TWI423316B - 研磨方法及研磨裝置、及研磨裝置控制用程式 - Google Patents

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Description

研磨方法及研磨裝置、及研磨裝置控制用程式
本發明係有關於一種研磨方法(polishing method)以及用以研磨並磨平(flattening)例如半導體晶圓之基板(工件)之表面之研磨裝置、以及研磨裝置控制程式。
在半導體裝置加工製程中，通常係以批量方式對例如半導體晶圓之基板進行加工處理。例如，當藉由研磨裝置研磨半導體晶圓時，需先行將複數(一批)半導體晶圓收納於一晶圓匣盒(cassette)內，再將該晶圓匣盒載入該研磨裝置中以供對各該晶圓執行研磨作業。
加工半導體裝置一般需要經過複數次製程步驟方可完成，而在整個製程管理過程中，會有一個時段該研磨裝置係未載入有例如半導體晶圓之基板。於這個時段，該研磨裝置係處於閒置作業(即等待作業(stand-by operation))狀態以準備進入下一研磨作業階段。通常係於該閒置階段，施加純淨水至一黏貼於研磨臺上之研磨墊(即研磨布)，以防止該研磨墊之研磨表面乾涸(drying)。
於閒置階段之後且將收納有各該基板之晶圓匣盒裝載至該研磨裝置時，以啟動對各該基板(例如半導體晶圓)之研磨作業。在閒置階段之後，由於純淨水之供給以及研磨作業尚未實施，該研磨墊之表面溫度因此而降低。倘若研磨作業在如此低之溫度下執行，研磨效率將會隨之下降。 再者，某些研漿(polishing slurry)具有撥水性之物理特性(water-repellent)，當在閒置階段後研磨作業開始前使用該些研漿時，需要潤濕該研磨墊。因此，於實際基板研磨作業之前，係於施加研漿至該研磨裝置之研磨表面同時藉由該研磨裝置研磨些許假晶圓(dummy wafer，即非生產用晶圓)，以使該研磨墊之研磨表面達成理想溫度並藉由該研漿潤濕該研磨墊，進而致使該研磨墊達成研磨作業所需之最佳狀態。
惟，各該假晶圓係為可消耗者，在該研磨裝置閒置階段後進行基板研磨作業前，大約需要消耗5片假晶圓，如此，將大幅增加假晶圓之成本。此外，亦需提供一晶圓匣盒以收納各該假晶圓並需確保有容納空間供該晶圓匣盒裝載至該研磨裝置中，如此，無疑妨礙了該研磨裝置之小型化。
眾所周知，該研磨裝置設有用以支撐例如半導體晶圓之基板的頂環(top ring)包括複數獨立之用以按壓該基板之壓力室。各壓力室係具有一個例如橡膠之彈性體。且該壓力室係藉由施加氣體至該壓力室內實現增壓，以膨脹或壓縮該彈性體，進而達成按壓該基板之功效。然，該頂環存在一弊端，即隨著該頂環長時間的使用，其彈性體容易硬化(即彈性衰退)，造成在施加相同之預定氣壓至該壓力室而使該壓力室增壓情況下，該彈性體之膨脹度或壓縮量較該彈性體未硬化前有所減少。
研磨墊(polishing pad)之研磨表面具有特定表面粗糙 度(surface roughness)以供研磨該基板之表面。然而，隨著該研磨墊長時間的使用，其表面粗糙度將隨著減少，特別是當透過修整該研磨墊表面方式仍無法使該表面恢復至一特定粗糙度時，則在耗盡前必須重新更換新的研磨墊。
綜上所述，如何提出一種可解決習知技術缺失之研磨方法及研磨裝置、及研磨裝置控制程式，實為目前亟欲解決之技術問題。
鑒於上述習知技術之缺點，本發明之主要目的在於提供一種研磨方法及研磨裝置、及研磨裝置控制程式，藉此無需於研磨作業前使用額外之假晶圓(dummy wafer)，即可使該研磨表面達到最佳狀態以供執行研磨作業，進而減少該假晶圓之使用成本。
為達上述目的，本發明提供一種研磨方法。本發明之研磨方法係包括：於研磨休眠期間(polishing-resting time period)執行等待作業(stand-by operation)；完成上述等待作業後，施加研磨液於該研磨表面之同時修整該研磨表面而執行研磨籌備作業(preparatory process)；以及於研磨籌備作業完成後，對工件執行研磨作業。
完成上述等待作業之後，施加研磨液至該研磨表面之同時修整該研磨表面而執行研磨籌備作業，即可使該研磨表面達到理想溫度並潤濕該具有研磨液(研漿)之研磨墊，可使該研磨表面達成研磨作業所需之最佳狀態而無需採用假晶圓。於本實施例中，該修整作業係為修整該研磨表面 並清潔具有研磨表面之研磨墊等。修整作業通常係於一基板研磨作業完成之後且於下一基板研磨作業執行之前進行，且該修整作業係於使修整器與該研磨表面相對移動並施加純淨水至該研磨表面時，按壓修整器至該研磨表面得以完成。
較佳地，於等待作業執行過程中施加純淨水至該研磨表面，以防止該研磨表面於等待作業期間乾涸。
於本發明之一較佳實施態樣中，待該等待作業完成後，依據該等待作業執行之總時間或者該等待作業執行之總有效次數，決定是否要執行該研磨籌備作業。
如此，可確保僅於需要時才執行研磨籌備作業。
較佳地，該研磨表面之修整作業係於該等待作業過程中實施。
此外，該研磨表面之修整時間可於等待作業執行過程中執行而予以延長，俾使該研磨表面有充足修整時間，進而延長該具有研磨表面之例如研磨墊之使用壽命。
於本發明之一較佳實施態樣中，於該等待作業執行過程中，將用以經由彈性體按壓工件於研磨表面之頂環(top ring)之壓力室內部加壓。
於等待作業執行過程中，藉由對該頂環之壓力室施壓以強制性壓縮或膨脹該彈性體，如此可防止該彈性體隨著時間而硬化(即彈性衰退)，亦可防止該彈性體之膨脹度或壓縮量的縮減。
本發明復提供一種研磨裝置，該研磨裝置係包括：具 有研磨表面之研磨台；用以支撐工件並按壓該工件於該研磨表面之頂環；用以修整該研磨表面之修整器(dresser)；用以施加研磨液於該研磨表面之研磨液供給噴嘴；以及用以控制該研磨台、修整部以及研磨液供給噴嘴之控制部俾在研磨休眠期間(polishing-resting time period)完成等待作業(stand-by operation)後施加研磨液於研磨表面之同時修整該研磨表面以執行研磨籌備作業。
