JP7265858B2 - 洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法 - Google Patents

洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置と洗浄方法 Download PDF

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Description

本発明は、洗浄モジュール、洗浄モジュールを備える基板処理装置および基板のエッジ部分（ベベル部分）を洗浄する洗浄モジュールと洗浄方法に関する。
従来から、基板のエッジ部分（ベベル部分）を洗浄する装置が知られている。典型的には、このような洗浄装置はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）装置などの装置により研磨された基板を洗浄するために用いられる。特許文献１（米国特許第５８６１０６６号明細書）には、基板の端部に接触して当該基板を定位置に保持するためのローラが開示されている。当該ローラはさらに、基板のエッジ部分を洗浄するように構成されている。また、特許文献１では、基板の表面（ひょうめん:surface）がローラとは別個のブラシにより洗浄される。
米国特許第５８６１０６６号明細書
特許文献１に記載の装置では、主に、基板の側面がローラによって保持されている。したがって、基板の面に垂直な方向の力が基板に印加されると基板の位置ずれその他の不具合が生じ得ると考えられる。よって、特許文献１の装置において基板の表面をバフ洗浄することは困難であると考えられる。そこで本願は、上述の課題を解決することを少なくとも１つの課題とする。
本願は、一実施形態として、円形の基板を支持するための回転テーブルであって、基板の直径より小さい直径を有する、回転テーブルと、回転テーブルに支持された基板のオモテ面と接触しながら基板のオモテ面をバフ洗浄するためのバフ洗浄部と、バフ洗浄部を基板に対して移動させるためのバフ洗浄部移動機構と、バフ洗浄部移動機構の動作を制御するバフ洗浄部制御機構と、回転テーブルに支持された基板のエッジ部分と接触しながら基板のエッジ部分を洗浄するためのエッジ洗浄部と、を有する、洗浄モジュールを開示する。
基板処理装置の上面図である。 一実施形態にかかる洗浄モジュールの斜視図である。 一実施形態にかかる洗浄モジュールの側面図である。 他の実施形態にかかる洗浄モジュールの斜視図である。 ローラからの排水のための溝を示す図である。 エッジ洗浄部の少なくとも一部を移動させるための移動機構を示す図である。 エッジ洗浄部と基板の間の押圧力を事前に制御する手法の第１段階を示す図である。 エッジ洗浄部と基板の間の押圧力を事前に制御する手法の第２段階を示す図である。 エッジ洗浄部の少なくとも一部を移動させるための移動機構の他の例を示す図である。 石英プレートを備えるクリーナを示す図である。 ノズルを備えるクリーナを示す図である。 第２の例にかかるエッジ洗浄部を備える洗浄モジュールの斜視図である。 図１０のローラおよびコンディショナを示す側面図である。 第３の例にかかるエッジ洗浄部を備える洗浄モジュールの斜視図である。 図１２のローラの側面図である。 図１２のローラのための石英プレートまたはコンディショナの側面図である。
一実施形態にかかる基板処理装置１００の上面図を図１に示す。本願における「基板処理装置」という用語は少なくとも基板の研磨機能および洗浄機能を有する装置を指す用語である。図１およびその他の図は模式図に過ぎないことに留意されたい。たとえば、実際の基板処理装置は図１と異なった形状であってよい。たとえば、実際の基板処理装置は図１に図示されていない要素を有していてもよい。基板処理装置および基板処理装置の部品の具体的な構成は以下に説明される構成に限られない。
図１の基板処理装置１００は、ロード・アンロード部１１０と、研磨部１２０と、ウエハステーション１３０と、を備える。基板処理装置１００はさらに、基板搬送ユニット１４０と、基板洗浄部１５０と、制御部１６０と、を備える。ロード・アンロード部１１０は、ＦＯＵＰ１１１と、ロード・アンロード部の搬送ロボット１１２と、を備えてよい。研磨部１２０は、第１の研磨装置１２１と、第２の研磨装置１２２と、第３の研磨装置１２３と、第４の研磨装置１２４と、を備えてよい。基板洗浄部１５０は、第１の洗浄モジュール１５１と、第２の洗浄モジュール１５２と、第３の洗浄モジュールと、を備えてよい。基板洗浄部１５０はさらに、第１の洗浄部搬送ロボット１５４と、第２の洗浄部搬送ロボット１５５と、を備えてよい。
ロード・アンロード部１１０は、処理が必要な基板を基板処理装置１００の外部からロードするために、および、処理が終了した基板を基板処理装置１００の内部からアンロードするために設けられている。ＦＯＵＰ１１１は基板または基板が収容された基板カセットを収容することができる。ロード・アンロード部の搬送ロボット１１２は所望のＦＯＵＰ１１１から／へ、基板を受け取る／受け渡す。ロード・アンロード部の搬送ロボット１１２によって受け取られた基板は、後述する基板搬送ユニット１４０および／または図示されない他の機構などによって研磨部１２０へ送られてよい。
研磨部１２０は、第１の研磨装置１２１と、第２の研磨装置１２２と、第３の研磨装置１２３と、第４の研磨装置１２４と、を備える。ここで、「第１の」「第２の」などの用語は区別のための用語に過ぎない。換言すれば、「第１の」「第２の」などの用語は、装置の位置や処理の順序と無関係であってもよく、装置の位置や処理の順序と関係していてもよい。
第１の研磨装置１２１～第４の研磨装置１２４のそれぞれはたとえばＣＭＰ装置である。第１の研磨装置１２１～第４の研磨装置１２４のそれぞれは、研磨パッドを取り付けるための研磨テーブル（図示せず）と、基板を取り付けるためのトップリング（図示せず）と、を備える。ただし、第１の研磨装置１２１～第４の研磨装置１２４のそれぞれは他の構成のＣＭＰ装置であってもよく、ＣＭＰ装置以外の研磨装置であってもよい。第１の研磨装置１２１～第４の研磨装置１２４のそれぞれは研磨パッドに研磨液等を供給するための液体供給装置（図示せず）を備えていてもよい。１つの液体供給装置が複数の研磨装置に液体を供給するように構成されていてもよい。一般的なＣＭＰ装置は基板を研磨パッドに押し付けて、研磨テーブルとトップリングの少なくとも一方、好ましくは双方を回転さ
せることで基板を研磨する。
研磨部１２０によって研磨された基板はウエハステーション１３０に搬送される。ウエハステーション１３０は研磨された後かつ洗浄される前の基板を保持することが可能であるように構成されている。ウエハステーション１３０は複数枚の基板を保持することが可能であってもよい。基板搬送ユニット１４０は研磨部１２０からウエハステーション１３０へ基板を搬送するように構成される。なお、前述のとおり、基板搬送ユニット１４０はロード・アンロード部１１０と研磨部１２０の間の基板の搬送の少なくとも一部を担当してもよい。
