光墊4-502的表面進行修正。修正部4-800具有：修整台4-810；以及設置在修整台4-810上的修整件4-820。修整台4-810利用未圖示的驅動機構而可繞旋轉軸D旋轉。修整件4-820由金剛石修整件、刷子修整件或它們的組合而形成。
上側擦光處理組件4-300A在對擦光墊4-502進行修正時，使擦光臂4-600回旋直至擦光墊4-502與修整件4-820相對的位置。上側擦光處理組件4-300A使修整台4-810繞旋轉軸D旋轉，並也使擦光頭4-500旋轉，將擦光墊4-502按壓到修整件4-820，由此進行擦光墊4-502的修正。
<修正部>
下面，根據各種圖式，來說明擦光台4-400、修正部4-800、噴霧器4-950、 擦光墊4-502的位置關係及噴霧器4-950對擦光墊4-502的清洗處理中的具體加工。圖31表示對晶圓W進行保持的擦光台4-400、對用於修正擦光墊4-502的修整件4-820進行支承的修整件4-810。由這些修整件4-820及修整件台4-810和其它的結構要素形成修正部4-800。
修正部4-800與擦光台4-400相鄰配置，其位置與擦光臂4-600的擺動中心L有關，是與擦光台4-400大致相同的半徑位置。因此，在擦光臂4-600擺動(圖31中逆時針擺動)的情況下，擦光墊4-502就可被定位在修正部4-800中的修整件4-820的上方。在修正部4-800中，利用修整台4-810旋轉、且與擦光墊4-502的旋轉的複合作用，擦光墊4-502的表面就被修整處理。另外，在修整台4-810的近旁，在與擦光臂4-600的擺動中心L有關、並與擦光台4-400及修整台4-810相同的半徑位置，設有規定的噴霧器4-950。
圖32及圖33是用於說明包含使用了噴霧器4-950的擦光墊4-502的清洗處理在內的、與擦光清洗及與相關的具體加工的示圖。圖32中，上方部分表示擦光台4-400的加工，中間部分表示修整台4-810的加工，下方部分表示噴霧器4-950的加工。這些各加工同時並行進行。另外，圖中的圓標記表示擦光墊4-502的位置。例如，當擦光清洗處理時，擦光墊4-502位於擦光台4-400，在之後的墊沖洗處理時移動到修整台4-810。另外，在圖33中，擦光頭4-500的一部分為便於說明而作成剖視圖。另外，對於本實施方式中使用的擦光頭4-500，設置由半球狀的凹凸面構成的平衡環架機構，擦光頭4-500就可稍微進行搖頭。
首先，在擦光台4-400中對晶圓W進行擦光處理(步驟S4-11)。此時，不言而喻，擦光墊4-502位於擦光台4-400。在擦光清洗處理 中，從液供給配管4-740供給擦光清洗用的處理液，且通過擦光臂及擦光頭旋轉軸4-601(參照圖31)的內部而供給到擦光墊4-502的中央部。與此同時，旋轉的擦光墊4-502在被按壓到晶圓W上的狀態下，擦光臂4-600進行擺動，對與擦光台4-400一起旋轉的晶圓W的表面進行清洗處理(參照圖33(A))。擦光墊4-502在下一加工中移動到修整件4-820的上方，以後進行修整相關處理，對此在後文中敘述。
在擦光台4-400中，進行晶圓沖洗處理(步驟S4-12)。該晶圓沖洗處理是利用DIW對晶圓W進行清洗的處理。當晶圓W的晶圓沖洗處理結束時，接著從擦光台4-400取出晶圓W(步驟S4-13)，並被搬送到下一工序。然後，擦光台4-400利用DIW而通過擦光台沖洗處理進行清洗(步驟S4-14)。由此，擦光台中的一系列的加工結束，引入接著處理用的新的晶圓W(步驟S4-15)，反復進行上述的各處理加工。
另一方面，在修整台4-810中，與上述加工並行地進行擦光墊4-502的修整處理。擦光清洗(步驟S4-11)所使用的擦光墊4-502(參照圖33(A))移動到修整件4-820的上方。此時，擦光墊4-502朝向鉛垂下方。並且，清洗液(DIW)從配置在擦光墊4-502的斜下方的擦光墊清洗機構4-830噴射，擦光墊4-502的表面被進行墊沖洗處理(步驟S4-22)(參照圖33(B))。墊沖洗處理的期間，擦光墊4-502旋轉，整個面被均勻清洗。另外，作為用於清洗擦光墊的清洗液，也可使用使用超聲波清洗液。
接著，擦光頭4-500下降並與修整件4-820抵接，對擦光墊4-502進行修整處理(步驟S4-23)(參照圖33(C))。修整處理在處理液被供給到擦光墊4-502的中央部的狀態下進行。修整處理的期間，擦光墊4-502及修整 件4-820一起旋轉。另外，修整處理在擦光墊4-502的旋轉中心和修整件4-820的旋轉中心錯開的狀態下進行。這是為了防止擦光墊4-502和修整件4-820的特定部位彼此持續產生滑動的對策。另外，通過將擦光墊4-502的旋轉中心和修整件4-820的旋轉中心錯開，從而可在擦光墊4-502的整個面獲得相對於修整件4-820的相對速度。
在進行了修整處理後，擦光頭4-500再次上升並移動到噴霧器4-950的上方，高壓清洗流體從上述的噴霧器4-950向擦光墊噴射，修整處理後的擦光墊4-502被噴霧處理(步驟S4-24)(參照圖33(D))。另外，修整處理(步驟S4-23)所使用的修整件4-820利用從設在其近旁的修整件清洗機構4-840噴射的清洗液(DIW)而進行修整沖洗處理(步驟S4-21)(參照圖33(E))。修整沖洗處理的期間，修整台4-810旋轉，可將修整件4-820的表面均勻清洗。在本實施方式中使用的擦光頭4-500，設有由半球狀的凹凸面構成的平衡環架機構，擦光頭4-500就可稍微搖頭。
另外，在上述的說明中，說明了擦光墊4-502朝向鉛垂下方的情況，但本發明並不限定於此，即使是擦光墊4-502朝向鉛垂上方的情況、朝向水平方向的情況，也可適用本發明。
另外，對於擦光墊4-502的清洗，即使僅用噴霧器4-950也有充分的清洗效果。但是，為了進一步提高清洗效果，可考慮組合超聲波清洗或刷子清洗等。例如，在噴霧器4-950的近旁設置規定的清洗液容器(圖示省略)，在該容器內進行超聲波清洗或刷子清洗等。這樣一來，可去除不能僅通過噴霧器4-950的清洗處理去除的污垢。另外，本實施方式可提供一種噴霧器，該噴霧器可適用於擦光墊4-502的尺寸與修整件4-820的尺寸同等或 在其以下的擦光處理組件。
接著，根據圖34，來說明以擦光處理組件4-300A的小型化為目的的結構。圖34(A)表示將噴霧器4-950固定於與修整台4-810不同的規定位置的情況的佈置。另一方面，圖34(B)表示用於實現小型化的佈置。從該圖34(B)可知，噴霧器4-951A、4-951B為可動式。噴霧器4-951A、4-951B在與擦光台4-400和修整台4-810相比時，由於不要求高的定位精度，因此可採用圖示的可動式。
另外，在該圖34中，一併記載二個噴霧器4-951A、4-951B，但當實施本發明時，只要設置任意一方的噴霧器即可。在該實施方式中，噴霧器4-951A、4-951B配置在修整台4-810的近旁的無用空間4-953，不需要噴霧器4-951A、4-951B用的特別的空間。具體來說，在圖34(A)中，擦光臂4-600的擺動中心L的下方部分(剖面部分)為無用空間4-953，通過將噴霧器4-951A、4-951B做成可動式，從而可消除該無用空間4-953。
另外，圖34(B)的結構能夠如圖34(A)的結構那樣減少擦光墊4-502在修正部4-800與噴霧器4-950之間進行往復移動的時間。另外，圖34(B)的結構，由於噴霧器4-951A、4-951B的較短的移動時間僅增加單程部分(從退避位置至噴霧位置)，因此，可提高處理量。另外，擦光臂4-600，不等待噴霧器4-951A、4-951B的退避動作(從噴霧位置至退避位置的移動)就可從修整件4-820向擦光台4-400移動。
本實施方式的噴霧器4-951A、4-951B的一例子是由棒狀體的主體構成的，可相對於修整件4-820的上方區域進入退避。在圖34(B)中，表示旋轉移動式和直線移動式的例子。在旋轉移動式的噴霧器4-951A的一 端部設有旋轉軸4-951a，旋轉式促動器使該旋轉軸4-951a旋轉。在噴霧器4-951A未進行擦光墊4-502的清洗的情況下，噴霧器4-951A從修整件4-820的上方退避(圖中的用實線所示的位置)，並且，當對擦光墊4-502進行清洗時，移動到修整件4-820的上方(圖中的用虛線所示的位置)。
另外，如圖34(B)所示，使噴霧器4-951B直線移動的情況也是有利的。即，利用工作缸4-951b等的促動器，可使噴霧器4-951B相對於修整件4-820的上方區域進入退避。尤其，在該直線移動式的例子中，由於可有效利用由擦光台4-400和修整台4-810產生的無用空間，設置噴霧器4-951B，因此，不需要補充的設置空間。另外，圖34的佈置只不過是一例子，可通過將噴霧器4-951A、4-951B作成可動式而採用將無用空間作成最小用的各種佈置。
無論是旋轉移動式還是直線移動式都是相同的，噴霧器4-951A、4-951B只要可進入至少能以擦光墊4-502的半徑部分進行清洗的位置即可，這是因為：只要擦光墊4-502能旋轉，且至少以半徑部分也能進行清洗，則利用擦光墊4-502的旋轉，結果就能清洗整個面。但是，若能充分確保噴霧器4-951A、4-951B的移動範圍，也可設定噴霧器4-951A、4-951B的尺寸及位置，以能清洗擦光墊4-502的直徑部分。在該情況下，理論上只要使擦光墊4-502旋轉一半就可清洗整個面，與僅清洗半徑部分的情況相比，能實現二倍的清洗效果。
接著，根據圖35，來說明用於防止清洗液飛散的罩蓋4-955。如圖35所示，在擦光臂4-600的規定位置設置由角鋼狀的罩蓋4-955。該罩蓋4-955的設置位置與噴霧器4-951A進行清洗處理時的、噴霧器4-951A的位置 對應。即，噴霧器4-951A在對擦光墊4-500進行清洗時，噴霧器4-951A進入到修整件4-820的上方區域。此時，噴霧器4-951A噴射清洗液，以能充分進行清洗直至擦光墊4-502的最外周部。因此，如圖35(B)所示，噴射到擦光墊4-502的最外周部的清洗液的一部分脫離擦光頭4-500及擦光墊-502而要向斜上方飛散。但是，通過在與該噴霧器4-951A對應的位置設有罩蓋4-955，從而清洗液被罩蓋4-955擋住而能可靠地防止飛散到周圍環境的現象。
另外，圖35所示的罩蓋具有角鋼形狀，但本發明並不限定於此。即，既可是簡單板狀的罩蓋，也可是僅噴霧器4-951A的一側開口的箱形的罩蓋。另外，在實施方式中，罩蓋固定在擦光臂4-600的側面，但也可安裝在擦光臂的上表面或下表面。如上所述，通過與噴霧器4-951A的可動位置對應而設置罩蓋4-955，從而可將罩蓋4-955的設置面積抑制得最小，可將擦光臂4-600的回旋軌跡保持得小。
圖36是表示對噴霧器4-951A與擦光臂4-600的位置關係作了設計後的例子的示圖。即，在噴霧器4-951A進行清洗處理的情況下，噴霧器4-951A的整體構成為位於擦光臂4-600的下方(圖中的用虛線所示的位置)。在該例子中，在擦光墊4-502利用擦光臂4-600的擺動而位於修整件4-820的上方的情況下，噴霧器4-951A的旋轉軸4-951a處於擦光臂4-600的下方。因此，由噴霧器4-951A進行的清洗過程中，噴霧器4-951A的整體就位於擦光臂4-600的下方。通過做成如此結構，擦光臂4-600自身發揮飛散防止用的罩蓋的作用，故不必設置另外的罩蓋。或者，即使設置罩蓋，也是最小限度的大小即可。另外，如圖36(B)、(C)所示，在結合擦光頭4-500的擦光臂4-600的下表面4-600a，設置二塊板狀的臂罩蓋4-602。二塊臂罩蓋4-602設在 擦光臂4-600的下表面4-600a的、從噴霧器4-951A噴射出的清洗液所碰撞的區域。二塊臂罩蓋4-602沿擦光臂4-600的延伸方向延伸地而與擦光臂4-600的下表面4-600a的、向擦光臂4-600的延伸方向的左右兩側連接。通過設置二塊臂罩蓋4-602而抑制清洗液向周圍飛散的現象。
另外，通過將噴霧器4-951A定位在擦光臂4-600的下方，也可獲得如下那樣的派生效果。即，處理液或清洗液因擦光研磨或擦光清洗或修整等各處理而飛散並附著在擦光臂4-600的下表面。因此，必須進行定期的清洗。通常，設置另外的清洗構件，但在本實施方式中，由於具有噴霧器4-951A，因此，用該噴霧器4-951A對擦光臂4-600的下表面進行清洗。這樣依賴，就不必設置另外的清洗構件。
接著，根據圖37，來說明飛散防止用的罩蓋的變形例。在圖37(A)所示的例子中，在擦光頭4-500上安裝有擦光頭罩蓋4-910。即，在擦光頭4-500的規定部位，設有開口朝向下方的有底圓筒形狀的擦光頭罩蓋4-910。擦光頭罩蓋4-910的尺寸及形狀被決定為，其下端部成為比修整件4-820的表面稍高的位置。另外，擦光頭罩蓋4-910的內徑比修整件4-820的直徑大。因此，從擦光墊4-502與修整件4-820的邊界流出的處理液即使因離心力而飛散，也會通過該擦光頭罩蓋4-910來防止飛散。尤其，由於擦光頭罩蓋4-910與擦光臂一起擺動，因此，可始終擋住從擦光墊及修整件飛散的處理液和清洗液。
圖37(B)表示固定罩蓋4-920的例子。該固定罩蓋4-920設在包含修整件4-820的修正部4-800上。通過用該固定罩蓋4-920覆蓋修整件4-820，可有效防止處理液和清洗液從修整件4-820飛散的現象。固定罩蓋 4-920的平面形狀為大致矩形，這是一例子而已，也可作成平面形狀為圓形的固定罩蓋。另外，在固定罩蓋4-920上形成有用於避免與擦光頭4-500的旋轉軸4-601(參照圖30)接觸的缺口4-921。由此，即使擦光臂4-600擺動且擦光頭4-500的旋轉軸4-601接近固定罩蓋4-920，也會因缺口4-921的作用而不接觸。另外，上述的各實施方式，提供一種噴霧器，可適用於擦光墊4-502的尺寸與修整件4-820的尺寸同等或在其以下的擦光處理組件。
另外，在根據以上的圖27~圖38的實施方式的說明中，相互關聯地說明了各自的特徵部分。因此，通過將各個整部分組合而獲得特別的技術效果的發明成立。另一方面，上述各特徵部分即使是分別單獨的，也可以作為一個發明而成立。因此，本申請案設想的發明，不一定限定於將複數個的特徵部分組合後的發明，各特徵部分單獨或各特徵部分的任意組合，也可構成本發明。
以下，根據圖39~圖53，來說明本申請案發明一實施方式的基板處理裝置及修正部。
<基板處理裝置>
圖39是表示本發明一實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。如圖39所示，基板處理裝置(CMP裝置)5-1000，具有大致矩形的殼體5-1。殼體5-1的內部，利用分隔壁5-1a、5-1b劃分為：裝載/卸載單元5-2；研磨單元5-3；以及清洗單元5-4。裝載/卸載單元5-2、研磨單元5-3及清洗單元5-4分別獨立裝配，獨立排氣。另外，清洗單元5-4具有：將電源供給到基板處理裝置的電源供給部；以及對基板處理動作進行控制的控制裝置5-5。
