JP2023516870A - 水平バフ研磨モジュール - Google Patents

Abstract

化学機械研磨（ＣＭＰ）処理システムのための水平前洗浄（ＨＰＣ）モジュールが、開示される。ＨＰＣモジュールは、処理領域を共同で画定する容器および蓋を有するチャンバを含む。モジュールは、処理領域内に配置された回転可能な真空テーブルを含み、回転可能な真空テーブルは、その支持面内に画定されたチャネルのアレイを含む。モジュールは、回転可能な真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーションを含む。モジュールは、パッドキャリアアセンブリに連結されたパッドキャリア位置決めアームを含む。モジュールは、パッドキャリア位置決めアームに連結され、パッドキャリアアセンブリを、回転可能な真空テーブルの上の第１の位置とパッドコンディショニングステーションの上の第２の位置との間で位置決めするように構成されたアクチュエータを含む。【選択図】図２Ａ

Description

［０００１］本明細書に記載される実施形態は、一般に、電子デバイスの製造に使用される装置に関し、より詳細には、半導体デバイス製造プロセスにおいて基板の表面を洗浄するために使用され得る水平バフ研磨モジュールに関する。

［０００２］化学機械研磨（ＣＭＰ）が、基板上に堆積された材料の層を平坦化または研磨するために、高密度集積回路の製造において一般的に使用される。典型的なＣＭＰプロセスでは、基板は、研磨流体の存在下で基板の裏面を回転研磨パッドに向かって押圧するキャリアヘッド内に保持される。材料は、研磨流体によって提供される化学的および機械的活性と、基板および研磨パッドの相対運動との組み合せによって、研磨パッドと接触する基板の材料層表面の全体にわたって除去される。典型的には、１つ以上のＣＭＰプロセスが完了した後、研磨された基板は、１つ以上のＣＭＰ後の基板処理工程でさらに処理される。例えば、研磨された基板は、洗浄、検査、および測定工程のうちの１つまたは組み合わせを使用して、さらに処理されてもよい。ＣＭＰ後の工程が完了すると、基板をＣＭＰ処理領域から次のデバイス製造プロセス、例えば、リソグラフィ、エッチング、または堆積プロセスに送ることができる。

［０００３］貴重な製造フロアスペースを節約し、人件費を低減するために、ＣＭＰシステムは、一般に、ＣＭＰ後の洗浄、検査、および／またはＣＭＰ前もしくはＣＭＰ後の計測ステーションのうちの１つまたは組み合わせを備える第１の部分、例えば前部、ならびに、単一の研磨システムを形成するために第１の部分と一体化されている第２の部分、例えば後部を含む。第２の部分は、複数の研磨ステーションを備えることができる。

［０００４］第１の部分は、基板のＣＭＰ後の洗浄のための１つまたは複数の垂直バフ研磨モジュールを備えることができる。各垂直バフ研磨モジュールは、基板を保持するための回転チャックアセンブリと、基板表面を洗浄するための回転バフ研磨パッドとを有する。残念ながら、垂直バフ研磨モジュールの向きは、バフ研磨パッドの外径を制限し、その結果、所定の時間に基板の限られた面積しか洗浄することができない。したがって、基板処理スループットは、バフ研磨パッドの限られた洗浄面積に関連するより長いバフ研磨時間に従って、望ましくないほど低下する。

［０００５］さらに、垂直バフ研磨モジュールは、垂直の向きで基板を保持するので、垂直バフ研磨モジュールにローディングされた基板の垂直の向きは、基板の挿入および除去のために大きなオーバーヘッドクリアランスを必要とする。結果として、ＣＭＰシステムの全体の大きさおよび／または設置面積は、バフ研磨モジュールの垂直の向きに関連するより大きなオーバーヘッドクリアランス要件に従って、望ましくないほど増加する。したがって、ＣＭＰシステムのスループット密度（製造フロアスペースの単位面積あたり単位時間あたりに処理される基板）は、システムのバフ研磨モジュール構成によって、望ましくないほど制限される。

［０００６］したがって、上述の問題を解決するための装置および方法が、当技術分野で必要とされている。

［０００７］本明細書に記載される実施形態は、一般に、電子デバイスの製造に使用される装置に関し、より詳細には、半導体デバイス製造プロセスにおいて基板の表面を洗浄するために使用され得る水平バフ研磨モジュールに関する。

［０００８］一実施形態では、基板処理モジュールは、処理領域を共同で画定する容器および蓋を有するチャンバを含む。モジュールは、処理領域内に配置された回転可能な真空テーブルを含み、回転可能な真空テーブルは、その基板受け面内に画定された複数の環状チャネルを含む。モジュールは、回転可能な真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーションを含む。モジュールは、第１の端部と、第１の端部から遠位側にある第２の端部とを有するパッドキャリア位置決めアームを含み、第１の端部は、パッドキャリアアセンブリに連結され、第２の端部は、回転可能な真空テーブルの上の第１の位置とパッドコンディショニングステーションの上の第２の位置との間でパッドキャリアアセンブリをスイングさせるように構成されたアクチュエータに連結されている。

［０００９］別の実施形態では、基板を処理する方法は、基板処理モジュールの真空テーブル上に基板を位置決めすることを含む。真空テーブルは、その基板受け面内に画定された複数の環状チャネルを含む。真空テーブルの基板受け面は、重力方向に対して実質的に直交している。複数の環状チャネルによって提供されるグリップ面積は、その上に位置決めされた基板の表面積の約５％から約３０％の間である。グリップ面積は、真空テーブルの基板受け面内の複数のチャネルによって占められる有効面積を含む。この方法は、真空テーブルをその下で回転させながら、バフ研磨パッドを基板の表面に押し付けることを含む。バフ研磨パッドは、約６７ｍｍ以上の直径を有し、バフ研磨パッドと基板の表面との間にかけられる圧力は、約３ｐｓｉ以上である。

［００１０］さらに別の実施形態では、モジュール式基板処理システムは、基板処理モジュールを含む。モジュールは、容器と蓋とを含むチャンバを含む。蓋は、複数の側面パネルを含み、側面パネルは、容器とともに、処理領域を共同で画定する。モジュールは、処理領域内に配置された回転可能な真空テーブルを含む。モジュールは、複数の側面パネルのうちの第１の側面パネル内に配置された第１の基板ハンドラアクセスドアを含む。基板ハンドラアクセスドアは、第１の基板ハンドラを用いて回転可能な真空テーブル上に基板を位置決めするために使用される。モジュールは、複数の側面パネルのうちの第２の側面パネル内に配置された第２の基板ハンドラアクセスドアを含む。第２の基板ハンドラアクセスドアは、第２の基板ハンドラを用いて回転可能な真空テーブルから基板を除去するために使用される。モジュールは、回転可能な真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーションを含む。モジュールは、第１の端部と、第１の端部から遠位側にある第２の端部とを有するパッドキャリア位置決めアームを含む。第１の端部は、パッドキャリアアセンブリに連結され、第２の端部は、回転可能な真空テーブルの上の第１の位置とパッドコンディショニングステーションの上の第２の位置との間でパッドキャリアアセンブリをスイングさせるように構成されたアクチュエータに連結されている。