ウエハステーション１３０に保持されている基板は基板洗浄部１５０に搬送される。ウエハステーション１３０と基板洗浄部１５０との間の基板の搬送は第１の洗浄部搬送ロボット１５４によって行われる。基板洗浄部１５０に搬送された基板は各洗浄モジュール（第１の洗浄モジュール１５１、第２の洗浄モジュール１５２および第３の洗浄モジュール１５３）によって洗浄される。洗浄の最終工程を担当する洗浄モジュール（図１の例では第３の洗浄モジュール１５３）は基板を乾燥させる機能、たとえば基板を高速で回転させる機能（スピンドライ機能）を有していてもよい。追加的または代替的に、第３の洗浄モジュール１５３の後段に乾燥モジュールを設けてもよい。基板洗浄部１５０に設けられる洗浄モジュールの数は３つに限らない。洗浄モジュールの数は１つであってもよく、２つであってもよく、４つ以上であってもよい。洗浄モジュールの数および／または配置などに応じて、洗浄部搬送ロボットの数および／または配置などが変更されてもよい。
第１の洗浄部搬送ロボット１５４はウエハステーション１３０から研磨後の基板を受け取り、受け取った基板を第１の洗浄モジュール１５１に搬送する。また、第１の洗浄部搬送ロボット１５４は第１の洗浄モジュール１５１によって洗浄された基板を受け取り、受け取った基板を第２の洗浄モジュール１５２に搬送する。第２の洗浄部搬送ロボット１５５は第２の洗浄モジュール１５２によって洗浄された基板を受け取り、受け取った基板を第３の洗浄モジュール１５３に搬送する。第３の洗浄モジュール１５３で洗浄された基板は、何らかの手段、たとえば搬送ロボット１１２、基板搬送ユニット１４０、第３の洗浄モジュール１５３または図示されない他の搬送機器などによって第３の洗浄モジュール１５３から搬出される。第３の洗浄モジュール１５３から搬出された基板は、ロード・アンロード部１１０に搬入される。基板は最終的にロード・アンロード部１１０によって基板処理装置１００からアンロードされる。
第１の洗浄モジュール１５１、第２の洗浄モジュール１５２および第３の洗浄モジュール１５３の少なくとも１つは、基板の表面のバフ洗浄と基板のエッジ部分の洗浄の双方が可能であるように構成される。ここで、「基板のエッジ部分」には「基板のエッジ部分の面取りされた部分」、すなわち「基板のベベル部分」を含む。また、「基板のエッジ部分」は「基板のオモテ面のエッジ部分および基板の裏面のエッジ部分」と言い換えられてもよい（オモテ面および裏面の定義は後述）。
図２Ａは、円形の基板Ｗの表面のバフ洗浄と基板のエッジ部分の洗浄の双方が可能である洗浄モジュール２００の斜視図である。図２Ｂは洗浄モジュール２００の側面図である。洗浄モジュール２００は、回転テーブル２１０と、バフ洗浄部２２０と、エッジ洗浄部２３０と、を備える。洗浄モジュール２００はさらに、基板Ｗに洗浄液、純水その他の液体を供給するための液体供給機構２４０と、センサ２５０と、洗浄モジュール２００の各要素を制御するための制御部２６０と、を備えてもよい。制御部２６０は制御部１６０と同一であるか制御部１６０の一部であってよい。代替として、制御部２６０は制御部１６０から独立していてもよい。洗浄モジュール２００はさらに、バフ洗浄部２２０のバフパッド（図示せず）の目立てのためのドレッサ（図示せず）を備えてもよい。以下では、基
板Ｗのバフ洗浄される面が上方向を向いているものとして説明する。ただし、基板Ｗのバフ洗浄される面が上方向以外の方向を向いていてもよい。さらに、以下では、基板Ｗのバフ洗浄される面を「オモテ面」、他の面を「裏面」と呼ぶ。
回転テーブル２１０は洗浄されるべき基板Ｗを支持するための部材である。好ましくは、基板Ｗは真空吸引などによって回転テーブル２１０に固定される。典型的には、回転テーブル２１０は図示しないモータなどによって回転可能である。エッジ洗浄部２３０と干渉しないよう、回転テーブル２１０の直径は基板Ｗの直径より小さくなるよう構成される。回転テーブル２１０の直径が小さいほどエッジ洗浄部２３０との干渉を避けやすくなる。一方で、回転テーブル２１０の直径が大きいほど基板Ｗを強固に支持することができる。一例として、回転テーブル２１０の直径は基板Ｗの直径の７０％から９９％である。洗浄モジュール２００は基板Ｗと回転テーブル２１０をセンタリングするための機構（図示せず）を備えてもよい。
基板Ｗのオモテ面はバフ洗浄部２２０によって洗浄される。バフ洗浄部２２０は基板Ｗのオモテ面と接触 しながら基板Ｗを洗浄する。バフ洗浄部２２０は、バフパッド（図示せず）を保持するためのバフヘッド２２１と、バフヘッド２２１を支持するためのアーム２２２と、を備える。典型的には、バフヘッド２２１とバフヘッド２２１はシャフト２２３により接続されている。好ましくは、バフヘッド２２１はシャフト２２３を中心として回転可能である。典型的には、アーム２２２はバフヘッド２２１を揺動することができるように構成される。回転テーブル２１０による基板Ｗの回転およびアーム２２２によるバフヘッド２２１の揺動により基板Ｗのオモテ面の全面が洗浄される。バフ洗浄部２２０ は上下動および／または水平移動可能に構成されてもよい。すなわち、 洗浄モジュール２００はバフ洗浄部２２０を基板Ｗに対して移動させるためのバフ洗浄部移動機構２２４を有してよい。アーム２２２によるバフヘッド２２１の揺動もバフ洗浄部２２０の基板Ｗに対する移動であるから、アーム２２２はバフ洗浄部移動機構２２４とみなされてよい。バフ洗浄部移動機構２２４の構成は図示した例または明示的に説明された例に限られるものではなく、任意の構成であってよい。バフヘッド２２１に取り付けられるバフパッドは交換可能であってよい。バフ洗浄のための薬液および／または純水は液体供給機構２４０から供給されてもよく、アーム２２２の内部に設けられた液体供給路（図示せず）を通じて供給されてもよい。基板Ｗは回転テーブル２１０により支持されているので、バフ洗浄部２２０が基板Ｗを下方向に押圧しても基板Ｗの位置ずれその他の不具合は起こりにくい。よって、一実施形態にかかる洗浄モジュール２００は、バフパッドと基板Ｗとの間の押圧力を十分に確保すること、ひいては十分な洗浄力を得ることが容易になる。バフ洗浄部移動機構２２４の動作は制御部１６０および／または制御部２６０によって制御されてよい。バフ洗浄部移動機構２２４の動作を制御する制御部は「バフ洗浄部制御機構」と呼ばれ得る。
基板Ｗのエッジ部分はエッジ洗浄部２３０により洗浄される。エッジ洗浄部２３０は基板Ｗのエッジ部分と接触しながら基板Ｗのエッジ部分を洗浄する 。一実施形態にかかるエッジ洗浄部２３０は、第１のローラ２３１と、第２のローラ２３２と、を備える。第１のローラ２３１は基板Ｗのオモテ面のエッジ部分を洗浄するためのローラである。第２のローラ２３２は基板の裏面のエッジ部分を洗浄するためのローラである。より具体的には、第１のローラ２３１の側面が基板Ｗのオモテ面のエッジ部分に接触させられる。そして、第２のローラ２３２の側面が基板Ｗの裏面のエッジ部分に接触させられる。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の回転軸（axis）の方向は、回転テーブル２１０の基板Ｗを支持する面と平行な方向である。より具体的には、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の回転軸の方向は、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２と基板Ｗとの接触部分における基板Ｗの接線の方向である。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２が基板のエッジ部分に接触している状態で基板Ｗが回転すると、基板Ｗのエッ
