JP2011517111A - ボイドネットワークを有する化学機械的平坦化パッド - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は概して化学機械的平坦化(CPM)パッド、特にパッドマトリクス内にボイド(void)のネットワークを含むCMPパッドに関する。該ボイドに関し、ポリマーマトリクス中に分散した複数の要素をパッドに供給し、該要素を取り除いて、対応するボイドが設けられても良い。
[背景]
CMP(化学機械的平坦化)を、半導体ウェハー、ブランケットシリコンウェハーおよびコンピュータのハードディスクなどの超小型電子機器の製造における加工段階として適用するにあたり、研磨パッドは、研磨剤を含んだあるいは研磨剤を含まないスラリーと共に使用されて、装置の表面が平坦化されてもよい。一般にはオングストロームのオーダーで測定されるが、装置の表面の平坦化を高いレベルで実現するためには、スラリーの流れが装置の表面とパッドとの間で均一に分散される必要がある。このようなスラリーの均一な分散を促進するために、研磨パッドに複数の溝あるいはくぼみ構造を設けてもよい。該複数の溝は、個々に0.010インチから0.050インチの溝幅、0.010インチから0.080インチの深さを有し、隣接する溝との間で0.12インチから0.25インチの間隔をそれぞれ有していてもよい。
[概要]
本開示の一側面は、研磨パッドを作製する方法に関する。該方法は、第1の空洞と第2の空洞とを有する金型を用意するステップを含み、該第1の空洞は凹部を画定する。ボイド形成要素を含むポリマーマトリクス材料は、該凹部に供給されてもよい。研磨パッドが形成され、化学的/機械的平坦化工程で使用される前に、化学的方法あるいは機械的方法のどちらか一方によって、該要素の少なくとも一部が研磨パッドから取り除かれ、ボイドスペースが研磨パッド内に形成されてもよい。
本開示は以下に記述された説明、あるいは図の中において示された構成の詳細および構成要素の配置への応用において限定されるものではないということは理解されるべきである。本明細書中における実施例は他の実施例を可能にしており、様々な様態で実行あるいは実施が可能である。また、本明細書中で使用される表現及び用語は説明の目的で使用されているものであって、限定するものであるとみなされるべきではないということは理解されるべきである。本明細書中における「含む(including)」、「備える(comprising)」あるいは「有する(having)」、およびこれらの語尾変化形態は、その語の後に挙げられた事項またはそれと同等のもの、および付加的な事項を含むということを意味する。別段の限定がない限り、本明細書中の「接続された(connected)」「連結された(coupled)」および「取り付けられた(mounted)」という語およびその語尾変化形態は広義に使われており、直接的および間接的な接続、連結、および取り付けを含んでいる。また、「接続された(connected)」および「連結された(coupled)」という語およびその語尾変化形態は、物理的あるいは機械的な接続あるいは連結に限定されない。
Claims (26)
- 研磨パッドを作製する方法であって、
第1の空洞と第2の空洞とを有する金型を用意するステップであり、前記第1の空洞は凹部を画定するステップと、
ボイド形成要素を含むポリマーマトリクス材料を前記凹部に供給するステップと、
研磨パッドを形成し、化学的/機械的平坦化工程で使用される前に、化学的な方法あるいは機械的な方法の一方によって、前記要素の少なくとも一部を前記研磨パッドから取り除いて前記研磨パッド内にボイドスペースを形成するステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記ポリマーマトリクス材料は、ポリマーマトリクス前駆体を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記要素の少なくとも一部を取り除くステップは、前記要素を溶解させることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記要素は圧力をかけられて取り除かれることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記要素は粒子を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記要素は繊維を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記要素はファブリックを備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記要素は水溶性材料を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記要素は中空繊維から形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ボイドスペースは0.1μmあるいはそれより大きな直径を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ボイドスペース同士は少なくとも部分的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ボイドスペースは4:1あるいはそれより大きな長さ対直径の割合を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- CMPパッドにおけるボイド体積は、パッドの全体積の0.1から95%の範囲であり得ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 化学的/機械的平坦化工程で使用される前とは、研磨スラリーにさらす前ということを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 研磨のための装置であって、