<裝載/卸載單元>
裝載/卸載單元5-2具有載放對多個晶圓(基板)進行貯存的晶圓盒的二個以上(在本實施方式中為四個)前裝載部5-20。這些前裝載部5-20與殼體5-1相鄰配置，且沿基板處理裝置的寬度方向(與長度方向垂直的方向)排列。在前裝載部5-20上可搭載開放式匣盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：標準製造接口)盒、或FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)，這裡，SMIF及FOUP是內部收納晶圓盒、通過由分隔壁覆蓋而可保證與外部空間獨立的密閉空間。
另外，在裝載/卸載單元5-2上，沿前裝載部5-20的排列敷設行走機構5-21。在行走機構5-21上，設置可沿晶圓盒的排列方向移動的二台搬送機器人(裝載器、搬送機構)5-22。搬送機器人5-22能夠通過在行走機構5-21上移動而對搭載於前裝載部5-20的晶圓盒進行存取。各搬送機器人5-22在上下具有二個機械手。上側機械手在將已處理的晶圓返回到晶圓盒時使用。下側的機械手在從晶圓盒取出處理前的晶圓時使用。如此，可分別使用上下的機械手。此外，搬送機器人5-22的下側的機械手構成為，可使晶圓翻轉。
由於裝載/卸載單元5-2是必需保持最清潔狀態的區域，因此，裝載/卸載單元5-2的內部始終被維持成比基板處理裝置外部、研磨單元5-3及清洗單元5-4都高的壓力。研磨單元5-3由於使用漿料作為研磨液故是最髒的區域。因此，研磨單元5-3的內部形成負壓，其壓力維持得比清洗單元5-4的內部壓力低。裝載/卸載單元5-2設有過濾器風扇單元(未圖示)，該過濾器風扇單元具有HEPA過濾器、ULPA過濾器或化學過濾器等空氣濾清 器。從過濾器風扇單元始終吹出被去除了粒子、有毒蒸氣或有毒氣體後的清潔空氣。
<研磨單元>
研磨單元5-3是對晶圓進行研磨(平坦化)的區域。研磨單元5-3具有：第1研磨單元5-3A、第2研磨單元5-3B、第3研磨單元5-3C及第4研磨單元5-3D。第1研磨單元5-3A、第2研磨單元5-3B、第3研磨單元5-3C及第4研磨單元5-3D如圖39所示，沿基板處理裝置的長度方向排列。
如圖39所示，第1研磨單元5-3A具有：研磨台5-30A，該研磨台5-30A安裝有具有研磨面的研磨墊5-10；頂環5-31A，該頂環5-31A用於對晶圓進行保持且將晶圓推壓到研磨台5-30A的研磨墊5-10上同時進行研磨；研磨液供給噴管5-32A，該研磨液供給噴管5-32A用於將研磨液或修整液(例如純水)供給到研磨墊5-10；修整件5-33A，該修整件5-33A用於對研磨墊5-10的研磨面進行修整；以及噴霧器5-34A，該噴霧器5-34A將液體(例如純水)和氣體(例如氮氣)的混合流體或液體(例如純水)作成霧狀而噴射到研磨面。
同樣，第2研磨單元5-3B具有：研磨台5-30B；頂環5-31B；研磨液供給噴管5-32B；修整件5-33B；以及噴霧器5-34B。第3研磨單元5-3C具有：研磨台5-30C；頂環5-31C；研磨液供給噴管5-32C；修整件5-33C；以及噴霧器5-34C。第4研磨單元5-3D具有：研磨台5-30D；頂環5-31D；研磨液供給噴管5-32D；修整件5-33D；以及噴霧器5-34D。
第1研磨單元5-3A、第2研磨台5-3B、第3研磨單元5-3C及第 4研磨台5-3D具有互相相同的結構，因此，以下僅說明第1研磨台5-3A。
圖40是示意表示第1研磨單元5-3A的立體圖。頂環5-31A支承在頂環旋轉軸5-36上。在研磨台5-30A的上表面貼附有研磨墊5-10。研磨塊5-10的上表面形成對晶圓W進行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨墊5-10而使用固定磨料。頂環5-31A及研磨台5-30A如圖箭頭所示，構成為繞其軸心旋轉。晶圓W利用真空吸附而被保持在頂環5-31A的下表面。研磨時，研磨液從研磨液供給噴管5-32A供給到研磨墊5-10的研磨面，作為研磨對象的晶圓利用頂環5-31A而被推壓到研磨面被研磨。
<搬送機構>
接著，說明對晶圓進行搬送用的搬送機構。如圖39所示，與第1研磨單元5-3A及第2研磨單元5-3B相鄰而配置有第1線性輸送機5-6。該第1線性輸送機5-6是在沿研磨單元5-3A、5-3B所排列的方向的四個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第1搬送位置5-TP1、第2搬送位置5-TP2、第3搬送位置5-TP3及第4搬送位置5-TP4)之間對晶圓進行搬送的機構。
另外，與第3研磨單元5-3C及第4研磨單元5-3D相鄰而配置有第2線性輸送機5-7。該第2線性輸送機5-7是在沿研磨單元5-3C、5-3D所排列的方向的三個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第5搬送位置5-TP5、第6搬送位置5-TP6及第7搬送位置5-TP7)之間對晶圓進行搬送的機構。
晶圓由第1線性輸送機5-6搬送到研磨單元5-3A、5-3B。第1研磨單元5-3A的頂環5-31A利用頂環頭的擺動動作而在研磨位置與第2搬送 位置5-TP2之間進行移動。因此，晶圓至頂環5-31A的交接在第2搬送位置5-TP2進行。同樣，第2研磨單元5-3B的頂環5-31B在研磨位置與第3搬送位置5-TP3之間進行移動。晶圓至頂環5-31B的交接在第3搬送位置5-TP3進行。第3研磨單元5-3C的頂環5-31C在研磨位置與第6搬送位置5-TP6之間進行移動。晶圓至頂環5-31C的交接在第6搬送位置5-TP6進行。第4研磨單元5-3D的頂環5-31D在研磨位置與第7搬送位置5-TP7之間進行移動。晶圓至頂環5-31D的交接在第7搬送位置5-TP7進行。
在第1搬送位置5-TP1，配置有用於從搬送機器人5-22接受晶圓的升降器5-11。晶圓借助該升降器5-11而從搬送機器人5-22被交接到第1線性輸送機5-6。在位於升降器5-11與搬送機器人5-22之間的分隔壁5-1a設有百葉門(未圖示)。在搬送晶圓時百葉門打開，晶圓就從搬送機器人5-22被交接到升降器5-11。另外，在第1線性輸送機5-6、第2線性輸送機5-7與清洗單元5-4之間配置有擺動式輸送機5-12。該擺動式輸送機5-12具有可在第4搬送位置5-TP4與第5搬送位置5-TP5之間移動的機械手。晶圓從第1線性輸送機5-6至第2線性輸送機5-7的交接，由擺動式輸送機5-12進行。晶圓由第2線性輸送機5-7搬送到第3研磨單元5-3C及/或第4研磨單元5-3D。另外，由研磨單元5-3研磨後的晶圓經由擺動式輸送機5-12而被搬送到清洗單元5-4。
<清洗單元>
圖41(a)是表示清洗單元5-4的俯視圖。圖41(b)是表示清洗單元5-4的側視圖。如圖41(a)及圖41(b)所示，清洗單元5-4被劃分為：輥形清洗室5-190；第1搬送室5-191；筆形清洗室5-192；第2搬送室5-193；乾燥室5-194；擦光 處理室5-300；以及第3搬送室5-195。
在輥形清洗室5-190內，配置有沿縱向排列的上側輥形清洗組件5-201A及下側輥形清洗組件5-201B。上側輥形清洗組件5-201A配置在下側清洗清洗組件5-201B的上方。上側輥形清洗組件5-201A及下側輥形清洗組件5-201B，是通過將清洗液供給到晶圓的表背面，同時將旋轉的二個輥形海綿分別按壓到晶圓的表背面而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側輥形清洗組件5-201A與下側輥形清洗組件5-201B之間，設有晶圓的臨時放置台5-204。
在筆形清洗室5-192內，配置有沿縱向排列的上側筆形清洗組件5-202A及下側筆形清洗組件5-202B。上側筆形清洗組件5-202A配置在下側筆形清洗組件5-202B的上方。上側筆形清洗組件5-202A及下側筆形清洗組件5-202B，是通過將清洗液供給到晶圓的表面，同時將旋轉的筆形海綿按壓到晶圓的表面且向晶圓的徑向擺動而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側筆形清洗組件5-202A與下側筆形清洗組件5-202B之間，設有晶圓的臨時放置台5-203。
在乾燥室5-194內，配置有沿縱向排列的上側乾燥組件5-205A及下側乾燥組件5-205B。上側乾燥組件5-205A及下側乾燥組件5-205B互相離開。在上側乾燥組件5-205A及下側乾燥組件5-205B的上部，設有將清潔的空氣分別供給到乾燥組件5-205A、5-205B內的過濾器風扇單元5-207、5-207。
上側輥形清洗組件5-201A、下側輥形清洗組件5-201B、上側筆形清洗組件5-202A、下側筆形清洗組件5-202B、臨時放置台5-203、上 側乾燥組件5-205A及下側乾燥組件5-205B，借助螺栓等而固定於未圖示的框架。
在第1搬送室5-191，配置可上下移動的第1搬送機器人(搬送機構)5-209。在第2搬送室5-193，配置可上下移動的第2搬送機器人5-210。在第3搬送室5-195，配置可上下移動的第3搬送機器人(搬送機構)5-213。第1搬送機器人5-209、第2搬送機器人5-210及第3搬送機器人5-213，分別移動自如地支承於沿縱向延伸的支承軸5-211、5-212、5-214。第1搬送機器人5-209、第2搬送機器人5-210及第3搬送機器人5-213在內部具有電動機等驅動機構，沿支承軸5-211、5-212、5-214上下移動自如。第1搬送機器人5-209與搬送機器人5-22相同，上下具有二層的機械手。第1搬送機器人5-209如圖41(a)的虛線所示，其下側的機械手配置在可對上述的臨時放置台5-180進行存取的位置。當第1搬送機器人5-209的下側的機械手對臨時放置台5-180進行存取時，設於分隔壁5-1b的百葉門(未圖示)就打開。
第1搬送機器人5-209動作成，在臨時放置台5-180、上側輥形清洗組件5-201A、下側輥形清洗組件5-201B、臨時放置台5-204、臨時放置台5-203、上側筆形清洗組件5-202A及下側筆形清洗組件5-202B之間對晶圓W進行搬送。當搬送清洗前的晶圓(附著有漿料的晶圓)時，第1搬送機器人5-209使用下側的機械手，當搬送清洗後的晶圓時，使用上側的機械手。
第2搬送機器人5-210動作成，在上側筆形清洗組件5-202A、下側筆形清洗組件5-202B、臨時放置台5-203、上側乾燥組件5-205A及下側乾燥組件5-205B之間對晶圓W進行搬送。由於第2搬送機器人5-210僅搬送清洗後的晶圓，因此僅具有一個機械手。圖39所示的搬送機器人5-22使用上側 的機械手而從上側乾燥組件5-205A或下側乾燥組件5-205B取出晶圓，且將該晶圓返回到晶圓盒。當搬送機器人5-22的上側機械手對乾燥組件5-205A、5-205B進行存取時，設於分隔壁5-1a的百葉門(未圖示)就打開。
在擦光處理室5-300，具有上側擦光處理組件5-300A及下側擦光處理組件5-300B。第3搬送機器人5-213動作成，在上側輥形清洗組件5-201A、下側輥形清洗組件5-201B、臨時放置台5-204、上側擦光處理組件5-300A及下側擦光處理組件5-300B之間對晶圓W進行搬送。
另外，在本實施方式中，例示了如下例子：在清洗單元5-4內，從遠離裝載/卸載單元5-2的一方按順序排列配置擦光處理室5-300、輥形清洗室5-190以及筆形清洗室5-192，但並不限定於此。擦光處理室5-300、輥形清洗室5-190及筆形清洗室5-192的配置方式，可根據晶圓的質量及處理量等而適當選擇。以下，說明上側擦光處理組件5-300A及下側擦光處理組件5-300B。上側擦光處理組件5-300A及下側擦光處理組件5-300B是同樣的結構，因此，僅說明上側擦光處理組件5-300A。
<擦光處理組件>
圖42是表示上側擦光處理組件5-300A的概略結構的示圖。如圖42所示，上側擦光處理組件5-300A具有：擦光台5-400，該擦光台5-400設置晶圓W；擦光頭5-500，該擦光頭5-500安裝有對晶圓W的處理面進行擦光處理用的擦光墊5-502；擦光臂5-600，該擦光臂5-600對擦光頭5-500進行保持；液供給系統5-700，該液供給系統5-700用於供給各種處理液；以及修正部5-800，該修正部5-800用於對擦光墊5-502進行修正(修整)。
擦光台5-400具有吸附晶圓W的機構。另外，擦光台5-400可利用未圖示的驅動機構而繞旋轉軸旋轉。擦光墊5-502安裝在擦光頭5-500的與晶圓W相對的面。擦光臂5-600使擦光頭5-500繞旋轉軸B旋轉，並可如箭頭C所示那樣將擦光頭5-500向晶圓W的徑向擺動。另外，擦光臂5-600可將擦光頭5-500擺動直至擦光墊5-502與修正部5-800相對的位置。
液供給系統5-700具有用於將純水(DIW)供給到晶圓W的處理面的純水噴管5-710。純水噴管5-710借助純水配管5-712而與純水供給源5-714連接。在純水配管5-712上，設置可對純水配管5-712進行開閉的開閉閥5-716。未圖示的控制裝置通過對開閉閥5-716的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水供給到晶圓W的處理面。
另外，液供給系統5-700具有用於將藥液(Chemi)供給到晶圓W的處理面的藥液噴管5-720。藥液噴管5-720借助藥液配管5-722而與藥液供給源5-724連接。在藥液配管5-722上設置可對藥液配管5-722進行開閉的開閉閥5-726。控制裝置通過對開閉閥5-726的開閉進行控制，從而可在任意的時間將藥液供給到晶圓W的處理面。
上側擦光處理組件5-300A，借助擦光臂5-600、擦光頭5-500及擦光墊5-502而可將純水、藥液或漿料有選擇地供給到晶圓W的處理面。
即，分支純水配管5-712a從純水配管5-712中的純水供給源5-714與開閉閥5-716之間分支。另外，分支藥液配管5-722a從藥液配管5-722中的藥液供給源5-724與開閉閥5-726之間分支。分支純水配管5-712a、分支藥液配管5-722a及與漿料供給源5-734連接的漿料配管5-732在液供給配管5-740合流。在分支純水配管5-712a上，設置可對分支純水配管5-712a進行開 閉的開閉閥5-718。在分支藥液配管5-722a上，設置可對分支藥液配管5-722a進行開閉的開閉閥5-728。在漿料配管5-732上，設置可對漿料配管5-732進行開閉的開閉閥5-736。
