CN110170920A - 修正部、抛光处理组件、基板处理装置及修整冲洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。

Description

修正部、抛光处理组件、基板处理装置及修整冲洗方法
本申请是下述专利申请的分案申请：
申请号：201510532601.1
申请日：2015年08月26日
发明名称：抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法
技术领域
本发明涉及一种半导体晶片等基板的处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造中，已知有一种对基板的表面进行研磨的化学机械研磨(CMP,Chemical Mechanical Polishing)装置。在CMP装置中，在研磨台的上表面贴附有研磨垫，形成研磨面。该CMP装置将由顶环保持的基板的被研磨面按压到研磨面，一边将作为研磨液的浆料供给到研磨面、一边使研磨台和顶环旋转，由此，研磨面和被研磨面相对滑动地移动，被研磨面得到研磨。
代表性的CMP装置是，研磨台或研磨垫比要研磨的基板大，基板的被研磨面由顶环保持成向下而被研磨。研磨后的基板，通过使聚乙烯醇(PVA)等的海绵材料旋转并使其与基板接触而得到清洗，再被干燥。
本申请的申请人提出了如下技术：在基板研磨后，将比基板小的小径的接触部件压到研磨后的基板上并使其相对运动的精处理单元设在与主研磨部不同的CMP装置内，稍微对基板进一步进行研磨，或进行清洗(专利文献2)。
CMP装置具有：对基板进行研磨处理用的研磨单元；对基板进行清洗处理及干燥处理用的清洗单元；以及将基板交接到研磨单元并接受利用清洗单元进行清洗处理及干燥处理后的基板的装载/卸载单元等。另外，CMP装置具有在研磨单元、清洗单元、以及装载/卸载单元内对基板进行输送的输送机构。CMP装置一边由输送机构对基板进行输送一边依次进行研磨、清洗及干燥的各种处理。作为清洗单元，公开了这样一种技术：使清洗部件与半导体基板抵接而进行摩擦清洗，将清洗后的清洗部件与表面粗糙的修正部件的平面摩擦而进行自身清洗(参照专利文献1)。
然而，有时在基板处理装置中设置抛光处理组件。该抛光处理组件对基板实施抛光研磨处理和抛光清洗处理中的至少一方处理。所谓抛光研磨处理是如下处理：使抛光垫与晶片接触，并使晶片和抛光垫相对运动，通过使浆料夹在晶片与抛光垫之间而对晶片的处理面进行研磨去除。另一方面，所谓抛光清洗处理是如下处理：使抛光垫与晶片接触，并使晶片和抛光垫相对运动，通过使清洗处理液(药液，或药液与纯水)夹在晶片与抛光垫之间而将晶片表面的污染物去除，或对处理面进行改性。
当利用抛光垫继续进行抛光研磨处理及抛光清洗处理时，抛光垫的表面就会产生网孔堵塞，研磨性能和清洗性能就会下降。因此，为恢复抛光垫的性能，必须进行称为修整处理(修整)的修正。利用修正部进行该修正。修正部具有：修整台；以及设置于修整台的修整件。修整台可利用驱动机构进行旋转。修整件由金刚石修整件、刷子修整件或它们的组合而形成。
抛光处理组件在对抛光垫进行修正时，使抛光臂回旋直至抛光垫成为与修整件相对的位置。抛光处理组件使修整台绕规定的旋转轴旋转并使抛光头旋转，通过将抛光垫按压到修整件，从而进行抛光垫的修整处理(修正)。
说明书附图中的图38，是表示用于研磨单元的而不是抛光垫的修整件4-33A的示图。在该研磨单元中，相对于大口径的研磨垫4-10，而使用小径的修整件4-33A。在进行修整处理时，处理液利用处理液供给喷管4-32A而滴下到研磨垫4-10的中央部，通过修整件4-33A沿研磨垫4-10的半径往复移动，利用与研磨垫4-10旋转运动的复合作用，而对研磨垫4-10的整个面进行修整处理。然而，对于研磨垫4-10，往往使用浆料那样的高粘度的液体作为处理液，处理液的固体成分就固化、堆积在形成于研磨垫4-10表面的槽内。这种污物，无法仅靠修整处理将其去除。因此，使用成为喷雾器4-34(a)的清洗机构而对研磨垫4-10的表面进行清洗。这里，如图36(B)所示，所谓喷雾器4-34(a)是可对研磨垫4-10喷射高压的液体或液体与气体的混合体的清洗机构。将该喷雾器4-34(a)如图38(A)所示地配置在研磨垫的半径部分处，在喷射高压清洗流体的同时使研磨垫4-10旋转，将固化、堆积在研磨垫4-10的槽内的污物去除。
专利文献1：日本专利特开平9-92633号公报
专利文献2：日本专利特开平8-71511号公报
在精处理单元中，要使接触部件利用高的压力接触来提高清洗效果或提高研磨速度，则必须利用与基板的背面整体接触的台来保持基板。此外，在利用整个面支承基板的台来支承基板的情况下，磨料和研磨生成物(有机残渣等)就会积蓄在台面上，有时污染被处理的基板。因此，要求对支承基板的台及附加于台的构造物(基板的输送机构等)始终维持高的清洁度。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的一个目的是，在研磨处理中使安装基板的台及附加于台的构造物的清洁度提高。
另外，以往技术只是通过使抛光垫与修整件相对运动而对抛光垫进行清洗，因此，虽然可进行某种程度的清洗处理，但仅此有时不能充分清洗抛光垫。
因此，本申请发明的一个目的是，提供一种将抛光垫的清洗力强化的抛光处理组件。
另外，对于上述例子，要对抛光处理组件设置喷雾器，则有如下那样的问题。即，在以往技术的图38的例子中，相比于修整件4-33A的直径，研磨垫4-10的直径大。因此，在图38的例子中，与研磨垫4-10的未被修整件4-33A覆盖的面相对而设置喷雾器4-34。
相对于此，在抛光处理组件中，抛光垫的尺寸与修整件尺寸同等或在其以下。因此，在抛光处理组件中，抛光垫的整个面由修整件覆盖。其结果是，在抛光处理组件中如以往技术那样难以设置喷雾器。
因此，本申请发明的目的在于，提供一种喷雾器，可适用于抛光垫的尺寸与修整件的尺寸同等或在其以下的抛光处理组件。
另外，在桉树的以往技术中，有如下那样的问题。即，修正部的修整件，在继续进行抛光垫的修整处理时会积蓄污物。因此，必须定期地对修整件的表面进行清洗(修整冲洗)。此时，修整件的表面与处理对象物即晶片的表面，大致处于同一个平面内。这是因为：只要使抛光垫平行(例如水平)移动，就可进行抛光研磨处理、抛光清洗处理及修整处理。然而，在清洗修整件的情况下，也不进行任何设计的情况下，向修整件喷射出的清洗液就会向晶片侧飞散，会污染晶片。
因此，本申请发明的一个目的是，提供一种即使对修整件进行清洗也不会污染相邻的抛光台上的晶片的修正部。
另外，在上述的清洗单元中，由于仅采用一个清洗方法，因此，有时不能充分对清洗部件进行清洗。例如，在清洗部件形成有槽的情况下，进入该槽内的粒子(例如，研磨中使用后的浆料、基板的磨屑等)有时仅被刷子等刷擦而无法充分去除。在这种情况下，除了用刷子等对清洗部件进行修整的处理外，另外，较好的是利用喷雾器对清洗部件喷射加压水，充分去除粒子。即，较好的是进行二种以上的修正。如此，在进行二种以上的修正的情况下，必须设置多个修正装置，以分别进行修正。在该情况下，由于装置的设置空间随着修正装置的数量而增大，因此，设备就会产生大型化。另外，由于必须使清洗部件在这些装置间移动，因此，仅仅该移动所花费的时间就使处理时间延长。这种问题不限于清洗单元，对于主要的研磨单元中的研磨之后进行精研磨的精研磨单元也是一样的。
本发明是为解决上述问题的至少一部分而作出的，可作为以下的方式来实现。
用于解决课题的手段
[方式1]
根据本发明的方式1，提供这样一种装置，是对处理对象物进行抛光处理用的装置，具有：抛光台，该抛光台具有对处理对象物进行支承用的支承面；以及喷管，该喷管用于将对抛光台的支承面进行清洗用的药液供给到支承面。
[方式2]
根据本发明的方式2，在方式1的进行抛光处理用的装置中，抛光台具有衬垫材料，衬垫材料的表面是对处理对象物进行支承的支承面。
[方式3]
根据本发明的方式3，在方式1或方式2的进行抛光处理用的装置中，构成为，喷管在抛光台的面内方向可变更朝向。
[方式4]
根据本发明的方式4，在方式1至方式3中任一方式的进行抛光处理用的装置中，构成为，喷管在垂直于抛光台的平面的面内方向可变更朝向。
[方式5]
根据本发明的方式5，在方式1至方式4中任一方式的进行抛光处理用的装置中，构成为，喷管沿垂直于抛光台的平面的方向可变更位置。
[方式6]
根据本发明的方式6，在方式1至方式5中任一方式的进行抛光处理用的装置中，抛光台具有延伸至抛光台的支承面的流体通道，当对抛光台的支承面进行清洗时，该流体通道使流体通过抛光台而供给到支承面。
[方式7]
根据本发明的方式7，在方式6的进行抛光处理用的装置中，流体通道构成为，与纯水及/或药液的供给源连接。
[方式8]
根据本发明的方式8，在方式6或方式7的进行抛光处理用的装置中，流体通道构成为，可与真空源连接，该真空源在对处理对象物进行抛光处理时使处理对象物真空吸附在支承面上。
[方式9]
根据本发明的方式9，在方式1至方式8中任一方式的的进行抛光处理用的装置中，具有清洗机构，该清洗机构利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式10]
根据本发明的方式10，在方式9的进行抛光处理用的装置中，构成为，具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，且使用抛光头及抛光垫并利用物理的接触而对抛光台的支持面进行清洗。
[方式11]
根据本发明的方式11，在方式10的进行抛光处理用的装置中，具有流体通道，该流体通道使流体通过抛光头及抛光垫而供给到支承面。
[方式12]
根据本发明的方式12，在方式9的进行抛光处理用的装置中，构成为，具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，抛光头可安装利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗用的刷子或海绵材料。
[方式13]
根据本发明的方式13，在方式9的进行抛光处理用的装置中，具有：抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫；以及清洗头，该清洗头可安装利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗用的清洗部件、刷子或海绵材料。
[方式14]
根据本发明的方式14，在方式9的进行抛光处理用的装置中，具有辊形海绵材料，该辊形海绵材料构成为，通过在抛光台上进行旋转从而利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式15]
根据本发明的方式15，在方式1至14中任一方式的进行抛光处理用的装置中，还具有如下部件中的至少一个：对抛光台的支承面进行清洗用的喷雾器清洗机；超声波清洗机；以及气蚀射流清洗机。
[方式16]
根据本发明的方式16，在方式1至14中任一方式中，构成为，抛光台具有输送机构，该输送机构相对于抛光台而搬入及/或搬出处理对象物，在清洗支承面的同时，输送机构被清洗。
[方式17]
根据本发明的方式17，提供一种方法，是对将处理对象物抛光处理用的装置的、支承处理对象物的抛光台的支承面进行清洗的方法，该方法具有如下步骤：将对抛光台的支承面进行清洗用的药液供给到支承面。
[方式18]
根据本发明的方式18，在方式17的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，抛光台具有衬垫材料，衬垫材料的表面是对处理对象物进行支承的支承面。
[方式19]
根据本发明的方式19，在方式17或方式18的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，抛光台具有输送机构，该输送机构相对于抛光台而搬入及/或搬出处理对象物，在清洗支承面的同时，输送机构被清洗。
[方式20]
根据本发明的方式20，在方式17至方式19中任一方式的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，具有如下步骤：在对抛光台的支承面进行清洗过程中，变更将药液供给到支承面的位置。
[方式21]
根据本发明的方式21，在方式17至方式20中任一方式的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，抛光台具有延伸至抛光台的支承面的流体通道，当对抛光台的支承面进行清洗时，该流体通道使流体通过抛光台而供给到支承面，所述方法具有使流体在流体通道中流动的步骤。
[方式22]
根据本发明的方式22，在方式21的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，具有使纯水及/或药液在流体通道中流动的步骤。
[方式23]
根据本发明的方式23，在方式17至方式22中任一方式的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，还具有利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗的步骤。
[方式24]
根据本发明的方式24，在方式17至方式23中任一方式的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，装置具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，方法具有如下步骤：使用抛光头及抛光垫并利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式25]
根据本发明的方式25，在方式24的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，具有流体通道，该流体通道使流体通过抛光头及抛光垫而供给到支承面，方法具有通过流通通道而供给流体的步骤。
[方式26]
根据本发明的方式26，在方式23的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，具有使用刷子或海绵材料而对抛光台的支承面进行清洗的步骤。
[方式27]
根据本发明的方式27，在方式17至方式26中任一方式的对抛光台的支承面进行清洗的方法中，还具有如下步骤：使用喷雾器清洗机、超声波清洗机及气蚀射流清洗机中的至少一个而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式28]
根据本发明的方式28，提供一种对处理对象物进行抛光处理用的装置，该装置具有：抛光台，该抛光台具有对处理对象物进行支承用的支承面；以及药液供给构件，该药液供给构件用于将对抛光台的支承面进行清洗用的药液供给到支承面。
[方式29]
根据本发明的方式29，在方式28的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，抛光台具有衬垫材料，衬垫材料的表面是对处理对象物进行支承的支承面。
[方式30]
根据本发明的方式30，在方式28或方式29的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，抛光台具有输送机构，该输送机构相对于抛光台而搬入及/或搬出处理对象物，在清洗支承面的同时，输送机构被清洗。
[方式31]
根据本发明的方式31，在方式28至方式30中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，抛光台具有延伸至抛光台的支承面的流体通道，当对抛光台的支承面进行清洗时，该流体通道使流体通过抛光台而供给到支承面。
[方式32]
根据本发明的方式32，在方式31的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，流体通道可与真空源连接，该真空源在对处理对象物进行抛光处理时使处理对象物真空吸附在支承面上。
[方式33]
根据本发明的方式33，在方式28至方式32中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有清洗机构，该清洗机构利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式34]
根据本发明的方式34，在方式33的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，使用抛光头及抛光垫并利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式35]
根据本发明的方式35，在方式34的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有流通通道，该流体通道使流体通过抛光头及抛光垫而供给到支承面。
[方式36]
根据本发明的方式36，在方式33的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，且抛光头可安装利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗用的刷子或海绵材料。
[方式37]
根据本发明的方式37，在方式33的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有：抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫；以及清洗头，该清洗头可安装利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗用的清洗部件、刷子或海绵材料。
[方式38]
根据本发明的方式38，在方式33的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有辊形海绵材料，该辊形海绵材料构成为，通过在抛光台上进行旋转从而利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式39]
根据本发明的方式39，在方式28至方式38中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，还具有如下部件中的至少一个：对抛光台的支承面进行清洗用的喷雾器清洗机；超声波清洗机；以及气蚀射流清洗机。
[方式40]
根据本发明的方式40，提供一种对处理对象物进行抛光处理用的装置，该装置具有：抛光台，该抛光台具有对处理对象物进行支承用的支承面；以及清洗机构，该清洗机构利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式41]
根据本发明的方式41，在方式40的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，使用抛光头及抛光垫并利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式42]
根据本发明的方式42，在方式41的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有流通通道，该流通通道使流体通过抛光头及抛光垫而供给到支承面。
[方式43]
根据本发明的方式43，在方式40的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，抛光头可安装利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗用的刷子或海绵材料。
[方式44]
根据本发明的方式44，在方式40的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有：抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫；以及清洗头，该清洗头可安装利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗用的清洗垫、刷子或海绵材料。
[方式45]
根据本发明的方式45，在方式40的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有辊形海绵材料，该辊形海绵材料构成为，通过在抛光台上进行旋转从而利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式46]
根据本发明的方式46，在方式40至方式45中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，还具有如下部件中的至少一个：对抛光台的支承面进行清洗用的喷雾器清洗机；超声波清洗机；以及气蚀射流清洗机。
[方式47]
根据本发明的方式47，在方式40至方式46中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，具有喷管，该喷管用于将对抛光台的支承面进行清洗用的液体供给到支承面。
[方式48]
根据本发明的方式48，在方式47的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，喷管在抛光台的面内方向可变更朝向。
[方式49]
根据本发明的方式49，在方式47或方式48的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，喷管在垂直于抛光台的平面的面内方向可变更朝向。
[方式50]
根据本发明的方式50，在方式47至方式49中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，喷管沿垂直于抛光台的平面的方向可变更位置。
[方式51]
根据本发明的方式51，在方式47至方式50中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，抛光台具有延伸至抛光台的支承面的流体通道，当对抛光台的支承面进行清洗时，该流体通道使流体通过抛光台而供给到支承面。
[方式52]
根据本发明的方式52，在方式51的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，流体通道与纯水及/或药液的供给源连接。
[方式53]
根据本发明的方式53，在方式51或方式52的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，流体通道可与真空源连接，该真空源在对处理对象物进行抛光处理时使处理对象物真空吸附在支承面上。
[方式54]
根据本发明的方式54，在方式40至方式53中任一方式的对处理对象物进行抛光处理用的装置中，构成为，抛光台具有输送机构，该输送机构相对于抛光台而搬入及/或搬出处理对象物，在清洗支承面的同时，输送机构被清洗。
[方式55]
根据本发明的方式55，提供一种方法，是对将处理对象物抛光处理用的装置的、支承处理对象物的抛光台的支承面进行清洗的方法，该方法具有利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗的步骤。
[方式56]
根据本发明的方式56，是一种方法，是基于方式55的、对将处理对象物抛光处理用的装置的、支承处理对象物的抛光台的支承面进行清洗的方法，该装置具有抛光头，该抛光头可安装通过物理的接触而对处理对象物进行抛光处理用的抛光垫，该方法具有如下步骤：使用抛光头及抛光垫并利用物理的接触而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式57]
根据本发明的方式57，是一种方法，是基于方式56的、对将处理对象物抛光处理用的装置的、支承处理对象物的抛光台的支承面进行清洗的方法，该装置具有流体通道，该流体通道将流体通过抛光头及抛光垫而供给到支承面，本方法具有通过流通通道而提供流体的步骤。
[方式58]
根据本发明的方式58，是一种方法，是基于方式55的、对将处理对象物抛光处理用的装置的、支承处理对象物的抛光台的支承面进行清洗的方法，在该方法中，具有使用刷子或海绵材料而对抛光台的支承面进行清洗的步骤。
[方式59]
根据本发明的方式59，是一种方法，是基于方式55至方式58中任一方式的、对将处理对象物抛光处理用的装置的、支承处理对象物的抛光台的支承面进行清洗，在该方法中，还具有如下步骤：使用喷雾器清洗机、超声波清洗机及气蚀射流清洗机中的至少一个而对抛光台的支承面进行清洗。
[方式60]
根据本发明的方式60，是一种方法，是基于方式55至方式59中任一方式的、对将处理对象物抛光处理用的装置的、支承处理对象物的抛光台的支承面进行清洗的方法，在该方法中，抛光台具有输送机构，该输送机构相对于抛光台而搬入及/或搬出处理对象物，在清洗支承面的同时，输送机构被清洗。
[方式61]
根据本发明的方式61，是一种抛光处理组件，具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头对抛光垫进行保持，用于对所述处理对象物进行规定的处理；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及刷子清洗机构，用于对配置在所述抛光台与所述修整件之间的、所述抛光垫进行清洗。
[方式62]
根据本发明的方式62，除了方式61的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构可对在所述抛光台与所述修整件之间进行移动的所述抛光垫的整个面进行清洗。
[方式63]
根据本发明的方式63，除了方式62的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构配置成，可与在所述抛光台与所述修整件之间进行移动的所述抛光垫的半径部分接触，通过所述抛光头进行旋转，可清洗所述抛光垫的整个面。
[方式64]
根据本发明的方式64，除了方式61至方式63中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构可相对于所述抛光垫的移动路径可进入退出。
[方式65]
根据本发明的方式65，除了方式64的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构可利用旋转式促动器进行旋转移动，或利用工作缸进行直线移动。
[方式66]
根据本发明的方式66，除了方式61至方式65中任一方式的结构外，还采用如下结构：在所述修整件的近旁设有支架，在该支架上配置有所述刷子清洗机构。
[方式67]
根据本发明的方式67，除了方式61至方式66中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构进行的清洗在修整处理前、修整处理过程中及修整处理后的至少任一阶段进行。
[方式68]
根据本发明的方式68，除了方式61至方式67中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构具有向所述抛光垫喷射处理液的处理液喷出口。
[方式69]
根据本发明的方式69，除了方式61至方式68中任一方式的结构外，还采用如下结构：在所述抛光垫的表面形成有从中央部至外周部连续的槽，在所述抛光垫的中央部设有流出处理液的处理液流出口，所述处理液在所述抛光垫与所述修整件抵接的状态下，从所述处理液流出口流出。
[方式70]
根据本发明的方式70，除了方式69的结构外，还采用如下结构：在抛光垫的最外周部近旁具有对所述处理液的流量进行抑制的流量抑制部。
[方式71]
根据本发明的方式71，除了方式61至方式70中任一方式的结构外，还采用如下结构：在所述修整件的表面形成有修整件槽。
[方式72]
根据本发明的方式72，除了方式71的结构外，还采用如下结构：所述修整件槽是放射状或螺旋状。
[方式73]
根据本发明的方式73，除了方式68的结构外，还采用如下结构：在所述处理液喷出口连接有对处理液的流量及压力的至少任一方进行调整的调整阀。
