JP6374871B2 - 欠陥特定情報を用いるウェハ上の欠陥の検出 - Google Patents

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Description

本発明は、一般に、欠陥特定情報を用いてウェハ上の欠陥を検出することに関する。
以下の説明および例は、本箇所にそれらを包括することによって、先行技術であることを認めるものではない。
検査プロセスは、ウェハ上の欠陥を検出するために半導体製造プロセス中の様々なステップにおいて用いられる。あらゆるウェハ検査システムの1つの重要な目的は、ニューサンス欠陥を抑制することである。ニューサンス欠陥は、半導体の生産に関連性を持たない、検出された事象である。これらのニューサンス欠陥は、ウェハノイズおよびシステムノイズによって生じうるか、あるいはウェハ上の物理的実態である。ニューサンス欠陥は、ウェハ上のあらゆる部分に現れうる。いくつかの対象欠陥(DOI)は、ウェハ上の特定の場所に現れうる。DOIに関するコンテキスト情報は、欠陥検出のための事前知識として用いられうる。コンテキスト情報を用いるいくつかのアプローチが、欠陥を検出するために開発されてきた。1つのそのようなアプローチは、より高い確率で欠陥が生じうるホットスポットを発見し、ホットスポット周辺の欠陥を検査するために、グラフィカルデータストリーム(GDS)データや設計情報を用いる。別のそのようなアプローチは、欠陥バックグラウンドを一致させ、欠陥検出後、一致した欠陥を維持または除去する。
しかし、それらのアプローチには多数の欠点がある。例えば、第1のアプローチはGDSデータを利用する。しかしGDS情報は、例えば半導体製造施設の欠陥技術者にとって、どんな時でも利用可能であるとは限らない。更に、ユーザは、画像上でケアエリアを正確に重ねるために、パッチデザインアライメント(PDA)および実行時スワスベースアライメントを行う必要がある。スワスベースアライメントが失敗すると、スワスによってカバーされる箇所は検査されないことになる。欠陥検査後に実行される第2のアプローチは、欠陥の数およびニューサンス欠陥の種類が比較的大きい場合、検査の速度を著しく低下させうる。更に、欠陥信号が比較的弱い場合、膨大な量のニューサンス欠陥が検出されうる。欠陥信号は、欠陥を有する画像と欠陥のない参照画像との最大グレーレベル差として定義されうる。参照画像は、欠陥画像と空間的に位置合わせされ、ウェハ上の隣り合うダイまたは複数のダイから取得されうる。更に、この方法が組織的なDOIを維持するために実行される場合、ニューサンス欠陥およびランダムに散在するDOIを区別するために他のニューサンス除去メカニズムが必要である。これらのアプローチはいずれも、欠陥特定情報を用いない。
米国特許出願公開第2010/0142800号
従って、上述した欠点のうちの1または複数を有さずにウェハ上の欠陥を検出するための方法および/またはシステムを開発することは有利になるだろう。
以下に示す様々な実施形態の説明は、いかなるようにも、本願に付された特許請求の範囲の主題事項を限定するものとして解釈されてはならない。
一実施形態は、欠陥特定情報を用いてウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法に関する。方法は、ウェハ上のターゲットに関する情報を取得することを含む。ターゲットは、ウェハ上に形成される対象パターン(POI)およびPOI内やその付近に生じる既知の対象欠陥(DOI)を含む。情報は、ウェハ上のターゲットを画像化することによって取得されるウェハ上のターゲットの画像、ウェハ上のPOIの位置、POIに対する既知のDOIの位置、およびPOIおよび既知のDOIから計算される1または複数の特性を含む。方法はまた、当該ウェハまたは他のウェハ上のダイにおけるPOIに一致するターゲット候補を探査することも含む。ターゲット候補は、POIを含む。POIは、欠陥検出より前のセットアップ段階で実行されうる。POI探査後、各潜在的な欠陥位置についてミクロケアエリア(MCA)が生成されうる。これらの位置は、欠陥検出のために提供されうる。更に、方法は、ターゲット候補の画像における潜在的なDOI位置を特定すること、および潜在的なDOI位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって、ターゲット候補内の既知のDOIを検出することを含む。既知のDOIの検出は、コンピュータシステムを用いて実行される。
この方法と、現在用いられているコンテキストベースの検査との間にはいくつかの相違点がある。まず、この方法は、グラフィカルデータストリーム(GDS)データに頼らないことである。加えて、特定の欠陥を検出するために非常に正確なケアエリアアライメントが実行されうる。更に、コンテキストおよび欠陥特定情報は、欠陥検出後ではなくセットアップおよび欠陥検出中に用いられる。
上述した方法は、本明細書で詳述されるように実行されうる。加えて、上述した方法は、本明細書で説明する他の任意の方法の他の任意のステップを含んでよい。更に、上述した方法は、本明細書で説明するシステムのいずれによっても実行されうる。
別の実施形態は、ウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法を実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する非一時的コンピュータ読取可能媒体に関する。コンピュータ実現方法は、上述した方法のステップを含む。コンピュータ読取可能媒体は、本明細書で説明するように更に構成されうる。コンピュータ実現方法のステップは、本明細書で詳述するように実行されうる。加えて、プログラム命令が実行可能であるコンピュータ実現方法は、本明細書で説明する他の任意の方法の他の任意のステップを含んでよい。
更なる実施形態は、ウェハ上の欠陥を検出するように構成されたシステムに関する。システムは、ウェハ上のターゲットに関する情報を取得するように構成された検査サブシステムを含む。ターゲットは、ウェハ上に形成されたPOIおよびPOI内またはその付近に生じる既知のDOIを含む。情報は、ウェハ上のターゲットを画像化することによって取得されるウェハ上のターゲットの画像を含む。検査サブシステムはまた、当該ウェハまたは他のウェハ上のPOIに一致するターゲット候補を探査し、ターゲット候補の画像を取得するようにも構成される。加えて、システムは、ターゲット候補の画像における潜在的なDOI位置を特定することおよび潜在的なDOI位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによってターゲット候補内の既知のDOIを検出するように構成されるコンピュータシステムを含む。システムは、本明細書で説明されるように更に構成されうる。
本発明の他の目的および利点は、以下の詳細な説明を読み添付図面を参照することによって明らかとなるであろう。
ウェハ上に形成されるパターンおよびパターン内で既知の対象欠陥(DOI)が検出されたパターンの一実施形態の平面図を示す概略図である。 複数のダイおよび複数の対象パターン(POI)が複数のダイに形成されたウェハの一実施形態の平面図を示す概略図である。 POI、POI内又はその付近に生じる1または複数の既知のDOI、および既知のDOIについて生成されうる1または複数のミクロケアエリアの様々な実施形態の平面図を示す概略図である。 POI、POI内又はその付近に生じる1または複数の既知のDOI、および既知のDOIについて生成されうる1または複数のミクロケアエリアの様々な実施形態の平面図を示す概略図である。 POI、POI内又はその付近に生じる1または複数の既知のDOI、および既知のDOIについて生成されうる1または複数のミクロケアエリアの様々な実施形態の平面図を示す概略図である。 POI、POI内又はその付近に生じる1または複数の既知のDOI、および既知のDOIについて生成されうる1または複数のミクロケアエリアの様々な実施形態の平面図を示す概略図である。 画像、1または複数の検出パラメータを決定するために用いられる画像内のエリア、および1または複数の検出パラメータが適用される画像内のエリアの一実施形態の平面図を示す概略図である。 本明細書で説明するコンピュータ実現方法のうちの1または複数を実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する非一時的コンピュータ読取可能媒体の一実施形態を示すブロック図である。 ウェハ上の欠陥を検出するように構成されたシステムの一実施形態の側面図を示す概略図である。
本発明は様々な変形例および代替形式を受け入れるが、それらの特定の実施形態は、図面に示す一例によって示され、本明細書で詳述される。しかし、図面およびそれらの詳細な説明は、開示された特定の形式に本発明を限定することは意図されておらず、対照的に、本願に付した特許請求の範囲によって定められた本発明の主旨および範囲から逸脱することなく全ての変形例、均等物、および代替例を包括することが意図される。
図面に関して、図は一定の縮尺で描かれていないことを留意されたい。具体的には、図上の要素のうちいくつかの縮尺は、それら要素の特徴を強調するために大幅に拡大されている。また、図は同じ縮尺で描かれていないことにも留意されたい。複数の図に見られる同様に構成されうる要素は、同一の参照番号を用いて示されている。
一実施形態は、ウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法に関する。方法は、ウェハ上のターゲットに関する情報を取得することを含む。ターゲットは、ウェハ上に形成された対象パターン(POI)、およびPOI内やその付近に生じる既知の対象欠陥(DOI)を含む。POIは、ウェハ上に形成された、または形成されるダイに関する全体の設計において、少数のパターンの特徴のみを含みうる。すなわち、ターゲット内に含まれるPOIは、ウェハ上に形成された、あるいは形成されるダイに関するパターン全体を含むのではない。
DOIのサンプルは、例えばウェハ上で実行されるeビーム検査や走査電子顕微鏡(SEM)レビューなどの特定の情報源から知ることができる。いくつかのそのような例において、ユーザは、ウェハ全体におけるその種の欠陥の数を知りたいと思うだろう。ターゲット情報(特定の文脈ではサンプルDOI)を所与とすると、本明細書で説明される実施形態は、全てのDOIを検出し、ウェハ全体におけるニューサンス欠陥を抑制するために用いられうる。更に、本明細書で説明される実施形態は、特定のパターンを含むターゲット候補のみにおいて欠陥を検出するように設計されるので、本明細書で説明される実施形態は、一般に、パターンと、ウェハ上にパターンを形成するために用いられるプロセスとの相互作用に起因して、ウェハ上の特定のパターンにおいて繰り返し生じる欠陥である、ウェハ上の組織的欠陥を検出するために特に有用である。従って、DOIは、例えばブリッジといったウェハ上に形成されたパターンにおける欠陥を含んでよい。
1つのそのような実施形態において、図1に示すように、パターン100は、ウェハ上に形成され、例えばeビーム検査システムや光検査システムなどの高解像度検査システムによって画像化されるように図1に示される。システムは、1つはターゲット箇所から、もう1つはPOI探査が実行されるダイまたはウェハからである、2つの画像を捕捉しうる。パターン100と同じものであるが欠陥が生じた状態であるパターン102に示されるように、例えばパターン化した特徴106とパターン化した特徴108との間のブリッジ欠陥であるDOI104がウェハ上のパターンの1または複数の例において検出されうるので、パターン100に示される特徴は、本明細書で説明されるターゲットに含まれうる。図1に示すパターンは、ウェハ上に実際に形成されうる任意のパターンを表すことは意図されていない。このパターンは、どのような種類の特徴がターゲットのPOIに含まれうるか、およびそこにどのような種類のDOIが生じうるかを示すことが意図される。POIに含まれる複数のパターン化した特徴は、ターゲット候補が、当該ウェハまたは既定の精度を有する他のウェハに関して取得された画像において特定されうるように選択されうる。POIのサイズも、本明細書で詳述されるように決定されうる。
ターゲットに関する情報は、ウェハ上のターゲットを画像化することによって取得されたウェハ上のPOIの画像、ウェハ上のPOIの位置、POIに関連する既知のDOIの位置、およびPOIおよび既知のDOIから計算された1または複数の特性を含む。更に、ターゲットに関する情報は、DOIが生じうる位置を含んでよく、その位置は、POIに知られており、かつPOI固有であってよい。ターゲットに関する情報は、セットアップ中に生成され、サンプル欠陥の試験画像および参照画像を用いて欠陥情報を計算することおよび欠陥が生じうる位置を特定することを含んでよい。
一実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することは、DOIサンプルの位置を取り込むことを含む。それらの位置の情報源は、検査結果およびSEMレビュー結果から得ることができる。それらの位置は、ターゲットの画像を捕捉するために用いられうる。一実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することは、DOI位置の高解像度画像を表示することを含む。画像は、例えばSEMレビュー機やeビーム検査機などの他のシステムによって生成される。更に、ターゲットに関する情報を取得することは、グラフィックユーザインタフェース(GUI)をユーザに提供することを含んでよい。GUIは、ターゲットに関して取得された情報のいずれかを表示してよい。
一実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することは、検査システムを用いて既知のDOIの位置においてウェハ上のターゲットの画像を捕捉することを含む。例えばセットアップ中、システムは、一方はダイ上のターゲット位置から、もう一方はPOI探査が実行されるダイからである、2セットの画像を捕捉する。ターゲット位置における画像のセットは、試験画像および参照画像を含む。システムは1つの画像を別の画像に合わせ、2つの画像の差分を計算する。ユーザは、試験画像または差分画像を参照することによってDOI位置およびPOI位置を手動でマークする。他方の画像のセットは、POI探査に関するダイ上の対応する位置における試験画像および参照画像を含む。システムは、2つの参照画像を相関付けることによってPOI探査に関するダイの画像におけるPOI位置を自動的に特定する。テンプレートであるPOIの画像は、ユーザがPOI位置を指定すると、POI探査に関するダイから捕捉されうる。情報を取得することは、テンプレート位置およびサイズを定義することも含んでよい。更に、情報を取得することは、欠陥検出のために1または複数のパラメータが決定されうるエリアを定義することも含んでよい。また、POIおよびDOIの特性も計算されうる。このターゲット情報は、後述するPOI探査のために保存される。別の実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することは、当該ウェハまたは本明細書で詳述されるようなターゲット候補の探査が実行される他のウェハ上の1つのダイにおける既知のDOIの全てについて画像を捕捉することを含む。これらのテンプレートの位置は、ターゲットの画像と、POI探査に関するダイから生成された画像とを相関付けることによって得ることができる。ターゲットには多くの種類がある。各種類について1つのテンプレートが捕捉されうる。
別の実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することは、ケアエリアのサイズ、形状、および位置、テンプレートのサイズ、形状、および位置、および、1または複数の検出パラメータが適用される画像(欠陥検出のために用いられる画像)における1または複数の特性が決定されるエリアを指定することを含む。これらのステップの各々は、本明細書で詳述するように実行されうる。
全てのテンプレートが、POI探査に関する同一のダイから捕捉されうる。ウェハ構成のバリエーションが比較的少ないことにより、ウェハパターンの画像強度は時に、ウェハ中で大幅に異なっている。この差分は色変化と称される。色変化は、ウェハ全体でのそれに比べてダイ内では大幅に小さい。POI探査に関する十分に高い品質を確保するために、全てのテンプレートは1つのダイから捕捉され、POI探査は、テンプレートが捕捉されたダイにおいて実行されうる。
一実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することは、テンプレートとターゲットの画像との類似性を決定すること、およびPOIに近接する他のパターンに対するPOIの一意性(すなわち、POIの周囲に対するPOIの一意性)を決定することを含む。例えば、テンプレートを捕捉中、ターゲットダイからの画像とPOI探査に関するダイからの画像との相関値が計算され、POI探査のために保存されうる。DOI位置を一意的に発見するためにテンプレートが選択される。テンプレートの一意性を測定するメトリックが計算されうる。例えば、画像内の全ての場所に関する相関値の中で2番目に高いピーク値と最も高いピーク値との比が、一意性メトリックとして用いられうる。ユーザは、一意性値に従ってテンプレート位置を調整することができる。
様々なターゲットが同じターゲット情報のいくつかを共有することができる。例えば、2つのDOIが、同じPOI内あるいは同じPOI付近に位置付けられうる。これら2つのDOIが生じうる位置はPOI位置に関連して定義され、POIを探査することによって特定することができる。別の例において、2つのDOIが、例えば極性などの同じ特性を有する。欠陥の極性は、そのバックグラウンドよりも明るいか暗いかのいずれかであるグレーレベルによって定義される。
方法はまた、DOIがPOI位置のいずれかの中または付近にあるかを判定するために、1つのダイから全てのPOI位置を探査することを含んでよい。これらのPOI位置に一致する潜在的なDOI位置は、ターゲット候補と称される。この方式では、方法は、ダイ上の全てのターゲット候補(すなわち潜在的なDOI位置)を探査することを含んでよい。これらの位置で同じパターンが生じるが、DOIは、これらの位置で生じることも生じないこともある。位置でDOIが検出された場合のみが、実際のターゲットとなるパターンおよび欠陥である。いくつかの実施形態において、方法は、ターゲットに関するテンプレートがダイの画像の異なる部分と相関するかを判定することによって、当該ウェハまたはPOIに関する他のウェハ上のダイの画像を探査することを含む。例えば、検査システムは、ダイ全体の画像を捕捉し、POI位置を探査するためにテンプレートと画像との(例えば正規化相互相関(NCC)などの)相関を実行するために用いられうる。相関閾値を超える位置がターゲット候補である。ユーザは、ターゲット候補を手動で改変するオプションを有する。一実施形態において、方法は、POIに関するテンプレートを作成すること、および、テンプレートのサイズを変更するか、テンプレートを反転、回転、または処理することによってテンプレートを修正することを含む。テンプレートの形状は正方形または長方形であってよく、サイズは、検査システムによって取得された画像よりも小さくなりうる。POI探査によって得られたPOI位置は保存され、欠陥検出中に用いられる。
半導体の設計が縮みを規定すると、特定のウェハ構成に関して欠陥を生じる可能性が高い。これらのウェハ構成が、例えばグラフィカルデータストリーム(GDS)データなどの設計データを用いて特定されると、その構成は一般に「ホットスポット」と称される。具体的には、「ホットスポット」は、どのウェハ構成が(仮説上)ウェハ上の欠陥の原因となりうるかを決定するために、GDSデータを用いて特定されうる。1つのダイに様々な種類のホットスポットがあり、同じ種類のホットスポットがダイ上の複数の箇所にプリントされうる。ホットスポットにおいて生じる欠陥は一般に組織的欠陥であり、通常、周辺ノイズよりも弱い信号を有するので、検出することが比較的困難である。
従って、本明細書で説明されるターゲットが、GDSデータにおいて欠陥の原因となりうるウェハ構成として特定されるものではないという点で、ホットスポットは本明細書で説明されるターゲットとは異なっている。その代わりターゲットは、ウェハ構成が形成された1または複数の実際のウェハを用いて特定される。例えば、eビーム検査やeビームレビューは、かなり局所的なエリア内でターゲットを発見するために用いられうる。eビーム検査およびeビームレビューのスループットは概して相当低いので、通常、ウェハ全体を検査するために用いることはできない。しかし、本明細書で説明する実施形態は、例えばeビーム検査によって発見されたようなターゲットの位置を所与として、ウェハ全体にいくつのターゲット候補が形成されたか、およびそれらのターゲット候補にいくつのDOIが見られるかを判定するために用いることができる。このようにすると、サンプル検出位置を所与として、方法は、この種類の欠陥がいくつウェハ上に存在するかを決定しうる。
従って本明細書で説明する実施形態は、GDSベースの検査を用いて欠陥を検出する方法とは大幅に異なる。例えばGDSベースの方法は、あらゆる種類の欠陥を見つけ出そうと試み、実行時スワスベースアライメントのための画像を生成するためにパッチデザインアライメントを実行する。一方、本明細書で説明する方法は、ウェハ全体における同一種類の欠陥全てを発見するためにサンプルDOIの画像を用いる。サンプルDOIは、SEMレビュー、eビーム検査、または別の検査や欠陥レビューの結果ファイルからもたらされうる。検査中、各POI位置は、テンプレートとウェハ画像とを相関付けることによって調整されうる。従って、2つの方法は、ホットスポットを用いる方法が生じうる欠陥全てを探査するのに対し、本明細書で説明する方法は特定の既知の欠陥のみを探査するという点で、同一ではない。
一実施形態において、POIは、当該ウェハ上に形成されたダイおよび他のウェハの幅および高さよりもそれぞれ短い幅および高さを有する。例えば図2は、複数のダイが形成され、かつ複数のダイの各々に複数のPOIが形成されたウェハを示す。詳しくは、ウェハ200は、特定のレイアウトのダイ202によるウェハ製造プロセス(例えば、リソグラフィ)中にプリントされうる。第1のPOI204は、ダイ上の第1の位置に存在しうる。例えば、第1のPOI204は、ダイの左上方の角に存在しうる。更に、図2に示すように、POI204は、ダイの幅よりも小さい幅およびダイの高さよりも小さい高さを有する。第2のPOI206は、第1のPOIの第1の位置とは異なるダイ上の第2の位置に存在する。更に、図2に示すように、POI204および206は互いに異なる寸法を有してよい。例えば、POI204および206は、異なるパターンにおいて検出された異なるDOIを含むので、2つのPOIは、異なるパターンに存在するDOIに基づいて決定された異なる寸法を有しうる。更に、図2に示すように、POI206は、ダイの幅よりも小さい幅およびダイの高さよりも小さい高さを有する。更に、POIは、部分的に重なることもある。
別の実施形態において、1または複数の特性は、既知のDOIの1または複数の特性を含む。例えば、欠陥情報は、サンプル欠陥の試験画像および参照画像を用いて決定されうる。詳しくは、参照画像は、差分画像を生成するために試験画像から引き出され、既知のDOIの1または複数の特性が差分画像から決定されうる。1つのそのような実施形態において、1または複数の特性は、既知のDOIのサイズ、形状、強度、コントラスト、または極性を含む。欠陥のサイズ、形状、コントラスト、および極性は、ターゲットに関する差分画像を用いて計算することができる。強度は、ターゲットの試験画像から計算することができる。
一実施形態において、ターゲットに含まれるパターンは、検査システムによって分解できることが望ましい。本明細書で説明する実施形態は、非パターンエリアにおいては作用せず、ランダムに分散した欠陥に関しても作用しない。
本明細書で説明する方法のセットアップは、既知の欠陥位置に基づいて実行されうる、例えば光学の選択などの他の任意の適切なステップを含んでもよい。いくつかの方法は、検査システムの複数の光学モードを用いていずれか1つのターゲットまたは1種類のターゲットを検査することを含んでもよい。光学モードは、検査システムに関する波長、開口部、ピクセルサイズ、焦点、光レベルなどのパラメータ設定である。そのような方法は、複数のモードについて1または複数のパラメータを選択することを含んでよい。このように、方法は、ターゲットベースの検査のために複数のモードをセットアップすることを含んでもよい。そのような方法は、異なるダイからDOIを選択するために欠陥信号に関する最適モードを用いること、および1つのダイからのターゲット情報を収集することを含んでよい。ターゲット情報を収集することは、第1のステップにおいて得られたダイ位置で欠陥画像を捕捉すること、および、POI探査のために最適な別のモードで対応するテンプレートを発見するためにモード間画像アライメントを実行することを含んでよい。方法はその後、探査モードを用いて1つのダイ上の全てのターゲット候補の位置を認識することを含んでよい。その位置はその後、それらの位置で捕捉された画像パッチに基づいて検分および修正されうる。検出方法はその後、欠陥信号のための最適モードによってセットアップされうる。ターゲット候補の検査は、本明細書で説明するように更に実行されうる。