液供給配管5-740的第1端部與分支純水配管5-712a、分支藥液配管5-722a及漿料配管5-732這三個系統的配管連接。液供給配管5-740通過擦光臂5-600的內部、擦光頭5-500的中央及擦光墊5-500的中央而延伸。液供給配管5-740第2端部向晶圓W的處理面開口。控制裝置通過對開閉閥5-718、開閉閥5-728及開閉閥5-736的開閉進行控制，從而可在任意的時間將純水、藥液和漿料中的任何一種或它們的任意組合的混合液供給到晶圓W的處理面。
上側擦光處理組件5-300A借助液供給配管5-740而將處理液供給到晶圓W，並使擦光台5-400繞旋轉軸A旋轉，將擦光墊5-502按壓到晶圓W的處理面，且使擦光頭5-500繞旋轉軸B旋轉同時向箭頭C方向擺動，從而可對晶圓W進行擦光處理。另外，本實施方式的擦光墊具有與處理對象即晶圓相比相當小的直徑。這是因為在擦光處理中能實現高的平坦性。
這裡，所謂的擦光處理包含擦光研磨處理和擦光清洗處理的至少一方。所謂的擦光研磨處理是如下處理：使擦光墊5-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊5-502相對運動，將漿料夾在晶圓W與擦光墊5-502之間，由此對晶圓W的處理面進行研磨去除。擦光研磨處理是如下處理：可對晶圓W施加比輥形清洗室5-190中由輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用力、及筆形清洗室5-192中由筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。利用擦光研磨處理，可實現：去除表層部所附著的擦傷等 損傷或污染物；補充去除不能用研磨單元5-3中的主研磨進行去除的部位；或者主研磨後的、表面波度的改善。
另外，所謂的擦光清洗處理是如下處理：使擦光墊5-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊5-502相對運動，通過使清洗處理液(藥液，或藥液與純水)夾在晶圓W與擦光墊5-502之間而將晶圓W表面的污染物去除，或對處理面進行改性。擦光清洗處理是如下處理：可對晶圓W施加比在輥形清洗室5-190中由輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用、及筆形清洗室5-192中由筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。
修正部5-800用於對擦光墊5-502的表面進行修正。修正部5-800具有：修整台5-810；以及設置在修整台5-810上的修整件5-820。修整台5-810利用未圖示的驅動機構而可繞旋轉軸D旋轉。修整件5-820由金剛石修整件、刷子修整件或它們的組合而形成。
上側擦光處理組件5-300A在對擦光墊5-502進行修正時，使擦光臂5-600回旋直至擦光墊5-502與修整件5-820相對的位置。上側擦光處理組件5-300A使修整台5-810繞旋轉軸D旋轉，並也使擦光頭5-500旋轉，將擦光墊5-502按壓到修整件5-820，由此進行擦光墊5-502的修正。
<修正部>
下面，根據各種圖式，來說明修正部5-800及對擦光墊5-502的清洗處理中的具體加工。圖43表示對晶圓W進行保持的擦光台5-400、對用於修正擦光墊5-502的修整件5-820進行支承的修整件5-810。由這些修整件5-820及修 整件台5-810和其它的結構要素形成修正部5-800。
修正部5-800與擦光台5-400相鄰配置，其位置與擦光臂5-600的擺動中心L有關，是與擦光台5-400大致相同的半徑位置。因此，在擦光臂5-600擺動(圖43中逆時針擺動)的情況下，擦光墊5-502就可被定位在修正部5-800中的修整件5-820的上方。在修正部5-800中，利用修整台5-810旋轉、且與擦光墊5-502的旋轉的複合作用，擦光墊5-502的表面就被修整處理。
圖44及圖45是用於說明擦光清洗及與其相關的具體加工的示圖。圖44中，上方部分表示擦光台5-400的加工，下方部分表示修整台5-810的加工。這些各加工同時並行進行。另外，圖中的圓標記表示擦光墊5-502的位置。例如，當擦光清洗處理時，擦光墊5-502位於擦光台5-400，在之後的墊沖洗處理時移動到修整台5-810。另外，在圖45中，擦光頭5-500的一部分為便於說明而作成剖視圖。另外，對於本實施方式中使用的擦光頭5-500，設置由半球狀的凹凸面構成的平衡環架機構，擦光頭5-500就可稍微進行搖頭。
首先，在擦光台5-400中對晶圓W進行擦光處理(步驟S5-11)。此時，不言而喻，擦光墊5-502位於擦光台5-400。在擦光清洗處理中，從液供給配管5-740供給擦光清洗用的處理液，且通過擦光臂及擦光頭旋轉軸5-601(參照圖43)的內部而供給到擦光墊5-502的中央部。與此同時，旋轉的擦光墊5-502在被按壓到晶圓W上的狀態下，擦光臂5-600進行擺動，對與擦光台5-400一起旋轉的晶圓W的表面進行清洗處理(參照圖45(A))。擦光墊5-502在下一加工中移動到修整件5-820的上方，以後進行修整相關處理，對此在後文中敘述。
在擦光台5-400中，進行晶圓沖洗處理(步驟S5-12)。該晶圓沖洗處理是利用DIW對晶圓W進行清洗的處理。當晶圓W的晶圓沖洗處理結束時，接著從擦光台5-400取出晶圓W(步驟S5-13)，並被搬送到下一工序。然後，擦光台5-400利用DIW而通過擦光台沖洗處理進行清洗(步驟S5-14)。由此，擦光台中的一系列的加工結束，引入接著處理用的新的晶圓W(步驟S5-15)，反復進行上述的各處理加工。
另一方面，在修整台5-810中，與上述加工並行地進行擦光墊5-502的修整處理。擦光清洗(步驟S5-11)所使用的擦光墊5-502(參照圖45(A))移動到修整件5-820的上方。此時，擦光墊5-502朝向鉛垂下方。並且，清洗液(DIW)從配置在擦光墊5-502的斜下方的擦光墊清洗機構5-830噴射，擦光墊5-502的表面被進行墊沖洗處理(步驟S5-22)(參照圖45(B))。墊沖洗處理的期間，擦光墊5-502旋轉，整個面被均勻清洗。另外，作為用於清洗擦光墊的清洗液，也可使用使用超聲波清洗液。
接著，擦光頭5-500下降並與修整件5-820抵接，對擦光墊5-502進行修整處理(步驟S5-23)(參照圖45(C))。修整處理在處理液被供給到擦光墊5-502的中央部的狀態下進行。修整處理的期間，擦光墊5-502及修整件5-820一起旋轉。另外，修整處理在擦光墊5-502的旋轉中心和修整件5-820的旋轉中心錯開的狀態下進行。這是為了防止擦光墊5-502和修整件5-820的特定部位彼此持續產生滑動的對策。
在進行了修整處理後，擦光頭5-500再次上升，清洗液從上述的擦光墊清洗機構5-830向擦光墊噴射，修整處理後的擦光墊再次被墊沖洗處理(步驟S5-24)(參照圖45(D))。另外，修整處理(步驟S5-23)所使用的修 整件5-820利用從設在其近旁的修整件清洗機構5-840噴射的清洗液(DIW)而進行修整沖洗處理(步驟S5-21)(參照圖45(E))。修整沖洗處理的期間，修整台5-810旋轉，可將修整件5-820的表面均勻清洗。
另外，在上述的說明中，說明了擦光墊5-502朝向鉛垂下方的情況，但本發明並不限定於此，即使是擦光墊5-502朝向鉛垂上方的情況、朝向水平方向的情況，也可適用本發明。
接著，根據圖46，來說明本實施方式的特徵部分之一。如圖46所示，在本實施方式中，特徵之一是，修整件5-820配置在比擦光台5-500低的位置。這種結構的理由如下。即，在對修整件5-820進行修整沖洗處理的情況下，從修整件清洗機構5-840噴射清洗液。此時，在不進行任何設計的情況下，修整沖洗所使用的清洗液向擦光台5-400側飛散，會污染處理過程中的晶圓W。另外，也認為擦光清洗所使用的處理液被污染，對加工性能帶來不良影響。這是因為修整沖洗處理與對擦光台5-400的晶圓W的各種處理同時進行而產生的問題。
對於上述那樣的問題，通過將修整件5-820配置在比擦光台5-400低的位置，可防止清洗液向擦光台5-400飛散。這是因為，利用修整件清洗機構5-840從斜上方將清洗液噴射到修整件5-820，因此，利用擦光台5-400與修整件5-820的高低差，清洗液就不會飛散至擦光台5-400。高低差即使是幾釐米也有充分的污染防止效果。
接著，根據圖47，來說明本實施方式的另外的特徵部分。圖47(A)是表示在清洗液的噴射方向具有特徵的例子的示圖。在本例中，初期的噴射方向被設定成，清洗液在向修整件5-820噴射後，向離開擦光台5-400 的方向飛散。在圖47(A)的示意例子中，清洗液從修整件清洗機構5-840噴射並通過修整件5-820的中心不，向離開擦光台的方向(圖47(A)的網格部分)飛散。
換言之，引出通過擦光台5-400的中心和修整件5-820的中心的直線，在修整件5-820的中心部再引出垂直於該直線的線條，噴射方向被設定成，以該垂直線為邊界向遠離擦光台5-400的區域飛散。若再換一種說法，則是，修整件清洗機構5-840以上述的垂直線為邊界，而配置在除了網格部分以外的區域。但是，由於修整件清洗機構5-840不能配置在擦光台5-400的上方，因此，如圖47(A)所示，就配置在擦光台5-400與修整台5-810之間，從斜方向將清洗液噴射到修整件5-820。另外，在以上的說明中，用清洗液示意地通過修整件5-820的中心的例子來說明的，但是，清洗液也可如虛線的箭頭所示地噴射到偏離修整件5-820中心的位置。
接著，根據圖47(A)及圖47(B)，來說明本實施方式的另外的特徵部分。圖47(B)的特徵是在修整台5-810的周圍設有修整件罩蓋5-850。這裡，為便於說明，而用修整件5-820的上表面與晶圓W的上表面大致相同高度的例子來進行說明。在該實施方式中，在修整台5-810的周圍設有大致圓筒狀的修整件罩蓋5-850。修整件5-850的上端部具有向內側傾斜的傾斜部5-851，該內側成為開口部5-853。開口部5-853的內徑比修整台5-810的直徑稍大，即使修整件罩蓋5-850進行上下移動的情況下，也不與修整台5-810的外周部接觸。傾斜部5-851用於有效防止清洗液向修整件罩蓋5-850的外部飛散，由於即使是簡單的圓筒形狀的修整件罩蓋也有防止清洗液飛散的效果，因此，傾斜部5-851不是必須結構要素。另外，圖47(B)是在修整台5-810 的周圍設置修整件罩蓋5-850的例子，但用於防止清洗液飛散的罩蓋也可如以下的圖52所示地設在擦光台5-400的周圍。另外，用於防止清洗液飛散的罩蓋，不限於設在修整台5-810周圍的修整件罩蓋5-850、以及設在擦光台5-400周圍的擦光台罩蓋5-900，也可設在擦光台5-400與修整台5-810之間。另外，修正部5-800，相對於設在擦光台5-400與修整台5-810之間的罩蓋，也可具有與如下說明的接觸避免機構相同的接觸避免機構。
另外，對於修整件罩蓋5-850，也可設置用於避免與擦光墊5-502接觸的接觸避免機構。安裝於擦光頭5-500的擦光墊5-502在從擦光清洗處理轉移到修整處理時，有時在與修整件5-820的表面相當的高度位置進行水平移動。在該情況下，修整件罩蓋5-850的上端部如圖47(B)所示，當處於比修整件5-820的表面高的位置時，擦光頭5-500及擦光墊5-502就與修整件罩蓋5-850接觸。避免這種情況的是接觸避免機構。
雖然可考慮各種的接觸避免機構的具體結構，但是，作為例如修整件罩蓋移動機構，可列舉出使修整件罩蓋5-850沿鉛垂方向上下移動的工作缸5-853等作為具體例。在該圖47(B)中，用實線表示修整件罩蓋5-850覆蓋修整件5-820的狀態，用虛線表示修整件罩蓋5-850下降後的狀態。另外，作為使修整件罩蓋5-850移動的方向，說明了上下移動的情況，但這是設想以水平姿勢設置修整件5-820的情況。在假如以垂直姿勢設置修整件5-820的情況下，修整件罩蓋5-850必須向水平方向移動。這也可換句話說成修整台5-810的旋轉軸的軸線方向。另外，若不使修整件罩蓋5-850具有接觸避免機構，而利用除此以外的結構可避免接觸，則修整件罩蓋5-850也可是固定式。
圖48是用於說明接觸避免機構的另外例子的示圖。首先，圖48(A)表示在修整件罩蓋5-860的一部分上形成有缺口的例子。具體來說，在修整件罩蓋5-860的上端區域的一部分上，沿圓周方向形成有具有規定高度的缺口5-861。該缺口5-861的深度是下端部5-861a相比於修整件5-820的表面而稍稍處於下方的位置。這是因為：當擦光墊5-502向修整件5-820側水平移動時，缺口5-861的下端部5-861a若低於修整件5-820的表面，則可避免水平移動的擦光墊5-502與修整件罩蓋5-860的接觸。
接著，根據圖48(B)及圖48(C)，來說明修正工具罩蓋5-860的動作。圖48(B)是從上方看到修整件5-820的示圖，表示修整件罩蓋5-860的缺口5-861朝向擦光台5-400一側的狀態。如此，若缺口5-861朝向擦光台5-400一側，則擦光頭5-500及擦光墊5-502即使從擦光台5-400水平移動過來，也能通過缺口5-861而到達修整件5-820的表面。但是，當在這種狀態下進行修整沖洗處理時，有時清洗液通過缺口5-861而飛散到擦光台5-400上的晶圓W造成污染。
為了防止這種污染，在擦光墊5-502完全移動到修整件5-820的上方的狀態下，修整件罩蓋5-860沿水平面內旋轉約90(參照圖48(C))。這樣一來，擦光台5-400一側被修整件罩蓋5-860的壁覆蓋，防止清洗液飛散到擦光台5-400側。另一方面，也存在清洗液向具有缺口5-860的一側(在圖48(C)中的下方側)飛散的情況，但不會污染晶圓W。另外，作為旋轉角度，並不限定於90，只要缺口5-850不朝向擦光台5-400側，也可是60、135或180等。另外，雖然可考慮各種的使修整件罩蓋5-860旋轉的旋轉驅動機構，但是，可利用旋轉式促動器、或伺服電動機和連杆機構的組合等。
接著，根據圖49，來說明接觸避免機構的又一例子。在圖49的例子中，在修整件罩蓋5-870形成有缺口5-871，這一點與圖48的例子相同。但不同點是具有可動蓋部件5-873。該可動蓋部件5-873對缺口5-871進行開閉，具體來說形成為矩形的部件沿修整件罩蓋5-870的外周曲面彎曲的形狀。圖49(A-1)、(A-2)表示可動蓋部件5-873將缺口5-871封閉的狀態。可動蓋部件5-873與缺口5-871的部分重疊，可防止清洗液從修整件罩蓋5-870的內部飛散。