於本發明之一較佳實施態樣中，該控制部係依據該等待作業執行之總時間或者該等待作業執行之總有效次數，決定是否要執行該研磨籌備作業。
本發明又復提供一種研磨裝置控制程式，該研磨裝置控制程式係用以控制研磨裝置執行以下步驟：於研磨休眠期間執行等待作業；完成上述等待作業後，施加該研磨液於該研磨表面之同時修整該研磨表面而執行研磨籌備作業；以及於研磨籌備作業完成後，對工件執行研磨作業。
於本發明之一較佳實施態樣中，該研磨裝置控制程式係於該等待作業完成後，依據該等待作業執行之總時間或者該等待作業執行之總有效次數，以決定是否要執行該研磨籌備作業。
於本發明之一較佳實施態樣中，該研磨裝置控制程式係依據該研磨表面被使用之累積時間，決定是否要在該等待作業執行中執行該研磨表面之修整作業。
於本發明之一較佳實施態樣中，該研磨裝置控制程式係於該等待作業執行過程中，依據頂環之壓力室之用以按 壓該工件於該研磨表面之彈性體被使用之累積時間，決定是否要對該頂環之壓力室執行加壓作業。
依本發明，於完成等待作業之後施加該研磨液至該研磨表面之同時修整該研磨表面以執行研磨籌備作業，以取代習知技術中之假晶圓研磨作業，可避免該假晶圓之使用成本而無需對研磨裝置額外增加新裝置進行設計改變。
以下配合圖式說明本發明之具體實施方式，具體而言，係以研磨並平坦化例如半導體晶圓之作為工件之基板的研磨表面為例進行描述。
第1圖顯示本發明之研磨裝置之整體佈局之一實施態樣之俯視圖。如第1圖所示，放置於該研磨裝置之晶圓匣盒204中之例如半導體晶圓之未研磨基板(工件)係藉由在滑行軌道200上移動之自動輸送設備(transport robot)202逐個輸送至該晶圓匣盒204外，而安置於一基板平臺206。此外，放置該基板平臺206上之未研磨基板係透過一自動輸送設備208輸送至一旋轉輸送機210上，而已研磨之基板亦係透過該自動輸送設備208自該旋轉輸送機210傳送至該基板平臺206上，再藉由該自動輸送設備202將該放置於該基板平臺206上之已研磨基板傳送至該晶圓匣盒204中。其中，該旋轉輸送機210上之未研磨基板係透過如下所述之頂環1支撐並移動至一研磨台100處，以供執行基板研磨作業。如此，該研磨裝置係系統化的，以供複數基板以批量方式連續地完成研磨作業。
該研磨裝置係包括清潔器212、214、研磨台216、修整器218、220以及水盆222。其中，該清潔器212、214係用以清潔並烘乾經研磨處理後之基板，該研磨台216係用以執行基板表面第二道製程(second-step)之研磨作業，該修整器218、220係用對該研磨台100、216執行修整作業，該水盆222係用以清潔該修整器218。該研磨裝置係設計為可供一研磨台100改變複數研磨液或複數研磨條件(如研磨配方)，以執行2次或多次製程研磨作業。
該研磨裝置係可配置4個研磨台，如此，一套具有二研磨台之裝置可供執行兩道製程之研磨作業，而一套具有四研磨台之裝置則可供執行四道製程之研磨作業。
該研磨裝置係具有工作線上厚度監控器224(in-line thickness monitor；ITM)，該工作線上厚度監控器224係用以於研磨作業之前、多道研磨製程之間、或者研磨、清潔及烘乾作業之後量測基板之表面狀態，例如基板之表面覆膜之厚度等。其中，如第1圖所示，該工作線上厚度監控器224係為與該滑行軌道200同一線延伸設置者。該工作線上厚度監控器224採用光學方式，發射光訊號至基板表面，同時接收反射回之光訊號，並依據該反射光訊號量測該例如半導體晶圓之基板之絕緣膜(例如氧化膜)之厚度或導電膜(例如銅膜或阻障層(barrier layer))之研磨狀態，此處需予以說明的是，上述工作線上厚度監控器224量測作業係於研磨之後該自動輸送設備202準備將該基板置放於該晶圓匣盒204中時、或於研磨之前該自動輸送設備202 自該晶圓匣盒204中取出該基板後予以執行者。
該研磨裝置至研磨部分係支撐有一待研磨物，例如半導體晶圓之基板，並將該基板按壓於研磨台之研磨表面，以研磨該基板之表面。請參閱第2圖，研磨台100係設置於該頂環1下方，且具有研磨表面101a(上表面)之研磨墊(即研磨布)係黏貼於該研磨台100上。於該研磨台100上方係設置有研磨液供給噴嘴102，以施加研磨液(研漿)Q於該研磨台100上之研磨墊101。如此構成研磨部分(polishing section)。此外，該研磨台100復設置有純淨水供給噴嘴104，該純淨水供給噴嘴104係用以施加純淨水至該研磨台100上之研磨墊101。
市面上出售之各類型研磨墊，例如Rodel公司生產之SUBA800、IC-100及IC-1000/SUBA400(具有雙層研磨布)，以及Fujimi公司生產之Surfin xxx-5及Surfin000，均屬於本發明之研磨墊101之應用範疇。其中，SUBA800、Surfin xxx-5及Surfin000類型之研磨墊係為非機織織物，且均為固著有聚氨基甲酸乙酯樹脂(polyurethane resin)之纖維，且該IC-100類型之研磨墊係為單層之聚氨酯硬泡(rigid foamed polyurethane)。該聚氨酯硬泡之表面係為具有複數細微之凹槽或孔洞之多孔結構。該研磨墊101基本上係為消耗品，且當藉由該研磨墊101研磨基板表面時，該研磨墊101會逐漸消磨。於實際研磨過程中，當研磨墊101達到一預定厚度或研磨率低下時，則需更換該研磨墊101。
該頂環1係透過一萬向接頭(universal joint portion)10與一頂環驅動軸11相連接，而該頂環驅動軸11係藕接至一頂環氣缸(top ring air cylinder)111，該頂環氣缸111係固接至一頂環頭110。該頂環驅動軸11係藉由該頂環氣缸111垂直移動，以帶動整個頂環1上下運動，並按壓固定於頂環體2之底端之扣環3於該研磨台100上。此外，該頂環氣缸111係透過一調整器RE1連接至一壓縮空氣源120。供應至頂環氣缸111之加壓空氣之氣壓可透過該調整器RE1進行調整，進而調整該扣環3施加於該研磨墊101之壓力。