方法はまた、当該ウェハ上で、あるいは他のウェハ上で、ターゲット候補を探査することも含む。ターゲット候補は、(例えば、ダイ全体における)POIの位置を含む。例えば、ターゲットとして同じ種類のパターンを有する多数の箇所が存在しうる。それらの箇所のいくつかで同じ種類の欠陥が生じうる。全ての欠陥を検出するために、それらの箇所は探査および報告される。本明細書で詳述するように、それらの箇所の周囲にミクロケアエリア(MCA)が定義されうる。「ケアエリア」は、欠陥検出が実行される連続した画像ピクセルのセットである。例えば、ターゲットの周囲の箇所のMCAサイズは、コンピュータグラフィックユーザインタフェース(GUI)を用いてユーザによって定義されうる。検査中、それらの箇所は、あらゆるDOI活動に関して検査される。これらの箇所を探査するために、システムは、ダイ上の各ピクセルを訪れ、ダイ上のピクセル周囲のパターンとテンプレートとの類似性に関する値を計算しうる。類似性値が、テンプレート捕捉時に定義された閾値よりも大きい場合、ピクセルの位置がPOI位置としてマークされる。ターゲット候補の位置は、POIからの位置オフセットをターゲット候補の位置に足すことによって計算することができる。潜在的DOI位置およびPOI位置の画像が捕捉され、ユーザに表示される。ユーザは、POIおよび潜在的DOIの位置とそれらの類似性値とを検分することによってターゲット候補を精査することができる。POI位置は欠陥検出のために保存される。ターゲット情報およびターゲット候補の位置は、欠陥検出のために提供されうる。
一実施形態において、ターゲット候補を探査することは、ターゲット候補の画像とPOIに関する画像またはテンプレートとの画像マッチングのために最適な光学モードを用いて、ターゲット候補に関する画像を取得することを含む。例えば、POI探査は、画像マッチングのために最適な光学モードで取得された画像を用いて実行されうる。本明細書で詳述するようなターゲット情報の取得および欠陥検出は、様々な光学モードによって取得された画像を用いて実行されうる。例えば一実施形態において、ウェハ上のターゲットの画像化は、第1の光学モードを用いて実行され、ターゲット候補における既知のDOIを検出するために用いられるターゲット候補の画像は、第1の光学モードとは異なる第2の光学モードを用いて取得される。2つの光学モード間でモード間画像アライメントが実行されうる。
一実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することおよびターゲット候補を探すことは、1つの検査システム(すなわち、同一の検査システム)を用いて実行される。更に、ターゲット情報を取得することおよびターゲット候補を探すことは、欠陥検出の前に、セットアップ段階で検査システムを用いて実行されうる。例えば、同一の検査システムが、テンプレートの捕捉およびPOI探査のために用いられるべきである。あるいは、ターゲットに関する情報を取得することおよびターゲット候補を探すことは、同じ種類の異なる検査システムを用いて実行される。別の実施形態において、ターゲットに関する情報を取得することおよびターゲット候補を探すことは異なるダイにおいて実行され、ターゲット候補を探すことは、ターゲット候補に関する1または複数のテンプレートを用いて1つのダイにおいて実行される。
一実施形態において、ターゲット候補は、例えばGDSベースのパターン探査などの他の情報源から得ることができる。これらの場合、ターゲットベースの検査は、テンプレートを捕捉することおよびターゲット情報を計算することしか必要としない。画像ベースのPOI探査は省略してよい。各ターゲット候補についてMCAが作成される。検査中、POI位置は、検査のために生成された画像とテンプレートとを相関付けることによって探査されうる。MCA位置は、POI探査結果を用いて補正されうる。MCA内でコンピュータシステムによって欠陥検出が実行されうる。
一実施形態において、方法は、ターゲットベースの検査のためにケアエリアの1または複数のパラメータを決定することを含む。例えば、各種類の欠陥について、POI位置に基づいて欠陥位置の周囲に1つの種類のMCAが生じうる。図2a〜2dは、ウェハ上のパターン、パターン内のPOI、POI内および/またはPOI付近に存在する1または複数のDOI、およびDOIの各々について生じうる1または複数のMCAの間の様々な関連性を示す。例えば、図2aに示すように、パターン212にPOI210が存在しうる。図2aおよび2c〜2dに示すPOI210の画像は、POIに関するテンプレートにおいて見られうるようなPOIである。図2aに示すように、DOI214は、POI210の付近に存在しうるが、必ずしもPOI210の中ではない。MCA216は、DOIの位置を中心としてその周囲に位置付けられうる。同様に、図2bに示すように、パターン220にPOI218が存在しうる。図2bに示すPOI218の画像は、POIに関するテンプレートにおいて見られうるようなPOIである。DOI222は、POI218内に存在しうる。MCA224は、DOIの位置を中心としてその周囲に位置付けられうる。1つのPOIが、複数のDOIに関連しうる。例えば図2cに示すように、DOI226はPOI210内に存在しうるが、DOI228は、POI210の付近に存在するが必ずしもPOI210内になくてもよい。MCA230は、DOI226の位置を中心としてその周囲に位置付けられ、MCA232は、DOI228の位置を中心としてその周囲に位置付けられうる。このようにMCAの各々は、DOIのうちの1つのみに関連しうる。しかしMCAは、複数のDOIに関連することがある。例えば図2dに示すように、MCA234は、DOI226および228の両方に関して生じうる。POIおよびMCAの形状は、正方形や長方形に限定されない。図2a〜2dに示すパターンは、ウェハ上に実際に形成されうる任意のパターンを表すことを意図されていない。
一実施形態において、方法は、POIに関するテンプレート画像と、DOIを検出するために用いられる画像とを相関付けることによって、ケアエリアの位置を決定することを含む。例えば、POI探査および欠陥検出は、2つの異なるウェハスキャンであってよい。POI探査中に生じるMCAは、検査プロセス中、欠陥のおおよその位置としてしか役立たない。正確な欠陥位置は、欠陥検出のために用いられる画像とテンプレートとを相関付けることによって特定することができる。すなわち、MCAは、潜在的な欠陥位置と正確に合わさるものではない。よって、欠陥検出中、MCAの位置を精査するために、テンプレートが画像と相関付けられうる。そのような実施形態は、ウェハステージの不確定性を補正することも含んでよい。その後、本明細書で詳述するように、それらのMCAにおいて欠陥検出を実行することができる。このように、ターゲットベースの検査は、ターゲット候補に関するケアエリア内の画像ピクセルを用いることのみを含んでよく、ゆえに、ウェハ上の非ターゲット候補に関する画像ピクセルは用いられず、非ターゲット候補について検査は実行されない。従って、本明細書で説明する実施形態は、ウェハ全体、または通常ウェハ上の寸法全体に及ぶウェハ上のスワス全体に関する画像ピクセルを用いることを一般的に含む多くの検査方法とは異なりうる。現在用いられているそのような方法は、例えばウェハ上のあらゆる位置に存在しうる全ての欠陥を検出する際などの多数の使用事例については有利である。しかし、これらの方法は、ウェハノイズが大幅に高く、かつDOI信号が比較的弱い場合、いずれのDOIも発見することができないだろう。本明細書で説明する実施形態は、ウェハ上の特定のターゲット候補のみに存在する特定のDOIのみに関して実行されるので、この実施形態は、他のエリア内のニューサンス欠陥をほぼ抑制しつつ、十分に高いスループットで、比較的低い信号対ノイズ比を有するDOIを検出することができる。更に、特定のDOIに関して1つの位置しかない場合、POI探査(セットアップ段階)は省くことができる。
ターゲットに関するケアエリアの1または複数のパラメータを決定することへの追加または代替として、セットアップ中、方法は、ウェハ上のターゲット候補の潜在位置を特定することを含んでよい。例えば、ウェハ上に形成されるダイにおけるターゲットの位置およびウェハ上のダイのレイアウトに関する情報が、ウェハ上のターゲット候補の潜在位置、およびそれに伴うウェハ上のDOIの潜在位置を特定するために用いられうる。
方法は更に、ターゲット候補の画像における潜在DOI位置を特定すること、および潜在DOI位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって、ターゲット候補における既知のDOIを検出することを含む。潜在DOI位置は、POIの位置に近接しうる。POIは、0以上のDOI位置を含んでよく、POIは部分的に重なりうる。このように、方法は、ウェハ全体におけるターゲット候補の位置で他のターゲットを検出することを含んでよい。
DOIを検出することは、ターゲット候補の正確な位置を特定すること、および欠陥情報に基づいてその位置に既知のDOIが存在するかを確かめることを含んでよい。具体的には、検査中、テンプレートおよびセットアップ中に生成された欠陥情報が、例えば本明細書に詳述するようなコンピュータシステムに送信されうる。例えば一実施形態において、検出ステップは、潜在DOI位置を正確に特定するために、本明細書で説明するコンピュータシステムのような欠陥検出モジュールへターゲットに関する情報を提供することを含む。このように、ターゲット候補の正確な位置を識別するためにテンプレートが用いられうる。例えば一実施形態において、検出ステップは、セットアップ中に取得されたテンプレートと、欠陥検査中に取得されたターゲット候補の画像とを相関付けることによって、ターゲット候補の画像における潜在DOI位置を特定することを含む。
このように、テンプレートは、例えばNCCなどの任意の適切な相関を用いて範囲内のターゲット候補について取得された画像と相関付けられうる。この範囲は、ウェハステージの不確定性および検査ピクセルサイズに従って決定される。一般的な値は20ピクセルである。最大NCC値に対応するピクセルの位置が、POI位置として選択される。ターゲット候補の位置は、POI位置に対する欠陥位置に基づいて計算することができる。このように、検査中、本明細書で説明する実施形態は、画像マッチングを用いて概ね正確なターゲット候補の位置を識別する。
1つの画像に同一ターゲットの複数のPOI位置が見られる場合、1つの位置についてPOI探査が実行され、おおよそのMCA位置から正しいMCA位置へのオフセットが計算される。このオフセットは、この画像における他のおおよそのMCA位置にも適用される。全てのPOI位置を探査することは必要ではない。
MCAは、潜在DOI位置のうちの1または複数をカバーするように生じうる。例えば、ターゲット候補の位置は概ね正確であるので、本明細書に詳述するように、その位置の周囲にMCAを定義することができる。MCAのサイズは、例えば5ピクセル四方であってよい。更に、本明細書で説明する実施形態は欠陥特定情報を用いるので、DOI検出およびニューサンスの抑制は更に効果的である。
本明細書で説明する実施形態は、全ての潜在欠陥位置を概ね正確に特定するためにターゲットベースアライメントを実行するので、本明細書で説明する実施形態は、設計ベースの方法において用いられうるスワスアライメントベースのアプローチよりも有利である。スワスは、ダイの行全体をカバーする時間遅延積分(TDI)センサによって生成される生の画像である。スワスベースアライメントは、ケアエリアとスワスとを相関付ける。スワスベースアライメントは、検査データの比較的小さいパーセンテージに関して失敗しうる。そのようなミスアライメントが起こると、スワス全体が検査されないか、あるいはミスアラインされた検査データによって大量のニューサンス欠陥が検出および報告されることになる。しかし、本明細書で説明する実施形態は、本明細書で説明するターゲットベースの相関が局所的に実行されるという理由から、そのようなアライメント問題を免れる。
ターゲット候補に関する画像に1または複数の検出パラメータを適用することは、任意の適切な方法で実行されうる。例えば、いくつかの実施形態において、1または複数の検出パラメータを適用することは、潜在DOI位置の画像および参照画像を用いて差分画像を生成すること、ノイズ測定値および閾値を計算すること、および差分画像内の信号に閾値を当てはめることを含む。別の実施形態において、方法は、潜在DOI位置に近接している差分画像の1または複数の特性を決定すること、および、差分画像の1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを含む1または複数の検出パラメータを適用することを含む。参照画像は例えば、DOIが検出されなかったダイにおける潜在DOI位置の画像、複数のダイの中央値画像、またはセットアップ時に取得されたテンプレートであってよい。例えば一実施形態において、1または複数の検出パラメータが適用される潜在DOI位置の画像は、参照画像および試験画像を用いて生成された画像を含み、参照画像は、POIに関するテンプレートである。このように、参照画像は検査中に取得された画像でなくてもよい。すなわち参照画像は、検査中に取得された画像に限定されない。別の例において、非欠陥ターゲット候補の位置がウェハ上で特定され、検査システムを用いてウェハ上のその位置で画像が取得されうる。この画像は、差分画像を生成するために、別のターゲット候補の位置で取得された画像から差し引かれ、本明細書で説明するような閾値が差分画像に適用されうる。閾値を上回る差分画像内の全ての信号は、欠陥や潜在欠陥として認識されうる。既知のDOIの検出は、本明細書で詳述するように構成されうるコンピュータシステムを用いて実行される。
参照画像としてテンプレートを用いる方法は、特定の状況下で有利である。例えば、組織的欠陥の数が著しく多い場合、ウェハ上のダイの過半数に欠陥がある。従って、複数ダイ画像の中央値が欠陥を有する可能性が著しく高い。従って、中央値画像は参照画像として用いることができない。参照画像は、セットアップ時に決定され、欠陥がないことを確認される。従って、それが検査中に用いられうる。
いくつかの実施形態において、方法は、ターゲットに関する情報に基づいて1または複数の検出パラメータを決定することを含む。例えば、1または複数の検出パラメータ(または欠陥検出アルゴリズム)はノイズ適応型であってよい。すなわち、ターゲットに関して取得された画像におけるノイズが比較的高い場合、検査感度が比較的低く設定されうる。そうでない場合、検査感度は比較的高く設定されうる。検査感度は、ターゲット候補に関する差分画像に適用される比較的高い閾値を選択することによって比較的低く設定されうる。対照的に、ターゲット候補に関する差分画像に適用される比較的低い閾値を選択することによって、検査感度は比較的高く設定されうる。更に、別の実施形態において、方法は、各ターゲットの種類に関する画像にそれぞれ基づいて、各ターゲットの種類について個々に1または複数の検出パラメータを決定することを含む。このように、方法は様々な種類のターゲットについて用いることができるので、様々な種類のターゲット候補における欠陥を検出するために様々な閾値が用いられうる。例えば、第1の閾値は、第1の種類のターゲット候補における第1の既知のDOIを検出するために用いられ、第2の異なる閾値は、第2の異なる種類のターゲット候補における第2の異なる既知のDOIを検出するために用いられうる。
同じターゲットの種類を有する各ターゲット候補における欠陥を検出するために、同一の1または複数の検出パラメータが用いられうる。しかし別の実施形態において、方法は、それぞれターゲット候補の画像に基づいて既知のDOIの検出が実行されるターゲット候補の各々について1または複数の検出パラメータを個々に決定することを含む。このように、検出パラメータは、ターゲット候補ごとに決定されうる。例えば、潜在ターゲット候補や潜在DOI位置が特定されると、局所的エリアにおける差分画像の標準偏差が決定されうる。その後閾値が以下のように決定されうる。閾値=平均値+G+K*標準偏差Of(局所的エリア内の差分)。式中、平均値は局所的エリア内の差分画像の平均値であり、GおよびKはユーザが定めたパラメータである。GおよびKは符号付きの値である。しかし、各ターゲット候補のための閾値は、他の任意の適切な方法で決定されてもよい。
DOI情報は、既知のDOIが潜在DOI位置に存在するかを判定するためにも用いられうる。例えば、追加の実施形態において、1または複数の特性は、例えば上述したような既知のDOIの1または複数の特性を含み、1または複数の検出パラメータを適用することは、潜在DOI位置の画像から決定された1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを含む。1つのそのような例において、例えば極性などの既知のDOIの特性がDOI同士で一貫している場合、DOIの検出は、特性の値を閾値処理することを含んでよい。そのような極性ベースの閾値処理は、ターゲット候補に関して上述したように生成された差分画像やテンプレートを相関付けるターゲット候補に関して取得された画像に適用することができる。欠陥特性の閾値処理は、本明細書で説明する他の閾値処理(例えば、差分画像内の信号の閾値処理)と併用されうる。このように例えば極性および欠陥サイズなどの欠陥特性を用いることは、ニューサンス欠陥の検出を抑制するために役立ちうる。
更なる実施形態において、1または複数の検出パラメータが適用される潜在DOI位置の画像は、潜在DOI位置を取り巻くケアエリアの画像であり、ケアエリアは、POI内やPOI付近で発生する既知のDOIのサイズに基づいて決定される。例えば、概ねターゲット候補の位置で取得される画像のサイズは、画像が実際にターゲット候補に関して取得されたことが確実であるように比較的大きくなりうる。1つのそのような例において、図3に示すエリア300は、ターゲット候補で取得された画像のサイズに概ね等しい。更に、エリア300は、ターゲット候補に関して生成された差分画像のサイズであってよい。その後、この画像内でのターゲット候補の位置が、上述したように相関を用いて決定されうる。ターゲット候補よりも大きいことが分かっているエリアは、その後、上述したようにターゲット候補ごとに閾値を決定するために用いられうる。例えば図3に示すように、エリア300内のエリア302は、ターゲット候補に関する閾値を決定するために用いられうる。その後閾値は、既知のDOIのエリアよりもわずかに大きいエリアに適用されうる。例えば図3に示すように、エリア302内のエリア304は閾値が適用されるエリアであり、エリア304は、既知のDOIのエリアよりもわずかに大きい。1つのそのような例において、閾値を決定するために用いられる画像の一部は約64ピクセル四方であるのに対し、決定された閾値が適用されるエリアは、既知のDOIのサイズに依存して、約5ピクセル四方であってよい。閾値が適用される差分画像のサイズを小さくすることにより、画像内のノイズが潜在DOIとして誤認識される可能性が低くなる。更に、そのような十分に小さいエリアを閾値が適用されるケアエリアとして用いることにより、強いニューサンス欠陥を検出せずに非常に低い閾値を用いることができる。この理由により、この実施形態において用いるケアエリアは、ミクロケアエリアすなわちMCAと称される。一方、十分に感度の高い検査のために比較的低い閾値を用いる、現在用いられる多くの検査方法は、後にDOIから切り離さなければならない大量のニューサンス欠陥を検出する。
一実施形態において、方法は、ターゲットの1または複数の特性を選択すること、1または複数の検出パラメータを選択すること、およびターゲット候補において既知のDOI以外の欠陥が検出されない(例えば、既知のDOIが生じやすい箇所のみが検査される)ようにケアエリアの1または複数のパラメータを決定することを含む。例えば、ケアエリアは、既知のDOIに関するエリアのみを含むように、かつ既知のDOIを含まずニューサンス欠陥を含んでいるだけのエリアを実質的に除外するように低減されうる。具体的には、ケアエリアは、既知のDOIが生じうる箇所の周囲に定めてよい。従って、ケアエリアの外側のノイズは完全に無視してよい。更に、ターゲット候補のほぼ正確な位置を識別するためにテンプレートやターゲットの画像を用いることができるので、ケアエリアはかなり小さくすることができる。他の方法は、ターゲット候補の位置をほぼ正確に特定するメカニズムを有さないので、本明細書で説明する実施形態において用いられるケアエリアは、現在用いられている他のケアエリアよりも大幅に小さくなってもよい。更に正確なターゲット候補の位置を決定することができれば、より小さいケアエリアを用いることができ、ニューサンス欠陥が検出されることが減る。更に、本明細書で説明する実施形態は、設計データに基づくケアエリアの位置を精査することによって組織的欠陥を検出することができる。
本明細書において、実施形態は、ターゲット候補を探査することおよびターゲット候補内で既知のDOIを検出することに関して説明されるが、本明細書で説明する実施形態は、複数の種類のターゲット候補を探査し、複数の種類のターゲット候補内でDOIを検出するために用いてよいことを理解すべきである。例えば、ウェハ上に複数の種類のブリッジ欠陥が存在することがあり、あるいは同じ種類のブリッジが異なるウェハ構成に生じることがある。これらのブリッジは、異なる種類のターゲットとして扱うことができる。本明細書で説明する実施形態は、これらの種類のターゲットに関する情報を用いて、ターゲット候補の他の任意の事例に関してダイ全体を探査することを含んでよい。これらのターゲット候補の周囲にMCAが定められ、それらの位置が検査中に精査される。欠陥検出は、ターゲット候補の各事例について実行されうる。このように、本明細書で説明する実施形態は、ウェハ全体にわたってターゲット候補を検査するために用いられうる。
一実施形態において、当該ウェハまたは他のウェハに関する設計データを用いて実行される方法のステップは存在しない。すなわち、当該ウェハまたは他のウェハに関する設計データは、方法のどのステップにも必要ない。従って、本明細書で説明する実施形態は、設計データを必要としないという点で有利である。その代わり、GDS情報以外の検査画像が用いられる。そのため、GDSを利用できるかは問題にならない。一方、ホットスポットを用いる方法は、実行するために設計データを必要とする。そのような方法は時に、設計の知識を有する誰か(例えば、顧客)からの助けも必要とする。しかし、本明細書で説明する実施形態は、あらゆる設計データや、検査を実行することができるユーザを誰も必要とせず、これは、特に全ての事例において設計データが利用可能ではないという理由から、大いに有利である。
一実施形態において、方法の各ステップは個々に、当該ウェハまたは他のウェハに関する設計データを用いることがある。例えば、本明細書で説明する実施形態は、設計データから提供される情報を用いて働くことができる。例えば設計技術者は、ブリッジ欠陥が生じやすいウェハ構成を指示し、その箇所を監視したいと思う。ターゲット情報が生成され、ターゲットと同じパターンを有する全てのターゲット候補を見つけるためにダイにおいて探査が実行されうる。このウェハまたは他のウェハ上で他のターゲットを見つけるために、これらのターゲット候補において欠陥検出が実行されうる。別の実施形態において、ダイ上の全てのターゲット候補を見つけるために、設計ベースのパターン探査を実行することができる。本明細書で説明する実施形態は、ターゲット情報を生成し、画像ベースの探査を省き、それらのターゲット候補における欠陥検出を実行することができる。
本明細書で説明する実施形態は、設計ベースの検査として実行されてもよい。例えば、全てのターゲット候補の位置が、ホットスポット箇所として用いられうる。設計ベースの検査は、ホットスポットの周囲に比較的小さいケアエリアを生成し、ケアエリアの位置を精査するためにパッチデザインアライメントを実行する。その後、ホットスポットにおいて欠陥検出が実行される。
別の実施形態において、ターゲット候補の画像内の、既知のDOIに対応する信号は、ウェハ上のニューサンス欠陥に対応する信号と概ね等しいか、またはそれより弱い。例えば、通常の検査は、ダイのエリアのほとんどをカバーする検査ケアエリア内で欠陥検出を実行することを含んでよい。DOIに関する信号が誤った(ニューサンス)欠陥よりも大幅に弱い場合、強力な誤った欠陥が既存のアプローチによって検出されうる。例えば、比較的弱い信号を有する欠陥を検出するために、多数のニューサンス欠陥も検出する非常に感度の高い検査が実行されうる。ニューサンスの数は、検出された事象の総数の99%以上にもなりうる。そのような大量のニューサンス欠陥の中からDOIを見つけることは非常に困難である。例えば、特徴ベクトルおよび欠陥属性が画像から各欠陥について計算され、欠陥の分類に用いられる。しかし、DOIおよびニューサンス欠陥という2つの事象は特徴ベクトルおよび属性空間において同一エリアを占めることがあるので、時に、DOIをニューサンス欠陥から区別することができないことがある。従って、この問題を解決するために更なる情報を用いなければならない。更に、感度の低い検査が用いられる場合、ニューサンスの比率は著しく下がるが、DOIも見失われる(すなわち、検出されない)ことがある。
