JP2012517715A - Cmpパッドにおける3次元ネットワーク - Google Patents

Cmpパッドにおける3次元ネットワーク Download PDF

Info

Publication number
JP2012517715A
JP2012517715A JP2011550100A JP2011550100A JP2012517715A JP 2012517715 A JP2012517715 A JP 2012517715A JP 2011550100 A JP2011550100 A JP 2011550100A JP 2011550100 A JP2011550100 A JP 2011550100A JP 2012517715 A JP2012517715 A JP 2012517715A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
interconnect
pad
interconnect element
junction
liquid slurry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011550100A
Other languages
English (en)
Inventor
オスカー ケイ. スー
ポール リフブル
デイヴィッド アダム ウェルズ
マーク ジン
ジョン エリック アルデボー
Original Assignee
イノパッド,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by イノパッド,インコーポレイテッド filed Critical イノパッド,インコーポレイテッド
Publication of JP2012517715A publication Critical patent/JP2012517715A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/22Rubbers synthetic or natural
    • B24D3/26Rubbers synthetic or natural for porous or cellular structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

本開示は、相互接続要素とポリマー充填剤材料を含む化学機械平坦化研磨パッドに関する。該化学機械平坦化研磨パッドにおいて、相互接続要素は、1相互接続接合点/cm3〜1000相互接続接合点/cm3の密度で存在する相互接続接合点を含む。また、相互接続要素の相互接続接合点間の長さは0.1μm〜20cmである。