ジ部分の全周が洗浄される。前述のとおり回転テーブル２１０は基板Ｗより小さく構成されているので、エッジ洗浄部２３０、特に第２のローラ２３２は回転テーブル２１０に干渉しない。
一実施形態にかかる第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の材質はたとえばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）、発泡性ポリウレタンなどであってよい。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２はスポンジ状で有り得る。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の直径はたとえば５ｍｍから１００ｍｍである。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の長さ（ローラの幅）はたとえば５ｍｍから１００ｍｍである。
図２Ａに示されるように、第１のローラ２３１は第２のローラ２３２の真上に位置してよい。換言すれば、基板Ｗは第１のローラ２３１および第２のローラ２３２によって挟まれてよい。第１のローラ２３１と第２のローラ２３２によって基板Ｗを挟み込むことは、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２のそれぞれと基板Ｗの間の押圧力を十分に確保すること、ひいては十分な洗浄力を得ることを容易にする。
図２Ａと異なり、第１のローラ２３１は第２のローラ２３２の真上に位置しなくともよい。典型的には、基板Ｗのオモテ面に求められる清浄度は基板Ｗの裏面に求められる清浄度より高い。よって、裏面（のエッジ部分）に存した汚れがオモテ面（のエッジ部分）または第１のローラ２３１に付着することは好ましくない。図３に示されるように、第１のローラ２３１を第２のローラ２３２よりも回転方向上流に位置させてもよい。図３の構成では、基板Ｗの回転に伴い、オモテ面のとあるエッジ部分がまず第１のローラ２３１に接触する。その後、当該部分の裏側のエッジ部分が第２のローラ２３２に接触する。図３の構成により、第２のローラ２３２からの汚れが第１のローラ２３１および／または基板Ｗのオモテ面（のエッジ部分）に移動してしまうことが防止され得る。ただし、第１のローラ２３１を第２のローラ２３２より回転方向下流に位置させることも可能である。
エッジ洗浄部２３０は各ローラを回転させるためのモータを備えてもよい。第１のローラ２３１および／または第２のローラ２３２に接続されたモータの回転数はたとえば０ｒｐｍ以上３００ｒｐｍ以下であってよい。モータの回転数が０ｒｐｍである場合、第１のローラ２３１および／または第２のローラ２３２は静止しているか、基板Ｗとの間の摩擦によって回転している（空転している）かのどちらかである。
第１のローラ２３１が第２のローラ２３２の真上に位置している場合、第１のローラ２３１と第２のローラ２３２は擦れあう。各ローラの摩耗を防止するため、第１のローラ２３１の回転数は第２のローラ２３２の回転数と同一であることが好ましい。また、第１のローラ２３１の回転方向と第２のローラ２３２の回転方向が同一方向である場合、第１のローラ２３１と第２のローラ２３２の接触部位においては第１のローラ２３１と第２のローラ２３２とが逆方向に移動する。したがって、第１のローラ２３１と第２のローラ２３２の接触部分においては第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の摩耗が激しくなると考えられる。以上の点に鑑み、第１のローラ２３１の回転方向と第２のローラ２３２の回転方向は逆方向であってよい。なお、図面上は、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２との接触箇所は存在しないようにも見える（図２Ｂを参照）。しかし、各ローラは軟質で有り得、かつ、各ローラは基板Ｗのエッジ部分に押し付けられる。したがって、図２Ｂの模式図とは異なり、実際の装置においては第１のローラ２３１および第２のローラ２３２は接触し得る。第１のローラ２３１の回転方向と第２のローラ２３２の回転方向は、必要に応じて適宜切り換え可能であってよい。
一方で、図３のように第１のローラ２３１と第２のローラ２３２とが接触しない場合、第１のローラ２３１と第２のローラ２３２との間で摩耗は起き得ない。したがって、ローラの摩耗という観点から、第１のローラ２３１と第２のローラ２３２との間の回転数および／または回転方向を決定する必要はない。
一実施形態における第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の少なくとも一方の回転方向は基板Ｗを径方向外側にスイープする方向である（図２Ｂ参照）。図２Ｂのように回転方向を定めることで、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２が汚れた洗浄液を基板Ｗに向けて跳ね飛ばすことを防止することができる。一方で、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の少なくとも一方の回転方向は、基板Ｗを径方向内側にスイープする方向であってもよい。基板Ｗを径方向内側にスイープするよう回転方向を定めることで、基板Ｗの側面（端面（apex）ともいう）の洗浄度を向上させ得る。なお、基板Ｗを径方向内側にスイープするよう第１のローラ２３１の回転方向を定めた場合、第１のローラ２３１が基板Ｗのオモテ面に向けて汚れた洗浄液を跳ね飛ばし得る。しかし、一実施形態にかかる洗浄モジュール２００のオモテ面はバフ洗浄部２２０によって洗浄される。したがって、第１のローラ２３１からの洗浄液の跳ね飛びによる影響は小さい。
図４に示されるように、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の少なくとも一方は溝４００を有してよい。ローラに溝が切られていることによって、洗浄によって汚れた洗浄液がローラから容易に排出されるようになる。溝４００の形状はたとえば螺旋状である（図４参照）。螺旋の向きおよび本数ならびに溝４００の幅および深さなどは適宜決定されてよい。その他、任意の形状の溝４００が用いられてよい。なお、ローラからの排水に資するならば、単なる穴、たとえば円状の止まり穴なども「溝」とみなされ得る。
エッジ洗浄部２３０のための薬液および洗浄液などの液体は液体供給機構２４０から供給されてよい。追加的又は代替的に、エッジ洗浄部２３０の内部に設けられた液体供給路から液体が供給されてもよい。