一方、本明細書で説明する実施形態は、大量のニューサンス欠陥を抑制する。例えば本明細書で説明する実施形態は、特定のDOIを目標とする、欠陥検出に非常に適した情報を用いる。ニューサンス事象が検出された後、分類アプローチがニューサンス欠陥を除去する。本明細書で説明する実施形態は、ニューサンス事象が検出されることを防ごうと試みる。更に具体的には、本明細書で説明する実施形態は、既知のDOIが現れやすいエリア(すなわち、ターゲット候補)内でウェハを検査することによってニューサンス欠陥の数を制御しつつ、感度の高い検査を実行することを可能にする。すなわち、本明細書で説明するような概ね正確な欠陥位置情報を用いることが、ニューサンスの抑制に大いに貢献する。このように、本明細書で説明する実施形態は、反復構成における比較的弱い信号を有する既知のDOIに関して、著しいニューサンス欠陥の抑制を達成することができる。従って本明細書で説明する実施形態は、DOIを検出し、ニューサンス欠陥をより正確に抑制することができる。
本明細書で説明する実施形態は、ウェハを検査するために用いられうる他の任意の検査と相補的であってよい。例えば、別の実施形態において、方法は、当該ウェハや他のウェハに関する他の画像を取得すること、および当該ウェハや他のウェハ上の他の欠陥を検出するために他の画像を用いることを含む。1つのそのような例において、他のエリアについて、通常の検査がセットアップされ、ランダムに散在する欠陥を検出するために通常通り実行してよく、本明細書で説明する実施形態は、比較的弱い信号を有する組織的欠陥を検出するために実行してよい。更に、本明細書で説明するような既知のDOIの検出と通常の検査とが1つの試験で実行されうることによって、著しいスループットの利点を提供する。例えば、本明細書で説明する実施形態は、比較的弱い信号を有する既知のDOIを検出するために用いられ、任意の一般的な検査アプローチと同時に実行することができる。
本明細書で説明する実施形態は、特定のニューサンス欠陥を除去するためにも用いられうる。例えば、本明細書で説明する実施形態は、本明細書で説明するように実行されうるが、既知のDOIのために実行されるのではなく、既知の組織的なニューサンス欠陥のために実行することができる。既知のニューサンス欠陥が除去ターゲットとして定義されうる。本明細書で説明する実施形態は、ダイ上の除去ターゲット候補を探査することができ、除去ターゲット候補での欠陥検出を実行しない。従って、この種類のニューサンス欠陥は検出されないことになる。
上述した方法の実施形態の各々は、本明細書で説明されたもの以外の任意の方法の任意のステップを含んでよい。更に、上述した方法の実施形態の各々は、本明細書で説明されるシステムのいずれかによって実行されうる。
本明細書で説明する方法の全ては、方法実施形態の1または複数のステップの結果を非一時的コンピュータ読取可能記憶媒体に記憶することを含んでよい。結果は、本明細書で説明する結果のいずれかを含んでよく、当該技術において知られている任意の方法で記憶されうる。記憶媒体は、本明細書で説明される任意の記憶媒体または当該技術において知られている他の任意の適切な記憶媒体を含んでよい。結果が記憶された後、結果は、記憶媒体内でアクセスされ、本明細書で説明する方法またはシステムの実施形態のいずれかによって用いられたり、ユーザに表示するためにフォーマットされたり、別のソフトウェアモジュール、方法、またはシステムによって用いられたり等のことができる。例えば、方法が欠陥を検出した後、方法は、検出された欠陥に関する情報を記憶媒体に記憶することを含んでよい。
追加の実施形態は、ウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法を実行するためにコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する非一時的コンピュータ読取可能媒体に関する。1つのそのような実施形態が図4に示される。具体的には、図4に示すように、非一時的コンピュータ読取可能媒体400は、コンピュータシステム404で実行可能なプログラム命令402を含む。コンピュータ実現方法は、上述した方法のステップを含む。プログラム命令が実行可能なコンピュータ実現方法は、本明細書で説明される他の任意のステップを含んでよい。
例えば本明細書で説明する方法などの方法を実行するプログラム命令402は、コンピュータ読取可能媒体400に記憶されうる。コンピュータ読取可能媒体は、例えば磁気ディスクや光学ディスク、磁気テープ、または当該技術において知られている他の任意の適切な非一時的コンピュータ読取可能媒体などの記憶媒体であってよい。
プログラム命令は、とりわけ手順ベースの技術、構成要素ベースの技術、および/またはオブジェクト指向の技術を含む、様々な方法のいずれかにおいて実行されうる。例えばプログラム命令は、要望に応じて、アクティブXコントロール、C++オブジェクト、ジャバビーンズ、マイクロソフト・ファウンデーション・クラス(MFC)、または他の技術や方法を用いて実行されうる。
コンピュータシステムは、パーソナルコンピュータシステム、イメージコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワーク家電、インターネット家電、または他の装置を含む様々な形式をとってよい。一般に、「コンピュータシステム」という用語は、メモリ媒体からの命令を実行する1または複数のプロセッサを有するあらゆる装置を包括するように広く定義されうる。コンピュータシステムは、例えば並列プロセッサなどの当該技術において知られている任意の適切なプロセッサを含んでもよい。更に、コンピュータシステムは、スタンドアロンツールまたはネットワークツールのいずれかとしてソフトウェアおよび高速処理型コンピュータプラットフォームを含んでよい。
別の実施形態は、ウェハ上の欠陥を検出するように構成されたシステムに関する。そのようなシステムの一実施形態が図5に示される。システムは、ウェハ上のターゲットに関する情報を取得するように構成された検査サブシステムを含む。検査サブシステムは、例えばeビーム検査などの任意の適切な検査サブシステムを含んでよい。適切なeビーム検査サブシステムの例は、ケーエルエー−テンカー社、ミルピタス、カリフォルニアによるeSxxxツールなどの市販のeビーム検査ツールに含まれるサブシステムを含む。あるいは検査サブシステムは、本明細書で説明するような構成を有しうる光検査サブシステムを含んでよい。
ターゲットは、ウェハ上に形成されたPOI、およびPOI内やPOI付近に生じる既知のDOIを含む。ターゲットは、本明細書で説明するように更に設定されうる。情報は、ウェハ上のターゲットを画像化することによって取得される、ウェハ上のターゲットの画像を含む。ターゲットの画像は、任意の適切なデータ、画像データ、信号、または画像信号を含んでよい。検査サブシステムは、任意の適切な方法でウェハ上のターゲットを画像化してよい。ターゲットに関する情報は、本明細書で説明する他の任意のターゲット情報を含んでよい。
検査サブシステムは、当該ウェハや別のウェハ上のターゲット候補を探査するようにも構成される。ターゲット候補はPOIを含む。ターゲット候補は、本明細書で説明するように設定されうる。図5に示すように、検査サブシステムは、光源502を含む。光源502は、例えばレーザなどの、当該技術において知られている任意の適切な光源を含んでよい。光源502は、光源502から屈折光学素子506へ光を反射するように構成されたビームスプリッタ504へ光を向けるように構成される。屈折光学素子506は、ビームスプリッタ504からウェハ508へ光を集束するように構成される。ビームスプリッタ504は、例えば50/50ビームスプリッタなどの任意の適切なビームスプリッタを含んでよい。屈折光学素子506は、任意の適切な屈折光学素子を含んでよく、図5では屈折光学素子506は単一の屈折光学素子として示されるが、1または複数の屈折光学素子および/または1又は複数の反射光学素子を代わりに用いてもよい。
光源502、ビームスプリッタ504、および屈折光学素子506は、このように検査サブシステムのための照明サブシステムを形成してよい。照明サブシステムは、例えば1または複数の偏光素子および例えば分光フィルタなどの1又は複数のフィルタなど他の任意の適切な構成要素(図5には不図示)を含んでよい。図5に示すように、光源、ビームスプリッタ、および屈折光学素子は、標準的または概ね標準的な入射角で光がウェハに向けられるように構成される。しかし、光は、他の任意の適切な入射角でウェハに向けられてよい。検査サブシステムは、任意の適切な方法で、ウェハ上で光をスキャンするように構成されうる。
ウェハ508から反射した光は、屈折光学素子506によって集光され、ビームスプリッタ504を通じて検出器510に向けられうる。このように、屈折光学素子、ビームスプリッタ、および検出器は、検査サブシステムの検出サブシステムを形成しうる。検出器は、例えば電荷結合素子(CCD)などの、当該技術において知られている任意の適切な画像化検出器を含んでよい。検出サブシステムは、例えば1または複数の偏光素子、1または複数の空間フィルタ、1または複数の分光フィルタなどのような1または複数の追加の構成要素(図5には不図示)を含んでもよい。検出器510は、検出器によって検出された反射光に反応する画像を生成するように構成される。
システムはまた、ターゲット候補の画像における潜在DOI位置を特定し、潜在DOI位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって、ターゲット候補内の既知のDOIを検出するように構成されるコンピュータシステム512を含む。コンピュータシステムは、本明細書で詳述するように、位置を特定し、1または複数の検出パラメータを適用してよい。更にコンピュータシステムは、本明細書で説明する他の任意のステップを実行するように構成されうる。検出器によって生成された画像は、コンピュータシステム512へ提供されうる。例えばコンピュータシステムは、検出器によって生成された画像をコンピュータシステムが受信できるように、(例えば、当該技術において知られている任意の適切な送信媒体を含みうる、図5に点線で示す1または複数の送信媒体によって)検出器に接続されうる。コンピュータシステムは、任意の適切な方法で検出器に接続されうる。コンピュータシステムは、本明細書で説明するように更に構成されうる。検査サブシステムもまた、本明細書で説明するように更に構成されうる。更に、システムも、本明細書で説明するように更に構成されうる。
図5は、本明細書において、本明細書で説明するシステム実施形態に含まれうる検査サブシステムの1つの構成を大まかに示すために提供されることを留意されたい。本明細書で説明する検査サブシステムの構成は、業務用検査システムを設計する際に通常実行されるような検査システムの性能を最適化するために改変してよいことが明らかである。更に、本明細書で説明するシステムは、ケーエルエー−テンカー社により市販されている例えば28XX、29XX、およびプーマ9XXXシリーズのツールなどの既存の検査システムを用いて(例えば、本明細書で説明する機能を既存の検査システムに付加することによって)実現されうる。いくつかのそのようなシステムの場合、本明細書で説明する方法は、システムの任意選択的な機能として(例えば、システムの他の機能に追加して)提供されうる。あるいは、本明細書で説明するシステムは、完全に新しいシステムを提供するために「ゼロから」設計されうる。
検査サブシステムは明視野(BF)検査サブシステムとして上述されたが、検査サブシステムは、暗視野(DF)検査サブシステム(すなわち、散乱光を用いて欠陥を検出するように構成された検査サブシステム)としても構成されうることを理解すべきである。
本発明の様々な態様の更なる改良および代わりとなる実施形態が、本説明の観点から当業者には明らかとなるだろう。例えば、ウェハ上の欠陥を検出するための方法およびシステムが提供される。従って、本説明は、単に説明を目的としており、当業者に本発明を実行する大まかな方法を教示する目的のものとして解釈されるべきである。本明細書で示し説明する本発明の形式は、目下のところ好適な実施形態としてみなさなければならないことを理解すべきである。要素および材料を本明細書で示され説明されたそれらと置き換え、部品およびプロセスを逆にし、本発明の特定の特徴を単独で用いることができ、それら全ては、本発明の説明の利益を有することにより当業者に明らかとなるであろう。以下の特許請求の範囲に示すような本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、本明細書で説明する要素を変更することができる。

Claims (68)

  1. ウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法であって、
    ウェハ上のターゲットに関する情報を取得することであり、前記ターゲットは、前記ウェハ上に形成された対象パターンおよび前記対象パターンの位置に対して一意的である既知の位置にある既知の対象欠陥を備え、前記情報は、前記ウェハ上の前記ターゲットを画像化することによって取得される前記ウェハ上の前記ターゲットの画像、前記ウェハにおける前記対象パターンの前記位置、前記対象パターンに対する前記既知の対象欠陥の前記位置、ならびに前記対象パターンおよび前記既知の対象欠陥から計算される1または複数の特性を備える、取得することと、
    前記対象パターンを備える、前記ウェハまたは別のウェハ上のターゲット候補を探査することと、
    前記ターゲット候補の画像における潜在的な対象欠陥位置を特定すること、および前記潜在的な対象欠陥位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって前記ターゲット候補内の前記既知の対象欠陥を検出することであって、前記検出はコンピュータシステムを用いて実行される、特定することと、
    を備える、コンピュータ実現方法。
  2. 前記取得すること、前記探査すること、および前記特定することは、前記ウェハまたは前記別のウェハを用いては行われない、請求項1記載の方法。
  3. 前記取得すること、前記探査すること、および前記特定することの個々に、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いる、請求項1記載の方法。
  4. 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、対象欠陥サンプルの位置を取り込むことを備える、請求項1記載の方法。
  5. 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、検査システムを用いて対象欠陥の既知の位置で前記ウェハ上の前記ターゲットの前記画像を捕捉することを備える、請求項1記載の方法。
  6. 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、ケアエリアのサイズ、形状、および位置、テンプレートのサイズ、形状、および位置、ならびに、前記1または複数のパラメータが適用される前記画像における前記1または複数の特性が決定されるエリアを特定することを備える、請求項1記載の方法。
  7. 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、ユーザにグラフィックユーザインタフェースを提供することを備える、請求項1記載の方法。
  8. 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、対象欠陥の位置の高解像度画像を表示することを備える、請求項1記載の方法。
  9. 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、前記探査が実行されることになる前記ウェハまたは前記別のウェハ上の1つのダイにおける既知の対象欠陥の全てについてテンプレートを捕捉することを備える、請求項1記載の方法。
  10. 前記ターゲットに関する前記情報を取得することは、テンプレートと前記ターゲットの前記画像との類似性を決定することと、前記ウェハ上の他のパターンに対する前記対象パターンの一意性を決定することとを備える、請求項1記載の方法。
  11. 前記対象パターンは、前記ウェハまたは前記別のウェハ上に形成されたダイの幅および高さよりもそれぞれ短い幅および高さを有する、請求項1記載の方法。
  12. 前記潜在的な対象欠陥位置は、前記対象パターンの位置に基づき決定される、請求項1記載の方法。
  13. 前記1または複数の特性は、前記既知の対象欠陥の1または複数の特性を備える、請求項1記載の方法。
  14. 前記1または複数の特性は、前記既知の対象欠陥のサイズ、形状、強度、コントラスト、または極性を備える、請求項1記載の方法。
  15. 前記潜在的な対象欠陥位置のうち1または複数にわたるようにミクロケアエリアが生成される、請求項1記載の方法。
  16. 前記取得することおよび前記探査することは、前記検出することより前のセットアップ段階で検査システムを用いて実行される、請求項1記載の方法。
  17. 前記取得することおよび前記探査することは、同じ種類の異なる検査システムを用いて実行される、請求項1記載の方法。
  18. 前記取得することおよび前記探査することは異なるダイにおいて実行され、前記探査することは、前記ターゲット候補に関する1または複数のテンプレートを用いて1つのダイで実行される、請求項1記載の方法。
  19. 前記対象パターンに関するテンプレート画像と前記既知の対象欠陥を検出するために用いられる前記画像とを相関付けることによってケアエリアの位置を決定することを更に備える、請求項1記載の方法。
  20. 前記ターゲットの1または複数の特性を選択することと、前記1または複数の検出パラメータを選択することと、前記ターゲット候補内で前記既知の対象欠陥以外の欠陥が検出されないようにケアエリアの1または複数のパラメータを決定することと、を更に備える、請求項1記載の方法。
  21. 前記ウェハまたは前記別のウェハに関する他の画像を取得することと、前記ウェハまたは前記別のウェハ上の他の欠陥を検出するために前記他の画像を用いることと、を更に備える、請求項1記載の方法。
  22. 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記画像は参照画像および試験画像を用いて生成された画像を含み、前記参照画像は前記対象パターンに関するテンプレートである、請求項1記載の方法。
  23. 前記ターゲットに関するテンプレートがダイの前記画像の異なる部分に相関するかを判定することによって、前記対象パターンについて前記ウェハまたは前記別のウェハ上の前記ダイの画像を探査することを更に備える、請求項1記載の方法。
  24. 前記対象パターンに関するテンプレートを作成することと、前記テンプレートの前記サイズを変更すること、または前記テンプレートを反転、回転、もしくは処理することによって前記テンプレートを修正することと、を更に備える、請求項1記載の方法。
  25. 前記探査することは、前記ターゲット候補の前記画像と前記対象パターンに関するテンプレートまたは画像との画像マッチングのために最適な光学モードを用いて前記ターゲット候補に関する画像を取得することを備える、請求項1記載の方法。
  26. 前記ウェハ上で前記ターゲットを前記画像化することは第1の光学モードを用いて実行され、前記検出のために用いられる前記ターゲット候補の前記画像は、前記第1の光学モードとは異なる第2の光学モードを用いて取得される、請求項1記載の方法。
  27. 前記検出することは、前記潜在的な対象欠陥位置を正確に特定するために、欠陥検出モジュールに前記ターゲットに関する前記情報を提供することを備える、請求項1記載の方法。
  28. 前記検出することは、セットアップ中に取得されるテンプレートと前記検出中に取得される前記ターゲット候補の前記画像とを相関付けることによって、前記ターゲット候補の前記画像における前記潜在的な対象欠陥位置を特定することを備える、請求項1記載の方法。
  29. 前記ターゲットに関する前記情報に基づいて前記1または複数の検出パラメータを決定することを更に備える、請求項1記載の方法。
  30. 前記ターゲット候補の各種類に関する画像にそれぞれ基づいて前記ターゲット候補の各種類について個別に前記1または複数の検出パラメータを決定することを更に備える、請求項1記載の方法。
  31. 前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像および参照画像を用いて差分画像を生成することと、前記差分画像内の信号に閾値を当てはめることとを備える、請求項1記載の方法。
  32. 前記潜在的な対象欠陥位置に関する差分画像の1または複数の特性を決定することを更に備え、前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記差分画像の前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項1記載の方法。
  33. 前記1または複数の特性は、前記既知の対象欠陥の1または複数の特性を備え、前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像から決定される前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項1記載の方法。
  34. 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像は、前記潜在的な対象欠陥位置を取り巻くケアエリアの画像であり、前記ケアエリアは、前記対象パターンの前記位置に対して一意的であり既知である前記既知の対象欠陥のサイズに基づいて決定される、請求項1記載の方法。
  35. ウェハ上の欠陥を検出するためのコンピュータ実現方法を実行するためのコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を記憶する非一時的コンピュータ読取可能媒体であって、前記コンピュータ実現方法は、
    ウェハ上のターゲットに関する情報を取得することであり、前記ターゲットは、前記ウェハ上に形成された対象パターンおよび前記対象パターンの位置に対して一意的である既知の位置にある既知の対象欠陥を備え、前記情報は、前記ウェハ上の前記ターゲットを画像化することによって取得される前記ウェハ上の前記ターゲットの画像、前記ウェハにおける前記対象パターンの前記位置、前記対象パターンに対する前記既知の対象欠陥の前記位置、ならびに前記対象パターンおよび前記既知の対象欠陥から計算される1または複数の特性を備えることと、
    前記対象パターンを備える、前記ウェハまたは別のウェハ上のターゲット候補を探査することと、
    前記ターゲット候補の画像における潜在的な対象欠陥位置を特定すること、および前記潜在的な対象欠陥位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって前記ターゲット候補内の前記既知の対象欠陥を検出することと、
    を備える、非一時的コンピュータ読取可能媒体。
  36. ウェハ上の欠陥を検出するように構成されたシステムであって、
    ウェハ上のターゲットに関する情報を取得するように構成された検査サブシステムであって、前記ターゲットは、前記ウェハ上に形成された対象パターンおよび前記対象パターンの位置に対して一意的である既知の位置にある既知の対象欠陥を備え、前記情報は、前記ウェハ上の前記ターゲットを画像化することによって取得される前記ウェハ上の前記ターゲットの画像、前記対象パターンおよび前記既知の対象欠陥から計算される1または複数の特性を備える検査サブシステムであって、
    前記検査サブシステムは、前記ウェハまたは別のウェハ上のターゲット候補を探査するように更に構成され、前記ターゲット候補は前記対象パターンを備える、検査サブシステムと、
    前記ターゲット候補の画像における潜在的な対象欠陥位置を特定すること、および前記潜在的な対象欠陥位置の画像に1または複数の検出パラメータを適用することによって前記ターゲット候補内の前記既知の対象欠陥を検出するように構成されたコンピュータシステムと、を備える、システム。
  37. 前記検査サブシステムが、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いることなく前記情報を取得し前記ターゲット候補を探査するように更に構成され、前記コンピュータシステムが、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いることなく前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  38. 前記検査サブシステムおよび前記コンピュータシステムが個々に、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する設計データを用いて前記情報を取得し、前記ターゲット候補を探査し、前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  39. 前記検査サブシステムが、対象欠陥サンプルの位置を取り込むことにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  40. 前記検査サブシステムが、対象欠陥の既知の位置で前記ウェハ上の前記ターゲットの前記画像を捕捉することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  41. 前記コンピュータシステムが、ケアエリアのサイズ、形状、および位置、テンプレートのサイズ、形状、および位置、ならびに、前記1または複数のパラメータが適用される前記画像における前記1または複数の特性が決定されるエリアを特定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  42. 前記コンピュータシステムが、ユーザに、前記ターゲットに関して取得された前記情報を表示するグラフィックユーザインタフェースを提供するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  43. 前記コンピュータシステムが、対象欠陥の位置の高解像度画像を表示することにより前記情報を取得するよう更に構成される、請求項36記載のシステム。
