JPH07119703B2 - 表面欠陥検査装置 - Google Patents
表面欠陥検査装置Info
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- JPH07119703B2 JPH07119703B2 JP24046491A JP24046491A JPH07119703B2 JP H07119703 B2 JPH07119703 B2 JP H07119703B2 JP 24046491 A JP24046491 A JP 24046491A JP 24046491 A JP24046491 A JP 24046491A JP H07119703 B2 JPH07119703 B2 JP H07119703B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶用ガラス基板，ガ
ラスディスクなどの被検査体について、その表面に存在
する傷などの凹状欠陥と塵埃等の付着異物とを区別して
弁別するための表面欠陥検査装置に関する。
ラスディスクなどの被検査体について、その表面に存在
する傷などの凹状欠陥と塵埃等の付着異物とを区別して
弁別するための表面欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶用ガラス基板，ガラスディスクなど
においては、その表面に存在するわずかな傷などの欠陥
によって製品の品質が大きく左右されるため、その表面
を鏡面に近い程度にまで超精密加工するとともに、表面
欠陥検査装置により加工後のサブストレ―ト等について
表面欠陥検査を行う必要がある。
においては、その表面に存在するわずかな傷などの欠陥
によって製品の品質が大きく左右されるため、その表面
を鏡面に近い程度にまで超精密加工するとともに、表面
欠陥検査装置により加工後のサブストレ―ト等について
表面欠陥検査を行う必要がある。
【０００３】図１０は特開平１−９６５３７号で開示さ
れた第１の従来例である表面欠陥検査装置を示す基本構
成図である。同図に示すように、第１の従来例では、レ
ーザビーム３は偏向プリズム１３を透過して第１の集光
レンズ１４により集束され、ガラスディスク１の表面に
適当な直径のスポットを形成する。表面上の突起欠陥
（付着異物）に対する低角度受光器として、オプチカル
ファイバ９の先端を接近させ、かつその受光方向を低角
度として配置する。このオプチカルファイバ９はホトマ
ルチプライヤ１２に接続される。
れた第１の従来例である表面欠陥検査装置を示す基本構
成図である。同図に示すように、第１の従来例では、レ
ーザビーム３は偏向プリズム１３を透過して第１の集光
レンズ１４により集束され、ガラスディスク１の表面に
適当な直径のスポットを形成する。表面上の突起欠陥
（付着異物）に対する低角度受光器として、オプチカル
ファイバ９の先端を接近させ、かつその受光方向を低角
度として配置する。このオプチカルファイバ９はホトマ
ルチプライヤ１２に接続される。
【０００４】一方、凹状欠陥（キズ）に対する高角度受
光器として、散乱光３′′は投光に使用した第１の集光
レンズ１４、偏向プリズム１３を経て第２の集光レンズ
１５でより集光される。ついで孔ミラー１６で反射した
散乱光３′′はさらに第３の集光レンズ１７により適当
に集束されてホトマルチプライヤ１２に入力する。な
お、図１０において、２はレーザ光源、４はミラー、１
９は補助集光レンズ、２０はλ／４位相板、２１，２２
はピンホール板である。
光器として、散乱光３′′は投光に使用した第１の集光
レンズ１４、偏向プリズム１３を経て第２の集光レンズ
１５でより集光される。ついで孔ミラー１６で反射した
散乱光３′′はさらに第３の集光レンズ１７により適当
に集束されてホトマルチプライヤ１２に入力する。な
お、図１０において、２はレーザ光源、４はミラー、１
９は補助集光レンズ、２０はλ／４位相板、２１，２２
はピンホール板である。
【０００５】このように構成すると、凹状欠陥の散乱光