[方式74]
根据本发明的方式74，除了方式61至方式73中任一方式的结构外，还采用如下结构：在所述抛光垫的近旁具有防止处理液飞散的抛光垫罩盖。
[方式75]
根据本发明的方式75，除了方式74的结构外，还采用如下结构：所述抛光臂的至少一部分承担所述抛光垫罩盖的一部分的功能。
[方式76]
根据本发明的方式76，除了方式61至方式75中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述处理液是从由DIW(纯水)、药液及浆料构成的组中选择的至少一种液体或该液体与压缩空气的混合体。
[方式77]
根据本发明的方式77，除了方式76的结构外，还采用如下结构：所述各液体的供给是可切换的。
[方式78]
根据本发明的方式78，除了方式69至方式77中任一方式的结构外，还采用如下结构：利用超声波清洗流体取代所述处理液或与处理液一起对抛光垫进行清洗。
[方式79]
根据本发明的方式79，是一种基板处理装置，采用如下结构：具有方式61至方式78中任一方式的抛光处理组件。
[方式80]
根据本发明的方式80，是一种抛光垫清洗方法，用于清洗对处理对象物进行规定的处理用的抛光垫，该抛光垫清洗方法采用如下结构：利用抛光臂对保持所述抛光垫的抛光头进行支承并使其进行摆动，利用刷子清洗机构对所述抛光垫进行清洗，该刷子清洗机构配置在用于设置所述处理对象物的抛光台与用于修整所述抛光垫的修整件之间。
[方式81]
根据本发明的方式81，除了方式80的结构外，还采用如下结构：利用所述刷子清洗机构对在所述抛光台与上述修整件之间移动的所述抛光垫的整个面进行清洗。
[方式82]
根据本发明的方式82，除了方式81的结构外，还采用如下结构：使所述抛光头进行旋转，并利用所述刷子清洗机构对所述抛光垫的整个面进行清洗，所述刷子清洗机构配置成，可与在所述抛光台与所述修整件之间移动的所述抛光垫的半径部分接触。
[方式83]
根据本发明的方式83，除了方式80至方式82中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构可相对于所述抛光垫的移动路径而进入退出。
[方式84]
根据本发明的方式84，除了方式80至方式83中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构利用旋转式促动器而进行旋转移动，或者利用工作缸进行直线移动。
[方式85]
根据本发明的方式85，除了方式80至方式84中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述刷子清洗机构进行的清洗在修整处理前、修整处理过程中及修整处理后的至少任一阶段进行。
[方式86]
根据本发明的方式86，除了方式80至方式85中任一方式的结构外，还采用如下结构：一边从设于所述刷子清洗机构的处理液喷出口喷射处理液一边进行所述刷子清洗机构进行的清洗。
[方式87]
根据本发明的方式87，是一种抛光处理组件，具有：保持于抛光头的抛光垫；以及对该抛光垫的表面进行清洗的清洗机构，该抛光处理组件采用如下结构：在抛光垫的表面形成有槽，清洗机构包含喷射高压清洗流体而将槽内的堆积物去除的喷雾器。
[方式88]
根据本发明的方式88，除了方式87的结构外，还采用如下结构：喷雾器配置在朝向铅垂下方的抛光垫的下方。
[方式89]
根据本发明的方式89，除了方式87或方式88的结构外，还采用如下结构：抛光垫可在保持基板的抛光台与修整抛光垫的修整件之间进行移动，喷雾器配置在抛光垫的移动路径内。
[方式90]
根据本发明的方式90，除了方式89的结构外，还采用如下结构：抛光头可相对于修整件离开，喷雾器定位在抛光头与修整件之间并喷射高压清洗流体。
[方式91]
根据本发明的方式91，除了方式87至方式90中任一方式的结构外，还采用如下结构：喷雾器移动自如。
[方式92]
根据本发明的方式92，除了方式91的结构外，还采用如下结构：喷雾器可利用旋转式促动器进行旋转移动，或利用工作缸进行直线移动。
[方式93]
根据本发明的方式93，除了方式87至方式92中任一方式的结构外，还采用如下结构：喷雾器定位成可对抛光垫的至少半径部分进行清洗，可利用抛光垫的旋转而对整个面进行清洗。
[方式94]
根据本发明的方式94，除了方式87至方式93中任一方式的结构外，还采用如下结构：喷雾器沿直线状的主体而具有多个流体喷射口。
[方式95]
根据本发明的方式95，除了方式87至方式94中任一方式的结构外，还采用如下结构：在抛光垫的近旁具有防止高压清洗流体飞散用的罩盖。
[方式96]
根据本发明的方式96，除了方式95的结构外，还采用如下结构：还具有对抛光头进行保持的抛光臂，该抛光臂安装有罩盖。
[方式97]
根据本发明的方式97，除了方式95或方式96的结构外，还采用如下结构：替代罩盖而具有固定于修整件的周围的固定罩盖。
[方式98]
根据本发明的方式98，除了方式97的结构外，还采用如下结构：固定罩盖形成有用于避免与抛光臂接触的缺口。
[方式99]
根据本发明的方式99，除了方式96的结构外，还采用如下结构：所述抛光臂自身具有所述罩盖的功能。
[方式100]
根据本发明的方式100，除了方式96的结构外，还采用如下结构：喷雾器在被定位在抛光臂的下方时喷射高压清洗流体。
[方式101]
根据本发明的方式101，除了方式96或方式100的结构外，还采用如下结构：喷雾器在清洗抛光垫的同时，也清洗抛光臂的下表面。
[方式102]
根据本发明的方式102，除了方式87至方式101中任一方式的结构外，还采用如下结构：清洗机构还包含清洗液容器内的超声波清洗机构及刷子清洗机构的至少任一方。
[方式103]
根据本发明的方式103，除了方式87至方式102中任一方式的结构外，还采用如下结构：高压清洗流体是液体或液体与气体的混合流体。
[方式104]
根据本发明的方式104，除了方式103的结构外，还采用如下结构：所述清洗液是从由DIW、药液及浆料构成的组中选择的至少任一种液体或该液体与压缩空气的混合体。
[方式105]
根据本发明的方式105，除了方式104的结构外，还采用如下结构：各种液体的供给可切换。
[方式106]
根据本发明的方式106，除了方式105的结构外，还采用如下结构：与高压清洗流体一起使用超声波清洗流体。
[方式107]
根据本发明的方式107，是一种基板处理装置，采用如下结构：具有方式87至方式106中任一方式的抛光处理组件。
[方式108]
根据本发明的方式108，是一种抛光垫清洗方法，用于对基板处理装置中使用的抛光垫进行清洗，采用如下结构：使用由修整件进行修整处理后的抛光垫，从喷雾器向该抛光垫喷射高压清洗流体。
[方式109]
根据本发明的方式109，除了方式108的结构外，还采用如下结构：清洗液向抛光垫的喷射，与对在抛光台上的基板的处理并行进行。
[方式110]
根据本发明的方式110，除了方式108或方式109的结构外，还采用如下结构：在抛光垫位于修整件的上方的情况下，喷雾器在这些抛光垫与修整件之间移动，并喷射清洗液。
[方式111]
根据本发明的方式111，除了方式108至方式110中任一方式的结构外，还采用如下结构：在使抛光垫摆动的抛光臂位于上方的情况下，喷雾器喷射清洗液。
[方式112]
根据本发明的方式112，是一种修正部，该修正部具有用于对基板处理装置的抛光垫进行修整的修整件，该修正部采用如下结构：还具有将清洗液向修整件喷射而进行清洗的修整件清洗机构，修整件的表面处于比与修整件相邻配置的抛光台低的位置。
[方式113]
根据本发明的方式113，除了方式112的结构外，还采用如下结构：修整件清洗机构向离开抛光台的方向喷射清洗液。
[方式114]
根据本发明的方式114，除了方式112或方式113的结构外，还采用如下结构：在修整件与抛光台之间具有用于防止清洗液飞散的罩盖。
[方式115]
根据本发明的方式115，除了方式114的结构外，还采用如下结构：罩盖具有接触避免机构，该接触避免机构避免与摆动的抛光垫接触。
[方式116]
根据本发明的方式116，除了方式115的结构外，还采用如下结构：接触避免机构包含罩盖移动机构，该罩盖移动机构使罩盖沿修整件或抛光台的旋转轴的轴线方向移动。
[方式117]
根据本发明的方式117，除了方式115或方式116的结构外，还采用如下结构：罩盖包含将修整件的周围的至少一部分或抛光台的周围的至少一部分包围的大致圆筒状的罩盖，接触避免机构包含：形成于大致圆筒状罩盖的至少一部分的抛光垫通过用的缺口；以及使罩盖以与修整件或抛光台的旋转轴同心的方式旋转的旋转驱动机构。
[方式118]
根据本发明的方式118，除了方式117的结构外，还采用如下结构：接触避免机构包含用于开闭缺口的可动盖部件。
[方式119]
根据本发明的方式119，除了方式118的结构外，还采用如下结构：可动盖部件可相对于罩盖而沿圆周方向或中心轴线方向移动。
[方式120]
根据本发明的方式120，除了方式112至方式119中任一方式的结构外，还采用如下结构：包含在与抛光台之间的空间形成气幕的气幕形成机构。
[方式121]
根据本发明的方式121，除了方式120的结构外，还采用如下结构：清洗液停止喷射的期间，也停止形成气幕。
[方式122]
根据本发明的方式122，除了方式112至方式121中任一方式的结构外，还采用如下结构：包含在修整件的周围形成局部排气状态的局部排气形成机构。
[方式123]
根据本发明的方式123，除了方式112至方式122中任一方式的结构外，还采用如下结构：清洗液，是包含从由DIW、药液、浆料构成的组中选择的至少任一种液体或该液体与压缩空气的混合流体。
[方式124]
根据本发明的方式124，除了方式123的结构外，还采用如下结构：所述各种液体的供给可切换。
[方式125]
根据本发明的方式125，除了方式112至方式124中任一方式的结构外，还采用如下结构：与所述高压清洗流体一起使用超声波清洗流体。
[方式126]
根据本发明的方式126，除了方式112至方式125中任一方式的结构外，还采用如下结构：所述清洗液是高压清洗流体。
[方式127]
根据本发明的方式127，是一种抛光处理组件，包括：方式112至方式126中任一方式的修正部；对晶片进行保持的抛光台；以及对抛光垫进行保持并对晶片进行抛光处理的抛光头，该抛光处理组件采用如下结构：在所述修整件与抛光台之间固定地设有用于防止所述清洗液飞散的罩盖的情况下，所述抛光头可沿所述修整件的旋转轴线的方向或所述晶片的旋转轴线的方向移动，所述抛光头在移动至比所述罩盖高的位置的状态下，可在所述修正部与所述抛光台之间进行移动。
[方式128]
根据本发明的方式128，除了方式127的结构外，还采用如下结构：在抛光台的周围的至少一部分具有抛光台罩盖。
[方式129]
根据本发明的方式129，除了方式127或方式128的结构外，还采用如下结构：包含从抛光台的上方产生下降气流的下降气流产生机构。
[方式130]
根据本发明的方式130，是一种基板处理装置，采用如下结构：具有方式112至方式126中任一方式的修正部。
[方式131]
根据本发明的方式131，是一种基板处理装置，采用如下结构：具有方式127至方式129中任一方式的抛光处理组件。
[方式132]
根据本发明的方式132，是一种修整冲洗方法，在修正部中对修整件进行清洗，该修正部具有用于对基板处理装置的抛光垫进行修整的修整件，该修整冲洗方法采用如下结构：具有向修整件喷射清洗液而进行清洗的修整件清洗机构，将修整件的表面设为比与修整件相邻配置的抛光台低的位置，从修整件清洗机构向修整件喷射清洗液。
[方式133]
根据本发明的方式133，除了方式132的结构外，还采用如下结构：清洗液向修整件的喷射，与对在抛光台上的基板的处理并行进行。
[方式134]
根据本发明的方式134，除了方式132或方式133的结构外，还采用如下结构：在修整件的周围或抛光台的周围的至少一部分设有规定的罩盖，当使抛光垫在抛光台与修整件之间移动时，使接触避免机构动作，避免抛光垫与罩盖的接触。
[方式135]
根据本发明的方式135，除了方式132至方式134中任一方式的结构外，还采用如下结构：在向修整件喷射清洗液的同时，进行如下动作中的至少任一种动作：在抛光台与修整件之间形成气幕；在修整件的周围形成局部排气状态；以及从抛光台的上方形成下降气流。
[方式136]
根据本发明的方式136，是一种修正部，具有用于对基板处理装置的抛光垫进行修整的修整件，该修正部采用如下结构：还具有向所述修整件喷射清洗液而进行清洗的修整件清洗机构，在所述修整件和与所述修整件相邻配置的抛光台之间，具有用于防止所述清洗液飞散的罩盖。
[方式137]
根据本发明的方式137，是一种修正部，具有用于对基板处理装置的抛光垫进行修整的修整件，该修正部采用如下结构：还具有向所述修整件喷射清洗液而进行清洗的修整件清洗机构，所述修整件清洗机构向离开所述抛光台的方向喷射所述清洗液。
[方式138]
根据本发明的方式138，提供一种修正装置，用于对抛光处理所使用的抛光垫进行修正。该修正装置具有：底板，该底板构成为可旋转；第1修正部，该第1修正部设在底板的设置区域内；以及第2修正部，该第2修正部设在底板的设置区域内，且修正特性不同于第1修正部。
采用方式138的修正装置，在一个底板的设置空间内，可利用第1修正部和第2修正部而进行二种的修正。因此，与设置具有单一种修正功能的多个修正装置的情况相比，可节省修正装置用的设置空间。而且，在对抛光垫进行二种修正的情况下，由于不必使抛光垫在二个修正装置间移动，因此，可缩短抛光垫的修正所需的时间。对抛光垫进行的修正的种类，也可是三个以上。另外，多个种类的修正既可同时进行，也可依次进行。
[方式139]
根据本发明的方式139，在方式138中，第1修正部具有相互隔开间隔的多个块，在多个块之间设置第2修正部。采用这种方式，可容易在底板的设置区域内设置第1修正部和第2修正部。因此，容易制造修正装置。
[方式140]
根据本发明的方式140，在方式138中，第1修正部形成有孔、槽及缺口中的至少一个。在孔、槽及缺口中的至少一个上设置第2修正部。采用这种方式，可在底板的设置区域内较佳地形成第1修正部和第2修正部。孔既可是贯通孔，也可是不贯通的孔。
[方式141]
根据本发明的方式141，在方式138至方式140中任一方式中，第2修正部具有刷子、和喷射喷管中的至少一方。采用这种方式，可利用刷毛及流体喷射中的至少一方而较佳地对抛光垫进行修正。
[方式142]
根据本发明的方式142，在方式141中，第2修正部具有多个喷射喷管。采用这种方式，容易在抛光垫的整个面上进行修正。
[方式143]
根据本发明的方式143，在方式142中，在底板的内部形成有共同的供给道，该供给道用于将流体供给到多个喷射喷管。采用这种方式，由于可简化流体的供给道的结构，因此，可将修正装置小型化。或者，可容易进行修正装置的制造和维护保养。
[方式144]
根据本发明的方式144，在方式141至方式143中任一方式中，在第1修正部形成有在表背方向上贯通第1修正部的贯通孔。贯通孔发挥喷射喷管的功能。采用这种方式，由于第1修正部的贯通孔发挥第2修正部的功能，因此，可将修正装置的结构简单化。
[方式145]
根据本发明的方式145，在方式141至方式143中任一方式中，在第1修正部形成有在表背方向上贯通第1修正部的贯通孔。喷射喷管配置在贯通孔内。采用这种方式，通过在底板上设置喷射喷管，以喷射喷管被收纳在贯通孔内的方式将第1修正部安装于底板，从而可制造修正装置。因此，制造变得容易。
[方式146]
根据本发明的方式146，在方式142及方式143和具有方式142的方式144及方式145的任何一个中，多个喷射喷管构成为，在用于进行修正的规定位置配置有抛光垫的情况下，在多个喷射喷管与配置在规定位置的抛光垫之间，多个喷射喷管的各自的喷射范围相互不重复。采用这种方式，可防止从多个喷射喷管喷射的流体互相碰撞、该流体施加于抛光垫的压力产生下降的现象。因此，可防止该碰撞所带来的修正功能的下降。
[方式147]
根据本发明的方式147，在方式142、方式143及方式146的方式和具有方式142的方式144及方式145的任何一方式中，多个喷射喷管配置成，其半径方向的位置互相不同。采用这种方式，当第1及第2修正部随着底板的旋转而旋转时，多个喷射喷管就各自配置在不同的旋转轨迹上。因此，可利用较少数量的喷射喷管对抛光垫的整个面进行修正。换言之，通过避免在同一旋转轨迹上设置多个喷射喷管的状态，从而可减少喷射喷管的数量。
[方式148]
根据本发明的方式148，在方式147中，多个喷射喷管构成为，流体的喷射量互相不同。采用这种方式，可进行自由度更高的修正。例如，在半径方向上相对配置在外侧的喷射喷管，相比于相对配置在内侧的喷射喷管，由于要进行修正的面积大，因此，与其对应地，通过将配置在外侧的喷射喷管的喷射量作成大于配置在内侧的喷射喷管，可实现单位面积的流体的向抛光垫的碰撞流量分布的平衡。
[方式149]
根据本发明的方式149，在方式138至方式148中任一方式中，第1修正部由金刚石、陶瓷或刷子形成。采用这种方式，可利用第1修正部而较佳地对抛光垫进行修正。
[方式150]
根据本发明的方式150，提供一种抛光处理装置，具有方式138至方式149中任一方式的修正装置。采用这种抛光处理装置，获得与方式138至方式149中任一方式相同的效果。
[方式151]
根据本发明的方式151，提供一种基板处理装置。该基板处理装置具有：化学机械研磨装置；以及第13方式的抛光处理装置，即对由化学机械研磨装置处理后的基板进行后处理用的抛光处理装置。采用这种基板处理装置，获得与方式138至方式149中任一方式相同的效果。
[方式152]
根据本发明的方式152，提供一种修整件，用于对抛光处理所使用的抛光垫进行修正。该修整件形成有孔、槽及缺口中的至少一个。这种修整件可用于140方式的修正装置。
[方式153]
根据本发明的方式153，提供一种修正方法，用于对抛光处理所使用的抛光垫进行修正。该方法具有如下工序：同时使用第1区域和第2区域，而对抛光垫同时进行二种修正，第1区域用于进行抛光垫的修正，第2区域用于进行修正特性不同于第1区域的修正。采用这种方法，获得与方式138相同的效果。而且，可缩短修正所需的时间。
[方式154]
根据本发明的方式154，提供一种修正方法，用于对抛光处理所使用的抛光垫进行修正。该方法具有如下工序：第2区域和第1区域准备修正装置的工序，修正装置形成在底板的设置区域内，第2区域设有修正用的喷射喷管，第1区域利用不同于第2区域的方法而进行修正；第1修正工序，该第1修正工序利用第1区域而进行抛光垫的修正；第2修正工序，该第2修正工序在第1工序之前或之后，在底板与抛光垫的距离离开第1工序中的底板与抛光垫的距离的状态下，利用第2区域而进行抛光垫的修正。采用这种方法，获得与第1方式138相同的效果。特别是，在第1工序之后实施第2工序的情况下，在抛光垫与第1修正部之间形成有空隙的状态下，由于流体从喷射喷管喷射，因此，容易将第1工序及第2工序中所产生的修正屑排出到外部。
附图说明
图1是表示本发明一实施方式的、抛光处理组件的概略结构的示图。
图2是表示在安装有晶片W的状态下对支承面进行清洗的抛光处理组件的状态的示图。
图3是表示本发明一实施方式的、抛光台及衬垫材料的剖视图。
图4(a)是表示本发明一实施方式的、使用了抛光垫的抛光台的支承面的清洗的俯视图。
图4(b)是表示本发明一实施方式的、抛光垫及清洗部件的示图。
图4(c)是表示本发明一实施方式的、抛光垫及清洗部件的示图。
图5是表示本发明一实施方式的、另一臂进行的抛光台的支承面的清洗的俯视图。
图6是表示本发明一实施方式的、使用了辊形海绵的抛光台的支承面的清洗的俯视图。
图7是表示本发明一实施方式的、使用了喷雾器清洗机的抛光台的支承面的清洗的侧视图。
图8是表示本发明一实施方式的、使用了超声波清洗机的抛光台的支承面的清洗的侧视图。
图9是表示本发明一实施方式的、使用了气蚀射流清洗机的抛光台的支承面的清洗的侧视图。
图10是表示使用纯水(DIW)对抛光台的支承面进行清洗时的各结构要素的时间图的示图。
图11是表示使用药液对抛光台的支承面进行清洗时的各结构要素的时间图的示图。
图12是表示使用非接触式清洗机对抛光台的支承面进行清洗时的各结构要素的时间图的示图。
图13是表示使用抛光垫对抛光台的支承面进行清洗时的各结构要素的时间图的示图。
图14是表示使用抛光垫及纯水的冲洗清洗对抛光台的支承面进行清洗时的各结构要素的时间图的示图。
图15是表示使用抛光垫、纯水的冲洗清洗、非接触式清洗机对抛光台的支承面进行清洗时的各结构要素的时间图的示图。
图16是表示本实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。
图17是示意表示研磨单元的立体图。
图18(a)是清洗单元的俯视图，图18(b)是清洗单元的侧视图。
图19是表示上侧抛光处理组件的概略结构的示图。
图20是用于说明抛光台与修整台的位置关系及抛光臂的摆动的示图。
图21是表示图20所公开的抛光台与修整台中的处理加工的示图。
图22是表示图21所公开的处理加工的对抛光台、修整台及抛光头的动作进行说明的示图。
图23是用于说明抛光垫的清洗的示图，图23(A)表示抛光垫由修整件按压的状态，图23(B)是表示形成于修整件的修整件槽的形状的俯视图，图23(C)是表示不同形状的修整件槽的俯视图。
图24表示具有刷子清洗机构的抛光处理组件，图24(A)是整体概要图，图24(B)是刷子清洗机构的详细图。
图25是表示设在修整台的近旁的支架和刷子清洗机构的示图，图25(A)表示俯视图，图25(B)表示将一部分剖视后的侧视图。
图26是表示设于抛光头的抛光头罩盖的示图。
图27是表示本实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。
图28是示意表示研磨单元的立体图。
图29(A)是清洗单元的俯视图，图29(B)是清洗单元的侧视图。
图30是表示上侧抛光处理组件的概略结构的示图。
图31是表示配置在抛光臂的摆动范围的抛光台、修整件及喷雾器的位置关系的示图。
图32是表示图31所公开的抛光处理组件中的处理加工的示图。
图33是说明图32所公开的处理加工的说明抛光台、修整台、抛光头及喷雾器的动作的示图。
图34是用于说明喷雾器为可动式的情况下的无用空间减少的示图，图34(A)表示将喷雾器配置在与修整件的位置不同的位置的例子，图34(B)表示可将喷雾器移动到修整件的上方的例子。
图35是表示可动式的喷雾器与飞散防止用的罩盖的示图，图35(A)表示俯视图，图35(B)表示左视图。
图36是表示具有抛光臂的下表面清洗的功能的、可动式的喷雾器与飞散防止用的罩盖的另一实施方式的示图，图36(A)表示俯视图，图36(B)表示左视图，图36(C)表示在图36(B)中从箭头C方向看到的抛光臂。
图37是表示罩盖的另一例子的示图，图37(A)表示设于抛光头的抛光头罩盖，图37(B)是表示固定配置于修正部的固定罩盖。
图38是表示在研磨单元上设有喷雾器的情况的示图，图38(A)是包含研磨垫的整体概要的俯视图，图38(B)是喷雾器和抛光垫的侧视图。
图39是表示本实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。
图40是示意表示研磨单元的立体图。
图41(a)是清洗单元的俯视图，图41(b)是清洗单元的侧视图。
图42是表示上侧抛光处理组件的概略结构的示图。
图43是用于说明抛光台与修整台的位置关系及抛光臂的摆动的示图。
图44是表示图43所公开的抛光台与修整台中的处理加工的示图。
图45是表示图44所公开的处理加工的说明抛光台、修整台及抛光头的动作的示图。
图46是表示在比抛光台低的位置配置有修整件的实施方式的示图。
图47是表示用于防止晶片污染的另一结构例子的示图，图47(A)是对清洗液的喷射方向作了设计后的例子，图47(B)是在修整件的周围设有修整件罩盖的例子。
图48是表示在图47(B)所公开的修整罩盖中、修整件罩盖自身具有进一步的特征的实施方式的示图，图48(A)是修整件罩盖的侧视图，图48(B)表示抛光垫即将进入修整件罩盖的内部的示图，图48(C)表示抛光垫完全进入修整件罩盖的内部的状态。
图49是表示具有缺口和可动盖部件的修整件罩盖的示图，图49(A-1)、(A-2)是缺口由可动盖部件关闭的状态的俯视图和侧视图，图49(B-1)、(B-2)是可动盖部件向下方移动后状态的俯视图和侧视图，图49(C-1)、(C-2)是可动盖部件向圆周方向移动后状态的俯视图和侧视图。
图50是用于说明抛光头向上下方向移动，并避免与修整件罩盖接触的情况的结构的示图。
图51是用于说明形成于抛光台及修整台之间的气幕、形成在修整台的周围的局部排气状态及来自抛光台上方的下降气流的示意图。
图52是表示在抛光台的周围设有抛光台罩盖的例子的示图。
图53是表示设于抛光头的抛光头罩盖的示图。
图54是表示作为本发明一实施例的基板处理装置的整体结构的概略俯视图。
图55是示意表示研磨单元的立体图。
图56A是清洗单元的概略俯视图。
图56B是清洗单元的概略侧视图。
图57是表示抛光处理组件的概略结构的示图。
图58是表示抛光头的内部构造的概略图。
图59A是表示修正装置的结构的概略俯视图。
图59B是表示修正装置的结构的概略局部剖视图。
图59C是表示作为变形例的修正装置的结构的概略局部剖视图。
图60是表示作为变形例的修正装置的结构的概略俯视图。
图61是表示作为变形例的修正装置的结构的概略俯视图。
图62是表示抛光处理及抛光垫的修正顺序的一例子的说明图。
符号说明
1-300A 抛光处理组件
1-400 抛光台
1-402 支承面
1-404 开口部
1-410 流体通道
1-450 衬垫材料
1-480 升降销
1-500 抛光头
1-502 抛光垫
1-600 抛光臂
1-650 清洗臂
1-652 清洗头
1-654 清洗部件
1-656 辊形海绵
1-680 喷雾器清洗机
1-682 超声波清洗机
1-684 气蚀射流清洗机
1-710 纯水喷管
1-714 纯水供给源
1-720 第1药液喷管
1-720-2 第2药液喷管
1-724 第1药液供给源
1-724-2 第2药液供给源
3-300 抛光处理组件
3-400 抛光台
3-500 抛光头
3-502 抛光垫
3-503 液体流出口
3-600 抛光臂
3-601 旋转轴
3-800 修正部
3-810 修整台
3-820、3-820A、3-820B 修整件
3-821A、3-821B 修整件槽
3-910 抛光头罩盖
3-960 刷子清洗机构
3-963 主体部
3-965 液体流通道
3-967 液体喷出口
3-970 支架
3-1000 基板处理装置
4-300 抛光处理组件
4-400 抛光台
4-500 抛光头
4-502 抛光垫
4-600 抛光臂
4-601 旋转轴
4-800 修正部
4-810 修整台
4-820 修整件
4-830 抛光垫清洗机构
4-840 修整件清洗机构
4-910 抛光头罩盖
4-920 固定罩盖
4-921 缺口
4-950、4-951A、4-951B 喷雾器(清洗机构)
4-951a 喷雾器的旋转轴
4-951b 工作缸
4-953 无用空间
4-955 罩盖
4-1000 基板处理装置
5-300 抛光处理组件
5-400 抛光台
5-500 抛光头
5-502 抛光垫
5-600 抛光臂
5-601 旋转轴
5-800 修正部
5-810 修整台
5-820 修整件
5-830 抛光垫清洗机构
5-840 修整件清洗机构
5-850 修整件罩盖
5-851 倾斜部
5-853 工作缸
5-860 修整件罩盖
5-861 缺口
5-861a 缺口的下端部
5-870 修整件罩盖
5-871 缺口
5-873 可动盖部件
5-880 修整件罩盖
5-891 气幕形成机构
5-891a 气幕
5-893 局部排气形成机构
5-893a 局部排气
5-893b 吸引口
5-895 下降气流形成机构
5-895a 下降气流
5-900 抛光台罩盖
5-910 抛光头罩盖
5-920 固定罩盖
5-921 缺口
5-1000 基板处理装置
6-1 壳体
6-2 装载/卸载单元
6-1a、6-1b 隔壁
