KR20220154000A - 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템 및 방법 - Google Patents

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KR20220154000A
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이종민
이형석
김영근
성진욱
김동훈
조현준
이민지
장완성
이각인
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(주)하이비젼시스템
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템은 검사시료 맵 내의 적어도 하나 이상에 실장된 주요부 및 외각부의 트리거 피치를 산출하는 트리거 피치 산출부; 상기 트리거 피치를 기초로 검사시료의 주요부 및 상기 주요부의 외각부를 슬라이싱 스캔하는 검사시료 스캐너; 상기 검사시료의 슬라이싱 스캔동작 시에, 상기 주요부 및 상기 외각부에 광비율이 서로 다른 광을 조사하는 광 조사부; 및 기 설정된 스캔 시퀀스를 기초로 상기 검사시료 스캐너의 스캔동작 및 상기 광 조사부의 광 조사 동작이 동기화되도록 상기 검사시료 스캐너 및 광 조사부의 동작을 제어하는 동기화 제어부를 포함한다.

Description

위치 선택형 가변 광원 제어 시스템 및 방법{Optical system and method for controlling positional variable light sources}
본 발명의 실시예는 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 결함 검사 분야에 적용 가능한 광원 제어 시스템에 관한 것이다.
자동 광학 검사(AOI)는 웨이퍼(wafers), 칩(chips) 또는 기타 검사 대상물(OUI: objects under inspection)을 빠르고 고정밀하며 비파괴적 검사를 할 수 있으며, PCB, IC 웨이퍼, LED, TFT, 태양 전지판(solar panel) 및 다른 여러 응용에서 널리 사용된다. AOI 기술은 일반적으로 OUI의 이미징을 위한 고정밀 광학 이미징 시스템(high-precision optical imaging system)을 이용한다. OUI는 가공대상물 스테이지(workpiece stage)에 운반(carried)되고, 고속 측정을 달성하도록 스캔을 위해 고속으로 이동(moved)된다. 또한, 시스템은 스캔되고 이상적인 참조 이미지들(scanned and ideal reference images), 특징 추출(feature extraction) 등을 비교함으로 써 OUI의 표면에서의 결함을 식별한다.
광학 특성이 다른 다양한 유형의 OUI 결함들이 있기 때문에, AOI 장치는 일반적으로 여러 유형의 결함들에 대처하기 위해 다수의 측정 구성들(measurement configurations)이 장착된다. 예를 들어, 명시야 조명(brightfield illumination)을 구비한 구성은 오염, 스크래치 등을 검출하는데 사용될 수 있고, 암시야 조명(darkfield illumination)을 사용하여 작은 입자를 검출할 때 더 높은 감도가 획득될 수 있다. 그러므로, 웨이퍼 결함 검사의 분야에서는, 검출 감도 및 수율을 향상시키기 위해, 다양한 측정 구성들로 단일 웨이퍼를 검사하는 것이 일반적이다.
예를 들어, 종래의 AOI 시스템은 먼저 웨이퍼 표면의 이미지를 캡쳐(captures)한 다음, 결함을 식별하기 위해 실제 캡쳐된 이미지와 비교되는 이상적인 이미지를 생성하기 위해 이미지에 대해 학습(trained)된다. 스캐닝 동안, 가공대상물 스테이지는 명시야 조명 모드에서 웨이퍼를 스캐닝하고 검사하는 검출기를 구비하여, 고속으로 이동하도록 웨이퍼를 운반한다. 명시야 구성(bright-field configuration)의 스캐닝에 이어서, 시스템은 암시야 조명으로 전환되고, 동일한 검출기가 다시 웨이퍼를 스캔하고 검사한다.
도 1은 이 프로세스의 타이밍 다이어그램(timing diagram)을 도시한다. 도시된 바와 같이, 각 웨이퍼는 2 회 스캐닝되고, 필연적으로 감소된 웨이퍼 검사 속도, 증가된 검사 시간, 및 따라서 감소된 검사 효율성을 이끈다. 또한, 동일한 검출기가 명시야와 암시야 스캔들에 사용된다. 그러나, 기존 검출기들의 성능(주로 프레임 속도)은 매우 짧은 시간에 두 번의 연속 노출 사이클들(exposure cycles) 사이에서 전환을 허용하지 않는다. 이로 인해 검사 효율이 더욱 제한된다.