は、その指向性により主として集光レンズ１４を通過し
て最終的にホトマルチプライヤ１８で電気信号になる。
一方、突起欠陥の散乱光は広い空間範囲に広がる特性を
持つため、集光レンズ１４と共にオプティカルファイバ
９にも入りホトマルチプライヤ１２で電気信号になる。
そして、ホトマルチプライヤ１２及び１８で変換された
それぞれの電気信号を比較することにより、凹状欠陥と
付着異物とを弁別している。
は、その指向性により主として集光レンズ１４を通過し
て最終的にホトマルチプライヤ１８で電気信号になる。
一方、突起欠陥の散乱光は広い空間範囲に広がる特性を
持つため、集光レンズ１４と共にオプティカルファイバ
９にも入りホトマルチプライヤ１２で電気信号になる。
そして、ホトマルチプライヤ１２及び１８で変換された
それぞれの電気信号を比較することにより、凹状欠陥と
付着異物とを弁別している。
【０００６】図１１は特開昭６０−２１９５４３号で開
示された第２の従来例である表面欠陥検出装置を示す基
本構成図である。この装置は、ウェハ２２の表面に配線
されたパターン２３と付着異物２９とを弁別するために
設けられた光学系である。同図に示すように、ｓ偏向レ
ーザ光２４をウェハ２２に対し低い照射角度ψで照射す
る。すると、ｓ偏向レーザ光２４はパターン２３または
付着異物２９により散乱されるが、パターン２３による
散乱光はパターン２３の滑らかな形状を反映してｓ偏向
成分を含むのに対して、付着異物２９による散乱光は偏
向が回転し、ｓ偏向に垂直な成分（ｐ偏向）が含まれ
る。ｐ偏向通過偏向板２６はｐ偏向のみを通過させるた
め、光検出器２７で受光されるのは付着異物２９による
散乱光のｐ偏向成分のみとなり、光検出器２７でｐ偏向
成分の有無を判別して付着異物２９の有無を検出するこ
とができる。
示された第２の従来例である表面欠陥検出装置を示す基
本構成図である。この装置は、ウェハ２２の表面に配線
されたパターン２３と付着異物２９とを弁別するために
設けられた光学系である。同図に示すように、ｓ偏向レ
ーザ光２４をウェハ２２に対し低い照射角度ψで照射す
る。すると、ｓ偏向レーザ光２４はパターン２３または
付着異物２９により散乱されるが、パターン２３による
散乱光はパターン２３の滑らかな形状を反映してｓ偏向
成分を含むのに対して、付着異物２９による散乱光は偏
向が回転し、ｓ偏向に垂直な成分（ｐ偏向）が含まれ
る。ｐ偏向通過偏向板２６はｐ偏向のみを通過させるた
め、光検出器２７で受光されるのは付着異物２９による
散乱光のｐ偏向成分のみとなり、光検出器２７でｐ偏向
成分の有無を判別して付着異物２９の有無を検出するこ
とができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の
従来例では、ガラスディスク１のような透明体では垂直
入射による反射光は少なく散乱光は小さいため、その
分、Ｓ／Ｎは悪く弁別能力は低くなる問題点があった。
また、散乱光が狭い空間範囲をもつ付着異物に対しては
弁別効果がないという問題点があった。
従来例では、ガラスディスク１のような透明体では垂直
入射による反射光は少なく散乱光は小さいため、その
分、Ｓ／Ｎは悪く弁別能力は低くなる問題点があった。
また、散乱光が狭い空間範囲をもつ付着異物に対しては
弁別効果がないという問題点があった。
【０００８】また、第２の従来例では、散乱光がｐ偏光
成分を有さない付着異物に対しては弁別効果がないとい
う問題点があった。
成分を有さない付着異物に対しては弁別効果がないとい
う問題点があった。
【０００９】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、付着異物の形状にかかわらず、正確に凹
状欠陥と付着異物とを弁別することができる表面欠陥検
出装置を得ることを目的とする。
されたもので、付着異物の形状にかかわらず、正確に凹
状欠陥と付着異物とを弁別することができる表面欠陥検
