JPH01187437A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents

欠陥検査装置及び欠陥検査方法

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JPH01187437A
JPH01187437A JP63011725A JP1172588A JPH01187437A JP H01187437 A JPH01187437 A JP H01187437A JP 63011725 A JP63011725 A JP 63011725A JP 1172588 A JP1172588 A JP 1172588A JP H01187437 A JPH01187437 A JP H01187437A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は微小なゴミ等の異物を検査する装置、特に集
積回路の製造工程において用いられるフォトマスク、レ
チクル、半導体ウェハまたはフォトマスクもしくはレチ
クル用薄膜等（以下ペリクルという）の表面に付着した
異物等の欠陥を検査する装置に関するものである。
〔従来の技術］ 集積回路の製造工程の１つであるフォトリソグラフィ工
程においては、レチクルやフォトマスク等（以下「レチ
クル」という）を用いて回路パターンの半導体ウェハへ
の転写が行われる。
この場合において、レチクル等にゴミ等の異物が付着し
ていると、半導体ウェハに転写される際に回路パターン
の欠陥として現われ、その結果、歩留り低下等の原因と
なる。
このためレチクル等の表面に異物が付着しているかどう
かを検査するために、異物検査装置が用いられる。この
異物検査装置は、被検査物に光を当て、異物からの散乱
光を光電検出手段で検出することにより、該レチクル等
の表面上の異物の位置及び大きさに関する情報が得られ
、上記の不都合を防止するのに役立っている。
また最近では、異物がレチクル等の表面上に付着するこ
とを防止する方法として、レチクル等の表面上にペリク
ルと呼ばれる薄膜（異物付着防止膜）を装着することも
行われている。ペリクルを支持枠を介してレチクル等の
表面を被覆するように装着することにより、レチクル等
に直接異物が付着するのを防ぐものである。このペリク
ルを使用して露光装置による投影露光を行う場合には、
ペリクルの表面上に異物が付着しても、被投影物体すな
わち半導体ウェハ面上において異物像の焦点が合わない
ので、かかる異物像は転写されないことになる。
しかし、ペリクルの表面上に付着している異物が比較的
大きい場合には、半導体ウェハ面上において露光ムラが
生ずるおそれがある。また、ペリクルの下面、すなわち
レチクル側に付着した異物はたとえ露光ムラの原因とな
るような大きなものではなくても、ペリクル表面から離
脱してレチクル等の表面に付着する可能性があり、その
場合には半導体ウェハへ異物像が転写されてしまうこと
になる。
従って、ペリクルを使用する場合でも、ペリクルに付着
した異物の位置や大きさを検査する必要があり、さらに
異物がペリクルの上面（レチクル等と反対側の面）に付
着しているのか、下面（レチクル等側の面）に付着して
いるのかをも判定する必要がある。
〔発明が解決しようとする問題点３ 以上説明したように、例えばペリクルを使用する場合に
は、ペリクルに付着した異物の位置や大きさのみならず
、異物がペリクルの上面あるいは下面（すなわち外面か
内面）のいずれの面に付着しているかをも検査する必要
があるが、従来の異物検査装置ではべりタルの表面上の
異物の位置及び大きさを知ることはできても、異物がペ
リクルの上面（レチクル等と反対側の面）に付着してい
るのか下面（レチクル等側の面）に付着しているのかを
判定することができないという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、薄膜に付着した異物の位置や大きさのみならず、
その異物が薄膜の上面あるいは下面のいずれの面に付着
しているのかをも判定することができる欠陥検査装置を
提供することを目的とするものである。
〔問題点を解決する為の手段〕
上記目的のために本発明では、ペリクルのいずれか一方
の面に波長の異なる２つの光ビームを照射する照射手段
と前記２つの光ビームの入射角を変える入射角可変手段
と、前記光ビームのペリクルによる反射光もしくは、透
過光を受光する第一の光電検出手段と、前記光ビームの
異物による散乱光を受光する第二の光電検出手段と、こ
の第二の光電検出手段による検出信号に基づいて、ペリ
クルにおける異物付着面を判定する判定手段とを有する
ことを技術的要点とするものである。
あるいは、２つのビームの入射角は一定としたまま、第
二の光電検出手段の検出中心軸（光軸）とペリクルとの
成す角度を変化させるようにして、第一の光電検出手段
の機能を第二の光電検出手段−４＝ に持たせるようにした。
〔作　用〕
一般にペリクルは半導体ウェハへ回路パターンを転写す
る露光装置の与えられた露光波長に対して垂直入射のと
きその透過率が最も大きくなるようにペリクル膜厚を設
定している。
従って、入射する光の波長あるいはその入射角が異なれ
ばそれにともなってペリクルへの光の透過率も変化する
ことが本発明者によって確認されている。この様子を図
を用いて説明する。第２図（ａ）は同一のペリクルに対
して異なる２波長λ１、λ、の光を入射したときのペリ
クルへの光の透過率Ｔ（縦軸）の入射角θ（横軸）依存
性を示す。第２図中実線が波長λ、の光、−点鎖線が波
長λ２の光に対する透過率をそれぞれ示す。第２図（ｂ
）は、波長λ１の光に対するペリクルの透過率Ｔ１と波
長λ２の光に対するペリクルの透過率Ｔ２の比”ｒ、／
’ｒ、（縦軸）の入射角θ依存性を示す。第２図（ａ）
、（ｂ）ともに図中入射角θ２、θ４のときは波長λ１
に対するペリクルの透過率Ｔ１と波長λ２に対する透過
率Ｔ２は等しく’ｒ＋＝’ｒｚになり、入射角θ３、θ
、のときは２つの透過率Ｔ、、Ｔ、の関係はＴＩ　＜Ｔ
ｇになり、また入射角θ、ではＴＩ＞Ｔｔである。
さて、被検査対象であるペリクルが２つの波長λ１、λ
２の光に対して第２図（ａ）、（ｂ）のような透過率特
性をもっていると、このペリクルのいずれか一方の面に
２つの波長λ１、λ２の光を照射する場合、光の入射角
θがθ−θ２、またはθ＝θ４のときは光を照射する側
（以下、上面と称す）と反対のペリクル面（以下、下面
と称す）では、おのおのの光の絶対光量が低下すること
はあっても、波長λ１、λ２の光の光量比がペリクルの
上面と下面で変わることはない。これに対して、波長λ
１、λ２の光をθはθ１またはθ＝θ５の入射角で照射
するとペリクルの下面では波長λ２の光の方が波長λ１
の光より多く透過し、θ＝０３ではこの関係は逆転して
