CN1398348A - 缺陷源识别器 - Google Patents

Abstract

分析半导体晶片上缺陷的方法及相关装置。该方法包括识别半导体晶片上的缺陷。在缺陷源识别器客户机内建立缺陷检测信息。通过网络将缺陷检测信息传送到缺陷源识别器服务器。响应缺陷检测信息，在缺陷源识别器服务器处导出缺陷源信息。该缺陷源信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机。在缺陷源识别器客户机处利用缺陷源信息。在一个方面，对缺陷解决方案信息的利用涉及：响应该缺陷解决方案信息，在缺陷源识别器客户机处显示对该缺陷的缺陷解决方案。在另一个方面，对缺陷解决方案信息的利用涉及改变晶片处理系统的操作。

Description

缺陷源识别器

与相关申请的交叉参考

本申请申请受益于序列号为60/237,297美国临时专利申请(2000年10月2日申请)，这里被纳入作为参考。本申请的主题与序列号为09/905,313，09/905,514及09/905,609的美国专利申请中描述的主题相关，它们于2001年7月13日与本申请同时申请，它们每个都全部被纳入这里作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体晶片处理系统中进行缺陷分析所用的方法或相应的装置。更具体地说，本发明涉及使用图像分析来分析半导体晶片以确定缺陷原因和位置的方法和装置。

背景技术

使用许多技术来识别和分析半导体晶片上的缺陷，这些技术涉及光学系统、电子显微镜，空间标记(signature)分析和能量散射X射线微分析。为使用上述缺陷分析技术来识别缺陷，从被处理的大量晶片中断续地选择晶片，即每N个晶片中选出一个。被选出的晶片用上文指出的一种或多种分析技术进行分析(这些技术由通常称作计量工具(metrologytools)的工具来完成)。这些技术产生代表选定晶片表面的图像和数据。熟练的操作员观察由计量工具记录的图像和数据，以识别选定晶片上的缺陷。通常通过试错法识别缺陷源，即改变处理参数以求在从另一组中选出的晶片中消除这一缺陷。一些类型的缺陷是由于公知的理由而发生的。这些缺陷被分类存入可查询的缺陷数据和图像数据库。操作员把测试结果与缺陷数据库进行比较，以求使这些测试结果与缺陷数据库中包含的缺陷匹配，如果发现了匹配，则该数据库可以识别那个特定缺陷类型的来源。于是操作员能采取改正行动以消除该缺陷。

为了提供受一系列过程所处理的任何半导体晶片可能发生的各种和多种缺陷的示例，必须比较大量的关于晶片缺陷的信息。通常，使用大量存储数据的缺陷分析系统比使用小量存储数据的缺陷分析系统能提供更有效的缺陷比较。同样大量的半导体处理过程将需要一定量的时间直至处理和分析了足够数量的晶片以提供可靠的缺陷源信息。可惜的是，处理半导体晶片是很费钱的，许多公司或小组由于财力所限为了测试的目的只能通过指定的一组处理过程对比较少量的半导体晶片进行处理。

发明内容

所以，在本技术领域需要一种系统，通过使用在广域网上可访问的缺陷数据共享数据库，该系统能有效地分析晶片缺陷和重复利用缺陷源信息。

附图说明

结合附图考虑下文中的详细描述，能容易地理解本发明的技术，这些附图是：

图1显示根据本发明构成的缺陷源识别器的一个实施例；

图2显示一个方框图，说明图1所示缺陷源识别器所进行的过程；

图3显示在缺陷源识别器的显示器上要显示的一个选项屏幕；

图4显示在缺陷源识别器的显示器上要显示的配置屏幕的一部分；

图5显示由缺陷源识别器显示的配置屏幕的另一部分；

图6显示由缺陷源识别器显示的配置屏幕的另一部分；

图7显示由缺陷源识别器显示的缺陷概要屏幕的另一部分；

图8显示由缺陷源识别器显示的缺陷图像屏幕；

图9显示由缺陷源识别器显示的缺陷原因选择屏幕的一部分；

图10显示由缺陷源识别器显示的缺陷原因选择屏幕的另一部分；

图11显示由缺陷源识别器显示的案例图像屏幕；

图12显示由缺陷源识别器显示的图像比较屏幕；

图13显示由缺陷源识别器显示的晶片查询屏幕；

图14显示缺陷源识别器通过图3至13中所示屏幕进行的过程的方框图；

图15显示由图1所示缺陷源识别器实现的缺陷检测方法；以及

图16显示缺陷源识别器的一个实施例的多级客户机服务器体系结构。

为便于理解，在可能之处，使用相同的参考数字来表示各图中公用的相同部件。

具体实施方式

缺陷源识别器100的一个实施例示于图1，它识别受晶片处理系统102处理的晶片中的缺陷。晶片处理系统102包括一个或多个生产操作室(process cell)103。每个生产操作室被配置成对晶片进行处理，例如化学汽化沉积(CVD)、物理汽化沉积(PVD)，电化学涂镀(ECP)、无电沉积、其他已知的沉积过程或其他已知的蚀刻过程。缺陷源识别器100包括计量工具，它们分析晶片在晶片处理系统102中受处理期间已发生的缺陷。缺陷源识别器100的某些实施例把涉及晶片缺陷的晶片数据、图像和/或信息传送到远处供分析。缺陷源识别器100的某些实施例把晶片图像与晶片缺陷的案例历史进行比较、对晶片进行谱分析，和/或把缺陷源及对缺陷的操作方案传送给晶片处理系统(或传送给位于晶片处理系统处的操作员)。缺陷源识别器100分析一个或多个生产操作室的不希望的操作和/或其状态，这些不希望的操作和/或状态是由生产操作室内受处理的晶片中的缺陷以及生产操作室的状态表现出来的。可能在生产操作室中承受处理的晶片包括半导体晶片或对其进行序列处理步骤的某种其他形式的基底。

图1中所示缺陷源识别器100的实施例包括晶片处理系统102，一个或多个缺陷源识别器客户机104，一个或多个缺陷源识别器服务器106，以及网络110，晶片处理系统102包括传送室120(也称作工厂接口)、多个生产操作室103，晶片传送系统121(也称作晶片传送机器人或简称机器人)，以及工厂接口122。工厂接口122包括盒式加载闸门(cassetteload lock)123和计量室124。盒式加载闸门存储一个或多个晶片盒。由机器人121把单个晶片从盒123移到生产操作室103。计量室124包括计量工具180。它们测量和测试晶片特性和晶片缺陷。计量工具包括例如扫描或透射扫描电子显微镜，光学晶片缺陷检测系统、空间标记分析或任何用于分析晶片缺陷的计量工具，或者是组合使用或者是单独使用。

在图1所示实施例中多个缺陷源识别器客户机104显示为缺陷源识别器客户机A、B和C。下文的描述中引用缺陷源识别器客户机A，但它代表所有的缺陷源识别器客户机。缺陷源识别器客户机104包括客户计算机105以控制晶片处理系统102以及晶片处理系统102中单个生产操作室103二者的操作。缺陷源识别器服务器106包括服务器计算机107。

客户计算机105通过网络110与服务器计算机107交互作用，以接收服务器计算机107中存储的与晶片处理系统102处理的晶片上当前和历史(即案例研究)缺陷有关的数据。照这样，客户计算机105和服务器计算机107与计量室124的计量工具180以及各种数据库186交互作用，这些数据库存储晶片缺陷案例历史，以分析晶片处理系统102中缺陷的产生。网络110提供客户计算机105和服务器计算机107之间的数据通信。网络110可以利用因特网、内部网(intranet)、广域网(WAN)或任何其他形式的网络。可以预见，网络110可以利用由例如因特网利用的那些计算机语言，如超文本标记语言(HTML)或可扩展标记语言(XML)。HTML是当前在因特网上利用的主要标记语言。XML是在因特网中正在得到更广泛接受的一种标记语言。使用HTML和/或XML需要使用安装在每个客户计算机105上的各个HTML和/或XML浏览器。

客户机104与缺陷源识别器服务器106交互作用，以识别受处理的半导体晶片上的缺陷并提供晶片缺陷的解决方案。晶片处理系统102的操作由一个特定的缺陷源识别器客户机104控制。在缺陷源识别器100的某些实施例中，缺陷源识别器客户机104接收来自缺陷源识别器106的解决方案。这些解决方案被加到晶片处理系统102上(或自动地或由操作员输入)，这些解决方案用于控制晶片处理系统的操作。

由于客户计算机105和服务器计算机107的操作和功能如此紧密相关，而且相似近各户机/服务器操作能由客户计算机105或服务器计算107完成。在这里公开的内容中，在客户计算机105中的部件参考号码附加一个补充的参考字符“a”。以类似的方式，服务器计算机107的参考字符附加一个补充的参考字符“b”。在所公开内容的一些部分中，把客户计算机105的部件与服务器计算机107的部件区分开来是重要的，这时将分别提供适当的参考字符“a”或“b”。在所公开内容的一些部分中，或者是客户计算机105的一个部件或者是服务器计算机107的一个部件，或者这二者都能完成预定的任务，则可以略去跟在参考字符后面的附加字母。

客户计算机105和服务器计算机107各包含各自的中央处理单元(CPU)160a、160b；存储器162a、162b；支持电路165a、165b；输入/输出接口164a、164b；以及总线166a、166b。客户计算机105和服务器计算机107每个可以采取通用计算机、工作站计算机、个人计算机、膝上计算机、微处理机、微控制器，模拟计算机、数字计算机、微芯片、微计算机、或任何其他已知的适当类型计算机的形式。CPU160a、160b进行客户计算机105和服务器计算机107各自的处理和算术运算。

存储器162a、162b包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)，可卸存储器、盘驱动器存储器，它们或单个地或组合地存储计算机程序，操作数、操作符，空间值，晶体处理方法和配置，以及控制缺陷源识别过程和晶片处理系统操作的其他参数。在客户计算机105或服务器计算机107中的每个总线166a、166b提供各自CPU160a、160b；各自支持电路165a、165b；各自存储器162a、162b；以及各自I/O 164a、164b之间的信息传送。在客户计算机105或服务器计算机107还把各自的I/O 164a、164b与晶片处理系统102其他部分的连接。