6-3、6-3A、6-3B、6-3C、6-3D 研磨单元
6-4 清洗单元
6-5 控制装置
6-6、6-7 线性输送机
6-10 研磨垫
6-11 升降器
6-12 摆动式输送机
6-20 前装载部
6-21 行走机构
6-22 输送机器人
6-30A、6-30B、6-30C、6-30D 研磨台
6-31A、6-31B、6-31C、6-31D 顶环
6-32A、6-32B、6-32C、6-32D 研磨液供给喷管
6-33A、6-33B、6-33C、6-33D 修整件
6-34(a)、6-34(b)、6-34(c)、6-34D 喷雾器
6-36 顶环旋转轴
6-180 临时放置台
6-190 辊形清洗室
6-191 第1输送室
6-192 笔形清洗室
6-193 第2输送室
6-194 干燥室
6-195 第3输送室
6-201A、6-201B 辊形清洗组件
6-202A、6-202B 笔形清洗组件
6-203、6-204 临时放置台
6-205A、6-205B 干燥组件
6-207 过滤器风扇单元
6-209、6-210、6-213 输送机器人
6-211 支承轴
6-300 抛光处理室
6-300A、6-300B 抛光处理组件
6-400 抛光台
6-500 抛光头
6-502 抛光垫
6-504 旋转轴
6-506 内部供给管线
6-580 修正部
6-600 抛光臂
6-700 液供给系统
6-710 纯水外部喷管
6-712 纯水配管
6-712a 分支纯水配管
6-714 分支供给源
6-716 开闭阀
6-718 开闭阀
6-720 药液外部喷管
6-722 药液配管
6-722a 分支药液配管
6-724 药液供给源
6-726 开闭阀
6-728 开闭阀
6-730 浆料外部喷管
6-732 浆料配管
6-732a 分支浆料配管
6-734 浆料供给源
6-736 开闭阀
6-740 液供给配管
6-800、6-800a、6-800b、6-800c 修正部
6-810、6-810a 底板
6-811 冷却水套
6-820、6-820b 修整件
6-821～6-824 修整件块
6-825 槽
6-825b 贯通孔
6-826b 槽
6-830 喷射喷管
6-830a 刷子
6-830c 喷射喷管
6-1000 基板处理装置
L 抛光臂的摆动中心
W 晶片
具体实施方式
以下，与说明书附图的图1-15一起来说明本发明的基板处理装置即抛光处理装置的实施方式。在附图中，对于相同或类似的要素，标注类似的参照符号，在各实施方式的说明中有时省略有关相同或类似的要素的重复说明。另外，在各实施方式中表示的特征，只要不互相矛盾，也可适用于其它的实施方式。
图1是表示一实施方式的抛光处理装置的概略结构的示图。图1所示的抛光处理装置可构成为对半导体晶片等的基板进行研磨处理的CMP装置的一部分或CMP装置内的一个单元。作为一例子，抛光处理装置可装入具有研磨单元、清洗单元及基板的输送机构的CMP装置，抛光处理装置可在CMP装置内的主研磨之后用于精处理。
在本说明书中，所谓的抛光处理，包含抛光研磨处理和抛光清洗处理的至少一方。
所谓的抛光研磨处理是如下处理：使抛光垫与基板接触，使基板和抛光垫相对运动，通过将浆料夹在基板与抛光垫之间而对基板的处理面进行研磨去除。抛光研磨处理是如下处理：可对基板施加比在用海绵材料(例如PVA海绵材料)等而利用物理的作用对基板进行清洗的情况下施加于基板的物理性作用力更强的物理性作用力。因此，作为抛光垫，可使用：例如将发泡聚氨酯和无纺布层叠后的垫，具体来说是在市场可购买到的IC1000(商标)/SUBA(注册商标)系；和绒面革状的多孔性聚氨酯非纤维质垫，具体来说是在市场可购买到的POLITEX(注册商标)等。利用抛光研磨处理，可实现：去除表层部的擦伤等损伤或污染物的附着；补充去除不能用研磨单元中的主研磨进行去除的部位；或者主研磨后的、微小区域的凹凸和在基板整体上的膜厚分布这种表面波度的改善。
所谓的抛光清洗处理是如下处理：使抛光垫与基板接触，并使基板和抛光垫相对运动，通过将清洗处理液(药液，或药液与纯水)夹在基板与抛光垫之间而将基板表面的污染物去除，或将处理面改性。抛光清洗处理是如下处理：可对基板施加比在用海绵材料等利用物理的作用而对基板进行清洗的情况下施加于基板的物理性作用力强的物理性作用力。因此，作为抛光垫，可使用上述的IC1000(商标)/SUBA(注册商标)系、和POLITEX(注册商标)等。此外，在本发明的抛光处理装置中，也可将PVA海绵用作为抛光垫。
图1是概略表示一实施方式的、安装有晶片W(基板)的状态的抛光处理组件1-300A的结构的示图。如图1所示，一实施方式的抛光处理组件1-300A具有：抛光台1-400，该抛光台1-400设置晶片W；抛光头1-500，该抛光头1-500安装有用于对晶片W的处理面进行抛光处理的抛光垫1-502；抛光臂1-600，该抛光臂1-600对抛光头1-500进行保持；液供给系统700，该液供给系统700用于供给各种处理液；以及修正部1-800，该修正部1-800用于进行抛光垫1-502的修正(修整)。
抛光处理组件1-300A可进行上述的抛光研磨处理及/或抛光清洗处理。另外，抛光处理组件1-300A在图2所示的安装有晶片W的状态下，也可用于对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗，详细如后述。另外，为了后述的清洗，也可替代抛光处理用的抛光垫1-502，而将清洗用的刷子或海绵材料安装于抛光头1-500。
抛光台1-400具有对晶片W进行支承用的支承面1-402。支承面1-402具有用于吸附晶片W的流体通道1-410(参照图3)的开口1-404。流体通道1-410与未图示的真空源连接，可真空吸附晶片W。晶片W也可借助衬垫材料1-450(参照图3)而吸附于抛光台1-400。衬垫材料1-450例如可由具有弹性的发泡聚氨酯形成。衬垫材料1-450作为抛光台1-400与晶片W之间的缓冲材料，可防止损伤晶片W，或可缓和抛光台1-400的表面凹凸对抛光处理的影响。衬垫材料1-450可利用粘接带安装于抛光台1-400的表面。衬垫材料1-450可利用公知的材料，可使用在与抛光台1-400的开口部1-402对应的位置设有贯通孔1-452的结构(参照图3)。
另外，在本说明书中，在晶片W借助衬垫材料1-450而安装于抛光台1-400的情况下，安装有衬垫材料1-450的状态下的衬垫材料1-450的表面成为对晶片W进行支承的“支承面”，在不借助衬垫材料1-450而将晶片W直接吸附于抛光台1-400的情况下，抛光台的表面成为对晶片W进行支承的“支承面”。以下，在仅称为“支承面”或“抛光台的支承面”的情况下，就是包含该两者的情况。
此外，抛光台1-400具有升降销1-480(参照图3)来作为抛光台1-400上的输送机构，该升降销1-480接受由未图示的输送机器人输送的晶片W，并用于载放抛光台1-400的晶片W。升降销1-480沿抛光台1-400的外周配置多个，升降销1-480利用未图示的机构而进行伸缩。升降销1-480在升降销1-480突出的状态下对晶片W的外周部进行支承并接受，然后，升降销1-480后退而将晶片W载放于抛光台1-400的支承面1-402。抛光处理结束后，升降销1-480突出并对晶片W的外周部进行支承并提起，输送机器人将晶片W从下抄起。
另外，抛光台1-400利用未图示的驱动机构而可绕旋转轴A旋转。抛光头1-500构成为可上升下降。抛光垫1-502安装在抛光头1-500的与晶片W相对的面。抛光垫1-502利用抛光头1-500的下降而被按压在保持于抛光台1-400的支承面1-402的晶片W上。抛光臂1-600可使抛光头1-500绕旋转轴B旋转，并可使抛光头1-500如箭头C所示地沿晶片W的径向摆动。另外，抛光臂1-600可使抛光头1-500摆动直至抛光垫1-502与修正部1-800相对的位置。
液供给系统1-700具有用于将纯水(DIW)供给到晶片W的处理面的纯水喷管1-710。纯水喷管1-710借助纯水配管1-712而与纯水供给源1-714连接。在纯水喷管1-712上设置可对纯水配管1-712进行开闭的开闭阀1-716。通过使用未图示的控制装置对开闭阀1-716的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水供给到晶片W的处理面或抛光台1-400的对晶片W进行支承用的支承面1-402。
纯水喷管1-710可在抛光台1-400的支承面1-402的面内方向(xy平面的面内方向)变更朝向(摆动)。代替或补充来说，纯水喷管1-710可在垂直于抛光台1-400的支承面1-402的面内方向(zx平面的面内方向)变更朝向(倾斜)。此外，代替或补充来说，纯水喷管1-710可在垂直于抛光台1-400的支承面1-402的方向(z方向)变更位置。对纯水喷管1-710的朝向及位置进行变更用的机构可以是任意的。
另外，液供给系统1-700具有用于将药液供给到晶片W的处理面的第1药液喷管1-720。第1药液喷管1-720在抛光清洗处理或抛光研磨处理后的药液清洗中，将药液供给到晶片W表面。第1药液喷管1-720借助药液配管1-722而与第1药液供给源1-724连接。在药液配管1-722上设置可对药液配管1-722进行开闭的开闭阀1-726。通过使用未图示的控制装置对开闭阀1-726的开闭进行控制，从而可在任意的时间将药液供给到晶片W的处理面或抛光台1-400的对晶片W进行支承用的支承面1-402。
第1药液喷管1-720可在抛光台1-400的支承面1-402的面内方向(xy平面的面内方向)变更朝向(摆动)。代替或补充来说，第1药液喷管1-720可在垂直于抛光台1-400的支承面1-402的面内方向(zx平面的面内方向)变更朝向(倾斜)。此外，代替或补充来说，第1药液喷管1-720可在垂直于抛光台1-400的支承面1-402的方向(z方向)变更位置。对第1药液喷管1-720的朝向及位置进行变更用的机构可以是任意的。
补充来说，液供给系统1-700具有第2药液喷管1-720-2，用于将药液供给到对抛光台1-400的晶片W进行支承用的支承面1-402。第2药液喷管1-720-2在对支承面1-402进行清洗时，将药液吹附到支承面1-402。第2药液喷管1-720-2借助药液配管1-722-2而与第2药液供给源1-724-2连接。在药液配管1-722-2上设置可对药液配管1-722-2进行开闭的开闭阀1-726-2。通过使用未图示的控制装置对开闭阀1-726-2的开闭进行控制，从而可在任意的时间将药液供给到支承面1-402。
第2药液喷管1-720-2与第1药液喷管1-720相同，可变更喷管的朝向及/或高度。
由第1药液喷管1-720-2供给的药液，可使用不同于由第1药液喷管1-720供给的药液，或者也可使用相同的药液。在使用相同的药液的情况下，可省略第2药液喷管1-720-2及与其对应的配管等。
图示的实施方式的抛光处理组件1-300A能够借助抛光臂1-600、抛光头1-500及抛光垫1-502而将纯水、药液或浆料选择性地供给到晶片W的处理面或抛光台1-400的对晶片W进行支承用的支承面1-420。
即，分支纯水配管1-712a从纯水配管1-712中的纯水供给源1-714与开闭阀1-716之间分支。另外，分支药液配管1-722a从药液配管1-722中的第1药液供给源1-724与开闭阀1-726之间分支。分支纯水配管1-712a、分支药液配管1-722a及与浆料供给源1-734连接的浆料配管1-732在液供给配管1-740合流。在分支纯水配管1-712a上设置可对分支纯水配管1-712a进行开闭的开闭阀1-718。在分支药液配管1-722a上设置可对分支药液配管1-722a进行开闭的开闭阀1-728。在浆料配管1-732上设置可对浆料配管1-732进行开闭的开闭阀1-736。
液供给配管1-740的第1端部与分支纯水配管1-712a、分支药液配管1-722a及浆料配管1-732这三个系统的配管连接。液供给配管1-740通过抛光臂1-600的内部、抛光头1-500的中央及抛光垫1-502的中央而延伸。液供给配管1-740的第2端部向晶片W的处理面或抛光台1-400的对晶片W进行支承用的支承面1-402开口。未图示的控制装置通过对开闭阀1-718、开闭阀1-728及开闭阀1-736的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水、药液、浆料中的任一种或它们的任意组合的混合液供给到晶片W的处理面或抛光台1-400的对晶片W进行支承用的支承面1-402。
图示的实施方式的抛光处理组件1-300A借助液供给配管1-740而将处理液供给到晶片W，并使抛光台1-400绕旋转轴A旋转，将抛光垫1-502按压到晶片W的处理面，使抛光头1-500绕旋转轴B旋转并向箭头C方向摆动，从而可对晶片W进行抛光处理。
图1所示的修正部1-800是用于对抛光垫1-502的表面进行修正的部件。修正部1-800具有：修整台1-810；以及设置于修整台1-810的修整件1-820。修整台1-810可利用未图示的驱动机构而绕旋转轴D旋转。修整件1-820由金刚石修整件、刷子修整件或它们的组合而形成。
抛光处理组件1-300A在对抛光垫1-502进行修正时，使抛光臂1-600回旋，直至抛光垫1-502处于与修整件1-820相对的位置(参照图2)。抛光处理组件1-300A，通过使修整台1-810绕旋转轴D旋转并使抛光头1-500旋转，将抛光垫1-502按压到修整件1-820，从而对抛光垫1-502进行修正。
在图示的实施方式中，可包含至少局部包围抛光台1-400的罩盖1-470，以防止在抛光垫1-502的修正中等、异物飞散到抛光台1-400上的晶片W对晶片W或支承面1-402产生污染(参照图3)。图3的罩盖1-470沿圆周方向包围抛光台1-400。另外，罩盖1-470可变更高度。
图2表示晶片W的抛光处理结束、晶片W被从抛光台1-400取出后对用于支承抛光台1-400的晶片W的支承面1-402进行清洗的状况。在图2所示的例子中，当清洗支承面1-402时，在修正部1-800中进行抛光垫1-502的修正。或者，当清洗支承面1-402时，抛光头1-500也可处于离开抛光台1-400的支承面1-402的上升位置。
当清洗支承面1-402时，将药液从与第2药液供给源1-724-2连接的第2药液喷管1-720-2吹附到支承面1-402而清洗支承面1-402。通过使用药液，可更有效地清洗附着于支承面1-402的磨料和研磨生成物。然后，从纯水喷管1-710将纯水供给到支承面1-402，进一步清洗支承面1-402。
第2药液喷管1-720-2与第1药液喷管1-720相同，可使朝向或位置变化，可使供给药液的位置变化并清洗支承面1-402。
由第2药液喷管1-720-2供给的药液可使用不同于由第1药液喷管1-720供给的药液。或者，也可使用相同的药液。在使用第2药液喷管1-720-2和第1药液喷管1-720相同的药液的情况下，可省略第2药液喷管1-720-2。
图3是概略表示安装有衬垫材料1-450的抛光台1-400剖面的示图。抛光台1-400如前所述，具有用于使支承面1-402真空吸附晶片W的流体通道1-410。该流体通道1-410，还可与用于使晶片W装卸的氮源1-744、可在清洗抛光台1-400的支承面1-402时任意选择利用的纯水供给源1-714及第2药液供给源1-724-2(在省略第2药液供给源1-724-2及第2药液喷管1-720-2的情况下，是第1药液供给源1-724)连接。在从抛光台1-400上装卸晶片W时，也可从纯水供给源1-714供给纯水，也可供给纯水和氮的混合物。在将纯水、药液及氮气供给到抛光台1-400的流体通道1-410的配管上，分别设置开闭阀1-750、1-752、1-754。通过使用未图示的控制装置对开闭阀1-750、1-752、1-754的开闭进行控制，从而可在任意的时间使纯水、药液及氮气通过抛光台1-400的流体通道1-410而供给到支承面1-402。
在抛光台1-400的清洗过程中，通过从流体通道1-410供给纯水及/或药液，从而可防止在清洗过程中异物混入抛光台1-400的内部，可提高清洗效率。这里，作为对流体通道1-410进行清洗用的药液，使用了与用于清洗抛光台1-400的支承面1-402的药液相同的药液，但也可使用分别不同的药液。
如图4(a)所示，也可使用于抛光处理的抛光垫1-502旋转并与支承面1-402接触而清洗支承面1-402。由此，可对支承面1-402上的异物施加物理的力而将其去除。在该情况下，也可将用于清洗支承面1-402的第2药液供给源1-724-2连接于图1所示的液供给系统1-700的液供给配管1-740。如图4(b)及图4(c)所示，也可做成如下结构：在抛光头1-500的中心安装抛光处理用的抛光垫1-502，在其外周安装用于清洗支承面1-402的清洗部件1-654，且可分别独立地上升下降。图4(b)表示抛光处理时的状态，抛光垫1-502相对于清洗部件1-654而突出。图4(c)表示清洗时的状态，清洗部件1-654相对于抛光垫1-502而突出。清洗部件1-654例如是刷子或海绵材料。由此，使用相同的抛光臂1-600，而可使仅用于清洗支承面1-402的清洗部件1-654与支承面1-402接触并对其进行操作。当对支承面1-402施加物理的力并进行清洗时，可从纯水喷管1-710供给纯水来进行，或通过液供给管1-740供给纯水或药液来进行，或从第2药液喷管1-720-2供给药液来进行，或者将它们任意组合来进行。
作为本公开的一实施方式，抛光处理组件1-300A可具有：与安装抛光垫1-502的抛光臂1-600不同的用于清洗抛光台1-400的支承面1-402的专用的清洗臂1-650；清洗头1-652；以及清洗部件1-654(参照图5)。清洗臂1-650、清洗头1-652及清洗部件1-654可分别形成为与抛光臂1-600、抛光头1-500及抛光垫1-502类似的结构，另外，既可以是也可以不是能够借助清洗臂1-650、清洗头1-652及清洗部件1-654而将纯水及/或药液选择性地供给到抛光台1-400的支承面1-402。
清洗部件1-654可形成为与抛光垫1-502相同的结构。另外，作为清洗部件1-654，也可使用刷子或海绵材料。
作为本公开的一实施方式，抛光处理组件1-300A具有对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗用的辊形海绵1-656(参照图6)。辊形海绵1-656构成为，与抛光台1-400的支承面1-402接触并旋转，对支承面1-402进行清洗。为了使辊形海绵1-656沿着抛光台1-400的支承面1-402移动、旋转，而可利用任意的机构。
作为本公开的一实施方式，抛光处理组件1-300A可具有如下部件中的至少一个(图1、8、9)：用于对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗的喷雾器清洗机1-680；超声波清洗机1-682；以及气蚀射流清洗机1-684。这些非接触清洗机1-680、1-682、1-684对如下情况等是有效的：在使用抛光垫1-502和海绵材料等的接触式的清洗中有可能对衬垫材料1-450带来损伤的情况；在利用纯水及药液进行的清洗中难以去除异物的情况；在药液及接触式的清洗组合中难以去除异物的情况；对潜入衬垫材料1-450的凹部等的异物进行去除的情况；以及对附着于进入抛光台1-400附近的输送机构部(例如升降销1-480)的异物进行去除的情况。
如图7所示，喷雾器清洗机1-680将高压的纯水及气体喷射到抛光台1-400的支承面1-402而对支承面1-402进行清洗。使用喷雾器清洗机1-680可使用公知的喷雾器清洗机等任意的喷雾器清洗机。
如图8所示，超声波清洗机1-682将超声波适用于抛光台1-400的支承面1-402而将附着在支承面1-402上的异物等去除。超声波清洗机1-682可使用公知的超声波清洗机等任意的超声波清洗机。
如图9所示，气蚀射流清洗机1-684将高压水和低压水施加给抛光台1-400的支承面1-402而将附着在支承面1-402上的异物等去除。气蚀射流清洗机1-684可使用公知的气蚀射流清洗机等任意的气蚀射流清洗机。
至此，说明了抛光台1-400的支承面1-402的清洗，即利用纯水、药液、抛光垫1-502或抛光清洗专用的清洗部件1-654的物理接触、或利用非接触清洗机1-680、1-682、1-684对支承面1-402进行的清洗，但也可利用这些构件进行抛光台1-400的输送机构(例如升降销1-480)的清洗。
以下，作为本公开的实施方式，说明利用了抛光处理组件1-300A的、对支承抛光台1-400的晶片W的支承面1-402记性清洗的处理。
图10表示使用纯水(DIW)而对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗时的各结构要素的时间图。在该图中，横轴是时间轴，表示“抛光处理”、对抛光处理结束后的基板进行移送的“基板卸载”、对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗的“清洗”、以及在支承面1-402的清洗后对下一基板进行抛光处理用的“基板装载”的各阶段。该图的纵轴列举有各结构要素、且表示各自的动作。
如图10所示，抛光处理中，抛光台1-400进行旋转，抛光臂1-600从晶片W的中心向外侧摆动并进行抛光处理(参照图1等)。抛光处理中，基板(晶片W)被真空吸附于抛光台1-400的支承面1-402。抛光处理的详细情况，由于不是本公开的主题，因此省略说明。
当抛光处理结束时，抛光台1-400结束旋转，为了释放晶片W，从流体通路1-410供给氮气，再利用升降销1-480而将晶片W抬起。被释放的晶片W利用基板输送机器人而被移动到下一处理阶段。
当基板被卸载时，抛光台1-400的支承面1-402被清洗。图10表示使用了纯水(DIW)进行清洗的例子。清洗过程中，使抛光台1-400旋转，并从纯水喷管1-710将纯水供给到支承面1-402的中心(参照图中的“DIW冲洗”)。由于抛光台1-400旋转，因此，利用离心力而从支承面1-402的中心向外侧形成纯水的流动，因此，异物被冲走。此时，变更纯水喷管1-710的朝向和高度而从支承面1-402的中心向外侧供给纯水，可更有效地形成从支承面1-402的中心向外侧的流动而将异物冲走(参照图10中的“冲洗喷管移动(摆动、倾斜、高度”)。另外，清洗过程中，通过借助抛光台1-400的流体通道1-410而将纯水供给到支承面1-402(参照图中的“基板解放DIW”)，来防止异物混入抛光台1-400的内部。另外，抛光台1-400的旋转速度可设为50～1000min-1，优选为100～200min-1。但是，为了尽量利用离心力将异物从抛光台1-400的支承面1-402去除，也可使用比500min-1以上或1000min-1以上等更高的旋转速度。
图10表示仅使用纯水(DIW)进行清洗的例子，但图10中的粗线所围起的部分可根据清洗的内容而进行任意变更。另外，根据清洗的内容，抛光处理组件1-300A不必具有上述的全部结构。例如，在仅使用图10的纯水进行清洗的情况下，也可不是通过抛光头1-500而供给纯水及/或药液的结构。另外，在图10所示的例子中，也可没有喷雾器清洗机1-680、超声波清洗机1-682及气蚀射流清洗机1-684。
图11表示使用药液对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗时的时间图的一例子。在本例中，清洗过程中，使抛光台1-400旋转并将药液从第2药液喷管1-720-2供给到支承面1-402。第2药液喷管1-720-2在与图10的例子相同地变更朝向和高度而从支承面1-402的中央向外侧供给药液时，可有效地进行清洗。在清洗的最后阶段，停止从第2药液喷管1-720-2供给药液，将纯水从纯水喷管1-710供给到支承面1-402，由此用纯水冲刷药液。在图11的例子中，在清洗的最初和最后，通过流体通道1-410而从支承面1-402的下方供给纯水。在清洗的最初将纯水注入到流体通道1-410内并用纯水充满流体通道1-410内，由此来防止异物进入到流体通道1-410内。清洗的中间阶段，中止纯水向流体通道1-410内的注入，防止对支承面1-402进行清洗的药液被稀释。在清洗的最后，再将纯水注入到流体通道1-410内而最终冲刷流体通道内的异物。另外，也可将药液从第2药液供给源1-724-2注入到流体通道1-410内，对流通通道1-410内进行清洗。
使用了药液的抛光台1-400的支承面1-402的清洗所使用的药液的种类可根据用途而使用任意的药液。例如，在冲刷残留于支承面1-402的垃圾和有机物的情况下，通过使用氨+过氧化氢溶液等碱性药液，利用零电位的作用而可去除支承面1-402的粒子。另外，通过使用表面活性剂对支承面进行亲水化处理，从而可抑制异物的附着。
在要从支承面1-402去除的异物是铜、铁、铝等的金属离子的情况下，可通过使用酸性药液、柠檬酸及草酸和添加剂而利用螯合作用来防止金属离子等的再附着。
在图11所示的例子中，也与图10的例子相同，也可没有通过抛光头1-500而供给纯水及/或药液用的结构、喷雾器清洗机1-680、超声波清洗机1-682及气蚀射流清洗机1-684。
图12表示使用喷雾器清洗机1-680、超声波清洗机1-682或气蚀射流清洗机1-684对支承面进行清洗时的时间图的一例子。在本例中，清洗过程中，使抛光台1-400旋转，并利用喷雾器清洗机1-680、超声波清洗机1-682或气蚀射流清洗机1-684对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗。清洗过程中，超声波清洗机1-682或气蚀射流清洗机1-684也可从支承面1-402的中心向外周摆动(用图12的虚线表示)。另一方面，如喷雾器清洗机1-680那样，在具有支承面1-402的整体(支承面1-402的半径部分)的清洗范围的情况下，由于通过使抛光台1-400旋转而可对支承面1-402的整个面进行清洗，因此，不需要摆动(用图12的实线表示)。在图示的例子中，在清洗的最后阶段，停止由喷雾器清洗机1-680、超声波清洗机1-682或气蚀射流清洗机1-684进行的清洗，将纯水从纯水喷管1-710供给到支承面1-402并对支承面1-402进行冲洗。清洗过程中，通过借助抛光台1-400的流体通道1-410而将纯水供给到支承面1-402，来防止异物混入抛光台1-400的内部。
图13表示使用抛光垫1-502对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗时的时间图的一例子。在本例中，通过使抛光台1-400旋转，同时将抛光头1-502按压到支承面1-402，且使抛光头1-500旋转并使其从支承面1-402的中心向外侧摆动(参照图13的“抛光臂位置”)而进行清洗(参照图4)。此时，对开闭阀1-718、1-728进行适当控制而可通过抛光头1-500及抛光垫1-502而将纯水及/或药液供给到支承面1-402。在使用药液的情况下，可使用与图11一起说明的药液等任意的药液。在图13所示的例子中，在清洗的最后阶段将纯水从纯水喷管1-710供给到支承面1-402而对支承面1-402进行冲洗。另外，清洗过程中，通过借助抛光台1-400的流体通道1-410而将纯水供给到支承面1-402，来防止异物混入抛光台1-400的内部。但清洗结束时，在下一基板被装载在支承面1-402的期间，抛光垫1-502被移动到修整件1-820并进行修正以进行下一基板的抛光处理。
在图13所示的例子中，虽然说明了利用抛光处理所使用的抛光垫1-502而对抛光台1-400的支承面1-402进行清洗的情况，但是，也可将与抛光处理所使用的抛光垫1-502不同的专用的清洗部件、刷子或海绵材料安装于抛光头1-500来进行清洗。另外，在图13所示的例子中，虽然说明了使用抛光臂1-600、抛光头1-500及抛光垫1-502来进行清洗的情况，但是，也可使用具有与它们类似的构造的专用的清洗臂1-650、清洗头1-652及清洗部件1-654(包含刷子、海绵材料)来清洗支承面1-402(参照图5)。