波長λ１の光の方が波長λ２の光より多く透過する。
仮りに、入射角θ＝θ３で、２つの波長λ１、λ２の光
をペリクルに照射したとき、ペリクルの上面に付着した
ある異物からの散乱光の光量を波長λ１、λ２に対応し
てＩ＋、Ｉｇとすると、この２つの入射光の光量が同じ
であれば散乱光量もほぼ同じ（ＩｌΣ１．）になる。し
かしペリクルの下面では波長λ１の光の方が波長λ２の
光より多く透過するので、波長λ１の光による異物から
の散乱光量１１の方が、波長λ２の光による散乱光量Ｉ
２よりも大きくなる。従って２つの波長λ３、λ２によ
る異物の散乱光量の比１ｔ／Ｌによってその異物がペリ
クルの上面、下面のいずれに付着しているかを判定する
ことが可能となる。
上記判定方法以外にも異なる２つの入射角で２つの波長
λ８、λ２の光を入射してもよい。すなわち、第２図（
ｂ）で例えば入射角が０１とθ３の組合せもしくはθ、
とθ、の組合せで、そのおのおのの２つの入射角につい
ておのおの２つの波長λ１、λ２の光を照射し、ペリク
ルに付着した異物からの散乱光量の比Ｉ＋／Ｉ＊を比較
するとき、ペリクルの下面に付着した異物では散乱光量
比Ｉｌ／Ｉｚは入射角がθ−θ１ではＩ　＋　／　Ｉ　
ｚ〈１、θ−θ３ではＩ　＋　／　Ｉ　ｚ　＞’１と逆
転する。
これに対してペリクルの上面に付着した異物では入射角
θがθ１であってもθ３であっても散乱光量比１ｔ／Ｌ
は常にほぼ１である。同じことは別の入射角の組合せ（
例えばθ−θ、とθ−θ３）でも起こる。これにより異
物の付着面の判定が可能となる。
以上述べたように、ペリクルの透過率が照射する光の波
長及び光の入射角で異なり、与えられた波長に対しては
、ある入射角では、ペリクルの裏面にいたる透過光量が
少なくなるという作用を用いて、異なる２つの波長の光
をペリクル面に同一人射角で照射したときのペリクル上
の異物からの散乱光量の比がペリクルの上面に付着した
異物と、下面に付着した異物とでは異なるので、これに
よって異物の付着面の判定が可能となる。
別の方法としである決まった一つの入射角で波長λ１、
λ２のレーザビームをペリクル上の異物に照射し、その
異物から得られる散乱光を受光角（ペリクルに対する上
下方向の角度）を変えて受光しても同様の効果が得られ
る。
すなわち、レーザビームの照射と同じ側（ペリクルの上
面側）で散乱光を受光する場合、ペリクルの下面に付着
した異物からの散乱光はペリクルを透過したのちに受光
されるので、受光角が変わると第２図（ａ）に示したペ
リクル透過率の入射角依存性に対応した散乱光量の変化
があられれる。
例えば、受光角がθ３のとき（このとき波長λ。
の光に対するペリクルの透過率の方が波長λ２の光に対
するペリクルの透過率より大きい）、ペリクル上面に付
着した異物では波長λ、波長λ２のおのおののレーザビ
ームを照射したときの受光光量が同じであっても、ペリ
クル下面に付着した異物では波長λ１のレーザビームを
照射したときの散乱光の方が、波長λ２のレーザビーム
を照射したときの散乱光に比べて、受光光量も多い。こ
の受光光量の大小によってペリクルに付着した異物の付
着面の判定が可能となる。もちろん入射角と受光角の各
々をかえて最適な状態をつくる事も可能であるのはいう
までもない。
〔実施例〕
以下本発明の実施例について、添付の図面を参照しなが
ら説明する。
まず第１図を参照しながら、本発明の第１実施例の構成
について説明する。
第１図において、被検査物としてのペリクル１は支持枠
２を介してレチクルまたはフォトマスク（以下レチクル
で代表する）３に装着されている。
レチクル３は、図中Ｘ方向及び紙面と垂直なＸ方向に移
動可能な不図示の載物台に載置されている。
従ってこの載物台をＸ方向、Ｘ方向に移動することによ
ってペリクル１の任意の位置の異物検査が可能となる。
一方ペリクル１の一方の面（第１図ではべりクル１の上
方の面）側には波長λ１の光ビームを出力するレーザ光
源４と波長λ、の光ビームを出力するレーザ光源５が置
かれている。波長λ１の光ビームと波長λ２の光ビーム
のおのおのの光量はほぼ等しくなるように設定される。
レーザ光源４．５のおのおのから出力されたレーザビー
ム６．７はダイクロイックミラー８によって同軸上の光
路９となる。ダイクロイックミラー８は、波長λ。
の光は反射せずに透過し、かつ波長λ２の光は透過せず
に反射するという波長選択性をもつ。同軸光路９を通る
波長λ１、λ２の２つのレーザビームは更に光路中に置
かれた可変濃度フィルター（可変ＮＤフィルター）１０
を通る。可変ＮＤフィルター１０はフィルターの位置に
よって透過率が異なり、駆動部１１によって可変ＮＤフ
ィルター１０を矢印１２の方向に移動することによって
光路９上の２つの波長λ７、λ２のレーザビームの光量
を同時に、かつ常に同じ減光率で変えることができる。
駆動部１１と可変ＮＤフィルター１２によって照射レー
ザビーム９の光量を波長の違いによらず同じ比率で調節
するのは以下の理由による。すなわち、既に作用の項で
説明したようにペリクル１の下面にある異物に光を照射
する場合、異物付着面の判定を確度よく行うために、光
ビームの入射角を変えるが、このとき入射角によっては
ペリクル１の透過率が低く、特にペリクル１の下面に付
着した微小な異物からは十分な散乱光量が得られず、検
出信号のＳ／Ｎ比の低下により異物の付着面を誤まって
判定してしまう場合もありうる。また、逆に大きな異物
の場合、光量が強すぎて検出信号が飽和することを防ぐ
必要がある。つまり、いかなる場合でも適切な散乱光量
が得られるようにするためである。また、本発明におい
ては、異なる２つの波長の光を異物に照射するが、この
とき２つの波長の光の光量の比は常に同じでなければ異
物付着面を誤まって判定する可能性がある。上記光量調
整を２つの波長の光で別々に行うには、例えば第１図中
、光路６と光路７で別々に光量調整を行わなければなら
ず、おのおのの光量の比を常に一定にするのは同軸光路
９で光量調整するよりも制御が難しくなるからである。
可変ＮＤフィルター１２を透過したレーザビームは、偏
光板２５によってペリクル１に対してＳ偏光（紙面と垂
直な偏光）で斜入射するように偏光されたのちに角度可
変ミラー１３を矢印２６の方向に回転することによって
、光路１４と光路１５の範囲内に偏向され、次いでレン
ズ１６によって屈折してペリクル１上の点Ｑに入射する
。角度可変ミラー１３の回転中心Ｐはペリクル１上の点
Ｑと光学的に共役な位置関係にあるので、角度可変ミラ
ー１３の角度を変えることにより、レーザビーム９０入
射角を入射角θヶからθ８の範囲で連続的に変え、かつ
常にペリクルｌ上の点Ｑを照射することが可能となる。
レーザビーム９０入射角としては１０６〜９０″の間が
好ましい。
ペリクル１の上面側にはべりクル１によるレーザビーム
９の正反射光を受光するためにレンズ１７と光電検出器
