JP4757580B2 - 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 365
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 87
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 26
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 206010013642 Drooling Diseases 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 208000008630 Sialorrhea Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
また、待機運転終了後に、研磨面に研磨液を供給しながら該研磨面をドレッシングする研磨準備処理を行うことで、ダミーウエハ等を使用することなく、研磨面の温度を所望の温度にし、また研磨面にスラリーを馴染ませて、研磨面が研磨に最適な状態になるように調整することができる。ここで、ドレッシングは、研磨面の目立てや該研磨面を持つ研磨パッド等の洗浄を目的に行う工程であり、通常は1枚の基板に対する研磨を行った後、次の基板に対する研磨を開始する迄の間に、純水を供給しながらドレッサを研磨面に押圧させ、両者を相対移動させて行われる。
これにより、待機運転中に研磨面が乾燥してしまうことを防止することができる。
待機運転終了後、研磨準備処理を行うか否かを、待機運転の延べ運転時間または延べ実効回数を基に決定することで、待機運転終了後の必要な時にのみ研磨準備処理を行うことができる。
このように、待機運転中に研磨面のドレッシングを行うことで、研磨面に対するドレッシング時間をより長くし、研磨面の十分な目立てを行って、研磨面を持つ研磨パッド等の寿命を延ばすことができる。
図3に示すように、トップリング1は、内部に収容空間を有する円筒容器状のトップリング本体2と、トップリング本体2の下端に固定されたリテーナリング3を備えている。トップリング本体2は、例えば金属やセラミックス等の強度及び剛性が高い材料から形成されている。リテーナリング3は、例えば剛性の高い樹脂材又はセラミックス等から形成されている。
4,506 弾性パッド(弾性体)
5 ホルダーリング
6 チャッキングプレート
7 加圧シート
8 センターバッグ
9 リングチューブ
22,23,24,25,501,502,503,504 圧力室
41,508 開口部
81,91 弾性膜(弾性体)
82 センターバッグホルダー
92 リングチューブホルダー
100 研磨テーブル
101 研磨パッド
102 研磨液供給ノズル
104 純水供給ノズル
110 トップリングヘッド
120 圧縮空気源
121 真空源
130 ドレッサヘッド
204 カセット
206 載置台
210 ロータリートランスポーター
212,214 洗浄機
218 ドレッサ
400 制御部
401 入力部
402 ホストコンピュータ
Claims (8)
- 研磨休止時に待機運転を行い、
前記待機運転中に、弾性体を介して被研磨物を研磨面に向けて押圧するトップリングの圧力室内を加圧し、
前記待機運転終了後に、研磨面に研磨液を供給しながら該研磨面をドレッシングする研磨準備処理を行い、
前記研磨準備処理終了後に被研磨物に対する研磨処理を開始することを特徴とする研磨方法。 - 前記待機運転中に、前記研磨面に純水を供給することを特徴とする請求項1記載の研磨方法。
- 前記待機運転終了後に前記研磨準備処理を行うか否かを、前記待機運転の延べ運転時間または延べ実効回数を基に決定することを特徴とする請求項1または2記載の研磨方法。
- 前記待機運転中に、前記研磨面のドレッシングを行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の研磨方法。
- 研磨面を有する研磨テーブルと、
被研磨物を保持し前記研磨面に対して押圧するトップリングと、
前記研磨面に対するドレッシングを行うドレッサと、
前記研磨面に研磨液を供給する研磨液供給ノズルと、
研磨休止中における待機運転終了後に前記研磨面に研磨液を供給しながら該研磨面をドレッシングする研磨準備処理を行うように、前記研磨テーブル、研磨液供給ノズル及び前記ドレッサを制御する制御部を有し、
前記制御部は、前記待機運転の延べ運転時間または延べ実効回数を基に前記研磨準備処理を行うか否かを決定することを特徴とする研磨装置。 - 研磨休止時に待機運転を実行させ、
弾性体を介して被研磨物を研磨面に向けて押圧するトップリングの圧力室を前記待機運転中に加圧するか否かを、前記弾性体の累積使用時間を基に決定し、
前記待機運転終了後に、研磨面に研磨液を供給しながら該研磨面をドレッシングする研磨準備処理を実行させ、
前記研磨準備処理終了後に被研磨物に対する研磨処理を開始させることを特徴とする研磨装置制御用プログラム。 - 前記待機運転終了後に前記研磨準備処理を行うか否かを、前記待機運転の延べ運転時間または延べ実効回数を基に決定することを特徴とする請求項6記載の研磨装置制御用プログラム。
- 前記待機運転中に研磨面のドレッシングを行うか否かを、研磨面の累積使用時間を基に決定することを特徴とする請求項6または7記載の研磨装置制御用プログラム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269843A JP4757580B2 (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム |
PCT/JP2006/318461 WO2007032519A1 (en) | 2005-09-16 | 2006-09-12 | Polishing method and polishing apparatus, and program for controlling polishing apparatus |
CN2006800336016A CN101262981B (zh) | 2005-09-16 | 2006-09-12 | 抛光方法和抛光装置以及用于控制抛光装置的程序 |
KR1020087009041A KR101276715B1 (ko) | 2005-09-16 | 2006-09-12 | 폴리싱방법, 폴리싱장치, 및 폴리싱장치를 제어하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 |
US11/991,064 US8332064B2 (en) | 2005-09-16 | 2006-09-12 | Polishing method and polishing apparatus, and program for controlling polishing apparatus |
TW095134182A TWI423316B (zh) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 研磨方法及研磨裝置、及研磨裝置控制用程式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269843A JP4757580B2 (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007075973A JP2007075973A (ja) | 2007-03-29 |
JP4757580B2 true JP4757580B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=37865100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005269843A Active JP4757580B2 (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8332064B2 (ja) |
JP (1) | JP4757580B2 (ja) |
KR (1) | KR101276715B1 (ja) |
CN (1) | CN101262981B (ja) |
TW (1) | TWI423316B (ja) |
WO (1) | WO2007032519A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5311178B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2013-10-09 | 株式会社ニコン | 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法 |
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CN104669032B (zh) * | 2013-11-30 | 2017-12-12 | 东莞市远方物流设备有限公司 | 物流系统 |
SG10201508329UA (en) * | 2014-10-10 | 2016-05-30 | Ebara Corp | Buffing apparatus and substrate processing apparatus |
CN105014524B (zh) * | 2015-05-27 | 2017-09-26 | 苏州德锐朗智能科技有限公司 | 一种平面研磨机的研磨工艺 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2005-09-16 JP JP2005269843A patent/JP4757580B2/ja active Active
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2006
- 2006-09-12 US US11/991,064 patent/US8332064B2/en active Active
- 2006-09-12 CN CN2006800336016A patent/CN101262981B/zh active Active
- 2006-09-12 WO PCT/JP2006/318461 patent/WO2007032519A1/en active Application Filing
- 2006-09-12 KR KR1020087009041A patent/KR101276715B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-15 TW TW095134182A patent/TWI423316B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101276715B1 (ko) | 2013-06-19 |
KR20080046737A (ko) | 2008-05-27 |
TWI423316B (zh) | 2014-01-11 |
JP2007075973A (ja) | 2007-03-29 |
US8332064B2 (en) | 2012-12-11 |
CN101262981B (zh) | 2013-05-15 |
WO2007032519A1 (en) | 2007-03-22 |
US20090264052A1 (en) | 2009-10-22 |
CN101262981A (zh) | 2008-09-10 |
TW200717640A (en) | 2007-05-01 |
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Legal Events
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