图14表示将使用了图10所示的纯水的清洗和使用图13所示的抛光垫1-502的清洗组合后的情况下的时间图的一例子。在本例的清洗中，从抛光垫1-502供给纯水或药液，并使抛光垫1-502从支承面1-402的中心向外侧摆动而接触式地清洗支承面1-402(参照图4)，此外，遵循抛光垫1-502那样对纯水喷管710进行操作而从支承面1-402的中心向外侧将纯水供给到支承面1-402，对接触清洗后的部分进行连续冲刷。在图14的例子中，将抛光垫1-502从支承面1-402的中心向外侧的摆动、及来自纯水喷管1-710的纯水从支承面1-402的中心向外侧供给的时间错开并反复三次，但反复的次数可是任意的。另外，与其它例子相同，清洗过程中，通过借助抛光台1-400的流体通道1-410而将纯水供给到支承面1-402，来防止异物混入抛光台1-400的内部。在图14的例子中，作为纯水喷管1-710进行的清洗，也可是使用第2药液喷管1-720-2的药液清洗。
另外，在图14所示的例子中，说明了利用抛光处理所使用的抛光垫1-502来清洗支承面1-402的情况，但是，也可将与抛光处理所使用的抛光垫1-502不同的专用的清洗部件、刷子或海绵材料安装于抛光头1-500来进行清洗。另外，在图14所示的例子中，虽然说明了使用抛光臂1-600、抛光头1-500及抛光垫1-502来进行清洗的情况，但是，也可使用具有与它们类似的构造的专用的清洗臂1-650、清洗头1-652及清洗部件1-654(包含刷子、海绵材料)来清洗支承面1-402(参照图5)。
图15表示将由纯水、非接触清洗机(喷雾器清洗机1-680、超声波清洗机1-682、气蚀射流清洗机1-684等)、及抛光头1-502进行的接触式清洗组合后的时间图。在图示的例子中，由纯水喷管1-710供给纯水的位置、非接触清洗机1-680、1-682、1-684的位置、抛光头1-502的位置在时间上错开并互相遵循的状态。在图示的例子中，首先，由非接触式清洗机1-680、1-682、1-684进行清洗，使异物上浮，接着由抛光头1-502进行接触式清洗，扫出该异物，最后由纯水洗刷异物等。另外，在图15的例子中，作为上述的顺序，不限定于上述，也可任意选择顺序。与其它例子相同，清洗过程中，通过借助抛光台1-400的流体通道1-410而将纯水供给到支承面1-402，来防止异物混入抛光台1-400的内部。
另外，在图15所示的例子中，虽然说明了使用抛光处理所用的抛光垫1-502来清洗支承面1-402的情况，但是，也可将与抛光处理所用的抛光垫1-502不同的专用的清洗部件、刷子或海绵材料安装于抛光头1-500来进行清洗。另外，在图15所示的例子中，虽然说明了使用抛光臂1-600、抛光头1-500及抛光垫1-502来进行清洗的情况，但是，也可使用具有与它们类似的构造的专用的清洗臂1-650、清洗头1-652及清洗部件1-654(包含刷子、海绵材料)来清洗支承面1-402(参照图5)。
如上所述，与图1～图15一起说明了具有对抛光台的支承面进行清洗的功能的抛光处理装置及清洗方法，但是，本发明并不限于上述的实施方式。另外，只要上述的实施方式的各自的特征互相不矛盾就可进行组合或更换。例如，在上述的实施方式中，图示说明了抛光台为水平、支承面为铅垂向上的结构，但是，也可形成为抛光台的支承面朝向水平方向而配置的抛光处理装置。在上述的实施方式中，虽然说明了可将用于清洗抛光台1-400的支承面1-402的专用的抛光垫代替抛光处理用的抛光垫1-502而安装于抛光头1-502的情况，但是，也可以构成为，将清洗专用的抛光垫或刷子、海绵材料安装在抛光臂1-600的其他部位。
以下，根据图16～图26，来说明本申请发明一实施方式的基板处理装置及修正部。
<基板处理装置>
图16是表示本发明一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。如图16所示，基板处理装置(CMP装置)3-1000，具有大致矩形的壳体3-1。壳体3-1的内部，利用隔壁3-1a、3-1b划分为：装载/卸载单元3-2；研磨单元3-3；以及清洗单元3-4。装载/卸载单元3-2、研磨单元3-3及清洗单元3-4分别独立装配，独立排气。另外，清洗单元3-4具有：将电源供给到基板处理装置的电源供给部；以及对基板处理动作进行控制的控制装置3-5。
<装载/卸载单元>
装载/卸载单元3-2具有载放对多个晶片(基板)进行贮存的晶片盒的二个以上(在本实施方式中为四个)前装载部3-20。这些前装载部3-20与壳体3-1相邻配置，且沿基板处理装置的宽度方向(与长度方向垂直的方向)排列。在前装载部3-20上可搭载开口盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：标准制造接口)盒、或FOUP(Front OpeningUnified Pod：前开式晶片盒)，这里，SMIF及FOUP是内部收纳晶片盒、通过由隔壁覆盖而可保证与外部空间独立的密闭空间。
另外，在装载/卸载单元3-2上，沿前装载部3-20的排列敷设行走机构3-21。在行走机构3-21上，设置可沿晶片盒的排列方向移动的二台输送机器人(装料器、输送机构)3-22。输送机器人3-22能够通过在行走机构3-21上移动而对搭载于前装载部3-20的晶片盒进行存取。各输送机器人3-22在上下具有二个机械手。上侧机械手在将已处理的晶片返回到晶片盒时使用。下侧的机械手在从晶片盒取出处理前的晶片时使用。如此，可分别使用上下的机械手。此外，输送机器人3-22的下侧的机械手构成为，可使晶片翻转。
由于装载/卸载单元3-2是必需保持最清洁状态的区域，因此，装载/卸载单元3-2的内部始终被维持成比基板处理装置外部、研磨单元3-3及清洗单元3-4都高的压力。研磨单元3-3由于使用浆料作为研磨液故是最脏的区域。因此，研磨单元3-3的内部形成负压，其压力维持得比清洗单元3-4的内部压力低。装载/卸载单元3-2设有过滤器风扇单元(未图示)，该过滤器风扇单元具有HEPA过滤器、ULPA过滤器或化学过滤器等空气滤清器。从过滤器风扇单元始终吹出被去除了粒子、有毒蒸气或有毒气体后的清洁空气。
<研磨单元>
研磨单元3-3是对晶片进行研磨(平坦化)的区域。研磨单元3-3具有：第1研磨单元3-3A、第2研磨单元3-3B、第3研磨单元3-3C及第4研磨单元3-3D。第1研磨单元3-3A、第2研磨单元3-3B、第3研磨单元3-3C及第4研磨单元3-3D如图16所示，沿基板处理装置的长度方向排列。
如图16所示，第1研磨单元3-3A具有：研磨台3-30A，该研磨台3-30A安装有具有研磨面的研磨垫3-10；顶环3-31A，该顶环3-31A用于对晶片进行保持且将晶片推压到研磨台3-30A的研磨垫3-10上进行研磨；研磨液供给喷管3-32A，该研磨液供给喷管3-32A用于将研磨液或修整液(例如纯水)供给到研磨垫3-10；修整件3-33A，该修整件3-33A用于对研磨垫3-10的研磨面进行修整；以及喷雾器3-34(a)，该喷雾器3-34(a)将液体(例如纯水)和气体(例如氮气)的混合流体或液体(例如纯水)作成雾状而喷射到研磨面。
同样，第2研磨单元3-3B具有：研磨台3-30B；顶环3-31B；研磨液供给喷管3-32B；修整件3-33B；以及喷雾器3-34(b)。第3研磨单元3-3C具有：研磨台3-30C；顶环3-31C；研磨液供给喷管3-32C；修整件3-33C；以及喷雾器3-34(c)。第4研磨单元3-3D具有：研磨台3-30D；顶环3-31D；研磨液供给喷管3-32D；修整件3-33D；以及喷雾器3-34D。
第1研磨单元3-3A、第2研磨台3-3B、第3研磨单元3-3C及第4研磨台3-3D具有互相相同的结构，因此，以下仅说明第1研磨台3-3A。
图17是示意表示第1研磨单元3-3A的立体图。顶环3-31A支承在顶环旋转轴3-36上。在研磨台3-30A的上表面贴附有研磨垫3-10。研磨块3-10的上表面形成对晶片W进行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨垫3-10而使用固定磨料。顶环3-31A及研磨台3-30A如图箭头所示，构成为绕其轴心旋转。晶片W利用真空吸附而被保持在顶环3-31A的下表面。研磨时，研磨液从研磨液供给喷管3-32A供给到研磨垫3-10的研磨面，作为研磨对象的晶片利用顶环3-31A而被推压到研磨面被研磨。
<输送机构>
接着，说明对晶片进行输送用的输送机构。如图16所示，与第1研磨单元3-3A及第2研磨单元3-3B相邻而配置有第1线性输送机3-6。该第1线性输送机3-6是在沿研磨单元3-3A、3-3B所排列的方向的四个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第1输送位置3-TP1、第2输送位置3-TP2、第3输送位置3-TP3及第4输送位置3-TP4)之间对晶片进行输送的机构。
另外，与第3研磨单元3-3C及第4研磨单元3-3D相邻而配置有第2线性输送机3-7。
该第2线性输送机3-7是在沿研磨单元3-3C、3-3D所排列的方向的三个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第5输送位置3-TP5、第6输送位置3-TP6及第7输送位置3-TP7)之间对晶片进行输送的机构。
晶片由第1线性输送机3-6输送到研磨单元3-3A、3-3B。第1研磨单元3-3A的顶环3-31A利用顶环头的摆动动作而在研磨位置与第2输送位置3-TP2之间进行移动。因此，晶片至顶环3-31A的交接在第2输送位置3-TP2进行。同样，第2研磨单元3-3B的顶环3-31B在研磨位置与第3输送位置3-TP3之间进行移动。晶片至顶环3-31B的交接在第3输送位置3-TP3进行。第3研磨单元3-3C的顶环3-31C在研磨位置与第6输送位置3-TP6之间进行移动。晶片至顶环3-31C的交接在第6输送位置3-TP6进行。第4研磨单元3-3D的顶环3-31D在研磨位置与第7输送位置3-TP7之间进行移动。晶片至顶环3-31D的交接在第7输送位置3-TP7进行。
在第1输送位置3-TP1，配置有用于从输送机器人3-22接受晶片的升降器3-11。晶片借助该升降器3-11而从输送机器人3-22被交接到第1线性输送机3-6。在位于升降器3-11与输送机器人3-22之间的隔壁3-1a设有百叶门(未图示)。在输送晶片时百叶门打开，
晶片就从输送机器人3-22被交接到升降器3-11。另外，在第1线性输送机3-6、第2线性输送机3-7与清洗单元3-4之间配置有摆动式输送机3-12。该摆动式输送机3-12具有可在第4输送位置3-TP4与第5输送位置3-TP5之间移动的机械手。晶片从第1线性输送机3-6至第2线性输送机3-7的交接，由摆动式输送机3-12进行。晶片由第2线性输送机3-7输送到第3研磨单元3-3C及/或第4研磨单元3-3D。另外，由研磨单元3-3研磨后的晶片经由摆动式输送机3-12而被输送到清洗单元3-4。
<清洗单元>
图18(a)是表示清洗单元3-4的俯视图。图18(b)是表示清洗单元3-4的侧视图。如图18(a)及图18(b)所示，清洗单元3-4被划分为：辊形清洗室3-190；第1输送室3-191；笔形清洗室3-192；第2输送室3-193；干燥室3-194；抛光处理室3-300；以及第3输送室3-195。
在辊形清洗室3-190内，配置有沿纵向排列的上侧辊形清洗组件3-201A及下侧辊形清洗组件3-201B。上侧辊形清洗组件3-201A配置在下侧清洗清洗组件3-201B的上方。上侧辊形清洗组件3-201A及下侧辊形清洗组件3-201B，是通过将清洗液供给到晶片的表背面、并将旋转的二个辊形海绵分别按压到晶片的表背面而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧辊形清洗组件3-201A与下侧辊形清洗组件3-201B之间，设有晶片的临时放置台3-204。
在笔形清洗室3-192内，配置有沿纵向排列的上侧笔形清洗组件3-202A及下侧笔形清洗组件3-202B。上侧笔形清洗组件3-202A配置在下侧笔形清洗组件3-202B的上方。上侧笔形清洗组件3-202A及下侧笔形清洗组件3-202B，是通过将清洗液供给到晶片的表面、并将旋转的笔形海绵按压到晶片的表面且向晶片的径向摆动而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧笔形清洗组件3-202A与下侧笔形清洗组件3-202B之间，设有晶片的临时放置台3-203。
在干燥室3-194内，配置有沿纵向排列的上侧干燥组件3-205A及下侧干燥组件3-205B。上侧干燥组件3-205A及下侧干燥组件3-205B互相离开。在上侧干燥组件3-205A及下侧干燥组件3-205B的上部，设有将清洁的空气分别供给到干燥组件3-205A、3-205B内的过滤器风扇单元3-207、3-207。
上侧辊形清洗组件3-201A、下侧辊形清洗组件3-201B、上侧笔形清洗组件3-202A、下侧笔形清洗组件3-202B、临时放置台3-203、上侧干燥组件3-205A及下侧干燥组件3-205B，借助螺栓等而固定于未图示的框架。
在第1输送室3-191，配置可上下移动的第1输送机器人(输送机构)3-209。在第2输送室3-193，配置可上下移动的第2输送机器人3-210。在第3输送室3-195，配置可上下移动的第3输送机器人(输送机构)3-213。第1输送机器人3-209、第2输送机器人3-210及第3输送机器人3-213，分别移动自如地支承于沿纵向延伸的支承轴3-211、3-212、3-214。第1输送机器人3-209、第2输送机器人3-210及第3输送机器人3-213在内部具有电动机等驱动机构，沿支承轴3-211、3-212、3-214上下移动自如。第1输送机器人3-209与输送机器人3-22相同，上下具有二层的机械手。第1输送机器人3-209如图18(a)的虚线所示，其下侧的机械手配置在可对上述的临时放置台3-180进行存取的位置。当第1输送机器人3-209的下侧的机械手对临时放置台3-180进行存取时，设于隔壁3-1b的百叶门(未图示)就打开。
第1输送机器人3-209动作成，在临时放置台3-180、上侧辊形清洗组件3-201A、下侧辊形清洗组件3-201B、临时放置台3-204、临时放置台3-203、上侧笔形清洗组件3-202A及下侧笔形清洗组件3-202B之间对晶片W进行输送。当输送清洗前的晶片(附着有浆料的晶片)时，第1输送机器人3-209使用下侧的机械手，当输送清洗后的晶片时，使用上侧的机械手。
第2输送机器人3-210动作成，在上侧笔形清洗组件3-202A、下侧笔形清洗组件3-202B、临时放置台3-203、上侧干燥组件3-205A及下侧干燥组件3-205B之间对晶片W进行输送。由于第2输送机器人3-210仅输送清洗后的晶片，因此仅具有一个机械手。图16所示的输送机器人3-22使用上侧的机械手而从上侧干燥组件3-205A或下侧干燥组件3-205B取出晶片，且将该晶片返回到晶片盒。当输送机器人3-22的上侧机械手对干燥组件3-205A、3-205B进行存取时，设于隔壁3-1a的百叶门(未图示)就打开。
在抛光处理室3-300，具有上侧抛光处理组件3-300A及下侧抛光处理组件3-300B。第3输送机器人3-213动作成，在上侧辊形清洗组件3-201A、下侧辊形清洗组件3-201B、临时放置台3-204、上侧抛光处理组件3-300A及下侧抛光处理组件3-300B之间对晶片W进行输送。
另外，在本实施方式中，例示了如下例子：在清洗单元3-4内，从远离装载/卸载单元3-2的一方按顺序排列配置抛光处理室3-300、辊形清洗室3-190以及笔形清洗室3-192，但并不限定于此。抛光处理室3-300、辊形清洗室3-190及笔形清洗室3-192的配置方式，可根据晶片的质量及处理量等而适当选择。以下，说明上侧抛光处理组件3-300A及下侧抛光处理组件3-300B。上侧抛光处理组件3-300A及下侧抛光处理组件3-300B是同样的结构，因此，仅说明上侧抛光处理组件3-300A。
<抛光处理组件>
图19是表示上侧抛光处理组件3-300A的概略结构的示图。如图19所示，上侧抛光处理组件3-300A具有：抛光台3-400，该抛光台3-400设置晶片W；抛光头3-500，该抛光头3-500安装有对晶片W的处理面进行抛光处理用的抛光垫3-502；抛光臂3-600，该抛光臂3-600对抛光头3-500进行保持；液供给系统3-700，该液供给系统3-700用于供给各种处理液；以及修正部3-800，该修正部3-800用于对抛光垫3-502进行修正(修整)。
抛光台3-400具有吸附晶片W的机构。另外，抛光台3-400可利用未图示的驱动机构而绕旋转轴旋转。抛光垫3-502安装在抛光头3-500的与晶片W相对的面。抛光臂3-600使抛光头3-500绕旋转轴B旋转，并可如箭头C所示那样将抛光头3-500向晶片W的径向摆动。另外，抛光臂3-600可将抛光头3-500摆动直至抛光垫3-502与修正部3-800相对的位置。
液供给系统3-700具有用于将纯水(DIW)供给到晶片W的处理面的纯水喷管3-710。纯水喷管3-710借助纯水配管3-712而与纯水供给源3-714连接。在纯水配管3-712上，设置可对纯水配管3-712进行开闭的开闭阀3-716。未图示的控制装置通过对开闭阀3-716的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水供给到晶片W的处理面。
另外，液供给系统3-700具有用于将药液(Chemi)供给到晶片W的处理面的药液喷管3-720。药液喷管3-720借助药液配管3-722而与药液供给源3-724连接。在药液配管3-722上设置可对药液配管3-722进行开闭的开闭阀3-726。控制装置通过对开闭阀3-726的开闭进行控制，从而可在任意的时间将药液供给到晶片W的处理面。
上侧抛光处理组件3-300A，借助抛光臂3-600、抛光头3-500及抛光垫3-502而可将纯水、药液或浆料有选择地供给到晶片W的处理面。
即，分支纯水配管3-712a从纯水配管3-712中的纯水供给源3-714与开闭阀3-716之间分支。另外，分支药液配管3-722a从药液配管3-722中的药液供给源3-724与开闭阀3-726之间分支。分支纯水配管3-712a、分支药液配管3-722a及与浆料供给源3-734连接的浆料配管3-732在液供给配管3-740合流。在分支纯水配管3-712a上，设置可对分支纯水配管3-712a进行开闭的开闭阀3-718。在分支药液配管3-722a上，设置可对分支药液配管3-722a进行开闭的开闭阀3-728。在浆料配管3-732上，设置可对浆料配管3-732进行开闭的开闭阀3-736。
液供给配管3-740的第1端部与分支纯水配管3-712a、分支药液配管3-722a及浆料配管3-732这三个系统的配管连接。液供给配管3-740通过抛光臂3-600的内部、抛光头3-500的中央及抛光垫3-500的中央而延伸。液供给配管3-740第2端部向晶片W的处理面开口。控制装置通过对开闭阀3-718、开闭阀3-728及开闭阀3-736的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水、药液和浆料中的任何一种或它们的任意组合的混合液供给到晶片W的处理面。
上侧抛光处理组件3-300A借助液供给配管3-740而将处理液供给到晶片W，并使抛光台3-400绕旋转轴A旋转，将抛光垫3-502按压到晶片W的处理面，且使抛光头3-500绕旋转轴B旋转并向箭头C方向摆动，从而可对晶片W进行抛光处理。另外，本实施方式的抛光垫具有与处理对象即晶片相比相当小的直径。这是因为在抛光处理中能实现高的平坦性。
这里，所谓的抛光处理包含抛光研磨处理和抛光清洗处理的至少一方。所谓的抛光研磨处理是如下处理：使抛光垫3-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫3-502相对运动，将浆料夹在晶片W与抛光垫3-502之间，由此对晶片W的处理面进行研磨去除。抛光研磨处理是如下处理：可对晶片W施加比辊形清洗室3-190中由辊形海绵施加于晶片W的物理性作用力、及笔形清洗室3-192中由笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。利用抛光研磨处理，可实现：去除表层部所附着的擦伤等损伤或污染物；补充去除不能用研磨单元3-3中的主研磨进行去除的部位；或者主研磨后的、表面波度的改善。
另外，所谓的抛光清洗处理是如下处理：使抛光垫3-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫3-502相对运动，通过使清洗处理液(药液，或药液与纯水)夹在晶片W与抛光垫3-502之间而将晶片W表面的污染物去除，或对处理面进行改性。抛光清洗处理是如下处理：可对晶片W施加比在辊形清洗室3-190中由辊形海绵施加于晶片W的物理性作用、及笔形清洗室3-192中由笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。
修正部3-800用于对抛光垫3-502的表面进行修正。修正部3-800具有：修整台3-810；以及设置在修整台3-810上的修整件3-820。修整台3-810利用未图示的驱动机构而可绕旋转轴D旋转。修整件3-820由金刚石修整件、刷子修整件或它们的组合而形成。
上侧抛光处理组件3-300A在对抛光垫3-502进行修正时，使抛光臂3-600回旋直至抛光垫3-502与修整件3-820相对的位置。上侧抛光处理组件3-300A使修整台3-810绕旋转轴D旋转，并也使抛光头3-500旋转，将抛光垫3-502按压到修整件3-820，由此进行抛光垫3-502的修正。
<修正部>
下面，根据各种附图，来说明修正部3-800及对抛光垫3-502的清洗处理中的具体加工。图20表示对晶片W进行保持的抛光台3-400、对用于修正抛光垫3-502的修整件3-820进行支承的修整件3-810。由这些修整件3-820及修整件台3-810和其它的结构要素形成修正部3-800。
修正部3-800与抛光台3-400相邻配置，其位置与抛光臂3-600的摆动中心L有关，是与抛光台3-400大致相同的半径位置。因此，在抛光臂3-600摆动(图20中逆时针摆动)的情况下，抛光垫3-502就可被定位在修正部3-800中的修整件3-820的上方。在修正部3-800中，利用修整台3-810旋转、且与抛光垫3-502的旋转的复合作用，抛光垫3-502的表面就被修整处理。
另外，在抛光台3-400与修整台3-810之间，设有刷子清洗机构3-960。该刷子清洗机构3-960用于对抛光垫3-502的表面进行刷毛清洗。之所以在抛光台3-400与修整台3-810之间设置刷子清洗机构3-960，是因为此处成为抛光垫3-502利用抛光臂3-600的摆动而移动的路径的缘故。刷子清洗机构3-960的具体构造及作用后述。
图21及图22是用于说明抛光清洗及与其相关的具体加工的示图。图21中，上方部分表示抛光台3-400的加工，下方部分表示修整台3-810的加工。这些各加工同时并行进行。另外，图中的圆标记表示抛光垫3-502的位置。例如，当抛光清洗处理时，抛光垫3-502位于抛光台3-400，在之后的垫冲洗处理时移动到修整台3-810。另外，在图22中，抛光头3-500的一部分为便于说明而作成剖视图。另外，对于本实施方式中使用的抛光头3-500，设置由半球状的凹凸面构成的万向机构，抛光头3-500就可稍微进行摇头。
首先，在抛光台3-400中对晶片W进行抛光处理(步骤S3-11)。此时，不言而喻，抛光垫3-502位于抛光台3-400。在抛光清洗处理中，从液供给配管3-740供给抛光清洗用的处理液，且通过抛光臂及抛光头旋转轴3-601(参照图20)的内部而供给到抛光垫3-502的中央部。与此同时，旋转的抛光垫3-502在被按压到晶片W上的状态下，抛光臂3-600进行摆动，对与抛光台3-400一起旋转的晶片W的表面进行清洗处理(参照图22(A))。抛光垫3-502在下一加工中移动到修整件3-820的上方，以后进行修整相关处理，对此在后文中叙述。
在抛光台3-400中，进行晶片冲洗处理(步骤S3-12)。该晶片冲洗处理是利用DIW对晶片W进行清洗的处理。当晶片W的晶片冲洗处理结束时，接着从抛光台3-400取出晶片W(步骤S3-13)，并被输送到下一工序。然后，抛光台3-400利用DIW而通过抛光台冲洗处理进行清洗(步骤S3-14)。由此，抛光台中的一系列的加工结束，引入接着处理用的新的晶片W(步骤S3-15)，反复进行上述的各处理加工。
另一方面，在修整台3-810中，与上述加工并行地进行抛光垫3-502的修整处理。抛光清洗(步骤S3-11)所使用的抛光垫3-502(参照图22(A))移动到修整件3-820的上方。此时，抛光垫3-502朝向铅垂下方。并且，清洗液(DIW)从配置在抛光垫3-502的斜下方的抛光垫清洗机构3-830喷射，抛光垫3-502的表面被进行垫冲洗处理(步骤S3-22)(参照图22(B))。垫冲洗处理的期间，抛光垫3-502旋转，整个面被均匀清洗。另外，作为用于清洗抛光垫的清洗液，也可使用使用超声波清洗液。
接着，抛光头3-500下降并与修整件3-820抵接，对抛光垫3-502进行修整处理(步骤S3-23)(参照图22(C))。修整处理在处理液被供给到抛光垫3-502的中央部的状态下进行。修整处理的期间，抛光垫3-502及修整件3-820一起旋转。另外，修整处理在抛光垫3-502的旋转中心和修整件3-820的旋转中心错开的状态下进行。这是为了防止抛光垫3-502和修整件3-820的特定部位彼此持续产生滑动的的对策。
在进行了修整处理后，抛光头3-500移动到刷子清洗机构的上方，修整处理后的抛光垫被进行擦刷处理(步骤S3-24)(参照图22(D))。另外，修整处理(步骤S3-23)所使用的修整件3-820利用从设在其近旁的修整件清洗机构(未图示)喷射的清洗液(DIW)而进行修整冲洗处理(步骤S3-21)。修整冲洗处理的期间，修整台3-810旋转，可将修整件3-820的表面均匀清洗。
另外，在上述的说明中，说明了抛光垫3-502朝向铅垂下方的情况，但本发明并不限定于此，即使是抛光垫3-502朝向铅垂上方的情况、朝向水平方向的情况，也可适用本发明。
接着，根据图23，来详述修整处理(图12步骤S3-23)时的抛光垫3-502的清洗。抛光垫3-502如上所述，利用修整处理而进行表面的修整(修整)。此时，抛光垫3-502被形成为与修整件的表面接触的状态。在抛光垫的表面形成有从中心部向外周部连续的槽。并且，处理液从抛光垫3-502的中央部的处理液流出口3-503流出。流出的处理液利用因抛光垫3-502的旋转所产生的离心力及排出压力通过抛光垫3-502的槽而被排出到外部。因此，积蓄在槽内的堆积物也与处理液一起被排出到外部。除上述外，若以高压使处理液流出，则处理液在槽的内部进行强力流动，可更有效地对槽的内部进行清洗。
形成于抛光垫的槽的形状可考虑各种各样。例如，将简单的直线状的槽沿圆周方向形成放射状，或者也可形成螺旋状的槽。另外，即使是形成格子状的槽的情况下，只要该槽连续至抛光垫3-502的最外周部，则也可将堆积物排出到外部。另外，槽的截面形状和剖面积不必沿其长度方向为一定。尤其，由于抛光垫3-502是高速旋转的部件，因此，在对槽的构造不实施任何设计的情况下，处理液有时就在宽大范围产生飞散。为了避免这种现象，在抛光垫3-502的最外周部近旁，对槽形成流量抑制部，顺便说一下，在图23(A)中，为便于说明，表示在抛光头3-500的旋转轴3-601的内部形成有处理液的流道、该处理液滞留于抛光垫3-502的中央部的处理液流出口3-503的状态。并且，表示处理液液也滞留在抛光垫3-502与修整件3-820的边界区域的状态。
图23(B)及图23(C)表示形成于修整件3-820A、3-820B表面的修整槽3-821A、3-821B。图23(B)的修整槽3-821A是放射状的槽。采用这种放射状的槽，处理液利用离心力而被顺畅地排出。此时，从抛光垫3-502的槽剥离后的堆积物即使是较大的尺寸，也可容易通过修整件3-820A的修整槽3-821A。因此，与仅用抛光垫3-502的槽来排出堆积物的情况相比，可提高排出效果。