  44. 前記検査サブシステムが、前記査サブシステムが前記ターゲット候補を探査することになる前記ウェハまたは前記別のウェハ上の1つのダイにおける既知の対象欠陥の全てについてテンプレートを捕捉することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  45. 前記コンピュータシステムが、テンプレートと前記ターゲットの前記画像との類似性を決定することと、前記ウェハ上の他のパターンに対する前記対象パターンの一意性を決定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  46. 前記対象パターンは、前記ウェハまたは前記別のウェハ上に形成されたダイの幅および高さよりもそれぞれ短い幅および高さを有する、請求項36記載のシステム。
  47. 前記潜在的な対象欠陥位置は、前記対象パターンの位置に基づいて決定される、請求項36記載のシステム。
  48. 前記コンピュータシステムが、前記既知の対象欠陥の1または複数の特性を決定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  49. 前記コンピュータシステムが、前記既知の対象欠陥のサイズ、形状、強度、コントラスト、または極性を備える1または複数の特性を決定することにより前記情報を取得するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  50. 前記コンピュータシステムが、前記潜在的な対象欠陥位置のうち1または複数にわたるようにミクロケアエリアを生成するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  51. 前記検査サブシステムが、前記コンピュータシステムが前記既知の対象欠陥を検出する前のセットアップ段階で前記情報を取得し前記ターゲット候補を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  52. 前記検査サブシステムが、異なるダイにおいて前記情報を取得し前記ターゲット候補を探査するように更に構成され、前記検査サブシステムが、前記ターゲット候補に関する1または複数のテンプレートを用いて1つのダイで前記ターゲット候補を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  53. 前記コンピュータシステムが、前記対象パターンに関するテンプレート画像と前記既知の対象欠陥を検出するために用いられる前記画像とを相関付けることによってケアエリアの位置を決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  54. 前記コンピュータシステムが、前記ターゲットの1または複数の特性を選択し、前記1または複数の検出パラメータを選択し、前記ターゲット候補内で前記既知の対象欠陥以外の欠陥が検出されないようにケアエリアの1または複数のパラメータを決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  55. 前記検査サブシステムが、前記ウェハまたは前記別のウェハに関する他の画像を取得するように更に構成され、前記コンピュータシステムが、前記他の画像を用いて前記ウェハまたは前記別のウェハ上の他の欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  56. 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記画像は参照画像および試験画像を用いて生成された画像を含み、前記参照画像は前記対象パターンに関するテンプレートである、請求項36記載のシステム。
  57. 前記コンピュータシステムが、前記ターゲットに関するテンプレートがダイの前記画像の異なる部分に相関するかを判定することによって、前記対象パターンについて前記ウェハまたは前記別のウェハ上の前記ダイの画像を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  58. 前記コンピュータシステムが、前記対象パターンに関するテンプレートを作成し、前記テンプレートの前記サイズを変更すること、または前記テンプレートを反転、回転、もしくは処理することによって前記テンプレートを修正するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  59. 前記検査サブシステムが、前記ターゲット候補の前記画像と前記対象パターンに関するテンプレートまたは画像との画像マッチングのために最適な光学モードを用いて前記ターゲット候補に関する画像を取得することにより前記ターゲット候補を探査するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  60. 前記ウェハ上で前記ターゲットを前記画像化することは第1の光学モードを用いて実行され、前記既知の対象欠陥の検出のために用いられる前記ターゲット候補の前記画像は、前記第1の光学モードとは異なる第2の光学モードを用いて取得される、請求項36記載のシステム。
  61. 前記コンピュータシステムが、前記潜在的な対象欠陥位置を正確に特定するために、欠陥検出モジュールに前記ターゲットに関する前記情報を提供することにより前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  62. 前記コンピュータシステムが、セットアップ中に取得されるテンプレートと前記コンピュータシステムによる前記既知の対象欠陥の検出中に取得される前記ターゲット候補の前記画像とを相関付けることによって、前記ターゲット候補の前記画像における前記潜在的な対象欠陥位置を特定することによって、前記既知の対象欠陥を検出するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  63. 前記コンピュータシステムが、前記ターゲットに関する前記情報に基づいて前記1または複数の検出パラメータを決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  64. 前記コンピュータシステムが、前記ターゲット候補の各種類に関する画像にそれぞれ基づいて前記ターゲット候補の各種類について個別に前記1または複数の検出パラメータを決定するように更に構成される、請求項36記載のシステム。
  65. 前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像および参照画像を用いて差分画像を生成することと、前記差分画像内の信号に閾値を当てはめることとを備える、請求項36記載のシステム。
  66. 前記コンピュータシステムが、前記潜在的な対象欠陥位置付近の差分画像の1または複数の特性を決定するように更に構成され、前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記差分画像の前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項36記載のシステム。
  67. 前記1または複数の検出パラメータを適用することは、前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像から決定される前記既知の対象欠陥の前記1または複数の特性の1または複数の値に閾値を当てはめることを備える、請求項36記載のシステム。
  68. 前記1または複数の検出パラメータが適用される前記潜在的な対象欠陥位置の前記画像は、前記潜在的な対象欠陥位置を取り巻くケアエリアの画像であり、前記ケアエリアは、前記対象パターンの前記位置に対して一意的であり既知である位置にある前記既知の対象欠陥のサイズに基づいて決定される、請求項36記載のシステム。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9189844B2 (en) * 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9235885B2 (en) * 2013-01-31 2016-01-12 Applied Materials Israel Ltd System, a method and a computer program product for patch-based defect detection
US8984450B2 (en) * 2013-03-14 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for extracting systematic defects
US9098891B2 (en) 2013-04-08 2015-08-04 Kla-Tencor Corp. Adaptive sampling for semiconductor inspection recipe creation, defect review, and metrology
US9171364B2 (en) * 2013-06-21 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection using free-form care areas
KR102359050B1 (ko) * 2014-02-12 2022-02-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법
US9401016B2 (en) * 2014-05-12 2016-07-26 Kla-Tencor Corp. Using high resolution full die image data for inspection
US9400865B2 (en) 2014-06-13 2016-07-26 Kla-Tencor Corp. Extracting comprehensive design guidance for in-line process control tools and methods
US9816939B2 (en) 2014-07-22 2017-11-14 Kla-Tencor Corp. Virtual inspection systems with multiple modes
US10127653B2 (en) * 2014-07-22 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Determining coordinates for an area of interest on a specimen
US10267746B2 (en) 2014-10-22 2019-04-23 Kla-Tencor Corp. Automated pattern fidelity measurement plan generation
US10483081B2 (en) 2014-10-22 2019-11-19 Kla-Tencor Corp. Self directed metrology and pattern classification
WO2016121073A1 (ja) * 2015-01-30 2016-08-04 株式会社 日立ハイテクノロジーズ パターンマッチング装置、及びパターンマッチングのためのコンピュータプログラム
US9767548B2 (en) * 2015-04-24 2017-09-19 Kla-Tencor Corp. Outlier detection on pattern of interest image populations
TWI683997B (zh) * 2015-05-28 2020-02-01 美商克萊譚克公司 用於在檢測工具上之動態看護區域產生的系統及方法
US10018571B2 (en) 2015-05-28 2018-07-10 Kla-Tencor Corporation System and method for dynamic care area generation on an inspection tool
US10062543B2 (en) 2015-06-23 2018-08-28 Kla-Tencor Corp. Determining multi-patterning step overlay error
WO2017019171A1 (en) * 2015-07-30 2017-02-02 Kla-Tencor Corporation System and method for dynamic care area generation on an inspection tool
US10359371B2 (en) * 2015-08-24 2019-07-23 Kla-Tencor Corp. Determining one or more characteristics of a pattern of interest on a specimen
TWI684225B (zh) * 2015-08-28 2020-02-01 美商克萊譚克公司 自定向計量和圖樣分類
US10535131B2 (en) * 2015-11-18 2020-01-14 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for region-adaptive defect detection
US10186028B2 (en) * 2015-12-09 2019-01-22 Kla-Tencor Corporation Defect signal to noise enhancement by reducing die to die process noise
US10338002B1 (en) * 2016-02-01 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for selecting recipe for defect inspection
KR102483787B1 (ko) * 2016-02-25 2023-01-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 결함 모델링 장치 및 방법, 이를 위한 컴퓨터 프로그램과, 이를 이용한 반도체 장치의 결함 검사 시스템
WO2017158744A1 (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US10339262B2 (en) * 2016-03-29 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation System and method for defining care areas in repeating structures of design data
US9984454B2 (en) * 2016-04-22 2018-05-29 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for correcting a difference image generated from a comparison of target and reference dies
US10346740B2 (en) * 2016-06-01 2019-07-09 Kla-Tencor Corp. Systems and methods incorporating a neural network and a forward physical model for semiconductor applications
US10304177B2 (en) * 2016-06-29 2019-05-28 Kla-Tencor Corporation Systems and methods of using z-layer context in logic and hot spot inspection for sensitivity improvement and nuisance suppression
KR102595300B1 (ko) 2016-07-04 2023-10-31 삼성전자주식회사 검사 방법 및 시스템, 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
US11047806B2 (en) * 2016-11-30 2021-06-29 Kla-Tencor Corporation Defect discovery and recipe optimization for inspection of three-dimensional semiconductor structures
KR102334698B1 (ko) * 2017-01-18 2021-12-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 캐스케이드 결함 검사
US10140400B2 (en) * 2017-01-30 2018-11-27 Dongfang Jingyuan Electron Limited Method and system for defect prediction of integrated circuits
US10600175B2 (en) * 2017-03-24 2020-03-24 Kla-Tencor Corporation Dynamic care areas for defect detection
US10648925B2 (en) * 2017-06-05 2020-05-12 Kla-Tencor Corporation Repeater defect detection
US10402963B2 (en) * 2017-08-24 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Defect detection on transparent or translucent wafers
US10997710B2 (en) * 2017-10-18 2021-05-04 Kla-Tencor Corporation Adaptive care areas for die-die inspection
US11222799B2 (en) * 2017-10-18 2022-01-11 Kla Corporation Swath selection for semiconductor inspection
US20190279914A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Kla-Tencor Corporation Region of interest and pattern of interest generation for critical dimension measurement
US10789703B2 (en) * 2018-03-19 2020-09-29 Kla-Tencor Corporation Semi-supervised anomaly detection in scanning electron microscope images
US10872406B2 (en) * 2018-04-13 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hot spot defect detecting method and hot spot defect detecting system
US11195268B2 (en) * 2018-05-22 2021-12-07 Kla-Tencor Corporation Target selection improvements for better design alignment
US10697900B2 (en) * 2018-06-19 2020-06-30 Kla-Tencor Corporation Correlating SEM and optical images for wafer noise nuisance identification
US10605745B2 (en) * 2018-06-28 2020-03-31 Applied Materials Israel Ltd. Guided inspection of a semiconductor wafer based on systematic defects
US11094053B2 (en) 2018-10-08 2021-08-17 Kla Corporation Deep learning based adaptive regions of interest for critical dimension measurements of semiconductor substrates
WO2020083612A1 (en) * 2018-10-23 2020-04-30 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for adaptive alignment
US11430677B2 (en) * 2018-10-30 2022-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer taping apparatus and method
US11600505B2 (en) 2018-10-31 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for systematic physical failure analysis (PFA) fault localization
KR20200050497A (ko) * 2018-11-01 2020-05-12 에스케이하이닉스 주식회사 포토레지스트 패턴에서 프린팅 결함을 검출하는 방법
US10964015B2 (en) 2019-01-15 2021-03-30 International Business Machines Corporation Product defect detection
US20230067659A1 (en) * 2021-08-24 2023-03-02 Ford Global Technologies, Llc Systems and methods for detecting vehicle defects
CN114187294B (zh) * 2022-02-16 2022-05-17 常州铭赛机器人科技股份有限公司 基于先验信息的规则晶片定位方法

Family Cites Families (445)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3495269A (en) 1966-12-19 1970-02-10 Xerox Corp Electrographic recording method and apparatus with inert gaseous discharge ionization and acceleration gaps
US3496352A (en) 1967-06-05 1970-02-17 Xerox Corp Self-cleaning corona generating apparatus
US3909602A (en) 1973-09-27 1975-09-30 California Inst Of Techn Automatic visual inspection system for microelectronics
US4015203A (en) 1975-12-31 1977-03-29 International Business Machines Corporation Contactless LSI junction leakage testing method
US4247203A (en) 1978-04-03 1981-01-27 Kla Instrument Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
US4347001A (en) 1978-04-03 1982-08-31 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
FR2473789A1 (fr) 1980-01-09 1981-07-17 Ibm France Procedes et structures de test pour circuits integres a semi-conducteurs permettant la determination electrique de certaines tolerances lors des etapes photolithographiques.
