KR20170049926A - 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 하정반에 부착되는 연마 패드를 세정하는 드레싱 장치에 관한 것으로, 브러쉬(brush)를 포함하는 브러싱부, 상기 연마 패드에 세정액을 분사하는 분사 노즐을 포함하는 세정액 분사부, 및 상기 세정액 분사부에 의하여 세정액 분사시 발생하는 파티클을 흡입하는 흡입구를 포함하는 흡입부를 포함하며, 동일한 스윙 속도(swing speed)로 상기 브러싱부, 상기 세정액 분사부, 및 상기 흡입부는 함께 상기 연마 패드 상을 스윙한다.
Description
실시 예는 연마 패드를 세정하는 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치에 관한 것이다.
다층 배선 구조를 갖는 반도체 소자의 광역 평탄화를 위하여 웨이퍼의 화학 기계적 연마(CMP : chemical mechanical polishing) 공정이 수행될 수 있다. 화학 기계적 연마 공정은 가압된 웨이퍼와 연마 패드 사이에 존재하는 연마제(abrasive)에 의한 기계적인 가공과 슬러리(slurry) 등의 화합물에 의한 화학적 에칭이 동시에 일어나는 공정이다.
화학 기계적 연마 공정이 수행되면, 웨이퍼의 표면으로부터 제거된 물질들과 슬러리 등이 연마 패드 표면에 적층될 수 있다. 이렇게 연마 패드의 표면에 축적된 입자들(particles)을 제거하고 연마 패드의 균일한 연마 특성을 유지하기 위하여 연마 패드 드레싱 장치를 통하여 연마 패드에 대한 드레싱 공정이 수행된다.
화학 기계적 연마 공정, 예컨대, 최종 연마 직후에 드레싱 장치를 이용한 드레싱 공정 동안 웨이퍼 표면에 미세 입자들이 흡착될 수 있다. 이렇게 웨이퍼 표면에 흡착된 미세 입자에 의하여 국부적 연마 단차가 발생할 수 있다.
실시 예는 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함을 억제할 수 있는 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치를 제공한다.
실시 예는 하정반에 부착되는 연마 패드를 세정하는 드레싱 장치에 관한 것으로, 브러쉬(brush)를 포함하는 브러싱부; 상기 연마 패드에 세정액을 분사하는 분사 노즐을 포함하는 세정액 분사부; 및 상기 세정액 분사부에 의하여 세정액 분사시 발생하는 파티클을 흡입하는 흡입구를 포함하는 흡입부를 포함하며, 동일한 스윙 속도(swing speed)로 상기 브러싱부, 상기 세정액 분사부, 및 상기 흡입부는 함께 상기 연마 패드 상을 스윙한다.
상기 분사 노즐은 상기 브러싱부로부터 수평 방향으로 이격하여 위치하고, 상기 흡입구는 상기 분사 노즐로부터 상기 수평 방향으로 이격하여 위치하며, 상기 수평 방향은 상기 연마 패드의 상면과 평행한 방향일 수 있다.
상기 드레싱 장치는 상기 세정액 분사부를 상기 브러싱부에 고정하는 제1 고정부; 및 상기 흡입부를 상기 세정액 분사부에 고정하는 제2 고정부를 더 포함할 수 있다.
상기 세정액 분사부 및 상기 흡입구 각각은 상기 브러싱부로부터 이격하며, 상기 흡입구는 상기 분사 노즐의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
상기 드레싱 장치는 상기 흡입구를 감싸도록 상기 흡입구의 하단을 기준으로 하측 방향으로 돌출되는 차단부를 더 포함할 수 있다.
상기 세정액 분사부, 상기 흡입부, 및 상기 브러싱부는 서로 연속하여 접할 수 있다.
바깥쪽에서 안쪽으로 향하는 방향으로 상기 브러싱부, 상기 흡입부, 및 상기 세정액 분사부가 순차적으로 위치할 수 있다. 상기 흡입부의 상기 흡입구는 상기 세정액 분사부의 외측면을 감싸고, 상기 브러싱부는 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐의 외측면을 감쌀 수 있다. 상기 드레싱 장치는 상기 브러싱부의 외측면에 접하고 상기 브러싱부의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출되는 차단부를 더 포함할 수 있다.
또는 바깥쪽에서 안쪽으로 향하는 방향으로 상기 흡입부, 상기 세정액 분사부, 및 상기 브러싱부가 순차적으로 위치할 수도 있다. 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐은 상기 브러싱부의 외측면을 감싸고, 상기 흡입부의 상기 흡입구는 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐의 외측면을 감쌀 수 있다. 상기 드레싱 장치는 상기 흡입부의 상기 흡입구의 외측면에 접하고, 상기 흡입부의 상기 흡입구의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출되는 차단부를 더 포함할 수 있다.
또는 바깥쪽에서 안쪽으로 향하는 방향으로 상기 브러싱부, 상기 세정액 분사부, 및 상기 흡입부가 순차적으로 위치할 수도 있다. 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐은 상기 흡입부의 상기 흡입구의 외측면을 감싸고, 상기 브러싱부는 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐의 외측면을 감쌀 수 있다.
실시 예에 따른 웨이퍼 연마 장치는 하정반 및 상기 하정반에 부착되는 연마 패드를 포함하는 연마 테이블; 웨이퍼를 상기 연마 패드에 로딩하고, 로딩된 웨이퍼를 가압하여 연마하는 해드부; 및 상기 연마 패드를 세정하는 실시 예에 따른 드레싱 장치를 포함한다.
실시 예는 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함을 억제할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 연마 장치의 사시도를 나타낸다
도 2는 도 1에 도시된 제1 드레싱 장치를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 제1 드레싱 장치의 일 실시 예를 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 드레싱 장치의 평면도를 나타낸다.
도 5는 도 4에 도시된 제1 드레싱 장치의 AB 방향 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 4에 도시된 흡입부의 단면도를 나타낸다.
도 7a는 다른 실시 예에 따른 제1 드레싱 장치의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 7b는 도 7a에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 제1 드레싱 장치의 사시도를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 일 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 10은 도 9에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 11은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 12는 도 11에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 13은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 14는 도 13에 도시된 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 15는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 16은 도 15에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 17은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 18은 도 17에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 19는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 저면도를 나타내다.
