JP2847458B2 - 欠陥評価装置 - Google Patents

欠陥評価装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ等の欠陥や
粒子を評価する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ等の被検物体の欠陥
等を評価する装置としては、レーザ光を被検物体内にそ
の表面に対して斜めに入射させ、それによる内部の欠陥
から散乱光をその表面側からレーザ光の入射方向とは異
なる方向において観察することにより被検物体内部の欠
陥や粒子を検出するようにした装置が知られている（特
開平４−２４５４１号公報参照）。この装置では、被検
物体からのレーザ光の反射方向と異なる方向から散乱光
を観察することにより反射光の影響を極力排除するよう
にしている。また、レーザ光の波長や被検物体の温度を
変化させてレーザ光が被検物体内に入り込む深さを調整
できるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、こ
のような従来技術においては、表面近くにある欠陥を観
察する場合、表面に存在する傷等が同一観察視野内に混
在して観察され、かつそれらを区別できないため、正確
な評価を得ることができないという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、この従来技術の問題点に
鑑み、欠陥評価装置において、被検物体の表面に存在す
る傷等と内部欠陥とを明確に区別できるようにして、正
確な内部欠陥の評価を得ることができるようにすること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、被検物体の観察表面にレーザ光を斜めに照
射するレーザ照射手段、このレーザ光の屈折光により被
検物体内部の欠陥や粒子から生じる散乱光および前記観
察表面上のキズや粒子から生じる散乱光あるいは反射光
を前記観察表面側から観察する観察手段を備えた欠陥評
価装置において、主にｐ偏光成分を含むものと主にｓ偏
光成分を含むものの双方の光で観察し得るようにする成
分差別化手段を具備することを特徴とする。
【０００６】成分差別化手段としては、レーザ照射手段
と被検物体との間あるいは観察手段内に配置した偏光
子、レーザ照射手段と被検物体との間に配置した偏光回
転子、観察手段内に配置したウオラストンプリズム等を
用いることができる。観察手段は、光電変換により前記
散乱光に基く画像データを得る画像取得手段、および、
前記成分差別化手段により主としてｐ偏光成分およびｓ
偏光成分を用いて前記画像取得手段により得られる、同
一観察領域を含む少なくとも２面の画像データに基き前
記観察表面の傷や欠陥の像と内部の欠陥や粒子の像とを
区別する手段を備えるのが好ましい。
【０００７】
【作用】図４は、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分につい
て、入射角θに対する透過率の変化をそれぞれ曲線４１
および４２で示すグラフである。同図に示すように、上
記構成において、曲線４１で示されるようにｐ偏光成分
は被検物体の表面で反射されず表面を透過し屈折光とな
る割合が多く、特に、ブリュースター角においては透過
率が１００％になる。逆に、曲線４２で示されるように
ｓ偏光成分は被検物体表面で反射される割合が比較的多
い。したがって、主にｐ偏光成分を含む光で観察する場
合、被検物体表面を透過して屈折光となる割合がｓ偏光
の場合よりも大きいので、主に被検物体内部からの散乱
光により内部の欠陥等が表面の傷等よりも顕著に観察さ
れる。これとは逆に、主にｓ偏光成分を含む光で観察す
る場合、反射光の割合が比較的大きいので、主に被検物
体表面の散乱光により表面の傷などが顕著に観察され
る。したがって、被検物体表面近くの内部欠陥を評価し
ようとするときに内部の欠陥等と表面の傷等が同一観察
視野上で観察される場合でも、主にｐ偏光成分を含む光
で観察する場合の観察視野と主にｓ偏光成分を含む光で
観察する場合の観察視野とを比較することにより、内部
の欠陥等と表面の傷等とが区別して認識される。
【０００８】以下、実施例を通じて本発明をより詳細に
説明する。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る欠陥評価装置