出装置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
１記載の表面欠陥検査装置は、被検査体の表面に存在す
る凹状欠陥の検査を光学的に行っており、前記被検査体
の表面に対し第１の角度でビ―ム光を照射する照射手段
と、受光角度が前記ビ―ム光の正反射方向に対し比較的
小さい第２の角度に設けられ、前記ビ―ム光の散乱光を
第１の検出光として受光する第１の受光手段と、受光角
度が前記ビ―ム光の正反射方向に対し比較的大きい第３
の角度に設けられ、前記ビ―ム光の散乱光を第２の検出
光として受光する第２の受光手段と、前記第１の検出光
におけるｐ偏向成分の光強度と前記第１の検出光に対す
る前記第２の検出光の光強度比とに基づき、前記被検査
体における前記凹状欠陥と付着異物との弁別を行う弁別
手段とを備えて構成されている。
１記載の表面欠陥検査装置は、被検査体の表面に存在す
る凹状欠陥の検査を光学的に行っており、前記被検査体
の表面に対し第１の角度でビ―ム光を照射する照射手段
と、受光角度が前記ビ―ム光の正反射方向に対し比較的
小さい第２の角度に設けられ、前記ビ―ム光の散乱光を
第１の検出光として受光する第１の受光手段と、受光角
度が前記ビ―ム光の正反射方向に対し比較的大きい第３
の角度に設けられ、前記ビ―ム光の散乱光を第２の検出
光として受光する第２の受光手段と、前記第１の検出光
におけるｐ偏向成分の光強度と前記第１の検出光に対す
る前記第２の検出光の光強度比とに基づき、前記被検査
体における前記凹状欠陥と付着異物との弁別を行う弁別
手段とを備えて構成されている。
【００１１】また、請求項２記載の表面欠陥検査装置
は、前記第１の角度、第２の角度及び第３の角度は、そ
れぞれ１６度、３０度及び６０度に設定している。
は、前記第１の角度、第２の角度及び第３の角度は、そ
れぞれ１６度、３０度及び６０度に設定している。
【００１２】
【作用】この発明における弁別手段は、第１の検出光に
おけるｐ偏向成分の光強度と第１の検出光に対する第２
の検出光の光強度比とに基づき、被検査体における凹状
欠陥と付着異物との弁別を行っている。第１の検出光に
おけるｐ偏向成分の光強度は凹状欠陥と球形状の付着異
物との違いを明確に示す第１の弁別パラメータとなり、
第１の検出光に対する第２の検出光の光強度比は凹状欠
陥とほこり等の不定形の付着異物との違いを明確に示す
第２のパラメータとなる。
おけるｐ偏向成分の光強度と第１の検出光に対する第２
の検出光の光強度比とに基づき、被検査体における凹状
欠陥と付着異物との弁別を行っている。第１の検出光に
おけるｐ偏向成分の光強度は凹状欠陥と球形状の付着異
物との違いを明確に示す第１の弁別パラメータとなり、
第１の検出光に対する第２の検出光の光強度比は凹状欠
陥とほこり等の不定形の付着異物との違いを明確に示す
第２のパラメータとなる。
【００１３】
【実施例】図１はこの発明の第１の実施例である表面欠
陥検査装置を示す基本構成図である。同図に示すよう
に、ガラス基板３１に対し図示しない光源から比較的低
い入射角度（θi ＝１６゜）でビーム光であるｓ偏光入
射光３２を入射する。
陥検査装置を示す基本構成図である。同図に示すよう
に、ガラス基板３１に対し図示しない光源から比較的低
い入射角度（θi ＝１６゜）でビーム光であるｓ偏光入
射光３２を入射する。
【００１４】一方、入射光３２の反射光を受光するた
め、正反射方向に対し比較的低い反射角（θs ＝３０
゜）の位置に低角度集光レンズ３３を配置し、正反射方
向に対し比較的高い反射角（θs ′＝６０゜）の位置に
高角度集光レンズ３４を配置する。
め、正反射方向に対し比較的低い反射角（θs ＝３０
゜）の位置に低角度集光レンズ３３を配置し、正反射方
向に対し比較的高い反射角（θs ′＝６０゜）の位置に
高角度集光レンズ３４を配置する。
【００１５】低角度集光レンズ３３に入射した散乱光の
一部は、ｐ偏光通過偏光板３５及び光ファイバ３６を介
することによりｐ偏光成分のみ光検出器４１に取り込ま
れ、他の一部は光ファイバ３７を介することにより全光