도 20은 드레싱 공정시 발생하는 파티클의 수를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 드레싱 장치를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 제1 드레싱 장치의 일 실시 예를 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 드레싱 장치의 평면도를 나타낸다.
도 5는 도 4에 도시된 제1 드레싱 장치의 AB 방향 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 4에 도시된 흡입부의 단면도를 나타낸다.
도 7a는 다른 실시 예에 따른 제1 드레싱 장치의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 7b는 도 7a에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 제1 드레싱 장치의 사시도를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 일 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 10은 도 9에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 11은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 12는 도 11에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 13은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 14는 도 13에 도시된 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 15는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 16은 도 15에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 17은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 18은 도 17에 도시된 제1 드레싱 장치의 저면도를 나타낸다.
도 19는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예에 따른 저면도를 나타내다.
도 20은 드레싱 공정시 발생하는 파티클의 수를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
도 1은 실시 예에 따른 웨이퍼 연마 장치(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1)를 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 연마 장치(100)는 몸체(body, 101), 웨이퍼 수납부들(102-1 내지 102-4), 이송 로봇들(103-1, 103-2), 트랜스퍼 유닛(transfer unit, 104), 연마 테이블들(polishing tables, 106-1 내지 106-3), 해드부(Head unit, 120), 이동부(130), 슬러리 공급부(140), 및 드레싱 장치들(dressing units, 200-1 내지 200-3)을 포함한다.
몸체(101)는 웨이퍼 연마 공정 및 드레싱 공정이 수행되는 스테이지(stage)를 제공한다.
웨이퍼 수납부들(102-1 내지 102-4)은 웨이퍼들을 수납하는 공간이다. 예컨대, 웨이퍼 수납부들(102-1 내지 102-4)은 웨이퍼들을 적재할 수 있는 카세트가 배치 또는 로딩(loading)되는 공간일 수 있다.
웨이퍼 수납부들(102-1 내지 102-4)은 연마할 웨이퍼가 로딩되는 로딩부(102a) 및 연마 공정 완료된 웨이퍼가 언로딩되는 언로딩부(102b)를 포함할 수 있다.
이송 로봇들(103-1,103-2)은 로딩부(102a)에 수납된 연마할 웨이퍼들을 트랜스퍼 유닛(104)으로 이송하거나 또는 트랜스퍼 유닛(104)에 배치된 연마 공정이 완료된 웨이퍼들을 언로딩부(102b)로 이송한다.
트랜스퍼 유닛(104)은 이송 로봇(103-2)에 의하여 이송된 웨이퍼들을 해드부(120)에 제공하거나, 해드부(120)에 의하여 이송된 연마된 웨이퍼들을 이송 로봇(103-1)에 제공한다.
트랜스퍼 유닛(104)은 테이블(104a), 테이블(104a)을 회전시키는 회전축(105), 및 테이블(104a) 상에 배치되고, 테이블(104a)과 함께 회전 운동하는 웨이퍼 받침대들(104-1 내지 104-6)을 포함할 수 있다.
웨이퍼 받침대들(104-1 내지 104-6)에는 이송 로봇(103-2)에 의하여 이송된 웨이퍼가 안착되거나, 또는 해드부(120)에 의하여 이송된 연마 완료된 웨이퍼들이 안착될 수 있다.
테이블(104a)은 회전축(105)을 중심으로 기설정된 각도만큼 회전 운동할 수 있다. 웨이퍼 받침대들(104-1 내지 104-6)은 테이블(104a) 상에 서로 이격하여 배치될 수 있고, 테이블(104a)과 함께 회전 운동할 수 있다.
테이블(104a)의 회전에 의하여 웨이퍼 받침대들(예컨대, 104-3,104-4)에 안착된 연마할 웨이퍼를 해드부(120)가 있는 곳까지 이동시킬 수 있다. 또한 테이블(104a)의 회전에 의하여 웨이퍼 받침대들(예컨대, 104-5,104-6)에 안착된 연마 왼료된 웨이퍼들을 이송 로봇(103-1)이 접근할 수 있는 곳까지 이동시킬 수 있다.
연마 테이블들(polishing tables, 106-1 내지 106-3)은 몸체(101)의 상부면에 서로 이격하여 배치된다.
연마 테이블들(106-1 내지 106-3) 각각은 하정반, 하정반의 상부면에 배치되는 연마 패드, 및 하정반을 회전시키는 회전부를 포함할 수 있다. 도 1에는 3번의 연마 공정들을 순차적으로 진행하는 3개의 연마 테이블들을 구비하지만, 연마 테이블들의 수는 이에 한정되는 것은 아니며, 연마 공정 수의 맞추어 2개 이상일 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 연마 테이블(106-1)은 하정반(210), 하정반(210)의 상부면에 배치되는 연마 패드(220), 및 하정반(210)을 제1 방향, 예컨대, 시계 방향 또는 시계 반대 방향으로 회전시키는 회전부(230)를 포함할 수 있다. 제1 내지 3 연마 테이블들(106-1 내지 160-3) 각각은 동일한 구조를 가질 수 있다.
해드부(120)는 트랜스퍼 유닛(104)의 웨이퍼 받침대들(예컨대, 104-5,104-6)에 안착된 연마하고자 하는 적어도 하나의 웨이퍼를 흡착하고, 연마를 위하여 흡착된 적어도 하나의 웨이퍼를 연마 테이블(106-1 내지 106-3)에 로딩시키고, 로딩된 웨이퍼를 가압하여 웨이퍼에 대한 연마 공정을 수행한다.
예컨대, 해드부(120)는 트랜스퍼 유닛(104) 상에 로딩된 적어도 하나의 웨이퍼의 일면(예컨대, 앞면 또는 뒷면)을 흡착할 수 있고, 흡착된 적어도 하나의 웨이퍼를 제1 연마 테이블(160-1)에 로딩시킬 수 있다. 또한 해드부(120)는 연마를 위하여 제1 연마 테이블(106-1)에 로딩된 적어도 하나의 웨이퍼를 가압할 수 있으며, 적어도 하나의 웨이퍼의 타면(예컨대, 뒷면 또는 앞면)은 연마 테이블(106-1 내지 106-3)의 연마 패드(220)에 의하여 연마될 수 있다.