图23(C)表示形成于修整件3-820B的螺旋状的修整件槽3-821B。螺旋状的修整件槽3-821B，通过适当设定旋转方向和旋转速度，有时相比于放射状的修整件槽3-821A而提高堆积物的排出效果。另外，修整件槽也可是将放射状的槽和螺旋状的槽组合的构造。另外，在本实施方式中，每隔约10°的角度形成总计36条槽，但这是一例子，也可将槽的数量做得更少，也可做得更多。
图24表示在修整台3-810的近旁设有刷子清洗机构3-960的实施方式。在图24(A)中，刷子清洗机构3-960配置在抛光台3-400与修整台3-810之间的区域。因此，当抛光头3-500及抛光垫3-502通过抛光台3-400与修整台3-810之间时，抛光垫3-502的表面就与刷子清洗机构3-960接触(参照图22(D))，抛光垫3-502的表面被进行刷子清洗。另外，刷子清洗机构有时会妨碍抛光垫3-502移动。因此，也可设置使刷子清洗机构升降、或使其从抛光垫的移动路径沿水平方向退让的机构。本实施方式中，通过设置刷子清洗机构3-960而使用修整件3-820对抛光垫3-502进行清洗，此外，可利用刷子清洗机构3-960对抛光垫3-502进行清洗。其结果是，采用本实施方式，可强化抛光垫3-502的清洗力。
本实施方式的刷子清洗机构3-960只要是可将抛光垫3-502的至少半径部分程度覆盖的尺寸即可。这是因为抛光垫3-502自身进行旋转，且抛光垫3-502旋转一次就可与刷子清洗机构3-960接触的缘故。但是，也可设定刷子清洗机构3-960的尺寸和位置，以使刷子清洗机构3-960覆盖抛光垫3-502的直径部分。
图24(B)是刷子清洗机构3-960的详细图。如该图所示，刷子清洗机构3-960具有：刷子部3-961；对该刷子部3-961进行支承的主体部3-963。并且，在主体部3-963的内部形成有液体流通道3-965。另外，在主体部3-963的上表面，形成有从刷子部3-961的间隙喷出液体用的液体喷出口3-967。并且，该液体喷出口3-967与液体流通道3-965连通。因此，当将高压的液体供给到液体流通道3-965时，就从液体喷出口3-967喷出液体(清洗液)3-969。
另外，图25表示在修整台3-810的近旁设置支架3-970、在该支架3-970上设有刷子清洗机构3-960的例子。如图所示，支架3-970具有沿修整台3-810的外周部的圆弧状的部分，并在规定的角度范围内而接近修整台3-810。支架3-970的表面被定位成为修整件3-820的大致同一个面。这是因为在抛光头3-500设有万向机构、且当支架3-970和修整件3-820的高度不同时抛光头3-500就产生倾斜的缘故。
并且，在该支架3-970上，固定有刷子清洗机构构件。刷子清洗机构3-960的刷子部3-961从支架3-970的表面突出，该刷子部与抛光垫3-502的表面接触而对其进行刷子清洗。刷子清洗机构3-960作为一例子而在与修整台3-810的径向平行的方向上延伸。在设有这种的刷子清洗机构3-960和支架3-970的情况下，抛光垫3-502也在抛光台3-400与修整台3-810之间进行移动，由此，抛光垫3-502的表面由刷子清洗机构3-960清洗。
接着，根据图26，来说明飞散防止用的罩盖的变形例。在图26所示的例子中，在抛光头3-500上安装有抛光头罩盖3-910。即，在抛光头3-500的规定部位设有开口向下方的、有底圆筒形状的抛光头罩盖3-910。抛光头罩盖3-910的尺寸及形状被决定为，其下端部成为比修整件3-820的表面稍高的位置。另外，抛光头罩盖3-910的内径比修整件3-820的直径大。因此，从抛光垫3-502与修整件3-820的边界流出的处理液即使因离心力而飞散，也会通过该抛光头罩盖3-910来防止飞散。尤其，由于抛光头罩盖3-910与抛光臂一起摆动，因此，可始终挡住从抛光垫及修整件飞散的处理液和清洗液。另外，抛光头罩盖3-910也兼用为利用刷子清洗机构3-960对抛光垫3-502的表面进行清洗时的清洗液飞散防止用的罩盖。即，但利用刷子清洗机构3-960对抛光垫3-502的表面进行清洗时，从液体喷出口3-967喷出的液体(清洗液)3-969即使从抛光垫3-502飞散，也会通过抛光头罩盖3-910来防止飞散。
另外，在根据以上的图16～图26的实施方式的说明中，说明了各种的特征。一并具有这些特征的发明也是本申请所设想的发明。但是另一方面，各特征即使是分别单独的，也有作为发明而成立的情况。因此，作为本发明的技术思想的范围，不仅是上述各特征单独进行规定的范围，而且，由这些特征的任意组合所规定的范围也是本发明的设想的范围。
以下，根据图27～图38，来说明本申请发明一实施方式的基板处理装置及修正部。
<基板处理装置>
图27是表示本发明一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。如图27所示，基板处理装置(CMP装置)4-1000，具有大致矩形的壳体4-1。壳体4-1的内部，利用隔壁4-1a、4-1b划分为：装载/卸载单元4-2；研磨单元4-3；以及清洗单元4-4。装载/卸载单元4-2、研磨单元4-3及清洗单元4-4分别独立装配，独立排气。另外，清洗单元4-4具有：将电源供给到基板处理装置的电源供给部；以及对基板处理动作进行控制的控制装置4-5。
<装载/卸载单元>
装载/卸载单元4-2具有载放对多个晶片(基板)进行贮存的晶片盒的二个以上(在本实施方式中为四个)前装载部4-20。这些前装载部4-20与壳体4-1相邻配置，且沿基板处理装置的宽度方向(与长度方向垂直的方向)排列。在前装载部4-20上可搭载开口盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：标准制造接口)盒、或FOUP(Front OpeningUnified Pod：前开式晶片盒)，这里，SMIF及FOUP是内部收纳晶片盒、通过由隔壁覆盖而可保证与外部空间独立的密闭空间。
另外，在装载/卸载单元4-2上，沿前装载部4-20的排列敷设行走机构4-21。在行走机构4-21上，设置可沿晶片盒的排列方向移动的二台输送机器人(装料器、输送机构)4-22。输送机器人4-22能够通过在行走机构4-21上移动而对搭载于前装载部4-20的晶片盒进行存取。各输送机器人4-22在上下具有二个机械手。上侧机械手在将已处理的晶片返回到晶片盒时使用。下侧的机械手在从晶片盒取出处理前的晶片时使用。如此，可分别使用上下的机械手。此外，输送机器人4-22的下侧的机械手构成为，可使晶片翻转。
由于装载/卸载单元4-2是必需保持最清洁状态的区域，因此，装载/卸载单元4-2的内部始终被维持成比基板处理装置外部、研磨单元4-3及清洗单元4-4都高的压力。研磨单元4-3由于使用浆料作为研磨液故是最脏的区域。因此，研磨单元4-3的内部形成负压，其压力维持得比清洗单元4-4的内部压力低。装载/卸载单元4-2设有过滤器风扇单元(未图示)，该过滤器风扇单元具有HEPA过滤器、ULPA过滤器或化学过滤器等空气滤清器。从过滤器风扇单元始终吹出被去除了粒子、有毒蒸气或有毒气体后的清洁空气。
<研磨单元>
研磨单元4-3是对晶片进行研磨(平坦化)的区域。研磨单元4-3具有：第1研磨单元4-3A、第2研磨单元4-3B、第3研磨单元4-3C及第4研磨单元4-3D。第1研磨单元4-3A、第2研磨单元4-3B、第3研磨单元4-3C及第4研磨单元4-3D如图27所示，沿基板处理装置的长度方向排列。
如图27所示，第1研磨单元4-3A具有：研磨台4-30A，该研磨台4-30A安装有具有研磨面的研磨垫4-10；顶环4-31A，该顶环4-31A用于对晶片进行保持且将晶片推压到研磨台4-30A的研磨垫4-10上进行研磨；研磨液供给喷管4-32A，该研磨液供给喷管4-32A用于将研磨液或修整液(例如纯水)供给到研磨垫4-10；修整件4-33A，该修整件4-33A用于对研磨垫4-10的研磨面进行修整；以及喷雾器4-34(a)，该喷雾器4-34(a)将液体(例如纯水)和气体(例如氮气)的混合流体或液体(例如纯水)作成雾状而喷射到研磨面。
同样，第2研磨单元4-3B具有：研磨台4-30B；顶环4-31B；研磨液供给喷管4-32B；修整件4-33B；以及喷雾器4-34(b)。第3研磨单元4-3C具有：研磨台4-30C；顶环4-31C；研磨液供给喷管4-32C；修整件4-33C；以及喷雾器4-34(c)。第4研磨单元4-3D具有：研磨台4-30D；顶环4-31D；研磨液供给喷管4-32D；修整件4-33D；以及喷雾器4-34D。
第1研磨单元4-3A、第2研磨台4-3B、第3研磨单元4-3C及第4研磨台4-3D具有互相相同的结构，因此，以下仅说明第1研磨台4-3A。
图28是示意表示第1研磨单元4-3A的立体图。顶环4-31A支承在顶环旋转轴4-36上。在研磨台4-30A的上表面贴附有研磨垫4-10。研磨块4-10的上表面形成对晶片W进行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨垫4-10而使用固定磨料。顶环4-31A及研磨台4-30A如图箭头所示，构成为绕其轴心旋转。晶片W利用真空吸附而被保持在顶环4-31A的下表面。研磨时，研磨液从研磨液供给喷管4-32A供给到研磨垫4-10的研磨面，作为研磨对象的晶片利用顶环4-31A而被推压到研磨面被研磨。
<输送机构>
接着，说明对晶片进行输送用的输送机构。如图27所示，与第1研磨单元4-3A及第2研磨单元4-3B相邻而配置有第1线性输送机4-6。该第1线性输送机4-6是在沿研磨单元4-3A、4-3B所排列的方向的四个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第1输送位置4-TP1、第2输送位置4-TP2、第3输送位置4-TP3及第4输送位置4-TP4)之间对晶片进行输送的机构。
另外，与第3研磨单元4-3C及第4研磨单元4-3D相邻而配置有第2线性输送机4-7。
该第2线性输送机4-7是在沿研磨单元4-3C、4-3D所排列的方向的三个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第5输送位置4-TP5、第6输送位置4-TP6及第7输送位置4-TP7)之间对晶片进行输送的机构。
晶片由第1线性输送机4-6输送到研磨单元4-3A、4-3B。第1研磨单元4-3A的顶环4-31A利用顶环头的摆动动作而在研磨位置与第2输送位置4-TP2之间进行移动。因此，晶片至顶环4-31A的交接在第2输送位置4-TP2进行。同样，第2研磨单元4-3B的顶环4-31B在研磨位置与第3输送位置4-TP3之间进行移动。晶片至顶环4-31B的交接在第3输送位置4-TP3进行。第3研磨单元4-3C的顶环4-31C在研磨位置与第6输送位置4-TP6之间进行移动。晶片至顶环4-31C的交接在第6输送位置4-TP6进行。第4研磨单元4-3D的顶环4-31D在研磨位置与第7输送位置4-TP7之间进行移动。晶片至顶环4-31D的交接在第7输送位置4-TP7进行。
在第1输送位置4-TP1，配置有用于从输送机器人4-22接受晶片的升降器4-11。晶片借助该升降器4-11而从输送机器人4-22被交接到第1线性输送机4-6。在位于升降器4-11与输送机器人4-22之间的隔壁4-1a设有百叶门(未图示)。在输送晶片时百叶门打开，
晶片就从输送机器人4-22被交接到升降器4-11。另外，在第1线性输送机4-6、第2线性输送机4-7与清洗单元4-4之间配置有摆动式输送机4-12。该摆动式输送机4-12具有可在第4输送位置4-TP4与第5输送位置4-TP5之间移动的机械手。晶片从第1线性输送机4-6至第2线性输送机4-7的交接，由摆动式输送机4-12进行。晶片由第2线性输送机4-7输送到第3研磨单元4-3C及/或第4研磨单元4-3D。另外，由研磨单元4-3研磨后的晶片经由摆动式输送机4-12而被输送到清洗单元4-4。
<清洗单元>
图29(a)是表示清洗单元4-4的俯视图。图29(b)是表示清洗单元4-4的侧视图。如图29(a)及图29(b)所示，清洗单元4-4被划分为：辊形清洗室4-190；第1输送室4-191；笔形清洗室4-192；第2输送室4-193；干燥室4-194；抛光处理室4-300；以及第3输送室4-195。
在辊形清洗室4-190内，配置有沿纵向排列的上侧辊形清洗组件4-201A及下侧辊形清洗组件4-201B。上侧辊形清洗组件4-201A配置在下侧清洗清洗组件4-201B的上方。上侧辊形清洗组件4-201A及下侧辊形清洗组件4-201B，是通过将清洗液供给到晶片的表背面、并将旋转的二个辊形海绵分别按压到晶片的表背面而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧辊形清洗组件4-201A与下侧辊形清洗组件4-201B之间，设有晶片的临时放置台4-204。
在笔形清洗室4-192内，配置有沿纵向排列的上侧笔形清洗组件4-202A及下侧笔形清洗组件4-202B。上侧笔形清洗组件4-202A配置在下侧笔形清洗组件4-202B的上方。上侧笔形清洗组件4-202A及下侧笔形清洗组件4-202B，是通过将清洗液供给到晶片的表面、并将旋转的笔形海绵按压到晶片的表面且向晶片的径向摆动而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧笔形清洗组件4-202A与下侧笔形清洗组件4-202B之间，设有晶片的临时放置台4-203。
在干燥室4-194内，配置有沿纵向排列的上侧干燥组件4-205A及下侧干燥组件4-205B。上侧干燥组件4-205A及下侧干燥组件4-205B互相离开。在上侧干燥组件4-205A及下侧干燥组件4-205B的上部，设有将清洁的空气分别供给到干燥组件4-205A、4-205B内的过滤器风扇单元4-207、4-207。
上侧辊形清洗组件4-201A、下侧辊形清洗组件4-201B、上侧笔形清洗组件4-202A、下侧笔形清洗组件4-202B、临时放置台4-203、上侧干燥组件4-205A及下侧干燥组件4-205B，借助螺栓等而固定于未图示的框架。
在第1输送室4-191，配置可上下移动的第1输送机器人(输送机构)4-209。在第2输送室4-193，配置可上下移动的第2输送机器人4-210。在第3输送室4-195，配置可上下移动的第3输送机器人(输送机构)4-213。第1输送机器人4-209、第2输送机器人4-210及第3输送机器人4-213，分别移动自如地支承于沿纵向延伸的支承轴4-211、4-212、4-214。第1输送机器人4-209、第2输送机器人4-210及第3输送机器人4-213在内部具有电动机等驱动机构，沿支承轴4-211、4-212、4-214上下移动自如。第1输送机器人4-209与输送机器人4-22相同，上下具有二层的机械手。第1输送机器人4-209如图29(a)的虚线所示，其下侧的机械手配置在可对上述的临时放置台4-180进行存取的位置。当第1输送机器人4-209的下侧的机械手对临时放置台4-180进行存取时，设于隔壁4-1b的百叶门(未图示)就打开。
第1输送机器人4-209动作成，在临时放置台4-180、上侧辊形清洗组件4-201A、下侧辊形清洗组件4-201B、临时放置台4-204、临时放置台4-203、上侧笔形清洗组件4-202A及下侧笔形清洗组件4-202B之间对晶片W进行输送。当输送清洗前的晶片(附着有浆料的晶片)时，第1输送机器人4-209使用下侧的机械手，当输送清洗后的晶片时，使用上侧的机械手。
第2输送机器人4-210动作成，在上侧笔形清洗组件4-202A、下侧笔形清洗组件4-202B、临时放置台4-203、上侧干燥组件4-205A及下侧干燥组件4-205B之间对晶片W进行输送。由于第2输送机器人4-210仅输送清洗后的晶片，因此仅具有一个机械手。图27所示的输送机器人4-22使用上侧的机械手而从上侧干燥组件4-205A或下侧干燥组件4-205B取出晶片，且将该晶片返回到晶片盒。当输送机器人4-22的上侧机械手对干燥组件4-205A、4-205B进行存取时，设于隔壁4-1a的百叶门(未图示)就打开。
在抛光处理室4-300，具有上侧抛光处理组件4-300A及下侧抛光处理组件4-300B。第3输送机器人4-213动作成，在上侧辊形清洗组件4-201A、下侧辊形清洗组件4-201B、临时放置台4-204、上侧抛光处理组件4-300A及下侧抛光处理组件4-300B之间对晶片W进行输送。
另外，在本实施方式中，例示了如下例子：在清洗单元4-4内，从远离装载/卸载单元4-2的一方按顺序排列配置抛光处理室4-300、辊形清洗室4-190以及笔形清洗室4-192，但并不限定于此。抛光处理室4-300、辊形清洗室4-190及笔形清洗室4-192的配置方式，可根据晶片的质量及处理量等而适当选择。以下，说明上侧抛光处理组件4-300A及下侧抛光处理组件4-300B。上侧抛光处理组件4-300A及下侧抛光处理组件4-300B是同样的结构，因此，仅说明上侧抛光处理组件4-300A。
<抛光处理组件>
图30是表示上侧抛光处理组件4-300A的概略结构的示图。如图30所示，上侧抛光处理组件4-300A具有：抛光台4-400，该抛光台4-400设置晶片W；抛光头4-500，该抛光头4-500安装有对晶片W的处理面进行抛光处理用的抛光垫4-502；抛光臂4-600，该抛光臂4-600对抛光头4-500进行保持；液供给系统4-700，该液供给系统4-700用于供给各种处理液；以及修正部4-800，该修正部4-800用于对抛光垫4-502进行修正(修整)。
抛光台4-400具有吸附晶片W的机构。另外，抛光台4-400可利用未图示的驱动机构而绕旋转轴旋转。抛光垫4-502安装在抛光头4-500的与晶片W相对的面。抛光臂4-600使抛光头4-500绕旋转轴B旋转，并可如箭头C所示那样将抛光头4-500向晶片W的径向摆动。另外，抛光臂4-600可将抛光头4-500摆动直至抛光垫4-502与修正部4-800相对的位置。
液供给系统4-700具有用于将纯水(DIW)供给到晶片W的处理面的纯水喷管4-710。纯水喷管4-710借助纯水配管4-712而与纯水供给源4-714连接。在纯水配管4-712上，设置可对纯水配管4-712进行开闭的开闭阀4-716。未图示的控制装置通过对开闭阀4-716的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水供给到晶片W的处理面。
另外，液供给系统4-700具有用于将药液(Chemi)供给到晶片W的处理面的药液喷管4-720。药液喷管4-720借助药液配管4-722而与药液供给源4-724连接。在药液配管4-722上设置可对药液配管4-722进行开闭的开闭阀4-726。控制装置通过对开闭阀4-726的开闭进行控制，从而可在任意的时间将药液供给到晶片W的处理面。
上侧抛光处理组件4-300A，借助抛光臂4-600、抛光头4-500及抛光垫4-502而可将纯水、药液或浆料有选择地供给到晶片W的处理面。
即，分支纯水配管4-712a从纯水配管4-712中的纯水供给源4-714与开闭阀4-716之间分支。另外，分支药液配管4-722a从药液配管4-722中的药液供给源4-724与开闭阀4-726之间分支。分支纯水配管4-712a、分支药液配管4-722a及与浆料供给源4-734连接的浆料配管4-732在液供给配管4-740合流。在分支纯水配管4-712a上，设置可对分支纯水配管4-712a进行开闭的开闭阀4-718。在分支药液配管4-722a上，设置可对分支药液配管4-722a进行开闭的开闭阀4-728。在浆料配管4-732上，设置可对浆料配管4-732进行开闭的开闭阀4-736。
液供给配管4-740的第1端部与分支纯水配管4-712a、分支药液配管4-722a及浆料配管4-732这三个系统的配管连接。液供给配管4-740通过抛光臂4-600的内部、抛光头4-500的中央及抛光垫4-500的中央而延伸。液供给配管4-740第2端部向晶片W的处理面开口。控制装置通过对开闭阀4-718、开闭阀4-728及开闭阀4-736的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水、药液和浆料中的任何一种或它们的任意组合的混合液供给到晶片W的处理面。
上侧抛光处理组件4-300A借助液供给配管4-740而将处理液供给到晶片W，并使抛光台4-400绕旋转轴A旋转，将抛光垫4-502按压到晶片W的处理面，且使抛光头4-500绕旋转轴B旋转并向箭头C方向摆动，从而可对晶片W进行抛光处理。另外，本实施方式的抛光垫具有与处理对象即晶片相比相当小的直径。这是因为在抛光处理中能实现高的平坦性。
这里，所谓的抛光处理包含抛光研磨处理和抛光清洗处理的至少一方。所谓的抛光研磨处理是如下处理：使抛光垫4-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫4-502相对运动，将浆料夹在晶片W与抛光垫4-502之间，由此对晶片W的处理面进行研磨去除。抛光研磨处理是如下处理：可对晶片W施加比辊形清洗室4-190中由辊形海绵施加于晶片W的物理性作用力、及笔形清洗室4-192中由笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。利用抛光研磨处理，可实现：去除表层部所附着的擦伤等损伤或污染物；补充去除不能用研磨单元4-3中的主研磨进行去除的部位；或者主研磨后的、表面波度的改善。
另外，所谓的抛光清洗处理是如下处理：使抛光垫4-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫4-502相对运动，通过使清洗处理液(药液，或药液与纯水)夹在晶片W与抛光垫4-502之间而将晶片W表面的污染物去除，或对处理面进行改性。抛光清洗处理是如下处理：可对晶片W施加比在辊形清洗室4-190中由辊形海绵施加于晶片W的物理性作用、及笔形清洗室4-192中由笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。
修正部4-800用于对抛光垫4-502的表面进行修正。修正部4-800具有：修整台4-810；以及设置在修整台4-810上的修整件4-820。修整台4-810利用未图示的驱动机构而可绕旋转轴D旋转。修整件4-820由金刚石修整件、刷子修整件或它们的组合而形成。
上侧抛光处理组件4-300A在对抛光垫4-502进行修正时，使抛光臂4-600回旋直至抛光垫4-502与修整件4-820相对的位置。上侧抛光处理组件4-300A使修整台4-810绕旋转轴D旋转，并也使抛光头4-500旋转，将抛光垫4-502按压到修整件4-820，由此进行抛光垫4-502的修正。
<修正部>
下面，根据各种附图，来说明抛光台4-400、修正部4-800、喷雾器4-950、抛光垫4-502的位置关系及喷雾器4-950对抛光垫4-502的清洗处理中的具体加工。图31表示对晶片W进行保持的抛光台4-400、对用于修正抛光垫4-502的修整件4-820进行支承的修整件4-810。由这些修整件4-820及修整件台4-810和其它的结构要素形成修正部4-800。
修正部4-800与抛光台4-400相邻配置，其位置与抛光臂4-600的摆动中心L有关，是与抛光台4-400大致相同的半径位置。因此，在抛光臂4-600摆动(图31中逆时针摆动)的情况下，抛光垫4-502就可被定位在修正部4-800中的修整件4-820的上方。在修正部4-800中，利用修整台4-810旋转、且与抛光垫4-502的旋转的复合作用，抛光垫4-502的表面就被修整处理。另外，在修整台4-810的近旁，在与抛光臂4-600的摆动中心L有关、并与抛光台4-400及修整台4-810相同的半径位置，设有规定的喷雾器4-950。
图32及图33是用于说明包含使用了喷雾器4-950的抛光垫4-502的清洗处理在内的、与抛光清洗及与相关的具体加工的示图。图32中，上方部分表示抛光台4-400的加工，中间部分表示修整台4-810的加工，下方部分表示喷雾器4-950的加工。这些各加工同时并行进行。另外，图中的圆标记表示抛光垫4-502的位置。例如，当抛光清洗处理时，抛光垫4-502位于抛光台4-400，在之后的垫冲洗处理时移动到修整台4-810。另外，在图33中，抛光头4-500的一部分为便于说明而作成剖视图。另外，对于本实施方式中使用的抛光头4-500，设置由半球状的凹凸面构成的万向机构，抛光头4-500就可稍微进行摇头。
首先，在抛光台4-400中对晶片W进行抛光处理(步骤S4-11)。此时，不言而喻，抛光垫4-502位于抛光台4-400。在抛光清洗处理中，从液供给配管4-740供给抛光清洗用的处理液，且通过抛光臂及抛光头旋转轴4-601(参照图31)的内部而供给到抛光垫4-502的中央部。与此同时，旋转的抛光垫4-502在被按压到晶片W上的状态下，抛光臂4-600进行摆动，对与抛光台4-400一起旋转的晶片W的表面进行清洗处理(参照图33(A))。抛光垫4-502在下一加工中移动到修整件4-820的上方，以后进行修整相关处理，对此在后文中叙述。
在抛光台4-400中，进行晶片冲洗处理(步骤S4-12)。该晶片冲洗处理是利用DIW对晶片W进行清洗的处理。当晶片W的晶片冲洗处理结束时，接着从抛光台4-400取出晶片W(步骤S4-13)，并被输送到下一工序。然后，抛光台4-400利用DIW而通过抛光台冲洗处理进行清洗(步骤S4-14)。由此，抛光台中的一系列的加工结束，引入接着处理用的新的晶片W(步骤S4-15)，反复进行上述的各处理加工。
另一方面，在修整台4-810中，与上述加工并行地进行抛光垫4-502的修整处理。抛光清洗(步骤S4-11)所使用的抛光垫4-502(参照图33(A))移动到修整件4-820的上方。此时，抛光垫4-502朝向铅垂下方。并且，清洗液(DIW)从配置在抛光垫4-502的斜下方的抛光垫清洗机构4-830喷射，抛光垫4-502的表面被进行垫冲洗处理(步骤S4-22)(参照图33(B))。垫冲洗处理的期间，抛光垫4-502旋转，整个面被均匀清洗。另外，作为用于清洗抛光垫的清洗液，也可使用使用超声波清洗液。
接着，抛光头4-500下降并与修整件4-820抵接，对抛光垫4-502进行修整处理(步骤S4-23)(参照图33(C))。修整处理在处理液被供给到抛光垫4-502的中央部的状态下进行。修整处理的期间，抛光垫4-502及修整件4-820一起旋转。另外，修整处理在抛光垫4-502的旋转中心和修整件4-820的旋转中心错开的状态下进行。这是为了防止抛光垫4-502和修整件4-820的特定部位彼此持续产生滑动的对策。另外，通过将抛光垫4-502的旋转中心和修整件4-820的旋转中心错开，从而可在抛光垫4-502的整个面获得相对于修整件4-820的相对速度。
在进行了修整处理后，抛光头4-500再次上升并移动到喷雾器4-950的上方，高压清洗流体从上述的喷雾器4-950向抛光垫喷射，修整处理后的抛光垫4-502被喷雾处理(步骤S4-24)(参照图33(D))。另外，修整处理(步骤S4-23)所使用的修整件4-820利用从设在其近旁的修整件清洗机构4-840喷射的清洗液(DIW)而进行修整冲洗处理(步骤S4-21)(参照图33(E))。修整冲洗处理的期间，修整台4-810旋转，可将修整件4-820的表面均匀清洗。在本实施方式中使用的抛光头4-500，设有由半球状的凹凸面构成的万向机构，抛光头4-500就可稍微摇头。
另外，在上述的说明中，说明了抛光垫4-502朝向铅垂下方的情况，但本发明并不限定于此，即使是抛光垫4-502朝向铅垂上方的情况、朝向水平方向的情况，也可适用本发明。
另外，对于抛光垫4-502的清洗，即使仅用喷雾器4-950也有充分的清洗效果。但是，为了进一步提高清洗效果，可考虑组合超声波清洗或刷子清洗等。例如，在喷雾器4-950的近旁设置规定的清洗液容器(图示省略)，在该容器内进行超声波清洗或刷子清洗等。这样一来，可去除不能仅通过喷雾器4-950的清洗处理去除的污垢。另外，本实施方式可提供一种喷雾器，该喷雾器可适用于抛光垫4-502的尺寸与修整件4-820的尺寸同等或在其以下的抛光处理组件。
