CN1310657A - 化学－机械抛光垫的修整装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个实施例涉及一种化学－机械抛光中垫的修整装置。入口(130)的形状和位置做成可接纳加工工质。与入口(130)相连的是一个分配表面(140),其形状和位置做成使加工工质得以分散开。与分配表面相连的是一些出口(110),其形状和位置做成能将加工工质分送到化学－机械抛光垫上。采用这种实施装置的好处是能提高垫的清洁度,使稀浆更好地散开,改善晶片的质量,并提升生产速度。

Description

化学-机械抛光垫的修整装置及方法
发明领域
本发明总的说与半导体器件及其制造有关，更具体地说，是与半导体器件及对它们在制造中涉及化学-机械抛光(以下用其英文缩称CMP代之)的工具有关。
发明背景
电子工业需要依靠提高半导体制造技术来提高器件的性能并同时改善其可靠性，降低成本。对于很多应用场合，这些器件的制造是很复杂的，因而既想使制造成本低廉又要保持甚至提高产品质量是很难做到的。对器件性能和成本的要求越高，就越难找到一种合适的制造方法。
半导体器件越复杂还会导致器件表面不平整，特别当要对多层交界处添加新的层面以及电路尺寸小到亚微米量级时，这种情况就更为严重。一般来说，器件中的每一层都要刻上图形，使得表面形成不同的“台阶高度”，构成图形的金属就留在表面的这些台阶处。
平面化是一个用来描述半导体器件表面几何形状的术语。只有当介质表面是平的，好象处在一个平面内，才算是完全的平面化。当介质表面完全模仿下面一层金属图形的“阶梯高度”表面时，就不可能实现平面化。平面化程度是指不同的表面几何形状被“平面化”或被弄成一个平面的程度。通常都不希望表面几何形状有变化。因而，当器件内要加进新的层时，对平面化程度的要求就增加了。
在半导体器件制造中常用的一种新平面化工艺是化学-机械抛光，或CMP。CMP可用于不同制造工艺过程中硅晶片及大规模集成电路的平面化。CMP是一种使用很广的平面化方法，其中一个原因是因为它能用于半导体器件的整体平面化。传统的平面化工艺仅限于实现局部平面化，或对一个小范围的形貌变化起作用，而CMP则常可用于10微米以上的大范围的平面化。
在一种应用中，CMP工艺要求将半导体晶片固定在一个片托上，晶片是面朝下地放在抛光垫上。抛光垫和晶片都旋转。在抛光过程中要加入一种稀浆，一般是一种胶体硅石，即二氧化硅颗粒的悬浮液。颗粒尺寸通常在100埃至3微米的范围。通常用一根棒将稀浆送到托片和抛光垫上。材料从晶片排出的速率与化学和机械速率的组合有关。机械排出速率大体上与压力和晶片的相对速度成比例。化学排出速率与稀浆颗粒的大小及溶液的pH值有关，一般当稀浆的pH值为11.5左右时排出速率最大。
在CMP工艺中除使用稀浆外，通常还要用一种修整剂来修整抛光垫。这种修整剂对CMP工艺有所帮助，而且能延长垫的寿命。在CMP工艺中还需要使垫和晶片本身得以适当而有效的清洁。在净化间的环境下，使CMP工艺产生的污染物尽可能少是很重要的。由于稀浆的尺寸在3微米以下，要清理干净是很难的，因此这一点非常重要。此外，防止每块晶片抛光时产生的副产品累积在抛光垫上及跑到别的晶片上也很有帮助。
修整抛光垫和分散稀浆的传统方法是采用两个分离的机械元件：一根稀浆搅散棒和一个垫子修整组件。采用两个分离元件有一些缺陷。例如，稀浆不能均匀分散到垫子上，而且可能聚积在垫子的修整头内。稀浆分布不均对抛光过程有害。另外，反应所产生的副产品无法从垫上完全排出。当一次加工一块以上的晶片时，如果垫子不清洁，会使一块晶片产生的反应副产品和其它材料同别的晶片相接触。这些缺陷可能导致长弧形划痕，浅的微小划痕，芯片间厚度不一，及残留稀浆颗粒等现象。由于在浅划痕区和周围的残留稀浆颗粒中可能出现断续的金属线等原因，这些缺陷最终将使成品率大幅度下降，而且会影响可靠性。
发明概要
本发明涉及改善化学-机械抛光工艺的方法和器具，包括(但不限于)强化垫子的清洁和修整，让稀浆更好地散开，改善基片的质量，以及提高生产速度。本发明举出了几个具体的实施和应用例，下面对其中几个实例作扼要说明。
根据一个实施例，本发明包含一个CMP垫的修整装置。该装置包括一个为接纳加工材料的入口。与入口相接的是一个分配表面，其形状和位置做成可使加工工质均匀散开。有几个出口与分配表面相接，出口的形状和位置做成使得加工工质分散在CMP垫上。
根据另一个实施例，本发明涉及一种CMP抛光机。该机器包括上段谈到的垫子修整装置。
本发明的再一个实施例涉及CMP垫的修整装置。该装置包括接纳加工工质的装置，分配加工工质的装置，和修整垫子的装置。
本发明还有一个实施例是关于修整CMP垫的方法，所采用的修整器具包含一个入口，一个与入口相接的分配表面，以及几个出口。加工工质经过入口进入该器具中。加工工质经分配表面和几个出口分散在CMP垫上。
上面的扼要说明并未描述本发明的每一个实施例。下面的附图和详细说明将会详细阐述这些例子。
附图简要说明
下面结合附图所作的详细描述可使我们对本发明有一个更完整的了解，附图中：
图1是本发明一个实施例中第一种CMP垫的修整装置的顶视和侧视图；
图2是本发明另一个实施例中第二种CMP垫的修整装置的顶视和侧视图；
图3是本发明再一个实施例中第三种CMP垫的修整装置的顶视和侧视图。
虽然本发明对于各种改型和变化都适用，但下面我们只通过附图的实例对发明的细节作详细说明。不过应该明白，本发明并不只局限于所述的几个特殊实例。恰恰相反，本发明将包括属于如后面的权利要求书所确定的发明思想和范围的所有改型、等同物和替换物。
    详细描述