圖49(B-1)、(B-2)表示可動蓋部件5-873移動到圖49(B-2)中的下方、露出缺口5-871的狀態。為了使可動蓋部件5-873移動，例如必須採取將未圖示的導軌等沿上下方向設置在修整件罩蓋5-870外周面等的措施。但是，這是一例子而已，也可將與修整件罩蓋不同的促動器等(圖示省略)與可動蓋部件5-873聯接，利用該促動器的作用使可動蓋部件5-873移動。另外，圖49(C-1)、(C-2)是使可動蓋部件5-873沿修整件罩蓋5-870的圓周方向移動的例子。尤其，在圖示的例子中是形成角度地使其移動約90左右的狀態。為了實現這種移動，也必須使用規定的導軌和促動器。
如上所述，在使用具有可動蓋部件5-873的修整件罩蓋5-870的情況下，在進行修整沖洗時，如圖49(A-1)、(A-2)所示，由可動蓋部件5-873封閉缺口5-871。因此，清洗液不會污染晶圓W。另一方面，在對擦光墊5-502進行修整處理的情況下，可動蓋部件5-873移動而使缺口5-871露出。若是露出缺口5-871的狀態，則即使擦光頭5-500及擦光墊5-502向修整件5-820水平移動過來，也不會與修整件罩蓋5-870接觸，而可移動至修整件5-820的上表面。並且，在擦光墊5-502完全移動到修整件5-820的上方後，可動蓋部件 5-873再次將缺口5-871封閉。由此，即使是利用修整件5-820對擦光墊5-502進行修整處理等的情況下，處理液也不會飛散而污染晶圓W。
接著，根據圖50，來說明用於避免擦光頭5-500與修整件罩蓋5-880接觸的、另外的結構例。在本例中，修整件罩蓋5-880是固定式。另一方面，擦光臂5-600可離開晶圓W及修整件5-820的表面。在本實施方式的例子中，擦光臂5-600(擦光頭)可沿修整件5-820的旋轉軸線的方向或晶圓W的旋轉軸線的方向(鉛垂方向)移動。擦光臂5-600(擦光頭)在移動至比修整件罩蓋5-880高的位置的狀態下，可在修正部(修整台5-810)與擦光台5-400之間移動。因此，在擦光清洗處理後，擦光臂5-500暫時上升並橫穿修整件罩蓋5-880，再次下降直至與修整件5-820的表面抵接。由此，不在修整件罩蓋5-880設置接觸避免機構，即可使擦光墊5-502在擦光台5-400與修整件5-820之間移動。但是，即使同時具有上述的修整件罩蓋5-850、5-860、5-870的接觸避免機構，也無任何問題。
接著，根據圖51，來說明用於有效防止晶圓W污染的結構。在本例中，其特徵分別是：從擦光台5-400及修整台5-810的上方產生下降氣流5-895a；利用下降氣流5-895a的一部分而在擦光台5-400與修整台5-810之間形成氣幕5-891a；以及在修整台5-810的周圍形成局部排氣狀態5-893a。首先，來說明氣幕5-891a。所謂氣幕，是指通過在規定的空間形成氣流而遮斷以該氣流為邊界的各空間之間的空氣流動。在本實施方式中，在擦光台5-400及修整台5-810的上方設置下降氣流產生機構5-895。下降氣流產生機構5-895，使包含擦光台5-400及修整台5-810在內的擦光處理組件的整體產生下降氣流5-895a(下降流)。下降氣流5-895a中，在擦光台5-400與修整台5-810 之間從上方向下方的氣流，成為氣幕5-891a。即，下降氣流產生機構5-895還具有作為氣幕形成機構的功能。氣幕5-891a防止修整處理和修整沖洗處理時飛散的處理液和清洗液向擦光台5-400側飛散。
氣幕與修整沖洗時的DIW的供給聯動。即，在DIW被供給到修整件5-820以進行修整沖洗的情況下，也形成有氣幕5-891a。相反，在停止供給DIW的情況下，由於清洗液不飛散，因此，也停止形成氣幕5-891a。因此，氣幕5-891a不會給晶圓W的搬送和擦光墊5-502的移動帶來不良影響。
另外，在修整台5-810的周圍，利用局部排氣機構5-893而形成有局部排氣狀態5-893a。所謂的該局部排氣狀態5-893a，是吸引局部產生的氣體等而防止向周圍環境擴散用的方法。在本實施方式中，為了在修整台5-810的周圍形成局部排氣狀態5-893a，最好設置沿修整台5-810的外周部的圓形的吸引口5-893b。由此，即使是在修整沖洗處理等中清洗液產生飛散的情況下，也被局部排氣而不會污染擦光台5-400。另外，局部排氣不必形成在修整台5-810的全周，只要至少形成在擦光台5-400與修整台5-810之間的空間即可。
此外，下降氣流產生機構5-895在擦光處理組件的整體上形成下降氣流5-895a。當下降氣流5-895a與擦光台5-400上的晶圓W碰撞時，流向半徑方向外側。因此，即使清洗液從修整台5-810側飛散過來，也可利用向半徑方向外側的氣流而將其推回到擦光台5-400上。該下降氣流5-895a通過與上述的局部排氣5-893a一起使用而發揮更高的污染防止效果。
另外，在圖51及上述說明中，是將包含氣幕5-891a的下降氣流5-895a及局部排氣5-893a組合來使用的結構。但是，本發明並不限定於 此，也可單獨使用包含氣幕5-891a的下降氣流5-895a及局部排氣5-893a。
圖52表示不在修整件5-820上設置罩蓋、而在擦光台5-400上設置罩蓋的例子。擦光台罩蓋5-900形成為，將擦光台5-400從周圍包圍，即使清洗液等從修整件5-820的一側飛散的情況下，也能防止晶圓W的污染。本實施方式的擦光台罩蓋5-900在其上端部具有傾斜部，但也可簡單的圓筒形狀。另外，傾斜部不必設在擦光台5-400的周圍的全周上，也可至少僅設在擦光台5-400與修整台5-810之間。另外，該擦光台罩蓋5-900也可如上所述地設有用於避免與擦光頭5-500接觸的接觸避免機構。
接著，根據圖53，來說明飛散防止用的罩蓋的變形例。在圖53所示的例子中，在擦光頭5-500上安裝有擦光頭罩蓋5-910。即，在擦光頭5-500的規定部位設有開口向下方的、有底圓筒形狀的擦光頭罩蓋5-910。擦光頭罩蓋5-910的尺寸及形狀被決定為，其下端部成為比修整件5-820的表面稍高的位置。另外，擦光頭罩蓋5-910的內徑比修整件5-820的直徑大。因此，從擦光墊5-502與修整件5-820的邊界流出的處理液即使因離心力而飛散，也會通過該擦光頭罩蓋5-910來防止飛散。尤其，由於擦光頭罩蓋5-910與擦光臂一起擺動，因此，可始終擋住從擦光墊及修整件飛散的處理液和清洗液。
另外，在根據以上的圖39~圖53的實施方式的說明中，詳述了如下的結構：將修整件設在比擦光台低的位置；將清洗液向離開擦光台的方向噴射；並且在修整件的周圍或擦光台的周圍設置罩蓋。這些各結構要素，即使是單獨的，也可防止晶圓的污染。因此，但實施本發明時，只要將修整件設在比擦光台低的位置，就不必進行清洗液的噴射方向的調整和罩蓋的設置等。換言之，上述各結構要素既可分別單獨構成本發明，也 可任意組合這些結構要素來構成本發明。
以下，根據圖54~圖62，來說明本申請案發明的一實施方式的修正裝置、擦光處理裝置、基板處理裝置、修整件及修正方法。
A．實施例：
圖54是表示本發明一實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。如圖54所示，基板處理裝置6-1000具有大致矩形的殼體6-1。殼體6-1的內部，利用分隔壁6-1a、6-1b劃分為：裝載/卸載單元6-2；研磨單元6-3；以及清洗單元6-4。裝載/卸載單元6-2、研磨單元6-3及清洗單元6-4分別獨立裝配，獨立排氣。另外，清洗單元6-4具有：將電源供給到基板處理裝置的電源供給部(圖示省略)；以及對基板處理動作進行控制的控制裝置6-5。
裝載/卸載單元6-2具有載放對多個晶圓(基板)進行貯存的晶圓盒的二個以上(在本實施方式中為四個)前裝載部6-20。這些前裝載部6-20與殼體6-1相鄰配置，且沿基板處理裝置的寬度方向(與長度方向垂直的方向)排列。在前裝載部6-20上可搭載開放式匣盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：標準製造接口)盒、或FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)，這裡，SMIF及FOUP是內部收納晶圓盒、通過由分隔壁覆蓋而可保證與外部空間獨立的密閉空間。
另外，在裝載/卸載單元6-2上，沿前裝載部6-20的排列敷設行走機構6-21。在行走機構6-21上，設置可沿晶圓盒的排列方向移動的二台搬送機器人(裝載器、搬送機構)6-22。搬送機器人6-22能夠通過在行走機構6-21上移動而對搭載於前裝載部6-20的晶圓盒進行存取。各搬送機器人 6-22，從晶圓盒取出處理前的晶圓，並將處理後的晶圓返回到晶圓盒。
研磨單元6-3是對晶圓進行研磨(平坦化)的區域。研磨單元6-3具有：第1研磨單元6-3A、第2研磨單元6-3B、第3研磨單元6-3C及第4研磨單元6-3D。這些研磨單元6-3A~6-3D如圖54所示，沿基板處理裝置的長度方向排列。
如圖54所示，第1研磨單元6-3A具有：研磨台6-30A，該研磨台6-30A安裝有具有研磨面的研磨墊6-10；頂環6-31A，該頂環6-31A用於對晶圓進行保持且將晶圓推壓到研磨台6-30A的研磨墊6-10上同時進行研磨；研磨液供給噴管6-32A，該研磨液供給噴管6-32A用於將研磨液或修整液(例如純水)供給到研磨墊6-10；修整件6-33A，該修整件6-33A用於對研磨墊6-10的研磨面進行修整；以及噴霧器6-34A，該噴霧器6-34A將液體(例如純水)和氣體(例如氮氣)的混合流體或液體(例如純水)作成霧狀而噴射到研磨面。
同樣，第2研磨單元6-3B具有：研磨台6-30B；頂環6-31B；研磨液供給噴管6-32B；修整件6-33B；以及噴霧器6-34B。第3研磨單元6-3C具有：研磨台6-30C；頂環6-31C；研磨液供給噴管6-32C；修整件6-33C；以及噴霧器6-34C。第4研磨單元6-3D具有：研磨台6-30D；頂環6-31D；研磨液供給噴管6-32D；修整件6-33D；以及噴霧器6-34D。
第1研磨單元6-3A、第2研磨台6-3B、第3研磨單元6-3C及第4研磨台6-3D具有互相相同的結構，因此，以下僅說明第1研磨台6-3A。
圖55是示意表示第1研磨單元6-3A的立體圖。頂環6-31A支承在頂環旋轉軸6-36上。在研磨台6-30A的上表面貼附有研磨墊6-10。研磨 塊6-10的上表面形成對晶圓W進行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨墊6-10而使用固定磨料。頂環6-31A及研磨台6-30A如圖箭頭所示，構成為繞其軸心旋轉。晶圓W利用真空吸附而被保持在頂環6-31A的下表面。研磨時，研磨液從研磨液供給噴管6-32A供給到研磨墊6-10的研磨面，作為研磨對象的晶圓利用頂環6-31A而被推壓到研磨面被研磨。
接著，說明對晶圓進行搬送用的搬送機構。如圖54所示，與第1研磨單元6-3A及第2研磨單元6-3B相鄰而配置有第1線性輸送機6-6。該第1線性輸送機6-6是在沿研磨單元6-3A、6-3B所排列的方向的四個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第1搬送位置6-TP1、第2搬送位置6-TP2、第3搬送位置6-TP3及第4搬送位置6-TP4)之間對晶圓進行搬送的機構。
另外，與第3研磨單元6-3C及第4研磨單元6-3D相鄰而配置有第2線性輸送機6-7。該第2線性輸送機6-7是在沿研磨單元6-3C、6-3D所排列的方向的三個搬送位置(從裝載/卸載單元側按順序設為第5搬送位置6-TP5、第6搬送位置6-TP6及第7搬送位置6-TP7)之間對晶圓進行搬送的機構。
晶圓由第1線性輸送機6-6搬送到研磨單元6-3A、6-3B。第1研磨單元6-3A的頂環6-31A利用頂環頭的擺動動作而在研磨位置與第2搬送位置6-TP2之間進行移動。因此，晶圓至頂環6-31A的交接在第2搬送位置6-TP2進行。同樣，第2研磨單元6-3B的頂環6-31B在研磨位置與第3搬送位置6-TP3之間進行移動。晶圓至頂環6-31B的交接在第3搬送位置6-TP3進行。第3研磨單元6-3C的頂環6-31C在研磨位置與第6搬送位置6-TP6之間進行移動。晶圓至頂環6-31C的交接在第6搬送位置6-TP6進行。第4研磨單元 6-3D的頂環6-31D在研磨位置與第7搬送位置6-TP7之間進行移動。晶圓至頂環6-31D的交接在第7搬送位置6-TP7進行。
在第1搬送位置6-TP1，配置有用於從搬送機器人6-22接受晶圓的升降器6-11。晶圓借助該升降器6-11而從搬送機器人6-22被交接到第1線性輸送機6-6。在第1線性輸送機6-6、第2線性輸送機6-7與清洗單元6-4之間配置有擺動式輸送機6-12。該擺動式輸送機6-12具有可在第4搬送位置6-TP4與第5搬送位置6-TP5之間移動的機械手。晶圓從第1線性輸送機6-6至第2線性輸送機6-7的交接，由擺動式輸送機6-12進行。晶圓由第2線性輸送機6-7搬送到第3研磨單元6-3C及/或第4研磨單元6-3D。另外，由研磨單元6-3研磨後的晶圓經由擺動式輸送機6-12而被搬送到臨時放置台6-180。載放在臨時放置台6-180的晶圓被搬送到清洗單元6-4。
圖56A是表示清洗單元6-4的俯視圖。圖56B是表示清洗單元6-4的側視圖。如圖56A及圖56B所示，清洗單元6-4被劃分為：輥形清洗室6-190；第1搬送室6-191；筆形清洗室6-192；第2搬送室6-193；乾燥室6-194；擦光處理室6-300；以及第3搬送室6-195。
在輥形清洗室6-190內，配置有沿縱向排列的上側輥形清洗組件6-201A及下側輥形清洗組件6-201B。上側輥形清洗組件6-201A配置在下側清洗清洗組件6-201B的上方。上側輥形清洗組件6-201A及下側輥形清洗組件6-201B，是通過將清洗液供給到晶圓的表背面，同時將旋轉的二個輥形海綿分別按壓到晶圓的表背面而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側輥形清洗組件6-201A與下側輥形清洗組件6-201B之間，設有晶圓的臨時放置台6-204。
在筆形清洗室6-192內，配置有沿縱向排列的上側筆形清洗組件6-202A及下側筆形清洗組件6-202B。上側筆形清洗組件6-202A配置在下側筆形清洗組件6-202B的上方。上側筆形清洗組件6-202A及下側筆形清洗組件6-202B，是通過將清洗液供給到晶圓的表面，同時將旋轉的筆形海綿按壓到晶圓的表面且向晶圓的徑向擺動而對晶圓進行清洗的清洗機。在上側筆形清洗組件6-202A與下側筆形清洗組件6-202B之間，設有晶圓的臨時放置台6-203。