成分が光検出器４２に取り込まれる。そして、光検出器
４１は取り込んだ光の強度を光電変換して、電気信号Ｉ
LPを演算器５１に出力する。光検出器４２は取り込んだ
光の強度を光電変換して、電気信号ＩL を演算器５１及
び５２に出力する。
一部は、ｐ偏光通過偏光板３５及び光ファイバ３６を介
することによりｐ偏光成分のみ光検出器４１に取り込ま
れ、他の一部は光ファイバ３７を介することにより全光
成分が光検出器４２に取り込まれる。そして、光検出器
４１は取り込んだ光の強度を光電変換して、電気信号Ｉ
LPを演算器５１に出力する。光検出器４２は取り込んだ
光の強度を光電変換して、電気信号ＩL を演算器５１及
び５２に出力する。
【００１６】一方、高角度集光レンズ３４に入射した散
乱光は光ファイバ３８を介しすることにより、全光成分
が光検出器４３に取り込まれ、光検出器４３は取り込ん
だ光の強度を光電変換して電気信号ＩH を演算器５２に
出力する。
乱光は光ファイバ３８を介しすることにより、全光成分
が光検出器４３に取り込まれ、光検出器４３は取り込ん
だ光の強度を光電変換して電気信号ＩH を演算器５２に
出力する。
【００１７】演算器５１は電気信号ＩLP及びＩL を取り
込み、弁別パラメータＡ（＝ＩLP／ＩL ）を算出し、弁
別ロジック５３に出力する。一方、演算器５２は電気信
号ＩL 及びＩH を取り込み、弁別パラメータＢ（＝ＩH
／ＩL ）を算出し、弁別ロジック５３に出力する。
込み、弁別パラメータＡ（＝ＩLP／ＩL ）を算出し、弁
別ロジック５３に出力する。一方、演算器５２は電気信
号ＩL 及びＩH を取り込み、弁別パラメータＢ（＝ＩH
／ＩL ）を算出し、弁別ロジック５３に出力する。
【００１８】弁別ロジック５３は弁別パラーメータＡ及
びＢに基づき、後述する弁別関数を参照して凹状欠陥と
付着異物との弁別を正確に行う。
びＢに基づき、後述する弁別関数を参照して凹状欠陥と
付着異物との弁別を正確に行う。
【００１９】図２は低角度集光レンズ３３の配置角θS
（３０〜６０゜）と弁別パラーメータＡとの関係を示す
グラフである。同図において、Ｐ１〜Ｐ３はラテックス
（球状付着異物）（図中「●」で示す。直径Ｐ１＝５，
Ｐ２＝１０，Ｐ３＝２０μｍ）を示し、Ｐ４〜Ｐ６はほ
こり（不定形付着異物）（図中「○」で示す。平均直径
Ｐ４＝１８〜２０、Ｐ５＝５〜６、Ｐ６＝１０〜１２μ
ｍ）を示し、Ｐ７〜Ｐ１３は凹状欠陥（キズ）（図中
「▲」で示す。）を示している。なお、低角度集光レン
ズ３３は、図３に示すように、採光角Δψ＝２．５゜を
有している。
（３０〜６０゜）と弁別パラーメータＡとの関係を示す
グラフである。同図において、Ｐ１〜Ｐ３はラテックス
（球状付着異物）（図中「●」で示す。直径Ｐ１＝５，
Ｐ２＝１０，Ｐ３＝２０μｍ）を示し、Ｐ４〜Ｐ６はほ
こり（不定形付着異物）（図中「○」で示す。平均直径
Ｐ４＝１８〜２０、Ｐ５＝５〜６、Ｐ６＝１０〜１２μ
ｍ）を示し、Ｐ７〜Ｐ１３は凹状欠陥（キズ）（図中
「▲」で示す。）を示している。なお、低角度集光レン
ズ３３は、図３に示すように、採光角Δψ＝２．５゜を
有している。
【００２０】なお、本明細書中において、不定形付着異
物は球形でないすべての付着異物を意味し、その代表的
なものとしてほこりを例に挙げる。
物は球形でないすべての付着異物を意味し、その代表的
なものとしてほこりを例に挙げる。
【００２１】図２に示すように、反射角３０゜の位置に
低角度集光レンズ３３を配置すれば、ラッテクスの弁別
パラメータＡと凹状欠陥の弁別パラメータＡとの違いが
顕著になることがわかる。
低角度集光レンズ３３を配置すれば、ラッテクスの弁別
パラメータＡと凹状欠陥の弁別パラメータＡとの違いが
顕著になることがわかる。
【００２２】図４は、高角度集光レンズ３４の配置に対
するラテックス、ほこり及び凹状欠陥の散乱光特性を示
すグラフである。同図において、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３が