I/O 164a、164b提供接口，以控制客户计算机105和/或服务器计算机107中每个部件之间的数字信息传送。I/O 164a、164b还提供客户计算机105和/或服务器计算机107的部件与晶片处理系统102的不同部分之间的接口。支持电路165a、165b包含众所周知的在计算机中使用的电路，如时钟，高速缓存，电源，其他用户接口电路(如显示器和键盘)、系统装置以及与客户计算机105和/或服务器计算机107关联的其他附件。

为了收集缺陷信息，客户机104与晶片处理系统102内的一个或多个计量工具180耦合。计量工具能在一个或一些计量室124内对晶片进行希望的检测，这些计量工具包括基于光学的晶片缺陷检测过程、扫描电子显微镜过程、和/或其他晶片缺陷检测工具或过程。如下文中详细描述的那样，由客户机104收集的缺陷数据经由I/O 164a、164b和网络110与DSI服务器106共享。这些缺陷数据以及过程信息被存储在各数据库186中。客户机数据库188用于支持客户机104中的各种过程。

缺陷源识别器100利用自动缺陷源识别软件程序182、184，它们的各部分存储在存储器162a或162b中，以分别在客户计算机105和服务器计算机107上运行。缺陷源识别器100自动得到缺陷源，并且或者以最少的用户干预显示可能的原因和/或自动地修复导致该缺陷的晶片处理系统中的过程状态。由于缺陷源识别器100的某些实施例的自动化(以及通过参考历史缺陷案例信号从而对某些缺陷产生可能的解决方案)，使得缺陷源识别器100减小了解决问题的周期时间，简化了缺陷源识别过程，并改善了缺陷源识别准确性。

缺陷源识别器100可以被组织成基于网络的应用，它产生一个执行接要(executive summary)屏幕，通常被分割成多个图形用户界面屏幕。在一个实施例中，图形用户界面屏幕在缺陷源识别器客户机104处显示它的各界面以及缺陷源。这样，在缺陷源识别器客户机104处的用户能与缺陷源识别器客户机处的缺陷知识数据库交互作用，以提供执行摘要屏幕。在另一实施例中，缺陷源识别器100可以被配置成包含在缺陷源识别器客户机104中的单独系统，它能在没有网络110和缺陷源识别服务器106的情况下操作。选定的缺陷源识别器的配置主要取决于系统100的预期操作和性能特性。缺陷源识别器操作和结构

缺陷源识别器100的不同实施例从一个或多个各种类型的数据库、光学晶片检测过程，和/或扫描电子显微镜过程接收数据，文本，图像，缺陷案例历史等。图2显示由缺陷源识别器100采用的相互关联的若干过程的一个实施例。在图2所示缺陷源识别器的实施例中包括的各种过程包含缺陷源识别器过程200，(光学)晶片缺陷检测过程204，扫描电子显微镜过程206，缺陷管理数据库过程208，制造执行数据库过程210(它可在操作上和/或结构上细分为一个独殊的FAB制造执行数据库过程和/或路由(routing)工作站制造执行数据库过程)、缺陷源识别器数据库过程214，缺陷知识数据库过程216(也称作缺陷知识库)、客户知识数据库过程218，以及工具参考数据库过程220。缺陷知识数据库过程216存储缺陷知识信息，而客户知识数据库过程218存储客户知识信息。缺陷知识信息和客户知识信息可以一起定义为缺陷源信息。读者应用时参考图1和图2。尽管使用“过程”一词来描述过程200、204、208、210、216、218和220，但可以想象，这些过程中有一些可以是软件、硬件、数据库、计量设备和/或任何适当部件的形式，如所描述的那样实现过程的功能。

晶片缺陷检测过程204和扫描电子显微镜过程206被表征为计量工具(图1中的180)。计量工具可以进一步包含各种过程，如晶片缺陷分析仪，透射电子显微镜，空间标记分析，离子束分析仪等。可由缺陷源识别器100以所描述的类似方式利用其他类型的光学晶片缺陷检测设备。San Jose，CA，的KLA-TENCOR^是光学晶片缺陷检测设备(如204和/或206所示设备)的生产者。由晶片缺陷检测过程204和/或扫描电子显微镜过程206产生的缺陷图像以例如KLA文件或KLA资源文件(KLARF)的形式输出检测信息。晶片缺陷检测过程204产生缺陷检测信息作为KLA文件，它能由缺陷源识别器客户机104或缺陷源识别器服务器106来利用、存储或显示给位于那里的用户。晶片缺陷检测过程产生晶片的高分辩力图像。

扫描电子显微镜过程206用于检测晶片的表面或次表面。扫描电子显微镜过程的一个实施例在当显微镜识别出缺陷时便自动地给出一般性缺陷类型。扫描电子显微镜过程206的一个实施例产生作为“KLA文件”的缺陷检测信息，它能由缺陷源识别器服务器106或缺陷源识别器客户机104利用、存储和显示。

缺陷源识别器客户机104的一个实施例包括一个显示器，以观看由晶片缺陷检测过程204或扫描电子过程206之类计量工具产生的KLA文件所代表的缺陷图像。缺陷源识别器100的一个实施例允许在缺陷源识别器客户机104的显示器上显示晶片缺陷案例历史。为了进行比较，可以把当前缺陷产生的图像显示在显示器上案例研究缺陷图像(参考图像)的旁边。缺陷源识别器系统100为每个晶片创建和显示晶片图的图像，它将可视地表明晶片上缺陷的位置。

缺陷管理数据库过程208存储和访问缺陷图像、数据和信息。在对一个或多个晶片进行各自的晶片缺陷分析期间可以利用这些图像、数据和其他新近收集的信息。这种各自的晶片缺陷分析可用于提供重复缺陷信息(例如，在其后处理的晶片的同一位置发生类似的缺陷)和新增缺陷信息(在另一晶片中的类似位置未曾发生过类似缺陷)。这些数据、图像或其他信息还可以提供群集信息，在一个区域内发生一个缺陷的多个事例。

缺陷源识别器过程200与制造执行数据库过程210耦合。制造执行数据库过程210的一个实施例包括一个WORKSTREAM^制造执行系统，由位于加利福尼亚Mountain View的CONSILIUM^制造。制造执行数据库过程210是一个数据库应用。它控制制造过程期间所用一批晶片的流动路径。照此，制造执行数据库过程含有关于对每个晶片或一批晶片已经应用了哪些过程的路由信息。这种批量路由信息在确定有缺陷的晶片已经受的那些过程(或过程序列)方面是有用的。

制造执行数据库过程210还可以包括设备接口和配方(recipe)管理系统。所以，制造执行数据库过程210含有关于生产操作室103处理每个晶片所使用的每个过程和条件的大量信息。这样，制造执行数据库过程210构成“上下文信息”和构成发送给配方管理系统的消息，它用于设置处理每个晶片的配方。这种上下文信息能用于唯一地标识在一个配方中在指定的生产操作室要发生的过程，上下文信息包括批量号，机构(entity)、产品、路由等信息。

配方管理系统根据制造执行数据库过程210提供的消息产生一个“配方”。该配方实质上是用于那个步骤那个产品的一组过程指令，如压力、温度、气流等。然后，由各处理工具根据其设置和该配方进行制造过程步骤。由晶片处理系统102进行某些数据的收集，如关于何时过程开始，何时过程结束等的报告。这一信息被发送到制造执行数据库过程210并存储在例如存储器中的批量和机构记录中。

缺陷源识别器过程200的一个实施例被配置成允许在客户知识数据库过程218和缺陷知识数据库过程216之间传送数据(使用一类交叉参考文件进行这种传送)。

缺陷知识数据库过程216通常存储在服务器计算机107的存储器162b中。缺陷知识数据库过程216存储来自各种来源(例如缺陷源识别器客户机104)的案例历史缺陷数据、图像和信息。客户知识数据库过程218通常存储在客户计算机104的存储器162a中。客户知识数据库过程218存储和访问从单个缺陷源识别器客户机104得到的案例历史缺陷数据、图像和信息。如果一个用户有权访问缺陷知识数据库过程216和客户知识数据库过程218，该用户在缺陷案例历史查询期间访问客户机104和服务器106二者中的数据库是重要的。

在缺陷源识别器100的一个实施例中，如果任何一个特定的客户知识数据库过程218支持一个特定的缺陷知识数据库过程216，那么至少是由客户知识数据库过程218管理的某些内容(缺陷数据、图像、信息)将被允许由缺陷知识数据库过程216访问。

缺陷源识别器100的自动实施例的一个实施例采用软件程序182、184，它们包括图像处理和数据分析技术。自动缺陷源识别器100把晶片处理系统102中发生的当前的缺陷与先前收集的缺陷检测信息匹配。缺陷知识数据库过程216和客户知识数据库过程218合作积累历史的缺陷源信息。缺陷知识数据库过程216和客户知识数据库过程218二者所用信息可以存储在存储器162a和/或存储器162b。

缺陷源识别器数据库过程214存储和访问与缺陷源有关的数据。对每个缺陷源，存储一个解决方案列表(例如为纠正某些缺陷能够采取的可能的纠正行动)。

缺陷源识别器数据库214包含来自KLA文件的特定数据，这些KLA文件是由光学晶片缺陷检测过程204和扫描电子显微镜过程206产生的。缺陷无识别器数据库214还包含对检测图像文件的参考文件。

缺陷源识别器客户机104的某些实施例可以利用由客户参考数据库过程218和/或缺陷知识数据库过程216二者存储的历史缺陷数据、图像或其他信息。缺陷知识数据库过程216存储和访问与缺陷源识别器100的历史缺陷案例有关的图像、数据或其他信息。在缺陷知识数据库过程216中的图像、数据或其他信息最好通过与多个单个的缺陷源识别器客户机104随时进行的交互作用加以编辑。