Description

発明の詳細な説明
[関連出願の相互参照]
本出願は、2007年10月26日に出願された米国仮特許出願シリアル番号第60/983,042号の利益を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。
[技術分野]
本発明は、半導体ウエハの化学機械平坦化(CMP)において有用な研磨パッドに関する。
[背景情報]
従来のCMP用研磨パッドは第1の多孔質又は固体高分子物質を含み、この第1の物質は第2の充填剤物質と相互分散し得る。一般的に使用されている従来のパッドは、例えば、中空微小球と相互分散した固体ポリウレタンマトリックスを含む。しかし、研磨した半導体ウエハの全体的均一性及び局所的平坦性を向上させるとともに研磨環境で用いられた場合の機械的特性を改善するパッドが必要とされている。
[概要]
第1の代表的実施形態において、本開示は、相互接続要素とポリマー充填剤材料を含む化学機械平坦化研磨パッドに関する。この場合、相互接続要素は、1相互接続接合点/cm3〜1000相互接続接合点/cm3の密度で存在する相互接続接合点を含み、相互接続要素の相互接続接合点間の長さは0.1μm〜20cmである。
方法の形態において、本開示は、相互接続要素及びポリマー充填剤材料を供給してパッドを形成することを含む、半導体ウエハの研磨方法に関する。この場合、相互接続要素は、1相互接続接合点/cm3〜1000相互接続接合点/cm3の密度で存在する相互接続接合点を含み、相互接続要素の相互接続接合点間の長さは0.1μm〜20cmである。その後、かかるパッド構造を研磨装置上に配置し、引き続いてスラリーの導入及び半導体ウエハの研磨を行ってもよい。
上記及び他の特徴及び利点について、図面とともに以下の詳細な説明を読むことにより、理解が深まるであろう。
任意のパッドにおける3次元構造の部分図である。
[詳細な説明]
任意のパッドにおける3次元構造の一部を図1に示す。図示のように、本3次元構造は、複数の接合場所12とともに相互接続要素10を含んでもよい。相互接続要素はポリマー材料であってもよい。3次元構造(即ち、隙間)内には特定のポリマー充填剤材料14が含まれていてもよい。このポリマー充填剤材料14は、3次元相互接続要素10と組み合わせられて、研磨パッド基板を提供する。さらに、本ネットワークは比較的正方形又は長方形の幾何学的形状で示されているが、楕円形、円形、多面体等を非限定的に含むその他の種類の構造を含んでもよいことが理解できよう。
従って、ポリマー充填剤材料及び相互接続要素は、様々な特定のポリマー樹脂をもとにして供給され得るが、これに限定されない。例えば、ポリマー樹脂は、ポリ(ビニルアルコール)、ポリアクリレート、ポリアクリル酸、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリエチレングリコール、デンプン、マレイン酸共重合体、多糖、ペクチン、アルギン酸、ポリウレタン、ポリエチレンオキシド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリオレフィン、並びにこれらの樹脂の共重合体及びこれらの樹脂の誘導体を含んでもよい。
さらに、本発明のさらなる局面は、複数の3次元構造ネットワークを使用して同一パッド内に様々な物理的及び化学的特性ドメインを生じさせることに関する。このため、3次元ネットワークの要素10及び/又は物理的形体(features)の上述の化学的(ポリマー)組成を変化させてもよい。かかる物理的形体は、以下にさらに詳しく説明するように、ネットワーク内の間隔、及び/又はネットワークの全体的形状を含み得る。
最先端の半導体技術では半導体ウエハ上により小さなデバイスを大量に詰め込むことが必要とされていることは注目に値する。このような高いデバイス密度は、フォトリソグラフィにおける焦点深度を理由に、ウエハ上のさらに高度な局所的平坦性及び全体的均一性を必要とする。従って、本発明の3次元構造ネットワークは、CMPパッドの機械的安定性及び寸法安定性を従来の非ネットワーク型CMPパッド構造より優れたものにし得る。また、本明細書中の3次元構造ネットワークは、研磨動作の圧縮及び粘性剪断応力への耐性を高め、その結果パッドの表面変形が減少するため、所望の程度の局所的平坦性及び全体的均一性並びに低いウエハスクラッチ欠陥率を達成し得る。
上記に示唆したように、実際の3次元構造ネットワークは、ポリマー材料の種類、相互接続要素の寸法、並びにネットワークのサイズ及び形状を変化させることにより、特定のCMP応用にカスタマイズすることもできる。さらに、界面活性剤、安定剤、阻害剤、pH緩衝剤、凝固防止剤、キレート剤、促進剤及び分散剤を非限定的に含む様々な化学薬剤を、ネットワークの相互接続要素の表面又はバルクに加えてもよい。これらの化学薬剤を加えることにより、これらの化学薬剤が研磨スラリー又は研磨液内に制御された又は制御されない方法で放出され、CMP性能及び安定性が向上し得る。
3次元構造ネットワーク及びポリマー相互接続要素用の市販の材料としては、織布、編布及び不織布の繊維マット、ハイロフトの不織布が挙げられるがこれに限定されない。かかるネットワークは繊維をベースとすることが理解されよう。しかし、相互接続要素は、連続気泡(open−cell)ポリマーフォーム(高分子発泡体)及びスポンジ、ポリマーフィルター、格子並びにスクリーンも含み得る。不織布、フォーム(発泡体)、スポンジ、フィルター及びスクリーンを製造する当業者であれば、本明細書中に記載の本開示のCMPパッド用ネットワークの設計意図及び特性要件に合致する商業目的ではない構造ネットワークを、容易に設計及び製造することができる。