해드부(120)는 흡착된 적어도 하나의 웨이퍼를 제1 내지 제3 연마 테이블들(106-1 내지 106-3)로 순차적으로 이동시키면서 연마 공정을 수행할 수 있다. 도 1에서는 하나의 웨이퍼에 대하여 3번의 연마 공정이 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
해드부(120)는 상정반(122), 상정반(122) 하면에 배치되는 복수의 해드 척들(head chucks, 124-1 내지 124-8), 및 상정반(122)을 회전시키는 회전부(130)를 포함할 수 있다.
복수의 해드 척들(예컨대, 124-1 내지 124-6)은 연마 테이블들(106-1 내지 106-3)에 대응하여 배치 또는 배열될 수 있다. 도 1에서는 2개의 해드 척들이 각 연마 테이블(106-1 내지 106-3)에 대응하여 상정반의 하면에 서로 이격하여 배열되지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상정반(122)은 회전부(130)를 축으로 회전할 수 있으며, 해드 척들(124-1 내지 124-6)이 연마 테이블(106-1 내지 106-3)에 정렬되도록 기설정된 각도만큼 회전 운동할 수 있으며, 연마 공정 시에는 회전하지 않고 정지 상태를 유지한다. 또한 이때 해드 척들(124-7, 124-8)은 다음 연마를 준비하기 위하여 트랜스퍼 유닛(104)의 웨이퍼 받침대들(104-5,104-6)에 정렬될 수 있다.
해드 척들(124-1 내지 124-8)은 상하 이동 가능하며, 웨이퍼를 흡착할 수 있고, 연마 시 웨이퍼를 가압할 수 있고 일정한 방향으로 흡착된 웨이퍼를 회전시킬 수 있다.
연마시 해드 척들(124-1 내지 124-6)의 회전 방향과 연마 테이블(106-1 내지 106-3)의 회전 방향은 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
연마가 완료되면, 해드 척들(124-1 내지 124-6)은 웨이퍼를 흡착한 상태로 상승할 수 있고, 해드 척들(124-1 내지 124-6)이 상승된 상태에서 상정반(122)이 일정한 방향, 예컨대, 시계 방향으로 회전함으로써, 연마된 웨이퍼를 다음 연마 테이블로 이동시킬 수 있다.
슬러리 공급부(140)는 웨이퍼 연마시 연마 테이블(106-1 내지 106-3)의 연마 패드(220)에 슬러리(slurry)를 공급한다.
드레싱 장치들(200-1 내지 200-3) 각각은 연마 테이블들(106-1 내지 106-3) 중 대응하는 어느 하나의 연마 패드(220)를 세정한다.
예컨대, 드레싱 장치들(200-1 내지 200-3) 각각은 대응하는 연마 테이블(106-1 내지 106-3)에서 연마 공정이 완료된 후 해드 척들(124-1 내지 124-6)에 의하여 연마 완료된 웨이퍼들이 연마 패드(220)로부터 이격된 후에 연마 패드(220)를 세정할 수 있다.
드레싱 장치들(200-1 내지 200-3) 각각은 동일한 구성을 가질 수 있으며, 드레싱 장치들(200-1 내지 200-3) 각각은 연마 패드(220)를 솔질하는(brushing) 브러싱부(brushing unit), 연마 패드에 세정액을 분사하는 세정액 분사부, 및 솔질과 세정액 분사시 발생하는 에어 파티클(air particle)을 흡입하는 흡입부를 포함한다.
도 3은 도 1에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1)의 일 실시 예를 나타내는 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1)의 평면도를 나타내고, 도 5는 도 4에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1)의 AB 방향 단면도를 나타낸다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 제1 드레싱 장치(200-1)는 브러싱부(160), 세정액 분사부(170), 및 흡입부(180)를 포함할 수 있다.
브러싱부(160)는 일단(160a)에 배치되는 브러쉬(brush 162), 및 브러쉬(162)를 연마 패드(220) 상으로 이동시키는 브러쉬 이동부(164)를 포함할 수 있다.
예컨대, 브러쉬(162)는 브러쉬 이동부(164) 하부면의 일단(160a)에 위치할 수 있으며, 브러쉬 이동부(164)의 타단을 축으로 좌측 또는 우측으로 기설정된 각속도로 회전 또는 스윙(swing)함으로써, 브러쉬(162)를 연마 패드(220)의 상부면으로 이동시킬 수 있다.
드레싱 공정시 브러쉬 이동부(162)에 의하여 연마 패드(220) 상부면으로 이동된 브러쉬에 의하여 연마 패드(220) 표면이 솔질될 수 있고, 이로써 연마 공정 후에 잔류하는 연마 패드(220) 표면의 이물질 또는 글레이징(glazing)이 제거될 수 있다. 글레이징이란 웨이퍼 반응물, 슬러리 입자, 이물질 등이 높은 압력과 온도에 의해 유리질화된 후 고착된 고형물을 가리킨다. 이러한 글레이징의 발생에 따라 패드 두께 프로파일의 변형이 초래되고, 웨이퍼의 평탄도를 악화시키는 원인이 되고, 이에 의하여 패드 수명도 짧아지는 악순환이 반복될 수 있다.
세정액 분사부(170)는 브러싱부(160)에 이웃하여 위치하며, 드레싱 공정시 연마 패드(220)에 세정액, 예컨대, DIW(deionized water)을 분사한다.
세정액 분사부(170)는 고압의 세정액을 분사할 수 있다. 예컨대, 세정액 분사부(170)는 HPMJ(High Pressure Micro Jet)로 구현될 수 있고, 엷은 안개(mist) 형태의 세정액을 분사할 수 있다.
세정액 분사부(170)는 세정액을 분사하는 홀을 갖는 분사 노즐(172), 및 분사 노즐(172)에 세정액을 고압으로 제공하는 세정액 공급관(174)을 포함할 수 있다.