該頂環驅動軸11係透過一按鍵(未圖示)設置有具有定時滑輪113(timing pulley)之旋轉缸112。而作為旋轉驅動用且具有定時滑輪116之頂環馬達114係固接至一頂環頭110。其中該定時滑輪113係藉由一定時帶115與該定時滑輪116相連。因此，藉由旋轉驅動該頂環馬達114，以帶動該定時滑輪116，且該定時滑輪116復透過定時帶115帶動該定時滑輪113，同時進一步透過該定時滑輪113帶動該旋轉缸112與該頂環驅動軸11一起旋轉，進而旋轉該頂環1。此外，該頂環頭110係由固接至框架(未圖示)之頂環頭軸117予以支撐。
該頂環馬達114具有用以量測該馬達114轉矩之轉矩感測器(torque sensor)(未圖示)。舉例而言，執行基板表面研磨作業過程中，當去除該基板表面之金屬膜而外露形成於該金屬膜下方之絕緣膜時，使得該基板表面與該研磨表 面之間的摩檫力發生變化，則需相應地改變該頂環馬達114之轉矩。該金屬膜是否去除係可透過該轉矩感測器偵測該基板表面與該研磨表面之間的摩檫力是否發生變化而確認，該轉矩感測器可為用以實際量測該頂環馬達114之轉矩之感測器，亦可為用以量測該頂環馬達114之電流之感測器。於本實施例中，該轉矩感測器係應用於該頂環馬達114中，但不以此為限，該轉矩感測器亦可應用於用以旋轉該研磨台100之研磨台馬達中。
該修整器218係設置於一樞軸修整頭130之自由端。如同上述頂環1之作動原理，該修整器218係藉由一氣缸(未圖示)之觸動而垂直運動，並藉由一馬達以及定時滑輪(未圖示)而執行旋轉運動。
以下將結合第3以及第4圖對該頂環1進行詳細說明。第3圖係顯示該頂環1之縱剖視圖，而第4圖係顯示第3圖之頂環1之仰視圖。
請參閱第3圖，該頂環1係包括一頂環體2以及固定於該頂環體2底端之扣環3。該頂環體2係為一中空圓柱管體結構，且該頂環體2係由例如金屬或陶瓷等具有高強度及高硬度之材料構成。而該扣環3係由例如高硬度之樹脂或陶瓷等材料構成。
該頂環體2係包括一圓柱管體結構之殼體(housing)2a、設置於該殼體2a之圓柱部分之環形壓片支撐部2b、以及設置於該殼體2a之上表面之週邊部分之環形密封部2c。與該頂環體2之殼體2a之下表面相固定之該扣環3 之底部係向內突伸設計。此外，該扣環3亦可與該頂環體2一體成型。
上述頂環驅動軸11係設置於該頂環體2之殼體2a之中心位置上方。該頂環體2與該頂環驅動軸係透過萬向接頭10相連接。該萬向接頭10係包括球面軸承裝置以及一旋轉傳輸裝置，其中，該球面軸承裝置係用以提供該頂環體2以及該頂環驅動軸11之間的相互傾斜(titlt)功能，而該旋轉傳輸裝置係用以將該頂環驅動軸11之旋轉帶動該頂環體2旋轉。於是，藉由該萬向接頭10可將該頂環驅動軸11之壓力以及轉矩傳遞至該頂環體2。
該球面軸承裝置係包括一球面凹槽11a、一球面凹槽2d以及一軸承球12，其中，該球面凹槽11a係形成於該頂環驅動軸承11之下表面中心位置處，該球面凹槽2d係形成於該殼體2a之上表面之中心位置處，以及該軸承球12係為例如陶瓷之高硬度材料，而設置於該凹槽11a以及該凹槽2d之間。而該旋轉傳輸裝置係包括固定於該頂環驅動軸11之驅動銷(未圖示)以及固定於該殼體2a之被動銷(未圖示)。各該驅動銷之間係相對垂直運動。相應地，當該頂環體2發生旋轉時，各該驅動銷仍然相互接合於一變換接觸點，藉此該旋轉傳輸裝置即可將該頂環驅動軸11之轉矩傳遞給該頂環體2。
於該頂環體2之內部空間以及該扣環3與該頂環體2相固接之位置係設置有一用以接觸例如半導體晶圓之基板W之彈性墊(elastic pad)4、一由該頂環1支撐之環形支撐 環5、以及一用以支撐該彈性墊4之盤形夾持盤6。該彈性墊4係夾持於該支撐環5與固定於該支撐環5底端之夾持盤6之間的週邊部分、並包覆該夾持盤6下表面，藉此，即於該彈性墊4以及該夾持盤6之間形成一空間。
壓片7係伸展設置於該支撐環5與該頂環體2之間，該壓片7係具有一彈性膜。該壓片7之一端係夾持於該頂環體2之殼體2a以及該壓片支撐部2b中間，該壓片7之另一端係夾持於該支撐環5之前端部5a以及止擋部5b之間。壓力室21係形成於該頂環體2內部，並鄰近該頂環體2、該夾持盤6、該支撐環5以及該壓片7。如第3圖所示，具有管道以及介面之流體通道31係與該壓力室21相連通。該壓力室21係藉由該與一調整器RE1連通之流體通道31連接至該壓縮空氣源120。該壓片7係由例如乙丙烯橡膠(Ethylene-Propylene rubber)、聚氨酯橡膠(polyurethane rubber)以及矽橡膠(silicon rubber)等具有良好伸展性以及耐用性之橡膠材料構成。
當以橡膠等具有彈性之材料構成壓片7，而以鉗夾方式(nipping)固定在扣環3與頂環體2之間時，由於該彈性壓片7具有彈性形變，難於該扣環3下表面形成所需要之平坦之平面。因此，於本實施例中，由於該壓片支撐部2b係分離設置者，該壓片7係夾持固定於該頂環體2之殼體2a與壓片支撐部2b。
另外，也可設成使扣環3可相對該頂環體2作垂直運動，如日本專利公開公報H9-168964所揭示日本另一專利 公開公報H11-294503號揭示有該扣環3可獨立於該頂環體2作擠壓運動，因此，該壓片7之固定方式並非局限於如上所述之固定方式。
一中央氣囊(center bag)8(中心接觸元件)及一環管(週邊接觸元件)係為用以抵觸該設置於該彈性墊4與該夾持盤6之間的彈性墊4之接觸元件。請參閱第3及4圖，於本實施例中，該中央氣囊8係設置於該夾持盤6之下表面之中心位置處，而該環管9係設置於該中央氣囊8週邊以環繞該中央氣囊8。如同該壓片7之材料組成，該彈性墊4、該中央氣囊8以及該環管9係由例如乙丙烯橡膠、聚氨酯橡膠以及矽橡膠等具有良好伸展性以及耐用性之橡膠材料構成。