本発明の1つの代表的実施形態は、水溶性ポリアクリレート相互接続要素で構成される3次元ネットワークの隙間を部分的又は完全に充填する、分散したポリウレタン物質を含む。前記ネットワーク内の相互接続要素は、直径が1μm以下〜約1000μmの円柱形であり、隣接し合う相互接続接合部間の水平距離として説明し得るものは、0.1μm以上(例えば、接合部間の水平距離は全数値及び増分を含む0.1μm〜20cm)であり得る。この相互接続接合部間の長さを図1中に“A”として示している。さらに、相互接続接合部間の垂直距離として説明し得るものを図1中に“B”として示しており、この垂直距離もまた所望により0.1μm以上で変化し得る(例えば、接合部間の垂直距離は全数値及び増分を含む0.1μm〜20cm)。最後に、接合部間の奥行き距離として説明し得るものは、図1中で“C”として示されており、やはりこの奥行き距離も所望により0.1μm以上で変化し得る(例えば、接合部間の奥行き距離は全数値及び増分を含む0.1μm〜20cm)。好ましくは、図1中の“A”、“B”又は“C”である各接合点間距離は、0.5μm〜5cmであってもよい。
従って、本明細書中で参照される3次元ネットワークとは、接合点で相互接続され得る相互接続要素(例えば、ポリマー繊維)として理解することができる。この相互接続された要素は、一定の容量を占める。相互接続接合要素の密度は、全数値及び増分を含む1相互接続接合点/cm3〜1000相互接続接合点/cm3のレベルで存在してもよく、1相互接続接合点/cm3単位で変化する。例えば、研磨パッドは、1〜100相互接続接合点/cm3、又は10〜110相互接続接合点/cm3、又は15〜150相互接続接合点/cm3等を有してもよい。好ましくは、相互接続要素は、50〜250相互接続接合点/cm3で存在してもよい。相互接続自体は、例えば、熱接着及び/又は化学接着により形成されてもよい。この化学接着はポリマー充填剤材料で行ってもよく(再度、図1中の14を参照)、これによりポリマー要素10をコーティングし、相互接続又は接合位置12にポリマー要素10を結合固定し得る。
さらに、相互接続要素は、パッド中に1.0重量%間隔で全数値及び増分を含む1〜75重量%のレベルで存在してもよい。例えば、相互接続要素は、任意のパッド中に1〜50重量%、又は10〜50重量%、又は20〜40重量%、又は20〜30量%等で存在してもよい。
また、接合点位置で任意の2つのポリマー要素間に形成され得る角度が変化するように構成してもよいことが理解できよう。従って、図1を再び参照すると、繊維は接合位置で特定の角度16で相互接続してもよいことがわかる。この相互接続接合点での任意の2つの繊維間の角度は、1°間隔で、全数値及び増分を含む5°〜175°であってもよい。例えば、相互接続接合位置での任意の2つの繊維間の角度は、10°〜170°、又は20°〜160°、又は30°〜150°等であってもよい。好ましくは、角度は30°〜130°であってもよい。
相互接続ポリマー要素の3次元ネットワークの形態は、厚さが10ミル〜6000ミル及び好ましくは60ミル〜130ミルの薄い正方形又は円形スラブであってもよい。この場合、1ミルは0.001インチとして理解され得る。また、3次元ネットワークは、全数値及び増分を含む20平方インチ〜4000平方インチの面積、及び好ましくは100平方インチ〜1600平方インチの面積を画定してもよい。硬化剤と混合したウレタンプレポリマーを使って、前記ネットワークの隙間を充填してもよい。その後、この合成物をオーブンで硬化し、ウレタンプレポリマーの硬化反応を完了させる。典型的な硬化温度は、室温〜800°F、及び典型的な硬化時間は、僅か1時間未満〜24時間以上である。得られた合成物はその後、バフ仕上げ、スカイビング(skiving)仕上げ、ラミネート加工、溝切り加工(grooving)及び穿孔処理(perforating)等の従来のパッド変換工程によりCMPパッドに変換される。
また、上述の実施形態において、ネットワークは、円柱又は長方形のブロックの形態でも利用可能である。従って、その後、硬化剤と混合したウレタンプレポリマーで充填された本明細書中のネットワークを含む合成物は、円柱又は長方形ブロックの形態で硬化してもよい。この場合、硬化した合成物の円柱又はブロックをまずスカイビング処理し、変換前の個々のパッドを得てもよい。
本発明の別の実施形態は、厚さの異なる2つ以上のネットワークを含む。この2つ以上のネットワークは、さらに、その中に含有される相互接続ポリマー材料の種類も異なる。例えば、1つのネットワークの厚さが全数値及び増分を含む1〜20cmで、第2のネットワークの厚さが全数値及び増分を含む1〜20cmであってもよい。従って、同一のCMPパッド内の各ネットワークは、異なる物理的及び化学的特性を有する異なる構造ドメインを画定する。一実施例において、CMPパッドは、溶解性ポリアクリレートの相互接続要素を含む厚さが20ミルの第1ネットワークを含む。第1ネットワークは、比較的小さな円柱形で、直径が10μm、各第1ネットワーク間の距離は50〜150μmである。第1ネットワークは、比較的不溶性のポリエステル相互接続要素を含む同じ円柱形の第2ネットワーク上に積み重ねられる。第2ネットワークの寸法は、第1ポリアクリレートネットワークと同じである。