［００１１］別の実施形態では、基板処理モジュールは、基板処理モジュールの処理領域内に配置された回転可能な真空テーブルを含み、回転可能な真空テーブルは、チャネルのアレイを含む支持面を含む。モジュールは、回転可能な真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーションを含む。モジュールは、パッドキャリアアセンブリに連結されたパッドキャリア位置決めアームを含む。モジュールは、パッドキャリア位置決めアームに連結され、パッドキャリアアセンブリを、回転可能な真空テーブルの支持面の上に配置された第１の位置の上に、また、パッドコンディショニングステーションの上に配置された第２の位置の上に位置決めするように構成されたアクチュエータを含む。

［００１２］別の実施形態では、基板を処理する方法は、基板処理モジュールの真空テーブル上に基板を位置決めすることを含む。真空テーブルは、その支持面内に画定されたチャネルのアレイを含む。真空テーブルの支持面は、重力方向に対して実質的に直交している。チャネルのアレイによって提供されるグリップ面積は、その上に位置決めされた基板の表面積の約５％から約３０％の間である。グリップ面積は、真空テーブルの支持面内のチャネルのアレイによって占められる有効面積を含む。この方法は、真空テーブルをその下で回転させながら、バフ研磨パッドを基板の表面に押し付けることを含む。バフ研磨パッドは、約６７ｍｍ以上の直径を有し、バフ研磨パッドと基板の表面との間にかけられる圧力は、約３ｐｓｉ以上である。

［００１３］別の実施形態では、モジュール式基板処理システムは、基板処理モジュールを含む。モジュールは、容器と蓋とを含むチャンバを含む。蓋は、複数の側面パネルを含み、側面パネルは、容器とともに、処理領域を共同で画定する。モジュールは、処理領域内に配置された回転可能な真空テーブルを含む。モジュールは、複数の側面パネルのうちの第１の側面パネル内に配置された第１の基板ハンドラアクセスドアを含む。基板ハンドラアクセスドアは、第１の基板ハンドラを用いて回転可能な真空テーブル上に基板を位置決めするために使用される。モジュールは、複数の側面パネルのうちの第２の側面パネル内に配置された第２の基板ハンドラアクセスドアを含む。第２の基板ハンドラアクセスドアは、第２の基板ハンドラを用いて回転可能な真空テーブルから基板を除去するために使用される。モジュールは、回転可能な真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーションを含む。モジュールは、パッドキャリアアセンブリに連結されたパッドキャリア位置決めアームを含む。モジュールは、パッドキャリア位置決めアームに連結され、パッドキャリアアセンブリを、回転可能な真空テーブルの支持面の上に配置された第１の位置の上に、また、パッドコンディショニングステーションの上に配置された第２の位置の上に位置決めするように構成されたアクチュエータを含む。

［００１４］本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって行われ、そのいくつかが、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではなく、本開示は、他の同等に有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。

１つ以上の実施形態による、本明細書に記載の水平前洗浄（ＨＰＣ）モジュールを使用する例示的な化学機械研磨（ＣＭＰ）処理システムの概略平面図である。 １つ以上の実施形態による、図１Ａに示される概略図に対応し得る、例示的なＣＭＰ処理システムの上部等角図である。 １つ以上の実施形態による、図１Ａに示される概略図に対応し得る、図１ＢのＣＭＰ処理システムの上面図である。 本明細書に記載のＣＭＰ処理システム内で使用され得る例示的なＨＰＣモジュールの一側面の上部等角図である。 図２ＡのＨＰＣモジュールの側面の別の上部等角図である。 図２ＡのＨＰＣモジュールの別の側面の上部等角図である。 図２Ｃの切断線３Ａ－３Ａに沿った側断面図である。 図３ＡのＨＰＣモジュール内で使用され得る例示的な回転可能な真空テーブルの底部等角図である。 図３ＡのＨＰＣモジュール内で使用され得る例示的な回転可能な真空テーブルの頂部等角図である。 図３Ｂ～図３Ｃの回転可能な真空テーブルとともに使用され得る例示的なキャリアフィルムの平面図である。 図３Ｄの一部分の拡大平面図である。 図３ＡのＨＰＣモジュールの平面図である。 図３ＡのＨＰＣモジュール内で使用され得る例示的なパッドコンディショニングステーションの側断面図である。 図３ＡのＨＰＣモジュール内で使用され得る例示的なパッドキャリア位置決めアームの側断面図である。

［００２８］理解を容易にするため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が使用されている。一実施形態の要素および特徴は、さらなる説明なしに、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが想定される。

［００２９］本明細書に記載される実施形態は、一般に、電子デバイスの製造に使用される装置に関し、より詳細には、半導体デバイス製造プロセスにおいて基板の表面を洗浄するために使用され得る水平バフ研磨モジュールに関する。

［００３０］図１Ａは、１つ以上の実施形態による、本明細書に記載の水平前洗浄（ＨＰＣ）モジュールを使用する例示的な化学機械研磨（ＣＭＰ）処理システム１００の概略平面図である。図１Ｂは、１つ以上の実施形態による、図１Ａに示される概略図に対応し得る、例示的なＣＭＰ処理システム１００の上部等角図である。図１Ｃは、１つ以上の実施形態による、図１Ａに示される概略図に対応し得る、図１ＢのＣＭＰ処理システム１００の上面図である。図１Ｂおよび図１Ｃでは、ＣＭＰ処理システム１００内のＨＰＣモジュールをより明確に示すために、ハウジングの特定の部分ならびに特定の他の内部構成要素および外部構成要素が省略されている。ここで、処理システム１００は、第１の部分１０５と、第１の部分１０５に連結され、それと一体化された第２の部分１０６とを含む。第１の部分１０５は、複数の研磨ステーション（図示せず）を特徴とする基板研磨部である。

［００３１］第２の部分１０６は、１つ以上のＣＭＰ後の洗浄システム１１０と、複数のシステムローディングステーション１３０と、１つ以上の基板ハンドラ、例えば、第１のロボット１２４および第２のロボット１５０と、１つ以上の計測ステーション１４０と、１つ以上の特定位置研磨（ＬＳＰ）モジュール１４２と、１つ以上のＨＰＣモジュール２００と、１つ以上の乾燥ユニット１７０とを含む。ＨＰＣモジュール２００は、実質的に水平の向き（すなわち、ｘ－ｙ平面内）に配置された基板１２０を処理するように構成される。いくつかの実施形態では、第２の部分１０６は、実質的に垂直の向き（すなわち、ｚ－ｙ平面内）に配置された基板１２０を処理するように構成された１つ以上の垂直洗浄モジュール１１２を、任意選択で含む。