洗浄モジュール２００は基板Ｗと回転テーブル２１０とをセンタリングするためのセンタリング機構（図示せず）を有し得る。しかし、センタリング機構によっても、基板Ｗと回転テーブル２１０とをまったく誤差なくセンタリングすることは困難である。さらに、基板Ｗの形状、回転テーブル２１０の形状または回転テーブル２１０の回転にも誤差が生じ得る。何らかの誤差が存在する場合、エッジ洗浄部２３０によって基板Ｗのエッジ部分を均一に洗浄することが困難となり得る。そこで、洗浄モジュール２００はセンサ２５０を備えてよい。センサ２５０はたとえば基板Ｗのエッジ部分の位置を検知するセンサであってよい。図２および図３に示されたセンサ２５０は回転テーブル２１０の上部に配置された光学センサである。センサ２５０はたとえば回転テーブル２１０の内部に設けられていてもよい。センサ２５０により検知された基板Ｗのエッジ部分の位置に応じてエッジ洗浄部２３０の位置、具体的には第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の位置を調整することで、基板Ｗのエッジ部分を均一に洗浄することが可能になる。エッジ洗浄部２３０の位置の調整は制御部１６０および／または制御部２６０によるフィードバック制御によって実行されてよい。制御部１６０および／または制御部２６０によって制御される対象は、後述するエッジ洗浄部移動機構５００ （第１の移動機構５２０および／または第２の移動機構５３０）であってよい（図５参照）。
一実施形態にかかる洗浄モジュール２００は、基板Ｗの表面のバフ洗浄と、基板Ｗのオモテ面のエッジ部分の洗浄と、基板Ｗの裏面のエッジ部分の洗浄の全てを可能にする。基板Ｗは回転テーブル２１０により支持されているので、バフ洗浄部２２０は基板Ｗの表面を強く洗浄することができる。回転テーブル２１０は基板Ｗより小さいので、エッジ洗浄部２３０と回転テーブル２１０とが干渉することはない。基板Ｗの表面のバフ洗浄、基板
Ｗのオモテ面のエッジ部分の洗浄および基板Ｗの裏面のエッジ部分の洗浄の全てが同時に実行されてもよい。基板Ｗの表面のバフ洗浄、基板Ｗのオモテ面のエッジ部分の洗浄および基板Ｗの裏面のエッジ部分の洗浄は任意の順序で実行されてもよい。一実施形態にかかる洗浄モジュール２００では、回転テーブル２１０とエッジ洗浄部２３０とが独立している。したがって、回転テーブル２１０からエッジ洗浄部２３０へ汚れが移る可能性は低い。基板を保持する部材とエッジを洗浄する部材が同一の部材である場合、基板を保持する部材からエッジを洗浄する部材へと汚れが移動することが有り得る。汚れの移動という点において、一実施形態にかかる洗浄モジュール２００は有利であり得る。
エッジ洗浄部２３０の少なくとも一部を移動させるためのエッジ洗浄部移動機構５００の詳細について図５を用いて説明する。図５では第１のローラ２３１のための機構が図示されているが、第２のローラ２３２のための機構も図５と類似の構成を有する。したがって、以下の説明における「第１のローラ２３１」は「第２のローラ２３２」と読み替えられてよい。
第１のローラ２３１は、回転テーブル２１０の基板Ｗを支持する面と垂直な方向に第１のローラ２３１を移動させる第１の移動機構５２０に接続されている。第１のローラ２３１はさらに、第１のローラ２３１を、回転テーブル２１０の基板Ｗを支持する面と平行な面内において第１のローラ２３１を移動させる第２の移動機構５３０に接続されている。第２の移動機構５３０は第１のローラ２３１を基板Ｗに近づけるようにまたは基板Ｗから離れるように移動させる。第１の移動機構５２０および第２の移動機構５３０のそれぞれは空圧機構であってもよく、モータとボールねじの組であってもよく、その他の機構であってもよい。エッジ洗浄部２３０の構成は図５に示された構成に限定されないことに留意されたい。第１のローラ２３１にはモータ５１０が接続されていてよい。ただし、モータ５１０はエッジ洗浄部移動機構５００の必須の要素ではない。
第１の移動機構５２０は第１のローラ２３１と基板Ｗとの間の押圧力を調整するために用いられる。第２の移動機構５３０は第１のローラ２３１による洗浄のオンオフを切り替えるために用いられる。ただし、第１の移動機構５２０による移動量が充分に大きければ、第１の移動機構５２０によって洗浄のオンオフを切り替えることも可能である。また、第１のローラ２３１の形状は円筒状である。したがって、第１のローラ２３１の高さは場所によって異なる。よって、第２の移動機構５３０によって第１のローラ２３１と基板Ｗとの間の押圧力を調整することも可能である。
前述のように、基板Ｗの位置などに誤差がある場合、回転中の基板Ｗのエッジ部分の位置が変動し得る。基板Ｗのエッジ部分の位置が変動するとエッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力も変動し得る。エッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力を検知して当該押圧力が常に一定になるよう第１のローラ２３１の位置を調整することで、基板Ｗのエッジ部分を均一に洗浄することが可能になると考えられる。エッジ洗浄部２３０はエッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力を検知するセンサ２５０を備えてよい。具体的には、センサ２５０は第１のローラ２３１と基板Ｗとの間の押圧力を検知する。図５では、センサ２５０はエッジ洗浄部移動機構５００の内部に設けられている。センサ２５０は回転テーブル２１０に設けられていてもよい。押圧力の調整は第１のローラ２３１の位置を調整することによってなされる。第１のローラ２３１の位置の調整はエッジ洗浄部移動機構５００によって実行される。制御部１６０および／または制御部２６０は、センサ２５０からの信号に基づいてエッジ洗浄部移動機構５００をフィードバック制御してもよい。
基板Ｗの洗浄中は、押圧力の検知または押圧力の制御が困難であり得る。そこで、エッジ洗浄部２３０と基板Ｗの間の押圧力は事前に制御されてよい。図６Ａはエッジ洗浄部２３０と基板Ｗの間の押圧力を事前に制御する手法の第１段階を示す図である。図６Ｂは同
手法の第２段階を示す図である。図６の第１のローラ２３１は第２のローラ２３２の真上に位置している。以下において第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の移動はエッジ洗浄部移動機構５００によって行われる。