そして、硬化剤と混合したウレタンプレポリマーを使って積み重ねたネットワークの隙間を充填してもよく、全体的な合成物を上述のように硬化する。それから、得られた合成物は、バフ仕上げ、スカイビング仕上げ、ラミネート加工、溝切り加工及び穿孔処理等の従来のパッド変換工程により、CMPパッドに変換される。従って、このように作製されたCMPパッドは、それぞれ異なるが接着された、相互に積み重ねられた2つの構造層を有する。CMPでは、溶解性ポリアクリレート要素を含む構造層は研磨層として使用してもよい。溶解性ポリアクリレート要素は研磨粒子含有水性スラリー中で溶解し、パッド表面の上下に空隙スペースを残し、パッド全体にわたって前記スラリーを均一に分布させるためのμmレベルの流路(channels)及び通路(tunnels)を創出する。一方、比較的不溶性のポリエステル要素を含む構造層は、CMPにおける機械的安定性及びバルクパッド特性を維持するための支持層として用いてもよい。
以上の点で、本開示は、液体スラリー中で溶解可能な相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層、および、液体スラリー中で溶解しない相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層を含有するCMPパッドに関することが理解できよう。さらに、本明細書中のCMPパッドは、不溶性相互接続要素の一部とともに溶解性相互接続要素の一部を含み得る1つ又は複数の層を含んでもよい。例えば、CMPパッドの任意の層は、1〜99重量%の溶解性相互接続要素と99%〜1重量%の不溶性相互接続要素を有してもよい。
本明細書中のパッド設計の有利な機械的特徴をさらに具体的に考察するため、本明細書中で開示される3次元ネットワークを含有する研磨パッドに対し、かかる強化をなんら行っていない研磨パッドと比較した動的機械分析(DMA)試験を行った。DMA試験装置としては、TA Instrument社製Q800動的機械測定装置を採用し、周波数10Hz及び温度ランプ速度1.0°C/分で使用した。かかる試験の結果を以下の表1に示す。
Figure 2012517715
表1からわかるように、本明細書中に記載の相互接続要素を含有した不織布が研磨パッド構成中に20重量%〜30重量%存在した場合の貯蔵弾性率(E’)値は1666MPaであった。これに比べ、同一のポリウレタンのみを研磨パッド構成用のポリマーマトリックスとして使用した場合、E’値は僅かに約862MPaであった。従って、10MPa間隔で全数値及び増分を含む100MPa〜2500MPaの貯蔵弾性率(E’)値を有する研磨パッドが現在では製造できることが理解されよう。例えば、110MPa〜2500MPa、又は120MPa〜2500MPa等のE’値を有する研磨パッドを現在では製造することができる。好ましくは、E’の値は400〜1000MPaであってもよい。表1では、相互接続要素は、ニードルパンチ不織布を作製するもととなるポリアクリレート繊維であった。この場合、この繊維の平均直径は20μmであり、液体スラリーの存在下で溶解可能であった。ポリウレタンの最初の形態は液体プレポリマー前駆体であり、相互接続要素全体にわたって均一に分注される前に硬化剤と混合し、硬化、即ち固化させて研磨パッドを形成した。
次に表2に注目すると、本明細書中のパッドのさらなる有利な特徴が示されている。具体的には、相互接続ポリマー要素を取り入れた組成物のショアD硬度とポリマー充填剤のみを含有した組成物のショアD硬度とを比較評価した。
Figure 2012517715
表2からわかるように、不織布をポリウレタン充填剤マトリックスに取り入れることにより、ショア硬度(Shore Hardness)は、かかる強化を行わなかった組成物に比べて上昇した。かかる硬度の上昇は、上述のように、研磨動作における圧縮及び粘性剪断応力への耐性等、研磨作業中の利点を数多く提供し得ることが理解されよう。例えば、硬度の上昇により、CMP型パッドに設けられる場合が多い流路又は溝が保護され得る。このような流路又は溝に依存してスラリーを輸送してもよい。さらに詳細には、機械的特性の向上(例えば、上述のE’値の向上)により、研磨中の流路又は溝の寸法を保護し得る。機械的特性の向上により、研磨中の流路又は溝の寸法が保護されることにより、任意の研磨作動中は常にスラリーの輸送を別途意図されたレベルで継続できる。表2では、不織布は、液体スラリーの存在下で溶解可能な平均直径20μmのポリアクリレート繊維のニードルパンチ不織布であったことに留意するであろう。ポリウレタンの形態は液体プレポリマー前駆体であり、相互接続要素全体にわたって均一に分注される前に硬化剤と混合し、硬化、即ち固化させて研磨パッドを形成した。
上述の実施形態に拘わらず、CMPパッドの設計、製造及び応用の当業者であれば、構造ネットワークをCMPパッド内に取り入れることの予期しない特性を容易に理解でき、且つ本発明をもとに同じ概念を使って、同一のパッド中に様々な種類のネットワーク材料、構造、及び高分子物質を用いて具体的なCMP応用の要件に合致する多数のパッド設計を容易に推測できることが本明細書中で認識される。
本発明の原理を本明細書中で述べたが、本記載は単に例示によってなされたものであり、本発明の範囲を制限するものとしてなされたものではないことを当業者は理解すべきである。本明細書中に例示及び記載された代表的実施形態に加え、本発明の範囲内で他の実施形態が考察される。以下の特許請求の範囲以外には何ら制限されることのない本発明の範囲内で、当業者によって変形及び置換えが考察される。