［００３２］各ＬＳＰモジュール１４２は、通常、研磨される基板１２０の表面積よりも小さい表面積を有する研磨部材（図示せず）を用いて、基板表面の一部のみを研磨するように構成される。ＬＳＰモジュール１４２は、基板１２０が研磨モジュールで研磨された後、基板の比較的小さな部分の仕上げをするするために、例えば、付加的な材料を取り除くために、多くの場合、使用される。

［００３３］計測ステーション１４０は、研磨前および／もしくは研磨後に、基板１２０上に配置された材料層の厚さを測定するため、研磨後に基板１２０を検査して、そのフィールド表面から材料層が除去されたかどうかを判定するため、ならびに／または研磨前および／もしくは研磨後に欠陥について基板表面を検査するために使用される。それらの実施形態では、基板１２０は、計測ステーション１４０を使用して得られた測定値または表面検査結果に基づいて、さらなる研磨のために研磨パッドに戻され、および／または第１の部分１０５内の研磨モジュールなどの異なる基板処理モジュールもしくはステーション、もしくはＬＳＰモジュール１４２に送られてもよい。図１Ａに示されるように、計測ステーション１４０およびＬＳＰモジュール１４２は、１つの洗浄システム１１０の一部分の上方（Ｚ方向）にある第２の部分１０６の領域に位置する。

［００３４］第１のロボット１２４は、基板１２０を複数のシステムローディングステーション１３０へ、および複数のシステムローディングステーション１３０から移送するように、例えば、複数のシステムローディングステーション１３０と第２のロボット１５０との間、および／または洗浄システム１１０と複数のシステムローディングステーション１３０との間で移送するように配置される。いくつかの実施形態では、第１のロボット１２４は、任意のシステムローディングステーション１３０と、それに近接して配置された処理システムとの間で基板１２０を移送するように配置される。例えば、いくつかの実施形態では、第１のロボット１２４は、システムローディングステーション１３０のうちの１つと計測ステーション１４０との間で基板１２０を移送するために使用されてもよい。

［００３５］第２のロボット１５０は、第１の部分１０５と第２の部分１０６との間で基板１２０を移送するために使用される。例えば、ここで、第２のロボット１５０は、第１のロボット１２４から受け取った研磨されるべき基板１２０を、その中で研磨するために第１の部分１０５に移送するように配置される。次に、第２のロボット１５０を使用して、研磨された基板１２０を、第１の部分１０５から、例えば、第１の部分１０５内の移送ステーション（図示せず）から、ＨＰＣモジュール２００のうちの１つへ、および／または第２の部分１０６内に位置する異なるステーションおよびモジュール間で、移送する。あるいは、第２のロボット１５０は、第１の部分１０５内の移送ステーションからＬＳＰモジュール１４２または計測ステーション１４０のうちの１つに基板１２０を移送する。また、第２のロボット１５０は、基板１２０を、ＬＳＰモジュール１４２または計測ステーション１４０のいずれかから、その中でさらに研磨するために第１の部分１０５に移送することができる。

［００３６］図１ＡのＣＭＰ処理システム１００は、第２のロボット１５０の両側に配置された２つの洗浄システム１１０を特徴とする。図１Ａでは、洗浄システム１１０のうちの１つの洗浄システム１１０の少なくともいくつかのモジュール、例えば、１つ以上の垂直洗浄モジュール１１２は、計測ステーション１４０およびＬＳＰモジュール１４２の下方（Ｚ方向）に位置し、したがって、図示されていない。計測ステーション１４０およびＬＳＰモジュール１４２は、図１Ｃに示されていない。いくつかの他の実施形態では、処理システム１００は、１つのみの洗浄システム１１０を特徴とする。ここで、洗浄システム１１０の各々は、ＨＰＣモジュール２００と、１つ以上のウェット洗浄モジュール１１２、例えば、ブラシまたはスプレーボックスと、乾燥ユニット１７０と、それらの間で基板１２０を移送するための基板ハンドラ１８０とを含む。ここで、各ＨＰＣモジュール２００は、第２の部分１０６内の、第１の部分１０５に近接した位置に配置される。

［００３７］典型的には、ＨＰＣモジュール２００は、ＨＰＣモジュール２００の側面パネルに形成された第１の開口部（図示せず）を通して、例えば側面パネルに配置されたドアまたはスリットバルブを通して、研磨された基板１２０を第２のロボット１５０から受け取る。基板１２０は、その中に水平に配置された基板支持面上に位置決めするために、ＨＰＣモジュール２００によって水平の向きで受け取られる。次に、ＨＰＣモジュール２００は、基板１２０が基板ハンドラ１８０を使用してそこから移送される前に、基板１２０に対してバフ研磨プロセスなどの前洗浄プロセスを実行する。

［００３８］基板１２０は、ＨＰＣモジュール２００から、第２の開口部、ここでは第２の基板ハンドラアクセスドア２２４（図１Ｂ）を通って移送され、第２の基板ハンドラアクセスドア２２４は、典型的には、ドア、例えば、スリットバルブで閉鎖可能な、ＨＰＣモジュール２００の第２の側面パネルを通って配置された水平スロットである。したがって、基板１２０は、前洗浄モジュール２００から移送されるときに、依然として水平の向きにある。基板１２０が前洗浄モジュール２００から移送された後、基板ハンドラ１８０は、洗浄システム１１０の垂直洗浄モジュール１１２内でのさらなる処理のために、基板１２０を垂直位置に位置決めする。例えば、基板ハンドラ１８０は、基板１２０を垂直位置までスイングさせることができる。

［００３９］この例では、ＨＰＣモジュール２００は、処理システム１００の第１の部分１０５に面している第１の端部２０２と、第１の端部２０２の反対側に向いている第２の端部２０４と、第２のロボット１５０に面している第１の側部２０６と、第１の側部２０６の反対側に向いている第２の側部とを有する。第１の側部２０６および第２の側部２０８は、第１の端部２０２と第２の端部２０４との間で直角に延在している。

［００４０］複数の垂直洗浄モジュール１１２が、第２の部分１０６内に位置する。１つ以上の垂直洗浄モジュール１１２は、基板の表面から研磨副生成物を除去するための接触および非接触洗浄システム（例えば、スプレーボックスおよび／またはブラシボックス）の任意の１つまたは組み合わせである。

［００４１］乾燥ユニット１７０は、基板が洗浄モジュール１１２によって処理された後、基板１２０が第１のロボット１２４によってシステムローディングステーション１３０に移送される前に、基板１２０を乾燥させるために使用される。ここで、乾燥ユニット１７０は、水平乾燥ユニットであり、乾燥ユニット１７０は、基板１２０が水平の向きに配置されている間に、開口部（図示せず）を通して基板１２０を受け取るように、構成されている。