１８が配置されている。光電検出器１８はペリクル１上
の照射位置Ｑと光学的に共役な点Ｓ１に置かれているの
で、レーザビーム９の入射角が変化しても常に正反射光
を受光することが可能となる。レンズ１７と光電検出器
１８の光路中にはダイクロイックミラー１９が置かれ、
ダイクロイックミラー１９で分岐された正反射光はやは
りペリクル１上の照射位置Ｑと光学的に共役な点Ｓ２に
置かれた光電検出器２０によって受光される。ダイクロ
イックミラー１９は波長λ１の光は反射せずに透過し、
波長λ２の光は逆に透過せずに反射する波長選択性をも
っているので、光電検出器１８は波長λ１の正反射光の
みを、光電検出器２０は波長λ２の正反射光のみを受光
し、おのおの光量に比例した光電信号を出力する。
ここでペリクル１によるレーザビーム９の正反射光を受
光するレンズ１７及び２つの光電検出器１８．２０、ダ
イクロイックミラー１９が、ペリクル１による正反射光
を受光する位置に配置されているのは、ペリクル１が支
持枠２を介してレチクル３に装着された状態ではペリク
ル１の透過光を受光して直接透過率を正確に測定するこ
とが困難だからである。すなわち、ペリクル１の透過率
だけではな（レチクル３の透過率、更にもしレチクル３
の上下面両方にペリクルを装着するような場合は、レー
ザビームを照射する面倒（上側）のペリクルだけではな
く、それと反対の側（下側）に貼付されるペリクルの透
過率も影響して、被検査面である上側のペリクルの透過
率の測定は著しく困難となるからである。従って第１図
のように既にペリクル１がレチクル３に装着された状態
でのペリクル１の異物検査においては、被検査面である
ペリクル１の透過率を直接測定するのではなく、ペリク
ルｌの正反射光を検出して、２つの波長λ１、λ２に対
してペリクル１内部での吸収がないときは、透過率と反
射率の和が１であるという関係からペリクル１の透過率
を推し測る。もちろん、ペリクルがレチクルに装着され
ずペリクルが単体である場合は、レンズ１７、光電検出
器１８．２０及びダイクロイックミラー１９はべりタル
に対して、光を照射する側（上面側）と反対の側（下面
側）に配置して、ペリクルの透過率を直接測定すること
は可能であることはいうまでもない。
ペリクル１の上面にはべりクル１上の異物からの散乱光
を検出するための受光レンズ２１及び光電検出器２２．
２４が配置されている。受光レンズ２１と光電検出器２
２の間の光路中にはダイクロイックミラー２３が置かれ
ていて、波長λ１の散乱光のみを透過し、光電検出器２
２へ導き、また波長λ２の散乱光のみを反射し光電検出
器２４へ導くようになっている。散乱光検出用の光学系
、すなわち受光レンズ２１、ダイクロイックミラー２３
、光電検出器２２．２４はレーザビーム９の正反射光の
光路外の光の照射面側（上側）であれば、どこに配置し
てもよい。もちろん下面の異物からの散乱光がペリクル
を透過する際、減光されるべき角度を定めれば、より一
層効果がある。更にペリクルｌがレチクル３に装着され
ず、ペリクル１を単体で異物検査するような場合は、照
射面側と反対の面倒（下側）に散乱光検出の光学系を配
置して、散乱光を受光してもよい。第１図に示した第一
実施例はＸＹ力方向微動可能な載物台付きの顕微鏡に組
み込んでもよい。この場合は同時に異物の目視検査もで
きるという利点がある。
次に光電検出器１８．２０．２２．２４から出力される
光電信号の処理装置について第３図を参＝１６＝ 照しながら説明する。
光電検出器１８．２０．２２．２４の光電出力はおのお
の増幅器３０．３１．３２．３３によって増幅され、受
光光量に比例した電器信号Ｒ１、Ｒ２、Ｉ＋、Ｌを得る
。すなわちペリクル１による正反射光のうち波長λ１の
光に対しては光電信号Ｒ０、波長λ２の光に対しては光
電信号Ｒ２が得られ、ペリクル１に付着した異物からの
散乱光のうち波長λ１の光に対しては光電信号１１、波
長λ２の光に対しては光電信号Ｉ２がおのおの得られる
。−力制御部３４からの出力信号３５により角度可変ミ
ラー１３を角度を指定して駆動させて、レーザビーム９
の入射角を変える。このとき光電信号Ｒ１、Ｒ１は演算
部３６においてまず入射角θの関数として反射率Ｒ＋（
θ）、ＲＺ（θ）におのおの変換される。更に演算部３
６では波長λ１、λ２の光でのペリクル１の反射率Ｒ，
（θ）、Ｒ２（θ）の比が求められ、反射率Ｒ，（θ）
、Ｒ２（θ）の比が最も大きくなる入射角θ。が求めら
れ、この入射角でレーザビーム９がペリクル１に入射す
るように角度可変ミラー１３を駆動させるために信号３
７を制御部に出力する。
角度可変ミラー１３を駆動させて、波長λ１、λ２に対
するペリクル１の反射率Ｒ１（θ）、Ｒ２（θ）を求め
たのち、ペリクル１上の照射位置Ｑに検査したい異物を
不図示のｘ−ｙ駆動装置により移動させる。このとき波
長し、λ２の照射光に対する前記異物からの散乱光の光
電信号１．、■２は、角度可変ミラー１３を制御部３４
によって駆動して先に演算部３６で求めた入射角θ。に
固定した角度でＩｔ（θ。）、Ｉｚ（θ。）を得る。演
算部３８では、波長λ３、λ２に対するおのおのの光電
信号Ｉ＋（θ。）、Ｉｇ（θ。）の比が求められ、その
出力信号３９は判定部４０に入力される。判定部４０で
はｌ、（θ。）、１ｇ（θ。）の比から前記異物がペリ
クル１の照射面側（上面）に付着しているか照射面と反
対面側（下面）に付着しているかの判定を行う。そのた
めには、あるしきい値αと、Ｉ、（θ）と１２（θ）の
比との大小関係によって判定するが、そのときのしきい
値αは先に求めた反射率Ｒ＋（θ）、Ｒ２（θ）から演
算部３６において求められ、そのしきい値信号４１が判
定部４０に入力され、これによって前記異物の付着面を
判定し、その結果を例えば上面異物であるか、下面異物
であるかの状態に対応した２値化されたデジタル信号４
２を出力する。
次に第４図を用いて第１の異物付着面判定方法について
説明する。
まず波長λ１、λ２の光をペリクル面に照射しくステッ
プ５０参照）、制御部３４により角度可変ミラー１３を
駆動してレーザビーム９のペリクル１への入射角θをθ
４から６８の所定の角度範囲で変える。入射角θは連続
的に変えてもよいし数度ごとに離散的に変えてもよい。
入射角θは角度可変ミラー１３に例えばガルバノスキャ
ナーを用いた場合は、ガルバノスキャナーから出力され
る角度検出信号から知ることができる。このとき同時に
波長λ１、λ２の光に対するペリクル１の正反射光を光
電検出器１８．２０によっておのおの受光し、おのおの
の波長の光に対する反射率Ｒ＋（θ）、Ｒ２（θ）が入
射角θの関数として求められる（ステップ５１参照）。
次に波長λ１、λ２の光に対するペリクル１の透過率、
すなわち１−Ｒ，（θ）、Ｉ　　Ｒｚ（θ）の比が最大
となる入射角θ０をθヶ、θ、の角度範囲で求めるため
に、演算部３６においてｌｏｇ（（Ｉ　　Ｒ＋（θ））