本发明的一个实施例涉及到一种用于化学-机械抛光(CMP)工艺的装置。该装置具有接纳、分散和派送加工工质以及修整CMP垫的能力。另外，该装置还具有旋转能力。对垫的修整包括清除附着物、使垫子变粗糙或用在CMP工艺中的其它准备事项。装置包含一个接入加工工质的入口。与入口相接的是一个分配表面，其形状和位置做成可使加工工质分散开来。有几个出口和分配表面相接，其形状和位置做成可使加工工质散布在CMP垫上。
图1是本发明一个实施例中用于CMP工艺的一种CMP垫修整装置100的顶视和侧视图。进料口130的形状和位置做成可将加工工质送至垫子修整头140中。修整头140上有一些小孔110，用来将加工工质散布在要修整的表面上。有一些刷子120和修整头140相连。这些刷子可以用耐化学腐蚀的材料(如塑料或聚四氟乙烯)来做。对于那些加工工质中含有与不耐化学腐蚀的刷子材料起反应的应用场合，特别需要采用耐化学腐蚀的刷子。
本发明的另一个实施例提供一种修整CMP垫的方法。再参见图1，进料口130与垫子修整头140相连。加工工质经过进料口130进入垫子修整头140。加工工质可以是pH值范围从强碱性至强酸性的化学制剂，或者去离子(DI)水一类的溶液。加工工质进入头140后经过各小孔110分散开。众刷子120和垫子修整头140相连并同一个CMP垫相接触。加工工质分散在CMP垫上，对垫进行修整。对CMP垫的修整还包括将垫子修整头140进行旋转(例如绕其中心旋转)等。
图2是本发明另一个实施例中用于CMP工艺的CMP垫修整装置200的顶视和侧视图。进料口230的形状和位置做成可将加工工质送至垫修整头240。垫修整头240含有一些小孔210，用来将加工工质分散在要修整的表面上。与垫修整头240相连的是一个网格状装置220。此网格状装置可包括金刚石或镀镍的化学气相沉积(CVD)金刚石一类的材料。
根据本发明的另外一个实施例，提供了一种修整CMP垫的方法。参看图2，进料口230与垫修整头240相连。加工工质通过进料口230送入垫修整头240。加工工质被送进头240并经各小孔210分散开。网格装置220与垫修整头240相接并与CMP垫相接触。加工工质分散在CMP垫上，对CMP垫进行修整。对CMP垫的修整还包括将垫修整头240绕其中心旋转等，方法是采用一个与进料口230(或130)外壳相连的电机/轴装置(图中未示)。
图3是本发明另一个实施例中用来在CMP工艺中清洁垫子的CMP垫修整装置300的顶视和侧视图。加工工质进料口350和360的形状和位置做成可将工质送到进料口330。而进料口330的形状和位置做成可将加工工质送至垫修整头340。垫修整头340包含许多小孔310，用来将加工工质分散到要修整的表面上。有一些刷子320与垫修整头340相接。
根据本发明的另一个实施例，提供了一种修整CMP垫的方法。参看图3，加工工质进料口350和360与进料口330相连。进料口330则与垫修整头340相连。加工工质经过进料口330送至垫修整头340。加工工质在头340中被分散，并经过许多孔310分配出去。刷子320与垫修整头340相连并与修整垫相接触。加工工质分散到CMP垫上，对CMP垫进行修整。对CMP垫的修整也包括将垫修整头340绕其中心加以旋转等。
加工工质进料口350和360可用来进给几种不同的工质。例如，一个进料口用来进给化学制剂，另一个进料口用来进给去离子水。在一种实施例中，将垫修整装置300与金属抛光工艺一起使用，这时化学制剂进料口进给一种低pH值的化学制剂。在另一个实施例中，将垫修整装置300与氧化物抛光工艺一起使用，这时化学制剂进料口进给一种高pH值的化学制剂，例如pH值为11.5左右的化学制剂。
本发明领域的技术人员可看出，以上讨论的实施例可通过对市售的设备的改装而实现。这种设备的例子如MIRRA和6DS SP，它们分别是Applied Material公司和Strausbough公司的产品。
虽然我们是通过几个特殊的实施例来对本发明进行描述，业内人士明白，可以对它们作许多修改。例如，上述实施例中的许多特征可以结合起来用到一个修整装置及(或)修整工艺中。这样的修改并不超出下面权利要求书中所阐明的本发明的思想和范围。

Claims (10)

1．一种化学-机械抛光(CMP)垫修整装置，包括：
至少一个接纳加工工质的入口；
一个与入口相接的分配表面，其形状和位置做得能将加工工质分散开；
一些与分配表面相接的出口，其形状和位置做成能将加工工质分配到CMP垫上。
2．按权利要求1所述的CMP垫修整装置，还包含一个刷子装置。
3．按权利要求2所述的CMP垫修整装置，其中刷子装置是用聚四氟乙烯做的。
4．按权利要求2所述的CMP垫修整装置，其中刷子装置是用塑料和金属中至少一种材料做的。
5．按权利要求2所述的CMP垫修整装置，其中刷子装置是化学性能不活泼的。
6．按权利要求2所述的CMP垫修整装置，其中刷子装置不与pH值为11.5的溶液起化学作用。
7．按权利要求1所述的CMP垫修整装置，还包含一个网格装置。
8．如权利要求7所述的CMP垫修整装置，其中网格装置包含一种金刚石材料。
9．如权利要求7所述的CMP垫修整装置，其中网格装置是由镍和聚四氟乙烯中至少一种材料制成。
10．如权利要求1所述的CMP垫修整装置，还包含一个旋转机构，其形状做成可将分配表面转动。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100439040C (zh) * 2004-09-02 2008-12-03 上海宏力半导体制造有限公司 抛光整理器
CN102310359A (zh) * 2010-07-01 2012-01-11 本田技研工业株式会社 金属环研磨装置以及金属环研磨方法
CN103192325A (zh) * 2013-04-10 2013-07-10 大连理工大学 一种内冷却固结磨料研磨盘