在乾燥室6-194內，配置有沿縱向排列的上側乾燥組件6-205A及下側乾燥組件6-205B。上側乾燥組件6-205A及下側乾燥組件6-205B互相離開。在上側乾燥組件6-205A及下側乾燥組件6-205B的上部，設有將清潔的空氣分別供給到乾燥組件6-205A、6-205B內的過濾器風扇單元6-207、6-207。
在第1搬送室6-191，配置可上下移動的第1搬送機器人(搬送機構)6-209。在第2搬送室6-193，配置可上下移動的第2搬送機器人6-210。在第3搬送室6-195，配置可上下移動的第3搬送機器人(搬送機構)6-213。第1搬送機器人6-209、第2搬送機器人6-210及第3搬送機器人6-213，分別移動自如地支承於沿縱向延伸的支承軸6-211、6-212、6-214。第1搬送機器人6-209、第2搬送機器人6-210及第3搬送機器人6-213在內部具有電動機等驅動機構，沿支承軸6-211、6-212、6-214上下移動自如。第1搬送機器人6-209上下具有二層的機械手。第1搬送機器人6-209如圖56A的虛線所示，其下側的機械手配置在可對上述的臨時放置台6-180進行存取的位置。
第1搬送機器人6-209動作成，在臨時放置台6-180、上側輥 形清洗組件6-201A、下側輥形清洗組件6-201B、臨時放置台6-204、臨時放置台6-203、上側筆形清洗組件6-202A及下側筆形清洗組件6-202B之間對晶圓W進行搬送。當搬送清洗前的晶圓(附著有漿料的晶圓)時，第1搬送機器人6-209使用下側的機械手，當搬送清洗後的晶圓時，使用上側的機械手。
第2搬送機器人6-210動作成，在上側筆形清洗組件6-202A、下側筆形清洗組件6-202B、臨時放置台6-203、上側乾燥組件6-205A及下側乾燥組件6-205B之間對晶圓W進行搬送。由於第2搬送機器人6-210僅搬送清洗後的晶圓，因此僅具有一個機械手。圖54所示的搬送機器人6-22使用上側的機械手而從上側乾燥組件6-205A或下側乾燥組件6-205B取出晶圓，且將該晶圓返回到晶圓盒。
在擦光處理室6-300，具有上側擦光處理組件6-300A及下側擦光處理組件6-300B。第3搬送機器人6-213動作成，在上側輥形清洗組件6-201A、下側輥形清洗組件6-201B、臨時放置台6-204、上側擦光處理組件6-300A及下側擦光處理組件6-300B之間對晶圓W進行搬送。
在本實施方式中，例示了如下例子：在清洗單元6-4內，從遠離裝載/卸載單元6-2的一方按順序排列配置擦光處理室6-300、輥形清洗室6-190以及筆形清洗室6-192，但並不限定於此。擦光處理室6-300、輥形清洗室6-190及筆形清洗室6-192的配置方式，可根據晶圓的質量及處理量等而適當選擇。上側擦光處理組件6-300A及下側擦光處理組件6-300B是同樣的結構，因此，僅說明上側擦光處理組件6-300A。
圖57是表示上側擦光處理組件的概略結構的示圖。如圖57所示，上側擦光處理組件6-300A具有：擦光台6-400，該擦光台6-400設置晶 圓W；擦光頭6-500，該擦光頭6-500安裝有對晶圓W的處理面進行擦光處理用的擦光墊6-502；擦光臂6-600，該擦光臂6-600對擦光頭6-500進行保持；液供給系統6-700，該液供給系統6-700用於供給各種處理液；以及修正部6-800，該修正部6-800用於對擦光墊6-502進行修正。
擦光台6-400具有保持晶圓W的機構。晶圓保持機構在本實施例中是真空吸附方式，但也可是任意的方式。例如，晶圓保持機構，即可是在晶圓W的周緣部的至少一個部位對晶圓W的表面及背面進行夾緊的夾緊方式，也可是在晶圓W的周緣部的至少一個部位對晶圓W的側面進行保持的輥夾持方式。在本實施例中，擦光台6-400將晶圓W保持成晶圓W的加工面朝向上方。
另外，擦光台6-400構成為，利用未圖示的驅動機構而繞旋轉軸A旋轉。在擦光臂6-600上，借助構成為可旋轉的旋轉軸6-504而安裝有擦光頭6-500。在擦光頭6-500的與晶圓W(或擦光台6-400)相對的面上，安裝有用於對晶圓W進行擦光處理的擦光墊6-502。擦光臂6-600構成為，使擦光頭6-500繞旋轉軸B旋轉。另外，由於擦光墊6-502的面積比晶圓W(或擦光台6-400)的面積小，因此，擦光臂6-600構成為，可使擦光頭6-500如箭頭C所示地向晶圓W的徑向擺動。由此，可無遺漏地對晶圓進行擦光處理。另外，擦光臂6-600構成為，可將擦光頭6-500擺動直至擦光墊6-502與修正部6-800相對的位置。擦光頭6-500構成為，可利用促動器(圖示省略)而向接近擦光台6-400的方向及遠離擦光台6-400的方向(在本實施例中是向上下)移動。由此，能以規定的壓力將擦光墊6-502按壓到晶圓W。這種結構，既可利用旋轉軸6-504的伸縮來實現，也可利用擦光臂6-600的上下運動來實現。
液供給系統6-700具有用於將純水(圖中表示為DIW)供給到晶圓W的處理面的純水外部噴管6-710。純水外部噴管6-710借助純水配管6-712而與純水供給源6-714連接。在純水配管6-712上設置可對純水配管6-712進行開閉的開閉閥6-716。控制裝置6-5通過對開閉閥6-716的開閉進行控制，從而可按任意時間將純水供給到晶圓W的處理面。
另外，液供給系統6-700具有用於將藥液(圖中表示為Chemi)供給到晶圓W的處理面的藥液外部噴管6-720。藥液外部噴管6-720借助藥液配管6-722而與藥液供給源6-724連接。在藥液配管6-722上設置可對藥液配管6-722進行開閉的開閉閥6-726。控制裝置6-5通過對開閉閥6-726的開閉，從而可按任意時間將藥液供給到晶圓W的處理面。
另外，液供給系統6-700具有用於將漿料(圖中表示為Slurry)供給到晶圓W的處理面的漿料外部噴管6-730。漿料外部噴管6-730借助漿料配管6-732而與漿料供給源6-734連接。在漿料配管6-732上設置可對漿料配管6-732進行開閉的開閉閥6-736。控制裝置6-5通過對開閉閥6-736的開閉，從而可按任意時間將漿料供給到晶圓W的處理面。
在本實施例中，外部噴管6-710、6-720、6-730的位置都是固定的，並向事先確定的固定位置供給純水、藥液或漿料。這些處理液，利用晶圓W的旋轉而被供給到處理液被高效供給到擦光墊6-502的位置。外部噴管6-710、6-720、6-730也可構成為與二個以上的各種處理液共同的一個或二個噴管。另外，外部噴管也可構成為，供給純水、藥液及漿料中的至少一種處理液。
擦光處理組件6-300A還構成為，可借助擦光臂6-600、擦光 頭6-500及擦光墊6-502而選擇性地將處理液(純水、藥液或漿料)供給到晶圓W的處理面。即，分支純水噴管6-712a從純水配管6-712中的純水供給源6-714與開閉閥6-716之間分支。同樣，分支藥液配管6-722a從藥液配管6-722中的藥液供給源6-724與開閉閥6-726之間分支。分支漿料配管6-723a從漿料配管6-732中的漿料供給源6-734與開閉閥6-736之間分支。分支純水配管6-712a、分支藥液配管6-722a及分支漿料配管6-732a在液供給配管6-740合流。在分支純水配管6-712a上，設置可對分支純水配管6-712a進行開閉的開閉閥6-718。在分支藥液配管6-722a上，設置可對分支藥液配管6-722a進行開閉的開閉閥6-728。在分支漿料配管6-732a上，設置可對分支漿料配管6-732a進行開閉的開閉閥6-736。
液供給配管6-740與擦光臂6-600的內部、擦光頭6-500的中央內部及擦光墊6-502的中央內部連通。具體來說，如圖58所示，在擦光臂6-600、擦光頭6-500及擦光墊6-502的內部，形成有內部供給管線6-506，該內部供給管線6-506與液供給配管6-740連通。內部供給管線6-506向擦光台6-400的上表面(晶圓W的處理面)開口。採用這種結構，在擦光處理中，可借助內部供給管線6-506而從擦光墊6-502的中央部供給處理液。從擦光墊6-502的中央部供給的處理液，因擦光頭6-500的旋轉所產生的離心力和處理液的供給壓力，而可無遺漏地擴散到擦光墊6-502與晶圓W之間。為了對處理液的流動進行控制，即，為了將從擦光墊6-502的中央部供給的處理液容易引導到徑向外側，也可在擦光墊6-502上形成有溝槽。該溝槽例如也可形成為放射狀。
在本實施例中，內部供給管線6-506的開口部在擦光墊6-502 的中央僅設有一個，但也可設有複數個開口部。例如，內部供給管線6-506，也可利用形成在擦光頭6-500內的儲水套(water pool-jacket)構造而向分散配置的複數個開口分支。複數個開口部也可分散配置成它們的徑向的位置不相同。控制裝置6-5通過對開閉閥6-718、開閉閥6-728及開閉閥6-736的開閉進行控制，從而可在任意時間將純水、藥液和漿料中的任一種或它們的任意組合的混合液供給到晶圓W的處理面。從以上說明可知，擦光處理組件6-300A具有外部噴管6-710、6-720、6-730和內部供給管線6-506這二個系統的處理液供給構件。
擦光處理組件6-300A借助外部噴管6-710、6-720、6-730和內部供給管線6-506中的至少一方而將處理液供給到晶圓W，並使擦光台6-400繞旋轉軸A旋轉，將擦光墊6-502按壓到晶圓W的處理面，使擦光頭6-500繞旋轉軸B旋轉同時向箭頭C方向擺動，由此可對晶圓W進行擦光處理。另外，擦光處理時的擦光台6-400與擦光頭6-500的相對運動部不限於上述的例子，也可利用旋轉運動、平行運動、圓弧運動、往復運動、渦旋運動和角度旋轉運動(以小於360度的規定角度進行旋轉的運動)中的至少一種來實現。
在本申請案中，對於擦光處理，包含擦光研磨處理及擦光清洗處理的至少一方。所謂的擦光研磨處理是如下處理：使擦光墊6-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊6-502相對運動，將漿料等夾在晶圓W與擦光墊6-502之間，由此對晶圓W的處理面進行研磨去除。擦光研磨處理是，通常在以將晶圓的表面的凹凸平坦化、或將形成於凹槽(trench)和貫孔(via)內部以外的表面的多餘膜去除為目的進行主研磨之後，進行所謂的精研 磨。擦光研磨的去除加工量是例如數nm~10幾nm左右。作為擦光墊6-502，例如可使用將發泡聚氨酯和無紡布層疊後的墊(具體來說，例如在市場可購買到的IC1000(註冊商標)/SUBA(註冊商標)系)、或絨面革狀的多孔性聚氨酯非纖維質墊(具體來說，例如在市場可購買到的POLITEX(註冊商標)等。擦光研磨處理是如下處理：可對晶圓W施加比輥形清洗室6-190中由PVA構成的輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用力、及筆形清洗室6-192中由PVA構成的筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。利用擦光研磨處理，可實現：去除表層部所具有的擦傷等損傷或表層部所附著的異物；補充去除不能用研磨單元6-3中的主研磨進行去除的部位；或者主研磨後的、在微小區域和基板整體上的稱為膜厚分佈的表面波度的改善。
所謂的擦光清洗處理是如下精處理：使擦光墊6-502與晶圓W接觸，同時使晶圓W和擦光墊6-502相對運動，通過將清洗處理液(藥液、純水或它們的混合物)夾在晶圓W與擦光墊6-502之間而將晶圓W表面的異物去除，或將處理面改性。作為擦光墊6-502，可使用上述的IC1000(註冊商標)/SUBA(註冊商標)系或POLITEX(註冊商標)等。擦光清洗處理是如下處理：可對晶圓W施加比輥形清洗室6-190中由PVA構成的輥形海綿施加於晶圓W的物理性作用力、及筆形清洗室6-192中由PVA構成的筆形海綿施加於晶圓W的物理性作用力更強的物理性作用力。採用擦光清洗處理，可有效地去除僅使由PVA構成的海綿材料接觸而不能去除的粘著性大的異物等。另外，為了進行本發明的擦光清洗處理，也可將PVA海綿用作為擦光墊。
修正部6-800對擦光墊6-502的表面進行修正。對於修正，包含刮去擦光墊的表面、一邊刮去表面一邊進行清洗、以及不刮去表面而進 行清洗。在本實施例中，修正部6-800配置在擦光台6-400的外部。修正部6-800具有：底板6-810；以及設置在底板6-810上的修整件6-820。底板6-810構成為，可利用未圖示的驅動機構而繞旋轉軸D旋轉。在本實施例中，修整件6-820的面積比擦光墊6-502的面積大，但修整件6-820與擦光墊6-502的大小關係可任意設定。對於修整件6-820，詳細後述。
擦光處理組件6-300A在對擦光墊6-502進行修正時，使擦光臂6-600回旋直至擦光墊6-502處於與修整件6-820相對的位置。擦光處理組件6-300A使底板6-810繞旋轉軸D旋轉並使擦光頭6-500旋轉，將擦光墊6-502按壓到修整件6-820，由此對擦光墊6-502進行修正。此時，擦光頭6-500與擦光處理時相同地沿水平方向進行任意移動。由此，擦光墊6-502的處理面無遺漏地被修正。這種修正動作例如可在將擦光處理後的晶圓W置換成可進行下一擦光處理的晶圓W的期間進行。
採用以上說明的擦光處理組件6-300A，作為被化學機械研磨處理後的晶圓W的精處理而進行擦光處理，由此可抑制晶圓W的損傷(缺陷)並進行精研磨，或者可去除化學機械研磨處理中所產生的損傷，或者，與以往的輥形清洗和筆形清洗相比，可有效地清洗去除粘著性大的異物等。
圖59A是表示修正部6-800結構的概略俯視圖。圖59B是沿圖59A的A-A線的概略局部剖視示意圖。如圖59A、圖59B所示，在底板6-810上設有修整件6-820。如圖59A所示，在本實施例中，修整件6-820具有相互隔著間隔的複數個(這裡為四個)修整件塊6-821~6-824。在本實施例中，修整件塊6-821~6-824具有四分之一圓的形狀。但是，修整件塊的形狀可具有任意形狀。另外，在本實施例中，修整件塊6-821~6-824由金剛石形成。這些 修整件塊6-821~6-824配置成，在它們之間形成正交的二條直線上的溝槽6-825。
在溝槽6-825內(即，在底板6-810上)，設有隔著間隔的複數個噴射噴管6-830。但是，噴射噴管6-830的數量也可是單數。這些噴射噴管6-830配置成，噴射噴管6-830的頂部成為退避到修整件6-820的上表面的下方退避的位置。即，當使擦光墊6-502與修整件6-820的上表面接觸時，噴射噴管6-830不與擦光墊6-502接觸。