／（１−Ｒｚ（θ））〕の絶対値が最大となる入射角θ
。を求める（ステップ５２参照）。次に角度可変ミラー
１３を駆動してレーザビーム９の入射角をθ。に設定す
る（ステップ５３参照）。入射角θ。では、波長λ１、
λ２の光に対するペリクル１の透過率の比が最も大きい
ので、異物の付着面の判定が他の入射角で２波長の光を
照射した場合よりも容易になる。ここで入射角θ。での
波長λ１、λ２の光に対する異物からの散乱光量Ｔ＋（
θ。）、Ｉｔ（θ。）の比から異物の付着面を判定する
ためには、散乱光量の光電信号＋、（θ。）、＋ｚ（θ
。）の比と、あるしきい値αとの大小関係を調べればよ
いが、そのしきい値αは入射角θ。での波長λ１、λ２
の光に対するペリクル１の反射率Ｒ＋　（θ。）、Ｒ２
（θ０）によって決まる。例えば波長λ、の光に対して
、Ｒ＋　（θ。）＝０％すなわち、透過率１００％、波
長λ２の光に対してＲ２（θ。）−５０％すなわち透過
率５０％であった場合は、しきい値αはおのおのの透過
率の平均値すなわち７５％に対応した値、例えばα＝　
］ｌｏｇＯ，７５ｌに設定するというように、その入射
角θ。におけるおのおのの透過率によってその都度しき
い値αを、α＝ｌＩｏｇ（（１−Ｒ１（θ。）＋　１−
Ｒｚ（θ。））／２）ｌというように設定する（ステッ
プ５４参照）。
次に、検査したい異物をレーザビームの照射部Ｑに移動
させる（ステップ５５参照）。第１図に示した第一実施
例を例えばＸＹ力方向移動可能な載物台を有した顕微鏡
に組み込んだ場合、照射部Ｑを対物レンズの光軸上に設
定しておけば、検査したい異物を目視観察しながら視野
の中心に移動させるという作業で容易に行われる。更に
撮像素子例えばｉＴＶ等を接続すればｉＴＶによる異物
観察と散乱光量の測定が同時に行うことが可能となる。
次に光電検出器２２．２４により、入射角θ。での波長
λ１、λ２に対する前記異物からの散乱光を受光して、
光量信号１．（θ。）、ｒｚ（θ。）をおのおの得る（
ステップ５６参照）。この測定（直１１（θ。）、Ｉｔ
（θ。）に基づいて第３図中の演算部３８においてＩｔ
（θ。）、Ｌ（θ。）の比、すなわちｌｏｇ（１＋（θ
６）／Ｉ！（θ。）〕の絶対値を求め、次いで判定部５
０において先にステップ５４で求めた異物付着面判定の
しきい値αとの大小関係により異物付着面の判定を行う
（ステップ５７参照）。既に述べたようにペリクル１に
照射する波長λ１の光と波長λ２の光の光量はおのおの
ほぼ等しい。従ってもし異物がペリクル１の上面（照射
面側）に付着している場合は、波長λ、の光に対する異
物からの散乱光量の光電信号Ｉｔ（θ。）と、波長λ２
の光に対する異物からの散乱光量の光電信号１ｚ（θ。
）はほぼ等しく、ｌｏｇ（１＋（θ。）／１２（θ。）
〕の絶対値はほぼゼロとなる。これに対して、異物がペ
リクル１の下面（照射面と反対の面倒）に付着している
場合は、１．（θ。）とＩｇ（θ。）は、ペリクル１の
波長λ１、λ２に対する透過率の比と同程度の比となる
ので、ｌｏｇ（Ｌ（θ。）／ｒｇ（θ。）〕の絶対値は
ゼロとはならない。そこで、先のしきい値αと比較して
もしｌｏｇ（１，（θ。）７１ｇ（θ。）〕の絶対値が
しきい値αより大きければその異物はべりクル１の下面
（照射面側と反対の面）に付着していると判定しくステ
ップ５８参照）、それ以外、すなわちｌｏｇ（Ｉ、（θ
ｏ）／Ｉｔ（θ。）〕の絶対値がしきい値αと等しいか
または小さい（ゼロも含む）場合は、前記異物はべりク
ル１の上面（照射面側）に付着していると判定しくステ
ップ５９参照）、異物付着面がペリクルｌの上面か下面
かの判定を例えば２値化されたデジタル信号４２として
判定部４０から出力する。
次に本発明による第２の異物付着面判定方法について第
５図のフローチャート図を参照して説明する。
まず波長λ０、λ２の光をペリクル面に照射しくステッ
プ６０参照）、制御部３４により角度可変ミラー１３を
駆動して、レーザビーム９のペリクル１への入射角θを
θヶからθ、の所定の角度範囲で変える。このとき同時
に波長λ８、λ２の光に対するペリクル１の正反射光を
光電検出器１８．２０によっておのおの受光し、おのお
のの波長の光に対する反射率Ｒ＋（θ）、Ｒ，（θ）が
入射角θの関数として求められる（ステップ６１参照）
。
次にペリクル１の透過率、すなわちＩ　　Ｒｔ（θ）、
１−Ｒｚ（θ）の比が最大となる入射角を、Ｉ　　Ｒｔ
（θ）がＩ　　Ｒｔ（θ）より大きい場合と、Ｉ　　Ｒ
ｔ（θ）がｔ−Ｒｚ（θ）より小さい場合の２通りで求
める。まず波長λ１に対するペリクル１の透過率Ｉ　　
Ｒｔ（θ）が波長λ２に対する透過率Ｉ　　Ｒｚ（θ）
より大きい場合、すなわちｌｏｇ　（＝２４− （１−Ｒ１（θ））／（１−Ｒ１（θ）））が正の値で
、かつｌｏｇ（（Ｉ　　Ｒｔ（θ））／（１−Ｒバθ）
）〕の絶対値が最大となる入射角θ３が求められる（ス
テップ６２参照）。同様にして、１−Ｒ，（θ）が１−
Ｒ，（θ）より小さい、すなわちｌｏｇ　（（１−Ｒｔ
（θ））／（１−Ｒ１（θ））〕が負の値で、かつｌｏ
ｇ（（ｔ−Ｒｔ（θ））／（１−Ｒ２（θ））〕の絶対
値が最大となる入射角θ１が求められる（ステップ６３
参照）。つまり入射角θ、のときはθ、からθ、の所定
の角度範囲内で波長λ１の光が波長λ２の光に比べて最
も多くペリクル１を透過し、逆に入射角θ、のときは波
長λ２の光が波長λ、の光に比べて最も多くペリクル１
を透過する。このおのおのの入射角θ８、θ１で第４図
に示した第１の異物付着面判定方法を実施すれば、更に
高い確率で異物の付着面の判定が可能となる。そのため
に第１の異物付着面判定方法に準じて、まず入射角θ、
での波長λ１、λ２の光に対する反射率Ｒ＋（θ３）、
Ｒｔ（θ、）から異物の付着面判定のしきい値β、（正
の値）を（ステップ６４参照）求め、入射角θ１での波
長λ１、Ｉ２の光に対する反射率Ｒ＋（θ、）、Ｒ，（
θ、）からしきい値β１　（正の値）を（ステップ６５
参照）求め、それぞれ例えばＲ３＝　ｌ　ｌｏｇ　Ｃ（
１−Ｒ＋（θｓ）　＋　ｌ　　Ｒｘ（Ｒ３））／２）ｌ
、β＋　＝　ｌ　　ｌｏｇ　（（Ｉ　　Ｒ＋（θ、）＋
１−Ｒ２（θ、））／２）ｌというように決める。次い
で検査したい異物をペリクル１上のレーザビーム９の照
射部Ｑに移動する（ステップ６６参照）。
角度可変ミラー１３を駆動して、レーザビーム−９の入
射角をＲ３に設定したのち（ステップ６７参照）、光電
検出器２２．２４により、波長λｌ、Ｉ２に対する異物
からの散乱光を受光し、おのおの光電信号Ｉｔ（Ｒ３）
、Ｌ（Ｒ３）を得る（ステ・ノブ６８参照）。同様にし
て、今度は入射角をＲ１に設定して（ステップ６９参照
）、波長λ１、Ｉ２に対する異物からの散乱光の光電信
号Ｉ、（θｌ）、Ｌ（θ、）のおのおのを得る（ステッ
プ７０参照）。
こうして得られた光電信号Ｉｔ（θ、）、Ｉ２（θ、）