세정액 분사부(170)는 브러싱부(160)의 일측에 위치할 수 있고, 브러싱부(160)에 브러싱부(160)와 함께 연마 패드(220) 표면으로 이동할 수 있다.
예컨대, 세정액 분사부(170)가 위치하는 브러싱부(160)의 일 측은 브러싱부(160)의 타 측보다 연마 패드(220)에 더 인접할 수 있다. 즉 세정액 분사부(170)는 브러싱부(160)의 일 측과 연마 패드(220) 사이에 위치할 수 있다.
세정액 분사부(170)는 제1 고정부(176)에 의하여 브러싱부(160)에 고정될 수 있다. 예컨대, 제1 고정부(176)는 세정액 공급관(174)과 브러쉬 이동부(162)를 서로 연결할 수 있다.
흡입부(180)는 세정액 분사부(170)의 일 측에 위치하며, 세정액 분사부(170)로부터 고압으로 분사되는 세정액에 의하여 유발되는 파티클(particle)을 흡입한다.
흡입부(180)는 제2 고정부(186)에 의하여 세정액 분사부(170)에 고정될 수 있다. 예컨대, 제2 고정부(186)는 세정액 공급관(174)과 배기관(184)를 서로 연결할 수 있다.
세정액 분사부(170)와 흡입부(180)는 제1 및 제2 고정부들(176, 186)에 의하여 브러싱부(160)에 고정되기 때문에, 브러싱부(160)와 함께 이동할 수 있다. 예컨대, 세정액 분사부(170)와 흡입부(180)는 브러싱부(160)와 동일한 각속도 또는 스윙 속도(swing speed)를 갖도록 회전 이동할 수 있다.
또한 세정액 분사부(170)의 분사 노즐(172)로부터의 세정액의 분사와 흡입부(180)의 흡입구(182)에 의한 파티클(181)의 흡입은 동시에 수행될 수 있다.
흡입부(180)는 금속, 또는 오염 소스를 유발하지 않는 플라스틱 재질, 예컨대, PC, PVC, 또는 폴리프로필렌, 또는 테프론 등으로 이루질 수 있다.
도 6은 도 4에 도시된 흡입부(180)의 단면도를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 흡입부(180)는 파티클(181)을 흡입하기 위한 흡입구(182), 및 흡입구(182)에 연결되며 기설정된 압력 또는 흡입력으로 흡입구(182)를 통하여 흡입된 파티클(181)를 배기하는 배기관(184)을 포함할 수 있다. 배기관(184)은 튜브(tube) 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 흡입력을 높이기 위하여 흡입구(182)의 직경(DA1)은 배기관(184)의 직경(DA2)보다 클 수 있다(DA1>DA2).
도 5를 참조하면, 세정액 분사부(170)의 분사 노즐(172)은 브러싱부(160)로부터 수평 방향(501)으로 제1 거리(D1)만큼 이격하여 위치할 수 있고, 흡입부(180)의 흡입구(182)는 분사 노즐(172)로부터 수평 방향(501)으로 제2 거리(D2)만큼 이격하여 위치할 수 있다. 예컨대, 수평 방향(501)은 연마 패드(220)의 상면과 평행한 방향일 수 있다. 예컨대, 수평 방향(501)은 브러싱부(160)의 길이 방향, 세정액 분사부(170)의 길이 방향 또는 흡입부(180)의 길이 방향에 수직한 방향일 수 있다.
분사 노즐(172)에 의하여 분사되는 세정액에 의하여 발생되는 파티클의 흡입률을 높이기 위하여 제2 거리(D2)는 제1 거리(D1)보다 짧을 수 있으나(D2<D1), 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 D1=D2이거나 또는 D1<D2일 수도 있다.
도 7a는 다른 실시 예에 따른 제1 드레싱 장치(200-1')의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 7b는 도 7a에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1')의 저면도를 나타낸다. 도 3 내지 도 5와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 7a 및 도 7b에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1')는 도 4에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1)의 변형 예일 수 있다.
세정액 분사부(170)를 감싸도록 흡입부(180a)가 세정액 분사부(170)의 주위에 위치하는 점, 및 세정액 분사부(170)에서 분사되는 세정액에 의하여 발생되는 파티클(181)이 비산되는 것을 막는 차단부(188)가 구비되는 점이 도 4에 도시된 실시 예와 다르다. 그 이외는 도 3 및 도 4의 제1 드레싱 장치(200-1)에 대한 설명이 제1 드레싱 장치(200-1')에 동일하게 적용될 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제1 드레싱 장치(200-1')는 브러싱부(160), 세정액 분사부(170), 및 흡입부(180a)를 포함할 수 있다.
흡입부(180a)는 세정액 분사부(170)의 외측면을 감싸도록 위치하며, 세정액 분사부(170)의 외측면에 접할 수 있다. 흡입부(180a)는 파티클을 흡입하기 위한 흡입구(182-1), 및 흡입구(182-1)에 연결되고 기설정된 압력 또는 흡입력으로 파티클(181)을 배기하는 배기관(미도시)을 포함할 수 있다.
파티클의 흡입률을 향상시키기 위하여 흡입구(182-1)는 세정액 분사부(170)의 분사 노즐(172)의 외측면을 감싸고, 분사 노즐(172)의 외측면에 접할 수 있다.
제1 드레싱 장치(200-1')는 흡입구(182-1)의 가장 자리에 배치되는 차단부(188)를 더 구비할 수 있다.
차단부(188)는 흡입구(182-1)의 하단(10)을 기준으로 하측 방향으로 돌출될 수 있으며, 분사 노즐(172)로부터 분사되는 세정액이 주위로 비산하는(scaterring) 것을 방지할 수 있다.
또한 차단부(188)는 분사 노즐(172)의 하단(20)을 기준으로 하측 방향으로 돌출될 수 있다. 도 7a에서는 흡입구(182-1)의 하단(10)과 분사 노즐(172)의 하단(20)이 동일 평면에 위치하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 흡입구(182-1)의 하단이 분사 노즐(172)의 하단보다 아래에 위치할 수도 있다.