第１段階において、基板Ｗから離れた位置において第１のローラ２３１が下げられる。かつ、第２のローラ２３２が上げられる。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２は、第１のローラ２３１と第２のローラ２３２とが接触するまで移動させられる。第１のローラ２３１と第２のローラ２３２との間の押圧力が何らかの手段、たとえば図５のセンサ２５０によって測定される。第１のローラ２３１と第２のローラ２３２との間の押圧力から、エッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力が算出される。「エッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力」は「第１のローラ２３１と基板Ｗとの間の押圧力および第２のローラ２３２と基板Ｗとの間の押圧力」と読み替えられてもよい。エッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力が所望の値となるよう、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の位置がエッジ洗浄部移動機構５００によって調整される。
エッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力が所望の値となることが算出されたら、第二段階へ移行する。第二段階では、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２が基板Ｗに向かって移動させられ、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２が基板Ｗと接触させられる。以上の段階により、エッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力が事前に制御される。第１のローラ２３１と第２のローラ２３２との間の押圧力と、エッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力との関係性は事前に測定されていてよい。事前に測定された関係性は事前に何らかの記憶デバイスに記憶されていてよい。
センサ２５０について総括すると、センサ２５０は基板Ｗのエッジ部の位置および／またはエッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力を検知するセンサであってよい。制御部１６０および／または２６０は、基板Ｗの位置のずれおよび／またはエッジ洗浄部２３０と基板Ｗとの間の押圧力の変化を補償するよう、センサ２５０の出力に基づいてエッジ洗浄部移動機構５００によりエッジ洗浄部２３０を移動させてよい。エッジ洗浄部移動機構５００の動作を制御する制御部は「エッジ洗浄部制御機構」 と呼ばれ得る。なお、「バフ洗浄部制御機構」と「エッジ洗浄部制御機構」との区別は便宜上のものに過ぎない。制御部が複数の対象を制御し得る場合、同一の制御部が「バフ洗浄部制御機構」と「エッジ洗浄部制御機構」の双方となり得る。一方で、「バフ洗浄部制御機構」のための制御部と「エッジ洗浄部制御機構」のための制御部が個別に設けられてもよい。
図５に示された構成に代え、他の構成を用いることもできる。図７は、エッジ洗浄部移動機構５００として枢動機構を有するエッジ洗浄部２３０を示す図である。図７には第１のローラ２３１のみが示されている。第２のローラ２３２を図７のエッジ洗浄部移動機構５００に接続することも可能である。図７のエッジ洗浄部移動機構５００は、シャフト７００と、シャフト７００を中心に枢動可能なアーム７１０を備える。エッジ洗浄部移動機構５００はアーム７１０を枢動させるためのモータ（図示せず）を備えてよい。第１のローラ２３１はアーム７１０の先端に取り付けられている。一つの例では、シャフト７００の延びる方向は第１のローラ２３１の回転軸の方向と同一である。第１のローラ２３１は図７のエッジ洗浄部移動機構５００により枢動させられ、基板Ｗのエッジ部分に接する。
基板Ｗの洗浄に伴いエッジ洗浄部２３０は汚れていくと考えられる。そこで基板処理装置１００、洗浄モジュール２００および／またはエッジ洗浄部２３０は、エッジ洗浄部２３０のためのクリーナ８００を備えてよい。クリーナ８００のひとつの例を図８に示す。図８のクリーナ８００は石英プレート８１０である。第１のローラ２３１はエッジ洗浄部移動機構５００または他の機構によってクリーナ８００の近傍まで移動させられる。代替として、クリーナ８００が第１のローラ２３１の近傍まで移動させられてもよい。さらな
る代替として、エッジ洗浄部２３０から取り外された第１のローラ２３１が石英プレート８１０の近傍に移動させられてもよい。第１のローラ２３１は石英プレート８１０に押し付けられながら回転させられる。この動作により第１のローラ２３１が洗浄される。
クリーナ８００の他の例を図９に示す。図９のクリーナ８００は、クリーニングのための液体を第１のローラ２３１に向かって噴射するノズル９００である。ノズル９００からの液体の噴射によって第１のローラ２３１がクリーニングされる。
図８および図９では第１のローラ２３１のみが示されている。しかし、クリーナ８００によって第２のローラ２３２がクリーニングされてもよい。クリーナ８００によるエッジ洗浄部２３０のクリーニングは、洗浄モジュール２００のアイドリング（洗浄モジュール２００によって基板Ｗが洗浄されていない状態）の間になされてよい。
エッジ洗浄部２３０の他の例を図１０に示す。図１０のエッジ洗浄部２３０は、ローラ１０００と、ローラ１０００を回転させるためのモータ１０１０と、ローラ１０００を基板Ｗに接触させるためおよびローラ１０００を基板Ｗから引き離すためのエッジ洗浄部移動機構５００と、を備える。エッジ洗浄部移動機構５００はローラ１０００と基板Ｗとの間の押圧力を調整することもできる。ローラ１０００の回転軸の方向は、回転テーブル２１０の基板Ｗを支持する面と垂直な方向である。ローラ１０００の側面が基板Ｗのエッジ部と接触する。後述するようにローラ１０００は軟質で有り得るので、ローラ１０００は基板Ｗの側面のみならず、基板Ｗのベベル部まで洗浄し得る。換言すれば、ローラ１０００は基板Ｗのエッジ部の全体を洗浄し得る。
第１のローラ２３１および第２のローラ２３２に関する構成は、矛盾のない限りローラ１０００にも適用されてよい。たとえば、ローラ１０００の材質は第１のローラ２３１または第２のローラ２３２と同等であってよい。したがって、ローラ１０００は軟質で有り得る。たとえば、第１のローラ２３１と同様に、ローラ１０００の内部から薬液または純水などの液体が供給されてもよい。また、センサ２５０およびクリーナ８００などの各要素は、ローラ１０００の特性と適合するよう最適化されてよい。
モータ１０１０はローラ１０００を回転させる。ローラ１０００の回転数は適宜決定されてよく、たとえば３ｒｐｍであってよい。なお、ローラ１０００の回転数には０ｒｐｍも含む。ローラ１０００の回転方向は適宜決定されてよい。ローラ１０００の回転方向と基板Ｗの回転方向が同一であると、ローラ１０００と基板Ｗとの接触部位では互いが逆向きに移動することとなるので、洗浄力を向上させ得る。一方で、ローラ１０００の回転方向と基板Ｗの回転方向が逆向きであると、ローラ１０００と基板Ｗとの接触部位では互いが同一方向に移動することとなるので、ローラ１０００の摩耗を低減することができる。
図１１はローラ１０００の側面図である。図１１に示されるように、ローラ１０００の側面に基板Ｗのエッジ部の形状と対応する形状の溝１１００が形成されていることが好ましい。溝１１００は、基板Ｗのエッジ部の全体が洗浄されることをより確実にし得る。