每个缺陷源识别器客户机104可以由不同的公司或小组操作。客户知识数据库过程218利用与特定缺陷源识别器客户机104的缺陷案例有关的数据、图像或其他信息。在任何特定的客户知识数据库过程218或缺陷知识数据库过程216中包含的数据、图像或其他信息的体量越大，则能被适当地分析和/或比较的历史晶片缺陷(以及它们的解决方案)的可能数量就越多。例如，与多个和缺陷源识别器服务器106通信的缺陷源识别器客户机104有关的历史缺陷可以作为数据存储在缺陷源识别器服务器106的存储器162b中。只有某些缺陷源识别器客户机104可以访问缺陷知识数据库过程216中包含的数据、图像或其他信息。

缺陷源识别器100的一个实施例被配置成只有当那个特定的缺陷源识别器客户机的客户知识数据库过程216支持缺陷源识别器服务器106的缺陷知识数据库过程216时才允许访问由缺陷知识数据库过程216存储的历史案例信息。如果一个特定缺陷源识别客户机104的客户知识数据库过程218支持缺陷知识数据库过程216，则这个单个的客户知识数据库过程218提供对该缺陷源识别器客户机中的历史缺陷案例的访问。所以，缺陷源识别器客户机104只能从它所支持的这些缺陷源数据库过程得到历史数据、图像或其他信息(通过允许缺陷源识别器服务器访问该客户知识数据库过程中含有的数据、图像以及其他信息来支持)。

允许缺陷知识数据库过程216访问来自多个客户知识数据库过程218的数据、图像或其他信息，使缺陷知识数据库过程能从多种不同的缺陷源识别器客户机104得到历史缺陷数据、图像或其他信息。这样，缺陷知识数据库过程216成为由不同缺陷源识别器客户机104形成的可能的巨大阵列所提供的晶片缺陷数据、图像或其他信息的储藏库。不同的缺陷源识别器客户机可能是也可能不是由以不同的方式处理晶片的各种不同公司或小组来操作，所以这些晶片被暴露于一个不同晶片处理技术和晶片缺陷构成的巨大阵列。

这样，与第一个公司或小组操作的第一个缺陷源知识器客户机104最初检测到的缺陷有关的数据图像、数据或其他信息可以在其后被一个不同的公司或小组操作的第二个缺陷源识别器客户机104所利用以进行分析。第二个缺陷源识别器客户机可能得不到操作第一缺陷源识别器客户机104的公司或小组的标识。然而，生产操作室条件、配方、操作温度和/或一个或多个对缺陷的解决方案的某些方面可以提供给第二缺陷源识别器客户机的操作者。单个的缺陷源识别器客户机104可能会也可能不会单独地处理足够数量的晶片以编辑足够的数据、图像或其他信息，从而使它们单个的客户知识系统可靠。通过利用包括来自其它缺陷源识别器客户机104的信息的大缺陷知识数据库可以增加关于大量过程的历史晶片数据图像和信息的数目。

缺陷源识别器过程200的一个实施例近实时地从缺陷管理数据库过程208收集缺陷属性，如新增缺陷、重复缺陷、空间标记分析、以及丛集信息等。缺陷源识别器过程200近实时地从制造执行数据库过程210收集批量路由信息。选定的系统用户的缺陷源识别器过程200可以访问缺陷知识数据库过程216和/或客户知识数据库过程218。如果数据库过程216、218对一特定用户是可用的，则当用户使用来自缺陷知识数据库过程216和客户知识数据库过程218二者的被存储图像，数据和其他案例历史信息时，该用户缺陷源识别器的性能最佳。缺陷知识数据库过程和客户知识数据库过程每个可通过已知的数据库访问程序和技术(如ADO)被访问。

由晶片缺陷检测过程204和扫描电子显微镜过程206产生的图像通常是TIFF文件形式。在数据库过程208、210、216、218、220以及214中的图像，数据以及其他信息也能以TIFF格式存储。多个图像可被包含在一个单个TIFF文件中，其中在TIFF文件的图像文件目录中含有多个条目，每个图像有一个条目。为在同一文件中包含多个图像，该文件不仅包括多个图像，还包括对位数据，指出不同图像在该文件中的排位。这样，对位数据和缺陷图像数据二者被包含在由KLA文件参考的TIFF文件中。把多个图像存储在单个TIFF文件中避免了需要每个图像有单独的TIFF文件。与单个缺陷关联的多个图像可以包含在单个或多个TIFF文件中。多个TIFF文件由KLA文件中的多个TiffFileName(TIFF文件名)记录来定义。

缺陷源识别器系统100被配置成把TIFF缺陷图像文件转换成JPEG压缩或MPEG压缩的图像文件，因为压缩的图像文件易于在任何一个客户计算机105与服务器计算机107之间传送。缺陷源识别器过程200与扫描电子显微镜过程206以及光学晶片缺陷检测过程204相连。在过程204和206之间的这一连接允许用户访问过程204、206的历史KLA文件和/或其他图像文件。缺陷源识别器过程200的一个实施例支持从工具参考数据库过程220内的一个普通文件中检索一个处理工具。

图1所示缺陷源识别器服务器的一个实施例利用一个网络服务器，如WINDOWS NT^服务器、MICROSOFT^事务服务器，或MICROSOFT^因特网信息服务器。缺陷源识别服务器106运行一个缺陷源识别器数据库186，它使用CPU160b访问存储器162b。缺陷源识别器的一个实施例可以使用一个可由缺陷源识别器服务器106访问的数据库，例如一个SQL服务器数据库。

缺陷源识别客户机104可以含有众所周知的网络客户机软件，它被设计成支持与网络服务器的交互作用。网络客户软件包括一个操作系统，如WINDOWS NT^、SOLARIS^(Sun Microsystems公司(Palo Alto，CA)的注册商标)、或IRIX^(SGI公司Mountain View，CA的注册商标)。缺陷源识别客户机104运行一个浏览器，如INTERNETEXPLORER^(Microsoft公司(Redmond，WA)的注册商标)或NETSCAPE NAVIGATOR^(Netscape通信公司(Mountain View，CA)的注册商标)。缺陷源识别器可用诸如VISUAL BASIC(下文中称作VB)(Microsoft公司(Redmond，WA)的注册商标)、C、C++或其他面向对象的或传统的计算机编程语言来开发。

在一个实施例中，缺陷源识别器服务器106通过缺陷知识数据库过程216的通信过程(它与VB兼容)执行缺陷知识数据库过程216和客户知识数据库过程218。缺陷源识别服务器106通过与VB兼容的通信过程来执行制造执行数据库过程。数据库软件的某些实施例通过与VB兼容的COM过程来支持企业级网络，如来自Oracle的ORACLE8i^，QUEST^TM Quest软件(Irvine，CA)以及KNIGHT^TM。KLA结果文件(KLARF)或KLA文件是由计算机设备产生的普通ASCII文件。以同样的格式保存来自光学晶片缺陷检测过程204和扫描电子显微镜过程206二者的缺陷信息过程206。缺陷源识别器支持由光学晶片缺陷检测过程204产生的KLA或KLARF文件，以从晶片缺陷检测过程捕获特定参数。来自光学晶片缺陷检测过程204和扫描电子显微镜过程206的KLARF和图像文件被这些工具输出到该工具的本地目录。与缺陷源识别器相连的每个工具使它们的输出目录可作为网络文件系统(NFS)可安装的文件系统被使用。图形用户界面概述

一系列图形用户界面(GUI)可以显示在例如屏幕、监视器或其他显示器上，这些显示器或者与各缺陷源识别器客户机104、缺陷源识别器服务器106上的各自I/O 164a、164b相关联，或者在网络110的某一位置处，以提供用户交互作用的方式进行显示。GUI显示通常位于缺陷源识别器客户机104，以提供用户交互作用。缺陷源识别器100的GUI可以在浏览器窗口内显示一系列界面屏幕，如登录屏幕、配屏幕(它能包含多个段，如图4至6所示)缺陷源概要屏幕(它的一个实施例示于图7)、缺陷图像屏幕(它可以包含多个屏幕，它的一个实施例示于图9和图10)，案例图像屏幕(它的一个实施例示于图11)、图像比较屏幕(它的一个实施例示于图12)以及晶片比较屏幕(它的一个实施例示于图13)。这些GUI屏幕为使用缺陷源识别器100提供交互作用，从而使缺陷源识别器100能使用预定的工具和技术分析一个预期的晶片的表面特性。图3至图13中显示的GUI屏幕可以认为是代表不同的“状态”，以允许输入和显示与缺陷源识别器100有关的不同信息。缺陷源识别器的用户能在不同的GUI屏幕状态之间导航，如图14中所示交互作用状态图1400的实施例所指出的那样。图14的交互作用状态图1400应与图3至13描述的相关GUI屏幕结合起来观看。虽然在这一说明中在许多场合使用术语“屏幕(screen)”中来描述各种GUI，，但术语“屏幕(screen)”、“GUI”或“显示(display)”可以互换使用。

在图14中，在步骤1402，用户把信息送入登录屏幕(未画出)，以唯一用户标识和口令登录到缺陷源识别器客户机。在用户能访问缺陷源识别器客户机104之前，他们必须被授权登录进来。

缺陷源识别器100最好具有它自己的登录，它不同于操作系统登录，不同的缺陷源识别器关联于各种不同的用户，他们有不同的任务需求，因而需要不同级别的交互作用。每个用户被赋予一个帐号，它表征一个预定的用户授权级别。对不同的用户提供不同的访问级别，如晶片缺陷检验过程操作员、扫描电子显微镜过程操作员、FAB工程师、FAB缺陷源识别器管理员、产出专家等。一旦该用户被登录，便显示出一个方式选择屏幕。方式选择屏幕300的一个实施例示于图3，它包含表1中描述的过程。

表1：方式选择屏幕表字段

名称	描述
		方式选择屏幕	屏幕显示选项：或者启动缺陷源识别器，或者编辑其配置
错误消息	如果遇到登录错误，则显示错误消息“访问被拒绝”