［００４２］ここで、基板１２０は、基板ハンドラ１８０を使用して、ＨＰＣモジュール２００と垂直洗浄モジュール１１２との間、個々の洗浄モジュール１１２の間、および洗浄モジュール１１２と乾燥ユニット１７０との間で移動される。

［００４３］本明細書の実施形態では、基板ハンドラ１８０を含むＣＭＰ処理システム１００の動作は、システムコントローラ１６０によって指示される。システムコントローラ１６０は、メモリ１６２（例えば、不揮発性メモリ）およびサポート回路１６３と共に動作可能なプログラマブル中央処理装置（ＣＰＵ）１６１を含む。サポート回路１６３は、従来通りに、ＣＰＵ１６１に連結されており、ＣＭＰ処理システム１００の様々な構成要素に連結されて、その制御を容易にするキャッシュ、クロック回路、入力／出力サブシステム、電源など、およびそれらの組み合せを含む。ＣＰＵ１６１は、処理システムの様々な構成要素およびサブプロセッサを制御するための、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）などの、産業環境で使用される任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つである。ＣＰＵ１６１に連結されたメモリ１６２は、非一時的であり、典型的には、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくはリモートのデジタル記憶装置などの、容易に利用可能なメモリのうちの１つ以上である。

［００４４］典型的には、メモリ１６２は、ＣＰＵ１６１によって実行されると、ＣＭＰ処理システム１００の動作を容易にする命令を含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体（例えば、不揮発性メモリ）の形態である。メモリ１６２内の命令は、本開示の方法を実施するプログラムなどのプログラム製品の形態である。プログラムコードは、多数の異なるプログラミング言語のいずれか一つに従う。一例では、本開示は、コンピュータシステムと共に使用するためにコンピュータ可読記憶媒体上に記憶されたプログラム製品として実施することができる。プログラム製品のプログラムは、（本明細書に記載の方法を含む）実施形態の機能を規定する。

［００４５］例示的な非一時的なコンピュータ可読記憶媒体は、（ｉ）情報が永続的に記憶され得る書き込み不可の記憶媒体（例えば、ＣＤ－ＲＯＭドライブによって読み取り可能なＣＤ－ＲＯＭディスク、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、または任意のタイプのソリッドステート不揮発性半導体メモリデバイス、例えば、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）などの、コンピュータ内の読み取り専用メモリデバイス）、および（ｉｉ）変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ内のフロッピーディスク、またはハードディスクドライブ、または任意のタイプのソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ）を含むが、これらに限定されない。そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書で説明される方法の機能を指示するコンピュータ可読命令を格納しているとき、本開示の実施形態である。いくつかの実施形態では、本明細書に記載の方法、またはその一部分は、１つ以上の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、または他のタイプのハードウェア実施態様によって実行される。いくつかの他の実施形態では、本明細書に記載の基板処理および／またはハンドリング方法は、ソフトウェアルーチン、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、および／または他のタイプのハードウェア実施態様の組み合わせによって実行される。１つ以上のシステムコントローラ１６０は、本明細書に記載される様々なモジュール式研磨システムの１つもしくは任意の組合せとともに、および／またはその個々の研磨モジュールとともに使用され得る。

［００４６］図２Ａは、本明細書に記載のＣＭＰ処理システム１００で使用することができる例示的なＨＰＣモジュール２００の第２の側部２０８の上部等角図である。図２Ａでは、ＨＰＣモジュール２００の内部構成要素をより明確に示すために、保守用アクセスパネルが省略されている。図２Ｂは、図２ＡのＨＰＣモジュール２００の第２の側部２０８の別の上部等角図である。図２Ｂでは、ＨＰＣモジュール２００の内部構成要素をより明確に示すために、蓋２１６の上部パネルが、さらに省略されている。図２Ｃは、図２ＡのＨＰＣモジュール２００の第１の側部２０６の上部等角図である。図２Ｃでは、ＨＰＣモジュール２００の内部構成要素をより明確に示すために、蓋２１６は省略されている。

［００４７］一般に、ＨＰＣモジュール２００は、処理領域２１２を共同で画定する複数の側面パネルから形成されたチャンバ２１０（ここでは、容器２１４および蓋２１６）を含む。

［００４８］第２のロボット１５０に面しているＨＰＣモジュール２００の第１の側部２０６に、第１の側面パネル２１８が、形成されている。第１の側面パネル２１８は、第２のロボット１５０を用いて回転可能な真空テーブル２３０上に基板１２０を位置決めするために使用される第１の基板ハンドラアクセスドア２２０を含む。第１の部分１０５とは反対の方を向いているＨＰＣモジュール２００の第２の端部２０４に、第２の側面パネル２２２が、形成されている。第２の側面パネル２２２は、基板ハンドラ１８０を用いて回転可能な真空テーブル２３０から基板１２０を除去するために使用される第２の基板ハンドラアクセスドア２２４を含む。第３の側面パネル２２６が、ＨＰＣモジュール２００の第２の側部２０８に形成されている。第３の側面パネル２２６は、保守用アクセスパネル開口部２２８を含む。ＨＰＣモジュール２００の向かい合っている側面パネルに形成された第１の基板ハンドラアクセスドア２２０および保守用アクセスパネル開口部２２８の対称性は、有利には、図１Ｃに示されるように、処理システム１００のいずれの側にも設置することができる水平バフ研磨モジュールを提供する。

［００４９］回転可能な真空テーブル２３０は、ＨＰＣモジュール２００の処理領域２１２内に配置され、基板１２０を真空チャッキングするために使用され得る。また、回転可能な真空テーブル２３０の半径方向外側に配置された環状基板リフト機構２７０と、回転可能な真空テーブル２３０に近接して配置されたパッドコンディショニングステーション２８０と、回転可能な真空テーブル２３０上の第１の位置とパッドコンディショニングステーション２８０上の第２の位置との間で移動可能なパッドキャリア位置決めアーム３００とが、処理領域２１２内に配置されてもよい。例えば、パッドキャリア位置決めアーム３００は、パッドキャリアアセンブリ３０４を、回転可能な真空テーブル２３０の支持面の上に配置された第１の位置の上、およびパッドコンディショニングステーション２８０の上に配置された第２の位置の上に位置決めすることができる。