基板処理装置１００、洗浄モジュール２００および／またはエッジ洗浄部２３０は、溝１１００をコンディショニングするためのコンディショナ１１１０を備えてよい。コンディショナ１１１０のエッジ部分の形状は基板Ｗのエッジ部分の形状と対応する。コンディショナ１１１０はローラ１０００を削る（研磨する）ことが可能な材質から形成される。コンディショナ１１１０は何らかのモータ（図示なし）などによって回転させられてよい。コンディショナ１１１０と溝１１００が接触した状態でモータ１０１０によりローラ１０００が回転させられることにより、溝１１００の形状がコンディショニングされる。コンディショナ１１１０は溝１１００を削って溝１１００の形状を整えることを目的とする
。一方で、クリーナ８００は対象物を削ることは目的とせず、対象物の汚れを落とすことを目的とする。すなわち、目的においてクリーナ８００とコンディショナ１１１０は異なる。コンディショナ１１１０は、既に存在する溝１１００をコンディショニングするためのみならず、ローラ１０００に新たな溝１１００を形成するために用いられてもよい。コンディショナ１１１０による溝１１００のコンディショニングまたは形成の際には、ノズル（図示なし）などから薬液や純水などの液体が溝１１００またはコンディショナ１１１０に向けて供給されてよい。薬液や純水などの液体はローラ１０００の内部から供給されてもよい。
洗浄モジュール２００はローラ１０００を複数備えてよい。複数のローラ１０００のそれぞれの材質は異なってもよい。たとえば、洗浄モジュール２００は、粗い洗浄のための材質からなる１つのローラ１０００と、精密な洗浄のための材質からなる他のローラ１０００とを備えてよい。その場合、粗い洗浄のためのローラ１０００を、他方のローラ１０００より基板Ｗの回転方向上流に位置させることが好ましい。
エッジ洗浄部２３０のさらなる他の例を図１２に示す。図１２の第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の回転軸の方向は、回転テーブル２１０の基板Ｗを支持する面と垂直な方向である。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２はそれぞれモータ５１０に接続されている。基板Ｗのオモテ面のエッジ部分は第１のローラ２３１の底面によって洗浄される。基板Ｗの裏面のエッジ部分は第２のローラ２３２の頂面によって洗浄される。なお、図１２を見る限りでは基板Ｗの側面が洗浄されないようにも思える。しかし、典型的な基板Ｗは比較的薄く、かつ、典型的な第１のローラ２３１および第２のローラ２３２は軟質である。よって、図１２の構成においても基板Ｗの側面は洗浄され得る。図１２の例では、第１のローラ２３１は第２のローラ２３２の真上に配置されている。これに代え、図３に示されたように、第１のローラ２３１は第２のローラ２３２より回転方向上流に配置されてもよい。
第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の直径はたとえば３０ｍｍであるが、これに限られない。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の材質は第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の材質と同等であってよい。第１のローラ２３１および第２のローラ２３２のそれぞれは、図５と類似のエッジ洗浄部移動機構５００に接続されていてよい。代替として、図７で示されているように、第１のローラ２３１および第２のローラ２３２を枢動させるエッジ洗浄部移動機構５００が用いられてもよい。
第１のローラ２３１および第２のローラ２３２の回転数は任意に決定されてよく、たとえば５００ｒｐｍ以下の回転数とすることができる。第１のローラ２３１と第２のローラ２３２は互いに接触し得るので、第１のローラ２３１と第２のローラ２３２とが摺動して摩耗しないように第１のローラ２３１と第２のローラ２３２の回転数および回転方向を定めることが好ましい。ただし、第１のローラ２３１が第２のローラ２３２の真上に位置しない場合はこの限りでない。
図１３に示されるように、第１のローラ２３１の回転軸または第２のローラ２３２の回転軸は基板Ｗの面に垂直な方向から傾斜していてもよい。ローラの回転軸を傾斜させると、第１のローラ２３１の底面または第２のローラ２３２の頂面が傾いて基板Ｗに接触する。すると、第１のローラ２３１または第２のローラ２３２が基板Ｗのベベル部分に接触しやすくなる。その結果、洗浄モジュール２００の洗浄性能が向上し得る。モータ５１０の傾斜角度θはたとえば０度以上２５度以下であってよい。なお、第１のローラ２３１が第２のローラ２３２の真上に配置されている場合にθを大きくすると、第１のローラ２３１の一部と第２のローラ２３２の一部が強く押し合うこととなる。したがって、θが大きい場合は、第１のローラ２３１は第２のローラ２３２の真上に配置されないことが好ましい
。
薬液または純水などの液体は液体供給機構２４０から供給されてもよく、第１のローラ２３１または第２のローラ２３２の内部に設けられた液体供給路を介して供給されてもよい。センサ２５０やクリーナ８００は図１２の構成に適応するよう最適化されてよい。
図１４に示されるように、石英プレート８１０またはコンディショナ１１１０が第１のローラ２３１および第２のローラ２３２によって上下から挟み込まれるように洗浄モジュール２００が構成されてもよい。石英プレート８１０またはコンディショナ１１１０により、第１のローラ２３１の底面および第２のローラ２３２の頂面が同時に洗われまたは削られる。
以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきた。上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得る。本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせまたは省略が可能である。
本願は、一実施形態として、円形の基板を支持するための回転テーブルであって、基板の直径より小さい直径を有する、回転テーブルと、回転テーブルに支持された基板のオモテ面と接触しながら基板のオモテ面をバフ洗浄するためのバフ洗浄部と、バフ洗浄部を基板に対して移動させるためのバフ洗浄部移動機構と、バフ洗浄部移動機構の動作を制御するバフ洗浄部制御機構と、回転テーブルに支持された基板のエッジ部分と接触しながら基板のエッジ部分を洗浄するためのエッジ洗浄部と、を有する、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、基板の表面のバフ洗浄と基板のエッジ部分の洗浄の双方を可能にするという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、エッジ洗浄部は、基板のオモテ面のエッジ部分を洗浄するための第１のローラと、基板の裏面のエッジ部分を洗浄するための第２のローラと、を備える、洗浄モジュールを開示する。さらに本願は、一実施形態として、第１のローラおよび第２のローラの回転軸の方向がテーブルの基板を支持する面と平行な方向であり、第１のローラの側面が基板のオモテ面のエッジ部分に接触し、第２のローラの側面が基板の裏面のエッジ部分と接触する、洗浄モジュールを開示する。さらに本願は、一実施形態として、第１のローラの回転軸の方向は第１のローラと基板との接触部位における基板の接線の方向であり、第２のローラの回転軸の方向は第２のローラと基板との接触部位における基板の接線の方向である、洗浄モジュールを開示する。さらに本願は、一実施形態として、第１のローラおよび第２のローラの回転軸の方向がテーブルの基板を支持する面と垂直な方向から０度以上２５度以下傾いている方向であり、第１のローラの底面が基板のオモテ面のエッジ部分と接触し、第２のローラの頂面が基板の裏面のエッジ部分と接触する、洗浄モジュールを開示する。さらに本願は、一実施形態として、エッジ洗浄部はローラを備え、ローラの回転軸の方向がテーブルの基板を支持する面と垂直な方向であり、ローラの側面が基板のエッジ部分と接触する、洗浄モジュールを開示する。