도 7에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1')는 분사 노즐(172)을 감싸도록 흡입구(182-1)가 위치하고, 차단부(188)에 의하여 파티클(181)이 흡입구(182-1)로 용이하게 흡입될 수 있기 때문에, 도 3 및 도 4에 도시된 제1 드레싱 장치(200-1)와 비교할 때 파티클의 흡입률을 더 높일 수 있고, 이로 인하여 연마 공정에서 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함(defect)을 억제할 수 있다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 제1 드레싱 장치(200a-1)의 사시도를 나타내며, 도 9는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치(200a-1)의 일 실시 예에 따른 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 10은 도 9에 도시된 제1 드레싱 장치(200a-1)의 저면도를 나타낸다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 제1 드레싱 장치(200a-1)는 서로 연속하여 접하는 세정액 분사부(210), 흡입부(220), 및 브러싱부(230)를 포함한다. 세정액 분사부(210), 흡입부(220), 및 브러싱부(230)는 서로 고정될 수 있고, 동일한 각속도 또는 스윙 속도로 함께 회전 이동할 수 있다.
예컨대, 제1 드레싱 장치(200a-1)의 바깥쪽에서 안쪽으로 향하는 방향으로 브러싱부(230), 흡입부(220), 및 세정액 분사부(210)가 순차적으로 서로 접하도록 위치할 수 있다.
세정액 분사부(210)는 세정액을 분사하는 홀을 갖는 분사 노즐(212), 및 분사 노즐(212)에 세정액을 고압으로 제공하는 세정액 공급관(미도시)을 포함할 수 있다. 도 3 내지 도 5에서 설명한 세정액 분사부(170)에 대한 설명은 세정액 분사부(210)에 적용될 수 있다.
흡입부(220)는 세정액 분사부(210)를 감싸도록 세정액 분사부(210) 주위에 배치된다. 예컨대, 흡입부(220)는 세정액 분사부(210)의 외측면에 접하고, 세정액 분사부(210)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
흡입부(220)는 파티클(181)을 흡입하기 위한 흡입구(224), 및 흡입구(224)에 연결되며 기설정된 압력 또는 흡입력으로 흡입구(224)를 통하여 흡입된 파티클(181)을 배기하는 배기관(미도시)을 포함할 수 있다.
흡입구(224)는 세정액 분사부(210)의 분사 노즐(212)의 외측면을 감싸도록 분사 노즐(212)의 외측면과 접할 수 있다.
브러싱부(230)는 흡입부(220)를 감싸도록 흡입부(220)의 주위에 배치된다. 예컨대, 브러싱부(230)는 흡입부(220)의 외측면에 접하고 흡입부(220)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
예컨대, 브러싱부(230)는 흡입구(224)의 외측면에 접하고, 흡입구(224)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
도 3 내지 도 4의 브러싱부(160), 세정액 분사부(170), 및 흡입부(180)에 대한 기능 및 구성에 대한 설명이 제1 드레싱 장치(200a-1)에 적용될 수 있다.
브러싱부(230)가 흡입부(220)에 접하도록 위치하기 때문에, 브러싱에 의하여 발생하는 파티클(181)에 대한 흡입부(220)의 흡입률을 높일 수 있고, 이로 인하여 연마 공정에서 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함(defect)을 억제할 수 있다.
또한 흡입구(224)가 분사 노즐(212)에 접하도록 위치하기 때문에 분사 노즐(212)로부터 분사되는 세정액에 의하여 발생하는 파티클(181)을 흡입구(224)가 용이하게 흡입할 수 있고, 이로 인하여 파티클(181)에 대한 흡입부(220)의 흡입률을 높일 수 있다.
또한 흡입구(224)가 분사 노즐(212)을 감싸도록 위치하기 때문에, 분사 노즐(212)로부터 분사되는 세정액에 의하여 발생하는 파티클(181)이 제1 드레싱 장치(200a-1) 주위로 비산하는 것을 억제할 수 있다. 흡입률의 향상과 파티클 비산의 억제로 인하여 실시 예는 연마 공정에서 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함(defect)을 억제할 수 있다.
도 11은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 다른 실시 예(200a-2)에 따른 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 12는 도 11에 도시된 제1 드레싱 장치(200a-2)의 저면도를 나타낸다. 도 9 및 도 10과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1 드레싱 장치(200a-2)는 도 9 및 도 10에 도시된 드레싱 장치(200a-1)에 차단부(288)를 더 구비할 수 있다.
차단부(288)는 브러쉬(232)가 배치되는 브러싱부(230)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출된다. 예컨대, 차단부(288)는 브러싱부(230)의 외측면에 접하도록 위치할 수 있으며, 브러싱부(230)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출될 수 있다.
또는 차단부(288)는 흡입부(220)의 하면 또는 세정액 분사부(210)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출될 수 있다.
예컨대, 차단부(288)는 브러싱부(230) 하면의 가장 자리에 접하도록 위치할 수 있다.
차단부(288)는 분사 노즐(212)로부터 분사되는 세정액이 주위로 비산하는(scaterring) 것을 방지하여 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 브러싱부(230)의 브러싱에 의하여 발생하는 파티클(181)이 주위로 비산하는 것을 방지하여 흡입구(224)로 용이하게 유입되도록 함으로써 파티클(181)의 흡입률을 높일 수 있다.
도 13은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예(200a-3)에 따른 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 14는 도 13에 도시된 드레싱 장치(200a-3)의 저면도를 나타낸다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 제1 드레싱 장치(200a-3)는 서로 연속하여 접하는 브러싱부(310), 세정액 분사부(320), 및 흡입부(330)를 포함한다.
브러싱부(310), 세정액 분사부(320), 및 흡입부(330)는 서로 고정될 수 있고, 동일한 각속도 또는 스윙 속도로 함께 회전 이동할 수 있다.
도 10에서는 바깥쪽에서 안쪽 방향으로 브러싱부(230), 흡입부(220), 및 세정액 분사부(210)가 순차적으로 배치되나, 도 14에서는 바깥쪽에서 안쪽 방향으로 흡입부(330), 세정액 분사부(320), 및 브러싱부(310)가 순차적으로 배치된다.