Claims (30)

  1. 相互接続要素とポリマー充填剤材料とを含む化学機械平坦化研磨パッドであって、
    前記相互接続要素は、1相互接続接合点/cm3〜1000相互接続接合点/cm3の密度で存在する相互接続接合点を含み、
    前記相互接続要素の相互接続接合点間の長さは0.1μm〜20cmである、パッド。
  2. 前記相互接続要素は、前記パッド中に1.0重量%〜75重量%のレベルで存在する、請求項1に記載のパッド。
  3. 前記相互接続要素間の交差角度は、5°〜175°である、請求項1に記載のパッド。
  4. 前記相互接続要素が存在し、当該相互接続要素は、10ミル〜6000ミルの厚さを画定する、請求項1に記載のパッド。
  5. 前記相互接続要素は繊維を含む、請求項1に記載のパッド。
  6. 前記繊維は液体スラリー中で溶解可能である、請求項5に記載のパッド。
  7. 前記繊維は不織布材料又は織布材料の形態で存在する、請求項5に記載のパッド。
  8. 前記相互接続要素は、発泡体、スポンジ、フィルター、格子及びスクリーンの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のパッド。
  9. 前記相互接続要素は、液体スラリーの存在下で溶解する材料を含む、請求項1に記載のパッド。
  10. 前記パッドは、
    液体スラリー中で溶解可能な相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層と、
    液体スラリー中で溶解しない相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層と、
    を含む、請求項1に記載のパッド。
  11. 前記パッドは、
    相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層であって、前記相互接続要素の一部は液体スラリー中で溶解可能であり、前記相互接続要素の一部は液体スラリー中で溶解しない、層
    を含む、請求項1に記載のパッド。
  12. 前記パッドの貯蔵弾性率(E’)の値が100MPa〜2500MPaである、請求項1に記載のパッド。
  13. 前記パッドの貯蔵弾性率(E’)が400MPa〜1000MPaである、請求項1に記載のパッド。
  14. 前記相互接続接合点は、1相互接続接合点/cm3〜250相互接続接合点/cm3の密度で存在する、請求項1に記載のパッド。
  15. 前記相互接続接合点間の長さが0.5μm〜5cmである、請求項1に記載のパッド。
  16. 化学機械平坦化研磨パッドの作成方法であって、
    相互接続要素及びポリマー充填剤材料を供給してパッドを形成することであって、前記相互接続要素は、1相互接続接合点/cm3〜1000相互接続接合点/cm3の密度で存在する相互接続接合点を含み、前記相互接続要素の相互接続接合点間の長さは0.1μm〜20cmである、前記相互接続要素及び前記ポリマー充填剤材料を供給してパッドを形成することと、
    前記パッドを研磨装置上に配置し、スラリーを導入し、半導体ウエハを研磨することと、
    を含む、方法。
  17. 前記相互接続要素は、前記パッド中に1.0重量%〜75重量%のレベルで存在する、請求項16に記載の方法。
  18. 前記相互接続要素間の交差角度が5°〜175°である、請求項16に記載の方法。
  19. 前記相互接続要素が存在し、当該相互接続要素は、10ミル〜6000ミルの厚さを画定する、請求項16に記載の方法。
  20. 前記相互接続要素は繊維を含む、請求項16に記載の方法。
  21. 前記繊維は液体スラリー中で溶解可能である、請求項20に記載の方法。
  22. 前記繊維は不織布材料又は織布材料の形態で存在する、請求項21に記載の方法。
  23. 前記相互接続要素は、発泡体、スポンジ、フィルター、格子及びスクリーンの少なくとも1つを含む、請求項16に記載の方法。
  24. 前記相互接続要素は、液体スラリーの存在下で溶解する材料を含む、請求項16に記載の方法。
  25. 前記パッドは、
    液体スラリー中で溶解可能な相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層と、
    液体スラリー中で溶解しない相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層と、
    を含む、請求項16に記載の方法。
  26. 前記パッドは、
    相互接続要素とポリマー充填剤材料との1つ以上の層であって、前記相互接続要素の一部は液体スラリー中で溶解可能であり、前記相互接続要素の一部は液体スラリー中で溶解しない、1つ以上の層
    を含む、請求項16に記載の方法。
  27. 前記パッドの貯蔵弾性率(E’)の値は、100MPa〜2500MPaである、請求項16に記載の方法。
  28. 前記パッドの貯蔵弾性率(E’)は、400MPa〜1000MPaである、請求項16に記載の方法。
  29. 前記相互接続接合点は、1相互接続接合点/cm3〜250相互接続接合点/cm3の密度で存在する、請求項16に記載の方法。
  30. 前記相互接続接合点間の長さは0.5μm〜5cmである、請求項16に記載の方法。
JP2011550100A 2009-02-12 2009-02-12 Cmpパッドにおける3次元ネットワーク Pending JP2012517715A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2008/080935 WO2010093342A1 (en) 2009-02-12 2009-02-12 Three-dimensional network in cmp pad