［００５０］回転可能な真空テーブル２３０、環状基板リフト機構２７０、パッドコンディショニングステーション２８０、およびパッドキャリア位置決めアーム３００は、それぞれ独立して、容器２１４に取り付けられている。ＨＰＣモジュール２００は、容器２１４に取り付けられたリンスマニホールド２９０をさらに含む。基板中央リンスバー２９２および１つ以上の基板スプレーバー２９４が、リンスマニホールド２９０の側面から延在している。基板中央リンスバー２９２は、リンス流体、例えば洗浄流体または水を、回転可能な真空テーブル２３０の中央領域に向かって方向付けるために使用される。基板スプレーバー２９４は、回転可能な真空テーブル２３０の１つ以上の他の領域、例えば、真空テーブル２３０の周囲領域または側部に向かって、スプレーを方向付けるために使用される。リンスマニホールド２９０は、容器２１４の角に向かって配置され、リンスバー２９２およびスプレーバー２９４は、第２の側面パネル２２２の内側でＨＰＣモジュール２００の第２の端部２０４に沿って延在している。いくつかの実施形態では、リンスマニホールド２９０は、第２の側部２０８に隣接している（図２Ａ～図２Ｂ）。いくつかの他の実施形態では、リンスマニホールド２９０は、第１の側部２０６に隣接している（図２Ｃ）。ＨＰＣモジュール２００は、容器２１４に取り付けられたブラシリンス２９６をさらに含む。ブラシリンス２９６は、パッドコンディショニングステーション２８０の１つ以上の構成要素をリンスするために、ＨＰＣモジュール２００の第１の端部２０２の近くに、パッドコンディショニングステーション２８０に隣接して配置されている。

［００５１］本明細書の実施形態では、ＨＰＣモジュール２００は、その上に配置され、そこに固定されたキャリアフィルムを有する回転チャックアセンブリを含む。チャックアセンブリは、キャリアフィルムを通って形成された複数のチャネルを通して加えられた真空圧を使用して、回転中に基板を所定の位置に保持する。いくつかの実施形態では、複数のチャネルは、アレイ状に形成される。典型的なキャリアフィルムに使用されるチャネルのこの構造的構成は、より高いトルクでの基板の滑りと基板表面の局所的変形をもたらし得る。例えば、真空チャネルのアレイと同じ位置にある基板の領域は、キャリアフィルムの固い部分の上に配置されている基板の隣接する領域に比べて変形し得る。基板の局所的に変形した領域は、そこに加えられるバフ研磨パッド圧力を減少させ、不均一な基板洗浄を引き起こす。したがって、以下に説明する実施形態は、キャリアフィルムの局所的な変形を低減および／または実質的に排除する。

［００５２］図３Ａは、図２Ｃの切断線３Ａ－３Ａに沿った側断面図である。図３Ｂ～図３Ｃは、それぞれ、図３ＡのＨＰＣモジュール２００内で使用され得る例示的な回転可能な真空テーブル２３０の底部等角図および頂部等角図である。図３Ｄは、図３Ｂ～図３Ｃの回転可能な真空テーブル２３０と共に使用され得る例示的なキャリアフィルムの平面図である。図３Ｅは、図３Ｄの一部分の拡大平面図である。

［００５３］真空テーブル２３０は、上面２３４を有するチャックプレート２３２を含む。チャックプレート２３２の上面２３４は、重力方向に対して実質的に直交している。チャックプレート２３２は、重力方向に整列した縦方向軸ｃ１を有する円筒形プレートである。チャックプレート２３２は、（例えば半径方向アレイ状に形成された）複数の半径方向チャネル２３８を接続する中央穴２３６を含む。ここでは、チャックプレート２３２は、等間隔で円周方向に離間した６つのチャネル２３８を有する。いくつかの他の実施形態では、チャックプレート２３２は、３～１２個のチャネル、例えば、５～１０個のチャネル、例えば、６～８個のチャネルを含む。半径方向チャネル２３８のアレイ内のチャネルの各々が、中央穴２３６から、上面２３４内に形成された複数のポート２４０まで延在している。ここでは、半径方向チャネル２３８のアレイの各々が、５つのポート２４０を含む。いくつかの他の実施形態では、各半径方向チャネル２３８は、３～７個のポート、例えば、４～６個のポートを含む。ここでは、複数のポート２４０は、チャネル２３８のアレイの１つに沿って半径方向に互いに等間隔で離間している。いくつかの他の実施形態では、複数のポート２４０は、不均一に離間している。中央穴２３６、半径方向チャネル２３８のアレイ、および複数のポート２４０は、真空源３５９から圧力および流体連通をチャックプレート２３２の上面２３４に提供して、その上に基板１２０を真空チャッキングするように構成される。いくつかの実施形態において、真空圧は、大気圧に比べて約－８ｐｓｉ～約－４．５ｐｓｉ、例えば、大気圧に比べて約－７ｐｓｉ～約－５．５ｐｓｉである。したがって、複数のポート２４０を通して真空陰圧をかけることで、基板１２０を上面２３４に対して固定する。チャックプレート２３２から基板１２０を取り外すために、真空圧がベントされ、任意選択の陽圧窒素パージが適用される。

［００５４］チャックプレート２３２の底面は、チャックアダプタ２４４に連結されている。チャックアダプタ２４４は、チャックプレート２３２とチャックモータ２４８との間に配置され、チャックプレート２３２をチャックモータ２４８に連結する円筒形プレートである。チャックモータ２４８は、チャックプレート２３２およびチャックアダプタ２４４を縦方向軸ｃ１の周りに回転させるように構成されている。チャックモータ２４８の縦方向モータ穴２５０は、近位端にフランジ２５４を有する回転可能マニホールド２５２を収容する。フランジ２５４は、回転可能マニホールド２５２がチャックアダプタ２４４の回転によって回転されるように、チャックアダプタ２４４に連結されている。チャックプレート２３２、チャックアダプタ２４４、および回転可能マニホールド２５２は、サブアセンブリとしてモータ穴２５０から取り外し可能である。いくつかの実施形態では、チャックプレート２３２、チャックアダプタ２４４、回転可能マニホールド２５２、チャックプレート２３２とチャックアダプタ２４４との間のねじおよび位置合わせピン、ならびにフランジ２５４とチャックアダプタ２４４との間のねじは、プラスチックまたはポリマー、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）から形成される。金属部品、例えばステンレス鋼の代わりにサブアセンブリ全体にわたってプラスチック部品を使用することにより、基板１２０の微量金属汚染が低減される。回転可能マニホールド２５２をモータ穴２５０内で中心に置くために、ベアリング２５６が、回転可能マニホールド２５２の遠位端でモータ穴２５０内に配置される。ベアリング２５６は、回転可能マニホールド２５２とモータ穴２５０との間の相対的な回転を容易にするために、回転可能マニホールド２５２の外径と回転可能に連結するための内径を有する。回転エルボ２５８が、ジャムナット２６０によって回転可能マニホールド２５２の遠位端に連結されている。回転エルボ２５８は、静止している真空源３５９と回転可能マニホールド２５２との間の圧力および流体連通を提供する。