브러싱부(310)는 브러시(312) 및 브러쉬 이동부(미도시)를 포함할 수 있다.
세정액 분사부(320)는 브러싱부(310)를 감싸도록 브러싱부(310)의 주위에 배치된다. 예컨대, 세정액 분사부(320)는 브러싱부(310)의 외측면에 접하고, 브러싱부(310)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
세정액 분사부(320)는 분사 노즐(322) 및 분사 노즐(322)에 세정액을 공급하는 세정액 공급관(미도시)을 포함할 수 있다.
예컨대, 분사 노즐(322)은 브러싱부(310)의 외측면에 접할 수 있고, 브러싱부(310)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
흡입부(330)는 세정액 분사부(320)를 감싸도록 세정액 분사부(320)의 주위에 배치된다.
예컨대, 흡입부(330)는 세정액 분사부(320)의 외측면에 접하고, 세정액 분사부(320)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
흡입부(330)는 흡입구(332) 및 흡입구(332)와 연결되는 배기관(미도시)을 포함할 수 있다. 흡입구(332)는 세정액 분사부(320)의 분사 노즐(322)의 외측면에 접하고 분사 노즐(322)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
브러싱부(310)가 중앙에 위치하고 흡입부(330)가 브러싱부(310)를 감싸도록 위치하기 때문에, 브러싱에 의하여 발생하는 파티클(181)에 대한 흡입부(330)의 흡입률을 높일 수 있고, 이로 인하여 연마 공정에서 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함(defect)을 억제할 수 있다.
또한 흡입구(332)가 분사 노즐(322)에 접하기 때문에 분사 노즐(332)로부터 분사되는 세정액에 의하여 발생하는 파티클(181)을 흡입구(332)가 용이하게 흡입할 수 있고, 이로 인하여 파티클(181)에 대한 흡입부(332)의 흡입률을 높일 수 있다.
또한 흡입구(332)가 분사 노즐(322)을 감싸도록 위치하기 때문에, 분사 노즐(322)로부터 분사되는 세정액에 의하여 발생하는 파티클(181)이 제1 드레싱 장치(200a-3) 주위로 비산하는 것을 억제할 수 있다. 흡입률의 향상과 파티클 비산의 억제로 인하여 실시 예는 연마 공정에서 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함(defect)을 억제할 수 있다.
도 15는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예(200a-4)에 따른 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 16은 도 15에 도시된 제1 드레싱 장치(200a-4)의 저면도를 나타낸다. 도 13 및 도 14과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 제1 드레싱 장치(200a-4)는 도 13 및 도 14에 도시된 드레싱 장치(200a-3)에 차단부(388)를 더 구비할 수 있다.
차단부(388)는 흡입구(332)의 외측면에 접하고 흡입구(332)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출된다. 예컨대, 차단부(388)는 흡입구(332)의 외측면에 접하도록 위치할 수 있으며, 흡입구(332)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출될 수 있다. 예컨대, 차단부(388)는 흡입구(332)의 하면의 가장 자리에 접하도록 위치할 수 있다.
또는 차단부(388)는 세정액 분사부(320)의 하면, 또는 브러싱부(310)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출될 수 있다.
차단부(388)는 분사 노즐(322)로부터 분사되는 세정액이 주위로 비산하는(scaterring) 것을 방지하여 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 브러싱부(310)의 브러싱에 의하여 발생하는 파티클(181)이 주위로 비산하는 것을 방지하여 흡입구(332)로 용이하게 유입되도록 함으로써 파티클(181)의 흡입률을 높일 수 있다.
도 17은 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예(200a-5)에 따른 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 18은 도 17에 도시된 제1 드레싱 장치(200a-5)의 저면도를 나타낸다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 제1 드레싱 장치(200-5)는 서로 연속하여 접하는 세정액 분사부(410), 브러싱부(420), 및 흡입부(430)를 포함한다. 또한 제1 드레싱 장치(200-5)는 차단부(488)를 더 포함할 수도 있다.
세정액 분사부(410), 브러싱부(420), 및 흡입부(430)는 서로 접촉하여 고정될 수 있고, 동일한 각속도 또는 스윙 속도로 함께 회전 이동할 수 있다.
도 17에서는 바깥쪽에서 안쪽 방향으로 흡입부(430), 브러싱부(420), 및 세정액 분사부(410)가 순차적으로 배치될 수 있다.
세정액 분사부(410)는 분사 노즐 및 분사 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급관(미도시)을 포함할 수 있다.
브러싱부(420)는 브러시(422) 및 브러쉬 이동부(미도시)를 포함할 수 있다.
브러싱부(420)는 세정액 분사부(410)를 감싸도록 세정액 분사부(410)의 주위에 배치될 수 있다. 예컨대, 브러싱부(420)는 세정액 분사부(410)의 외측면에 접하고 세정액 분사부(410)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다. 예컨대, 브러쉬(422)는 분사 노즐의 외측면에 접할 수 있고, 분사 노즐의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
흡입부(430)는 브러싱부(420)를 감싸도록 브러싱부(420)의 주위에 배치된다.
예컨대, 흡입부(430)는 브러싱부(420)의 외측면에 접하고, 브러싱부(420)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
흡입부(430)는 흡입구(432) 및 흡입구(432)와 연결되는 배기관(미도시)을 포함할 수 있다. 흡입구(432)는 브러싱부(420)의 브러시(422)의 외측면에 접하고 브러시(422)의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
흡입부(430)가 브러싱부(420)와 세정액 분사부(410)를 감싸도록 위치하기 때문에, 브러싱에 의하여 발생하는 파티클(181)에 대한 흡입부(330)의 흡입률을 높일 수 있고, 이로 인하여 연마 공정에서 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함(defect)을 억제할 수 있다.
차단부(488)는 흡입구(432)의 외측면에 접하고 흡입구(432)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출된다. 도 15에서 설명한 차단부(388)의 설명은 도 17에 도시된 차단부(488)에 동일하게 적용될 수 있다.
도 19는 도 8에 도시된 제1 드레싱 장치의 또 다른 실시 예(200a-6)에 따른 저면도를 나타내다.