공개특허공보 제10-2007-0074987호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 종래의 문제점을 해결할 수 있는 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템은 검사시료 맵 내의 적어도 하나 이상에 실장된 주요부 및 외각부의 트리거 피치를 산출하는 트리거 피치 산출부; 상기 트리거 피치를 기초로 검사시료의 주요부 및 상기 주요부의 외각부를 슬라이싱 스캔하는 검사시료 스캐너; 상기 검사시료의 슬라이싱 스캔동작 시에, 상기 주요부 및 상기 외각부에 광비율이 서로 다른 광을 조사하는 광 조사부; 및 기 설정된 스캔 시퀀스를 기초로 상기 검사시료 스캐너의 스캔동작 및 상기 광 조사부의 광 조사 동작이 동기화되도록 상기 검사시료 스캐너 및 광 조사부의 동작을 제어하는 동기화 제어부를 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 방법은 검사시료의 이미지를 추출하는 단계; 상기 이미지 내에 주요부 및 외각부의 스캔영역을 지정하는 단계; 상기 주요부, 외각부 및 상기 주요부와 외각부의 교차영역의 X축 및 Y축에 대한 트리거 피치를 산출하는 단계; 상기 주요부 및 외각부에 조사될 광비율이 서로 다른 광을 설정하는 단계; 동기화 제어부에서 검사시료 스캐너의 스캔동작과 광 조사부의 광 조사 동작을 동기화시키는 단계; 및 상기 트리거 피치를 기초로 상기 주요부 및 외각부를 슬라이싱 스캔시에, 해당 위치에 따른 광비율이 적용된 광을 조사하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템 및 방법을 이용하면, 검사시료에 실장된 주요부 및 외각부 마다의 스캔 위치별 조명조건 맵을 이용함으로써, 개별 단위 부위에 따라 광원을 조절하고, 각 부위에 적합한 조명으로 스캔 이동 중 실시간 조명제어를 할 수 있어, 검사시료대상의 결함 검사를 온전히 수행할 수 있으며, 동일 시료를 조명 조건을 달리하여 수 차례 검사하는 과정을 한번의 검사 과정에 넣어 공정 시간을 단축시킨다는 이점을 제공한다
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템의 장치 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 광 조사부의 일 예시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 트리거 피치 산출부에서 AOI 검사시료에 실장된 주요부 및 외각부 각각의 트리거 피치 거리를 산출한 예시도이다.
도 4는 주요부 및 외각부의 트리거 피치 거리에 따라 AOI 검사시료의 스캔 시퀀스를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 방법의 흐름도이다.
이하, 본 발명의 다양한 실시예가 첨부된 도면과 연관되어 기재된다. 본 발명의 다양한 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들이 도면에 예시되고 관련된 상세한 설명이 기재되어 있다. 그러나, 이는 본 발명의 다양한 실시예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 다양한 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경 및/또는 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용되었다.
본 발명의 다양한 실시예에서 사용될 수 있는“포함한다” 또는 “포함할 수 있다” 등의 표현은 개시(disclosure)된 해당 기능, 동작 또는 구성요소 등의 존재를 가리키며, 추가적인 하나 이상의 기능, 동작 또는 구성요소 등을 제한하지 않는다. 또한, 본 발명의 다양한 실시예에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명의 다양한 실시예에서 “또는” 등의 표현은 함께 나열된 단어들의 어떠한, 그리고 모든 조합을 포함한다. 예를 들어, “A 또는 B”는, A를 포함할 수도, B를 포함할 수도, 또는 A 와 B 모두를 포함할 수도 있다. 본 발명의 다양한 실시예에서 사용된 “제1,” “제2,” “첫째,” 또는 “둘째,” 등의 표현들은 다양한 실시예들의 다양한 구성요소들을 수식할 수 있지만, 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 예를 들어, 상기 표현들은 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 상기 표현들은 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 사용자 기기와 제2 사용자 기기는 모두 사용자 기기이며, 서로 다른 사용자 기기를 나타낸다. 예를 들어, 본 발명의 다양한 실시예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 상기 어떤 구성요소와 상기 다른 구성요소 사이에 새로운 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소와 상기 다른 구성요소 사이에 새로운 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있어야 할 것이다.
본 발명의 다양한 실시예에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명의 다양한 실시예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명의 다양한 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
일반적으로 사용되는 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 다양한 실시예에서 명백하게 정의되지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면들에 기초하여 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템 및 방법을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
먼저, 본 발명은 AOI 검사 시료(예컨대, CIS의 웨이퍼, LED 기판 또는 TFT 패널, 태양전지판, PCB와 전자부품 또는 그 외의 대상체)의 결함 검사 분야에서 검사 대상체의 주요부위 및 외각부의 위치에 따라 결함 검출에 유리한 광을 조사하여 실시간 등속이동 중에 이뤄질 수 있도록 하고자 하는 발명일 수 있다.