、Ｉｔ（θＩ）、Ｉｚ（θＩ）に基づいて異物の付着面
の判定を行う（ステップ７１参照）。ペリクル１の下面
（照射面側と反対の面）に付着した異物では、入射角θ
３については波長λ１の光に対するペリクル１の透過率
の方が大きいので、波長λ１の光に対する異物からの散
乱光の光電信号１．（Ｒ３）の方が波長λ２の光に対す
る異物からの散乱光の光電信号Ｉｇ（θ、）より多くか
つ入射角θ１については、逆に波長λ２の光に対するペ
リクル１の透過率の方が大きいので、波長λ２の光に対
する異物からの散乱光の光電信号Ｉｔ（θｌ）の方が、
波長λ１の光に対する異物からの散乱光の光電信号Ｉ。
（θＩ）より多い。このことから入射角θ３における波
長λ１、Ｉ２の光に対する散乱光の光電信号の比１ｏｇ
（１＋（θｓ）／Ｉ２（Ｒ３）〕がステップ６４で求め
たしきい値β３　　（＞ｏ）よりも大きく、かつ入射角
θ、における波長λ５、Ｉ１の光に対する散乱光の光電
信号の比ｌｏｇ（１＋（θ＋）／Ｉｇ（θ＋））がステ
ップ６５で求めたしきい値β１　（〉０）の負数−β、
よりも小さければペリクル１の下面に付着した異物と判
定する（ステップ７２参照）。そしてこの判定条件（ス
テップ７１）を満足しなければ、その異物はペリクル１
の上面（照射面側）に付着していると判定する（ステッ
プ７３参照）。
以上述べた第２の異物付着面判定方法は、波長λ３、Ｉ
２に対するペリクル透過率の比が逆転する２つの入射角
θ３、θ、に対して、同時に判定条件（ステップ７１）
を満足するかどうかで異物の付着面の判定を行うので、
第４図に示した第１の付着面判定方法よりも、判定確率
は高いという利点がある。
なお、ペリクルの膜特性として、波長λ１、Ｉ２に対す
る光透過率の入射角依存性（Ｒ１（θ）及びＲｚ（θ）
）が予めわかっている場合、第４図におけるステップ５
０からステップ５４や、第５図におけるステップ６０か
らステップ６５は、既知としてただちに異物の散乱光を
受光するステップに入れる。また同種のペリクルを検査
する場合、予め、前のペリクルを検査時に求めた入射角
やしきい値を不図示の記憶装置に記憶しておき、同種の
ペリクルを検査する場合にそのデータを用いることもも
ちろん可能である。
次に第６図に基づいて本発明の第２実施例の装置構成を
説明する。
第６図においてはレーザビームの入射角を変える手段以
外の構成部分、すなわち、波長λ１、Ｉ２のビームを発
振するレーザ光源４．５、可変ＮＤフィルター１０、偏
光板２５等で構成される光源部、レンズ１７、光電検出
器１８．２０等のペリクルによる正反射光検出部、及び
受光レンズ２１、光電検出器２２．２４等の異物散乱光
受光部はすべて第１図の第１実施例と同じである。レン
ズ８２はペリクル１上の照射部Ｑが焦点と一致するよう
に配置されている。移動ミラー８０は矢印８１の方向に
不図示の駆動手段によって移動であり、かつ２波長のレ
ーザビーム９が常にレンズ８２の光軸！と平行に移動す
るような角度に設定されている。従って移動ミラー８０
によって移動されたのちのレーザビーム８３は、移動ミ
ラー８０を矢印８１の方向に移動することによって照射
部Ｑを中心に入射角θ、からθ、の範囲で連続的にペリ
クル１への入射角を変えることができる。この入射角は
移動ミラー８０の矢印８１方向の移動量によって知るこ
とができ、それには例えば移動ミラー８０に接続された
リニアエンコーダー等の測長器（図示せず）によって測
長される。第６図の第２実施例の場合、入射角可変のた
めのレンズ８２は、第１図の第１実施例における同じ目
的のためのレンズ１６よりも弱い屈折力で済み、その分
レンズ８２の設計が容易になるという利点がある。
次に第７図に基づいて本発明の第３実施例の構成を説明
する。
波長λ３、λ、のレーザビームを出力するレーザ光源４
．５と可変ＮＤフィルター１０との間の光路中には切り
換えミラー９０が配置されている。
切り換えミラー９０は矢印９１の方向に移動可能で、第
７図のように実線の位置に配置されているときはレーザ
光源５から出力されたレーザビーム９２は切り換えミラ
ー９０によって反射、偏向され、光路９３にいたる。こ
のときレーザ光源４から出力されたレーザビーム９４は
、切り換えミラー９０によりしゃ断され光路９３にいた
ることはできない。これに対して切り換えミラーを図中
破線の位置に移動すると、今度は逆にレーザビーム９４
のみが光路９３にいたる。つまり切り換えミラー９０を
矢印９１の方向に出し入れすることによって波長λ１の
レーザビーム９４かあるいは波長λ、のレーザビーム９
２かを選択していずれか一方のレーザビームのみを光路
９３に導くことが可能となる。
こうして得られた単波長のレーザビームは角度可変ミラ
ー１３及び、レンズ１６によって第１図に示した第１実
施例と同様にペリクル１上に斜入射し、その入射角をペ
リクル１上の照射部Ｑを中心にして変えることができる
。
本実施例においてペリクル１に入射するレーザ光は切り
換えミラー９０を矢印９１の方向に出し入れすることに
よって波長λ１の光か波長λ２の光かいずれか一方の光
であるので、正反射光９５及び異物からの散乱光９６を
受光する光電検出器も波長λ１、λ２用におのおの２個
用いる必要はない。ペリクル１による正反射光９５はレ
ンズ１７及びペリクル１上の照射部Ｑと共役な位置Ｓに
配置された光電検出器９７によって受光され、かつ正反
射光９５の光量に比例した光電信号を出力する。一方ペ
リクル１上の異物からの散乱光９６は受光レンズ２０に
よって集光され、光電検出器９８によって受光されて、
散乱光９６の光量に比例した光電信号を出力する。
もちろん本実施例においてはべりクル１へのレーザビー
ムの入射角を変えるための角度可変ミラー１３の代わり
に、第６図の第２実施例で用いた移動ミラー８０を利用
してもよい。
次に第８図に基づいて第７図中の光電検出器９７．９８
から出力される光電信号の処理装置を本発明の第３実施
例として説明する。
光電検出器９７．９８の光電出力はおのおの増幅器９９
．１００によって増幅され、受光光量に比例した電気信
号を出力する。光電検出器９７．９８は２つの波長λ１
、λｔの光を受光するが、光電検出器９７．９８の波長
特性によっては波長λ、の光に対する感度と波長λ２の
光に対する感度が異なる場合があるので、増幅器９９．
１００をＶＣＡ（ボルテージ・コントロール・アンプ）
構成とし、波長選択制御部１０１の出力１０２．１０３
によって増幅器９９．１００の増幅度を波長λ１の光の
ときと波長λ２の光のときとで切り換えて、光電検出器
９７．９８の波長λ１、λ２による感度差を補正する。
波長選択制御部１０１は、さらに切り換えミラー９０の
制御も行い、波長λ２の光をペリクル上に入射したいと
きは切り換えミラー９０を光路９３中に挿入し、波長λ
。
の光をペリクル１上に入射したいときは切り換えミラー
９０を矢印９１の方向に移動し、破線９５の位置に配置