［００５５］図３Ｄを参照すると、キャリアフィルム２６４が、チャックプレート２３２の上面２３４に配置されている。いくつかの実施形態では、キャリアフィルム２６４は、接着剤を使用して上面２３４に固定される。いくつかの実施形態では、キャリアフィルム２６４を交換することができるように、キャリアフィルム２６４は、上面２３４に取り外し可能に取り付けられる。キャリアフィルム２６４は、チャックプレート２３２の上面２３４とは反対の方を向いている支持面２６６（例えば、基板受け面）を有する。支持面２６６は、重力方向に対して実質的に直交している。いくつかの実施形態では、キャリアフィルム２６４は、真空圧を連通させ、チャックプレート２３２と基板１２０との間にシールを形成するために、独立気泡多孔質構造を有する。いくつかの実施形態では、キャリアフィルム２６４は、ポリマーまたはプラスチック、例えばポリウレタンから形成される。有益には、キャリアフィルム２６４は、チャックプレート２３２と基板１２０との間の接触面積を改善し、微量金属汚染を低減し、チャックプレート２３２と基板１２０との間に捕捉された粒子によるスクラッチおよび欠陥形成を低減し、ならびに／または基板１２０にかけられる真空圧の分布を最適化する。キャリアフィルム２６４は、支持面２６６内にアレイ状に形成された複数のチャネル２６８を含む。チャネル２６８のアレイは、その下に配置された対応する環状チャネルと位置合わせされた、キャリアフィルム２６４内の開口部である。

［００５６］ここでは、チャネル２６８のアレイは、縦方向軸ｃ１を取り囲む環状チャネルである。いくつかの他の実施形態では、チャネル２６８のアレイは、非環状形状を有する。ここでは、チャネル２６８のアレイの最も内側のチャネルは、キャリアフィルム２６４の中心を通る縦方向軸ｃ１から半径方向に距離ｒ１だけ離間している。いくつかの実施形態では、距離ｒ１は、約１００ｍｍ以上、例えば、約１００ｍｍ～約２００ｍｍ、例えば、約１５０ｍｍである。ここでは、キャリアフィルム２６４は、隣接するチャネル２６８の間で半径方向に等しい間隔ｓ１を有する５つの同心チャネル２６８を含む。いくつかの他の実施形態では、キャリアフィルム２６４は、３～７個の同心チャネル、例えば、４～６個の同心チャネルを含む。いくつかの他の実施形態では、チャネル２６８のアレイは、不均一に離間している。いくつかの実施形態では、チャネル２６８間の間隔ｓ１は、約５０ｍｍ以下、例えば、約２０ｍｍ～約５０ｍｍ、例えば、約３０ｍｍ～約４０ｍｍである。ここでは、チャネル２６８のアレイの各々が、６つの円弧状セグメントを含む。いくつかの他の実施形態では、チャネル２６８のアレイは、３～１２個の円弧状セグメント、例えば、５～１０個の円弧状セグメント、例えば、６～８個の円弧状セグメントを含む。いくつかの実施形態では、同じチャネル２６８の隣接する円弧状セグメント間の円周方向間隔ｓ２は、約５０ｍｍ以下、例えば、約２０ｍｍ～約５０ｍｍである。

［００５７］有益には、チャネル２６８のアレイは、真空が加えられたときに基板１２０の変形を防止する幅ｗ１を有する。いくつかの実施形態では、幅ｗ１は、約１０ｍｍ以下、例えば約５ｍｍ以下、例えば約２ｍｍ以下、例えば約１ｍｍ以下、あるいは約１ｍｍ～約２ｍｍ、例えば約１．５ｍｍである。いくつかの実施形態では、より狭いチャネル２６８を使用することによって、基板１２０の変形を生じさせることなく、より高真空の真空圧を加えることが可能になる。いくつかの実施形態では、チャネル２６８のアレイによって提供されるグリップ面積は、その上に配置された処理されるべき基板１２０の表面積の約５％以上、例えば約５％～約３０％、例えば約１０％～約３０％、例えば約１５％～約３０％、例えば約１５％～２５％、例えば約２０％である。グリップ面積は、真空テーブル２３０の支持面２６６内のチャネル２６８のアレイによって占められる有効面積として定義される。いくつかの実施形態では、ＨＰＣモジュール２００は、垂直洗浄モジュール１１２と比較して、より高いトルクを使用する。他の設計に比べてより高いトルクを扱うために、本明細書に記載されるチャネル２６８のアレイは、基板１２０の変形を引き起こすことなく、真空テーブル２３０からの基板１２０の滑りを防止するために、増加した真空グリップを有し、増加した真空グリップは、より大きいグリップ面積、より高真空の真空圧、またはその両方によって提供される。

［００５８］図４Ａは、図２ＣのＨＰＣモジュール２００の平面図である。環状基板リフト機構２７０は、真空テーブル２３０の半径方向外側に配置されている。リフト機構２７０は、真空テーブル２３０の周縁部に近接して配置された複数の基板接触点２７２を含む。基板接触点２７２の各々は、チャックプレート２３２を取り囲む基板フープ２７４上に形成された上向きの肩部である。リフト機構２７０は、真空テーブル２３０の支持面２６６から基板１２０を持ち上げるときに、複数の基板接触点２７２のうちの１つが、複数の基板接触点２７２のうちの他の基板接触点より先に、基板１２０に接触するように、構成される。環状基板リフト機構２７０は、チャックプレート２３２から基板１２０を除去するために、前述した真空圧のベントおよび任意選択の窒素パージと共に働く。有益には、基板リフト機構２７０の使用は、ベントおよび任意選択の窒素パージのみと比較して、基板１２０のより速いデチャッキングを可能にする。

［００５９］図４Ｂは、図３ＡのＨＰＣモジュール２００内で使用され得る例示的なパッドコンディショニングステーション２８０の側断面図である。パッドコンディショニングステーション２８０は、回転可能な真空テーブル２３０に近接して配置される。パッドコンディショニングステーション２８０は、容器２１４とは反対の方を向いているコンディショニングブラシ２８２を含む。いくつかの実施形態では、ブラシ２８２は、繊維状材料を含む。いくつかの実施形態では、繊維は、ナイロンまたは別の同様の材料から形成される。ブラシ２８２は、回転可能なブラシシャフト２８４に連結されている。ブラシシャフト２８４は、容器２１４を貫通して延在し、コンディショニング流体源（図示せず）に流体的に連結されている。ブラシシャフト２８４は、コンディショニング流体、例えば脱イオン水を、ブラシ２８２に近接して配置されたスプレーノズル２８６に運ぶように構成される。パッドコンディショニングステーション２８０の動作中、ブラシ２８２は、ブラシシャフト２８４によって回転される。回転中、コンディショニング流体は、ブラシシャフト２８４を通ってスプレーノズル２８６に流れ、それによって、ブラシ２８２を濡らし、コンディショニングプロセスを容易にする。