の構成を示す模式図である。同図に示すように、この装
置は、被検物体１０１の観察表面１０３にレーザ光１０
５を集光レンズ１０７を介して斜めに照射するレーザ照
射手段、レーザ光１０５の屈折光１０９により被検物体
内部の欠陥や粒子から生じる散乱光を観察表面１０３を
介して観察するための観察レンズ１１１、結像レンズ１
１３、および撮像素子１１５、ならびにレーザ光１０５
を集光レンズ１０７の前において偏光させ主にｐ偏光成
分１１９のみまたは主にｓ偏光成分１２１のみあるいは
両成分を一定比率で混合した光が照射されるようにする
偏光板１１７を備える。
【００１０】この構成において、ｐ偏光成分光で観察す
る場合は、種々の偏光方向成分を含むレーザ光１０５が
照射されると、レーザ光１０５が主にｐ偏光成分１１９
を含むように光軸の回りの回転角度が調整された偏光板
１１７により、レーザ光１０５は偏光され、集光レンズ
１０７を介して集光されて観察表面１０３に照射され
る。図２に拡大して示すように、照射されるレーザ光１
０５は主にｐ偏光成分１１９を含みかつその多くが観察
表面１０３を透過し、屈折光１０９となる。特に、入射
角θがブリュースター角の場合は、ｐ偏光成分のすべて
が透過する。透過光１０９は被検物体内部の欠陥や粒子
１２３に当たると散乱光を生じ、その散乱光が観察表面
１０３を介して矢印１２５で示す方向から観察される。
このとき観察表面１０３で反射されるｓ偏光成分による
散乱光は弱いので、観察表面上の傷等１２７よりも内部
の欠陥や粒子１２３が顕著に観察される。
【００１１】逆に、ｓ偏光成分で観察する場合は、図３
に拡大して示すように、照射されるレーザ光１０５は偏
光板１１７により主にｓ偏光成分１２１を含みかつその
多くが観察表面１０３で反射し、反射光１２９となる。
このように観察表面の反射率が大きい場合は、観察表面
での光の電場が大きいため、観察表面上の傷等１２７か
ら生じる散乱光の方が被検物体内部の欠陥や粒子１２３
からの散乱光よりも強く、観察表面上の傷等１２７の方
が内部の欠陥や粒子１２３よりも顕著に観察される。
【００１２】図５はこのようにして観察される画像の様
子を示す模式図である。ｐ偏光成分光で観察する場合
は、図５（ａ）に示すように、観察方向１２５に対し観
察表面１０１および被検物体内部が同一視野において観
察される領域５１においては、内部の欠陥や粒子の像５
２３と表面上の傷等の像５２７が混在して観察される
が、傷等の像５２７の光強度は小さく、欠陥や粒子の像
５２３は大きく観察される。また、被検物体内部のみが
観察される領域５３においては、欠陥や粒子の像５２３
のみが強く観察される。これに対し、ｓ偏光成分光で観
察する場合は、図５（ｂ）に示すように、領域５１にお
いては、欠陥や粒子の像５２３と傷等の像５２７が同様
に混在して観察されるが、傷等の像５２７が強く、欠陥
や粒子５２３の像は弱く観察される。領域５３において
は、傷等の像５２７のみが弱く観察される。
【００１３】図６（ａ）は図５（ａ）の画像から内部欠
陥や粒子の像５２３のみを抽出した画像を示す。図６
（ｂ）は図５（ｂ）の画像から傷等の像５２７のみを抽
出した画像を示す。このような抽出は、公知の画像処理
手段等を用いて行うことができる。例えば、図５（ａ）
と図５（ｂ）の各画素の強度Ｉa とＩb に対し、内部欠
陥や粒子の像５２３の強度と傷等の像５２７の強度とを
区別できるような閾値ｋを設定し、Ｉa ＞ｋＩb である
ような強度Ｉa の各画素の画像データはそのまま残し、
Ｉa ＜ｋＩb なる強度Ｉa の画像データを０とすること
により内部欠陥の抽出を行うことができる。また、逆の
操作により、表面欠陥を抽出することができる。
【００１４】なお、入射レーザ光が直線偏光の場合は、
偏光板１１７の代わりに、偏光回転子を用いても良い。
また、入射レーザ光がランダム偏光レーザまたはｐ偏光
成分およびｓ偏光成分を含むレーザ光の場合は、観察レ
ンズ１１１と結像レンズ１１３との間に偏光子１１８を
挿入するようにしても良い。
【００１５】図７は本発明の他の実施例に係る欠陥評価
装置の観察手段部分の構成を示す模式図である。この装
置は、ｐ偏光成分とｓ偏光成分とを差別化する手段とし
て、前記偏光板１１８の代わりに、ウオラストンプリズ
ム等の偏光プリズム７０１を観察レンズ（対物レンズ）
１１１と結像レンズ１１３との間に配置したものであ
る。この場合、被検物体に入射されるレーザ光はｓ偏光
成分とｐ偏光成分を一定比率で含むようにされる。した