それぞれ直径５、１０及び２０のラテックス、Ｌ４及び
Ｌ５、Ｌ６及びＬ７が凹状欠陥がほこりである。同図に
示すように、高角度集光レンズ３４の配置角度θS ′が
高くなるに伴い、凹状欠陥Ｌ６及びＬ７の散乱光の光強
度が低くなるが、ほこりＬ４及びＬ５の散乱光の光強度
はほとんど変わらない。すなわち、凹状欠陥の散乱光の
減衰率が最も大きく、ほこりの散乱光はほとんど減衰し
ないことがわかる。
するラテックス、ほこり及び凹状欠陥の散乱光特性を示
すグラフである。同図において、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３が
それぞれ直径５、１０及び２０のラテックス、Ｌ４及び
Ｌ５、Ｌ６及びＬ７が凹状欠陥がほこりである。同図に
示すように、高角度集光レンズ３４の配置角度θS ′が
高くなるに伴い、凹状欠陥Ｌ６及びＬ７の散乱光の光強
度が低くなるが、ほこりＬ４及びＬ５の散乱光の光強度
はほとんど変わらない。すなわち、凹状欠陥の散乱光の
減衰率が最も大きく、ほこりの散乱光はほとんど減衰し
ないことがわかる。
【００２３】低角度集光レンズ３３の配置角度θS を２
８゜にし、高角度集光レンズ３４の配置角度θS ′を３
０゜〜６０゜で１０゜単位に動かした場合の弁別パラー
メータＢを表１に示す。
８゜にし、高角度集光レンズ３４の配置角度θS ′を３
０゜〜６０゜で１０゜単位に動かした場合の弁別パラー
メータＢを表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１に示すように、高角度集光レンズ３４
の配置角度θS ′６０゜に設定したとき、凹状欠陥の弁
別パラメータＢとほこりの弁別パラメータＢとの違いが
顕著になることがわかる。
の配置角度θS ′６０゜に設定したとき、凹状欠陥の弁
別パラメータＢとほこりの弁別パラメータＢとの違いが
顕著になることがわかる。
【００２６】図５は、図１で示した表面欠陥検出装置に
おける弁別パラーメータＡ及びＢに基づく、ラテック
ス、ほこり及び凹状欠陥の特性を示すグラフである。同
図において、「●」はラテックス、「○」はほこり、
「△」は凹状欠陥を示す。同図に示すように、ほこりと
ラッテクスは各々群を形成し、互いに重複部分はあるも
ののその分布中心は明らかに異なっている。
おける弁別パラーメータＡ及びＢに基づく、ラテック
ス、ほこり及び凹状欠陥の特性を示すグラフである。同
図において、「●」はラテックス、「○」はほこり、
「△」は凹状欠陥を示す。同図に示すように、ほこりと
ラッテクスは各々群を形成し、互いに重複部分はあるも
ののその分布中心は明らかに異なっている。
【００２７】また、凹状欠陥はほこり及びラッテクスと
は全く異なる領域に群を形成しているため、弁別ロジッ
ク５３は、同図に示すような弁別関数Ｆ１を用いること
により、弁別パラメータＡ及びＢを用いて精度よく凹状
欠陥とほこり及びラテックスとの弁別を行うことができ
る。すなわち、付着異物が球状異物であろうが不定形異
物であろうが関係なく、凹状欠陥と付着異物との弁別が
可能となる。
は全く異なる領域に群を形成しているため、弁別ロジッ
ク５３は、同図に示すような弁別関数Ｆ１を用いること
により、弁別パラメータＡ及びＢを用いて精度よく凹状
欠陥とほこり及びラテックスとの弁別を行うことができ
る。すなわち、付着異物が球状異物であろうが不定形異
物であろうが関係なく、凹状欠陥と付着異物との弁別が
可能となる。
【００２８】また、弁別関数Ｆ２を用いることにより、
不完全ではあるがほこりとラテックスとの弁別を行うこ
ともできる。このように、付着異物において、球状と不
定形の弁別ができれば、付着異物の形状に適合した洗浄
手段を講じることができる等の利点も生じる。
不完全ではあるがほこりとラテックスとの弁別を行うこ
ともできる。このように、付着異物において、球状と不
定形の弁別ができれば、付着異物の形状に適合した洗浄
手段を講じることができる等の利点も生じる。