するように信号１０４を出力する。
同時に波長選択制御部１０１は信号１０５．１０６を演
算部に１０７．１０８に出力し、増幅器９９．１００か
ら入力される光電信号が波長λ１、λ２のいずれの光の
光電信号であるのかを決定して、波長λ、の光に対する
ペリクルの正反射光であるならＲ１（θ）を、波長λ２
の光に対する正反射光であるならＲｚ（θ）を演算部１
０７において得る。同様にして演算部１０８においては
信号１０６に基づいて、異物からの散乱光のうち波長λ
１の光に対しては１．（θ）を、波長λ２の光に対して
はＩｇ（θ）をおのおの入射角θの関数として得る。そ
の後の信号処理、すなわち演算部１０７．１０８におけ
る光量比の演算、制御部３４による角度可変ミラー１３
の駆動制御及び判定部４０による異物付着面の判定はす
べて第３図に示した第１実施例における信号処理装置の
機能と同じである。尚、第３実施例においても、異物付
着面の判定方法は第４図、第５図に示した方法と同じ方
法を用いることが可能である。
次に第９図を用いて本発明第４実施例を説明する。
第９図においてレーザ光源４．５、切り換えミラー９５
、可変ＮＤフィルター１０、偏光板２５等で構成される
光源部はすべて第７図で示した第３実施例と同じである
。この光源部から得られる波長λ、又は波長λ２のレー
ザビーム１１０は固定ミラー１１１により偏向され、適
当な入射角θ。でペリクル１上の点Ｑに照射される。一
方ペリクルの点Ｑに付着した異物から得られる散乱光１
１２は受光レンズ１１３、光電検出器１１４によって構
成される受光部１１５によって受光され、受光光量に比
例した光電信号を出力する。受光部１１５は不図示の駆
動手段によって点Ｑを回転中心として矢印１１６の方向
にペリクルに対して上下に駆動可能である。受光部１１
５は入射レーザビーＪＡ１１０のペリクル１による正反
射レーザビーム１１７が受光レンズで１１３に入射しな
い位置であればどのような位置に配置してもよく、また
受光部１１５の受光角θゎの可変範囲も正反射レーザビ
ームが受光レンズ１１３に入射しない範囲であればどの
ように駆動させてもよい。しかしながら実際上は受光角
θ工は広範囲の方が異物の付着面判定の際の精度（判定
確率）が良く、Ｏ″〜９０″′の間が好ましい。
この第４実施例に基づいた異物付着面判定方法について
以下に説明する。異物がペリクルの上面に付着していて
も、下面に付着していても異物から生じる散乱光１１２
の散乱光量は、受光部１１５を駆動して受光角θ。を変
えるにしたがい変化する。一般には散乱特性としては前
方散乱光量の方が後方散乱光量に比べて多いので、受光
角θ。
が大きいほど受光する散乱光量も多い。もし異物がペリ
クルの上面に付着している場合には、波長λ１、波長λ
２、いずれのレーザビームを異物に照射してもこの散乱
特性は波長λ１、波長λ２の場合で同じである。これに
対してペリクル下面に付着した異物からの散乱光はペリ
クル１を透過したのち受光されるので、ペリクルの透過
率が波長λ、と波長λ２の場合で異なる場合は、受光角
θ、を変えたとき異なった散乱特性を示す。従って、光
電検出器１１４の光電信号を不図示の判定回路に入力し
、この判定回路において、不図示の駆動手段により受光
部１１５を駆動し、受光角θゎを変えて波長λ１のレー
ザビームによる異物からの散乱光、波長λ２のレーザビ
ームによる異物から＝３６− の散乱光を受光し、その散乱光量の受光角θゎに対する
変化がおのおのの波長の場合で異なれば、ペリクル１の
下面に付着した異物、同じであればペリクル１の上面に
付着した異物として判定することが可能である。従って
本実施例においては、第１図に示した第１と第２の光電
検出器を設けなくとも単一の方向のみからペリクルのＱ
点を見込む光電検出器により実質量等の効果を得ること
ができる。
以上本発明の各実施例においては、ペリクル上の付着位
置がすでに明らかとなっている異物を対象として、その
異物がペリクルの上面（照射面側）、下面（照射面側と
反対の面）のいずれかに付着しているかという付着面の
判定を行うが、ペリクル上を全面検査する機能を付加し
て、これによって異物の有無とそのペリクル上の位置を
検出し、次に適宜の移動手段によりペリクル１上のレー
ザ照射部Ｑ上に前記異物を移動して、異物付着面の判定
を行う。又は、全面検査時に同時に並行して行うことも
可能である。これによって異物の検出とその付着面の判
定を自動化することが可能となり、更に、先に述べたよ
うに本実施例を顕微鏡に組み込めばその異物の大きさ等
の観察も可能となるという利点がある。
また、各実施例におけるレーザ光源４．５は気体レーザ
、固体レーザ、半導体レーザ等のうち、所望の発振波長
を持つものを適宜組み合わせて使うことができる。
先に述べたように、ペリクル上に付着した異物の有無を
検査し、その付着位置を検出する手法としては、例えば
特開昭５７−１２８８３４号公報、又は特開昭５８−６
２５４３号公報に開示されている方式が応用できる。こ
こに開示されている方式では、レーザビームを斜入射に
して一次元スキャンするとともに被検査物を副走査し、
異物からの散乱光を多方向から光電検出することによっ
て異物検出を行なうもので、ビームスキャンの主走査位
置と被検査物の副走査位置とを求めて、異物の付着座標
位置を決定している。このような異物検査装置と本発明
の各実施例による装置とを組み合わせれば、ペリクル上
の表裏のどちらに異物が付着したのかを極めて短時間の
うちに、かつ高精度（高い確率）に求められる。
また各実施例に示したレーザ光源４．５からのレーザビ
ームそのものを使って、斜入射方式の異物検査装置とし
てもよい。この場合は、制御部３４で決定された角度可
変ミラー１３の角度、すなわちレーザビーム（波長λ１
、λ２）の所定の入射角を保ったまま、−次元走査する
ためのビームスキャナー（ポリゴンミラー、又は別のガ
ルバノミラ−等）を設ける必要がある。また、レンズ１
６．２１、（又はレンズ８２）等をビームの走査方向に
母線を合わせたシリンドリカルレンズにするとよい。ま
た本発明の各実施例において、受光系内のペリクル面（
Ｑ点）と共役な位置にスリット等のアパーチャを設け、
ペリクル面、又はレチクル面からの多重反射光が迷光と
して充電検出されるのを防止すると効果的である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、被検査対象に付
着した異物が該対象の上面に付着しているのか下面に付
着しているのかを良好に判定することができるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例による欠陥検査装置の構
成を示す図、第２図はべりタル透過率の入射角の依存性
を示す図、第３図は第１図の装置に適用される信号処理
回路の構成を示す回路ブロック図、第４図は異物の付着