CN103639902A (zh) * 2013-11-17 2014-03-19 董朝新 一种用于平面磨床砂轮的分流板式弓形喷头的使用方法
CN104690648A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 天津中环领先材料技术有限公司 一种有蜡抛光的抛光垫专用刷子
CN107403362A (zh) * 2017-07-25 2017-11-28 浙江聚励云机械科技有限公司 工程设备平板车服务系统及方法
CN110170920A (zh) * 2014-08-26 2019-08-27 株式会社荏原制作所 修正部、抛光处理组件、基板处理装置及修整冲洗方法
CN110625517A (zh) * 2019-07-29 2019-12-31 华灿光电（浙江）有限公司 衬底平整度检测仪的修复装置和方法
CN110799304A (zh) * 2017-06-30 2020-02-14 依视路国际公司 清洁在用于研磨眼科镜片的机器中的研磨表面的施加装置和方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001347450A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Promos Technologies Inc 化学機械研磨装置
JP3797861B2 (ja) * 2000-09-27 2006-07-19 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6508697B1 (en) * 2001-07-16 2003-01-21 Robert Lyle Benner Polishing pad conditioning system
TW544374B (en) * 2002-08-23 2003-08-01 Macronix Int Co Ltd Conditioner of chemical-mechanical polishing station
DE10322496B4 (de) * 2003-05-18 2006-08-24 Susanne Schiegerl Vorrichtung zur automatischen Reinigung und Konditionierung von bei Polierprozessen eingesetzten Poliertüchern
US7052371B2 (en) * 2003-05-29 2006-05-30 Tbw Industries Inc. Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk
CN1914004B (zh) * 2004-01-26 2010-06-02 Tbw工业有限公司 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整方法
JP2009500182A (ja) * 2005-07-09 2009-01-08 ティービーダブリュ インダストリーズ インク． Ｃｍｐパッドコンディショニング用に改良されたエンドエフェクタアーム装置
US20070087672A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Tbw Industries, Inc. Apertured conditioning brush for chemical mechanical planarization systems
KR101674058B1 (ko) * 2010-10-05 2016-11-09 삼성전자 주식회사 패드 컨디셔닝 디스크, 및 프리 컨디셔너 유닛을 포함하는 ｃｍｐ 장치
TWI568538B (zh) * 2013-03-15 2017-02-01 中國砂輪企業股份有限公司 化學機械硏磨修整器及其製法
US10293462B2 (en) * 2013-07-23 2019-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad conditioner and method of reconditioning planarization pad
CN106272075B (zh) * 2015-05-22 2019-05-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨垫修整装置及研磨垫修整方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041799A (en) * 1959-12-31 1962-07-03 Besly Welles Corp Abrasive disc and coolant arrangement
US3074088A (en) * 1960-12-01 1963-01-22 Walter O Williams Power brushes for washing automobiles and the like
FR2580974B1 (fr) * 1985-04-26 1989-05-19 Lam Plan Sa Dispositif et procede de polissage
BE1001701A3 (fr) * 1988-05-30 1990-02-13 Diamant Boart Sa Meule a boisseau et utilisation de celle-ci pour le meulage et le polissage mecaniques du verre.