ポリマーマトリクスを有するパッドを備え、前記ポリマーマトリクス内には複数のボイドが画定され、前記ボイドは4:1あるいはそれより大きな長さ対直径の割合を有し、前記ボイドは少なくとも部分的に相互接続されていることを特徴とする装置。 - 前記ボイドの体積は、パッドの全体積の0.1から90%の範囲であることを特徴とする請求項15に記載の研磨のための装置。
- さらに要素を備えることを特徴とする請求項15に記載の研磨のための装置。
- 前記ボイドは、前記パッドの体積全体にわたって比較的均一に分散されていることを特徴とする請求項15に記載の研磨のための装置。
- 前記ボイドは、前記パッドの体積全体にわたって傾斜した状態で分散していることを特徴とする請求項15に記載の研磨のための装置。
- 研磨の方法であって、
表面を有する基板であって研磨のための基板を用意するステップと、
前記基板の前記表面の少なくとも一部に水性のスラリーを供給するステップと、
ポリマーマトリクスを有するパッドを用意するステップであって、前記ポリマーマトリクス内には複数のボイドが画定され、前記ボイドは4:1あるいはそれより大きな長さ対直径の割合を有し、前記ボイドは少なくとも部分的に相互接続されているステップと、
前記基板、前記水性スラリーおよび前記パッドの相互作用により、前記表面を研磨するステップと、
を備えた方法。 - 電子基板の表面を研磨するための研磨パッドであって、
ボイドを含むポリマーマトリクスを備え、前記パッドは作業面を研磨するための第1の作業面と第2の面とを有し、
前記パッドは前記作業面から前記第2の面まで延出する厚さTを有し、
前記ボイドは前記パッド面から厚さ0.95(T)までの領域にのみ配置されていることを特徴とする研磨パッド。 - 前記ボイドは4:1あるいはそれより大きな長さ対直径の割合を有し、前記ボイドは少なくとも部分的に相互接続されていることを特徴とする請求項21に記載の研磨パッド。
- 前記ボイドは前記パッド面から厚さ0.50(T)までの領域にのみ配置されていることを特徴とする請求項21に記載の研磨パッド。
- 前記ボイドは0.1μmあるいはそれより大きな直径を有することを特徴とする請求項21に記載の研磨パッド。
- 前記ボイドは前記ボイドが配置されている領域において均一に分散されていることを特徴とする請求項21に記載の研磨パッド。
- 電子基板の表面を研磨するための研磨パッドであって、
ボイドを含むポリマーマトリクスを備え、当該パッドは作業面を研磨するための第1の作業面と第2の面とを有し、
当該パッドは前記作業面から前記第2の面まで延出する厚さTを有し、
当該研磨パッドは、前記ボイドが均一に分散されている領域と、前記ボイドが存在しない領域とを含み、前記ボイドが存在しない前記領域は当該パッドの体積の少なくとも5.0%を占めることを特徴とする研磨パッド。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4421008P | 2008-04-11 | 2008-04-11 | |
US61/044,210 | 2008-04-11 | ||
PCT/US2008/072144 WO2009126171A1 (en) | 2008-04-11 | 2008-08-04 | Chemical mechanical planarization pad with void network |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011517111A true JP2011517111A (ja) | 2011-05-26 |
Family
ID=41162142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011503960A Pending JP2011517111A (ja) | 2008-04-11 | 2008-08-04 | ボイドネットワークを有する化学機械的平坦化パッド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8684794B2 (ja) |
EP (1) | EP2274136A4 (ja) |
JP (1) | JP2011517111A (ja) |
KR (1) | KR101592435B1 (ja) |
CN (1) | CN102015212A (ja) |
WO (1) | WO2009126171A1 (ja) |
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- 2008-08-04 CN CN2008801286704A patent/CN102015212A/zh active Pending
- 2008-08-04 EP EP08797147.9A patent/EP2274136A4/en not_active Withdrawn
- 2008-08-04 WO PCT/US2008/072144 patent/WO2009126171A1/en active Application Filing
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EP2274136A1 (en) | 2011-01-19 |
CN102015212A (zh) | 2011-04-13 |
WO2009126171A1 (en) | 2009-10-15 |
EP2274136A4 (en) | 2014-01-01 |
KR20110000567A (ko) | 2011-01-03 |
US20090258588A1 (en) | 2009-10-15 |
US8684794B2 (en) | 2014-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130716 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131114 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140311 |