面の判定を行なう第１の判定方法を示すフローチャート
図、第５図は第２の判定方法を示すフローチャート図、
第６図は本発明の第２の実施例による検査装置の構成を
示す図、第７図は第３の実施例による検査装置の構成を
示す図、第８図は第７図の装置に適用される信号処理回
路の構成を示す回路ブロック図、第９図は本発明の第４
の実施例による検査装置の構成を示す図、である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・ペリクル、　　４．５・・・レーザ光源、１０
・・・可変ＮＤフィルター、 １３・・・角度可変ミラー、 ８．１９．２３・・・グイクロイックミラー、１８．２
０，２２．２４．９７．９８・・・光電検出器。 出願人　　日本光学工業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　光透過性を有する薄膜状の被検査対象の表裏のいずれ
    に異物等の欠陥が存在しているかを検出する欠陥検査装
    置において、前記被検査対象のいずれか一方の面に波長
    の異なる２つの光ビームを照射する照射手段と；前記光
    ビームの入射角を変える入射角可変手段と；前記光ビー
    ムの前記被検査対象による反射光もしくは透過光を受光
    する第一の光電検出手段と；前記光ビームの前記欠陥に
    よる散乱光を受光する第二の光電検出手段と；前記第二
    の光電検出手段の検出出力に基づいて前記被検査対象に
    おける欠陥付着面を判定する判定手段とを有することを
    特徴とする欠陥検査装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03249650A (ja) * 1990-02-28 1991-11-07 Matsushita Electron Corp マスク検査装置
FR2665959A1 (fr) * 1990-08-16 1992-02-21 Oreal Appareil destine a permettre d'evaluer la brillance d'une surface, en particulier de la peau.
JP2003130808A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及びその装置
JP2004205214A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Topcon Corp 表面検査方法及びその装置
JP2006030118A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 異物検査装置及び異物検査方法
JP2006250944A (ja) * 2006-04-17 2006-09-21 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及びその装置
JP2012154941A (ja) * 2006-07-14 2012-08-16 Nikon Corp 検査装置
JP2013068460A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン画像表示装置およびパターン画像表示方法
JP2013072824A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像取得装置および画像取得方法
JP2016133357A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP6053084B1 (ja) * 2016-02-12 2016-12-27 レーザーテック株式会社 マスク検査装置及びマスク検査方法
KR20230001144A (ko) * 2021-06-28 2023-01-04 주식회사 신코 마이크로플레이트 복합측정 장치

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0405806B1 (en) * 1989-06-30 1994-05-04 Jaguar Cars Limited Method of and apparatus for inspecting surfaces for defects
US5072128A (en) * 1989-07-26 1991-12-10 Nikon Corporation Defect inspecting apparatus using multiple color light to detect defects
CH681495A5 (ja) * 1990-03-05 1993-03-31 Tet Techno Investment Trust
US5149982A (en) * 1990-05-07 1992-09-22 Nikon Corporation Foreign particle inspection apparatus
US5106196A (en) * 1990-08-21 1992-04-21 Brierley Philip R Single adjustment specular reflection accessory for spectroscopy
US5317380A (en) * 1991-02-19 1994-05-31 Inspex, Inc. Particle detection method and apparatus
JP3013519B2 (ja) * 1991-06-24 2000-02-28 キヤノン株式会社 薄膜構造の検査方法及び検査装置
JP2710879B2 (ja) * 1991-08-07 1998-02-10 尚武 毛利 レーザ測定方法及び装置
EP0567701B1 (en) * 1992-04-27 1998-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Inspection method and apparatus
US5453830A (en) * 1992-06-19 1995-09-26 Vlsi Standards, Inc. Spatially isolated diffractor on a calibration substrate for a pellicle inspection system
FR2712977B1 (fr) * 1993-11-24 1996-01-26 Sematech Sarl Détecteur d'itensité lumineuse diffusée par des objets submicroniques en concentration élevée.