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012517715A true JP2012517715A (ja) 2012-08-02

Family

ID=42561991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011550100A Pending JP2012517715A (ja) 2009-02-12 2009-02-12 Cmpパッドにおける3次元ネットワーク

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP2396143B1 (ja)
JP (1) JP2012517715A (ja)
KR (1) KR101592426B1 (ja)
CN (1) CN102317036B (ja)
SG (1) SG173547A1 (ja)
WO (1) WO2010093342A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288165A (ja) * 1988-09-21 1990-03-28 Speedfam Co Ltd ポリッシングパッド及びその製造方法
JP2001047357A (ja) * 1999-04-13 2001-02-20 Freudenberg Nonwovens Lp 研磨剤粒子を含むスラリーにより基板を化学機械研磨するために使用される研磨パッド
JP2001198797A (ja) * 2000-01-20 2001-07-24 Rodel Nitta Kk 研磨布
WO2008011535A2 (en) * 2006-07-19 2008-01-24 Innopad, Inc. Polishing pad having micro-grooves on the pad surface
JP2008207325A (ja) * 2007-02-01 2008-09-11 Kuraray Co Ltd 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
JP2011508462A (ja) * 2007-12-31 2011-03-10 イノパッド,インコーポレイテッド 化学的機械的平坦化パッド
JP2011517111A (ja) * 2008-04-11 2011-05-26 イノパッド,インコーポレイテッド ボイドネットワークを有する化学機械的平坦化パッド