接着，根据图34，来说明以抛光处理组件4-300A的小型化为目的的结构。图34(A)表示将喷雾器4-950固定于与修整台4-810不同的规定位置的情况的布置。另一方面，图34(B)表示用于实现小型化的布置。从该图34(B)可知，喷雾器4-951A、4-951B为可动式。喷雾器4-951A、4-951B在与抛光台4-400和修整台4-810相比时，由于不要求高的定位精度，因此可采用图示的可动式。
另外，在该图34中，一并记载二个喷雾器4-951A、4-951B，但当实施本发明时，只要设置任意一方的喷雾器即可。在该实施方式中，喷雾器4-951A、4-951B配置在修整台4-810的近旁的无用空间4-953，不需要喷雾器4-951A、4-951B用的特别的空间。具体来说，在图34(A)中，抛光臂4-600的摆动中心L的下方部分(剖面部分)为无用空间4-953，通过将喷雾器4-951A、4-951B做成可动式，从而可消除该无用空间4-953。
另外，图34(B)的结构能够如图34(A)的结构那样减少抛光垫4-502在修正部4-800与喷雾器4-950之间进行往复移动的时间。另外，图34(B)的结构，由于仅单道部分(从退让位置至喷雾位置)增加喷雾器4-951A、4-951B中的较短的移动时间，因此，可提高处理量。另外，抛光臂4-600，不等待喷雾器4-951A、4-951B的退让动作(从喷雾位置至退让位置的移动)就可从修整件4-820向抛光台4-400移动。
本实施方式的喷雾器4-951A、4-951B的一例子是由棒状体的主体构成的，可相对于修整件4-820的上方区域进入退让。在图34(B)中，表示旋转移动式和直线移动式的例子。在旋转移动式的喷雾器4-951A的一端部设有旋转轴4-951a，旋转式促动器使该旋转轴4-951a旋转。在喷雾器4-951A未进行抛光垫4-502的清洗的情况下，喷雾器4-951A从修整件4-820的上方退让(图中的用实线所示的位置)，并且，当对抛光垫4-502进行清洗时，移动到修整件4-820的上方(图中的用虚线所示的位置)。
另外，如图34(B)所示，使喷雾器4-951B直线移动的情况也是有利的。即，利用工作缸4-951b等的促动器，可使喷雾器4-951B相对于修整件4-820的上方区域进入退让。尤其，在该直线移动式的例子中，由于可有效利用由抛光台4-400和修整台4-810产生的无用空间，设置喷雾器4-951B，因此，不需要补充的设置空间。另外，图34的布置只不过是一例子，可通过将喷雾器4-951A、4-951B作成可动式而采用将无用空间作成最小用的各种布置。
无论是旋转移动式还是直线移动式都是相同的，喷雾器4-951A、4-951B只要可进入至少能以抛光垫4-502的半径部分进行清洗的位置即可，这是因为：只要抛光垫4-502能旋转，且至少以半径部分也能进行清洗，则利用抛光垫4-502的旋转，结果就能清洗整个面。但是，若能充分确保喷雾器4-951A、4-951B的移动范围，也可设定喷雾器4-951A、4-951B的尺寸及位置，以能清洗抛光垫4-502的直径部分。在该情况下，理论上只要使抛光垫4-502旋转一半就可清洗整个面，与仅清洗半径部分的情况相比，能实现二倍的清洗效果。
接着，根据图35，来说明用于防止清洗液飞散的罩盖4-955。如图35所示，在抛光臂4-600的规定位置设置由角钢状的罩盖4-955。该罩盖4-955的设置位置与喷雾器4-951A进行清洗处理时的、喷雾器4-951A的位置对应。即，喷雾器4-951A在对抛光垫4-500进行清洗时，喷雾器4-951A进入到修整件4-820的上方区域。此时，喷雾器4-951A喷射清洗液，以能充分进行清洗直至抛光垫4-502的最外周部。因此，如图35(B)所示，喷射到抛光垫4-502的最外周部的清洗液的一部分脱离抛光头4-500及抛光垫-502而要向斜上方飞散。但是，通过在与该喷雾器4-951A对应的位置设有罩盖4-955，从而清洗液被罩盖4-955挡住而能可靠地防止飞散到周围环境的现象。
另外，图35所示的罩盖具有角钢形状，但本发明并不限定于此。即，既可是简单板状的罩盖，也可是仅喷雾器4-951A的一侧开口的箱形的罩盖。另外，在实施方式中，罩盖固定在抛光臂4-600的侧面，但也可安装在抛光臂的上表面或下表面。如上所述，通过与喷雾器4-951A的可动位置对应而设置罩盖4-955，从而可将罩盖4-955的设置面积抑制得最小，可将抛光臂4-600的回旋轨迹保持得小。
图36是表示对喷雾器4-951A与抛光臂4-600的位置关系作了设计后的例子的示图。即，在喷雾器4-951A进行清洗处理的情况下，喷雾器4-951A的整体构成为位于抛光臂4-600的下方(图中的用虚线所示的位置)。在该例子中，在抛光垫4-502利用抛光臂4-600的摆动而位于修整件4-820的上方的情况下，喷雾器4-951A的旋转轴4-951a处于抛光臂4-600的下方。因此，由喷雾器4-951A进行的清洗过程中，喷雾器4-951A的整体就位于抛光臂4-600的下方。通过做成如此结构，抛光臂4-600自身发挥飞散防止用的罩盖的作用，故不必设置另外的罩盖。或者，即使设置罩盖，也是最小限度的大小即可。另外，如图36(B)、(C)所示，在结合抛光头4-500的抛光臂4-600的下表面4-600a，设置二块板状的臂罩盖4-602。二块臂罩盖4-602设在抛光臂4-600的下表面4-600a的、从喷雾器4-951A喷射出的清洗液所碰撞的区域。二块臂罩盖4-602沿抛光臂4-600的延伸方向延伸地而与抛光臂4-600的下表面4-600a的、向抛光臂4-600的延伸方向的左右两侧连接。通过设置二块臂罩盖4-602而抑制清洗液向周围飞散的现象。
另外，通过将喷雾器4-951A定位在抛光臂4-600的下方，也可获得如下那样的派生效果。即，处理液或清洗液因抛光研磨或抛光清洗或修整等各处理而飞散并附着在抛光臂4-600的下表面。因此，必须进行定期的清洗。通常，设置另外的清洗构件，但在本实施方式中，由于具有喷雾器4-951A，因此，用该喷雾器4-951A对抛光臂4-600的下表面进行清洗。这样依赖，就不必设置另外的清洗构件。
接着，根据图37，来说明飞散防止用的罩盖的变形例。在图37(A)所示的例子中，在抛光头4-500上安装有抛光头罩盖4-910。即，在抛光头4-500的规定部位，设有开口朝向下方的有底圆筒形状的抛光头罩盖4-910。抛光头罩盖4-910的尺寸及形状被决定为，其下端部成为比修整件4-820的表面稍高的位置。另外，抛光头罩盖4-910的内径比修整件4-820的直径大。因此，从抛光垫4-502与修整件4-820的边界流出的处理液即使因离心力而飞散，也会通过该抛光头罩盖4-910来防止飞散。尤其，由于抛光头罩盖4-910与抛光臂一起摆动，因此，可始终挡住从抛光垫及修整件飞散的处理液和清洗液。
图37(B)表示固定罩盖4-920的例子。该固定罩盖4-920设在包含修整件4-820的修正部4-800上。通过用该固定罩盖4-920覆盖修整件4-820，可有效防止处理液和清洗液从修整件4-820飞散的现象。固定罩盖4-920的平面形状为大致矩形，这是一例子而已，也可作成平面形状为圆形的固定罩盖。另外，在固定罩盖4-920上形成有用于避免与抛光头4-500的旋转轴4-601(参照图30)接触的缺口4-921。由此，即使抛光臂4-600摆动且抛光头4-500的旋转轴4-601接近固定罩盖4-920，也会因缺口4-921的作用而不接触。另外，上述的各实施方式，提供一种喷雾器，可适用于抛光垫4-502的尺寸与修整件4-820的尺寸同等或在其以下的抛光处理组件。
另外，在根据以上的图27～图38的实施方式的说明中，相互关联地说明了各自的特征部分。因此，通过将各个整部分组合而获得特别的技术效果的发明成立。另一方面，上述各特征部分即使是分别单独的，也可以作为一个发明而成立。因此，本申请设想的发明，不一定限定于将多个的特征部分组合后的发明，各特征部分单独或各特征部分的任意组合，也可构成本发明。
以下，根据图39～图53，来说明本申请发明一实施方式的基板处理装置及修正部。
<基板处理装置>
图39是表示本发明一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。如图39所示，基板处理装置(CMP装置)5-1000，具有大致矩形的壳体5-1。壳体5-1的内部，利用隔壁5-1a、5-1b划分为：装载/卸载单元5-2；研磨单元5-3；以及清洗单元5-4。装载/卸载单元5-2、研磨单元5-3及清洗单元5-4分别独立装配，独立排气。另外，清洗单元5-4具有：将电源供给到基板处理装置的电源供给部；以及对基板处理动作进行控制的控制装置5-5。
<装载/卸载单元>
装载/卸载单元5-2具有载放对多个晶片(基板)进行贮存的晶片盒的二个以上(在本实施方式中为四个)前装载部5-20。这些前装载部5-20与壳体5-1相邻配置，且沿基板处理装置的宽度方向(与长度方向垂直的方向)排列。在前装载部5-20上可搭载开口盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：标准制造接口)盒、或FOUP(Front OpeningUnified Pod：前开式晶片盒)，这里，SMIF及FOUP是内部收纳晶片盒、通过由隔壁覆盖而可保证与外部空间独立的密闭空间。
另外，在装载/卸载单元5-2上，沿前装载部5-20的排列敷设行走机构5-21。在行走机构5-21上，设置可沿晶片盒的排列方向移动的二台输送机器人(装料器、输送机构)5-22。输送机器人5-22能够通过在行走机构5-21上移动而对搭载于前装载部5-20的晶片盒进行存取。各输送机器人5-22在上下具有二个机械手。上侧机械手在将已处理的晶片返回到晶片盒时使用。下侧的机械手在从晶片盒取出处理前的晶片时使用。如此，可分别使用上下的机械手。此外，输送机器人5-22的下侧的机械手构成为，可使晶片翻转。
由于装载/卸载单元5-2是必需保持最清洁状态的区域，因此，装载/卸载单元5-2的内部始终被维持成比基板处理装置外部、研磨单元5-3及清洗单元5-4都高的压力。研磨单元5-3由于使用浆料作为研磨液故是最脏的区域。因此，研磨单元5-3的内部形成负压，其压力维持得比清洗单元5-4的内部压力低。装载/卸载单元5-2设有过滤器风扇单元(未图示)，该过滤器风扇单元具有HEPA过滤器、ULPA过滤器或化学过滤器等空气滤清器。从过滤器风扇单元始终吹出被去除了粒子、有毒蒸气或有毒气体后的清洁空气。
<研磨单元>
研磨单元5-3是对晶片进行研磨(平坦化)的区域。研磨单元5-3具有：第1研磨单元5-3A、第2研磨单元5-3B、第3研磨单元5-3C及第4研磨单元5-3D。第1研磨单元5-3A、第2研磨单元5-3B、第3研磨单元5-3C及第4研磨单元5-3D如图39所示，沿基板处理装置的长度方向排列。
如图39所示，第1研磨单元5-3A具有：研磨台5-30A，该研磨台5-30A安装有具有研磨面的研磨垫5-10；顶环5-31A，该顶环5-31A用于对晶片进行保持且将晶片推压到研磨台5-30A的研磨垫5-10上进行研磨；研磨液供给喷管5-32A，该研磨液供给喷管5-32A用于将研磨液或修整液(例如纯水)供给到研磨垫5-10；修整件5-33A，该修整件5-33A用于对研磨垫5-10的研磨面进行修整；以及喷雾器5-34(a)，该喷雾器5-34(a)将液体(例如纯水)和气体(例如氮气)的混合流体或液体(例如纯水)作成雾状而喷射到研磨面。
同样，第2研磨单元5-3B具有：研磨台5-30B；顶环5-31B；研磨液供给喷管5-32B；修整件5-33B；以及喷雾器5-34(b)。第3研磨单元5-3C具有：研磨台5-30C；顶环5-31C；研磨液供给喷管5-32C；修整件5-33C；以及喷雾器5-34(c)。第4研磨单元5-3D具有：研磨台5-30D；顶环5-31D；研磨液供给喷管5-32D；修整件5-33D；以及喷雾器5-34D。
第1研磨单元5-3A、第2研磨台5-3B、第3研磨单元5-3C及第4研磨台5-3D具有互相相同的结构，因此，以下仅说明第1研磨台5-3A。
图40是示意表示第1研磨单元5-3A的立体图。顶环5-31A支承在顶环旋转轴5-36上。在研磨台5-30A的上表面贴附有研磨垫5-10。研磨块5-10的上表面形成对晶片W进行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨垫5-10而使用固定磨料。顶环5-31A及研磨台5-30A如图箭头所示，构成为绕其轴心旋转。晶片W利用真空吸附而被保持在顶环5-31A的下表面。研磨时，研磨液从研磨液供给喷管5-32A供给到研磨垫5-10的研磨面，作为研磨对象的晶片利用顶环5-31A而被推压到研磨面被研磨。
<输送机构>
接着，说明对晶片进行输送用的输送机构。如图39所示，与第1研磨单元5-3A及第2研磨单元5-3B相邻而配置有第1线性输送机5-6。该第1线性输送机5-6是在沿研磨单元5-3A、5-3B所排列的方向的四个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第1输送位置5-TP1、第2输送位置5-TP2、第3输送位置5-TP3及第4输送位置5-TP4)之间对晶片进行输送的机构。
另外，与第3研磨单元5-3C及第4研磨单元5-3D相邻而配置有第2线性输送机5-7。该第2线性输送机5-7是在沿研磨单元5-3C、5-3D所排列的方向的三个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第5输送位置5-TP5、第6输送位置5-TP6及第7输送位置5-TP7)之间对晶片进行输送的机构。
晶片由第1线性输送机5-6输送到研磨单元5-3A、5-3B。第1研磨单元5-3A的顶环5-31A利用顶环头的摆动动作而在研磨位置与第2输送位置5-TP2之间进行移动。因此，晶片至顶环5-31A的交接在第2输送位置5-TP2进行。同样，第2研磨单元5-3B的顶环5-31B在研磨位置与第3输送位置5-TP3之间进行移动。晶片至顶环5-31B的交接在第3输送位置5-TP3进行。第3研磨单元5-3C的顶环5-31C在研磨位置与第6输送位置5-TP6之间进行移动。晶片至顶环5-31C的交接在第6输送位置5-TP6进行。第4研磨单元5-3D的顶环5-31D在研磨位置与第7输送位置5-TP7之间进行移动。晶片至顶环5-31D的交接在第7输送位置5-TP7进行。
在第1输送位置5-TP1，配置有用于从输送机器人5-22接受晶片的升降器5-11。晶片借助该升降器5-11而从输送机器人5-22被交接到第1线性输送机5-6。在位于升降器5-11与输送机器人5-22之间的隔壁5-1a设有百叶门(未图示)。在输送晶片时百叶门打开，晶片就从输送机器人5-22被交接到升降器5-11。另外，在第1线性输送机5-6、第2线性输送机5-7与清洗单元5-4之间配置有摆动式输送机5-12。该摆动式输送机5-12具有可在第4输送位置5-TP4与第5输送位置5-TP5之间移动的机械手。晶片从第1线性输送机5-6至第2线性输送机5-7的交接，由摆动式输送机5-12进行。晶片由第2线性输送机5-7输送到第3研磨单元5-3C及/或第4研磨单元5-3D。另外，由研磨单元5-3研磨后的晶片经由摆动式输送机5-12而被输送到清洗单元5-4。
<清洗单元>
图41(a)是表示清洗单元5-4的俯视图。图41(b)是表示清洗单元5-4的侧视图。如图41(a)及图41(b)所示，清洗单元5-4被划分为：辊形清洗室5-190；第1输送室5-191；笔形清洗室5-192；第2输送室5-193；干燥室5-194；抛光处理室5-300；以及第3输送室5-195。
在辊形清洗室5-190内，配置有沿纵向排列的上侧辊形清洗组件5-201A及下侧辊形清洗组件5-201B。上侧辊形清洗组件5-201A配置在下侧清洗清洗组件5-201B的上方。上侧辊形清洗组件5-201A及下侧辊形清洗组件5-201B，是通过将清洗液供给到晶片的表背面、并将旋转的二个辊形海绵分别按压到晶片的表背面而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧辊形清洗组件5-201A与下侧辊形清洗组件5-201B之间，设有晶片的临时放置台5-204。
在笔形清洗室5-192内，配置有沿纵向排列的上侧笔形清洗组件5-202A及下侧笔形清洗组件5-202B。上侧笔形清洗组件5-202A配置在下侧笔形清洗组件5-202B的上方。上侧笔形清洗组件5-202A及下侧笔形清洗组件5-202B，是通过将清洗液供给到晶片的表面、并将旋转的笔形海绵按压到晶片的表面且向晶片的径向摆动而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧笔形清洗组件5-202A与下侧笔形清洗组件5-202B之间，设有晶片的临时放置台5-203。
在干燥室5-194内，配置有沿纵向排列的上侧干燥组件5-205A及下侧干燥组件5-205B。上侧干燥组件5-205A及下侧干燥组件5-205B互相离开。在上侧干燥组件5-205A及下侧干燥组件5-205B的上部，设有将清洁的空气分别供给到干燥组件5-205A、5-205B内的过滤器风扇单元5-207、5-207。
上侧辊形清洗组件5-201A、下侧辊形清洗组件5-201B、上侧笔形清洗组件5-202A、下侧笔形清洗组件5-202B、临时放置台5-203、上侧干燥组件5-205A及下侧干燥组件5-205B，借助螺栓等而固定于未图示的框架。
在第1输送室5-191，配置可上下移动的第1输送机器人(输送机构)5-209。在第2输送室5-193，配置可上下移动的第2输送机器人5-210。在第3输送室5-195，配置可上下移动的第3输送机器人(输送机构)5-213。第1输送机器人5-209、第2输送机器人5-210及第3输送机器人5-213，分别移动自如地支承于沿纵向延伸的支承轴5-211、5-212、5-214。第1输送机器人5-209、第2输送机器人5-210及第3输送机器人5-213在内部具有电动机等驱动机构，沿支承轴5-211、5-212、5-214上下移动自如。第1输送机器人5-209与输送机器人5-22相同，上下具有二层的机械手。第1输送机器人5-209如图41(a)的虚线所示，其下侧的机械手配置在可对上述的临时放置台5-180进行存取的位置。当第1输送机器人5-209的下侧的机械手对临时放置台5-180进行存取时，设于隔壁5-1b的百叶门(未图示)就打开。
第1输送机器人5-209动作成，在临时放置台5-180、上侧辊形清洗组件5-201A、下侧辊形清洗组件5-201B、临时放置台5-204、临时放置台5-203、上侧笔形清洗组件5-202A及下侧笔形清洗组件5-202B之间对晶片W进行输送。当输送清洗前的晶片(附着有浆料的晶片)时，第1输送机器人5-209使用下侧的机械手，当输送清洗后的晶片时，使用上侧的机械手。
第2输送机器人5-210动作成，在上侧笔形清洗组件5-202A、下侧笔形清洗组件5-202B、临时放置台5-203、上侧干燥组件5-205A及下侧干燥组件5-205B之间对晶片W进行输送。由于第2输送机器人5-210仅输送清洗后的晶片，因此仅具有一个机械手。图39所示的输送机器人5-22使用上侧的机械手而从上侧干燥组件5-205A或下侧干燥组件5-205B取出晶片，且将该晶片返回到晶片盒。当输送机器人5-22的上侧机械手对干燥组件5-205A、5-205B进行存取时，设于隔壁5-1a的百叶门(未图示)就打开。
在抛光处理5-300，具有上侧抛光处理组件5-300A及下侧抛光处理组件5-300B。第3输送机器人5-213动作成，在上侧辊形清洗组件5-201A、下侧辊形清洗组件5-201B、临时放置台5-204、上侧抛光处理组件5-300A及下侧抛光处理组件5-300B之间对晶片W进行输送。
另外，在本实施方式中，例示了如下例子：在清洗单元5-4内，从远离装载/卸载单元5-2的一方按顺序排列配置抛光处理室5-300、辊形清洗室5-190以及笔形清洗室5-192，但并不限定于此。抛光处理室5-300、辊形清洗室5-190及笔形清洗室5-192的配置方式，可根据晶片的质量及处理量等而适当选择。以下，说明上侧抛光处理组件5-300A及下侧抛光处理组件5-300B。上侧抛光处理组件5-300A及下侧抛光处理组件5-300B是同样的结构，因此，仅说明上侧抛光处理组件5-300A。
<抛光处理组件>
图42是表示上侧抛光处理组件5-300A的概略结构的示图。如图42所示，上侧抛光处理组件5-300A具有：抛光台5-400，该抛光台5-400设置晶片W；抛光头5-500，该抛光头5-500安装有对晶片W的处理面进行抛光处理用的抛光垫5-502；抛光臂5-600，该抛光臂5-600对抛光头5-500进行保持；液供给系统5-700，该液供给系统5-700用于供给各种处理液；以及修正部5-800，该修正部5-800用于对抛光垫5-502进行修正(修整)。
抛光台5-400具有吸附晶片W的机构。另外，抛光台5-400可利用未图示的驱动机构而绕旋转轴旋转。抛光垫5-502安装在抛光头5-500的与晶片W相对的面。抛光臂5-600使抛光头5-500绕旋转轴B旋转，并可如箭头C所示那样将抛光头5-500向晶片W的径向摆动。另外，抛光臂5-600可将抛光头5-500摆动直至抛光垫5-502与修正部5-800相对的位置。
液供给系统5-700具有用于将纯水(DIW)供给到晶片W的处理面的纯水喷管5-710。纯水喷管5-710借助纯水配管5-712而与纯水供给源5-714连接。在纯水配管5-712上，设置可对纯水配管5-712进行开闭的开闭阀5-716。未图示的控制装置通过对开闭阀5-716的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水供给到晶片W的处理面。
另外，液供给系统5-700具有用于将药液(Chemi)供给到晶片W的处理面的药液喷管5-720。药液喷管5-720借助药液配管5-722而与药液供给源5-724连接。在药液配管5-722上设置可对药液配管5-722进行开闭的开闭阀5-726。控制装置通过对开闭阀5-726的开闭进行控制，从而可在任意的时间将药液供给到晶片W的处理面。
上侧抛光处理组件5-300A，借助抛光臂5-600、抛光头5-500及抛光垫5-502而可将纯水、药液或浆料有选择地供给到晶片W的处理面。
即，分支纯水配管5-712a从纯水配管5-712中的纯水供给源5-714与开闭阀5-716之间分支。另外，分支药液配管5-722a从药液配管5-722中的药液供给源5-724与开闭阀5-726之间分支。分支纯水配管5-712a、分支药液配管5-722a及与浆料供给源5-734连接的浆料配管5-732在液供给配管5-740合流。在分支纯水配管5-712a上，设置可对分支纯水配管5-712a进行开闭的开闭阀5-718。在分支药液配管5-722a上，设置可对分支药液配管5-722a进行开闭的开闭阀5-728。在浆料配管5-732上，设置可对浆料配管5-732进行开闭的开闭阀5-736。
液供给配管5-740的第1端部与分支纯水配管5-712a、分支药液配管5-722a及浆料配管5-732这三个系统的配管连接。液供给配管5-740通过抛光臂5-600的内部、抛光头5-500的中央及抛光垫5-500的中央而延伸。液供给配管5-740第2端部向晶片W的处理面开口。控制装置通过对开闭阀5-718、开闭阀5-728及开闭阀5-736的开闭进行控制，从而可在任意的时间将纯水、药液和浆料中的任何一种或它们的任意组合的混合液供给到晶片W的处理面。
上侧抛光处理组件5-300A借助液供给配管5-740而将处理液供给到晶片W，并使抛光台5-400绕旋转轴A旋转，将抛光垫5-502按压到晶片W的处理面，且使抛光头5-500绕旋转轴B旋转并向箭头C方向摆动，从而可对晶片W进行抛光处理。另外，本实施方式的抛光垫具有与处理对象即晶片相比相当小的直径。这是因为在抛光处理中能实现高的平坦性。
这里，所谓的抛光处理包含抛光研磨处理和抛光清洗处理的至少一方。所谓的抛光研磨处理是如下处理：使抛光垫5-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫5-502相对运动，将浆料夹在晶片W与抛光垫5-502之间，由此对晶片W的处理面进行研磨去除。抛光研磨处理是如下处理：可对晶片W施加比辊形清洗室5-190中由辊形海绵施加于晶片W的物理性作用力、及笔形清洗室5-192中由笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。利用抛光研磨处理，可实现：去除表层部所附着的擦伤等损伤或污染物；补充去除不能用研磨单元5-3中的主研磨进行去除的部位；或者主研磨后的、表面波度的改善。
另外，所谓的抛光清洗处理是如下处理：使抛光垫5-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫5-502相对运动，通过使清洗处理液(药液，或药液与纯水)夹在晶片W与抛光垫5-502之间而将晶片W表面的污染物去除，或对处理面进行改性。抛光清洗处理是如下处理：可对晶片W施加比在辊形清洗室5-190中由辊形海绵施加于晶片W的物理性作用、及笔形清洗室5-192中由笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。
修正部5-800用于对抛光垫5-502的表面进行修正。修正部5-800具有：修整台5-810；以及设置在修整台5-810上的修整件5-820。修整台5-810利用未图示的驱动机构而可绕旋转轴D旋转。修整件5-820由金刚石修整件、刷子修整件或它们的组合而形成。
上侧抛光处理组件5-300A在对抛光垫5-502进行修正时，使抛光臂5-600回旋直至抛光垫5-502与修整件5-820相对的位置。上侧抛光处理组件5-300A使修整台5-810绕旋转轴D旋转，并也使抛光头5-500旋转，将抛光垫5-502按压到修整件5-820，由此进行抛光垫5-502的修正。
<修正部>
下面，根据各种附图，来说明修正部5-800及对抛光垫5-502的清洗处理中的具体加工。图43表示对晶片W进行保持的抛光台5-400、对用于修正抛光垫5-502的修整件5-820进行支承的修整件5-810。由这些修整件5-820及修整件台5-810和其它的结构要素形成修正部5-800。
修正部5-800与抛光台5-400相邻配置，其位置与抛光臂5-600的摆动中心L有关，是与抛光台5-400大致相同的半径位置。因此，在抛光臂5-600摆动(图43中逆时针摆动)的情况下，抛光垫5-502就可被定位在修正部5-800中的修整件5-820的上方。在修正部5-800中，利用修整台5-810旋转、且与抛光垫5-502的旋转的复合作用，抛光垫5-502的表面就被修整处理。
图44及图45是用于说明抛光清洗及与其相关的具体加工的示图。图44中，上方部分表示抛光台5-400的加工，下方部分表示修整台5-810的加工。这些各加工同时并行进行。另外，图中的圆标记表示抛光垫5-502的位置。例如，当抛光清洗处理时，抛光垫5-502位于抛光台5-400，在之后的垫冲洗处理时移动到修整台5-810。另外，在图45中，抛光头5-500的一部分为便于说明而作成剖视图。另外，对于本实施方式中使用的抛光头5-500，设置由半球状的凹凸面构成的万向机构，抛光头5-500就可稍微进行摇头。
首先，在抛光台5-400中对晶片W进行抛光处理(步骤S5-11)。此时，不言而喻，抛光垫5-502位于抛光台5-400。在抛光清洗处理中，从液供给配管5-740供给抛光清洗用的处理液，且通过抛光臂及抛光头旋转轴5-601(参照图43)的内部而供给到抛光垫5-502的中央部。与此同时，旋转的抛光垫5-502在被按压到晶片W上的状态下，抛光臂5-600进行摆动，对与抛光台5-400一起旋转的晶片W的表面进行清洗处理(参照图45(A))。抛光垫5-502在下一加工中移动到修整件5-820的上方，以后进行修整相关处理，对此在后文中叙述。