［００６０］図４Ｃは、図３ＡのＨＰＣモジュール２００内で使用され得る例示的なパッドキャリア位置決めアーム３００の側断面図である。パッドキャリア位置決めアーム３００は、回転可能な真空テーブル２３０およびパッドコンディショニングステーション２８０に近接して配置される。パッドキャリア位置決めアーム３００の遠位端３０２は、パッドキャリアアセンブリ３０４であって、その下端に配置されたバフ研磨パッド支持面上に回転可能なバフ研磨パッド３０６を支持するための、垂直方向に移動可能なパッドキャリアアセンブリ３０４を含む。いくつかの実施形態では、パッドキャリアアセンブリ３０４は、約６７ｍｍ、例えば約６７ｍｍ～約１５０ｍｍ、例えば約６７ｍｍ、あるいは約１３４ｍｍの直径を有するバフ研磨パッド３０６を支持するような大きさである。いくつかの実施形態では、本開示のパッドキャリア位置決めアーム３００は、従来の前洗浄モジュールと比較して、より大きなバフ研磨パッド３０６を支持し、より大きなバフ研磨パッドは、性能を向上させ、バフ研磨時間を短縮する。パッドキャリアアセンブリ３０４は、重力方向に実質的に整列した軸ｃ２の周りにバフ研磨パッド３０６およびバフ研磨パッド支持面を回転させるためのヘッドモータ３０８を含む。パッドキャリアアセンブリ３０４は、球形ベアリング３１２によってヘッドモータ３０８に連結されたジンバルベース３１０を含み、軸ｃ２に直交する平面に対してパッドキャリアアセンブリ３０４のバフ研磨パッド支持面が枢動できるようにする。開示を簡単にするために、パッドコンディショニングステーション２８０は、例示のため図４Ｃには示されていないが、キャビティ４８０内に配置されるであろう。

［００６１］ＣＭＰ後に、ＨＰＣモジュール２００は、基板１２０が乾燥する前に研磨スラリおよびデブリを洗浄除去するように、構成されている。いくつかの実施形態では、ＨＰＣモジュール２００は、処理システム１００の第１の部分１０５の複数の研磨ステーションによって実行される１つ以上の洗浄ステップを置き換える。ＨＰＣモジュール２００のバフ研磨パッド３０６は、基板１２０の全表面にわたって全体的に行われるＣＭＰによる材料の除去とは対照的に、局所的に洗浄を行うことができるので、研磨ステーションの研磨面よりも小さなフォームファクタを有する。言い換えれば、バフ研磨パッド３０６は、基板１２０よりも直径が小さく、局所的なバフ研磨を行うだけの大きさであり、一度に基板１２０の表面全体を覆うようには設計されていない。

［００６２］パッドキャリア位置決めアーム３００は、パッドキャリアアセンブリ３０４とパッドキャリア位置決めアーム３００の近位端３２２との間に連結されたリニアアクチュエータ３１４、例えば空気圧シリンダを含む。リニアアクチュエータ３１４は、回転可能な真空テーブル２３０上に配置された基板１２０に対して、またはパッドコンディショニングステーション２８０のブラシ２８２に対して、バフ研磨パッド３０６の有効な下向きの力をその上に加えるように、バフ研磨パッド３０６を位置決めするために、軸ｃ２に沿ってパッドキャリアアセンブリ３０４を上下させるように、構成される。いくつかの実施形態では、バフ研磨パッド３０６と基板１２０の表面との間に印加される圧力は、約０．５ｐｓｉ以上、例えば約０．５ｐｓｉ～約４ｐｓｉ、例えば約３ｐｓｉ、あるいは約４ｐｓｉである。いくつかの実施形態では、バフ研磨パッド３０６によって基板１２０に対して加えられる下向きの力のスラスト荷重は、圧力に比例する。いくつかの実施形態では、スラスト荷重は、約０．５ｌｂｆ～約１００ｌｂｆ、例えば約１０ｌｂｆ～約６５ｌｂｆである。パッドキャリア位置決めアーム３００の下側は、基板１２０の表面上に化学物質（例えば、プロセス流体）を分配するための複数のスプレーノズルを有する化学物質マニホールド３１６を含む。

［００６３］パッドキャリア位置決めアーム３００の近位端３２２は、回転可能な真空テーブル２３０上の第１の位置とパッドコンディショニングステーション２８０上の第２の位置との間でパッドキャリアアセンブリ３０４をスイングさせるように構成されたアクチュエータ３２４、例えばモータに連結されている。パッドキャリア位置決めアーム３００は、保守用アクセスパネル開口部２２８を通してパッドキャリアアセンブリ３０４をスイングさせて、保守アクセスを容易にするように構成される。

［００６４］いくつかの実施形態では、パッドキャリアアセンブリ３０４の下向きの力、バフ研磨パッド３０６のトルク、基板１２０のトルク、ならびにキャリアフィルム２６４を通した真空テーブル２３０の保持力およびグリップ力が、性能を最適化するように調整され制御される。いくつかの実施形態では、バフ研磨パッド３０６のトルクは、約２Ｎｍ以上、例えば、約２Ｎｍ～約６Ｎｍ、例えば、約３Ｎｍ～約５Ｎｍである。いくつかの実施形態では、基板１２０のトルクは、約１０Ｎｍ以上、例えば、約１０Ｎｍ～約３０Ｎｍ、例えば、約１５Ｎｍ～約２５Ｎｍである。いくつかの実施形態では、濡れた基板１２０に対する保持力は、約２５ｌｂｆ以上、例えば、約３０ｌｂｆ以上、例えば、約３０ｌｂｆ～約４０ｌｂｆ、例えば、約３０ｌｂｆである。いくつかの実施形態では、濡れた基板に対する縁部リフトグリップ力は、約２ｌｂｆ以上、例えば、約２ｌｂｆ～約３ｌｂｆ、例えば、約２ｌｂｆ～約２．４ｌｂｆである。

［００６５］上記は本開示の実施形態に向けられているが、本開示の他のさらなる実施形態が、その基本的な範囲から逸脱することなく考案され、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (20)