該夾持盤6與該彈性墊4之間所形成之空間係藉由該中央氣囊8及該環管9分割成一壓力室22以及一壓力室23，該壓力室22係形成於該中央氣囊8及該環管9之間，而該壓力室22係形成於該環管9外側。
該中央氣囊8係包括一彈性膜81以及一可分離地支撐該彈性膜81之中央氣囊支撐部82。該彈性膜81係抵觸於該彈性墊4之上表面，該中央氣囊支撐部82具有螺絲孔82a，以供該中央氣囊8藉由螺絲55鎖固該螺絲孔82a而可分離地鎖附於該夾持盤6之下表面之中心位置處。此外，於該中央氣囊8內部，該彈性膜81與該中央氣囊支撐部82之間係形成有一中心壓力室24。
同樣地，該環管9係包括一彈性膜91以及一可分離地 支撐該彈性膜91之環管支撐部92。該彈性膜91係抵觸於該彈性墊4之上表面，該環管支撐部92具有螺絲孔92a，以供該環管9藉由螺絲56鎖固該螺絲孔92a而可分離地鎖附於該夾持盤6之下表面。此外，於該環管9內部，該彈性膜91與該環管支撐部92之間係形成有一中間壓力室25。
流體通道33、34、35、36係分別與該壓力室22、23、該中心壓力室24以及該中間壓力室25相連通，且該流體通道33、34、35、36均係具有管道以及介面。該壓力室22至25係藉由該與調整器RE3、RE4、RE5、RE6分別連通之流體通道33至36連接至該壓縮空氣源120。而該流體通道31、33至36係透過設置於該頂環驅動軸11之頂端之旋轉接頭(未圖示)分別連接至各該調整器RE2至RE6。
例如壓縮空氣等加壓流體、或大氣壓力或真空係透過與設置於該夾持盤6上方之壓力室21、以及壓力室22至25相連通之流體通道31、33至36供給至各該壓力室21至25。如第2圖所示，供給至各該壓力室22至25之加壓流體之壓力係藉由該調節器RE2至RE6予以調節。因此，該壓力室22至25中之壓力可獨立控制，亦可引入大氣壓力或真空至各該壓力室。
由於各該壓力室21至25中之壓力可藉由各該調節器RE2至RE6分別獨立調節，使得該彈性墊4施加於該基板W上之壓力以及該基板W施加於該彈性墊4之壓力易於調節，且該基板W之各部分之壓力可獨立控制。此外，各該 壓力室21至25亦可連接至一真空源121。
以下將說明具有上述結構之頂環1之運作方式。當執行該基板W之研磨作業時，係將該基板W放置於該頂環1之下表面，同時藉由該連接該頂環驅動軸11之頂環氣缸111以一預定壓力帶動該固定於該頂環1底端之扣環3按壓該研磨台100之研磨墊101之研磨表面101a。具有預定壓力值之加壓流體係分別供給至該壓力室22、23、該中心壓力室24以及該中間壓力室25，以按壓該基板W於該研磨台100之研磨墊101之研磨表面101a。研磨液Q係藉由該研磨液供給噴嘴102供應於該研磨墊101上，而保持於該研磨墊101上。藉此以於該研磨液Q施加於該基板W之待研磨表面(下表面)與該研磨墊101之研磨表面101a之狀態，對該基板W之下表面執行研磨作業。
位於該壓力室22、23下方之該基板W部分係藉由分別供給予該壓力室22、23之加壓流體之壓力而按壓於該研磨表面101a。而位於該中心壓力室24下方之該基板W部分係經由該中央氣囊8之彈性膜81以及該彈性墊4並藉由供給予該壓力室24之加壓流體之壓力，按壓於該研磨表面101a。位於該中間壓力室25下方之該基板W部分係經由該環管9之彈性膜91以及該彈性墊4並藉由供給予該壓力室25之加壓流體之壓力，按壓於該研磨表面101a。
於是，控制供給予各該壓力室22至25之加壓流體之壓力，得將施加於該基板W之研磨壓力可沿著徑向方向分區塊獨立調節。尤其是，以控制部400藉由該調節器RE3 至RE6分別控制供給予各該該壓力室22至25之加壓流體之壓力，藉此，即可分區塊調節該基板W按壓於該研磨台100之研磨墊101之壓力，亦即將該基板W按壓於該旋轉研磨台100上表面之研磨墊101之壓力可分區塊調整至合理值。同樣地，施加於該頂環氣缸111之壓力亦可透過該調節器RE1之調節，以改變該扣環3施加於該研磨墊101之壓力。
研磨過程中，藉由適當調整該扣環3施加於該研磨墊101上以及該基板W施加於該研磨墊101上之壓力，即可使該基板之中心部分(如第4圖所示之C1區域)、靠近中心之中間部分(C2)、中間部分(C3)及週邊部分(C4)、以及靠近該基板W之扣環3等區域之研磨壓力得以合理分佈。
該基板W位於該壓力室22、23下方之各部分中，有一部分係由加壓流體藉由該彈性墊4施加壓力，而有另一部分如對向於開口41之部分係由加壓流體直接施加壓力。施加於上述各部分之壓力係可為相同，亦可為不相同。研磨過程中環繞該開口41之彈性墊4係緊密黏貼於該基板4之背面，因此，該壓力室22、23內之加壓流體很少會洩漏。
因此，該基板W可分割為4個圓形及環形區域(即區域C1至C4)，且各該區域可分別予以施加獨立不同之壓力。研磨率係取決於該基板W施加於研磨表面之壓力，如上所述，該基板W各區域之壓力係可獨立予以控制，故，該基板W之4個區域(即區域C1至C4)之研磨率即可獨立 予以控制。於是，即使該基板W之待研磨表面膜之厚度呈現徑向差異，藉由本發明即可避免該基板表面出現研磨不足或研磨過多之情事發生。
尤其是，當該基板W之待研磨表面膜之厚度呈現徑向差異時，可藉由控制臨近該基板W之表面膜厚度相對大之區域之壓力室(如壓力室22至25)之壓力高於其他壓力室之壓力，或控制臨近該基板W之表面膜厚度相對小之區域之壓力室之壓力低於其他壓力室之壓力，使得施加於該基板W之表面膜厚度相對大之區域之壓力高於該表面膜厚度相對小之區域。因此，該具有較大表面膜厚度之基板W區域之研磨率即可有選擇性地增加。上述之研磨控制，可控制並確保無論整個研磨表面之厚度如何分佈，均可避免出現研磨過多或不足之情事發生。