도 19를 참조하면, 제1 드레싱 장치(200a-6)는 서로 연속하여 접하는 흡입부(510), 세정액 분사부(520), 및 브러싱부(530)를 포함한다.
흡입부(510), 세정액 분사부(520), 및 브러싱부(530)는 서로 고정될 수 있고, 동일한 각속도 또는 스윙 속도로 함께 회전 이동할 수 있다.
바깥쪽에서 안쪽 방향으로 브러싱부(530), 세정액 분사부(520), 및 흡입부(510)가 순차적으로 배치될 수 있다.
세정액 분사부(520)의 분사 노즐은 흡입부(510)의 흡입구의 외측면에 접할 수 있고, 흡입구의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
브러싱부(530)는 세정액 분사부(520)의 분사 노즐의 외측면에 접할 수 있고, 세정액 분사부(520)의 분사 노즐의 외측면을 감싸도록 위치할 수 있다.
차단부(588)는 브러싱부(530)의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출된다. 예컨대, 차단부(588)는 브러싱부(530)의 외측면에 접하도록 위치할 수 있으며, 흡입부(510)의 흡입구의 하면, 또는 세정액 분사부(520)의 분사 노즐의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출될 수 있다.
상술한 실시 예에 따른 드레싱 장치를 이용하여 도 1에 도시된 연마 장치(100)의 연마 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저 이송 로봇(103-2)에 의하여 로딩부(102a)에 수납된 웨이퍼가 트랜스퍼 유닛(104)에 로딩된다.
다음으로 해드부(120)에 의하여 트랜스퍼 유닛(104)에 로딩된 웨이퍼는 제1 연마 테이블(106-1)에 로딩되고, 해드부(120)의 해드 척들(124-1,124-2)에 의하여 제1 연마 테이블(106-1)에 로딩된 웨이퍼에 대한 제1차 연마 공정이 수행된다.
예컨대, 제1차 연마 공정은 슬러리 공급부(140)로부터 회전하는 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220)에 슬러리가 공급됨과 동시에 해드 척들(124-1,124-2)에 의하여 연마 패드(220)에 로딩된 웨이퍼를 가압 및 회전시킴으로써 수행될 수 있다.
제1 연마 공정이 완료되면, 슬러리 공급부(140)로부터 슬러리 공급이 중단되고, 해드 척들(124-1,124-2)의 상승에 의하여 웨이퍼가 제1 연마 테이블(106-1)로부터 이격되고, 해드부(120)의 상정반(122)의 회전에 의하여 웨이퍼는 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220)로부터 언로딩되어 제2 연마 테이블(106-2)로 이송된다.
제1 연마 공정이 완료된 후에 제1 드레싱 장치(200-1)에 의하여 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220)에 대한 제1 드레싱 공정이 수행된다.
제1 드레싱 공정은 해드부(120)에 의하여 웨이퍼가 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220)로부터 언로딩되어 제2 연마 테이블(106-2)로 이송됨과 동시에 수행될 수 있다.
제1 드레싱 장치(200-1)의 일단(160b)을 축으로 제1 드레싱 장치(200-1)는 기설정된 각속도 또는 스윙 속도로 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220)로 회전될 수 있다.
제1 드레싱 장치(200-1)의 브러싱부(160), 세정액 분사부(170), 및 흡입부(180)는 서로 고정되어 있기 때문에, 회전 운동에 의하여 브러싱부(160)의 브러쉬(162), 세정액 분사부(170)의 분사 노즐(172), 및 흡입부(180)의 흡입구(182)는 동일한 각속도 또는 스윙 속도로 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220) 표면 상을 함께 주행하면서 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220)에 대한 드레싱 공정이 수행될 수 있다.
다음으로 해드부(120)에 의하여 제2 연마 테이블(106-2)에 이동된 웨이퍼에 대하여 제2 연마 공정이 수행된다. 제2 연마 공정은 제1 연마 공정과 동일한 방법으로 수행될 수 있다.
제2 연마 공정이 완료되면, 해드부(120)에 의하여 웨이퍼는 제2 연마 테이블(106-2)의 연마 패드(220)로부터 언로딩되어 제3 연마 테이블(106-3)로 이송된다.
제2 연마 공정이 완료된 후에 제2 드레싱 장치(200-2)에 의하여 제2 연마 테이블(106-2)의 연마 패드(220)에 대한 제2 드레싱 공정이 수행된다. 제2 드레싱 공정은 제1 드레싱 공정과 동일한 방법으로 수행될 수 있다.
제3 연마 테이블(106-3)에서의 제3 연마 공정 및 제3 연마 테이블(106-3)의 연마 패드(220)에 대한 제3 드레싱 공정도 상술한 바와 동일하게 수행될 수 있다.
제3 연마 공정이 완료되면, 해드부(120)에 의하여 웨이퍼는 제3 연마 테이블(106-3)의 연마 패드(220)로부터 언로딩되어 트랜스퍼 유닛(104)의 웨이퍼 받침대(104-5,104-5)으로 로딩된다.
그리고 이송 로봇(103-1)에 의하여 트랜스퍼 유닛(104)에 로딩된 웨이퍼는 언로딩부(102b)로 이송되어 웨이퍼 수납부들(102-1, 102-2)에 수납될 수 있다.
일반적으로 제1차 드레싱 공정이 수행될 때, 공기 중에 고압으로 분사되는 엷은 안개 형태의 세정액에 의하여 파티클이 많이 발생될 수 있다.
도 20은 드레싱 공정시 발생하는 파티클의 수를 나타낸다. 0.1㎛, 0.2㎛, 0.3㎛, 0.5㎛, 1.0㎛, 및 5.0㎛은 발생하는 파티클의 직경을 나타낸다.
도 20을 참조하면, 직경이 작은 파티클의 수가 상대적으로 직경이 큰 파티클의 수보다 많다. 그리고 미연마의 경우 및 연마 공정 중의 경우에 발생하는 파티클의 수보다 드레싱 공정 중의 경우에 발생하는 파티클의 수가 더 많다.