以上の開示内容により、エッジ洗浄部の詳細が明らかにされる。
さらに本願は、一実施形態として、第１のローラの回転方向は基板を径方向内側にスイープする方向である、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、基板の側面をよりよく洗浄できるという効果を一例として奏する。なお、ローラから跳ね飛んだ液体はバフ洗浄されるため、跳ね飛んだ液体が基板に与える影響は少ない。
さらに本願は、一実施形態として、第１のローラの回転方向を、基板を径方向内側にスイープする方向と、基板を径方向外側にスイープする方向と、の間で切り換え可能な、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、必要に応じてローラの回転方向を適切に決定できるという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、第１のローラは第２のローラの真上に位置する、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、基板をローラにより挟み込むことによって基板をよりよく洗浄できるという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、第１のローラは第２のローラよりも基板の回転方向上流に位置する、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、第１のローラおよび基板のオモテ面（のエッジ部分）を清潔に保つことができるという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、ローラは基板のエッジ部の形状に対応した形状の溝を側面に備える、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、基板のエッジ部分が洗浄されることを確実にし得るという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、洗浄モジュールは溝の形状をコンディショニングするためのコンディショナを備える、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、ローラ側面の溝の形状を一定に保つことができるという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、エッジ洗浄部の少なくとも一部を移動させるためのエッジ洗浄部移動機構を備える、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、エッジ洗浄部による洗浄のオンオフを切り替えることおよび／またはエッジ洗浄部と基板との間の押圧力を調整することができるという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、洗浄モジュールは、エッジ洗浄部制御機構と、基板のエッジ部の位置および／またはエッジ洗浄部と基板との間の押圧力を検知するセンサと、を備え、エッジ洗浄部制御機構は、基板の位置のずれおよび／またはエッジ洗浄部と基板との間の押圧力の変化を補償するよう、センサの出力に基づいてエッジ洗浄部移動機構の動作を制御する、洗浄モジュールを開示する。
この洗浄モジュールは、エッジ洗浄部の均一な洗浄を可能にするという効果を一例とし
て奏する。
さらに本願は、一実施形態として、基板を研磨するための研磨部と、本願に開示される洗浄モジュールと、研磨部と洗浄モジュールとの間で基板を搬送するための搬送機構と、を備える、基板処理装置を開示する。
この開示内容により、本願に開示される洗浄モジュールの適用される装置が明らかになる。
さらに本願は、一実施形態として、洗浄モジュールにおいてローラの側面に溝を形成する方法であって、基板のエッジ部の形状に対応した形状のコンディショナによってローラの側面を削ることを含む、方法を開示する。
この開示内容により、ローラに新たな溝を設ける方法が説明される。
１００…基板処理装置
１１０…ロード・アンロード部
１１１…ＦＯＵＰ
１１２…搬送ロボット
１２０…研磨部
１２１…第１の研磨装置
１２２…第２の研磨装置
１２３…第３の研磨装置
１２４…第４の研磨装置
１３０…ウエハステーション
１４０…基板搬送ユニット
１５０…基板洗浄部
１５１…第１の洗浄モジュール
１５２…第２の洗浄モジュール
１５３…第３の洗浄モジュール
１５４…第１の洗浄部搬送ロボット
１５５…第２の洗浄部搬送ロボット
１６０、２６０…制御部
２００…洗浄モジュール
２１０…回転テーブル
２２０…バフ洗浄部
２２１…バフヘッド
２２２…アーム
２２３…シャフト
２２４ …バフ洗浄部移動機構
２３０…エッジ洗浄部
２３１…第１のローラ
２３２…第２のローラ
２４０…液体供給機構
２５０…センサ
４００…溝
５００ …エッジ洗浄部移動機構
５１０…モータ
５２０…第１の移動機構
５３０…第２の移動機構
７００…シャフト
７１０…アーム
８００…クリーナ
８１０…石英プレート
９００…ノズル
１０００…ローラ
１０１０…モータ
１１００…溝
１１１０…コンディショナ
Ｗ…基板

Claims (15)

  1. 円形の基板を支持するための回転テーブルであって、前記基板の直径より小さい直径を有する、回転テーブルと、
    前記回転テーブルに支持された前記基板のオモテ面と接触しながら前記基板のオモテ面をバフ洗浄するためのバフ洗浄部と、
    前記バフ洗浄部を前記基板に対して移動させるためのバフ洗浄部移動機構と、
    前記バフ洗浄部移動機構の動作を制御するバフ洗浄部制御機構と、
    前記回転テーブルに支持された前記基板のエッジ部分と接触しながら前記基板のエッジ部分を洗浄するためのエッジ洗浄部と、
    を有し、
    前記エッジ洗浄部は、
    前記基板のオモテ面のエッジ部分を洗浄するための第１のローラと、
    前記基板の裏面のエッジ部分を洗浄するための第２のローラと、
    を備え、