對於該基板W之各區域邊緣可能出現之研磨過多的現象，可藉由控制該扣環3之壓力得以避免。再且，當該基板W之待研磨之邊緣區域之厚度較中心區域有很大變化時，可透過調整該扣環3之壓力高低以調整該基板W之邊緣區域之研磨率。當供給加壓流體至該壓力室22至25時，該夾持盤6接受到一向上之力度。於本實施例，透過該流體通道31供給一加壓流體予該壓力室21，可避免該夾持盤6由於各該壓力室22至25之施力而上升之情事發生。
如上所述，當藉由調整該頂環氣缸11以合理調整該扣環3施加於該研磨墊101之壓力、以及藉由調整供給予各 該壓力室22至25至壓縮空氣以合理調整該基板W之各區域施加於該研磨墊101之壓力時，即可執行對該基板W之研磨作業。
承上所述，可透過分別控制該壓力室22、23、該中央氣囊8內之壓力室24、以及該環管9內之壓力室25之壓力以控制該基板之壓力。而且，於本實施例中，可透過改變該中央氣囊8或該環管9之位置以及尺寸大小，進而實現對基板之特定區域之壓力進行控制。
尤其是，形成於基板表面之覆膜厚度分佈可能因覆膜之形成方法以及所採用之覆膜形成裝置之類型等而改變。於本實施例中，用以施加壓力於基板之壓力室之位置以及尺寸大小可透過改變該中央氣囊8、該環管9及該環管支撐部92之位置以及尺寸大小而得以改變。因此，只需以較低成本改變該頂環1之局部區域，即可依據基板之待研磨表面之厚度分佈調整該基板之壓力控制區域。此處需注意的是，該中央氣囊8或該環管9之形狀以及位置之改變勢必改變位於該中央氣囊8以及該環管9之間的壓力室22之尺寸大小、以及位於該環管9周圍之壓力室23之尺寸大小。
採用上述研磨裝置進行研磨之基板之上面形成有例如用以形成互連線之鍍銅膜、以及位於該鍍銅膜下方之阻障層。而當採用上述研磨裝置進行研磨之研磨物件係為其頂層形成有一例如二氧化矽之絕緣膜之基板時，可藉由一光學感測器或微波感測器予以偵測該絕緣膜之厚度。該光學 感測器之燈源可使用鹵燈、氙氣閃光燈、LED或鐳射等燈源。
該研磨墊101之研磨表面(上表面)101a具有一定粗糙度，以利於研磨該例如半導體晶圓之基板之表面。然而，隨著研磨技術的進展，該研磨墊101之研磨表面101a之粗糙度將隨之降低，而使得研磨性能隨之降低。因此，需於研磨作業過程中對該研磨墊101之研磨表面101a進行修整作業(dressing)，即，基板研磨作業完成後且於下一基板研磨作業執行前，以修整該研磨墊101之研磨表面101a並清潔該研磨墊101。
具體而言，首先係將該處於隱退位置之修整器(dresser)218水準移動至該研磨台100上方之預定位置，然後降低該修整器218，進而藉由該修整器218之下表面(修整表面)以一預定壓力按壓於該研磨墊101之研磨表面101a。並於透過純淨水供給噴嘴104供應純淨水予該研磨墊101之同時，旋轉該修整器218以及研磨台100，藉此以透過該修整器218對該研磨墊101之研磨表面101a執行修整作業。待修整作業完成後，停止該研磨台100與該修整器218之旋轉作業，以及該純淨水供給噴嘴104之純淨水供應作業，並將提升該修整器218且退回至該隱退位置。
該研磨裝置係以批量方式執行研磨作業。因此，當收納於載入該研磨裝置之該晶圓匣盒204之所有已完成研磨之基板W自該研磨裝置取出，並傳輸至下一道加工裝置之後，將新的晶圓匣盒204將載入該研磨裝置中，以重新準 備對收納於該新的晶圓匣盒204之基板W執行研磨作業。在前一研磨作業完成至下一研磨作業準備階段，該研磨裝置即進入等待作業(stand-by operation)(即閒置作業)階段以準備執行下一研磨作業。
請參閱第5圖，於本實施例中，該控制部400依據例如操作面板之輸入部401以及主機402之資料登錄以控制該研磨裝置，該主機402係以如下方式執行各種資料處理作業：當該研磨裝置進入等待狀態時，在旋轉該研磨台100之同時由該純淨水供給噴嘴104供應純淨水予該研磨墊101，以防止該研磨墊101乾涸。於該等待作業之後載入晶圓匣盒204至該研磨裝置，並藉由該研磨裝置之控制部400之控制，停止該純淨水供給噴嘴104之純淨水供應作業，並啟動該研磨液供給噴嘴102供應該研磨液(即研漿)Q，同時，旋轉該修整器218以及該研磨台100，並按壓該修整器218於該研磨墊101之研磨表面101a。然後，執行研磨籌備作業(研磨前修整作業，pre-polishing dressing)，即對該研磨墊101之研磨表面101a執行修整作業。該研磨籌備作業之時間週期係由例如操作人員透過該控制部400中之輸入部401輸入。當該研磨籌備作業完成後，則逐個將各該基板W自該晶圓匣盒204中取出以啟動對該基板W之研磨作業。
於等待作業完成後且基板W研磨作業開始前，執行研磨籌備作業，即供應該研磨液Q予該研磨表面101a之同 時修整該研磨墊101之研磨表面101a，藉此即可藉由該研磨液Q使該研磨表面101a達到理想之溫度同時潤濕該研磨墊101，進而無需採用假晶圓等，即可使該研磨表面101a達到研磨作業所需之最佳狀態，以排除因該假晶圓之使用而需對該研磨裝置進行結構改變，例如增加一新設備，繼而增加該假晶圓之使用成本。此外，亦可透過一輻射溫度計(未圖示)量測該研磨表面101a之表面溫度以及表面分佈狀態，同時將量測結果與一設定之表面溫度以及分佈狀態進行比對，以控制上述研磨籌備作業(研磨前修整作業)，使該研磨表面101a達到理想表面溫度及分佈狀態。
於本實施例中，該控制部400係依據該等待作業執行之總時間或者該等待作業執行之總有效次數，確定是否於該等待作業完成後執行該研磨籌備作業。並非每次於該等待作業完成後均需執行研磨籌備作業，因此，依據等待作業執行之總時間或者該等待作業執行之總有效次數，執行該研磨籌備作業是否執行之確定作業，以使該研磨籌備作業僅於必須時方予以實施。此外，亦可依據上述對該研磨表面101a之表面溫度以及分佈狀態之量測結果，以確定是否執行該研磨籌備作業。
該控制部400係儲存有控制程式，用以依據藉由該輸入部401所輸入之參數設定等待作業(即閒置作業)、研磨籌備作業(即研磨前修整作業)以及基板研磨作業所需之操作條件，同時用以操控該研磨裝置。