がってそれによって生じる内部欠陥や表面の傷等からの
散乱光はｐ偏光成分１１９とｓ偏光成分１２１とを含ん
でおり、これが偏光プリズム７０１によって、分離さ
れ、撮像素子１１５上に、図８に示すように同時にｐ偏
光成分による画像５２１とｓ偏光成分による画像５２２
が形成される。なお、画像５２１の領域には内部欠陥や
粒子からの散乱５２３が強く、画像５２２の領域には表
面の傷等からの散乱５２７が強く観察される。
【００１６】これによれば、偏光板等を回転したりする
ことによってレーザ光のビーム位置が変化したりするこ
とがないため、正確な計測が行えるという利点がある。
また偏光板等の回転位置を調整する等の必要がないた
め、計測時間が短いという利点も有する。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、主
にｐ偏光成分を含むものと主にｓ偏光成分を含むものの
双方の光で観察し得るようにしたため、内部の欠陥や粒
子と表面の傷等を分離して評価することができる。さら
に、観察手段内に偏光プリズムを配置することにより内
部の欠陥や粒子と表面の傷等を同時に観察することがで
き、評価時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る欠陥評価装置の構成
を示す模式図である。
【図２】 図１の装置において主にｐ偏光成分を用いて
観察するときの様子を拡大して示す説明図である。
【図３】 図１の装置において主にｓ偏光成分を用いて
観察するときの様子を拡大して示す説明図である。
【図４】 ｐ偏光成分４１およびｓ偏光成分４２につい
て、入射角θに対する透過率の変化をそれぞれ示すグラ
フである。
【図５】 図１の装置における観察断面と観察される画
像の様子を示す模式図である。
【図６】 図５の画像から内部欠陥や粒子の像のみを抽
出した画像を示す模式図である
【図７】 本発明の他の実施例に係る欠陥評価装置の観
察手段部分の構成を示す模式図である。
【図８】 図７の装置において観察される画像の様子を
示す模式図である。
【符号の説明】
１０１：被検物体、１０３：観察表面、１０５：レーザ
光、１０７：集光レンズ、１０９：屈折光、１１１：観
察レンズ、１１３：結像レンズ、１１５：撮像素子、１
１８：偏光子、１１９：ｐ偏光成分、１２１：ｓ偏光成
分、、１１７：偏光板、１２３：欠陥や粒子、１２７：
傷等、１２９：反射光、５２１：ｐ偏光成分による散乱
像、５２２：ｓ偏光成分による散乱像、５２３：内部の
欠陥や粒子の像、５２７：傷等の像、７０１：偏光プリ
ズム。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハの観察表面にレーザ光を斜
    めに照射するレーザ照射手段と、 投射したレーザ光に対して半導体ウエハから生じる光を
    前記観察表面側から受光し観察する観察手段とを備えた
    欠陥評価装置において、 前記観察手段は、前記半導体ウエハからの光を、主にｐ
    偏光成分を含むものと主にｓ偏光成分を含むものとに分
    離して受光し、これらを比較し、ｐ偏光成分に対するｓ
    偏光成分の割合が所定値以上であるか否かに基づいて、
    当該散乱光の発生源が半導体ウエハの表面に存在する粒
    子等であるか、内部に存在する欠陥等であるかを判断す
    ることにより、半導体ウエハの表面および内部に存在す
    る欠陥や粒子の性状を同時に評価する成分差別化手段を
    具備することを特徴とする欠陥評価装置。
  2. 【請求項２】 前記照射されるレーザ光がほぼｐ偏向成
    分のみからなることを特徴とする請求項１に記載の欠陥
    評価装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2023106414A1 (ja) * 2021-12-10 2023-06-15

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2076083B1 (es) * 1993-06-04 1996-06-01 Fuesca Sl Aparato y metodo de medida y control de la densidad de reticulacion de los tratamientos en caliente y frio del vidrio aligerado.