제1 연마 테이블에서의 연마 공정이 완료되면, 해드부(120)에 의하여 제1차 연마된 웨이퍼가 제2 연마 테이블로 이송됨과 동시에 제1 연마 테이블의 연마 패드에 대한 드레싱 공정이 수행된다. 그런데, 제1 연마 테이블의 연마 패드에 대한 드레싱 공정시 해드부(120)에 의하여 웨이퍼의 연마면은 연마 패드로부터 이격되기 때문에, 드레싱 공정시 많이 발생되는 파티클은 노출된 웨이퍼 표면에 흡착될 수 있고, 이러한 파티클은 제2 연마 테이블에서 수행되는 제2 연마 공정에서 웨이퍼의 표면의 단차 및 웨이퍼 결함(예컨대, jut)을 유발할 수 있다.
브러싱부(160)의 브러쉬(162), 세정액 분사부(170)의 분사 노즐(172), 및 흡입부(180)의 흡입구(182)는 동일한 각속도 또는 스윙 속도로 제1 연마 테이블(106-1)의 연마 패드(220) 표면 상을 함께 주행하기 때문에, 분사 노즐(172)로부터 분사되는 세정액에 의하여 발생하는 파티클(181)은 바로 인접하는 흡입부(180)의 흡입구(182)로 용이하게 흡입될 수 있고, 이로 인하여 파티클(181)에 대한 흡입부(180)의 흡입률을 높일 수 있다. 파티클에 대한 흡입률의 향상으로 인하여 실시 예는 연마 공정에서 연마의 균일성을 향상시킬 수 있고, 결함(defect)을 억제할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
101: 몸체 102-1 내지 102-4: 웨이퍼 수납부들
103-1, 103-2: 이송 로봇들 104: 트랜스퍼 유닛
104-1 내지 104-4: 웨이퍼 받침대들 106-1 내지 106-3: 연마 테이블들
120: 해드부 130: 회전부
140: 슬러리 공급부 160: 브러싱부
170: 세정액 분사부 180: 흡입부
200-1 내지 200-3: 드레싱 장치들.
103-1, 103-2: 이송 로봇들 104: 트랜스퍼 유닛
104-1 내지 104-4: 웨이퍼 받침대들 106-1 내지 106-3: 연마 테이블들
120: 해드부 130: 회전부
140: 슬러리 공급부 160: 브러싱부
170: 세정액 분사부 180: 흡입부
200-1 내지 200-3: 드레싱 장치들.
Claims (15)
- 하정반에 부착되는 연마 패드를 세정하는 드레싱 장치에 있어서,
브러쉬(brush)를 포함하는 브러싱부;
상기 연마 패드에 세정액을 분사하는 분사 노즐을 포함하는 세정액 분사부; 및
상기 세정액 분사부에 의하여 세정액 분사시 발생하는 파티클을 흡입하는 흡입구를 포함하는 흡입부를 포함하며,
동일한 스윙 속도(swing speed)로 상기 브러싱부, 상기 세정액 분사부, 및 상기 흡입부는 함께 상기 연마 패드 상을 스윙하는 드레싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 분사 노즐은 상기 브러싱부로부터 수평 방향으로 이격하여 위치하고,
상기 흡입구는 상기 분사 노즐로부터 상기 수평 방향으로 이격하여 위치하며, 상기 수평 방향은 상기 연마 패드의 상면과 평행한 방향인 드레싱 장치. - 제2항에 있어서,
상기 세정액 분사부를 상기 브러싱부에 고정하는 제1 고정부; 및
상기 흡입부를 상기 세정액 분사부에 고정하는 제2 고정부를 더 포함하는 드레싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 세정액 분사부 및 상기 흡입구 각각은 상기 브러싱부로부터 이격하며,
상기 흡입구는 상기 분사 노즐의 외측면을 감싸도록 위치하는 드레싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 흡입구를 감싸도록 상기 흡입구의 하단을 기준으로 하측 방향으로 돌출되는 차단부를 더 포함하는 드레싱 장치. - 제1항에 있어서,
상기 세정액 분사부, 상기 흡입부, 및 상기 브러싱부는 서로 연속하여 접하는 드레싱 장치. - 제6항에 있어서,
바깥쪽에서 안쪽으로 향하는 방향으로 상기 브러싱부, 상기 흡입부, 및 상기 세정액 분사부가 순차적으로 위치하는 드레싱 장치. - 제7항에 있어서,
상기 흡입부의 상기 흡입구는 상기 세정액 분사부의 외측면을 감싸고,
상기 브러싱부는 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐의 외측면을 감싸는 드레싱 장치. - 제8항에 있어서,
상기 브러싱부의 외측면에 접하고 상기 브러싱부의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출되는 차단부를 더 포함하는 드레싱 장치. - 제6항에 있어서,
바깥쪽에서 안쪽으로 향하는 방향으로 상기 흡입부, 상기 세정액 분사부, 및 상기 브러싱부가 순차적으로 위치하는 드레싱 장치. - 제10항에 있어서,
상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐은 상기 브러싱부의 외측면을 감싸고,
상기 흡입부의 상기 흡입구는 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐의 외측면을 감싸는 드레싱 장치. - 제11항에 있어서,
상기 흡입부의 상기 흡입구의 외측면에 접하고, 상기 흡입부의 상기 흡입구의 하면을 기준으로 하측 방향으로 돌출되는 차단부를 더 포함하는 드레싱 장치. - 제6항에 있어서,
바깥쪽에서 안쪽으로 향하는 방향으로 상기 브러싱부, 상기 세정액 분사부, 및 상기 흡입부가 순차적으로 위치하는 드레싱 장치. - 제13항에 있어서,
상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐은 상기 흡입부의 상기 흡입구의 외측면을 감싸고,
상기 브러싱부는 상기 세정액 분사부의 상기 분사 노즐의 외측면을 감싸는 드레싱 장치. - 하정반 및 상기 하정반에 부착되는 연마 패드를 포함하는 연마 테이블;
웨이퍼를 상기 연마 패드에 로딩하고, 로딩된 웨이퍼를 가압하여 연마하는 해드부; 및
상기 연마 패드를 세정하는 청구항 제1항 내지 제14항 중 어느 하나에 기재된 드레싱 장치를 포함하는 웨이퍼 연마 장치.
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