1. 基板処理モジュールであって、
   前記基板処理モジュールの処理領域内に配置された回転可能な真空テーブルであって、チャネルのアレイを含む支持面を含む回転可能な真空テーブル、
   前記回転可能な真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーション、
   パッドキャリアアセンブリに連結されたパッドキャリア位置決めアーム、ならびに
   前記パッドキャリア位置決めアームに連結されたアクチュエータであって、前記パッドキャリアアセンブリを、前記回転可能な真空テーブルの前記支持面の上に配置された第１の位置の上に、および、前記パッドコンディショニングステーションの上に配置された第２の位置の上に位置決めするように構成されたアクチュエータ、
   を備える基板処理モジュール。
2. 前記チャネルのアレイの個々のチャネルの幅が、約１０ｍｍ以下である、請求項１に記載の基板処理モジュール。
3. 前記チャネルのアレイによって提供されるグリップ面積が、その上に配置された処理されるべき基板の表面積の約５％から約３０％の間であり、前記グリップ面積が、前記真空テーブルの前記支持面内の前記チャネルのアレイによって占められる有効面積を含む、請求項２に記載の基板処理モジュール。
4. 前記パッドキャリアアセンブリが、約６７ｍｍ以上の直径を有するバフ研磨パッドを支持するような大きさである、請求項１に記載の基板処理モジュール。
5. 前記真空テーブルの前記支持面が、重力方向に対して実質的に直交している、請求項１に記載の基板処理モジュール。
6. 前記真空テーブルの半径方向外側に配置された環状基板リフト機構を、さらに備える、請求項１に記載の基板処理モジュール。
7. 前記環状基板リフト機構が、前記真空テーブルの周縁部に近接して配置された複数の基板接触点を備え、前記環状基板リフト機構が、前記真空テーブルの前記支持面から基板を持ち上げるときに前記複数の基板接触点のうちの１つが前記複数の基板接触点のうちの他より先に前記基板に接触するように、構成されている、請求項６に記載の基板処理モジュール。
8. 基板を処理する方法であって、
   基板処理モジュールの真空テーブル上に基板を位置決めすることであって、前記真空テーブルは、チャネルのアレイを含む支持面を含み、前記真空テーブルの前記支持面は、重力方向に対して実質的に直交しており、前記チャネルのアレイによって提供されるグリップ面積は、その上に位置決めされた前記基板の表面積の約５％から約３０％の間であり、前記グリップ面積は、前記真空テーブルの前記支持面内の前記チャネルのアレイによって占められる有効面積を含む、真空テーブル上に基板を位置決めすることと、
   前記真空テーブルを下で回転させながら、前記基板の表面にバフ研磨パッドを押し付けることであって、前記バフ研磨パッドは、約６７ｍｍ以上の直径を有し、前記バフ研磨パッドと前記基板の前記表面との間にかけられる圧力は、約３ｐｓｉ以上である、バフ研磨パッドを押し付けることと、
   を含む方法。
9. 前記チャネルのアレイが貫通して形成されている真空テーブルフィルムを、さらに含み、前記真空テーブルフィルムは、接着剤を用いて前記真空テーブルのチャックプレートに固定され、前記チャックプレートは、その上面に配置された複数の開口部を有し、前記真空テーブルフィルム内の前記チャネルのアレイは、その下に配置された前記開口部のうちの対応するものと位置合わせされている、請求項８に記載の方法。
10. 前記真空テーブルが、前記基板処理モジュールの処理領域内に配置され、前記基板処理モジュールが、
    前記処理領域を共同で画定する容器および蓋を含むチャンバ、
    前記処理領域内に配置された前記真空テーブル、
    前記真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーション、
    パッドキャリアに連結されたパッドキャリア位置決めアーム、ならびに
    前記パッドキャリア位置決めアームに連結されたアクチュエータであって、パッドキャリアアセンブリを、前記真空テーブルの前記支持面の上に配置された第１の位置の上に、および、前記パッドコンディショニングステーションの上に配置された第２の位置の上に位置決めするように構成されたアクチュエータ、
    を備える、請求項８に記載の方法。
11. 基板処理モジュールを備えるモジュール式基板処理システムであって、
    前記基板処理モジュールが、
    容器と蓋とを備えるチャンバであって、前記蓋は、処理領域を前記容器と共に共同で画定する複数の側面パネルを備える、チャンバ、
    前記処理領域内に配置された回転可能な真空テーブル、
    前記複数の側面パネルのうちの第１の側面パネル内に配置された第１の基板ハンドラアクセスドアであって、第１の基板ハンドラを用いて前記回転可能な真空テーブル上に基板を位置決めするために使用される第１の基板ハンドラアクセスドア、
    前記複数の側面パネルのうちの第２の側面パネル内に配置された第２の基板ハンドラアクセスドアであって、第２の基板ハンドラを用いて前記回転可能な真空テーブルから前記基板を除去するために使用される第２の基板ハンドラアクセスドア、
    前記回転可能な真空テーブルに近接して配置されたパッドコンディショニングステーション、
    パッドキャリアアセンブリに連結されたパッドキャリア位置決めアーム、ならびに
    前記パッドキャリア位置決めアームに連結されたアクチュエータであって、前記パッドキャリアアセンブリを、前記回転可能な真空テーブルの上に配置された第１の位置の上に、および、前記パッドコンディショニングステーションの上に配置された第２の位置の上に位置決めするように構成されたアクチュエータ、
    を備える、モジュール式基板処理システム。
12. 前記複数の側面パネルのうちの第３の側面パネルが、保守開口部を有し、前記パッドキャリア位置決めアームは、保守アクセスを容易にするために、前記保守開口部を通して前記パッドキャリアアセンブリを位置決めするように構成されている、請求項１１に記載のモジュール式基板処理システム。
13. 複数の研磨ステーションを含む第１の基板処理領域、ならびに
    前記基板処理モジュールおよび前記第１の基板ハンドラを含む第２の基板処理領域であって、前記第１の基板ハンドラは、基板を前記第１の基板処理領域から前記基板処理モジュールに移送するように位置決めされている、第２の基板処理領域、
    をさらに備える、請求項１１に記載のモジュール式基板処理システム。
14. 前記第２の基板処理領域が、基板洗浄システムをさらに含み、前記基板処理モジュールが、前記基板洗浄システムの上方に配置されている、請求項１３に記載のモジュール式基板処理システム。
15. 前記第２の基板ハンドラが、前記基板処理モジュールから、その下に配置された前記基板洗浄システムの洗浄ステーションに基板を移送するように位置決めされている、請求項１４に記載のモジュール式基板処理システム。
16. 前記基板処理モジュールが、前記真空テーブルを取り囲む環状基板リフト機構を、さらに備える、請求項１１に記載のモジュール式基板処理システム。
17. 前記環状基板リフト機構が、前記真空テーブルの周縁部に近接して配置された複数の基板接触点を備え、前記環状基板リフト機構が、前記真空テーブルの支持面から基板を持ち上げるときに前記複数の基板接触点のうちの１つが前記複数の基板接触点のうちの他より先に前記基板に接触するように、構成されている、請求項１６に記載のモジュール式基板処理システム。
18. 前記真空テーブルが、その支持面内に画定されたチャネルのアレイを備え、前記チャネルのアレイの個々のチャネルの幅が、約１０ｍｍ以下である、請求項１１に記載のモジュール式基板処理システム。
19. 前記チャネルのアレイによって提供されるグリップ面積が、その上に配置された処理されるべき基板の表面積の約５％から約３０％の間であり、前記グリップ面積が、前記真空テーブルの前記支持面内の前記チャネルのアレイによって占められる有効面積を含む、請求項１８に記載のモジュール式基板処理システム。
20. 前記パッドキャリアアセンブリが、約６７ｍｍ以上の直径を有するバフ研磨パッドを支持するような大きさである、請求項１９に記載のモジュール式基板処理システム。

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