이에 본 발명에서는 검사시료의 주요부 및 외곽부의 위치별 조명 조건 맵을 설정하고, 설정된 조명 조건 맵을 이루는 개별 단위 부위에 따라 광원을 조절하여 주요부 및 외곽부를 스캔 이동시에 각각에 적합한 조명을 실시간 조사함으로써, 온전한 결함검사가 이루어지도록 하기 위한 발명일 수 있다.
상기 주요부 및 상기 외각부는 광에 대한 특성이 서로 다른 영역으로, 이상에서는 검사시료대상 중 하나인 웨이퍼를 그 예로 설명한다.
상기 주요부는 검사시료가 웨이퍼일 경우, 웨이퍼 상에서 로직회로나 이미지 센서의 APS가 실장되는 부분을 의미하고, 외곽부는 웨이퍼 상에서 PAD부나 chipping line이 실장되는 부분을 의미한다.
또한, 본원은 주요부와 외곽부를 제외한 영역에서는 광 조사뿐만 아니라 스캔 동작을 실시하지 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템의 장치 블록도이고, 도 3a는 도 1에 도시된 광 조사부의 구성을 나타낸 일 예시도이고, 도 3b는 주요부, 외각부 및 주요부와 외각부의 교차영역의 트리거 피치 거리를 표시한 예시도이고, 도 3c는 동축광과 비축광에 따른 스캔 사진의 일 예시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템(100)은 스캔 대상영역 지정부(110), 트리거 피치 산출부(120), 광 비율 정보 저장부(130), 광 조사부(140), 검사시료 스캐너(150) 및 동기화 제어부(160)를 포함한다.
상기 스캔 대상영역 지정부(110)는 검사시료 맵을 이용하여 검사시료의 주요부 및 외각부의 스캔영역을 지정하는 구성으로, 검사시료가 웨이퍼일 경우, 복수 개의 웨이퍼 다이들 중 스캔 대상 영역인 주요부 및 외각부의 스캔영역을 지정하는 구성일 수 있다.
예컨대, 도 3c를 참조, 6, 7, 10. 11은 검사 시료의 주요부로서 비축조명이 조사될 영역이고, 나머지 영역은 외각부로서 동축조명이 조사되는 영역이다. 참고로, 도 3c는 웨이퍼를 AOI 검사시료대상으로 지정하여 도식화한 도이다.
상기 트리거 피치 산출부(120)는 외부로부터 검사시료 맵 데이터를 기초로 주요부 및 외각부가 실장된 검사시료대상(예컨대, 웨이퍼 다이(DIE))의 전체 영역 중 주요부 및 외각부 각각의 트리거 피치 거리를 산출하는 구성일 수 있다. 여기서, 트리거 피치 거리는 슬라이싱 스캔 간격을 의미한다.
상기 트리거 피치 산출부(120)는 주요부, 외각부 및 주요부와 외각부가 중첩된 영역에 해당하는 트리거 피치를 산출하여 제공할 수 있다.
일 예로, 도 3b를 참조, 1개 DIE의 주요부, 외각부, 주요부와 외각부에 대한 트리거 피치는 XA(0.9907), XB(1.3774), YA(0.8386) 및 YB(1.3172)와 같이 산출될 수 있다.
다음으로, 광 비율정보 저장부(130)는 스캔영역(주요부, 외각부, 주요부와 외각부가 중첩된 영역)에 조사될 광 비율값을 저장하는 구성일 수 있다.
일 예로, 주요부는 동축광(BF)과 비축광(DF)의 광비율을 1:9로 적용한 광이 조사되고, 외각부는 동축광(BF)과 비축광(DF)의 광비율을 9:1로 적용한 광이 조사된다.
여기서, 주요부에 비축광 비율을 높이고, 외각부에 동축광 비율을 높이는 이유는 웨이퍼 다이(Wafer Die)의 종류에 따라 차이는 있으나, 현재 CMOS Image sensor(CIS) Wafer의 경우에 다이(Die)의 중앙영역은 센서영역(APS)이고 그 외 외곽부 영역은 PAD, Logic 등으로 구성되어 있고, 검사시, 영역별로 조명 비율에 차이를 두는 이유는 각 영역이 조명에 따라 밝기 차이가 크기 때문이다. 즉, 각 영역별 영상은 검사에 필요한, 적정 밝기 수준이 되어야 하며 APS의 경우 비축광에 강하게 반응하며, 외곽부분은 동축광에 강하게 반응한다.