【００２９】図６はこの発明の第２の実施例である表面
欠陥検査装置の一部を示す基本構成図である。以下、第
１の実施例と異なる点についてのみ述べる。
欠陥検査装置の一部を示す基本構成図である。以下、第
１の実施例と異なる点についてのみ述べる。
【００３０】低角度集光レンズ３３に入射した散乱光の
一部はｐ偏光通過偏光板３５及び光ファイバ３６を介す
ることにより、ｐ偏光成分のみ光検出器４１に取り込ま
れ、他の一部はｓ偏光通過偏光板３９及び光ファイバ３
７を介することにより、ｓ偏光成分のみ光検出器４２に
取り込まれる。そして、光検出器４１は取り込んだ光の
強度を光電変換して電気信号ＩLPを演算器５４に出力す
る。光検出器４２は取り込んだ光の強度を光電変換して
電気信号ＩLSを演算器５４及び５５に出力する。
一部はｐ偏光通過偏光板３５及び光ファイバ３６を介す
ることにより、ｐ偏光成分のみ光検出器４１に取り込ま
れ、他の一部はｓ偏光通過偏光板３９及び光ファイバ３
７を介することにより、ｓ偏光成分のみ光検出器４２に
取り込まれる。そして、光検出器４１は取り込んだ光の
強度を光電変換して電気信号ＩLPを演算器５４に出力す
る。光検出器４２は取り込んだ光の強度を光電変換して
電気信号ＩLSを演算器５４及び５５に出力する。
【００３１】演算器５４は電気信号ＩLP及びＩLSを取り
込み、弁別パラメータＡ′（＝ＩLP／ＩLS）を算出し、
弁別ロジック５３（図示せず）に出力する。演算器５５
は電気信号ＩLS及びＩH （図示しない検出器４３から）
を取り込み、弁別パラメータＢ′（＝ＩH ／ＩLS）を算
出し、弁別ロジック５３に出力する。
込み、弁別パラメータＡ′（＝ＩLP／ＩLS）を算出し、
弁別ロジック５３（図示せず）に出力する。演算器５５
は電気信号ＩLS及びＩH （図示しない検出器４３から）
を取り込み、弁別パラメータＢ′（＝ＩH ／ＩLS）を算
出し、弁別ロジック５３に出力する。
【００３２】弁別ロジック５３は弁別パラーメータＡ′
及びＢ′に基づき、第１の実施例と同様な弁別関数を参
照して凹状欠陥と付着異物との弁別を正確に行う。な
お、他の構成は第１の実施例と同様であるため説明は省
略する。
及びＢ′に基づき、第１の実施例と同様な弁別関数を参
照して凹状欠陥と付着異物との弁別を正確に行う。な
お、他の構成は第１の実施例と同様であるため説明は省
略する。
【００３３】第２の実施例では弁別パラメータＡ′及び
Ｂ′の分母を、低角度集光レンズ３３で受光され、ｓ偏
光通過偏光板３９を通過した散乱光のｓ偏光成分のみと
している。
Ｂ′の分母を、低角度集光レンズ３３で受光され、ｓ偏
光通過偏光板３９を通過した散乱光のｓ偏光成分のみと
している。
【００３４】図８に示すように、凹状欠陥の散乱光６１
は一般的に曲率半径Ｒが大きいため、ｓ偏向成分に比べ
ｐ偏向成分が大変小さい。一方、図９に示すように、ほ
こりは曲率半径Ｒが小さい部分を有するため、その散乱
光６２はｓ偏向成分に対し無視できないｐ偏向成分が存
在する。すなわち、偏光の解消特性は、ｐ偏光の存在に
よって特徴づけられているため、検出器４４に、ｐ偏光
の対となるｓ偏光しか入射できないようにすれば、ｐ偏
光の検出力が向上する。したがって、第２の実施例は第
１の実施例に比べＳ／Ｎ（弁別能力）の向上が可能とな
る。
は一般的に曲率半径Ｒが大きいため、ｓ偏向成分に比べ
ｐ偏向成分が大変小さい。一方、図９に示すように、ほ
こりは曲率半径Ｒが小さい部分を有するため、その散乱
光６２はｓ偏向成分に対し無視できないｐ偏向成分が存
在する。すなわち、偏光の解消特性は、ｐ偏光の存在に
よって特徴づけられているため、検出器４４に、ｐ偏光
の対となるｓ偏光しか入射できないようにすれば、ｐ偏
光の検出力が向上する。したがって、第２の実施例は第
１の実施例に比べＳ／Ｎ（弁別能力）の向上が可能とな
る。
【００３５】図７はこの発明の第３の実施例である表面
欠陥検査装置の一部を示す基本構成図である。同図に示
すように、低角度集光レンズ３３をｐ偏光成分検出用の