在图14中的步骤1404显示图3中所示方式选择屏幕300的实施例，方式选择屏幕300包括方式字段，用户在其中选择启动缺陷源识别器选项或者配置选项作为所希望的方式。方式选择屏幕300允许用户选择配置选项，如决策步骤1406中所示。用户能选择缺陷源识别器按钮302，以按照预定的系统配置启动缺陷源识别器100的操作，这里所有的新用户在使用缺陷源识别器100之前通常选择的方式。另一种情况是，用户选择配置按钮304，以从现有的(例如已保存的)配置开始编辑该缺陷源识别器的配置。如果在决策步骤1406中用户选择配置选项，则方法1400继续决策步骤1408，在其中缺陷源识别器100确定该用户是否有适当的授权接收能被显示或能被该用户编辑的现有的被保存的配置信息。在图3所示方式选择屏幕300的实施例中，用户能通过按配置按钮304来进入配置屏幕(它的各部分示于图4、5和6)。如果该用户具有所需要的授权，则在步骤1408启动方式选择屏幕的配置按钮304。如果对决策步骤1408的回答是“否”，则方法1400继续到步骤1412。如果对决策步骤1408的回答是“是”，则方法继续到步骤1410，在其中把保存的配置屏幕显示在缺陷源识别器的显示屏上。继步骤1410之后，方法1400继续到步骤1414。

如果用户从决策步骤1406中选择启动缺陷源识别器按钮302(由图3的方式选择屏幕300的实施例)，将显示一个新的配置屏幕，一个实施例示于图4、5或6。为显示一个新的配置屏幕，要进行配置屏幕初始化功能。

配置屏幕的各部分分别示于图4、5、6的410、510和610处。在步骤1414配置屏幕允许用户选择选项，这些选项影响显示给用户的来自缺陷源识别器100的数据。在图4、5、6中显示的实施例中，配置屏幕被分成多个配置屏幕部分，分别为配置屏幕部分410、510和610。每个配置屏幕部分410、510和610显示一个或多个配置选项。如果用户想要改变配置选项的设置，由图7所示缺陷概要屏幕702的实施例，他能在步骤1414访问和编辑适当的配置屏幕，或者在启动缺陷源识别器客户机104时进行。

站点类型按钮401、类别判据按钮403和显示类别按钮404每个位于图4至图6的每个配置屏幕部分410、510和610上。当用户处于图14中步骤1414所指出的状态时，这些按钮允许该用户进入所希望的配置屏幕部分。访问所希望的配置屏幕部分410、510和610，便允许用户设置所希望的各个参数。一个“完成”按钮406位于每个配置屏幕部分410、510和610上，以关闭那个特定的配置屏幕部分同时保存更新后的配置。缺陷源识别器100为每个被访问和被保存的缺陷源识别器服务器存储该配置信息。“取消”按钮408位于每个配置屏幕部分410、510和610上，以关闭那个配置屏幕部分并取消任何配置更新。根据用户的访问级别，对特定配置按钮401、403、404、406或408任何一个的访问可以是有效的或者是无效的。

当用户处在步骤1414所示状态时，选择每个配置屏幕部分410、510、610中的站点类型按钮404都允许该用户被转换到图4的站点类型配置屏幕部分410。一旦在缺陷源识别器中选择了站点类型配置屏幕部分410，用户便能选择该站点类型作为近实时运行的站点，有工具(如光学晶片缺陷检测过程204或扫描电子显微镜过程206)与其相连。选择站点类型显示配置屏幕部分410包含三个按钮(例如无线电按钮)420、422、424，当选择它们时，分别允许用户从三个方式中选择：晶片缺陷检测过程方式、扫描电子显微镜过程方式或离线(off-line)(即查询)方式。用户对这些方式中每一个的进入可根据访问级别授权加以管理。晶片缺陷检测过程方式和扫描电子显微镜过程方式允许用户监视正在进行的那个特定的检测过程。如果用户正在使用特定的晶片缺陷检测过程204或扫描电子显微镜过程206，则图7的缺陷概要屏幕将实时地更新。

通过选择按钮422，在每个晶片被扫描电子显微镜过程检测之后，缺陷概要屏幕被更新。当缺陷源识别器100以晶片缺陷检测过程方式运行时，在每批被检测之后，缺陷概要屏幕被更新。在这一批中最后被检测的晶片被自动显示在屏幕上，如果用户希望观看这一批中的任何其他晶片，可以使用缺陷概要屏幕上的全局查询按钮，如下文描述的那样。

由于所有站点不需要把实时分析作为它们的缺省操作方式，可通过选择按钮424把那些站点配置成离线(查询)方式。配置缺陷源使用户能观看指定的先前检测过的晶片。查询方式站点和实时站点上的查询功能显示来自晶片缺陷检测过程和扫描电子显微镜过程二者的信息。

当图14中所示方法1400在步骤1414时，从图4、5或6各图中的任何配置屏幕部分410、510或610中选择分类判据按钮403使得图5所示分类判据屏幕部分510被显示出来。一旦缺陷源识别器100的显示器显示出分类判据屏幕部分510，用户便能确定要显示哪些缺陷或晶片(例如全部晶片或只有在偏差情况中被“标记”的那些晶片)。

分类判据配置屏幕部分510的实施例用于确定缺陷类型、观看缺陷用的工具、以及在缺陷概要屏幕(图7)上将要显示的晶片，还有对这些晶片将要显示什么信息。用户在分类判据配置屏幕部分510中设置关于新增缺陷/重复缺陷、集群，空间标记分析和偏差的参数。

通过选择框524然后选择新增缺陷按钮520、重复缺陷按钮522或者选择二者，可以观看新增缺陷/重复缺陷。由选择无线电按钮520所选择的新增缺陷选项使系统100计算并显示由最近检测晶片的工具所检测到的缺陷。由选择无线电按钮522选择的重复缺陷选项使系统计算和显示在多个晶片中重复出现的缺陷。如果新增缺陷和重复缺陷二者都未被选择，则缺省地在缺陷概要屏幕上显示所有缺陷。

由选择校核框525启动的集群选择识别晶片上的缺陷集群。在缺陷概要屏幕上，在晶片图上突显出缺陷集群，并在图7所示缺陷概要屏幕702的实施例的缺陷表706中显示集群ID(CID)。

如果选择晶片缺陷检测过程无线电按钮526，则由晶片缺陷检测过程工具进行集群。或者，如果选择缺陷管理数据库过程无线电按钮528，则由缺陷管理数据库过程208进行集群。用户能配置缺陷源识别器100以使用这些集群方法中的任意一个。选择图7所示缺陷概要屏幕的实施例上的集群配置选项，将表明这些集群是在缺陷概要屏幕702实施例的显示选项表706中“计算”出来的。当不选择集群选项时，在缺陷概要屏幕中的显示选项将提供一个适当的指示。如果在计算集群过程中发生错误，则在缺陷概要屏幕上显示错误图标并把该错误登录到错误消息页上。

如果选择空间标记分析校核框530，则选择了空间标记分析选项。空间标记分析计算是由缺陷管理数据库过程208完成的。空间标记分析计算空间标记分析结果并将其显示在缺陷概要屏幕702的缺陷表706中。如果得不到缺陷管理数据库过程208，则将不显示空间标记分析信息。

当显示图7所示缺陷概要屏幕702的实施例时，如果选择了空间标记选项，则显示选项将读出“计算的”结果，当没选择空间标记分析时，显示选项将提供适当的指示。如果在计算空间标记分析结果的过程中发生错误，则在缺陷概要屏幕702上显示错误图标并把该错误登录到错误消息页上。

选择分类判据配置屏幕510的偏差校核框532，则执行偏差选项，它给予用户显示超过偏差判据的晶片的能力。选择偏差选项意味着并不是实时地显示所有晶片，而只是显示例如有问题的晶片。

当用户处在图14中步骤1414所示状态时，在任何配置屏幕部分410、510或610上选择显示类别按钮404将会显示出显示类别屏幕部分610(它的一个实施例示于图6中)。选择在显示类别屏幕上的选项，将允许用户选择要显示哪些类别。选择“完成”按钮406将保存该配置并进行初始化功能。选择“取消”按钮408将取消配置的改变，并把缺陷源识别器的显示返回到先前显示的屏幕，例如方式选择屏幕或缺陷概要屏幕。

预先定义了晶片缺陷识别过程的可能出现的动态(on-the-fly)(OTF)类别。所以，用户可以通过选择一个或多个类别框612来选择要观看的类别。特定重观看类别614以及特定的扫描电子显微镜自动缺陷分类类别616可由每个客户配置。用户选择感兴趣的类别(使它们突显)，然后使用列表移动按钮618或620来选择类别或去掉这种选择。缺陷源识别器100只显示用户选定的类别，即在“选择的”列表622和624中出现的类别，而不是“未选择的”列表626和628。

一旦用户已完成对配置屏幕部分410、510和/或610任何一个中含有的信息进行的改变，他/她选择图4至图6中所示配置屏幕的“完成”按钮406，以保存所编辑的配置，如图14中决策步骤1416所示。在保存所编辑的配置屏幕之后，显示图7所示缺陷概要屏幕702的初始化功能。

如果用户想取消对配置的改变，他/她选择图4至图6中所示配置屏幕的“取消”按钮408以返回到方式选择屏幕或缺陷概要屏幕。

对于所有被配置的站点类型，图7中所示实施例的缺陷概要屏蔽702被分成4个表，包括：一般信息表704，缺陷表706、原因表708以及处理工具选择清单表710。屏幕顶部700包含传统的浏览器控制菜单。结合图14中的步骤1418描述用户向缺陷概要屏幕702的输入。