在底板6-810的內部形成有水套(water jacket)6-811。該水套6-811分別與純水供給源6-714(參照圖57)和噴射噴管6-830連接。即，水套6-811發揮用於將純水分別供給到噴射噴管6-830的共同的供給道的功能。採用這種結構，由於可將純水的供給道的結構簡單化，因此，可將修正部6-800小型化。或者，可容易製造修正部6-800和容易進行維護保養。
當用這種修正部6-800對擦光墊6-502進行修正時，安裝於擦光頭6-500的擦光墊6-502就利用擦光臂6-600的回旋而配置在修整件6-820期噴射噴管6-830的上方。擦光墊6-502再通過擦光頭6-500移動到下方而下降，直至與修整件6-820的上表面接觸。由此，可以規定的壓力降擦光墊6-502按壓到修整件6-820。並且，擦光墊6-502利用擦光頭6-500的旋轉而旋轉，且修整件6-820期噴射噴管6-830利用底板6-810的旋轉而旋轉，再從噴射噴管6-830噴射純水，對擦光墊6-502進行修正。此時，在設有修整件6-820的第1區域A1(參照圖59B)，通過修整件6-820和擦光墊6-502以接觸的狀態進行相對移動，對擦光墊6-502進行修整。另外，與此同時，在設有噴射噴管6-830(換言之，未設有修整件6-820)的第2區域A2(參照圖59B)，通過從噴射 噴管6-830向擦光墊6-502噴射純水，對擦光墊6-502進行清洗。另外，在本實施例中，第1區域A1的總面積比第2區域A2的總面積大，但第1區域A1和第2區域A2的大小關係，可任意設定。
採用這種修正部6-800，可利用修整件6-820和噴射噴管6-830進行二種修正(修整和清洗)。由此，可有效地對擦光墊6-502進行修正。例如，在擦光墊6-502上形成有溝槽的情況下，對擦光墊6-502的未形成有溝槽的區域進行修整，同時可利用純水噴射而去除進入到該溝槽的粒子(例如，研磨中所使用的漿料、基板的切削屑等)。而且，與設置具有單一種類的修正功能的複數個修正部(例如，修整用的修正部和清洗用的修正部)的情況相比，可節省用於設置修正部6-800的設置空間。此外，在對擦光墊6-502進行多種修正的情況下，由於在複數個修正部之間不必使擦光墊6-502移動，因此，能縮短擦光墊6-502的修正所需的時間，縮短的時間為擦光墊之前需要移動的時間。
圖59C是作為代替方式的修正部6-800a的概略局部剖視示意圖。在圖59C中，對於與圖59B的結構要素相同的結構要素，標上與圖59B相同的符號。在本例中，修正部6-800a取代噴射噴管6-830而具有刷子6-830a，該刷子6-830a設在底板6-810a上。在底板6-810a上，未設有水套6-811。刷子6-830a的頂端位於修整件6-820的上表面的上方。當對擦光墊6-502進行修正時，擦光墊6-502就下降直至與修整件6-820的上表面接觸。因此，在修正過程中，修整件6-820和擦光墊6-502在第1區域A1接觸，同時刷子6-830a和擦光墊6-502在第2區域A2接觸。由此，可同時進行二種的修正。通過調節刷子6-830a的長度和硬度，從而可調節刷子6-830a的修正特性。
圖60是作為代替方式的修正部6-800b的概略俯視圖。在圖60中，對於與圖59A的結構要素相同的結構要素，標上與圖59A相同的符號。修正部6-800b具有一個修整件6-820b。即，修整件6-820b未被分割成複數個塊。在該修整件6-820b上形成有沿表背方向(即，厚度方向)貫通修整件6-820b的複數個貫通孔6-825b。這些貫通孔6-825b沿相互正交的二個方向配置成直線狀。在貫通孔6-825b的各自內部，在底板6-810上設置噴射噴管6-830(參照圖59B)。在底板6-810的內部，如圖59B所示，形成有與各個貫通孔6-825b連接的水套6-811(在圖60中，圖示省略)。如此，噴射噴管6-830也可設成孔。孔也可是未貫通的孔。在該情況下，噴射噴管6-830設在修整件6-820b上。噴射噴管6-830不限於孔，也可設在形成於修整件6-820b的溝槽或缺口的內部。如此，噴射噴管及修整件只要配置成混和在底板6-810的設置範圍內的狀態即可。
另外，在修整件6-820b的上表面形成有複數個溝槽6-826b。各個溝槽826b從修整件6-820b的中心部沿半徑方向延伸到外緣，且形成為放射狀。這種修正部6-800b在修正過程中從噴射噴管6-830供給的純水借助溝槽6-826b而容易被排出修整件6-820b的外部。其結果是，由純水噴射去除的附著物容易與純水一起被排出到外部。
圖61是作為代替方式的修正部6-800c的概略俯視圖。在圖61中，對於與圖59A的結構要素相同的結構要素，標上與圖59A相同的符號。修正部6-800c中，噴射噴管6-830c的配置不同於圖59A所示的修正部6-800。在本例中，各個噴射噴管6-830c配置成半徑方向的位置互相不同。採用這種結構，當修整件6-820及噴射噴管6-830隨著底板6-810的旋轉而旋轉時，複 數個噴射噴管6-830c就分別配置在不同的旋轉軌跡上。因此，可利用少量的噴射噴管6-830c來對擦光墊6-502的整個面進行修正。換言之，可減少噴射噴管6-830c的數量。其結果是，可增大修整件6-820的修整面積，且可降低維護保養成本。
圖62是表示擦光處理(這裡表示為擦光清洗處理)、和擦光墊的修正的順序的一例子的說明圖。在圖62中，標記於各工序的方框的圓標記表示擦光臂6-600的位置、即表示擦光墊6-502位於擦光台6-400及修正部6-800中的哪一側。在圖示的順序中，首先，擦光臂6-600(擦光墊6-502)配置在擦光台6-400側，在該擦光台6-400中，使用擦光墊6-502而對晶圓W進行擦光清洗處理(步驟S6-10)。具體來說，在從內部供給管線6-506及藥液外部噴管6-720中的至少一方供給藥液的狀態下，與擦光台6-400一起旋轉的晶圓W和利用擦光頭6-500而旋轉的擦光墊6-502接觸，對晶圓W進行擦光處理。當擦光清洗處理結束時，在擦光台6-400中，純水從內部供給管線6-506及純水外部噴管6-710中的至少一方被供給到晶圓W上，晶圓W被沖洗(步驟S6-20)。在該步驟S6-20的期間，擦光臂6-600(擦光墊6-502)從擦光台6-400移動至修正部6-800，擦光墊6-502被沖洗(步驟S6-70)。具體來說，在擦光墊6-502和修整件6-820離開的狀態下，通過從噴射噴管6-830向擦光墊6-502噴射純水，從而擦光墊6-502被沖洗。此時，通過擦光墊6-502及修整件6-820相對旋轉，從而擦光墊6-502的整個面被沖洗。在使用未設置噴射噴管的修正部(例如，圖59C所示的修正部6-800a)的情況下，也可從設在修整件6-820外部的的外部噴管向斜上方而向擦光墊6-502噴射純水。在該情況下，從外部噴管至至少覆蓋擦光墊6-502半徑的區域噴射純水，同時使擦光墊6-502 旋轉，由此可對擦光墊6-502的整個面進行沖洗。如此，若一邊使擦光墊6-502旋轉一邊進行沖洗，則可促進用於沖洗而被污染的純水利用離心力而排出到外側。但是，在使用可將擦光墊6-502的整個面作為噴射範圍進行覆蓋的外部噴管的情況下，也可在擦光墊6-502停止的狀態即非旋轉狀態下進行沖洗。
當在擦光台6-400中結束晶圓W的沖洗時，該晶圓W從擦光台6-400被搬出(步驟S6-30)。並且，純水從純水外部噴管6-710供給到搬出晶圓W後的擦光台6-400，擦光台6-400被沖洗(步驟S6-40)。在該步驟S6-30、S6-40的期間，擦光臂6-600依然配置在修正部6-800側。在該步驟S6-30、S6-40的期間用該修正部6-800對擦光墊6-502進行修正。在本實施例中，作為修正，而同時進行修整和清洗(步驟S6-80)。對於用於進行這種修正的修正部6-800的結構，後述。
另一方面，在擦光台6-400，當結束擦光台6-400的沖洗時，新的要被擦光清洗處理的晶圓W被搬入擦光台6-400(步驟S6-50)。當晶圓W配置在擦光台6-400上時，擦光臂6-600移動到擦光台6-400側。並且，對於新搬入的晶圓W，與上述步驟S6-10相同地進行擦光清洗處理(步驟S6-60)。在該步驟S6-60的期間，用修正部6-800沖洗修整件6-820(步驟S6-90)。具體來說，通過從設在修整件6-820外部的外部噴管向斜下方將純水噴射到修整件6-820，從而修整件6-820被沖洗。與上述步驟S6-70相同，沖洗時，修整件6-820既可旋轉，也可停止。另外，步驟S6-90可在步驟S6-80之後開始，但也可在步驟S6-80結束、擦光臂6-600移動到擦光台6-400側之後實施。
B．變形例：
B-1.變形例1：
噴射噴管6-830也可是貫通修整件6-820表背的貫通孔。即，該貫通孔也可起到噴射噴管的功能。採用這種結構，可將修正部6-800的結構簡單化。即使是該情況下，在底板6-810上，也可形成有分別與該貫通孔連通的水套。
B-2.變形例2：
在上述的實施例中，例示了同時進行二種修正的結構，但這二種修正也可依次進行。例如，也可最初由修整件6-820進行修正，然後由噴射噴管6-830進行修正。具體來說，首先，也可不從噴射噴管6-830噴射純水，而使修整件6-820與擦光墊6-502接觸，進行第1修正。然後，在使擦光墊6-500上升的狀態(即，相比於進行第1修正時，將底板6-810與擦光墊6-502的距離拉開的狀態、換言之修整件6-820與擦光墊6-502為非接觸的狀態)下從噴射噴管6-830噴射純水，進行第2修正。採用這種順序，由於在擦光墊6-502與修整件6-820之間形成空隙的狀態下，從噴射噴管6-830噴射純水，因此，在第2修正中，容易將第1修正所產生的屑排出到外部。另外，也可在進行第2修正後進行第1修正。
如此，在擦光墊6-502與修整件6-820離開的狀態下進行從噴射噴管6-830噴射純水的控制的情況下，各個噴射噴管6-830也可構成為，在修正過程中，各個噴射噴管6-830的噴射範圍相互不重複。避免這種噴射範圍的重複的控制是，通過將各個噴射噴管6-830分別配置成它們的半徑方向的位置互相不相同就容易進行。採用這種結構，可防止從複數個噴射噴管 6-830噴射的純水互相之間碰撞、純水施加於擦光墊6-502的壓力產生下降的現象。因此，可防止因該碰撞所帶來的修正性能的下降。
B-3.變形例3：
修整件6-820不限於金剛石，也可是通過與擦光墊6-502接觸、在與擦光墊6-502之間進行相對移動而對擦光墊6-502進行修正的任意的部件。例如，修整件6-820也可由陶瓷材料形成，或者，修整件6-820也可是刷子。如此，修正部6-800也可通過使接觸式的修正構件、和流體噴射式的修正構件進行任意組合來實現。
此外，修正部6-800也可通過第1接觸式修正構件、和第2接觸式修正構件的任意組合來實現。例如，第1接觸式修正構件，也可是刷子、金剛石及陶瓷中的一種，第2接觸式修正構件也可是其修正特性不同於第1接觸式修正構件的刷子、金剛石及陶瓷中的一種。更具體來說，第1接觸式修正構件及第2接觸式修正構件都可是刷子。在該情況下，對於第1接觸式修正構件及第2接觸式修正構件，也可採用長度和硬度相互不同的刷子。在修正部6-800未具有噴射噴管6-830的情況下，也可從內部供給管線6-506供給修正液。當然，修正部6-800也可具有三種以上的修正構件。例如，也可在圖59A所示的溝槽6-825內配置有噴射噴管6-830和刷子。
B-4.變形例4：
如圖61所示，複數個噴射噴管6-830c在配置成它們的半徑方向的位置互相不同的情況下，複數個噴射噴管6-830c也可構成為來自它們的流體的噴射 量互相不同。採用這種結構，可進行自由度更高的修正。例如，在半徑方向相對配置在外側的噴射噴管6-830c，相比於相對配置在內側的噴射噴管6-830c，由於必須向半徑大的區域噴射純水，因此，可修正的面積大。與此對應，通過將配置在外側的噴射噴管6-830c的噴射量作成大於配置在內側的噴射噴管6-830c，從而可實現單位面積的純水向擦光墊6-502的碰撞流量分佈的平衡。或者，除了噴射噴管6-830c，在半徑方向的內側設有修正性能比純水噴射低的刷子(例如，圖59C所示的刷子6-830a)的情況下，為了加強刷子進行的修正，也可將配置在內側的噴射噴管6-830c的噴射量作成大於配置在外側的噴射噴管6-830c的噴射量。如此，可適當設定是否將半徑方向的任一側的噴射噴管6-830c的噴射量作成相對大。噴射流量的控制例如可通過調節噴射噴管6-830c的噴射孔的直徑來實施。
B-5.變形例5：
擦光頭6-500也可採用修正部6-800沿水平方向移動至擦光頭6-500的下方的結構，來代替從擦光台6-400沿水平方向(與重力方向正交的方向)移動至修正部6-800的下方的結構。在該情況下，為了修正所產生的去除物等不飛散到晶圓W上，較好的是在從擦光台6-400搬出晶圓W之後進行修正。或者，擦光頭6-500及修正部6-800這兩方也可採用移動至規定的修正位置的結構。在該情況下，修正位置較好的是位於擦光台6-400的外部。
B-6.變形例6：
擦光台6-400也可構成為，向任意方向對晶圓W進行保持。例如，擦光 台6-400也可構成為，將晶圓W保持成與上述實施例相反的方向。即，擦光台6-400也可構成為，代替將晶圓W保持成從晶圓W的處理面向與擦光台6-400相反的方向延伸的該處理面的法線朝向重力方向上方的結構，而將晶圓W保持成該法線朝向鉛垂方向下方。或者，擦光台6-400也可構成為，將晶圓W保持成，從晶圓W的處理面向與擦光台6-400相反的方向延伸的該處理面的法線朝向水平方向(與重力方向正交的方向)。在這些情況下，修正部6-800也可配置成，其處理面朝向與擦光墊6-502的處理面相對的方向。
B-7.變形例7：
擦光處理組件6-300A、6-300B不限於包含在清洗單元6-4內的結構，也可包含在研磨單元6-3中。
以上，與圖54~圖62一起根據幾個實施例而說明了本發明的實施方式，上述的發明的實施方式，是為了容易理解本發明的方式，並不限定本發明。本發明可不脫離其宗旨地進行變更、改進，且當然本發明包含其等價物。另外，在能解決上述問題的至少一部分的範圍、或獲得至少一部分效果的範圍內，可任意組合或省略申請專利範圍第書及說明書中的各結構要素。

Claims (26)