US4378159A (en) 1981-03-30 1983-03-29 Tencor Instruments Scanning contaminant and defect detector
US4448532A (en) 1981-03-31 1984-05-15 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection method and system
US4475122A (en) 1981-11-09 1984-10-02 Tre Semiconductor Equipment Corporation Automatic wafer alignment technique
US4926489A (en) 1983-03-11 1990-05-15 Kla Instruments Corporation Reticle inspection system
US4579455A (en) 1983-05-09 1986-04-01 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection
US4532650A (en) 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
US4555798A (en) 1983-06-20 1985-11-26 Kla Instruments Corporation Automatic system and method for inspecting hole quality
US4578810A (en) 1983-08-08 1986-03-25 Itek Corporation System for printed circuit board defect detection
JPS6062122A (ja) 1983-09-16 1985-04-10 Fujitsu Ltd マスクパターンの露光方法
US4599558A (en) 1983-12-14 1986-07-08 Ibm Photovoltaic imaging for large area semiconductors
US4595289A (en) 1984-01-25 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Inspection system utilizing dark-field illumination
JPS60263807A (ja) 1984-06-12 1985-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd プリント配線板のパタ−ン欠陥検査装置
US4633504A (en) 1984-06-28 1986-12-30 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system having image enhancement means
US4817123A (en) 1984-09-21 1989-03-28 Picker International Digital radiography detector resolution improvement
JPH0648380B2 (ja) 1985-06-13 1994-06-22 株式会社東芝 マスク検査方法
US4734721A (en) 1985-10-04 1988-03-29 Markem Corporation Electrostatic printer utilizing dehumidified air
US4641967A (en) 1985-10-11 1987-02-10 Tencor Instruments Particle position correlator and correlation method for a surface scanner
US4928313A (en) 1985-10-25 1990-05-22 Synthetic Vision Systems, Inc. Method and system for automatically visually inspecting an article
US5046109A (en) 1986-03-12 1991-09-03 Nikon Corporation Pattern inspection apparatus
US4814829A (en) 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4805123B1 (en) 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US4758094A (en) 1987-05-15 1988-07-19 Kla Instruments Corp. Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems
US4766324A (en) 1987-08-07 1988-08-23 Tencor Instruments Particle detection method including comparison between sequential scans
US4812756A (en) 1987-08-26 1989-03-14 International Business Machines Corporation Contactless technique for semicondutor wafer testing
US4845558A (en) 1987-12-03 1989-07-04 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns
US4877326A (en) 1988-02-19 1989-10-31 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for optical inspection of substrates
US5054097A (en) 1988-11-23 1991-10-01 Schlumberger Technologies, Inc. Methods and apparatus for alignment of images
US5155336A (en) 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
JP3707172B2 (ja) 1996-01-24 2005-10-19 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
US5189481A (en) 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
DE69208413T2 (de) 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
EP0671920B1 (en) 1992-03-09 2003-12-10 San Diego Regional Cancer Center An anti-idiotypic antibody and its use in diagnosis and in therapy in hiv-related disease
US6205259B1 (en) 1992-04-09 2001-03-20 Olympus Optical Co., Ltd. Image processing apparatus
JP2667940B2 (ja) 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
JP3730263B2 (ja) 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP3212389B2 (ja) 1992-10-26 2001-09-25 株式会社キリンテクノシステム 固体上の異物検査方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US5448053A (en) 1993-03-01 1995-09-05 Rhoads; Geoffrey B. Method and apparatus for wide field distortion-compensated imaging
US5355212A (en) 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5453844A (en) 1993-07-21 1995-09-26 The University Of Rochester Image data coding and compression system utilizing controlled blurring
US5497381A (en) 1993-10-15 1996-03-05 Analog Devices, Inc. Bitstream defect analysis method for integrated circuits
US5544256A (en) 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
JPH07159337A (ja) 1993-12-07 1995-06-23 Sony Corp 半導体素子の欠陥検査方法
US5500607A (en) 1993-12-22 1996-03-19 International Business Machines Corporation Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer
US5696835A (en) 1994-01-21 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for aligning and measuring misregistration
US5553168A (en) 1994-01-21 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated System and method for recognizing visual indicia
US5883710A (en) 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US5608538A (en) 1994-08-24 1997-03-04 International Business Machines Corporation Scan line queuing for high performance image correction
US5572608A (en) 1994-08-24 1996-11-05 International Business Machines Corporation Sinc filter in linear lumen space for scanner
US5528153A (en) 1994-11-07 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films
US6014461A (en) 1994-11-30 2000-01-11 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for automatic knowlege-based object identification
US5694478A (en) 1994-12-15 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and apparatus for detecting and identifying microbial colonies
US5948972A (en) 1994-12-22 1999-09-07 Kla-Tencor Corporation Dual stage instrument for scanning a specimen
CA2139182A1 (en) 1994-12-28 1996-06-29 Paul Chevrette Method and system for fast microscanning
US5661408A (en) 1995-03-01 1997-08-26 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
US5991699A (en) 1995-05-04 1999-11-23 Kla Instruments Corporation Detecting groups of defects in semiconductor feature space
US5644223A (en) 1995-05-12 1997-07-01 International Business Machines Corporation Uniform density charge deposit source
TW341664B (en) 1995-05-12 1998-10-01 Ibm Photovoltaic oxide charge measurement probe technique
US5485091A (en) 1995-05-12 1996-01-16 International Business Machines Corporation Contactless electrical thin oxide measurements
US6288780B1 (en) 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US20020054291A1 (en) 1997-06-27 2002-05-09 Tsai Bin-Ming Benjamin Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources
US5649169A (en) 1995-06-20 1997-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for declustering semiconductor defect data
US5594247A (en) 1995-07-07 1997-01-14 Keithley Instruments, Inc. Apparatus and method for depositing charge on a semiconductor wafer
US5773989A (en) 1995-07-14 1998-06-30 University Of South Florida Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer
US5621519A (en) 1995-07-31 1997-04-15 Neopath, Inc. Imaging system transfer function control method and apparatus
US5619548A (en) 1995-08-11 1997-04-08 Oryx Instruments And Materials Corp. X-ray thickness gauge
EP0853856B1 (en) 1995-10-02 2004-12-22 KLA-Tencor Corporation Alignment correction prior to image sampling in inspection systems
US5754678A (en) 1996-01-17 1998-05-19 Photon Dynamics, Inc. Substrate inspection apparatus and method
JPH09320505A (ja) 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US5673208A (en) 1996-04-11 1997-09-30 Micron Technology, Inc. Focus spot detection method and system
US5917332A (en) 1996-05-09 1999-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement for improving defect scanner sensitivity and scanning defects on die of a semiconductor wafer
US5742658A (en) 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
JP3634505B2 (ja) 1996-05-29 2005-03-30 株式会社ルネサステクノロジ アライメントマーク配置方法
US6292582B1 (en) 1996-05-31 2001-09-18 Lin Youling Method and system for identifying defects in a semiconductor
US6205239B1 (en) 1996-05-31 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated System and method for circuit repair
US6246787B1 (en) 1996-05-31 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated System and method for knowledgebase generation and management
US6091846A (en) 1996-05-31 2000-07-18 Texas Instruments Incorporated Method and system for anomaly detection
IL118804A0 (en) 1996-07-05 1996-10-31 Orbot Instr Ltd Data converter apparatus and method particularly useful for a database-to-object inspection system
US5822218A (en) 1996-08-27 1998-10-13 Clemson University Systems, methods and computer program products for prediction of defect-related failures in integrated circuits
US5767693A (en) 1996-09-04 1998-06-16 Smithley Instruments, Inc. Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun
US6076465A (en) 1996-09-20 2000-06-20 Kla-Tencor Corporation System and method for determining reticle defect printability
KR100200734B1 (ko) 1996-10-10 1999-06-15 윤종용 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법
US5866806A (en) 1996-10-11 1999-02-02 Kla-Tencor Corporation System for locating a feature of a surface
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US6259960B1 (en) 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
US5852232A (en) 1997-01-02 1998-12-22 Kla-Tencor Corporation Acoustic sensor as proximity detector
US5978501A (en) 1997-01-03 1999-11-02 International Business Machines Corporation Adaptive inspection method and system
US5955661A (en) 1997-01-06 1999-09-21 Kla-Tencor Corporation Optical profilometer combined with stylus probe measurement device
US5795685A (en) 1997-01-14 1998-08-18 International Business Machines Corporation Simple repair method for phase shifting masks
US5889593A (en) 1997-02-26 1999-03-30 Kla Instruments Corporation Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement
US5980187A (en) 1997-04-16 1999-11-09 Kla-Tencor Corporation Mechanism for transporting semiconductor-process masks
US6121783A (en) 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
US6097196A (en) 1997-04-23 2000-08-01 Verkuil; Roger L. Non-contact tunnelling field measurement for a semiconductor oxide layer
US6078738A (en) 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
KR100308811B1 (ko) 1997-05-10 2001-12-15 박종섭 Gps를이용한시간및주파수발생장치의시간오차개선방법
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6011404A (en) 1997-07-03 2000-01-04 Lucent Technologies Inc. System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor
US6072320A (en) 1997-07-30 2000-06-06 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using light and eddy current
US6104206A (en) 1997-08-05 2000-08-15 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe
US5834941A (en) 1997-08-11 1998-11-10 Keithley Instruments, Inc. Mobile charge measurement using corona charge and ultraviolet light
US6191605B1 (en) 1997-08-18 2001-02-20 Tom G. Miller Contactless method for measuring total charge of an insulating layer on a substrate using corona charge
JP2984633B2 (ja) 1997-08-29 1999-11-29 日本電気株式会社 参照画像作成方法およびパターン検査装置
US7107571B2 (en) 1997-09-17 2006-09-12 Synopsys, Inc. Visual analysis and verification system using advanced tools
US6757645B2 (en) 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
US6470489B1 (en) 1997-09-17 2002-10-22 Numerical Technologies, Inc. Design rule checking system and method
US6578188B1 (en) 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US5965306A (en) 1997-10-15 1999-10-12 International Business Machines Corporation Method of determining the printability of photomask defects
US5874733A (en) 1997-10-16 1999-02-23 Raytheon Company Convergent beam scanner linearizing method and apparatus