缺陷概要屏幕702的一般信息表704的左侧包含当前观看的晶片的层，批和晶片标识以及该晶片上的缺陷数。缺陷晶片图的图形712占有这一部分的中央，并显示出缺陷713的位置，一般信息部分的右侧包含配置屏幕中选择的配置选项714的状态，以及配置按钮720和查询按钮722。配置按钮允许用户执行图14中的决策步骤1420，以访问分别由图4、5和6所示配置屏幕部分410、510和610，从而改变缺陷概要屏幕702的状态。通过按查询按钮722，选择全局查询功能。全局查询功能使方法1400进入步骤1422。在步骤1422，该方法启动查询方法并提示用户送入查询判据。参见图13和下文中为讨论查询屏幕所做的相关描述。缺陷源识别器100从步骤1422进入步骤1424，在那里方法1400查询与用户提供的查询请求相匹配的晶片。在步骤1424之后，缺陷源识别器显示满足查询判据的先前处理过的晶片的缺陷概要屏幕。

缺陷表706含有关于晶片缺陷类别的信息。选择缺陷详情按钮726的用户启动图14中步骤1426的缺陷详情功能。步骤1426扩展缺陷表706中包括的行数，以包括更多的信息，如缺陷的精确位置和大小。方法1400从步骤1426继续到步骤1428，在其中显示的缺陷表706被扩展。然后方法1400返回到步骤1418。在未扩展的缺陷表706中包含的字段示于表1，这取决于所配置的站点类型。

表1在缺陷概要屏幕的缺陷表中的标准字段

晶片缺陷检测过程站点	扫描电子显微镜过程站点	查询站点
			缺陷号	缺陷号	缺陷号
动态的	动态的	动态的
			空间标记分析	空间标记分析	空间标记分析
再观察	再观察	再观察
			原因	扫描电子显微镜自动缺陷	扫描电子显微镜

	分类	自动缺陷分类
			CID	原因	原因
	EDX(SEM)	EDX(SEM)
				CID(晶片缺陷检测过程)	CID(晶片缺陷检测过程)

当用户例如在图7所示缺陷概要屏幕702的实施例中选择缺陷详情按钮726，从而选择了缺陷详情功能时，便在缺陷表706中显示表2中包含的扩展信息：

表2在缺陷概要屏幕的缺陷表中的扩展字段

晶片缺陷检测过程	扫描电子显微镜过程	查询数据
			缺陷号	缺陷号	缺陷号
动态的	动态的	动态的
			空间标记分析	空间标记分析	空间标记分析
再观察	再观察	再观察
			原因	扫描电子显微镜自动缺陷分类	扫描电子显微镜自动缺陷分类
CID	原因	原因
			X位置	EDX(SEM)	EDX(SEM)
Y位置	CID	CID
			X小片	X位置	X位置
Y小片	Y位置	Y位置
			X尺寸	X小片	X小片
Y尺寸	Y小片	Y小片
			缺陷面积	X尺寸	X尺寸
体积	Y尺寸	Y尺寸
			等级	缺陷面积(晶片缺陷检测过程)	缺陷面积(晶片缺陷检测过程)
类型	体积(晶片缺陷检测过程)	体积(晶片缺陷检测过程)

CID	等级(晶片缺陷检测过程)	等级(晶片缺陷检测过程)
				类型(晶片缺陷检测过程)	类型(晶片缺陷检测过程)

在图7中所示实施例中的缺陷表706的实施例上出现的字段的描述示于表3。

表3：缺陷概要屏幕字段描述

列标题	字段描述
		缺陷号	在晶片上检测到的每个缺陷的顺序号
动态的	由晶片缺陷检测过程工具对所有缺陷进行的动态分类
		空间标记分析	空间标记分析分类，只当在配置屏幕中选择了空间标记分析选项时才提供这一列
再观察	由光学显微镜再观察的某些缺陷的附加分类
		扫描电子显微镜自动缺陷分类	由扫描电子显微镜过程再观察的某些缺陷的附加分类。这些缺陷是已由再观察分类过的缺陷以及被选定由扫描电子显微镜过程再观察的其他缺陷构成的子集
原因	根据历史案例研究显示该缺陷的可能原因。如果只发现一个匹配的案例，则显示该案例的名称。如果发现多于一个的案例，则显示一个数字表示所发现案例的个数。某类别可能没有任何相关的案例研究，在这种情况下显示“未知”。
		X位置	在晶片该小片上缺陷的精确X位置
Y位置	在晶片该小片上缺陷的精确Y位置
		X小片	含有该缺陷的小片的X位置
Y小片	含有该缺陷的小片的Y位置
		X尺寸	该缺陷的宽度
Y尺寸	该缺陷的高度
		缺陷面积	该缺陷占有的面积。这是由X尺寸和Y尺寸相乘计算出的

CID	对每个集群的缺陷显示集群标识。如果一些缺陷彼此靠近在一起，它们将有相同的集群ID。只当在配置中选择了集群选项时才提供这一列。
		EDX

在图7的缺陷概要表702的实施例中的原因表708反映出来自缺陷源识别器的案例研究信息。在原因表708内，用户能选择刷新原因按钮709以启动步骤1430。按刷新原因按钮709将在步骤1432自动更新原因表708，以及缺陷表706的原因列730。在步骤1432之后，方法1400返回步骤1418。刷新原因按钮709帮助识别哪些工具可能对任一特定缺陷负责。

原因表708在表4所示类别列732中显示缺陷的各种类别，带有当前晶片上每类的缺陷个数和这些缺陷的可能原因。

表4：原因表字段

列标题	字段描述
		类别	缺陷的类别
缺陷数	在当前被处理的晶片上出现的特定类别的缺陷个数
		可能原因	该类缺陷的可能缺陷原因列表

在原因表708中原因可按字母顺序排序或按任何其他希望的顺序排序。例如可以首先显示空间标记分析类别，然后显示扫描电子显微镜自动缺陷分类，再观察以及动态类别。

动态类别可预先配置。扫描电子显微镜自动缺陷分类和再观察类别是可以配置的。每个用户将有他们自己的一组扫描电子显微镜自动缺陷分类和再观察类别。缺陷源识别器100使用一个映射文件把客户的扫描电子显微镜自动缺陷分类和再观察类别翻译成缺陷知识数据库过程能认识的类别。如果存在客户知识数据库过程218的话，客户的类别将存在于他们的特定的客户知识数据库过程218中。

由动态类别产生的KLA文件的显示有别于由再观察类别产生的KLA文件。对于动态类别和再观察类别，其KLA文件在缺陷部分有单独的列。一旦晶片缺陷检测过程已完成对该批晶片的全部测试，它便产生该文件，从而使动态类别和再观察结果二者能存储在一个文件内。

在缺陷概要屏幕702中的处理工具表710包括自上次检测以来在部分704中标识的晶片受处理所用处理工具的列表。可选择工具以观察案例研究，这些案例研究应用于由所选工具造成的特定缺陷或缺陷类别。这有助于用户识别哪些工具可能对这些缺陷负责。根据预先约定，这些工具按照与处理顺序相反的顺序列表，从最后处理该晶片的工具到第一个。选择位于处理工具表710标题旁边的小的工具箭头按钮736，则反转这些工具的顺序，于是按处理顺序显示它们。与晶片上每个缺陷相关的任何案例研究指明一个特定的有责任的处理工具，它在屏幕上被突显出来。处理工具表字段示于表5中。

表5：处理工具配置数据字段

参数名	描述
		站点类型/站点ID	该站点类型是晶片缺陷检测过程、扫描电子显微镜过程或离线(查询)处理。如果该类型是头两个类型中的任何一个，则要求站点标识。
新增缺陷/重复缺陷	该字段说明是否要显示新增缺陷、重复缺陷或全部缺陷
		集群	该字段说明是否要显示集群ID以及这些集群数据是从哪里收集的
空间标记分析	该字段说明是否要对晶片上的分布计算空间标记分析结果
		偏差	该字段说明是否要显示所有带缺陷的晶片还是只显示超过偏差限的那些晶片
动态类别	该字段指定在缺陷概要屏幕上应显示动态类别中的哪些类别
		再观察类别	列表指出该用户希望观看哪些再观看类别
扫描电子显微镜过程类别	列表指出该用户希望观看哪些扫描电子显微镜自动缺陷分类的类别

一旦完成了初始化过程，缺陷源识别器100将执行缺陷源识别器数据库过程214以确定由该工具处理过的最后一个晶片。缺陷源识别器100执行“制造执行数据库过程”210以提取处理该晶片的处理工具列表。如果已经配置了取自缺陷管理数据库过程208的任何新增缺陷、重复缺陷、空间标记分析或集群，则缺陷源识别器100访问缺陷管理数据库过程208以提取所配置的信息。

然后，缺陷源识别器100执行缺陷知识数据库过程216以得到每个检测到的缺陷的原因列表。这一原因列表是基于全部缺陷类别或者是基于对特定缺陷所配置的类别。缺陷源识别器100还执行缺陷知识数据库过程216以得到每个选定缺陷类别的原因列表并提供缺陷概要屏幕702的原因表708的字段。

在完成数据收集之后，显示缺陷概要屏幕702。如果缺陷源识别器100不能访问上述任何一个数据收集点的数据，则向用户显示一个错误消息。

除了使用例如配置功能或查询功能来修改显示的缺陷概要屏幕702外，通过缺陷详情功能(步骤1426和1428)或刷新原因功能(步骤1430和1432)，用户能使各种缺陷图像显示出来。用户能通过例如在晶片图上适当位置用鼠标选择或用字母数字选择具有参考数字或字母的每个缺陷，以突显缺陷表上相应的缺陷记录，从而选择图7所示晶片图712上的任何缺陷。

用户能选择缺陷概要屏幕702的缺陷表上缺陷号一列740中的特定缺陷号，以突显缺陷图上的相应缺陷。与选定缺陷对应的那一行显示那个缺陷的图像画廊。为分拣缺陷表，一个箭头位于缺陷概要屏幕702中某些字段标题的旁边。用户选择说明分拣该表所用判据的字段旁边的箭头。与选定缺陷字段相关联的缺陷详情便被显示出来。通过选择缺陷详情按钮726，用户能显示缺陷表706上每个缺陷的附加详情。如果观察某个缺陷，则可以例如由扫描电子显微镜过程产生的信息中提取出该缺陷的尺寸和位置。