  1. 一種擦光處理組件，其具有：擦光台，該擦光台用於設置處理對象物；擦光頭，該擦光頭用於保持擦光墊，該擦光墊用於對所述處理對象物進行規定的處理；擦光臂，該擦光臂對所述擦光頭進行支承並擺動；修整件，該修整件用於對所述擦光墊進行修整；以及刷子清洗機構，配置在所述擦光台與所述修整件之間，用於對所述擦光墊進行清洗。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中所述刷子清洗機構可清洗在所述擦光台與所述修整件之間進行移動的所述擦光墊的整個面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的擦光處理組件，其中所述刷子清洗機構配置成，可接觸在所述擦光台與所述修整件之間進行移動的所述擦光墊的半徑部分，通過所述擦光頭進行旋轉，從而可清洗所述擦光墊的整個面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中所述刷子清洗機構可相對所述擦光墊之移動路徑可進入退出。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的擦光處理組件，其中所述刷子清洗機構能夠利用旋轉式促動器進行旋轉移動，或利用工作缸進行直線移動。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中在所述修整件的近旁設置台座，在所述台座上配置有所述刷子清洗機構。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中所述刷子清洗機構進行的清洗在修整處理前、修整處理過程中及修整處理後的其中至少任一階段進行。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中所述刷子清洗機構具有向所述擦光墊噴射處理液的處理液噴出口。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中在所述擦光墊的表面形成有從中央部至外周部連續的溝槽，在所述擦光墊的中央部設有供處理液流出的處理液流出口，所述處理液在所述擦光墊與所述修整件抵接的狀態下從所述處理液流出口流出。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的擦光處理組件，其中所述擦光墊的溝槽在擦光墊的最外周部近旁具有對所述處理液的流量進行抑制的流量抑制部。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中所述修整件之表面形成有修整件溝槽。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的擦光處理組件，其中所述修整件溝槽呈放射狀或螺旋狀。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的擦光處理組件，其中在所述處理液噴出口連接有對處理液的流量及壓力中的至少任一方進行調整的調整閥。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件，其中在所述擦光墊的近旁具有防止處理液飛散的擦光頭罩蓋。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的擦光處理組件，其中所述擦光臂之至少一部分承擔所述擦光頭罩蓋的一部分的功能。
  16. 如申請專利範圍第8項所述的擦光處理組件，其中所述處理液是從由DIW(純水)、藥液及漿料構成的組中選擇的至少一種液體或該液體與壓縮空氣的混合體。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的擦光處理組件，其中所述各液體的供給係可切換的。
  18. 如申請專利範圍第8項所述的擦光處理組件，其中利用超聲波清洗流體取代所述處理液或與所述處理液一起對所述擦光墊進行清洗。
  19. 一種基板處理裝置，其具有如申請專利範圍第1項所述的擦光處理組件。
  20. 一種擦光墊清洗方法，用於清洗擦光墊，該擦光墊用於對處理對象物進行規定的處理，該擦光墊清洗方法利用擦光臂對保持所述擦光墊的擦光頭進行支承並擺動，利用配置在用於設置所述處理對象物的擦光台與用於修整所述擦光墊的修整件之間的刷子清洗機構而對所述擦光墊進行清洗。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的擦光墊清洗方法，其中利用所述刷子清洗機構清洗在所述擦光台與所述修整件之間進行移動的所述擦光墊的整個面。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的擦光墊清洗方法，其中使所述擦光頭進行旋轉，藉由所述刷子清洗機構，從而清洗所述擦光墊的整個面，所述刷子清洗機構配置成，可接觸在所述擦光台與所述修整件之間進行移動的所述擦光墊的半徑部分。
  23. 如申請專利範圍第20項所述的擦光墊清洗方法，其中所述刷子清洗機構可相對所述擦光墊之移動路徑可進入退出。
  24. 如申請專利範圍第20項所述的擦光墊清洗方法，其中所述刷子清洗機構利用旋轉式促動器進行旋轉移動，或利用工作缸進行直線移動。
  25. 如申請專利範圍第20項所述的擦光墊清洗方法，其中所述刷子清洗機構進行的清洗係在修整處理前、修整處理過程中及修整處理後的其中至少任一階段進行。
  26. 如申請專利範圍第20項所述的擦光墊清洗方法，其中所述刷子清洗機構進行的清洗，係與從設於所述刷子清洗機構的處理液噴出口噴射處理液，同時進行。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9700988B2 (en) 2014-08-26 2017-07-11 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
JP6700922B2 (ja) * 2016-04-05 2020-05-27 キヤノン株式会社 カバー部材、搬送装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US10096460B2 (en) 2016-08-02 2018-10-09 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase
JP6842859B2 (ja) 2016-08-12 2021-03-17 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置、研磨装置、ホルダー、ハウジング及びドレッシング方法
JP6684191B2 (ja) * 2016-09-05 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
CN106475897B (zh) * 2016-10-11 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 基片研磨装置和基片清洁设备
JP6304349B1 (ja) * 2016-11-15 2018-04-04 株式会社Sumco ウェーハのエッジ研磨装置及び方法
JP6901277B2 (ja) * 2017-02-20 2021-07-14 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 スクラブ洗浄方法およびスクラブ洗浄装置
JP6875154B2 (ja) * 2017-03-06 2021-05-19 株式会社荏原製作所 セルフクリーニング装置、基板処理装置、および洗浄具のセルフクリーニング方法
JP6885754B2 (ja) * 2017-03-09 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6974065B2 (ja) * 2017-08-16 2021-12-01 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板を基板処理装置のテーブルから離脱させる方法
CN107627216B (zh) * 2017-10-11 2019-04-05 盐城环宇汽车零部件制造有限公司 一种基于物联网的高安全性能的智能磨床
JP7148349B2 (ja) * 2017-11-14 2022-10-05 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
KR102279523B1 (ko) * 2018-01-30 2021-07-20 주식회사 케이씨텍 브러쉬 세정 장치
WO2019151041A1 (ja) * 2018-02-05 2019-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP7108450B2 (ja) * 2018-04-13 2022-07-28 株式会社ディスコ 研磨装置
JP7265858B2 (ja) * 2018-11-16 2023-04-27 株式会社荏原製作所 洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法
US11791173B2 (en) * 2019-03-21 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment
KR20200130545A (ko) * 2019-05-08 2020-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN110153078B (zh) * 2019-05-24 2024-10-01 清华大学 一种基板清洗头及基板清洗装置
CN110153079B (zh) * 2019-05-24 2024-09-17 清华大学 一种基板清洗头及基板清洗装置
JP7348623B2 (ja) * 2019-05-28 2023-09-21 アイオン株式会社 基板洗浄用ブラシ
JP7304742B2 (ja) * 2019-06-06 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 基板加工装置
JP7218731B2 (ja) * 2020-01-09 2023-02-07 信越半導体株式会社 ラッピング装置の洗浄装置
CN111229493B (zh) * 2020-01-14 2021-08-06 重庆实创钢结构有限公司 钢结构上漆线
CN111775056A (zh) * 2020-07-04 2020-10-16 刘永 一种化学机械研磨的防溅罩
JP7534142B2 (ja) * 2020-07-16 2024-08-14 株式会社岡本工作機械製作所 ドレッシング装置及び研磨装置
JP7520128B2 (ja) * 2020-11-05 2024-07-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 水平バフ研磨モジュール
JP7564693B2 (ja) 2020-11-26 2024-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 下面ブラシ、ブラシユニットおよび基板洗浄装置
US11942319B2 (en) 2020-12-18 2024-03-26 Applied Materials, Inc. Pad carrier for horizontal pre-clean module
KR20220144991A (ko) * 2021-04-21 2022-10-28 주식회사 제우스 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2023009116A1 (en) * 2021-07-28 2023-02-02 Applied Materials, Inc. High throughput polishing modules and modular polishing systems
CN114248195A (zh) * 2021-12-30 2022-03-29 北京烁科精微电子装备有限公司 一种研磨方法
US11975343B1 (en) * 2022-10-31 2024-05-07 Illinois Tool Works Inc. Automated pressure control system and method for a cleaner
TWI839075B (zh) * 2023-01-12 2024-04-11 中國砂輪企業股份有限公司 研磨墊修整裝置
CN116329151A (zh) * 2023-05-30 2023-06-27 沈阳和研科技股份有限公司 一种封装毛刷清洗装置及清洗方法
CN117300904B (zh) * 2023-11-28 2024-01-23 苏州博宏源机械制造有限公司 一种抛光垫修整装置

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401699A (en) * 1980-10-14 1983-08-30 Baskett Theodore N Surface processing method
JPH0675655U (ja) 1993-04-15 1994-10-25 日本板硝子株式会社 研磨機
JP2501763B2 (ja) 1993-06-30 1996-05-29 不二越機械工業株式会社 ウエハ―の研磨装置
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
JP3483602B2 (ja) * 1993-12-01 2004-01-06 富士重工業株式会社 工作機械の冷却集塵装置
JP3114156B2 (ja) 1994-06-28 2000-12-04 株式会社荏原製作所 洗浄方法および装置
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JPH08252765A (ja) * 1995-03-16 1996-10-01 Fujitsu Ltd 研磨装置、研磨布搬送装置、研磨布貼付装置、及び研磨布
JP3447869B2 (ja) * 1995-09-20 2003-09-16 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び装置
KR100247921B1 (ko) 1997-01-17 2000-03-15 윤종용 화학 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학 기계적 연마 방법
US5966635A (en) 1997-01-31 1999-10-12 Motorola, Inc. Method for reducing particles on a substrate using chuck cleaning