在抛光台5-400中，进行晶片冲洗处理(步骤S5-12)。该晶片冲洗处理是利用DIW对晶片W进行清洗的处理。当晶片W的晶片冲洗处理结束时，接着从抛光台5-400取出晶片W(步骤S5-13)，并被输送到下一工序。然后，抛光台5-400利用DIW而通过抛光台冲洗处理进行清洗(步骤S5-14)。由此，抛光台中的一系列的加工结束，引入接着处理用的新的晶片W(步骤S5-15)，反复进行上述的各处理加工。
另一方面，在修整台5-810中，与上述加工并行地进行抛光垫5-502的修整处理。抛光清洗(步骤S5-11)所使用的抛光垫5-502(参照图45(A))移动到修整件5-820的上方。此时，抛光垫5-502朝向铅垂下方。并且，清洗液(DIW)从配置在抛光垫5-502的斜下方的抛光垫清洗机构5-830喷射，抛光垫5-502的表面被进行垫冲洗处理(步骤S5-22)(参照图45(B))。垫冲洗处理的期间，抛光垫5-502旋转，整个面被均匀清洗。另外，作为用于清洗抛光垫的清洗液，也可使用使用超声波清洗液。
接着，抛光头5-500下降并与修整件5-820抵接，对抛光垫5-502进行修整处理(步骤S5-23)(参照图45(C))。修整处理在处理液被供给到抛光垫5-502的中央部的状态下进行。修整处理的期间，抛光垫5-502及修整件5-820一起旋转。另外，修整处理在抛光垫5-502的旋转中心和修整件5-820的旋转中心错开的状态下进行。这是为了防止抛光垫5-502和修整件5-820的特定部位彼此持续产生滑动的对策。
在进行了修整处理后，抛光头5-500再次上升，清洗液从上述的抛光垫清洗机构5-830向抛光垫喷射，修整处理后的抛光垫再次被垫冲洗处理(步骤S5-24)(参照图45(D))。另外，修整处理(步骤S5-23)所使用的修整件5-820利用从设在其近旁的修整件清洗机构5-840喷射的清洗液(DIW)而进行修整冲洗处理(步骤S5-21)(参照图45(E))。修整冲洗处理的期间，修整台5-810旋转，可将修整件5-820的表面均匀清洗。
另外，在上述的说明中，说明了抛光垫5-502朝向铅垂下方的情况，但本发明并不限定于此，即使是抛光垫5-502朝向铅垂上方的情况、朝向水平方向的情况，也可适用本发明。
接着，根据图46，来说明本实施方式的特征部分之一。如图46所示，在本实施方式中，特征之一是，修整件5-820配置在比抛光台5-500低的位置。这种结构的理由如下。即，在对修整件5-820进行修整冲洗处理的情况下，从修整件清洗机构5-840喷射清洗液。此时，在不进行任何设计的情况下，修整冲洗所使用的清洗液向抛光台5-400侧飞散，会污染处理过程中的晶片W。另外，也认为抛光清洗所使用的处理液被污染，对加工性能带来不良影响。这是因为修整冲洗处理与对抛光台5-400的晶片W的各种处理同时进行而产生的问题。
对于上述那样的问题，通过将修整件5-820配置在比抛光台5-400低的位置，可防止清洗液向抛光台5-400飞散。这是因为，利用修整件清洗机构5-840从斜上方将清洗液喷射到修整件5-820，因此，利用抛光台5-400与修整件5-820的高低差，清洗液就不会飞散至抛光台5-400。高低差即使是几厘米也有充分的污染防止效果。
接着，根据图47，来说明本实施方式的另外的特征部分。图47(A)是表示在清洗液的喷射方向具有特征的例子的示图。在本例中，初期的喷射方向被设定成，清洗液在向修整件5-820喷射后，向离开抛光台5-400的方向飞散。在图47(A)的示意例子中，清洗液从修整件清洗机构5-840喷射并通过修整件5-820的中心不，向离开抛光台的方向(图47(A)的网格部分)飞散。
换言之，引出通过抛光台5-400的中心和修整件5-820的中心的直线，在修整件5-820的中心部再引出垂直于该直线的线条，喷射方向被设定成，以该垂直线为边界向远离抛光台5-400的区域飞散。若再换一种说法，则是，修整件清洗机构5-840以上述的垂直线为边界，而配置在除了网格部分以外的区域。但是，由于修整件清洗机构5-840不能配置在抛光台5-400的上方，因此，如图47(A)所示，就配置在抛光台5-400与修整台5-810之间，从斜方向将清洗液喷射到修整件5-820。另外，在以上的说明中，用清洗液示意地通过修整件5-820的中心的例子来说明的，但是，清洗液也可如虚线的箭头所示地喷射到偏离修整件5-820中心的位置。
接着，根据图47(A)及图47(B)，来说明本实施方式的另外的特征部分。图47(B)的特征是在修整台5-810的周围设有修整件罩盖5-850。这里，为便于说明，而用修整件5-820的上表面与晶片W的上表面大致相同高度的例子来进行说明。在该实施方式中，在修整台5-810的周围设有大致圆筒状的修整件罩盖5-850。修整件5-850的上端部具有向内侧倾斜的倾斜部5-851，该内侧成为开口部5-853。开口部5-853的内径比修整台5-810的直径稍大，即使修整件罩盖5-850进行上下移动的情况下，也不与修整台5-810的外周部接触。倾斜部5-851用于有效防止清洗液向修整件罩盖5-850的外部飞散，由于即使是简单的圆筒形状的修整件罩盖也有防止清洗液飞散的效果，因此，倾斜部5-851不是必须结构要素。另外，图47(B)是在修整台5-810的周围设置修整件罩盖5-850的例子，但用于防止清洗液飞散的罩盖也可如以下的图52所示地设在抛光台5-400的周围。另外，用于防止清洗液飞散的罩盖，不限于设在修整台5-810周围的修整件罩盖5-850、以及设在抛光台5-400周围的抛光台罩盖5-900，也可设在抛光台5-400与修整台5-810之间。另外，修正部5-800，相对于设在抛光台5-400与修整台5-810之间的罩盖，也可具有与如下说明的接触避免机构相同的接触避免机构。
另外，对于修整件罩盖5-850，也可设置用于避免与抛光垫5-502接触的接触避免机构。安装于抛光头5-500的抛光垫5-502在从抛光清洗处理转移到修整处理时，有时在与修整件5-820的表面相当的高度位置进行水平移动。在该情况下，修整件罩盖5-850的上端部如图47(B)所示，当处于比修整件5-820的表面高的位置时，抛光头5-500及抛光垫5-502就与修整件罩盖5-850接触。避免这种情况的是接触避免机构。
虽然可考虑各种的接触避免机构的具体结构，但是，作为例如修整件罩盖移动机构，可列举出使修整件罩盖5-850沿铅垂方向上下移动的工作缸5-853等作为具体例。在该图47(B)中，用实线表示修整件罩盖5-850覆盖修整件5-820的状态，用虚线表示修整件罩盖5-850下降后的状态。另外，作为使修整件罩盖5-850移动的方向，说明了上下移动的情况，但这是设想以水平姿势设置修整件5-820的情况。在假如以垂直姿势设置修整件5-820的情况下，修整件罩盖5-850必须向水平方向移动。这也可换句话说成修整台5-810的旋转轴的轴线方向。另外，若不使修整件罩盖5-850具有接触避免机构，而利用除此以外的结构可避免接触，则修整件罩盖5-850也可是固定式。
图48是用于说明接触避免机构的另外例子的示图。首先，图48(A)表示在修整件罩盖5-860的一部分上形成有缺口的例子。具体来说，在修整件罩盖5-860的上端区域的一部分上，沿圆周方向形成有具有规定高度的缺口5-861。该缺口5-861的深度是下端部5-861a相比于修整件5-820的表面而稍稍处于下方的位置。这是因为：当抛光垫5-502向修整件5-820侧水平移动时，缺口5-861的下端部5-861a若低于修整件5-820的表面，则可避免水平移动的抛光垫5-502与修整件罩盖5-860的接触。
接着，根据图48(B)及图48(C)，来说明修正工具罩盖5-860的动作。图48(B)是从上方看到修整件5-820的示图，表示修整件罩盖5-860的缺口5-861朝向抛光台5-400一侧的状态。如此，若缺口5-861朝向抛光台5-400一侧，则抛光头5-500及抛光垫5-502即使从抛光台5-400水平移动过来，也能通过缺口5-861而到达修整件5-820的表面。但是，当在这种状态下进行修整冲洗处理时，有时清洗液通过缺口5-861而飞散到抛光台5-400上的晶片W造成污染。
为了防止这种污染，在抛光垫5-502完全移动到修整件5-820的上方的状态下，修整件罩盖5-860沿水平面内旋转约90°(参照图48(C))。这样一来，抛光台5-400一侧被修整件罩盖5-860的壁覆盖，防止清洗液飞散到抛光台5-400侧。另一方面，也存在清洗液向具有缺口5-860的一侧(在图48(C)中的下方侧)飞散的情况，但不会污染晶片W。另外，作为旋转角度，并不限定于90°，只要缺口5-850不朝向抛光台5-400侧，也可是60°、135°或180°等。另外，虽然可考虑各种的使修整件罩盖5-860旋转的旋转驱动机构，但是，可利用旋转式促动器、或伺服电动机和连杆机构的组合等。
接着，根据图49，来说明接触避免机构的又一例子。在图49的例子中，在修整件罩盖5-870形成有缺口5-871，这一点与图48的例子相同。但不同点是具有可动盖部件5-873。该可动盖部件5-873对缺口5-871进行开闭，具体来说形成为矩形的部件沿修整件罩盖5-870的外周曲面弯曲的形状。图49(A-1)、(A-2)表示可动盖部件5-873将缺口5-871封闭的状态。可动盖部件5-873与缺口5-871的部分重叠，可防止清洗液从修整件罩盖5-870的内部飞散。
图49(B-1)、(B-2)表示可动盖部件5-873移动到图49(B-2)中的下方、露出缺口5-871的状态。为了使可动盖部件5-873移动，例如必须采取将未图示的导轨等沿上下方向设置在修整件罩盖5-870外周面等的措施。但是，这是一例子而已，也可将与修整件罩盖不同的促动器等(图示省略)与可动盖部件5-873联接，利用该促动器的作用使可动盖部件5-873移动。另外，图49(C-1)、(C-2)是使可动盖部件5-873沿修整件罩盖5-870的圆周方向移动的例子。尤其，在图示的例子中是形成角度地使其移动约90°左右的状态。为了实现这种移动，也必须使用规定的导轨和促动器。
如上所述，在使用具有可动盖部件5-873的修整件罩盖5-870的情况下，在进行修整冲洗时，如图49(A-1)、(A-2)所示，由可动盖部件5-873封闭缺口5-871。因此，清洗液不会污染晶片W。另一方面，在对抛光垫5-502进行修整处理的情况下，可动盖部件5-873移动而使缺口5-871露出。若是露出缺口5-871的状态，则即使抛光头5-500及抛光垫5-502向修整件5-820水平移动过来，也不会与修整件罩盖5-870接触，而可移动至修整件5-820的上表面。并且，在抛光垫5-502完全移动到修整件5-820的上方后，可动盖部件5-873再次将缺口5-871封闭。由此，即使是利用修整件5-820对抛光垫5-502进行修整处理等的情况下，处理液也不会飞散而污染晶片W。
接着，根据图50，来说明用于避免抛光头5-500与修整件罩盖5-880接触的、另外的结构例。在本例中，修整件罩盖5-880是固定式。另一方面，抛光臂5-600可离开晶片W及修整件5-820的表面。在本实施方式的例子中，抛光臂5-600(抛光头)可沿修整件5-820的旋转轴线的方向或晶片W的旋转轴线的方向(铅垂方向)移动。抛光臂5-600(抛光头)在移动至比修整件罩盖5-880高的位置的状态下，可在修正部(修整台5-810)与抛光台5-400之间移动。因此，在抛光清洗处理后，抛光臂5-500暂时上升并横穿修整件罩盖5-880，再次下降直至与修整件5-820的表面抵接。由此，不在修整件罩盖5-880设置接触避免机构，即可使抛光垫5-502在抛光台5-400与修整件5-820之间移动。但是，即使同时具有上述的修整件罩盖5-850、5-860、5-870的接触避免机构，也无任何问题。
接着，根据图51，来说明用于有效防止晶片W污染的结构。在本例中，其特征分别是：从抛光台5-400及修整台5-810的上方产生下降气流5-895a；利用下降气流5-895a的一部分而在抛光台5-400与修整台5-810之间形成气幕5-891a；以及在修整台5-810的周围形成局部排气状态5-893a。首先，来说明气幕5-891a。所谓气幕，是指通过在规定的空间形成气流而遮断以该气流为边界的各空间之间的空气流动。在本实施方式中，在抛光台5-400及修整台5-810的上方设置下降气流产生机构5-895。下降气流产生机构5-895，使包含抛光台5-400及修整台5-810在内的抛光处理组件的整体产生下降气流5-895a(下降流)。下降气流5-895a中，在抛光台5-400与修整台5-810之间从上方向下方的气流，成为气幕5-891a。即，下降气流产生机构5-895还具有作为气幕形成机构的功能。气幕5-891a防止修整处理和修整冲洗处理时飞散的处理液和清洗液向抛光台5-400侧飞散。
气幕与修整冲洗时的DIW的供给联动。即，在DIW被供给到修整件5-820以进行修整冲洗的情况下，也形成有气幕5-891a。相反，在停止供给DIW的情况下，由于清洗液不飞散，因此，也停止形成气幕5-891a。因此，气幕5-891a不会给晶片W的输送和抛光垫5-502的移动带来不良影响。
另外，在修整台5-810的周围，利用局部排气机构5-893而形成有局部排气状态5-893a。所谓的该局部排气状态5-893a，是吸引局部产生的气体等而防止向周围环境扩散用的方法。在本实施方式中，为了在修整台5-810的周围形成局部排气状态5-893a，最好设置沿修整台5-810的外周部的圆形的吸引口5-893b。由此，即使是在修整冲洗处理等中清洗液产生飞散的情况下，也被局部排气而不会污染抛光台5-400。另外，局部排气不必形成在修整台5-810的全周，只要至少形成在抛光台5-400与修整台5-810之间的空间即可。
此外，下降气流产生机构5-895在抛光处理组件的整体上形成下降气流5-895a。当下降气流5-895a与抛光台5-400上的晶片W碰撞时，流向半径方向外侧。因此，即使清洗液从修整台5-810侧飞散过来，也可利用向半径方向外侧的气流而将其推回到抛光台5-400上。该下降气流5-895a通过与上述的局部排气5-893a一起使用而发挥更高的污染防止效果。
另外，在图51及上述说明中，是将包含气幕5-891a的下降气流5-895a及局部排气5-893a组合来使用的结构。但是，本发明并不限定于此，也可单独使用包含气幕5-891a的下降气流5-895a及局部排气5-893a。
图52表示不在修整件5-820上设置罩盖、而在抛光台5-400上设置罩盖的例子。抛光台罩盖5-900形成为，将抛光台5-400从周围包围，即使清洗液等从修整件5-820的一侧飞散的情况下，也能防止晶片W的污染。本实施方式的抛光台罩盖5-900在其上端部具有倾斜部，但也可简单的圆筒形状。另外，倾斜部不必设在抛光台5-400的周围的全周上，也可至少仅设在抛光台5-400与修整台5-810之间。另外，该抛光台罩盖5-900也可如上所述地设有用于避免与抛光头5-500接触的接触避免机构。
接着，根据图53，来说明飞散防止用的罩盖的变形例。在图53所示的例子中，在抛光头5-500上安装有抛光头罩盖5-910。即，在抛光头5-500的规定部位设有开口向下方的、有底圆筒形状的抛光头罩盖5-910。抛光头罩盖5-910的尺寸及形状被决定为，其下端部成为比修整件5-820的表面稍高的位置。另外，抛光头罩盖5-910的内径比修整件5-820的直径大。因此，从抛光垫5-502与修整件5-820的边界流出的处理液即使因离心力而飞散，也会通过该抛光头罩盖5-910来防止飞散。尤其，由于抛光头罩盖5-910与抛光臂一起摆动，因此，可始终挡住从抛光垫及修整件飞散的处理液和清洗液。
另外，在根据以上的图39～图53的实施方式的说明中，详述了如下的结构：将修整件设在比抛光台低的位置；将清洗液向离开抛光台的方向喷射；并且在修整件的周围或抛光台的周围设置罩盖。这些各结构要素，即使是单独的，也可防止晶片的污染。因此，但实施本发明时，只要将修整件设在比抛光台低的位置，就不必进行清洗液的喷射方向的调整和罩盖的设置等。换言之，上述各结构要素既可分别单独构成本发明，也可任意组合这些结构要素来构成本发明。
以下，根据图54～图62，来说明本申请发明的一实施方式的修正装置、抛光处理装置、基板处理装置、修整件及修正方法。
A.实施例：
图54是表示本发明一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。如图54所示，基板处理装置6-1000具有大致矩形的壳体6-1。壳体6-1的内部，利用隔壁6-1a、6-1b划分为：装载/卸载单元6-2；研磨单元6-3；以及清洗单元6-4。装载/卸载单元6-2、研磨单元6-3及清洗单元6-4分别独立装配，独立排气。另外，清洗单元6-4具有：将电源供给到基板处理装置的电源供给部(图示省略)；以及对基板处理动作进行控制的控制装置6-5。
装载/卸载单元6-2具有载放对多个晶片(基板)进行贮存的晶片盒的二个以上(在本实施方式中为四个)前装载部6-20。这些前装载部6-20与壳体6-1相邻配置，且沿基板处理装置的宽度方向(与长度方向垂直的方向)排列。在前装载部6-20上可搭载开口盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：标准制造接口)盒、或FOUP(Front OpeningUnified Pod：前开式晶片盒)，这里，SMIF及FOUP是内部收纳晶片盒、通过由隔壁覆盖而可保证与外部空间独立的密闭空间。
另外，在装载/卸载单元6-2上，沿前装载部6-20的排列敷设行走机构6-21。在行走机构6-21上，设置可沿晶片盒的排列方向移动的二台输送机器人(装料器、输送机构)6-22。输送机器人6-22能够通过在行走机构6-21上移动而对搭载于前装载部6-20的晶片盒进行存取。各输送机器人6-22，从晶片盒取出处理前的晶片，并将处理后的晶片返回到晶片盒。
研磨单元6-3是对晶片进行研磨(平坦化)的区域。研磨单元6-3具有：第1研磨单元6-3A、第2研磨单元6-3B、第3研磨单元6-3C及第4研磨单元6-3D。这些研磨单元6-3A～6-3D如图54所示，沿基板处理装置的长度方向排列。
如图54所示，第1研磨单元6-3A具有：研磨台6-30A，该研磨台6-30A安装有具有研磨面的研磨垫6-10；顶环6-31A，该顶环6-31A用于对晶片进行保持且将晶片推压到研磨台6-30A的研磨垫6-10上进行研磨；研磨液供给喷管6-32A，该研磨液供给喷管6-32A用于将研磨液或修整液(例如纯水)供给到研磨垫6-10；修整件6-33A，该修整件6-33A用于对研磨垫6-10的研磨面进行修整；以及喷雾器6-34(a)，该喷雾器6-34(a)将液体(例如纯水)和气体(例如氮气)的混合流体或液体(例如纯水)作成雾状而喷射到研磨面。
同样，第2研磨单元6-3B具有：研磨台6-30B；顶环6-31B；研磨液供给喷管6-32B；修整件6-33B；以及喷雾器6-34(b)。第3研磨单元6-3C具有：研磨台6-30C；顶环6-31C；研磨液供给喷管6-32C；修整件6-33C；以及喷雾器6-34(c)。第4研磨单元6-3D具有：研磨台6-30D；顶环6-31D；研磨液供给喷管6-32D；修整件6-33D；以及喷雾器6-34D。
第1研磨单元6-3A、第2研磨台6-3B、第3研磨单元6-3C及第4研磨台6-3D具有互相相同的结构，因此，以下仅说明第1研磨台6-3A。
图55是示意表示第1研磨单元6-3A的立体图。顶环6-31A支承在顶环旋转轴6-36上。在研磨台6-30A的上表面贴附有研磨垫6-10。研磨块6-10的上表面形成对晶片W进行研磨的研磨面。另外，也可代替研磨垫6-10而使用固定磨料。顶环6-31A及研磨台6-30A如图箭头所示，构成为绕其轴心旋转。晶片W利用真空吸附而被保持在顶环6-31A的下表面。研磨时，研磨液从研磨液供给喷管6-32A供给到研磨垫6-10的研磨面，作为研磨对象的晶片利用顶环6-31A而被推压到研磨面被研磨。
接着，说明对晶片进行输送用的输送机构。如图54所示，与第1研磨单元6-3A及第2研磨单元6-3B相邻而配置有第1线性输送机6-6。该第1线性输送机6-6是在沿研磨单元6-3A、6-3B所排列的方向的四个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第1输送位置6-TP1、第2输送位置6-TP2、第3输送位置6-TP3及第4输送位置6-TP4)之间对晶片进行输送的机构。
另外，与第3研磨单元6-3C及第4研磨单元6-3D相邻而配置有第2线性输送机6-7。该第2线性输送机6-7是在沿研磨单元6-3C、6-3D所排列的方向的三个输送位置(从装载/卸载单元侧按顺序设为第5输送位置6-TP5、第6输送位置6-TP6及第7输送位置6-TP7)之间对晶片进行输送的机构。
晶片由第1线性输送机6-6输送到研磨单元6-3A、6-3B。第1研磨单元6-3A的顶环6-31A利用顶环头的摆动动作而在研磨位置与第2输送位置6-TP2之间进行移动。因此，晶片至顶环6-31A的交接在第2输送位置6-TP2进行。同样，第2研磨单元6-3B的顶环6-31B在研磨位置与第3输送位置6-TP3之间进行移动。晶片至顶环6-31B的交接在第3输送位置6-TP3进行。第3研磨单元6-3C的顶环6-31C在研磨位置与第6输送位置6-TP6之间进行移动。晶片至顶环6-31C的交接在第6输送位置6-TP6进行。第4研磨单元6-3D的顶环6-31D在研磨位置与第7输送位置6-TP7之间进行移动。晶片至顶环6-31D的交接在第7输送位置6-TP7进行。
在第1输送位置6-TP1，配置有用于从输送机器人6-22接受晶片的升降器6-11。晶片借助该升降器6-11而从输送机器人6-22被交接到第1线性输送机6-6。在第1线性输送机6-6、第2线性输送机6-7与清洗单元6-4之间配置有摆动式输送机6-12。该摆动式输送机6-12具有可在第4输送位置6-TP4与第5输送位置6-TP5之间移动的机械手。晶片从第1线性输送机6-6至第2线性输送机6-7的交接，由摆动式输送机6-12进行。晶片由第2线性输送机6-7输送到第3研磨单元6-3C及/或第4研磨单元6-3D。另外，由研磨单元6-3研磨后的晶片经由摆动式输送机6-12而被输送到临时放置台6-180。载放在临时放置台6-180的晶片被输送到清洗单元6-4。
图56A是表示清洗单元6-4的俯视图。图56B是表示清洗单元6-4的侧视图。如图56A及图56B所示，清洗单元6-4被划分为：辊形清洗室6-190；第1输送室6-191；笔形清洗室6-192；第2输送室6-193；干燥室6-194；抛光处理室6-300；以及第3输送室6-195。
在辊形清洗室6-190内，配置有沿纵向排列的上侧辊形清洗组件6-201A及下侧辊形清洗组件6-201B。上侧辊形清洗组件6-201A配置在下侧清洗清洗组件6-201B的上方。上侧辊形清洗组件6-201A及下侧辊形清洗组件6-201B，是通过将清洗液供给到晶片的表背面、并将旋转的二个辊形海绵分别按压到晶片的表背面而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧辊形清洗组件6-201A与下侧辊形清洗组件6-201B之间，设有晶片的临时放置台6-204。
在笔形清洗室6-192内，配置有沿纵向排列的上侧笔形清洗组件6-202A及下侧笔形清洗组件6-202B。上侧笔形清洗组件6-202A配置在下侧笔形清洗组件6-202B的上方。上侧笔形清洗组件6-202A及下侧笔形清洗组件6-202B，是通过将清洗液供给到晶片的表面、并将旋转的笔形海绵按压到晶片的表面且向晶片的径向摆动而对晶片进行清洗的清洗机。在上侧笔形清洗组件6-202A与下侧笔形清洗组件6-202B之间，设有晶片的临时放置台6-203。
在干燥室6-194内，配置有沿纵向排列的上侧干燥组件6-205A及下侧干燥组件6-205B。上侧干燥组件6-205A及下侧干燥组件6-205B互相离开。在上侧干燥组件6-205A及下侧干燥组件6-205B的上部，设有将清洁的空气分别供给到干燥组件6-205A、6-205B内的过滤器风扇单元6-207、6-207。
在第1输送室6-191，配置可上下移动的第1输送机器人(输送机构)6-209。在第2输送室6-193，配置可上下移动的第2输送机器人6-210。在第3输送室6-195，配置可上下移动的第3输送机器人(输送机构)6-213。第1输送机器人6-209、第2输送机器人6-210及第3输送机器人6-213，分别移动自如地支承于沿纵向延伸的支承轴6-211、6-212、6-214。第1输送机器人6-209、第2输送机器人6-210及第3输送机器人6-213在内部具有电动机等驱动机构，沿支承轴6-211、6-212、6-214上下移动自如。第1输送机器人6-209上下具有二层的机械手。第1输送机器人6-209如图56A的虚线所示，其下侧的机械手配置在可对上述的临时放置台6-180进行存取的位置。
第1输送机器人6-209动作成，在临时放置台6-180、上侧辊形清洗组件6-201A、下侧辊形清洗组件6-201B、临时放置台6-204、临时放置台6-203、上侧笔形清洗组件6-202A及下侧笔形清洗组件6-202B之间对晶片W进行输送。当输送清洗前的晶片(附着有浆料的晶片)时，第1输送机器人6-209使用下侧的机械手，当输送清洗后的晶片时，使用上侧的机械手。
第2输送机器人6-210动作成，在上侧笔形清洗组件6-202A、下侧笔形清洗组件6-202B、临时放置台6-203、上侧干燥组件6-205A及下侧干燥组件6-205B之间对晶片W进行输送。由于第2输送机器人6-210仅输送清洗后的晶片，因此仅具有一个机械手。图54所示的输送机器人6-22使用上侧的机械手而从上侧干燥组件6-205A或下侧干燥组件6-205B取出晶片，且将该晶片返回到晶片盒。
在抛光处理室6-300，具有上侧抛光处理组件6-300A及下侧抛光处理组件6-300B。第3输送机器人6-213动作成，在上侧辊形清洗组件6-201A、下侧辊形清洗组件6-201B、临时放置台6-204、上侧抛光处理组件6-300A及下侧抛光处理组件6-300B之间对晶片W进行输送。
在本实施方式中，例示了如下例子：在清洗单元6-4内，从远离装载/卸载单元6-2的一方按顺序排列配置抛光处理室6-300、辊形清洗室6-190以及笔形清洗室6-192，但并不限定于此。抛光处理室6-300、辊形清洗室6-190及笔形清洗室6-192的配置方式，可根据晶片的质量及处理量等而适当选择。上侧抛光处理组件6-300A及下侧抛光处理组件6-300B是同样的结构，因此，仅说明上侧抛光处理组件6-300A。
图57是表示上侧抛光处理组件的概略结构的示图。如图57所示，上侧抛光处理组件6-300A具有：抛光台6-400，该抛光台6-400设置晶片W；抛光头6-500，该抛光头6-500安装有对晶片W的处理面进行抛光处理用的抛光垫6-502；抛光臂6-600，该抛光臂6-600对抛光头6-500进行保持；液供给系统6-700，该液供给系统6-700用于供给各种处理液；以及修正部6-800，该修正部6-800用于对抛光垫6-502进行修正。
抛光台6-400具有保持晶片W的机构。晶片保持机构在本实施例中是真空吸附方式，但也可是任意的方式。例如，晶片保持机构，即可是在晶片W的周缘部的至少一个部位对晶片W的表面及背面进行夹紧的夹紧方式，也可是在晶片W的周缘部的至少一个部位对晶片W的侧面进行保持的辊夹持方式。在本实施例中，抛光台6-400将晶片W保持成晶片W的加工面朝向上方。
另外，抛光台6-400构成为，利用未图示的驱动机构而绕旋转轴A旋转。在抛光臂6-600上，借助构成为可旋转的旋转轴6-504而安装有抛光头6-500。在抛光头6-500的与晶片W(或抛光台6-400)相对的面上，安装有用于对晶片W进行抛光处理的抛光垫6-502。抛光臂6-600构成为，使抛光头6-500绕旋转轴B旋转。另外，由于抛光垫6-502的面积比晶片W(或抛光台6-400)的面积小，因此，抛光臂6-600构成为，可使抛光头6-500如箭头C所示地向晶片W的径向摆动。由此，可无遗漏地对晶片进行抛光处理。另外，抛光臂6-600构成为，可将抛光头6-500摆动直至抛光垫6-502与修正部6-800相对的位置。抛光头6-500构成为，可利用促动器(图示省略)而向接近抛光台6-400的方向及远离抛光台6-400的方向(在本实施例中是向上下)移动。由此，能以规定的压力将抛光垫6-502按压到晶片W。这种结构，既可利用旋转轴6-504的伸缩来实现，也可利用抛光臂6-600的上下运动来实现。