用于能选择缺陷表706的原因列730中的任何类别以选择那个类别，于是将显示与所选定的类别相关联的缺陷表706中各行以及晶片图712上与所选定类别相关联的缺陷。如果在执行上述功能的过程中发生任何错误，则将终止该功能的执行并显示原始缺陷数据。在缺陷概要屏幕上将出现一个错误图标，而且该错误将被登录在错误消息页上。

缺陷概要屏幕702显示来自各种数据源的数据。缺陷源识别器的检测工具在完成对一批或一个晶片的检测之后创建一个KLA文件，并把晶片识别和缺陷检测信息存储在这一文件中。缺陷概要屏幕702的一般信息部分704具有由KLA结果文件产生的层、晶片和批的ID。显示选项表714具有来自配置设置的信息。

缺陷表部分706包含由计量工具收集的数据，例如由扫描电子显微镜过程206和晶片缺陷检测过程204收集的数据。取决于用户运行缺陷源识别器时所在的站点，在缺陷表部分706中将只显示来自晶片缺陷检测过程204的数据，或者只显示来自扫描电子显微镜过程的数据(如果得不到来自晶片缺陷检测过程的数据)，或者显示过程204、206二者。由每个晶片缺陷检测工具产生的KLA文件所包含的信息提供表6中所示的字段：

表6：缺陷概要屏幕的缺陷表字段

列标题	字段描述
		缺陷号	在晶片上检测到的每个缺陷的顺序号
动态的	由晶片缺陷检测过程工具对所有缺陷进行的动态分类
		再观察	被送到由光学显微镜再观察的某些缺陷的附加分类
扫描电子显微镜自动缺陷分类	被送到由扫描电子显微镜过程再观察的某些缺陷的附加分类。这些缺陷是已由再观察分类过的缺陷以及被选定由扫描电子显微镜过程再观察的某些其他缺陷构成的子集。
		X位置	在晶片该小片上缺陷的精确X位置
Y位置	在晶片该小片上缺陷的精确Y位置
		X小片	含有该缺陷的小片的X位置
Y小片	含有该缺陷的小片的Y位置
		X尺寸	该缺陷的宽度

Y尺寸	该缺陷的高度
		缺陷面积	该缺陷占有的面积。这是由X尺寸和Y尺寸相乘计算出的。

缺陷表706中原因列730是基于从缺陷知识数据库过程和客户知识数据库过程提取的数据，这是由计量工具204、206对晶片上每个检测到的缺陷得到的数据。缺陷源识别器通过关联下述查询判据找出每个缺陷的相关案例历史，这些判据被输入到使用动态分类、空间标记分析、再观察和扫描电子显微镜自动缺陷分类以及一个或多个处理工具的这些系统中。

空间标记分析数据是从缺陷管理数据库过程208中提取的。如果在选择缺陷类别判据配置屏幕部分510中选择空间标记分析选项530，则收集空间标记分析数据。根据配置，从缺陷管理数据库过程208或KLA文件收集集群数据(CID)。如果不能从缺陷管理数据库过程208中提取出空间标记分析或集群信息，则将显示没有这些信息的缺陷概要屏幕。

缺陷概要屏幕702的原因表708包含从KLA文件、缺陷知识数据库过程216以及客户知识数据库过程218中提取出的数据。如果缺陷源识别器100不能访问缺陷知识数据库过程216，则显示的缺陷概要屏幕没有任何原因信息。在缺陷表(它包括来自一个或多个KLA文件的输入)中列出的每个缺陷类别用于查找缺陷知识数据库过程216的案例研究。为提取案例输入到缺陷知识数据库过程216的输入是：工具类型和动态分类，空间标记分析、再观察和扫描电子显微镜自动缺陷分类。

对制造执行数据库过程216的访问提供表7所示处理工具表字段。如果对一个晶片识别或对一批晶片识别不能提取出工具信息(例如扫描电子显微镜过程206或晶片缺陷检测过程204)，则将不显示该晶片的缺陷检测信息。

表7：用于缺陷概要屏幕的输出

名称	描述
		缺陷概要屏幕	显示选定方式的缺陷概要屏幕，其中包含该晶片的缺陷检测信息。

错误消息	如果遇到错误，则在错误消息页中显示详细的错误消息。

用户能选择缺陷表706中缺陷号列740中的图像选择按钮742，以显示包括该缺陷图像画廊的图像选择屏幕。一旦已选择了图像按钮742，缺陷源识别器便访问缺陷源识别器数据库，以针对具有各输入和输出字段和特定缺陷提取图像文件名，这些字段分别示于表8和表9。

表8：图像选择屏幕的输入字段

名称	描述
		层ID	该晶片的层标识
批ID	该晶片的批标识
		晶片ID	该晶片的晶片标识
缺陷号	该晶片上该缺陷的唯一标号

图像文件与KLA文件一起由缺陷源识别器输送出来并存储在缺陷源识别器文件系统中。在一个实施例中，晶片缺陷检测过程204和扫描电子显微镜过程206为每个KLA文件产生一个图像文件。图像文件可以包含该批或该晶片的全部图像。如果定位或提取图像时发生错误，则把错误登录在错误消息页上。该错误还可以存储在错误日志文件数据库中。

表9：图像选择屏幕的输出字段

名称	描述
		缺陷图像屏幕	一个新的万维网浏览器，包含图像、其选定缺陷被突显的晶片图、缺陷号、以及层、批和晶片ID
错误消息	如果遇到错误，则把详细错误消息显示在错误消息页中。

如图14的步骤1440中所示，用户能选择要显示的晶片缺陷。只当发现了一个匹配的原因时，才在缺陷表706的原因列730中显示缺陷原因名。如果发现不只一个匹配的原因，则显示所发现的原因个数。用户能点击该个数以打开一个新的浏览器窗口，该窗口显示缺陷原因选择屏900(它的一个实施例示于图9中)，在字段列902中列出各原因名，在字段列904中列出原因描述，在字段列906中列出案例图像，这些案例图像是已经发现在历史上应用于那个特定缺陷的案例图像。然后，用户能点击原因列902中的任何名字，以显示详细的案例描述1000(见图10)。

当用户点击案例图像列906中的案例图像按扭908时，一个新的浏览器打开(对应于图14中的步骤1422)，显示案例图像屏幕1100，它对应于与选定案例研究相关联的图像1102、1104、1106。图11中所示案例图像屏幕1100的实施例是基于如下假定：在缺陷知识数据库过程中的案例研究被如此组织起来，使得缺陷源识别器100能提取由扫描电子显微镜过程206、晶片缺陷检测过程208以及其他这类过程所产生的图像。与图9的扩展缺陷原因选择屏幕相关联的字段示于表10。

表10：对扩展缺陷原因选择屏幕的输入字段

名称	描述
		层ID	该晶片的层标识
批ID	该晶片的批标识
		晶片ID	该晶片的晶片标识
类别	该缺陷分类
		工具	对其列出原因的工具

图11的案例图像屏幕1100可以该问表11中所示不同的屏幕。如果在显示任何案例图像屏幕1100时发生错误，则将重新显示缺陷概要屏幕和把错误消息显示在错误消息页中并登录在错误日志文件中。

表11：缺陷原因选择屏幕的输出

名称	描述
		可能原因列表屏幕	一个新的浏览器，显示原因列表
缺陷知识数据库过程的缺陷详情屏幕	显示一个新的屏幕，给出案例背景、案例详情以及缺陷信息，全部是从缺陷知识数据库过程提取的。
		案例图像屏幕	显示一个新的浏览器，显示出特定案例缺陷知识数据库过程图像
错误消息	如果遇到错误，则把详细错误消息显示在错误消息页中

如图14的步骤1444和1446所指出的那样，用户能选择将案例图像屏幕1100中显示的图像与由客户知识数据库过程218和/或缺陷知识数据库过程216提取的晶片缺陷案例历史进行比较。首先，在决策步骤1444中用户选择他们是否希望利用如图12所示的图像比较屏幕1200。如果对决策步骤1444的回答为“否”，则方法1400返回到步骤1418。如果对决策步骤1444的回答为“是”，是方法1400继续到步骤1446，在那里用户选择特定的案例历史和计量工具过程204或206以显示在图像比较屏幕1200中。

方法1400显示图12的图像比较屏幕1200(步骤1448)，它允许用户比较一个从缺陷图像屏幕800中选出的缺陷图像，屏幕800包括表12中所示字段。图8中显示的缺陷图像屏幕800的实施例显示多个案例图像，包括来自如扫描电子显微镜过程206和/或光学晶片缺陷检测数据库过程204这些工具的图像集802、804、806，与图11中所示案例图像屏幕1100上显示的类似。用户可以从每类过程204和/或206或其他过程中选择一个图像。

图12：对图像比较屏幕的输入

名称	描述
		缺陷图像名	从缺陷图像屏幕中选出的图像的名称
案例图像名	从案例图像屏幕选择的图像的名称
		层ID	该晶片的层标识
批ID	该晶片的批标识
		晶片ID	该晶片的晶片标识
案例描述	参考要放大的图像的案例研究的名称

用户选择案例图像屏幕1100或缺陷图像屏幕800中的一个图像，于是弹出一个新的浏览器窗口显示图像比较屏幕1200，其中带有选定图像1202的放大版本。然后，用户可从案例图像屏幕1100中选择一个图像，于是该图像1204的放大版本将显示在先前选定的图像附近。

用户能选择缺陷概要屏幕702的原因表708中包括的任何可能原因，以显示一个新的可能原因选择浏览器窗口，其中含有来自缺陷源识别器的关于指定案例的详细信息。对可能原因选择屏幕的输入示于表13。

表13：对可能原因选择的输入

名称	描述
		层ID	该晶片的层标识
批ID	该晶片的批标识
		晶片ID	该晶片的晶片标识
类别	缺陷分类
		工具	要对其列出原因的工具

当用户在缺陷概要屏幕702的原因表中选出一个特定原因名时，由缺陷知识数据库过程提取出案例研究详情，并显示一个含有该详情信息的新的浏览器窗口。该可能原因选择表的输出示于表14。