此外，復設定有一操作以於該等待作業期間修整該研 磨墊101之研磨表面101a。具體而言，係於該等待作業過程中，在旋轉該修整器218以及該研磨台100、並由該純淨水供給噴嘴104供應純淨水至該研磨墊101之同時，將該修整器218按壓於該研磨表面101a。
隨著研磨作業持續進行，該研磨墊101之研磨表面101a之粗糙度以及研磨性能逐漸下降。為了恢復該研磨墊100之研磨表面101a之粗糙度，則於研磨作業過程中對該研磨表面101a執行修整作業，如上所述，即於該修整器218與該研磨表面101a做相對旋轉作業之同時，將該修整器218按壓於該研磨表面101a。然而，若該研磨墊101使用時間過長，對該研磨表面101a執行預定時間之修整作業將無法提供足夠之修整效果，而無法得到足夠之粗糙度，此時，則必須於該研磨墊101耗盡之前替換該研磨墊101為新的研磨墊。於本實施例中，在等待作業過程中，藉由純淨水對該研磨墊101之研磨表面101a執行額外之修整作業，以使該研磨表面101a達到足夠之修整效果，進而延遲該研磨墊101之使用壽命。
再者，復設定有一操作以於該等待作業期間內部施加氣體壓力至該頂環1之密閉壓力室24以及25中，以對該壓力室24、25實行加壓作業。該彈性墊4所包覆之壓力室22、23於預定位置具有開口41，因此，該壓力室22、23並非密閉結構，無法於等待作業階段透過供應氣體壓力至各該壓力室22、23中，以對該壓力室22、23實行加壓作業。
該由例如橡膠之彈性材質構成且會隨著該頂環1之壓力室24、25的加壓而膨脹或壓縮之彈性膜81、91以及彈性墊4將隨著時間逐漸硬化(退化)。於是，當需研磨複數批基板時，即使下一批次基板研磨施加於該壓力室24、25之氣體壓力量與上一批次進行基板研磨所施加之氣體壓力相同，該彈性膜81、91以及彈性墊4將因硬化而造成膨脹或壓縮能力不足，而造成該下一批次施加於基板上之壓力不足。在本實施例中，係於研磨籌備作業過程中，施加氣體壓力於該頂環1之密閉壓力室24以及25中，以防止該彈性膜81、91以及該彈性墊4硬化。
於等待作業過程中，可藉由該研磨裝置之控制部400設定上述各操作。並可依據該輸入部401所輸入之參數，以藉由該控制部400確定該等待作業期間該研磨裝置之操作條件。在等待作業過程中，經常需對使用過之研磨墊100之研磨表面101a執行修整作業。因此，需依據該研磨墊101所使用之總時間，以確定是否對該研磨墊101之研磨表面101a執行修整作業。此外，在等待作業過程中，通常復需於該彈性膜81、91以及該彈性墊4使用過後，對該頂環1之壓力室24、25執行加壓作業，其中，該彈性膜81、91以及該彈性墊4係隨著該壓力室24、25的加壓而相應執行膨脹或壓縮作業。因此，需依據該彈性膜81、91以及該彈性墊4所使用之總時間，以確定該壓力室24、25之加壓條件。
第6圖係顯示另一頂環500之仰視圖。該頂環500具 有4個同心壓力室，係分別為：中心區域壓力室501；脈動區域壓力室502；外部區域壓力室503；以及邊緣區域壓力室504。各該壓力室501至504係由彈性墊(即彈性體)506完整包覆成一體。同時於該彈性墊506之特定位置設置有開口508，以吸附基板且鋪設於該中心區域壓力室501以及外部區域壓力室503。
此外，該脈動區域壓力室502以及該邊緣區域壓力室504係密閉設計，因此，在等待作業期間，係透過供應氣體壓力於其中以實現加壓作業。
綜上所述，本發明之研磨方法及研磨裝置、及研磨裝置控制程式係用以研磨並碾平一例如半導體晶圓之基板表面，實具產業利用價值。
1、500‧‧‧頂環
2‧‧‧頂環體
2a‧‧‧支架
2b‧‧‧壓片支撐部
2c‧‧‧環形密封部
2d‧‧‧球面凹槽
3‧‧‧扣環
4、506‧‧‧彈性墊
5‧‧‧支撐環
5a‧‧‧前端部
5b‧‧‧止擋部
6‧‧‧夾持盤
7‧‧‧壓片
8‧‧‧中央氣囊
9‧‧‧環管
91‧‧‧彈性膜
92‧‧‧環管支撐部
92a‧‧‧螺絲孔
10‧‧‧萬向接頭
11‧‧‧頂環驅動軸
11a‧‧‧球面凹槽
21至25、501至504‧‧‧壓力室
31、33至36‧‧‧流體通道
41、508‧‧‧開口
55、56‧‧‧螺絲
81‧‧‧彈性膜
82‧‧‧中央氣囊支撐部
82a‧‧‧螺絲孔
100‧‧‧研磨台
101‧‧‧研磨墊
101a‧‧‧研磨表面
102‧‧‧研磨液供給噴嘴
104‧‧‧純淨水供給噴嘴
110‧‧‧頂環頭
111‧‧‧頂環氣缸
112‧‧‧旋轉缸
113‧‧‧定時滑輪
114‧‧‧頂環馬達
115‧‧‧定時帶
116‧‧‧定時滑輪
117‧‧‧頂環頭軸
120‧‧‧壓縮空氣源
121‧‧‧真空源
130‧‧‧樞軸修整頭
200‧‧‧滑行軌道
202‧‧‧自動輸送設備
204‧‧‧晶圓匣盒
206‧‧‧基板平臺
208‧‧‧自動輸送設備
210‧‧‧旋轉輸送機
212、214‧‧‧清潔器
216‧‧‧研磨台
218、220‧‧‧修整器
222‧‧‧水盆
224‧‧‧同軸厚度監控器
400‧‧‧控制部
401‧‧‧輸入部
402‧‧‧主機
C1至C4‧‧‧基板區域
Q‧‧‧研磨液(研漿)
RE1至RE6‧‧‧調節器
W‧‧‧基板
第1圖係顯示本發明之研磨裝置之整體佈局之一實施態樣之俯視圖；第2圖係顯示第1圖之研磨裝置之研磨部分示意圖；第3圖係顯示第2圖之研磨部分之頂環之縱剖視圖；第4圖係顯示第3圖之頂環之仰視圖；第5圖係顯示該研磨裝置之控制方塊示意圖；以及第6圖係顯示另一頂環之部分分解仰視圖。
1‧‧‧頂環
2‧‧‧頂環體
3‧‧‧扣環
8‧‧‧中央氣囊
9‧‧‧環管
10‧‧‧萬向接頭
11‧‧‧頂環驅動軸
31、33至36‧‧‧流體通道
100‧‧‧研磨台
101‧‧‧研磨墊
110‧‧‧頂環頭
111‧‧‧頂環氣缸
112‧‧‧旋轉缸
113‧‧‧定時滑輪
114‧‧‧頂環馬達
115‧‧‧定時帶
116‧‧‧定時滑輪
117‧‧‧頂環頭軸