低角度集光レンズ３３ａとｓ偏光成分検出用の低角度集
光レンズ３３ｂとで独立して設けることもできる。な
お、低角度集光レンズ３３ａと低角度集光レンズ３３ｂ
との配置角度はほぼ同じ角度に設定する。また、他の構
成及び動作等は第２の実施例と同様であるため説明は省
略する。
欠陥検査装置の一部を示す基本構成図である。同図に示
すように、低角度集光レンズ３３をｐ偏光成分検出用の
低角度集光レンズ３３ａとｓ偏光成分検出用の低角度集
光レンズ３３ｂとで独立して設けることもできる。な
お、低角度集光レンズ３３ａと低角度集光レンズ３３ｂ
との配置角度はほぼ同じ角度に設定する。また、他の構
成及び動作等は第２の実施例と同様であるため説明は省
略する。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、弁別手段により、第１の検出光におけるｐ偏向成分
の光強度と第１の検出光に対する第２の検出光の光強度
比とに基づき、被検査体における凹状欠陥と付着異物と
の弁別を行っている。第１の検出光におけるｐ偏向成分
の光強度は凹状欠陥と球状の付着異物との違いを明確に
示す第１の弁別パラメータであり、第１の検出光に対す
る第２の検出光の光強度比は凹状欠陥とほこり等の不定
形の付着異物との違いを明確に示す第２のパラメータと
なる。
ば、弁別手段により、第１の検出光におけるｐ偏向成分
の光強度と第１の検出光に対する第２の検出光の光強度
比とに基づき、被検査体における凹状欠陥と付着異物と
の弁別を行っている。第１の検出光におけるｐ偏向成分
の光強度は凹状欠陥と球状の付着異物との違いを明確に
示す第１の弁別パラメータであり、第１の検出光に対す
る第２の検出光の光強度比は凹状欠陥とほこり等の不定
形の付着異物との違いを明確に示す第２のパラメータと
なる。
【００３７】したがって、上記第１及び第２のパラメー
タに基づき、凹状欠陥と付着異物との違いを判断するこ
とにより、付着異物の形状にかかわらず凹状欠陥と付着
異物とを正確に弁別することができる。
タに基づき、凹状欠陥と付着異物との違いを判断するこ
とにより、付着異物の形状にかかわらず凹状欠陥と付着
異物とを正確に弁別することができる。
【００３８】さらに、ビ―ム光の照射角度である第１の
角度、第１の受光手段の配置角度である第２の角度及び
第２の受光手段の配置角度である第３の角度を、それぞ
れ１６度、３０度及び６０度に設定すると、第１及び第
２のパラメータの弁別精度が向上し、より正確に凹状欠
陥と付着異物とを弁別することができる。
角度、第１の受光手段の配置角度である第２の角度及び
第２の受光手段の配置角度である第３の角度を、それぞ
れ１６度、３０度及び６０度に設定すると、第１及び第
２のパラメータの弁別精度が向上し、より正確に凹状欠
陥と付着異物とを弁別することができる。
【図１】この発明の第１の実施例である表面欠陥検査装
置を示す基本構成図である。
置を示す基本構成図である。
【図２】弁別パラーメータＡの特性を示すグラフであ
る。
る。
【図３】図２の補助説明図である。
【図４】弁別パラメータＢの特性を示すグラフである。
【図５】弁別パラメータＡ及びＢの特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図６】この発明の第２の実施例である表面欠陥検査装
置を示す基本構成図である。
置を示す基本構成図である。
【図７】この発明の第３の実施例である表面欠陥検査装
置を示す基本構成図である。
置を示す基本構成図である。
【図８】凹状欠陥の反射光における偏光解消を定性的に
示す説明図である。
示す説明図である。
【図９】ほこりの反射光における偏光解消を定性的に示
す説明図である。
す説明図である。
【図１０】表面欠陥検査装置の第１の従来例を示す基本
構成図である。
構成図である。
【図１１】表面欠陥検査装置の第２の従来例を示す基本
構成図である。
構成図である。