如果在显示详细原因选择屏幕过程中发生错误，则将重新显示缺陷概要屏幕700，而且错误消息将显示在错误消息页上并登录在错误日志文件数据库中。

表14：来自可能原因选择的输出

名称	描述
		缺陷知识数据库过程缺陷详情屏幕	显示一个新的浏览器，给出案例背景、案例详情以及缺陷信息，全部是从缺陷知识数据库过程提取出来的。
错误消息	如果遇到错误，则在错误消息页中显示详细的错误消息。

每个受处理的晶片顺序地受到多个处理工具的处理。由这些处理工具中任何一个工具对晶片的处理都可能在晶片上造成某些缺陷。在处理工具表710中提供已处理过的一个晶片的处理工具列表，该处理工具表710位于图7中缺陷概要屏幕702的一个实施例的底部。用户能选择这些处理工具中的一个或多个，并点击刷新原因按钮709以刷新缺陷表706和原因表708。刷新后的缺陷表706给出原因概要，这些原因是可能适用于处理该特定晶片时所用处理工具的那些原因。按预先约定，原因表708显示该晶片的缺陷的所有可能原因。对处理工具表的输入包括表15中所示字段。

表15：对处理工具表的输入

名称	描述
		层ID	该晶片的层标识
批ID	该晶片的批标识
		晶片ID	该晶片的晶片ID
类别	缺陷分类

一旦用户选择所希望的工具和选择刷新原因按钮709，则由缺陷知识数据库过程提取信息，而且缺陷和原因表708被更新，以显示在涉及选定工具的处理过程中该晶片上出现的缺陷。处理工具的输出包括表16中所示字段。

表16：处理工具部分的输出

名称	描述
		缺陷表的原因列	被更新，以显示在选定工具的处理过程中这些缺陷的原因或原因个数
原因表中缺陷个数列	被更新，以显示在选定工具处理过程中出现的缺陷个数
		可能原因	被更新，以显示与选定工具有关的原因

在图7所示缺陷概要屏幕702的实施例中，全局查询按钮722位于晶片图712的右侧。这个全局查询按钮722允许用户使用图13中所示晶片查询屏幕1300显示特定晶片的缺陷检测信息。全局查询按钮722允许用户在晶片查询屏幕1300中查询站点，以在现有浏览器上显示特定晶片的缺陷信息，如图14的步骤1422和1424指出的那样，该不是实时更新的。用户能在晶片查询屏幕1300中指定各种参数，以缩小查询范围。如果有多个晶片满足查询判据，则为用户显示匹配晶片列表。用户选择一特定晶片供缺陷概要屏幕702中显示。

用户将在晶片查询屏幕1300中把晶片的日期/时间送入字段1302A、1302B、1302C和1302D。在字段1304A和1304B中送入感兴趣的检测/再观察工具，在字段1306A和1306B中送入感兴趣的处理工具。用户还有选项通过选择偏差校核字段1308提取处在偏差中的晶片列表，或通过不选择偏差校核字段1308而提取全部与上述过滤器匹配的晶片。在完成过滤器字段后，用户选择寻找晶片按钮1310以提取与选定过滤器判据匹配的晶片批量列表。

然后，用户利用选择的批标识选项在批标识下拉菜单1314中选择感兴趣的指定一批。然后，在晶片列表中，在晶片标识字段提供晶片ID，这些晶片包含在晶片标识下拉菜单1312中的选定批中。然后，该用户选择感兴趣的晶片。然后，通过选择晶片标识下拉菜单1312中的一个晶片标识选项，提供出层ID列表，然后提供层标识下拉菜单1316。

一旦完成全部选择，用户选择一个“完成”按钮1320以提取分析数据并在图7所示缺陷概要屏幕702中显示结果。

全局晶片查询表包括表17中所示那些字段。

表17：对全局晶片查询表的输入

名称	描述
		层ID	被查询的晶片的层标识
批ID	被查询的晶片的批标识
		晶片ID	被查询的晶片的晶片标识
偏差	查询在偏差中的晶片
		检测工具类型和ID	查询被指定检测工具检测过的晶片
处理工具类型和ID	查询被指定处理处理过的晶片
		查询日期、起始时间	查询在指定时间段内的晶片
结束日期、结束时间	查询在指定时间段内的晶片

错误处理

缺陷源识别器有错误处理能力，它使用消息页向用户显示错误和信息消息。在错误消息屏幕上将错误显示给用户，错误详情被登录在日志文件数据库中。在日志文件数据库中的每个错误消息包括一个日期/时间戳。

如果由于访问过程中的错误，使缺陷源识别器不能使用制造执行数据库过程210对特定一批晶片访问工具信息，则这批晶片将不能被显示。其错误将显示在错误消息页上并登录在错误日志文件数据库中。于是，可能显示晶片查询屏幕1300而不是显示缺陷概要屏幕702。

如果由于访问错误，使缺陷源识别器不能使用缺陷知识数据库过程216来访问案例信息，则将显示不带案例信息的缺陷概要屏幕。该错误将显示在错误消息页上并登录在错误日志文件数据库中。

如果缺陷源识别器100不能从缺陷管理数据库过程208访问到新增缺陷、重复缺陷、空间标记分析或集群信息，则显示不带这一信息的缺陷概要屏幕。该错误将显示在错误消息页上并登录在错误日志文件数据库中。如果缺陷源识别器不能访问缺陷源识别器历史数据库，这一错误将显示在错误消息页上并登录在错误日志文件数据库中。这时，缺陷源识别器将退出。客户机——服务器结构

图16中所示缺陷源识别器100的实施例有一个3层的客户机——服务器结构1600，包括客户机层1602，中间层1604和服务器层1606。客户机层1602提供缺陷源识别器用户界面。在一个实施例中，客户机层包含浏览器软件，通常用于向位于缺陷源识别器客户机104处的客户计算机105提供因特网连接。

中间层的一个实施例包含MICROSOFT^因特网信息服务器和MICROSOFT事务服务器。中间层实现客户应用的业务规则，管理与数据库过程210、212、214、218以及220进行的事务。并向浏览器客户机供给万维网页。中间层过程驻留在缺陷源识别器服务器106上。中间层过程的实施例包含例如WINDOWS NT^服务器、SQL服务器数据库以及缺陷知识数据库过程216。中间层过程可以与驻留在其他服务器上的数据库或其他数据源产品交互作用，这些其他服务器通常在缺陷源识别器100的范围之外操作。

数据层的一个实施例包含一个SQL数据库服务器，它包括缺陷源识别器数据库过程214和缺陷知识数据库过程216。数据库层还包含制造执行数据库过程210、缺陷管理数据库过程208以及客户知识数据库过程218。

图15包括图15A和15B，是方法1500的一个实施例的流程图，该方法由图1的缺陷源识别器100实现，以识别晶片上的缺陷，为了最好地理解这一方法1500的操作，读者在阅读下文对图15的描述时应同时参考图1和图2。

方法1500以步骤1502开始，其中晶片处理系统102在多个生产操作室103之一当中处理一个晶片。然后，通常使用机器人121将该晶片移到一个计量室124，如步骤1504中所示。在步骤1506中，当晶片处在计量室124中时，该晶片受到检测以发现缺陷，所用计量工具有如扫描电子显微镜过程206或晶片缺陷检测过程204。晶片缺陷检测过程通常把缺陷检测信息作为KLA文件存储。类似地，扫描电子显微镜过程(在图2的实施例中显示为206)通常把它的缺陷检测信息作为KLA文件存储。

在步骤1508中，方法1500把来自晶片处理系统102的缺陷检测信息传送给客户计算机105。缺陷检测信息原始存储在图2所示缺陷管理数据库过程208中。方法1500继续到决策步骤1510，它确定是否存在客户知识数据库过程218。如果对决策步骤1510的回答为“是”，则方法1500继续到步骤1514。

在步骤1514中，由计量工具(如扫描电子显微镜过程206或晶片缺陷检测过程204)得到的缺陷检测信息与存储在客户知识数据库过程218中的代表案例历史的缺陷源信息进行比较。通过把该缺陷与客户知识系统中存储的先前缺陷所对应的缺陷源信息的案例历史进行比较，确定该晶片缺陷的来源。与缺陷知识系统数据库过程216相比，客户知识数据库过程218中的存储内容通常较少，包括较少的缺陷历史案例。然而，如果任何一个特定的缺陷源识别器客户机104运行相当长时间，则该客户知识数据库过程的大小和效用将增大。

在方法1500的一个实施例中，在图像比较屏幕步骤1516中，缺陷源信息和缺陷检测信息二者被显示在一个与客户计算机105关联的图形用户界面(GUI)上。在步骤1516中的缺陷检测信息类似于图12中所示图像比较屏幕。方法1500继续到步骤1518，在其中缺陷源识别器客户机104确定所显示的缺陷源信息是否是可以接受的，即在缺陷源信息中的案例历史缺陷的原因实际上是否是缺陷检测信息中当前缺陷的原因。对可接受性的这种确定或者是根据有技能的用户确定所显示的缺陷类似于案例历史缺陷，或者根据客户计算机105中的一个能提供同样确定的相关程序。如果步骤1518中的询问得到的回答为“是”，则方法1500继续到决策步骤1519。

在决策步骤1519中，缺陷源识别器100确定客户知识数据库过程是否支持缺陷知识数据库过程。如果如步骤1519的确定，一个特定的客户知识数据库过程218不支持缺陷知识数据库过程216，则客户知识数据库过程218将不被允许访问缺陷知识数据库过程216，于是方法1500继续到步骤1521。在步骤1521中，根据案例历史中包括的对晶片处理系统的推荐操作修改，对晶片处理系统102的操作进行修改，以排除在晶片上造成缺陷的处理状态。对晶片处理系统操作的这种修正可由观察缺陷源信息的用户人工进行，或者由客户计算机105改变晶片处理系统的操作来自动地进行。在步骤1521之后，方法1500终止。

如果对步骤1518中询问的回答为“否”，则方法1500继续到步骤1520，在那里用户访问新的源缺陷信息。这可由用户选择新的缺陷源信息来提供，这新的缺陷源信息包含不同的缺陷源和解决方案，多个原因之一示于图7的708。如果用户想要选择该缺陷的另一原因，它包括进一步的缺陷源信息，则方法1500继续循环返回决策步骤1512。