JPH11219930A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Ebara Corp 洗浄装置
JP2000015557A (ja) * 1998-04-27 2000-01-18 Ebara Corp 研磨装置
JP2000190192A (ja) 1998-12-24 2000-07-11 Toshiba Corp ブラウン管の表面研磨方法およびその装置
US6309279B1 (en) * 1999-02-19 2001-10-30 Speedfam-Ipec Corporation Arrangements for wafer polishing
SG97860A1 (en) 1999-03-05 2003-08-20 Ebara Corp Polishing apparatus
JP2000254855A (ja) 1999-03-11 2000-09-19 Nikon Corp 研磨パッドのコンディショニング装置および研磨パッドのコンディショニング方法
US6302771B1 (en) * 1999-04-01 2001-10-16 Philips Semiconductor, Inc. CMP pad conditioner arrangement and method therefor
US6284092B1 (en) * 1999-08-06 2001-09-04 International Business Machines Corporation CMP slurry atomization slurry dispense system
JP2001053040A (ja) * 1999-08-09 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨装置および研磨方法
JP4127346B2 (ja) 1999-08-20 2008-07-30 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
EP1080840A3 (en) * 1999-08-30 2004-01-02 Mitsubishi Materials Corporation Polishing apparatus, polishing method and method of conditioning polishing pad
US6227956B1 (en) * 1999-10-28 2001-05-08 Strasbaugh Pad quick release device for chemical mechanical polishing
US6547651B1 (en) * 1999-11-10 2003-04-15 Strasbaugh Subaperture chemical mechanical planarization with polishing pad conditioning
US6340326B1 (en) * 2000-01-28 2002-01-22 Lam Research Corporation System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
US6705930B2 (en) 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
JP2001353659A (ja) * 2000-06-16 2001-12-25 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研磨ウエハの研磨合否判定方法
JP3333778B2 (ja) 2000-11-09 2002-10-15 不二越機械工業株式会社 研磨定盤の洗浄方法及びその洗浄装置
TW564200B (en) 2000-11-09 2003-12-01 Fujikoshi Machinery Corp Method of cleaning abrasive plates of abrasive machine and cleaning device
KR20020044737A (ko) * 2000-12-06 2002-06-19 윤종용 컨디셔닝 클리너를 포함하는 씨엠피 설비
JP3507794B2 (ja) 2000-12-25 2004-03-15 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US20020155795A1 (en) * 2001-04-24 2002-10-24 Mark Ferra Optical endpoint detection for buff module on CMP tool
JP4672924B2 (ja) 2001-08-02 2011-04-20 株式会社ディスコ 吸着パッド洗浄装置及び該装置を用いた吸着パッド洗浄方法
US20030064595A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Wang Michael Shu-Huan Chemical mechanical polishing defect reduction system and method
US6852020B2 (en) * 2003-01-22 2005-02-08 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical—mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
US6796890B1 (en) * 2003-02-20 2004-09-28 Edward K Goldrick Extendable wet saw water shield
US6850020B1 (en) 2003-09-26 2005-02-01 Red Devil Equipment Company Multizone clamping system for paint mixer
JP4733943B2 (ja) * 2004-08-23 2011-07-27 株式会社ディスコ 研磨パッドのドレッシング方法
JP2006100607A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨ヘッド、化学機械研磨装置、および研磨ヘッドの洗浄方法
KR20060074572A (ko) 2004-12-27 2006-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 화학적 기계적 연마 장치에서의 세정 시스템
CN101877305B (zh) * 2005-04-19 2012-01-11 株式会社荏原制作所 基底处理设备
JP4790322B2 (ja) 2005-06-10 2011-10-12 株式会社ディスコ 加工装置および加工方法
JP2007088143A (ja) 2005-09-21 2007-04-05 Elpida Memory Inc エッジ研磨装置
KR20070035282A (ko) * 2005-09-27 2007-03-30 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조에 사용되는 화학적기계적 연마 장비
JP2007158190A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Nikon Corp 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス
JP2007189196A (ja) 2005-12-14 2007-07-26 Ebara Corp 研磨パッド及び研磨装置
US20070135024A1 (en) 2005-12-08 2007-06-14 Itsuki Kobata Polishing pad and polishing apparatus
US7910157B2 (en) * 2005-12-27 2011-03-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and program
US7875501B2 (en) * 2006-03-15 2011-01-25 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Holding jig, semiconductor wafer grinding method, semiconductor wafer protecting structure and semiconductor wafer grinding method and semiconductor chip fabrication method using the structure
JP4838614B2 (ja) 2006-03-29 2011-12-14 株式会社岡本工作機械製作所 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JP2007301661A (ja) 2006-05-10 2007-11-22 Nikon Corp 研磨装置
JP2008036744A (ja) 2006-08-03 2008-02-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
US7234224B1 (en) * 2006-11-03 2007-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Curved grooving of polishing pads
JP2009038267A (ja) 2007-08-03 2009-02-19 Okamoto Machine Tool Works Ltd 基板の裏面研削装置および裏面研削方法
JP2011517111A (ja) 2008-04-11 2011-05-26 イノパッド，インコーポレイテッド ボイドネットワークを有する化学機械的平坦化パッド
US20090287340A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Confluense Llc In-line effluent analysis method and apparatus for CMP process control
TWI550705B (zh) * 2008-06-04 2016-09-21 荏原製作所股份有限公司 硏磨裝置及硏磨方法
KR101004435B1 (ko) 2008-11-28 2010-12-28 세메스 주식회사 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법
JP2010135524A (ja) 2008-12-04 2010-06-17 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研削加工されたシリコン基盤の洗浄方法
US8133097B2 (en) * 2009-05-07 2012-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing apparatus
JP2011031359A (ja) 2009-08-04 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨工具、研磨装置および研磨加工方法
KR101042316B1 (ko) * 2009-08-12 2011-06-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101041871B1 (ko) * 2009-08-14 2011-06-16 세메스 주식회사 기판 연마 장치 및 그의 기판 슬립 감지 방법
JP5610615B2 (ja) * 2010-06-21 2014-10-22 不二越機械工業株式会社 研磨布のドレッシング方法およびドレッシング装置
CN102554748B (zh) * 2010-12-23 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 抛光方法
JP5930873B2 (ja) 2012-06-27 2016-06-08 株式会社ディスコ 研磨装置
KR101689428B1 (ko) 2012-10-31 2016-12-23 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법
JP6031426B2 (ja) 2012-11-02 2016-11-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP5911792B2 (ja) 2012-12-17 2016-04-27 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP6271304B2 (ja) * 2013-03-29 2018-01-31 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US9478444B2 (en) * 2013-07-23 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for cleaning wafer and scrubber
US9700988B2 (en) * 2014-08-26 2017-07-11 Ebara Corporation Substrate processing apparatus

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Publication number Publication date
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