JP3211538B2 (ja) * 1994-01-13 2001-09-25 キヤノン株式会社 検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
US6271916B1 (en) * 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
JP3358099B2 (ja) * 1994-03-25 2002-12-16 オムロン株式会社 光学式センサ装置
US5412221A (en) * 1994-04-26 1995-05-02 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Particle fallout/activity sensor
US5883710A (en) 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US5864394A (en) * 1994-06-20 1999-01-26 Kla-Tencor Corporation Surface inspection system
US20040057044A1 (en) * 1994-12-08 2004-03-25 Mehrdad Nikoonahad Scanning system for inspecting anamolies on surfaces
US5712701A (en) * 1995-03-06 1998-01-27 Ade Optical Systems Corporation Surface inspection system and method of inspecting surface of workpiece
US6118525A (en) * 1995-03-06 2000-09-12 Ade Optical Systems Corporation Wafer inspection system for distinguishing pits and particles
US5903342A (en) * 1995-04-10 1999-05-11 Hitachi Electronics Engineering, Co., Ltd. Inspection method and device of wafer surface
US6288780B1 (en) 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US5825482A (en) * 1995-09-29 1998-10-20 Kla-Tencor Corporation Surface inspection system with misregistration error correction and adaptive illumination
AU3376597A (en) * 1996-06-04 1998-01-05 Tencor Instruments Optical scanning system for surface inspection
KR100532238B1 (ko) * 1997-03-10 2006-02-28 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 박판막 검사방법, 이에 사용되는 장치 및 검사시스템
US5745239A (en) * 1997-04-07 1998-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multiple focal plane image comparison for defect detection and classification
US6956644B2 (en) * 1997-09-19 2005-10-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Systems and methods for a wafer inspection system using multiple angles and multiple wavelength illumination
US6201601B1 (en) * 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
US20040057045A1 (en) * 2000-12-21 2004-03-25 Mehdi Vaez-Iravani Sample inspection system
JPH11108847A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 欠陥評価装置
US6104481A (en) * 1997-11-11 2000-08-15 Kabushiki Kaisha Topcon Surface inspection apparatus
DE19819492A1 (de) * 1998-04-30 1999-11-11 Leica Microsystems Meßgerät zur Vermessung von Strukturen auf einem transparenten Substrat
US6169601B1 (en) 1998-06-23 2001-01-02 Ade Optical Systems Method and apparatus for distinguishing particles from subsurface defects on a substrate using polarized light
US20050134841A1 (en) * 1998-09-18 2005-06-23 Mehdi Vacz-Iravani Sample inspection system
US6621570B1 (en) 1999-03-04 2003-09-16 Inspex Incorporated Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer
US6774991B1 (en) 1999-05-27 2004-08-10 Inspex Incorporated Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer
US6486946B1 (en) 1999-06-15 2002-11-26 Ade Corporation Method for discriminating between holes in and particles on a film covering a substrate
US7271950B1 (en) * 2000-02-16 2007-09-18 Toppan Photomasks, Inc. Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light
KR20010095087A (ko) * 2000-03-30 2001-11-03 시마무라 테루오 노광장치, 노광방법 및 디바이스의 제조방법
US6462817B1 (en) 2000-05-12 2002-10-08 Carlos Strocchia-Rivera Method of monitoring ion implants by examination of an overlying masking material
KR100437024B1 (ko) * 2001-10-18 2004-06-23 엘지전자 주식회사 박막 검사 방법 및 그 장치
US7046353B2 (en) * 2001-12-04 2006-05-16 Kabushiki Kaisha Topcon Surface inspection system
US6819844B2 (en) * 2002-06-20 2004-11-16 The Boeing Company Fiber-optic based surface spectroscopy
JP4316853B2 (ja) * 2002-10-09 2009-08-19 株式会社トプコン 表面検査方法および装置
US6834549B2 (en) * 2003-04-03 2004-12-28 Intel Corporation Characterizing in-situ deformation of hard pellicle during fabrication and mounting with a sensor array
DE10330006B4 (de) * 2003-07-03 2006-07-20 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines Wafers
KR100541820B1 (ko) * 2004-05-28 2006-01-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조를 위한 파티클 검출장치
US7684032B1 (en) * 2005-01-06 2010-03-23 Kla-Tencor Corporation Multi-wavelength system and method for detecting epitaxial layer defects
US7554656B2 (en) * 2005-10-06 2009-06-30 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of a wafer
US7724362B1 (en) * 2006-03-14 2010-05-25 Kla-Tencor Corporation Oblique incidence macro wafer inspection
JP4875936B2 (ja) 2006-07-07 2012-02-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物・欠陥検出方法および異物・欠陥検査装置
US8245579B2 (en) * 2007-11-02 2012-08-21 Cypress Semiconductor Corporation Discerning between substances
JP2009198269A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Canon Inc 異物検査装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP5235480B2 (ja) * 2008-04-17 2013-07-10 キヤノン株式会社 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2013525804A (ja) * 2010-05-04 2013-06-20 サノフィ−アベンティス・ドイチュラント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング ガラス体中の欠陥の検出用デバイス及び方法
JP5525336B2 (ja) * 2010-06-08 2014-06-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法および欠陥検査装置
US9140655B2 (en) * 2012-12-27 2015-09-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Mother glass inspection device and mother glass inspection method
JP5686394B1 (ja) * 2014-04-11 2015-03-18 レーザーテック株式会社 ペリクル検査装置
JP7258878B2 (ja) * 2017-12-12 2023-04-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ペリクルに関連する状態を決定するための装置および方法
TWI722716B (zh) * 2019-12-13 2021-03-21 南臺學校財團法人南臺科技大學 光罩之保護膜的全域動態檢測方法及全域動態檢測系統
DE102021201690A1 (de) 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für die EUV-Lithographie

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6273141A (ja) * 1985-09-27 1987-04-03 Hitachi Ltd 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4265545A (en) * 1979-07-27 1981-05-05 Intec Corporation Multiple source laser scanning inspection system
US4468120A (en) * 1981-02-04 1984-08-28 Nippon Kogaku K.K. Foreign substance inspecting apparatus
US4669875A (en) * 1982-11-04 1987-06-02 Hitachi, Ltd. Foreign particle detecting method and apparatus
JPS59186324A (ja) * 1983-04-07 1984-10-23 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 異物検査装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6273141A (ja) * 1985-09-27 1987-04-03 Hitachi Ltd 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03249650A (ja) * 1990-02-28 1991-11-07 Matsushita Electron Corp マスク検査装置
FR2665959A1 (fr) * 1990-08-16 1992-02-21 Oreal Appareil destine a permettre d'evaluer la brillance d'une surface, en particulier de la peau.
US7161671B2 (en) 2001-10-29 2007-01-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting defects
JP2003130808A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及びその装置
US7299147B2 (en) 2001-10-29 2007-11-20 Hitachi, Ltd. Systems for managing production information
JP2004205214A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Topcon Corp 表面検査方法及びその装置
JP2006030118A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 異物検査装置及び異物検査方法
JP4493428B2 (ja) * 2004-07-21 2010-06-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査装置及び異物検査方法
JP2006250944A (ja) * 2006-04-17 2006-09-21 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及びその装置
JP2012154941A (ja) * 2006-07-14 2012-08-16 Nikon Corp 検査装置
JP2013068460A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン画像表示装置およびパターン画像表示方法
JP2013072824A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像取得装置および画像取得方法
JP2016133357A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP6053084B1 (ja) * 2016-02-12 2016-12-27 レーザーテック株式会社 マスク検査装置及びマスク検査方法
KR20230001144A (ko) * 2021-06-28 2023-01-04 주식회사 신코 마이크로플레이트 복합측정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0820371B2 (ja) 1996-03-04
US4966457A (en) 1990-10-30

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