如果对决策步骤1519的回答为“是”，则方法继续到步骤1522。同样，如果在决策步骤1510中的回答为“是”，则方法1500继续到步骤1522。在步骤1522中，对晶片上每个缺陷，选定的缺陷被送到服务器计算机107。可能有多个选定的缺陷与每个晶片相关联。方法1500继续到步骤1524，在其中缺陷检测信息与缺陷知识数据库过程216中存储的缺陷源信息比较，该缺陷源信息通常存储在缺陷源识别器服务器106b的存储器162B中。

方法1500继续到步骤1526，在那里由缺陷源识别器服务器106访问缺陷知识数据库过程，以根据位于晶片上的每个缺陷的缺陷检测信息导出可能的原因。编辑好的选定缺陷原因信息被回送到缺陷源识别器客户机104。方法1500继续到步骤1528以利用选定的缺陷原因信息。在一个实施例中，对缺陷原因信息的利用包括在图7所示缺陷概要屏幕702上显示从缺陷原因信息中选出的原因。

然后，方法1500继续到步骤1530，在其中，靠近缺陷源识别器客户机104的用户与客户计算机105接口，对每个特定的晶片缺陷，从选定的缺陷原因信息中选择一个缺陷原因。在例如图7所示缺陷概要屏幕实施例中的原因部分708中，列出缺陷原因。用户选择原因部分中列出的缺陷原因之一，例如通过“点击”那个特定的原因。然后，方法1500继续到步骤1534，在那里选定的缺陷原因从缺陷源识别器客户机104传送到缺陷源识别器服务器106。

方法1500继续到步骤1536，在其中，响应步骤1534中传送的选定缺陷原因，在服务器计算机中产生包括选定的缺陷原因的缺陷源信息。步骤1536中产生的缺陷源信息被作为图1所示缺陷源识别器服务器106的实施例中包括的缺陷知识数据库过程的一部分。方法1500继续到步骤1538，在其中缺陷源信息被传送到缺陷源识别器客户机104。

该方法继续到步骤1540，在其中缺陷源信息显示为图像或显示在图像比较屏幕上，一个实施例示于图12中，同时显示的还有步骤1506中导出的缺陷检测信息。图像比较屏幕显示在缺陷源识别器客户机104处。用户能在图像比较屏幕上观察所显示的图像，并确定他/她是否满意缺陷源信息中显示的缺陷与图像比较屏幕中包含的缺陷检测信息中显示的缺陷二者之间的相关性。运行相关性程序的客户计算机105能提供类似的确定。

方法1500继续到步骤1542，在那里由用户或缺陷源识别器客户机104接受或不接受该缺陷原因，表明该缺陷源信息是否足够密切地与缺陷检测信息相关。如果对决策步骤1542的回答为“是”，则方法1500继续到步骤1544。与此比较，如果缺陷原因未被用户在步骤1542接受，则该方法继续循环回到步骤1530。

在步骤1544的一个实施例中，用户与缺陷源识别器客户机104接口，以根据所显示的缺陷源信息校正晶片处理系统的操作。在步骤1544的另一实施例中，缺陷源识别器客户机104自动地应用缺陷源识别器客户机104处显示器上由缺陷源信息所显示的解决方案，通过改变晶片处理系统102的操作来消除该缺陷源。

例如，如果缺陷源(缺陷原因)是生产操作室脏，则将使生产操作室在清洁方式下操作一个预定的时间段。如果缺陷原因表明该过程是以不希望的温度、压强或配方进行操作，则将改变晶片处理系统102中(例如生产操作室103)的操作条件。对晶片处理系统102中操作条件的这些校正能自动地进行以限制缺陷的发生，或者能由系统操作员输入这些条件，以改变晶片处理系统102的设置或条件。

在客户知识数据库过程支持缺陷知识数据库过程的那些缺陷源识别器系统100中，可由用户访问一个更大的缺陷知识数据库过程，如图2中的216所指出的那样，它存储在缺陷源识别器服务器106中。在步骤1544之后，方法1500在步骤1545终止。

虽然在这里详细地显示和描述了包含本发明原理的各种实施例，本领域技术人员能容易针设计出许多其他改变了的实施例，它们仍然包含这些原理。

Claims (28)

1.一种分析半导体晶片上缺陷的方法，包含：

识别半导体晶片上的缺陷；

在缺陷源识别器客户机内建立缺陷检测信息，该缺陷检测信息含有关于识别出的缺陷的信息；

通过网络把缺陷检测信息传送到缺陷源识别器服务器；

响应缺陷检测信息，在缺陷源识别器服务器处导出缺陷源信息；

把缺陷源信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机；以及

在缺陷源识别器客户机处利用该缺陷源信息。

2.根据权利要求1的方法，进一步包含：

在缺陷源识别器客户机处提供客户知识数据库信息；以及

在缺陷源识别器客户机处显示该客户知识数据库信息。

3.根据权利要求2的方法，其中缺陷源信息和客户知识数据库信息同时在缺陷源识别器客户机处显示。

4.根据权利要求1的方法，进一步包含：

在缺陷源识别器服务器处提供缺陷知识信息；

把缺陷知识信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机；以及

在缺陷源识别器客户机处显示该缺陷知识信息。

5.根据权利要求4的方法，其中缺陷知识信息从缺陷源识别器服务器到缺陷源识别器客户机的传送由缺陷源识别器客户机处的用户输入来控制。

6.根据权利要求4的方法，其中缺陷源信息和缺陷知识信息同时在缺陷源识别器客户机处显示。

7.根据权利要求1的方法，其中通过位于晶片处理系统中的计量室中的晶片来识别半导体晶片上的缺陷。

8.根据权利要求1的方法，其中对缺陷解决方案信息的利用涉及响应缺陷解决方案信息，在缺陷源识别器客户机处显示对该缺陷的缺陷解决方案。

9.根据权利要求1的方法，其中对缺陷解决方案信息的利用涉及改变晶片处理系统的操作。

10.为半导体晶片提供缺陷来源的装置，包含：

晶片处理系统，被配置成识别半导体晶片上的缺陷；

缺陷源识别器客户机，响应识别出的缺陷产生缺陷检测信息；

与缺陷源识别器客户机通信的缺陷源识别器服务器，缺陷源识别器客户机把缺陷检测信息传送到缺陷源识别器服务器，缺陷源识别器服务器响应缺陷检测信息从而导出缺陷源信息，这里缺陷源信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机；以及

缺陷源识别器客户机利用缺陷源信息向晶片处理系统提供该缺陷的解决方案。

11.根据权利要求10的装置，其中响应该解决方案自动修正晶片处理系统的操作。

12.根据权利要求10的装置，其中解决方案显示在缺陷源识别器客户机处的显示器上，从而使操作员能响应所显示的解决方案来修改晶片处理系统的操作。

13.一种分析半导体晶片上缺陷的方法，包含：

识别半导体晶片上的缺陷；

在缺陷源识别器客户机内建立缺陷检测信息，该缺陷检测信息含有关于识别出的缺陷的信息；

通过网络把缺陷检测信息传送到缺陷源识别器服务器；

响应缺陷检测信息，在缺陷源识别器服务器处导出缺陷源信息；

将选择的缺陷原因信息传送到缺陷源识别器服务器；

响应于选出的缺陷原因信息在缺陷源识别器服务器导出一个选出的原因；

把选出的原因从缺陷源识别器客户机传送到缺陷源识别器服务器；

响应选出的原因，在缺陷源识别器服务器处导出缺陷源信息；

把缺陷源信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机；以及

在缺陷源识别器客户机处利用该缺陷源信息。

14.根据权利要求13的方法，其中导出的缺陷源信息作为选定原因与这同一个缺陷关联。

15.根据权利要求13的方法，其中的缺陷原因信息是响应缺陷检测信息通过相关选出的。

16.根据权利要求13的方法，进一步包含：

在缺陷源识别器客户机处提供客户知识信息；以及

在缺陷源识别器客户机处显示该客户知识信息。

17.根据权利要求16的方法，其中缺陷源信息和客户知识数据库信息同时在缺陷源识别器客户机处显示。

18.根据权利要求13的方法，进一步包含：

在缺陷源识别器服务器处提供缺陷知识信息；

把缺陷知识信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机；以及

在缺陷源识别器客户机处显示该缺陷知识信息。

19.根据权利要求18的方法，其中缺陷知识信息从缺陷源识别器服务器到缺陷源识别器客户机的传送由缺陷源识别器客户机处的用户输入来控制。

20.根据权利要求18的方法，其中缺陷源信息和缺陷知识信息同时在缺陷源识别器客户机处显示。

21.根据权利要求13的方法，其中是在晶片处理系统中的计量室中识别半导体晶片上的缺陷。

22.根据权利要求13的方法，其中对缺陷解决方案信息的利用涉及：响应缺陷解决方案信息，在缺陷源识别器客户机处显示对该缺陷的缺陷解决方案。

23.根据权利要求13的方法，其中对缺陷解决方案信息的利用涉及改变晶片处理系统的操作。

24.一种显示缺陷信息的图形用户界面，包含：

晶片识别部分，用于识别晶片；

晶片缺陷部分，含有关于所识别晶片的晶片缺陷信息；

处理工具部分，它标识处理所识别晶片用的过程工具；以及

缺陷原因部分，它列出所识别晶片上任何缺陷的可能原因。

25.根据权利要求24的图形用户界面，其中晶片识别部分包含所识别晶片的图像。

26.根据权利要求24的图形用户界面，其中所述晶片缺陷部分包含到案例信息的链接，这些案例信息是关于这些缺陷的识别出的可能原因的信息。

27.根据权利要求24的图形用户界面，其中所述晶片缺陷部分包含到每个缺陷的图像的链接。

28.根据权利要求26的图形用户界面，其中所述案例信息包含一个图像，它能显示在每个缺陷的图像的侧边。

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