120‧‧‧壓縮空氣源
121‧‧‧真空源
224‧‧‧同軸厚度監控器
400‧‧‧控制部
Q‧‧‧研磨液(研漿)
RE1至RE6‧‧‧調節器
W‧‧‧基板

Claims (11)

  1. 一種研磨方法，係包括：於研磨休眠期間執行等待作業；完成該等待作業後，施加研磨液於研磨表面之同時修整該研磨表面而執行研磨籌備作業；以及於研磨籌備作業完成後，對工件開始研磨作業。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，於等待作業執行過程中係施加純淨水至該研磨表面。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，於該等待作業完成後，依據該等待作業執行之總時間或該等待作業執行之總有效次數，決定是否要執行該研磨籌備作業。
  4. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，該研磨表面之修整作業係於該等待作業執行過程中實施。
  5. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中，於該等待作業執行過程中，對頂環之藉由彈性體按壓該工件於該研磨表面之壓力室執行內部加壓作業。
  6. 一種研磨裝置，係包括：研磨台，係具有研磨表面；頂環，用以保持工件並按壓該工件至該研磨表面；修整器，用以修整該研磨表面；研磨液供給噴嘴，用以施加研磨液於該研磨表面；以及控制部，用以控制該研磨台、修整器以及研磨液供給噴嘴，於研磨休眠期間中之等待作業完成後，施加該 研磨液於該研磨表面之同時修整該研磨表面以執行研磨籌備作業。
  7. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中，該控制部係依據該等待作業執行之總時間或該等待作業執行之總有效次數，決定是否要執行該研磨籌備作業。
  8. 一種研磨裝置控制程式，係用以執行以下操作：於研磨休眠期間執行等待作業；完成該等待作業後，施加研磨液於研磨表面之同時修整該研磨表面以執行研磨籌備作業；以及於研磨籌備作業完成後，對工件開始研磨作業。
  9. 如申請專利範圍第8項之研磨裝置控制程式，其中，於該等待作業完成後，依據該等待作業執行之總時間或該等待作業執行之總有效次數，而決定是否要執行該研磨籌備作業。
  10. 如申請專利範圍第8項之研磨裝置控制程式，其中，於該等待作業執行過程中，依據該研磨表面被使用之累積時間，決定是否要執行該研磨表面之修整作業。
  11. 如申請專利範圍第8項之研磨裝置控制程式，其中，於該等待作業執行過程中，依據彈性體被使用之累積時間，決定是否要對頂環之藉由該彈性體按壓工件於該研磨表面之壓力室執行加壓作業。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8734661B2 (en) 2007-10-15 2014-05-27 Ebara Corporation Flattening method and flattening apparatus
JP5311178B2 (ja) * 2007-10-15 2013-10-09 株式会社ニコン 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法
JP5392483B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-22 不二越機械工業株式会社 研磨装置
CN102479266B (zh) * 2010-11-26 2014-10-22 香港理工大学 一种利用抛光生成结构型表面的方法
CN102528653B (zh) * 2010-12-30 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 固定式颗粒研磨装置及其研磨方法
JP6209088B2 (ja) 2013-01-25 2017-10-04 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
JP5534488B2 (ja) * 2013-06-24 2014-07-02 株式会社ニコン 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法
CN104669032B (zh) * 2013-11-30 2017-12-12 东莞市远方物流设备有限公司 物流系统
SG10201508329UA (en) * 2014-10-10 2016-05-30 Ebara Corp Buffing apparatus and substrate processing apparatus
CN105014524B (zh) * 2015-05-27 2017-09-26 苏州德锐朗智能科技有限公司 一种平面研磨机的研磨工艺
JP6376085B2 (ja) 2015-09-03 2018-08-22 信越半導体株式会社 研磨方法及び研磨装置
JP2017087407A (ja) * 2015-11-17 2017-05-25 アルバック成膜株式会社 研磨方法、研磨装置
CN106002510B (zh) * 2016-07-14 2018-08-24 吴江佳亿电子科技有限公司 用于高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度分选与返修的生产线
JP6938262B2 (ja) * 2017-07-24 2021-09-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6917966B2 (ja) * 2017-10-25 2021-08-11 株式会社荏原製作所 弾性膜のストレッチ動作プログラム、弾性膜のストレッチ動作方法、および研磨装置