US6233719B1 (en) 1997-10-27 2001-05-15 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing semiconductor production data
US6097887A (en) 1997-10-27 2000-08-01 Kla-Tencor Corporation Software system and method for graphically building customized recipe flowcharts
EP1025512A4 (en) 1997-10-27 2005-01-19 Kla Tencor Corp SOFTWARE SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING CLASSIFICATIONS AND PROPERTIES IN PRODUCTION ANALYSIS
US6110011A (en) 1997-11-10 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool
US6104835A (en) 1997-11-14 2000-08-15 Kla-Tencor Corporation Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor
JPH11162832A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
US5999003A (en) 1997-12-12 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Intelligent usage of first pass defect data for improved statistical accuracy of wafer level classification
US6614520B1 (en) 1997-12-18 2003-09-02 Kla-Tencor Corporation Method for inspecting a reticle
US6060709A (en) 1997-12-31 2000-05-09 Verkuil; Roger L. Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer
US6175645B1 (en) 1998-01-22 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus
US6122017A (en) 1998-01-22 2000-09-19 Hewlett-Packard Company Method for providing motion-compensated multi-field enhancement of still images from video
US6171737B1 (en) 1998-02-03 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Low cost application of oxide test wafer for defect monitor in photolithography process
KR100474746B1 (ko) 1998-02-12 2005-03-08 에이씨엠 리서치, 인코포레이티드 도금 장치 및 방법
US5932377A (en) 1998-02-24 1999-08-03 International Business Machines Corporation Exact transmission balanced alternating phase-shifting mask for photolithography
US6091845A (en) 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US6091257A (en) 1998-02-26 2000-07-18 Verkuil; Roger L. Vacuum activated backside contact
US6295374B1 (en) 1998-04-06 2001-09-25 Integral Vision, Inc. Method and system for detecting a flaw in a sample image
US6408219B2 (en) 1998-05-11 2002-06-18 Applied Materials, Inc. FAB yield enhancement system
US6282309B1 (en) 1998-05-29 2001-08-28 Kla-Tencor Corporation Enhanced sensitivity automated photomask inspection system
US6137570A (en) 1998-06-30 2000-10-24 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing topological features on a surface
US6987873B1 (en) 1998-07-08 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Automatic defect classification with invariant core classes
JP2000089148A (ja) 1998-07-13 2000-03-31 Canon Inc 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置
US6324298B1 (en) 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US6266437B1 (en) 1998-09-04 2001-07-24 Sandia Corporation Sequential detection of web defects
US6466314B1 (en) 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6040912A (en) 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
US6122046A (en) 1998-10-02 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection
US6535628B2 (en) 1998-10-15 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
US6393602B1 (en) 1998-10-21 2002-05-21 Texas Instruments Incorporated Method of a comprehensive sequential analysis of the yield losses of semiconductor wafers
JP3860347B2 (ja) 1998-10-30 2006-12-20 富士通株式会社 リンク処理装置
US6248486B1 (en) 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6476913B1 (en) 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US6529621B1 (en) 1998-12-17 2003-03-04 Kla-Tencor Mechanisms for making and inspecting reticles
US6539106B1 (en) 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US6336082B1 (en) 1999-03-05 2002-01-01 General Electric Company Method for automatic screening of abnormalities
US6252981B1 (en) 1999-03-17 2001-06-26 Semiconductor Technologies & Instruments, Inc. System and method for selection of a reference die
US6427024B1 (en) * 1999-04-02 2002-07-30 Beltronics, Inc. Apparatus for and method of automatic optical inspection of electronic circuit boards, wafers and the like for defects, using skeletal reference inspection and separately programmable alignment tolerance and detection parameters
US7106895B1 (en) 1999-05-05 2006-09-12 Kla-Tencor Method and apparatus for inspecting reticles implementing parallel processing
AU3676500A (en) 1999-05-07 2000-11-21 Nikon Corporation Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device
JP2002544555A (ja) 1999-05-18 2002-12-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マスターとの比較による物品の検査方法および装置
US6526164B1 (en) 1999-05-27 2003-02-25 International Business Machines Corporation Intelligent photomask disposition
US6407373B1 (en) 1999-06-15 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for reviewing defects on an object
US6922482B1 (en) 1999-06-15 2005-07-26 Applied Materials, Inc. Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
JP2001143982A (ja) 1999-06-29 2001-05-25 Applied Materials Inc 半導体デバイス製造のための統合臨界寸法制御
JP3816390B2 (ja) 1999-07-02 2006-08-30 富士通株式会社 サービス割り当て装置
US6776692B1 (en) 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6466895B1 (en) 1999-07-16 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Defect reference system automatic pattern classification
US6248485B1 (en) 1999-07-19 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method for controlling a process for patterning a feature in a photoresist
US6754305B1 (en) 1999-08-02 2004-06-22 Therma-Wave, Inc. Measurement of thin films and barrier layers on patterned wafers with X-ray reflectometry
US6466315B1 (en) 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US20020144230A1 (en) 1999-09-22 2002-10-03 Dupont Photomasks, Inc. System and method for correcting design rule violations in a mask layout file
US6268093B1 (en) 1999-10-13 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reticle inspection using aerial imaging
KR100335491B1 (ko) 1999-10-13 2002-05-04 윤종용 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법
FR2801673B1 (fr) 1999-11-26 2001-12-28 Pechiney Aluminium Procede de mesure du degre et de l'homogeneite de calcination des alumines
US6999614B1 (en) 1999-11-29 2006-02-14 Kla-Tencor Corporation Power assisted automatic supervised classifier creation tool for semiconductor defects
CN100428277C (zh) 1999-11-29 2008-10-22 奥林巴斯光学工业株式会社 缺陷检查系统
US7190292B2 (en) 1999-11-29 2007-03-13 Bizjak Karl M Input level adjust system and method
US6738954B1 (en) 1999-12-08 2004-05-18 International Business Machines Corporation Method for prediction random defect yields of integrated circuits with accuracy and computation time controls
US6553329B2 (en) 1999-12-13 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated System for mapping logical functional test data of logical integrated circuits to physical representation using pruned diagnostic list
US6445199B1 (en) 1999-12-14 2002-09-03 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures
US6771806B1 (en) 1999-12-14 2004-08-03 Kla-Tencor Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices
US6701004B1 (en) 1999-12-22 2004-03-02 Intel Corporation Detecting defects on photomasks
US6778695B1 (en) 1999-12-23 2004-08-17 Franklin M. Schellenberg Design-based reticle defect prioritization
JP4419250B2 (ja) 2000-02-15 2010-02-24 株式会社ニコン 欠陥検査装置
US7120285B1 (en) 2000-02-29 2006-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator
US6451690B1 (en) 2000-03-13 2002-09-17 Matsushita Electronics Corporation Method of forming electrode structure and method of fabricating semiconductor device
US6482557B1 (en) 2000-03-24 2002-11-19 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool
US6569691B1 (en) 2000-03-29 2003-05-27 Semiconductor Diagnostics, Inc. Measurement of different mobile ion concentrations in the oxide layer of a semiconductor wafer
WO2001086698A2 (en) 2000-05-10 2001-11-15 Kla-Tencor, Inc. Method and system for detecting metal contamination on a semiconductor wafer
US6425113B1 (en) 2000-06-13 2002-07-23 Leigh C. Anderson Integrated verification and manufacturability tool
EP1296351A4 (en) 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE
JP2002032737A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Seiko Instruments Inc 半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置
US6636301B1 (en) 2000-08-10 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6634018B2 (en) 2000-08-24 2003-10-14 Texas Instruments Incorporated Optical proximity correction
JP2002071575A (ja) 2000-09-04 2002-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システム
TW513772B (en) 2000-09-05 2002-12-11 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer and information treatment apparatus of wafer surface
DE10044257A1 (de) 2000-09-07 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme
US6513151B1 (en) 2000-09-14 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6724489B2 (en) 2000-09-22 2004-04-20 Daniel Freifeld Three dimensional scanning camera
WO2002029392A2 (en) 2000-10-02 2002-04-11 Applied Materials, Inc. Defect source identifier
EP1271605A4 (en) 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
US6753954B2 (en) 2000-12-06 2004-06-22 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for detecting aberrations in a projection lens utilized for projection optics
US6602728B1 (en) 2001-01-05 2003-08-05 International Business Machines Corporation Method for generating a proximity model based on proximity rules
US6680621B2 (en) 2001-01-26 2004-01-20 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US6597193B2 (en) 2001-01-26 2003-07-22 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US20020145734A1 (en) 2001-02-09 2002-10-10 Cory Watkins Confocal 3D inspection system and process
JP3998577B2 (ja) 2001-03-12 2007-10-31 ピー・デイ・エフ ソリユーシヨンズ インコーポレイテツド 特徴付けビヒクル及びその設計方法、欠陥を識別する方法並びに欠陥サイズ分布を求める方法
US6873720B2 (en) 2001-03-20 2005-03-29 Synopsys, Inc. System and method of providing mask defect printability analysis
JP3973372B2 (ja) 2001-03-23 2007-09-12 株式会社日立製作所 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法
US6605478B2 (en) 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
US6665065B1 (en) 2001-04-09 2003-12-16 Advanced Micro Devices, Inc. Defect detection in pellicized reticles via exposure at short wavelengths
JP4038356B2 (ja) 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
US7113629B2 (en) * 2001-04-11 2006-09-26 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern inspecting apparatus and method
JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2009-05-20 株式会社東芝 露光用マスクパターンの検査方法
JP4199939B2 (ja) 2001-04-27 2008-12-24 株式会社日立製作所 半導体検査システム
IL149588A (en) 2001-05-11 2007-07-24 Orbotech Ltd Image searching defect detector
JP2002353099A (ja) 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US20030004699A1 (en) 2001-06-04 2003-01-02 Choi Charles Y. Method and apparatus for evaluating an integrated circuit model
US20020186878A1 (en) 2001-06-07 2002-12-12 Hoon Tan Seow System and method for multiple image analysis
JP3551163B2 (ja) 2001-06-08 2004-08-04 三菱住友シリコン株式会社 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US6779159B2 (en) 2001-06-08 2004-08-17 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
US6581193B1 (en) 2001-06-13 2003-06-17 Kla-Tencor Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy
US7382447B2 (en) 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US20030014146A1 (en) 2001-07-12 2003-01-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Dangerous process/pattern detection system and method, danger detection program, and semiconductor device manufacturing method
US6593748B1 (en) 2001-07-12 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Process integration of electrical thickness measurement of gate oxide and tunnel oxides by corona discharge technique
JP2003031477A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびシステム
JP4122735B2 (ja) 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
US7155698B1 (en) 2001-09-11 2006-12-26 The Regents Of The University Of California Method of locating areas in an image such as a photo mask layout that are sensitive to residual processing effects
US7030997B2 (en) 2001-09-11 2006-04-18 The Regents Of The University Of California Characterizing aberrations in an imaging lens and applications to visual testing and integrated circuit mask analysis
KR100743818B1 (ko) 2001-09-12 2007-07-30 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 화상 부호화 방법 및 화상 복호화 방법
JP3870052B2 (ja) 2001-09-20 2007-01-17 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び欠陥検査データ処理方法
US7133070B2 (en) 2001-09-20 2006-11-07 Eastman Kodak Company System and method for deciding when to correct image-specific defects based on camera, scene, display and demographic data
JP4035974B2 (ja) 2001-09-26 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥観察方法及びその装置
JP3955450B2 (ja) 2001-09-27 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 試料検査方法
KR100576752B1 (ko) 2001-10-09 2006-05-03 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 2차원 피처모델 캘리브레이션 및 최적화 방법
US6670082B2 (en) 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US7065239B2 (en) 2001-10-24 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Automated repetitive array microstructure defect inspection
US6918101B1 (en) 2001-10-25 2005-07-12 Kla -Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6751519B1 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for predicting IC chip yield
US6813572B2 (en) 2001-10-25 2004-11-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices
US6948141B1 (en) 2001-10-25 2005-09-20 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6734696B2 (en) 2001-11-01 2004-05-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact hysteresis measurements of insulating films
JP2003151483A (ja) 2001-11-19 2003-05-23 Hitachi Ltd 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法
US6886153B1 (en) 2001-12-21 2005-04-26 Kla-Tencor Corporation Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe
US6789032B2 (en) 2001-12-26 2004-09-07 International Business Machines Corporation Method of statistical binning for reliability selection
US6658640B2 (en) 2001-12-26 2003-12-02 Numerical Technologies, Inc. Simulation-based feed forward process control
KR100689694B1 (ko) 2001-12-27 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼상에 발생된 결함을 검출하는 방법 및 장치
US6906305B2 (en) 2002-01-08 2005-06-14 Brion Technologies, Inc. System and method for aerial image sensing
US7236847B2 (en) 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
JP2003215060A (ja) 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
US6691052B1 (en) 2002-01-30 2004-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern
JP3629244B2 (ja) 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
US7257247B2 (en) 2002-02-21 2007-08-14 International Business Machines Corporation Mask defect analysis system
US20030223639A1 (en) 2002-03-05 2003-12-04 Vladimir Shlain Calibration and recognition of materials in technical images using specific and non-specific features
US7693323B2 (en) 2002-03-12 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Multi-detector defect detection system and a method for detecting defects
US20030192015A1 (en) 2002-04-04 2003-10-09 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction
US6966047B1 (en) 2002-04-09 2005-11-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Capturing designer intent in reticle inspection
US6642066B1 (en) 2002-05-15 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer
US6828542B2 (en) 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7393755B2 (en) 2002-06-07 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7152215B2 (en) 2002-06-07 2006-12-19 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
JP3826849B2 (ja) 2002-06-07 2006-09-27 株式会社Sumco 欠陥検査方法および欠陥検査装置
US20030229875A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Smith Taber H. Use of models in integrated circuit fabrication
US7124386B2 (en) 2002-06-07 2006-10-17 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
EP1532670A4 (en) 2002-06-07 2007-09-12 Praesagus Inc CHARACTERIZATION AND REDUCTION OF VARIATION FOR INTEGRATED CIRCUITS
US7363099B2 (en) 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
US7155052B2 (en) 2002-06-10 2006-12-26 Tokyo Seimitsu (Israel) Ltd Method for pattern inspection
JP2004031709A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Seiko Instruments Inc ウエハレス測長レシピ生成装置
US6777676B1 (en) 2002-07-05 2004-08-17 Kla-Tencor Technologies Corporation Non-destructive root cause analysis on blocked contact or via
JP4073265B2 (ja) 2002-07-09 2008-04-09 富士通株式会社 検査装置及び検査方法
US7012438B1 (en) 2002-07-10 2006-03-14 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of an insulating film
WO2004008246A2 (en) 2002-07-12 2004-01-22 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
US7231628B2 (en) 2002-07-12 2007-06-12 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask inspection
US7418124B2 (en) 2002-07-15 2008-08-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
US6775818B2 (en) 2002-08-20 2004-08-10 Lsi Logic Corporation Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction
US6784446B1 (en) 2002-08-29 2004-08-31 Advanced Micro Devices, Inc. Reticle defect printability verification by resist latent image comparison
US20040049722A1 (en) 2002-09-09 2004-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Failure analysis system, failure analysis method, a computer program product and a manufacturing method for a semiconductor device
JP2005539255A (ja) 2002-09-12 2005-12-22 エヌライン、コーパレイシャン 複合画像を捕捉し、かつ、処理するためのシステムおよび方法複合画像を捕捉し、かつ、処理するためのシステムおよび方法
US7043071B2 (en) 2002-09-13 2006-05-09 Synopsys, Inc. Soft defect printability simulation and analysis for masks
US7504182B2 (en) 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
KR100474571B1 (ko) 2002-09-23 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치
US7061625B1 (en) 2002-09-27 2006-06-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus using interferometric metrology for high aspect ratio inspection
JP4310090B2 (ja) 2002-09-27 2009-08-05 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
US6831736B2 (en) 2002-10-07 2004-12-14 Applied Materials Israel, Ltd. Method of and apparatus for line alignment to compensate for static and dynamic inaccuracies in scanning
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
JP4302965B2 (ja) * 2002-11-01 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
US6807503B2 (en) 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US7386839B1 (en) 2002-11-06 2008-06-10 Valery Golender System and method for troubleshooting software configuration problems using application tracing
JP5107506B2 (ja) 2002-11-12 2012-12-26 エフ・イ−・アイ・カンパニー 欠陥分析器
US7457736B2 (en) 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7136143B2 (en) 2002-12-13 2006-11-14 Smith Bruce W Method for aberration detection and measurement
US6882745B2 (en) 2002-12-19 2005-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data
US7162071B2 (en) 2002-12-20 2007-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Progressive self-learning defect review and classification method
US7525659B2 (en) 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
KR100707817B1 (ko) 2003-02-03 2007-04-13 가부시키가이샤 섬코 검사 방법, 해석편의 제작 방법, 해석 방법, 해석 장치,soi 웨이퍼의 제조 방법, 및 soi 웨이퍼
US6718526B1 (en) 2003-02-07 2004-04-06 Kla-Tencor Corporation Spatial signature analysis
US7030966B2 (en) 2003-02-11 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations
US7756320B2 (en) 2003-03-12 2010-07-13 Hitachi High-Technologies Corporation Defect classification using a logical equation for high stage classification
JP3699960B2 (ja) 2003-03-14 2005-09-28 株式会社東芝 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法
US7053355B2 (en) 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7508973B2 (en) 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects
US6925614B2 (en) 2003-04-01 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for protecting and integrating silicon intellectual property (IP) in an integrated circuit (IC)
US6952653B2 (en) 2003-04-29 2005-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Single tool defect classification solution
US6859746B1 (en) 2003-05-01 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same
US7739064B1 (en) 2003-05-09 2010-06-15 Kla-Tencor Corporation Inline clustered defect reduction
JP2004340652A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hitachi Ltd 欠陥検査装置および陽電子線応用装置
US6777147B1 (en) 2003-05-21 2004-08-17 International Business Machines Corporation Method for evaluating the effects of multiple exposure processes in lithography
US7068363B2 (en) 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US7346470B2 (en) 2003-06-10 2008-03-18 International Business Machines Corporation System for identification of defects on circuits or other arrayed products
US9002497B2 (en) 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
US7135344B2 (en) 2003-07-11 2006-11-14 Applied Materials, Israel, Ltd. Design-based monitoring
US6947588B2 (en) 2003-07-14 2005-09-20 August Technology Corp. Edge normal process
US7968859B2 (en) 2003-07-28 2011-06-28 Lsi Corporation Wafer edge defect inspection using captured image analysis
US6988045B2 (en) 2003-08-04 2006-01-17 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic metrology sampling methods, and system for performing same
US7271891B1 (en) 2003-08-29 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity
US7433535B2 (en) 2003-09-30 2008-10-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Enhancing text-like edges in digital images
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7114143B2 (en) 2003-10-29 2006-09-26 Lsi Logic Corporation Process yield learning
US7103484B1 (en) 2003-10-31 2006-09-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact methods for measuring electrical thickness and determining nitrogen content of insulating films
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2005183907A (ja) 2003-11-26 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン解析方法及びパターン解析装置
JP4351522B2 (ja) 2003-11-28 2009-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US8151220B2 (en) 2003-12-04 2012-04-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data
KR101056142B1 (ko) 2004-01-29 2011-08-10 케이엘에이-텐코 코포레이션 레티클 설계 데이터의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로구현되는 방법
JP4426871B2 (ja) 2004-02-25 2010-03-03 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Fib/sem複合装置の画像ノイズ除去
US7194709B2 (en) 2004-03-05 2007-03-20 Keith John Brankner Automatic alignment of integrated circuit and design layout of integrated circuit to more accurately assess the impact of anomalies