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6454634B1 (en) 2000-05-27 2002-09-24 Rodel Holdings Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6712681B1 (en) 2000-06-23 2004-03-30 International Business Machines Corporation Polishing pads with polymer filled fibrous web, and methods for fabricating and using same
US6666326B2 (en) 2002-03-12 2003-12-23 Lam Research Corporation Reinforced chemical mechanical planarization belt

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288165A (ja) * 1988-09-21 1990-03-28 Speedfam Co Ltd ポリッシングパッド及びその製造方法
JP2001047357A (ja) * 1999-04-13 2001-02-20 Freudenberg Nonwovens Lp 研磨剤粒子を含むスラリーにより基板を化学機械研磨するために使用される研磨パッド
JP2001198797A (ja) * 2000-01-20 2001-07-24 Rodel Nitta Kk 研磨布
WO2008011535A2 (en) * 2006-07-19 2008-01-24 Innopad, Inc. Polishing pad having micro-grooves on the pad surface
JP2008207325A (ja) * 2007-02-01 2008-09-11 Kuraray Co Ltd 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
JP2011508462A (ja) * 2007-12-31 2011-03-10 イノパッド,インコーポレイテッド 化学的機械的平坦化パッド
JP2011517111A (ja) * 2008-04-11 2011-05-26 イノパッド,インコーポレイテッド ボイドネットワークを有する化学機械的平坦化パッド

Also Published As

Publication number Publication date
CN102317036A (zh) 2012-01-11
KR20110123743A (ko) 2011-11-15
CN102317036B (zh) 2014-12-17
EP2396143A4 (en) 2013-01-16
KR101592426B1 (ko) 2016-02-05
EP2396143A1 (en) 2011-12-21
EP2396143B1 (en) 2014-04-09
WO2010093342A1 (en) 2010-08-19
SG173547A1 (en) 2011-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8491360B2 (en) Three-dimensional network in CMP pad
CN103210473B (zh) 化学机械平坦化垫片切槽的方法
TWI409136B (zh) 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊
JP6810047B2 (ja) 低密度研磨パッド
TW200404648A (en) Microporous polishing pads
TWI599448B (zh) 具有液態填料之致孔劑之拋光墊
TW200406283A (en) Integral polishing pad and manufacturing method thereof
CN104029114B (zh) 多层化学机械抛光垫
JP2011530158A (ja) 研磨パッド組成物およびその製造方法ならびに使用
JP2007537050A5 (ja)
US20080287047A1 (en) Polishing pad, use thereof and method for making the same
KR20150131024A (ko) 연마 패드 및 연마 방법
TW201825234A (zh) 研磨墊及研磨裝置
TW201109123A (en) Supporting pad
JP6267590B2 (ja) 繊維複合シートの製造方法
JP6788627B2 (ja) トンネル用排水材およびトンネル用の構造物
JP2012517715A (ja) Cmpパッドにおける3次元ネットワーク
TW200936310A (en) Chemical-mechanical planarization pad having end point detection window
JP2012514857A (ja) 複数層化学機械平坦化パッド
JP6196773B2 (ja) 研磨パッド
JP6444507B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
TWI322061B (en) Polishing pad, use thereof and method for making the same
JP2010155334A (ja) 精密加工用研磨布
TW202239829A (zh) 研磨墊、其製造方法及研磨加工物之製造方法,以及包覆墊、其製造方法及包覆加工物之製造方法
JP2015104768A (ja) 研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130528

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130716

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140422

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140930