다음으로, 광 조사부(140)는 검사시료 상에 실장된 주요부(로직회로나 이미지 센서의 APS가 실장되는 부분) 및 외곽부(웨이퍼 상에서 PAD부나 chipping line이 실장되는 부분)에 결함 검출에 필요한 광을 조사하는 구성일 수 있다. 상기 광 조사부(200)는 후술하는 검사시료 스캐너(110)와 함께 이동할 수도 있다.
상기 광 조사부(140)는 도 3을 참조, 광 비율정보 저장부(130)에서 저장된 데이터를 기초로 주요부 및 외곽부에 서로 다른 광비율을 갖는 광을 조사하는 구성일 수 있다.
상기 광 조사부(140)는 2개의 광원부를 포함할 수 있고, 펄스모드(Pulse Mode)로 제1 광원부 및 제2 광원부는 미리 결정된 시간동안 펄스 광 조사를 제어한다.
제1 광원부는 명시야 구성(bright-field)으로 동축광을 제공하는 구성이고, 제2 광원부는 암시야 구성(dark-field)으로 비축광을 제공하는 구성일 수 있다.
한편, 상기 광 조사부(140)는 스캔대상인 주요부 상에 동축광(BF)과 비축광(DF)의 광비율을 1:9로 적용한 광을 조사하고, 스캔대상인 외곽부 상에 동축광(BF)과 비축광(DF)의 광 비율을 9:1로 적용한 광을 조사하는 구성일 수 있다.
여기서, 동축광(BF)는 수직광이며, 비축광(DF)는 기 설정된 입사각을 갖는 광이다. 여기서, 입사각은 1~89 도 범위 내의 각일 수 있다.
상기 광 조사부(140)는 복수 개의 빔 프리즘들을 더 포함할 수 있고, 복수 개의 빔 프리즘들은 제1 광원부 및 제2 광원부에서 출력된 펄스 광의 방향을 수직 또는 경사지게 변경시킬 수 있다. 이러한 광의 방향을 변경시키는 구성들은 당 업계의 통상 지식에 속하며, 본 발명의 목적에 필수적인 것은 아니다. 따라서, 본원에서는 구체적인 설명은 생략한다.
다음으로, 검사시료 스캐너(150)는 웨이퍼 맵에 설정된 광 비율에 따라 구분된 스캔영역에 기초하여 웨이퍼에 실장된 주요부, 외각부, 주요부와 외각부의 교차영역을 산출된 트리거 피치(trigger pitch) 거리를 따라 웨이퍼 다이를 슬라이싱 스캔하는 구성일 수 있다.
이때, 검사시료 스캐너(150)의 스캔 시퀀스는 TEST FOV 보다 큰 시료를 이동하는 시퀀스일 수 있다.
일 예로, 검사시료가 웨이퍼일 경우, 웨이퍼의 1 DIE 마다 'ㄹ' 자 패턴으로 진행될 수 있다. 예를 들어, 1 DIE 기준의 스캔 시퀀스(Scan sequence)는 도 2에 도시된 순서로 진행된다. 여기서, 스캔 시퀀스는 주요부 및 외각부의 가로(X) 및 세로(Y) 각각의 트리거 피치 거리로 구성된다.
또한, 검사시료 스캐너(150)는 주요부 및 외각부의 영역별 스캔 이미지를 취득 후 병합하고, 레퍼런스 이미지를 생성할 수 있다.
다음으로, 동기화 제어부(160)는 기 설정된 스캔 시퀀스를 기초로 상기 검사시료 스캐너의 스캔동작 및 상기 광 조사부의 광 조사 동작이 동기화되도록 상기 웨이퍼 스캐너 및 광 조사부의 동작이 동기화되도록 제어한다.
따라서, 상기 광 조사부(140) 및/또는 웨이퍼 스캐너(150)는 동기화 제어부(160)를 통해 동일한 시퀀스로 동작한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 방법을 설명한 흐름도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 방법(S700)은 검사시료 맵에서 검사시료대상(예컨대, 웨이퍼의 1 DIE) 이미지를 추출하는 과정(S710), 상기 이미지 내에 주요부 및 외각부의 스캔영역을 지정하는 과정(S720), 상기 주요부, 외각부 및 상기 주요부와 외각부의 교차영역의 X축 및 Y축에 대한 트리거 피치를 산출하는 과정(S730), 상기 주요부 및 외각부에 조사될 광비율이 서로 다른 광을 설정하는 과정(S740), 동기화 제어부에서 웨이퍼 스캔너의 스캔동작과 광 조사부의 광 조사 동작을 동기화하는 과정(S750) 및 상기 트리거 피치를 기초로 상기 검사시료대상 내의 주요부 및 외각부를 슬라이싱 스캔시에, 해당 위치에 따른 광비율이 적용된 광을 조사하는 과정(S760)으로 이루어질 수 있다.