KR102533567B1 (ko) * 2018-09-07 2023-05-17 항저우 중구이 일렉트로닉 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 화학, 기계적 평탄화 장비와 웨이퍼 이송방법, 웨이퍼 평탄화 유닛
CN109465738A (zh) * 2018-12-10 2019-03-15 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种抛光基座及抛光设备
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier
JP7296849B2 (ja) * 2019-10-21 2023-06-23 株式会社ディスコ 切削装置、及び、切削ブレードのドレス方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000153445A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Seiko Epson Corp 研磨装置用ドレッサ
US6102778A (en) * 1995-12-08 2000-08-15 Nec Corporation Wafer lapping method capable of achieving a stable abrasion rate
US20010029150A1 (en) * 2000-04-04 2001-10-11 Norio Kimura Polishing apparatus and method
JP2003117823A (ja) * 2001-10-09 2003-04-23 Kohan Kogyo Kk 研磨パッド用ドレッサ
JP2003117816A (ja) * 2001-10-03 2003-04-23 Hitachi Ltd 研磨パッドの修復方法および研磨パッドの修復装置およびそれを用いた被加工物の研磨方法
US20050142991A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Hidetaka Nakao Substrate polishing apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0850956A (ja) 1994-08-08 1996-02-20 Sumitomo Wiring Syst Ltd シール用ゴム栓の固定構造
JP3724869B2 (ja) 1995-10-09 2005-12-07 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置および方法
JP3164045B2 (ja) * 1997-11-27 2001-05-08 日本電気株式会社 半導体ウエハー取付基台
JPH11294503A (ja) 1998-04-06 1999-10-29 Shinko Electric Co Ltd 無人搬送車の位置決め装置
JP2001345298A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Ebara Corp ポリッシング装置及び方法
US6733368B1 (en) * 2003-02-10 2004-05-11 Seh America, Inc. Method for lapping a wafer
US7105446B2 (en) * 2003-09-04 2006-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for pre-conditioning CMP polishing pad
US7822500B2 (en) * 2004-06-21 2010-10-26 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6102778A (en) * 1995-12-08 2000-08-15 Nec Corporation Wafer lapping method capable of achieving a stable abrasion rate
JP2000153445A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Seiko Epson Corp 研磨装置用ドレッサ
US20010029150A1 (en) * 2000-04-04 2001-10-11 Norio Kimura Polishing apparatus and method
JP2003117816A (ja) * 2001-10-03 2003-04-23 Hitachi Ltd 研磨パッドの修復方法および研磨パッドの修復装置およびそれを用いた被加工物の研磨方法
JP2003117823A (ja) * 2001-10-09 2003-04-23 Kohan Kogyo Kk 研磨パッド用ドレッサ
US20050142991A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Hidetaka Nakao Substrate polishing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
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