【符号の説明】 ３１ ガラス基板 ３３ 低角度集光レンズ ３４ 高角度集光レンズ ３５ ｐ偏光通過基板 ３９ ｓ偏光通過基板 ４１ 検出器 ４２ 検出器 ４３ 検出器 ５１ 演算器 ５２ 演算器 ５３ 弁別ロジック ５４ 演算器 ５５ 演算器
Claims (2)
- 【請求項１】 被検査体の表面に存在する凹状欠陥の検
査を光学的に行う表面欠陥検査装置であって、 前記被検査体の表面に対し第１の角度でビ―ム光を照射
する照射手段と、 受光角度が前記ビ―ム光の正反射方向に対し比較的小さ
い第２の角度に設けられ、前記ビ―ム光の散乱光を第１
の検出光として受光する第１の受光手段と、 受光角度が前記ビ―ム光の正反射方向に対し比較的大き
い第３の角度に設けられ、前記ビ―ム光の散乱光を第２
の検出光として受光する第２の受光手段と、 前記第１の検出光におけるｐ偏向成分の光強度と前記第
１の検出光に対する前記第２の検出光の光強度比とに基
づき、前記被検査体における前記凹状欠陥と付着異物と
の弁別を行う弁別手段とを備えた表面欠陥検査装置。 - 【請求項２】 前記第１の角度、第２の角度及び第３の
角度は、それぞれ１６度、３０度及び６０度である請求
項１記載の表面欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24046491A JPH07119703B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 表面欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24046491A JPH07119703B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 表面欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0552764A JPH0552764A (ja) | 1993-03-02 |
| JPH07119703B2 true JPH07119703B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=17059899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24046491A Expired - Lifetime JPH07119703B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 表面欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07119703B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7116413B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-10-03 | Kla-Tencor Corporation | Inspection system for integrated applications |
| JP4761427B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体表面検査装置 |
| WO2009054404A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Shibaura Mechatronics Corporation | 撮影画像に基づいた検査方法及び検査装置 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP24046491A patent/JPH07119703B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0552764A (ja) | 1993-03-02 |
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