한편, 광비율은 동축광과 비축광의 혼합비로서, 일 예로, 주요부는 동축광(BF)과 비축광(DF)의 광비율을 1:9로 적용한 광이 조사되고, 외각부는 동축광(BF)과 비축광(DF)의 광비율을 9:1로 적용한 광이 조사된다.
또한, 트리거 피치 거리를 산출하는 과정은 상기 주요부 및 상기 외각부의 교차되는 영역의 X축 및 Y축에 대한 트리거 피치 거리 또한 산출한다.
또한, 본 발명의 경우, 주요부와 외곽부를 제외한 영역에서는 광 조사뿐만 아니라 스캔 동작을 실시하지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템 및 방법을 이용하면, 검사시료에 실장된 주요부 및 외각부 마다의 스캔 위치별 조명조건 맵을 이용함으로써, 개별 단위 부위에 따라 광원을 조절하고, 각 부위에 적합한 조명으로 스캔 이동 중 실시간 조명제어를 할 수 있어, 검사시료대상의 결함 검사를 온전히 수행할 수 있으며, 동일 시료를 조명 조건을 달리하여 수 차례 검사하는 과정을 한번의 검사 과정에 넣어 공정 시간을 단축시킨다는 이점을 제공한다.
이상에서 설명한 것은 본 발명을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100: 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템
110: 스캔대상영역 지정부
120: 트리거 피치 산출부
130: 광 비율 정보 저장부
140: 광 조사부
150: 검사시료 스캐너
160: 동기화 제어부

Claims (7)

  1. 검사시료의 적어도 하나 이상에 실장된 주요부 및 외각부의 트리거 피치를 산출하는 트리거 피치 산출부;
    상기 트리거 피치를 기초로 검사시료의 주요부 및 상기 주요부의 외각부를 슬라이싱 스캔하는 검사시료 스캐너;
    상기 검사시료의 슬라이싱 스캔동작 시에, 상기 주요부 및 상기 외각부에 광비율이 서로 다른 광을 조사하는 광 조사부; 및
    기 설정된 스캔 시퀀스를 기초로 상기 검사시료 스캐너의 스캔동작 및 상기 광 조사부의 광 조사 동작이 동기화되도록 상기 검사시료 스캐너 및 광 조사부의 동작을 제어하는 동기화 제어부를 포함하는 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주요부 및 상기 외각부의 광비율이 저장된 광 비율 저장부를 더 포함하고,
    상기 광비율은 동축광과 비축광의 혼합비인 것을 특징으로 하는 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 주요부 및 상기 외각부는 광에 대한 특성이 서로 다른 영역인 것을 특징으로 하는 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 동기화 제어부는
    상기 광 조사부 및/또는 검사시료 스캐너를 Test FoV보다 큰 시료를 이동하며 검사하도록 제어하는 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 트리거 피치 산출부는
    상기 주요부 및 상기 외각부의 교차되는 영역의 X축 및 Y축에 대한 트리거 피치를 추가 산출하는 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템.
  6. 검사시료대상의 이미지를 추출하는 단계;
    상기 이미지 내에 주요부 및 외각부의 스캔영역을 지정하는 단계;
    상기 주요부, 외각부 및 상기 주요부와 외각부의 교차영역의 X축 및 Y축에 대한 트리거 피치를 산출하는 단계;
    상기 주요부 및 외각부에 조사될 광비율이 서로 다른 광을 설정하는 단계;
    동기화 제어부에서 검사시료 스캐너의 스캔동작과 광 조사부의 광 조사 동작을 동기화시키는 단계; 및
    상기 트리거 피치를 기초로 상기 주요부 및 외각부를 슬라이싱 스캔시에, 해당 위치에 따른 광비율이 적용된 광을 조사하는 단계를 포함하는 위치 선택형 가변 광원 제어 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 트리거 피치를 산출하는 단계는
    상기 주요부 및 상기 외각부의 교차되는 영역의 X축 및 Y축에 대한 트리거 피치를 추가 산출하는 단계를 포함하는 위치 선택형 가변 광원 제어 방법.
KR1020210129189A 2021-05-12 2021-09-29 위치 선택형 가변 광원 제어 시스템 및 방법 KR20220154000A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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