FR2633860A1 (fr) * 1988-07-08 1990-01-12 Premines Sa Plateau support tournant pour abrasif a l'eau
DE69317838T2 (de) * 1992-09-24 1998-11-12 Ebara Corp Poliergerät
US5607718A (en) * 1993-03-26 1997-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing method and polishing apparatus
IT231237Y1 (it) * 1993-04-26 1999-08-02 Camfart Srl Mola abrasiva con fori di aereazione
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
JP3036348B2 (ja) * 1994-03-23 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置
JP3734289B2 (ja) * 1995-01-24 2006-01-11 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US5667433A (en) * 1995-06-07 1997-09-16 Lsi Logic Corporation Keyed end effector for CMP pad conditioner
US5616069A (en) * 1995-12-19 1997-04-01 Micron Technology, Inc. Directional spray pad scrubber
US5664990A (en) * 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
US5868608A (en) * 1996-08-13 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus
US5885147A (en) * 1997-05-12 1999-03-23 Integrated Process Equipment Corp. Apparatus for conditioning polishing pads
US6030487A (en) * 1997-06-19 2000-02-29 International Business Machines Corporation Wafer carrier assembly
US6139406A (en) * 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US5916010A (en) * 1997-10-30 1999-06-29 International Business Machines Corporation CMP pad maintenance apparatus and method
JPH11165266A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Toshiba Corp 研磨パッド

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100439040C (zh) * 2004-09-02 2008-12-03 上海宏力半导体制造有限公司 抛光整理器
CN102310359A (zh) * 2010-07-01 2012-01-11 本田技研工业株式会社 金属环研磨装置以及金属环研磨方法
CN102310359B (zh) * 2010-07-01 2014-08-20 本田技研工业株式会社 金属环研磨装置以及金属环研磨方法
CN103192325A (zh) * 2013-04-10 2013-07-10 大连理工大学 一种内冷却固结磨料研磨盘
CN103639902A (zh) * 2013-11-17 2014-03-19 董朝新 一种用于平面磨床砂轮的分流板式弓形喷头的使用方法
CN104690648A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 天津中环领先材料技术有限公司 一种有蜡抛光的抛光垫专用刷子
CN110170920A (zh) * 2014-08-26 2019-08-27 株式会社荏原制作所 修正部、抛光处理组件、基板处理装置及修整冲洗方法
CN110799304A (zh) * 2017-06-30 2020-02-14 依视路国际公司 清洁在用于研磨眼科镜片的机器中的研磨表面的施加装置和方法
CN110799304B (zh) * 2017-06-30 2021-08-27 依视路国际公司 清洁在用于研磨眼科镜片的机器中的研磨表面的施加装置和方法
CN107403362A (zh) * 2017-07-25 2017-11-28 浙江聚励云机械科技有限公司 工程设备平板车服务系统及方法
CN110625517A (zh) * 2019-07-29 2019-12-31 华灿光电（浙江）有限公司 衬底平整度检测仪的修复装置和方法

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