液供给系统6-700具有用于将纯水(图中表示为DIW)供给到晶片W的处理面的纯水外部喷管6-710。纯水外部喷管6-710借助纯水配管6-712而与纯水供给源6-714连接。在纯水配管6-712上设置可对纯水配管6-712进行开闭的开闭阀6-716。控制装置6-5通过对开闭阀6-716的开闭进行控制，从而可按任意时间将纯水供给到晶片W的处理面。
另外，液供给系统6-700具有用于将药液(图中表示为Chemi)供给到晶片W的处理面的药液外部喷管6-720。药液外部喷管6-720借助药液配管6-722而与药液供给源6-724连接。在药液配管6-722上设置可对药液配管6-722进行开闭的开闭阀6-726。控制装置6-5通过对开闭阀6-726的开闭，从而可按任意时间将药液供给到晶片W的处理面。
另外，液供给系统6-700具有用于将浆料(图中表示为Slurry)供给到晶片W的处理面的浆料外部喷管6-730。浆料外部喷管6-730借助浆料配管6-732而与浆料供给源6-734连接。在浆料配管6-732上设置可对浆料配管6-732进行开闭的开闭阀6-736。控制装置6-5通过对开闭阀6-736的开闭，从而可按任意时间将浆料供给到晶片W的处理面。
在本实施例中，外部喷管6-710、6-720、6-730的位置都是固定的，并向事先确定的固定位置供给纯水、药液或浆料。这些处理液，利用晶片W的旋转而被供给到处理液被高效供给到抛光垫6-502的位置。外部喷管6-710、6-720、6-730也可构成为与二个以上的各种处理液共同的一个或二个喷管。另外，外部喷管也可构成为，供给纯水、药液及浆料中的至少一种处理液。
抛光处理组件6-300A还构成为，可借助抛光臂6-600、抛光头6-500及抛光垫6-502而选择性地将处理液(纯水、药液或浆料)供给到晶片W的处理面。即，分支纯水喷管6-712a从纯水配管6-712中的纯水供给源6-714与开闭阀6-716之间分支。同样，分支药液配管6-722a从药液配管6-722中的药液供给源6-724与开闭阀6-726之间分支。分支浆料配管6-723a从浆料配管6-732中的浆料供给源6-734与开闭阀6-736之间分支。分支纯水配管6-712a、分支药液配管6-722a及分支浆料配管6-732a在液供给配管6-740合流。在分支纯水配管6-712a上，设置可对分支纯水配管6-712a进行开闭的开闭阀6-718。在分支药液配管6-722a上，设置可对分支药液配管6-722a进行开闭的开闭阀6-728。在分支浆料配管6-732a上，设置可对分支浆料配管6-732a进行开闭的开闭阀6-736。
液供给配管6-740与抛光臂6-600的内部、抛光头6-500的中央内部及抛光垫6-502的中央内部连通。具体来说，如图58所示，在抛光臂6-600、抛光头6-500及抛光垫6-502的内部，形成有内部供给管线6-506，该内部供给管线6-506与液供给配管6-740连通。内部供给管线6-506向抛光台6-400的上表面(晶片W的处理面)开口。采用这种结构，在抛光处理中，可借助内部供给管线6-506而从抛光垫6-502的中央部供给处理液。从抛光垫6-502的中央部供给的处理液，因抛光头6-500的旋转所产生的离心力和处理液的供给压力，而可无遗漏地扩散到抛光垫6-502与晶片W之间。为了对处理液的流动进行控制，即，为了将从抛光垫6-502的中央部供给的处理液容易引导到径向外侧，也可在抛光垫6-502上形成有槽。该槽例如也可形成为放射状。
在本实施例中，内部供给管线6-506的开口部在抛光垫6-502的中央仅设有一个，但也可设有多个开口部。例如，内部供给管线6-506，也可利用形成在抛光头6-500内的储水套构造而向分散配置的多个开口分支。多个开口部也可分散配置成它们的径向的位置不相同。控制装置6-5通过对开闭阀6-718、开闭阀6-728及开闭阀6-736的开闭进行控制，从而可在任意时间将纯水、药液和浆料中的任一种或它们的任意组合的混合液供给到晶片W的处理面。从以上说明可知，抛光处理组件6-300A具有外部喷管6-710、6-720、6-730和内部供给管线6-506这二个系统的处理液供给构件。
抛光处理组件6-300A借助外部喷管6-710、6-720、6-730和内部供给管线6-506中的至少一方而将处理液供给到晶片W，并使抛光台6-400绕旋转轴A旋转，将抛光垫6-502按压到晶片W的处理面，使抛光头6-500绕旋转轴B旋转且向箭头C方向摆动，由此可对晶片W进行抛光处理。另外，抛光处理时的抛光台6-400与抛光头6-500的相对运动部不限于上述的例子，也可利用旋转运动、平行运动、圆弧运动、往复运动、涡旋运动和角度旋转运动(以小于360度的规定角度进行旋转的运动)中的至少一种来实现。
在本申请中，对于抛光处理，包含抛光研磨处理及抛光清洗处理的至少一方。所谓的抛光研磨处理是如下处理：使抛光垫6-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫6-502相对运动，将浆料等夹在晶片W与抛光垫6-502之间，由此对晶片W的处理面进行研磨去除。抛光研磨处理是，通常在以将晶片的表面的凹凸平坦化、或将形成于凹槽和通道内部以外的表面的多余膜去除为目的进行主研磨之后，进行所谓的精研磨。抛光研磨的去除加工量是例如数nm～数10nm左右。作为抛光垫6-502，例如可使用将发泡聚氨酯和无纺布层叠后的垫(具体来说，例如在市场可购买到的IC1000(注册商标)/SUBA(注册商标)系)、或绒面革状的多孔性聚氨酯非纤维质垫(具体来说，例如在市场可购买到的POLITEX(注册商标)等。抛光研磨处理是如下处理：可对晶片W施加比辊形清洗室6-190中由PVA构成的辊形海绵施加于晶片W的物理性作用力、及笔形清洗室6-192中由PVA构成的笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。利用抛光研磨处理，可实现：去除表层部所具有的擦伤等损伤或表层部所附着的异物；补充去除不能用研磨单元6-3中的主研磨进行去除的部位；或者主研磨后的、在微小区域和基板整体上的称为膜厚分布的表面波度的改善。
所谓的抛光清洗处理是如下精处理：使抛光垫6-502与晶片W接触，并使晶片W和抛光垫6-502相对运动，通过将清洗处理液(药液、纯水或它们的混合物)夹在晶片W与抛光垫6-502之间而将晶片W表面的异物去除，或将处理面改性。作为抛光垫6-502，可使用上述的IC1000(注册商标)/SUBA(注册商标)系或POLITEX(注册商标)等。抛光清洗处理是如下处理：可对晶片W施加比辊形清洗室6-190中由PVA构成的辊形海绵施加于晶片W的物理性作用力、及笔形清洗室6-192中由PVA构成的笔形海绵施加于晶片W的物理性作用力更强的物理性作用力。采用抛光清洗处理，可有效地去除仅使由PVA构成的海绵材料接触而不能去除的粘着性大的异物等。另外，为了进行本发明的抛光清洗处理，也可将PVA海绵用作为抛光垫。
修正部6-800对抛光垫6-502的表面进行修正。对于修正，包含刮去抛光垫的表面、一边刮去表面一边进行清洗、以及不刮去表面而进行清洗。在本实施例中，修正部6-800配置在抛光台6-400的外部。修正部6-800具有：底板6-810；以及设置在底板6-810上的修整件6-820。底板6-810构成为，可利用未图示的驱动机构而绕旋转轴D旋转。在本实施例中，修整件6-820的面积比抛光垫6-502的面积大，但修整件6-820与抛光垫6-502的大小关系可任意设定。对于修整件6-820，详细后述。
抛光处理组件6-300A在对抛光垫6-502进行修正时，使抛光臂6-600回旋直至抛光垫6-502处于与修整件6-820相对的位置。抛光处理组件6-300A使底板6-810绕旋转轴D旋转并使抛光头6-500旋转，将抛光垫6-502按压到修整件6-820，由此对抛光垫6-502进行修正。此时，抛光头6-500与抛光处理时相同地沿水平方向进行任意移动。由此，抛光垫6-502的处理面无遗漏地被修正。这种修正动作例如可在将抛光处理后的晶片W置换成可进行下一抛光处理的晶片W的期间进行。
采用以上说明的抛光处理组件6-300A，作为被化学机械研磨处理后的晶片W的精处理而进行抛光处理，由此可抑制晶片W的损伤(缺陷)并进行精研磨，或者可去除化学机械研磨处理中所产生的损伤，或者，与以往的辊形清洗和笔形清洗相比，可有效地清洗去除粘着性大的异物等。
图59A是表示修正部6-800结构的概略俯视图。图59B是沿图59A的A-A线的概略局部剖视示意图。如图59A、图59B所示，在底板6-810上设有修整件6-820。如图59A所示，在本实施例中，修整件6-820具有相互隔开间隔的多个(这里为四个)修整件块6-821～6-824。在本实施例中，修整件块6-821～6-824具有四分之一圆的形状。但是，修整件块的形状可具有任意形状。另外，在本实施例中，修整件块6-821～6-824由金刚石形成。这些修整件块6-821～6-824配置成，在它们之间形成正交的二条直线上的槽6-825。
在槽6-825内(即，在底板6-810上)，设有隔开间隔的多个喷射喷管6-830。但是，喷射喷管6-830的数量也可是单数。这些喷射喷管6-830配置成，喷射喷管6-830的顶部成为退让到修整件6-820的上表面的下方的位置。即，当使抛光垫6-502与修整件6-820的上表面接触时，喷射喷管6-830不与抛光垫6-502接触。
在底板6-810的内部形成有冷却水套6-811。该冷却水套6-811分别与纯水供给源6-714(参照图57)和喷射喷管6-830连接。即，冷却水套6-811发挥用于将纯水分别供给到喷射喷管6-830的共同的供给道的功能。采用这种结构，由于可将纯水的供给道的结构简单化，因此，可将修正部6-800小型化。或者，可容易制造修正部6-800和容易进行维护保养。
当用这种修正部6-800对抛光垫6-502进行修正时，安装于抛光头6-500的抛光垫6-502就利用抛光臂6-600的回旋而配置在修整件6-820期喷射喷管6-830的上方。抛光垫6-502再通过抛光头6-500移动到下方而下降，直至与修整件6-820的上表面接触。由此，可以规定的压力降抛光垫6-502按压到修整件6-820。并且，抛光垫6-502利用抛光头6-500的旋转而旋转，且修整件6-820期喷射喷管6-830利用底板6-810的旋转而旋转，再从喷射喷管6-830喷射纯水，对抛光垫6-502进行修正。此时，在设有修整件6-820的第1区域A1(参照图59B)，通过修整件6-820和抛光垫6-502以接触的状态进行相对移动，对抛光垫6-502进行修整。另外，与此同时，在设有喷射喷管6-830(换言之，未设有修整件6-820)的第2区域A2(参照图59B)，通过从喷射喷管6-830向抛光垫6-502喷射纯水，对抛光垫6-502进行清洗。另外，在本实施例中，第1区域A1的总面积比第2区域A2的总面积大，但第1区域A1和第2区域A2的大小关系，可任意设定。
采用这种修正部6-800，可利用修整件6-820和喷射喷管6-830进行二种修正(修整和清洗)。由此，可有效地对抛光垫6-502进行修正。例如，在抛光垫6-502上形成有槽的情况下，对抛光垫6-502的未形成有槽的区域进行修整，且可利用纯水喷射而去除进入到该槽的粒子(例如，研磨中所使用的浆料、基板的磨屑等)。而且，与设置具有单一种类的修正功能的多个修正部(例如，修整用的修正部和清洗用的修正部)的情况相比，可节省用于设置修正部6-800的设置空间。此外，在对抛光垫6-502进行多种修正的情况下，由于在多个修正部之间不必使抛光垫6-502移动，因此，能与其移动时间相应地缩短抛光垫6-502的修正所需的时间。
图59C是作为代替方式的修正部6-800a的概略局部剖视示意图。在图59C中，对于与图59B的结构要素相同的结构要素，标上与图59B相同的符号。在本例中，修正部6-800a取代喷射喷管6-830而具有刷子6-830a，该刷子6-830a设在底板6-810a上。在底板6-810a上，未设有冷却水套6-811。刷子6-830a的顶端位于修整件6-820的上表面的上方。当对抛光垫6-502进行修正时，抛光垫6-502就下降直至与修整件6-820的上表面接触。因此，在修正过程中，修整件6-820和抛光垫6-502在第1区域A1接触，同时刷子6-830a和抛光垫6-502在第2区域A2接触。由此，可同时进行二种的修正。通过调节刷子6-830a的长度和硬度，从而可调节刷子6-830a的修正特性。
图60是作为代替方式的修正部6-800b的概略俯视图。在图60中，对于与图59A的结构要素相同的结构要素，标上与图59A相同的符号。修正部6-800b具有一个修整件6-820b。即，修整件6-820b未被分割成多个块。在该修整件6-820b上形成有沿表背方向(即，厚度方向)贯通修整件6-820b的多个贯通孔6-825b。这些贯通孔6-825b沿相互正交的二个方向配置成直线状。在贯通孔6-825b的各自内部，在底板6-810上设置喷射喷管6-830(参照图59B)。在底板6-810的内部，如图59B所示，形成有与各个贯通孔6-825b连接的冷却水套6-811(在图60中，图示省略)。如此，喷射喷管6-830也可设成孔。孔也可是未贯通的孔。在该情况下，喷射喷管6-830设在修整件6-820b上。喷射喷管6-830不限于孔，也可设在形成于修整件6-820b的槽或缺口的内部。如此，喷射喷管及修整件只要配置成混和在底板6-810的设置范围内的状态即可。
另外，在修整件6-820b的上表面形成有多个槽6-826b。各个槽826b从修整件6-820b的中心部沿半径方向延伸到外缘，且形成为放射状。这种修正部6-800b在修正过程中从喷射喷管6-830供给的纯水借助槽6-826b而容易被排出修整件6-820b的外部。其结果是，由纯水喷射去除的附着物容易与纯水一起被排出到外部。
图61是作为代替方式的修正部6-800c的概略俯视图。在图61中，对于与图59A的结构要素相同的结构要素，标上与图59A相同的符号。修正部6-800c中，喷射喷管6-830c的配置不同于图59A所示的修正部6-800。在本例中，各个喷射喷管6-830c配置成半径方向的位置互相不同。采用这种结构，当修整件6-820及喷射喷管6-830随着底板6-810的旋转而旋转时，多个喷射喷管6-830c就分别配置在不同的旋转轨迹上。因此，可利用少量的喷射喷管6-830c来对抛光垫6-502的整个面进行修正。换言之，可减少喷射喷管6-830c的数量。其结果是，可增大修整件6-820的修整面积，且可降低维护保养成本。
图62是表示抛光处理(这里表示为抛光清洗处理)、和抛光垫的修正的顺序的一例子的说明图。在图62中，标记于各工序的方框的圆标记表示抛光臂6-600的位置、即表示抛光垫6-502位于抛光台6-400及修正部6-800中的哪一侧。在图示的顺序中，首先，抛光臂6-600(抛光垫6-502)配置在抛光台6-400侧，在该抛光台6-400中，使用抛光垫6-502而对晶片W进行抛光清洗处理(步骤S6-10)。具体来说，在从内部供给管线6-506及药液外部喷管6-720中的至少一方供给药液的状态下，与抛光台6-400一起旋转的晶片W和利用抛光头6-500而旋转的抛光垫6-502接触，对晶片W进行抛光处理。当抛光清洗处理结束时，在抛光台6-400中，纯水从内部供给管线6-506及纯水外部喷管6-710中的至少一方被供给到晶片W上，晶片W被冲洗(步骤S6-20)。在该步骤S6-20的期间，抛光臂6-600(抛光垫6-502)从抛光台6-400移动至修正部6-800，抛光垫6-502被冲洗(步骤S6-70)。具体来说，在抛光垫6-502和修整件6-820离开的状态下，通过从喷射喷管6-830向抛光垫6-502喷射纯水，从而抛光垫6-502被冲洗。此时，通过抛光垫6-502及修整件6-820相对旋转，从而抛光垫6-502的整个面被冲洗。在使用未设置喷射喷管的修正部(例如，图59C所示的修正部6-800a)的情况下，也可从设在修整件6-820外部的的外部喷管向斜上方而向抛光垫6-502喷射纯水。在该情况下，从外部喷管至至少覆盖抛光垫6-502半径的区域喷射纯水，且使抛光垫6-502旋转，由此可对抛光垫6-502的整个面进行冲洗。如此，若一边使抛光垫6-502旋转一边进行冲洗，则可促进用于冲洗而被污染的纯水利用离心力而排出到外侧。但是，在使用可将抛光垫6-502的整个面作为喷射范围进行覆盖的外部喷管的情况下，也可在抛光垫6-502停止的状态即非旋转状态下进行冲洗。
当在抛光台6-400中结束晶片W的冲洗时，该晶片W从抛光台6-400被搬出(步骤S6-30)。并且，纯水从纯水外部喷管6-710供给到搬出晶片W后的抛光台6-400，抛光台6-400被冲洗(步骤S6-40)。在该步骤S6-30、S6-40的期间，抛光臂6-600依然配置在修正部6-800侧。在该步骤S6-30、S6-40的期间用该修正部6-800对抛光垫6-502进行修正。在本实施例中，作为修正，而同时进行修整和清洗(步骤S6-80)。对于用于进行这种修正的修正部6-800的结构，后述。
另一方面，在抛光台6-400，当结束抛光台6-400的冲洗时，新的要被抛光清洗处理的晶片W被搬入抛光台6-400(步骤S6-50)。当晶片W配置在抛光台6-400上时，抛光臂6-600移动到抛光台6-400侧。并且，对于新搬入的晶片W，与上述步骤S6-10相同地进行抛光清洗处理(步骤S6-60)。在该步骤S6-60的期间，用修正部6-800冲洗修整件6-820(步骤S6-90)。具体来说，通过从设在修整件6-820外部的外部喷管向斜下方将纯水喷射到修整件6-820，从而修整件6-820被冲洗。与上述步骤S6-70相同，冲洗时，修整件6-820既可旋转，也可停止。另外，步骤S6-90可在步骤S6-80之后开始，但也可在步骤S6-80结束、抛光臂6-600移动到抛光台6-400侧之后实施。
B.变形例：
B-1.变形例1：
喷射喷管6-830也可是贯通修整件6-820表背的贯通孔。即，该贯通孔也可起到喷射喷管的功能。采用这种结构，可将修正部6-800的结构简单化。即使是该情况下，在底板6-810上，也可形成有分别与该贯通孔连通的冷却水套。
B-2.变形例2：
在上述的实施例中，例示了同时进行二种修正的结构，但这二种修正也可依次进行。例如，也可最初由修整件6-820进行修正，然后由喷射喷管6-830进行修正。具体来说，首先，也可不从喷射喷管6-830喷射纯水，而使修整件6-820与抛光垫6-502接触，进行第1修正。然后，在使抛光垫6-500上升的状态(即，相比于进行第1修正时，将底板6-810与抛光垫6-502的距离拉开的状态、换言之修整件6-820与抛光垫6-502为非接触的状态)下从喷射喷管6-830喷射纯水，进行第2修正。采用这种顺序，由于在抛光垫6-502与修整件6-820之间形成空隙的状态下，从喷射喷管6-830喷射纯水，因此，在第2修正中，容易将第1修正所产生的屑排出到外部。另外，也可在进行第2修正后进行第1修正。
如此，在抛光垫6-502与修整件6-820离开的状态下进行从喷射喷管6-830喷射纯水的控制的情况下，各个喷射喷管6-830也可构成为，在修正过程中，各个喷射喷管6-830的喷射范围相互不重复。避免这种喷射范围的重复的控制是，通过将各个喷射喷管6-830分别配置成它们的半径方向的位置互相不相同就容易进行。采用这种结构，可防止从多个喷射喷管6-830喷射的纯水互相之间碰撞、纯水施加于抛光垫6-502的压力产生下降的现象。因此，可防止因该碰撞所带来的修正性能的下降。
B-3.变形例3：
修整件6-820不限于金刚石，也可是通过与抛光垫6-502接触、在与抛光垫6-502之间进行相对移动而对抛光垫6-502进行修正的任意的部件。例如，修整件6-820也可由陶瓷材料形成，或者，修整件6-820也可是刷子。如此，修正部6-800也可通过使接触式的修正构件、和流体喷射式的修正构件进行任意组合来实现。
此外，修正部6-800也可通过第1接触式修正构件、和第2接触式修正构件的任意组合来实现。例如，第1接触式修正构件，也可是刷子、金刚石及陶瓷中的一种，第2接触式修正构件也可是其修正特性不同于第1接触式修正构件的刷子、金刚石及陶瓷中的一种。更具体来说，第1接触式修正构件及第2接触式修正构件都可是刷子。在该情况下，对于第1接触式修正构件及第2接触式修正构件，也可采用长度和硬度相互不同的刷子。在修正部6-800未具有喷射喷管6-830的情况下，也可从内部供给管线6-506供给修正液。当然，修正部6-800也可具有三种以上的修正构件。例如，也可在图59A所示的槽6-825内配置有喷射喷管6-830和刷子。
B-4.变形例4：
如图61所示，多个喷射喷管6-830c在配置成它们的半径方向的位置互相不同的情况下，多个喷射喷管6-830c也可构成为来自它们的流体的喷射量互相不同。采用这种结构，可进行自由度更高的修正。例如，在半径方向相对配置在外侧的喷射喷管6-830c，相比于相对配置在内侧的喷射喷管6-830c，由于必须向半径大的区域喷射纯水，因此，可修正的面积大。与此对应，通过将配置在外侧的喷射喷管6-830c的喷射量作成大于配置在内侧的喷射喷管6-830c，从而可实现单位面积的纯水向抛光垫6-502的碰撞流量分布的平衡。或者，除了喷射喷管6-830c，在半径方向的内侧设有修正性能比纯水喷射低的刷子(例如，图59C所示的刷子6-830a)的情况下，为了加强刷子进行的修正，也可将配置在内侧的喷射喷管6-830c的喷射量作成大于配置在外侧的喷射喷管6-830c的喷射量。如此，可适当设定是否将半径方向的任一侧的喷射喷管6-830c的喷射量作成相对大。喷射流量的控制例如可通过调节喷射喷管6-830c的喷射孔的直径来实施。
B-5.变形例5：
抛光头6-500也可采用修正部6-800沿水平方向移动至抛光头6-500的下方的结构，来代替从抛光台6-400沿水平方向(与重力方向正交的方向)移动至修正部6-800的下方的结构。在该情况下，为了修正所产生的去除物等不飞散到晶片W上，较好的是在从抛光台6-400搬出晶片W之后进行修正。或者，抛光头6-500及修正部6-800这两方也可采用移动至规定的修正位置的结构。在该情况下，修正位置较好的是位于抛光台6-400的外部。
B-6.变形例6：
抛光台6-400也可构成为，向任意方向对晶片W进行保持。例如，抛光台6-400也可构成为，将晶片W保持成与上述实施例相反的方向。即，抛光台6-400也可构成为，代替将晶片W保持成从晶片W的处理面向与抛光台6-400相反的方向延伸的该处理面的法线朝向重力方向上方的结构，而将晶片W保持成该法线朝向铅垂方向下方。或者，抛光台6-400也可构成为，将晶片W保持成，从晶片W的处理面向与抛光台6-400相反的方向延伸的该处理面的法线朝向水平方向(与重力方向正交的方向)。在这些情况下，修正部6-800也可配置成，其处理面朝向与抛光垫6-502的处理面相对的方向。
B-7.变形例7：
抛光处理组件6-300A、6-300B不限于包含在清洗单元6-4内的结构，也可包含在研磨单元6-3中。
以上，与图54～图62一起根据几个实施例而说明了本发明的实施方式，上述的发明的实施方式，是为了容易理解本发明的方式，并不限定本发明。本发明可不脱离其宗旨地进行变更、改进，且当然本发明包含其等价物。另外，在能解决上述问题的至少一部分的范围、或获得至少一部分效果的范围内，可任意组合或省略权利要求书及说明书中的各结构要素。

Claims (22)

1.一种修正部，具有用于对基板处理装置的抛光垫进行修整的修整件，该修正部的特征在于，
还具有将清洗液向所述修整件喷射而进行清洗的修整件清洗机构，所述修整件的表面处于比与所述修整件相邻配置的抛光台低的位置。
2.根据权利要求1所述的修正部，其特征在于，
所述修整件清洗机构向离开所述抛光台的方向喷射所述清洗液。
3.根据权利要求1或2所述的修正部，其特征在于，
在所述修整件与所述抛光台之间具有用于防止所述清洗液飞散的罩盖。
4.根据权利要求3所述的修正部，其特征在于，
所述罩盖具有接触避免机构，该接触避免机构避免与摆动的抛光垫接触。
5.根据权利要求4所述的修正部，其特征在于，
所述接触避免机构包含罩盖移动机构，该罩盖移动机构使所述罩盖沿所述修整件或所述抛光台的旋转轴的轴线方向移动。
6.根据权利要求4或5所述的修正部，其特征在于，
所述罩盖包含将所述修整件的周围的至少一部分或所述抛光台的周围的至少一部分包围的大致圆筒状的罩盖，
所述接触避免机构包含：形成于所述大致圆筒状的罩盖的至少一部分的抛光垫通过用的缺口；以及使所述罩盖以与所述修整件或所述抛光台的旋转轴同心的方式旋转的旋转驱动机构。
7.根据根据权利要求6所述的修正部，其特征在于，
所述接触避免机构包含用于开闭所述缺口的可动盖部件。
8.根据权利要求7所述的修正部，其特征在于，
所述可动盖部件能够相对于所述罩盖沿圆周方向或中心轴线方向移动。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的修正部，其特征在于，
包含在与所述抛光台之间的空间形成气幕的气幕形成机构。
10.根据权利要求9所述的修正部，其特征在于，
在所述清洗液停止喷射期间，也停止形成所述气幕。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的修正部，其特征在于，
包含在所述修整件的周围形成局部排气状态的局部排气形成机构。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的修正部，其特征在于，
所述清洗液包含DIW。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的修正部，其特征在于，
还具有用于对抛光垫进行清洗的抛光垫清洗机构，所述抛光垫清洗机构使用超声波清洗液。
14.一种抛光处理组件，包括：权利要求1-13中任一项所述的修正部；对晶片进行保持的抛光台；以及对抛光垫进行保持并对所述晶片进行抛光处理的抛光头，该抛光处理组件的特征在于：
在所述修整件与所述抛光台之间固定地设有用于防止所述清洗液飞散的罩盖的情况下，所述抛光头能够沿所述修整件的旋转轴线的方向或所述晶片的旋转轴线的方向移动，所述抛光头在移动至比所述罩盖高的位置的状态下，能够在所述修正部与所述抛光台之间进行移动。
15.根据权利要求14所述的抛光处理组件，其特征在于，
在所述抛光台的周围的至少一部分具有抛光台罩盖。
16.根据权利要求14或15所述的抛光处理组件，其特征在于，
包含从所述抛光台的上方产生下降气流的下降气流产生机构。
17.一种基板处理装置，其特征在于，
具有权利要求1-13中任一项所述的修正部。
18.一种基板处理装置，其特征在于，
具有权利要求14-16中任一项所述的抛光处理组件。
19.一种修整冲洗方法，在修正部中对修整件进行清洗，该修正部具有用于对基板处理装置的抛光垫进行修整的修整件，该修整冲洗方法的特征在于：
具有向所述修整件喷射清洗液而进行清洗的修整件清洗机构，使所述修整件的表面位于比与所述修整件相邻配置的抛光台低的位置，从所述修整件清洗机构向所述修整件喷射清洗液。
20.根据权利要求19所述的修整冲洗方法，其特征在于，
所述清洗液向所述修整件的喷射，与在所述抛光台上的对基板的处理并行进行。
21.根据权利要求19或20所述的修整冲洗方法，其特征在于，
在修整件的周围或抛光台的周围的至少一部分设有规定的罩盖，当使所述抛光垫在所述抛光台与所述修整件之间移动时，使接触避免机构动作，避免所述抛光垫与所述罩盖的接触。
22.根据权利要求19-21中任一项所述的修整冲洗方法，其特征在于，
在向所述修整件喷射清洗液的同时，进行如下动作中的至少任一种动作：在所述抛光台与所述修整件之间形成气幕；在所述修整件的周围形成局部排气状态；以及从所述抛光台的上方形成下降气流。
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