    前記第１のローラおよび前記第２のローラの回転軸の方向が前記回転テーブルの前記基板を支持する面と平行な方向であり、前記第１のローラの側面が前記基板のオモテ面のエッジ部分に接触し、前記第２のローラの側面が前記基板の裏面のエッジ部分と接触し、
    前記第１のローラの回転軸の方向は前記第１のローラと前記基板との接触部位における前記基板の接線の方向であり、前記第２のローラの回転軸の方向は前記第２のローラと前記基板との接触部位における前記基板の接線の方向であり、
    前記第１のローラの回転方向を、前記基板を径方向内側にスイープする方向と、前記基板を径方向外側にスイープする方向と、の間で切り換え可能である、
    洗浄モジュール。
  2. 前記第１のローラは前記第２のローラの真上に位置する、請求項１に記載の洗浄モジュール。
  3. 前記第１のローラは前記第２のローラよりも基板の回転方向上流に位置する、
    請求項１に記載の洗浄モジュール。
  4. 円形の基板を支持するための回転テーブルであって、前記基板の直径より小さい直径を有する、回転テーブルと、
    前記回転テーブルに支持された前記基板のオモテ面と接触しながら前記基板のオモテ面をバフ洗浄するためのバフ洗浄部と、
    前記バフ洗浄部を前記基板に対して移動させるためのバフ洗浄部移動機構と、
    前記バフ洗浄部移動機構の動作を制御するバフ洗浄部制御機構と、
    前記回転テーブルに支持された前記基板のエッジ部分と接触しながら前記基板のエッジ部分を洗浄するためのエッジ洗浄部と、
    を有し、
    前記エッジ洗浄部は、
    前記基板のオモテ面のエッジ部分を洗浄するための第１のローラと、
    前記基板の裏面のエッジ部分を洗浄するための第２のローラと、
    を備え、
    前記第１のローラは前記第２のローラよりも基板の回転方向上流に位置し、
    前記第１のローラおよび前記第２のローラのそれぞれの回転軸は、基板のオモテ面および裏面に平行である、
    洗浄モジュール。
  5. 円形の基板を支持するための回転テーブルであって、前記基板の直径より小さい直径を有する、回転テーブルと、
    前記回転テーブルに支持された前記基板のオモテ面と接触しながら前記基板のオモテ面をバフ洗浄するためのバフ洗浄部と、
    前記バフ洗浄部を前記基板に対して移動させるためのバフ洗浄部移動機構と、
    前記バフ洗浄部移動機構の動作を制御するバフ洗浄部制御機構と、
    前記回転テーブルに支持された前記基板のエッジ部分と接触しながら前記基板のエッジ部分を洗浄するためのエッジ洗浄部と、
    を有する洗浄モジュールであって、
    前記エッジ洗浄部の少なくとも一部を移動させるためのエッジ洗浄部移動機構を備え、
    前記洗浄モジュールは、
    エッジ洗浄部制御機構と、
    前記基板のエッジ部の位置および／または前記エッジ洗浄部と前記基板との間の押圧力を検知するセンサと、
    を備え、
    前記エッジ洗浄部制御機構は、前記基板の位置のずれおよび／または前記エッジ洗浄部と前記基板との間の押圧力の変化を補償するよう、前記センサの出力に基づいて前記エッジ洗浄部移動機構の動作を制御する、
    洗浄モジュール。
  6. 前記エッジ洗浄部は、
    前記基板のオモテ面のエッジ部分を洗浄するための第１のローラと、
    前記基板の裏面のエッジ部分を洗浄するための第２のローラと、
    を備える、請求項５に記載の洗浄モジュール。
  7. 前記第１のローラおよび前記第２のローラの回転軸の方向が前記回転テーブルの前記基板を支持する面と平行な方向であり、前記第１のローラの側面が前記基板のオモテ面のエッジ部分に接触し、前記第２のローラの側面が前記基板の裏面のエッジ部分と接触し、
    前記第１のローラの回転軸の方向は前記第１のローラと前記基板との接触部位における
    前記基板の接線の方向であり、前記第２のローラの回転軸の方向は前記第２のローラと前記基板との接触部位における前記基板の接線の方向であり、
    前記第１のローラの回転方向を、前記基板を径方向内側にスイープする方向と、前記基板を径方向外側にスイープする方向と、の間で切り換え可能である、
    請求項６に記載の洗浄モジュール。
  8. 前記第１のローラおよび前記第２のローラの回転軸の方向が前記回転テーブルの前記基板を支持する面と垂直な方向から０度以上２５度以下傾いている方向であり、前記第１のローラの底面が前記基板のオモテ面のエッジ部分と接触し、前記第２のローラの頂面が前記基板の裏面のエッジ部分と接触する、請求項６に記載の洗浄モジュール。
  9. 前記第１のローラは前記第２のローラの真上に位置する、請求項６から８のいずれか一項に記載の洗浄モジュール。
  10. 前記第１のローラは前記第２のローラよりも基板の回転方向上流に位置し、
    前記第１のローラおよび前記第２のローラのそれぞれの回転軸は、基板のオモテ面および裏面に平行である、請求項６または７に記載の洗浄モジュール。
  11. 前記エッジ洗浄部はローラを備え、前記ローラの回転軸の方向が前記回転テーブルの前記基板を支持する面と垂直な方向であり、前記ローラの側面が前記基板のエッジ部分と接触する、請求項５に記載の洗浄モジュール。
  12. 前記ローラは前記基板のエッジ部の形状に対応した形状の溝を側面に備える、請求項１１に記載の洗浄モジュール。
  13. 前記洗浄モジュールは前記溝の形状をコンディショニングするためのコンディショナを備える、請求項１２に記載の洗浄モジュール。
  14. 前記洗浄モジュールは、
    前記エッジ洗浄部の少なくとも一部を移動させるためのエッジ洗浄部移動機構と、
    エッジ洗浄部制御機構と、
    前記基板のエッジ部の位置および／または前記エッジ洗浄部と前記基板との間の押圧力を検知するセンサと、
    を備え、
    前記エッジ洗浄部制御機構は、基板から離れた位置で、前記第１のローラおよび前記第２のローラを互いに接触するまで移動させ、前記第１のローラと前記第２のローラとの間の押圧力を測定し、前記第１のローラと前記第２のローラとの間の押圧力から前記エッジ洗浄部と基板との間の押圧力を算出し、前記エッジ洗浄部と基板との間の押圧力が所望の値となるように前記第１のローラおよび前記第２のローラの位置を前記エッジ洗浄部移動機構により調整し、前記エッジ洗浄部と基板との間の押圧力が所望の値となることが算出されたら前記第１のローラおよび前記第２のローラを基板に向かって移動させ、前記第１のローラおよび前記第２のローラを基板に接触させて基板のエッジ部分の洗浄を開始する、ように前記エッジ洗浄部移動機構を制御する、請求項１から４のいずれか一項に記載の洗浄モジュール。
  15. 基板を研磨するための研磨部と、
    請求項１から１４のいずれか一項に記載の洗浄モジュールと、
    前記研磨部と前記洗浄モジュールとの間で基板を搬送するための搬送機構と、
    を備える、基板処理装置。
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