JP2005283326A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥レビュー方法及びその装置
JP4313755B2 (ja) 2004-05-07 2009-08-12 株式会社日立製作所 再生信号の評価方法および光ディスク装置
US7171334B2 (en) 2004-06-01 2007-01-30 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for synchronizing data acquisition of a monitored IC fabrication process
JP4347751B2 (ja) 2004-06-07 2009-10-21 株式会社アドバンテスト 不良解析システム及び不良箇所表示方法
US7207017B1 (en) 2004-06-10 2007-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for metrology recipe generation and review and analysis of design, simulation and metrology results
US7788629B2 (en) 2004-07-21 2010-08-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems configured to perform a non-contact method for determining a property of a specimen
WO2006012388A2 (en) 2004-07-22 2006-02-02 Kla-Tencor Technologies Corp. Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process
CN101027693B (zh) 2004-08-09 2010-05-12 伯拉考国际股份公司 基于多个掩码的用于医学成像的像对准方法及设备
US7310796B2 (en) 2004-08-27 2007-12-18 Applied Materials, Israel, Ltd. System and method for simulating an aerial image
TW200622275A (en) 2004-09-06 2006-07-01 Mentor Graphics Corp Integrated circuit yield and quality analysis methods and systems
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
US7142992B1 (en) 2004-09-30 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing
US7783113B2 (en) 2004-10-08 2010-08-24 Drvision Technologies Llc Partition pattern match and integration method for alignment
KR20180037323A (ko) 2004-10-12 2018-04-11 케이엘에이-텐코 코포레이션 표본 상의 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법 및 시스템
JP4045269B2 (ja) 2004-10-20 2008-02-13 株式会社日立製作所 記録方法及び光ディスク装置
US7729529B2 (en) 2004-12-07 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
KR20060075691A (ko) 2004-12-29 2006-07-04 삼성전자주식회사 결함 검사 방법
JP2006220644A (ja) * 2005-01-14 2006-08-24 Hitachi High-Technologies Corp パターン検査方法及びその装置
JP2006200972A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
JP4895569B2 (ja) 2005-01-26 2012-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置
US7475382B2 (en) 2005-02-24 2009-01-06 Synopsys, Inc. Method and apparatus for determining an improved assist feature configuration in a mask layout
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
US7813541B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
CN1828857A (zh) * 2005-03-02 2006-09-06 盟图科技股份有限公司 检测光掩膜缺陷方法
US7496880B2 (en) 2005-03-17 2009-02-24 Synopsys, Inc. Method and apparatus for assessing the quality of a process model
US7760929B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection
US7760347B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
US7444615B2 (en) 2005-05-31 2008-10-28 Invarium, Inc. Calibration on wafer sweet spots
KR100687090B1 (ko) 2005-05-31 2007-02-26 삼성전자주식회사 결함 분류 방법
US7853920B2 (en) 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
US7564017B2 (en) 2005-06-03 2009-07-21 Brion Technologies, Inc. System and method for characterizing aerial image quality in a lithography system
US7501215B2 (en) 2005-06-28 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a calibration substrate
US20070002322A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Yan Borodovsky Image inspection method
US8219940B2 (en) 2005-07-06 2012-07-10 Semiconductor Insights Inc. Method and apparatus for removing dummy features from a data structure
KR100663365B1 (ko) 2005-07-18 2007-01-02 삼성전자주식회사 내부에 적어도 한 쌍의 빔 경로들을 갖는 렌즈 유니트를구비하는 광학적 검사장비들 및 이를 사용하여 기판의 표면결함들을 검출하는 방법들
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7488933B2 (en) 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
JP4806020B2 (ja) 2005-08-08 2011-11-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法、公称条件で使用するためのリソグラフィプロセスの単一のモデルを作成するための方法、およびコンピュータ読取可能媒体
US7749666B2 (en) 2005-08-09 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections
KR100909474B1 (ko) 2005-08-10 2009-07-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 결함지수를 사용하여 국부성 불량 모드를 갖는결함성 반도체 웨이퍼의 검출 방법들 및 이에 사용되는장비들
WO2007026361A2 (en) 2005-09-01 2007-03-08 Camtek Limited A method and a system for establishing an inspection recipe
JP4203498B2 (ja) 2005-09-22 2009-01-07 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン欠陥検査方法
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570800B2 (en) 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
KR100696276B1 (ko) 2006-01-31 2007-03-19 (주)미래로시스템 웨이퍼 결함 검사 장비들로부터 획득된 측정 데이터들을이용한 자동 결함 분류 시스템
US7801353B2 (en) 2006-02-01 2010-09-21 Applied Materials Israel, Ltd. Method for defect detection using computer aided design data
KR101324419B1 (ko) 2006-02-09 2013-11-01 케이엘에이-텐코 코포레이션 웨이퍼의 특성을 결정하기 위한 방법 및 시스템
JP4728144B2 (ja) 2006-02-28 2011-07-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査装置
WO2007137261A2 (en) 2006-05-22 2007-11-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool
JP4791267B2 (ja) 2006-06-23 2011-10-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査システム
US8102408B2 (en) 2006-06-29 2012-01-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs
JP4165580B2 (ja) 2006-06-29 2008-10-15 トヨタ自動車株式会社 画像処理装置及び画像処理プログラム
US7664608B2 (en) 2006-07-14 2010-02-16 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and apparatus
JP2008041940A (ja) 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp Sem式レビュー装置並びにsem式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
US7904845B2 (en) 2006-12-06 2011-03-08 Kla-Tencor Corp. Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
JP5427609B2 (ja) 2006-12-19 2014-02-26 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 検査レシピ作成システムおよびその方法
WO2008086282A2 (en) 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US8073240B2 (en) 2007-05-07 2011-12-06 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US8799831B2 (en) 2007-05-24 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Inline defect analysis for sampling and SPC
US7962864B2 (en) 2007-05-24 2011-06-14 Applied Materials, Inc. Stage yield prediction
KR100877105B1 (ko) 2007-06-27 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 패턴 검증 방법
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US8611639B2 (en) 2007-07-30 2013-12-17 Kla-Tencor Technologies Corp Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
US7975245B2 (en) 2007-08-20 2011-07-05 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects
WO2009026661A1 (en) 2007-08-30 2009-03-05 Bt Imaging Pty Ltd Photovoltaic cell manufacturing
US8155428B2 (en) 2007-09-07 2012-04-10 Kla-Tencor Corporation Memory cell and page break inspection
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
JP5022191B2 (ja) 2007-11-16 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US7890917B1 (en) 2008-01-14 2011-02-15 Xilinx, Inc. Method and apparatus for providing secure intellectual property cores for a programmable logic device
US7774153B1 (en) 2008-03-17 2010-08-10 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for stabilizing output acquired by an inspection system
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US8049877B2 (en) 2008-05-14 2011-11-01 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for selecting polarization settings for an inspection system
US8000922B2 (en) 2008-05-29 2011-08-16 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating information to be used for selecting values for one or more parameters of a detection algorithm
US9710903B2 (en) 2008-06-11 2017-07-18 Kla-Tencor Corp. System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features
US7973921B2 (en) 2008-06-25 2011-07-05 Applied Materials South East Asia Pte Ltd. Dynamic illumination in optical inspection systems
US8269960B2 (en) 2008-07-24 2012-09-18 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for inspecting and/or classifying a wafer
WO2010013665A1 (ja) 2008-08-01 2010-02-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥レビュー装置および方法、並びにプログラム
US8255172B2 (en) * 2008-09-24 2012-08-28 Applied Materials Israel, Ltd. Wafer defect detection system and method
KR20100061018A (ko) 2008-11-28 2010-06-07 삼성전자주식회사 다수 전자빔 조건의 멀티 스캔을 연산하여 새로운 패턴 이미지를 창출하는 반도체 소자의 디펙트 검사 장치 및 방법
US9262303B2 (en) 2008-12-05 2016-02-16 Altera Corporation Automated semiconductor design flaw detection system
US8041106B2 (en) * 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle
US8094924B2 (en) 2008-12-15 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. E-beam defect review system
SG164293A1 (en) * 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
US8223327B2 (en) 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
US8605275B2 (en) * 2009-01-26 2013-12-10 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
JP5641463B2 (ja) 2009-01-27 2014-12-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置及びその方法
JP5619776B2 (ja) 2009-02-06 2014-11-05 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ウエハの検査のための1つまたは複数のパラメータの選択方法
JP5570530B2 (ja) * 2009-02-13 2014-08-13 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ウェハー上の欠陥検出
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
JP2010256242A (ja) 2009-04-27 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
US8595666B2 (en) * 2009-07-09 2013-11-26 Hitachi High-Technologies Corporation Semiconductor defect classifying method, semiconductor defect classifying apparatus, and semiconductor defect classifying program
US8295580B2 (en) 2009-09-02 2012-10-23 Hermes Microvision Inc. Substrate and die defect inspection method
JP5622398B2 (ja) * 2010-01-05 2014-11-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ Semを用いた欠陥検査方法及び装置
US8437967B2 (en) 2010-01-27 2013-05-07 International Business Machines Corporation Method and system for inspecting multi-layer reticles
JP5444092B2 (ja) * 2010-04-06 2014-03-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査方法およびその装置
JP5722551B2 (ja) * 2010-05-13 2015-05-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
JP5553716B2 (ja) * 2010-09-15 2014-07-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
KR20120068128A (ko) 2010-12-17 2012-06-27 삼성전자주식회사 패턴의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검출 장치
JP5715873B2 (ja) 2011-04-20 2015-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥分類方法及び欠陥分類システム
US9201022B2 (en) 2011-06-02 2015-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extraction of systematic defects
JP2012255740A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Fujitsu Semiconductor Ltd 欠陥検査装置および欠陥検査方法
US9069923B2 (en) 2011-06-16 2015-06-30 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. IP protection
US20130009989A1 (en) 2011-07-07 2013-01-10 Li-Hui Chen Methods and systems for image segmentation and related applications
US8611598B2 (en) 2011-07-26 2013-12-17 Harman International (China) Holdings Co., Ltd. Vehicle obstacle detection system
US8977035B2 (en) 2012-06-13 2015-03-10 Applied Materials Israel, Ltd. System, method and computer program product for detection of defects within inspection images
US9916653B2 (en) * 2012-06-27 2018-03-13 Kla-Tenor Corporation Detection of defects embedded in noise for inspection in semiconductor manufacturing
US9053390B2 (en) 2012-08-14 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Automated inspection scenario generation
US9189844B2 (en) * 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
KR102019534B1 (ko) * 2013-02-01 2019-09-09 케이엘에이 코포레이션 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출

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