US6118525A (en) 1995-03-06 2000-09-12 Ade Optical Systems Corporation Wafer inspection system for distinguishing pits and particles
JP3373327B2 (ja) * 1995-04-24 2003-02-04 松下電器産業株式会社 異物検査装置
TW482898B (en) * 1996-12-04 2002-04-11 Ade Optical Syst Corp A surface inspection system and method for distinguishing between particle defects and pit defects on a surface of a workpiece.
US6034776A (en) * 1997-04-16 2000-03-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Microroughness-blind optical scattering instrument
JPH11101624A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Hitachi Ltd 欠陥評価装置およびその方法並びに半導体の製造方法
JPH11108847A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 欠陥評価装置
JP3404274B2 (ja) * 1997-12-26 2003-05-06 株式会社日立製作所 ウエハ検査装置
US6177984B1 (en) * 1998-01-23 2001-01-23 Providence Health System Video imaging of superficial biological tissue layers using polarized light
US6169601B1 (en) 1998-06-23 2001-01-02 Ade Optical Systems Method and apparatus for distinguishing particles from subsurface defects on a substrate using polarized light
KR100301067B1 (ko) * 1999-08-23 2001-11-01 윤종용 마이크로 스크래치 검사방법 및 이를 적용한 장치
JP4183492B2 (ja) * 2002-11-27 2008-11-19 株式会社日立製作所 欠陥検査装置および欠陥検査方法
US7142300B2 (en) * 2003-05-05 2006-11-28 Kla-Tencor Corp. Technologies Edge bead removal inspection by reflectometry
US7433031B2 (en) * 2003-10-29 2008-10-07 Core Tech Optical, Inc. Defect review system with 2D scanning and a ring detector
US7110106B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-19 Coretech Optical, Inc. Surface inspection system
US20050105791A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-19 Lee Ken K. Surface inspection method
US7330250B2 (en) * 2004-05-18 2008-02-12 Agilent Technologies, Inc. Nondestructive evaluation of subsurface damage in optical elements
US7239389B2 (en) * 2004-07-29 2007-07-03 Applied Materials, Israel, Ltd. Determination of irradiation parameters for inspection of a surface
US7319518B2 (en) * 2005-08-24 2008-01-15 Cree, Inc. Double side polished wafer scratch inspection tool
JP4640254B2 (ja) * 2006-05-15 2011-03-02 トヨタ自動車株式会社 擦傷の測定装置と測定方法
JP4905029B2 (ja) * 2006-09-28 2012-03-28 住友金属鉱山株式会社 光散乱観察装置
CN100510700C (zh) * 2006-12-30 2009-07-08 清华大学深圳研究生院 线偏振光成像方法及装置
JP5235480B2 (ja) * 2008-04-17 2013-07-10 キヤノン株式会社 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2011141119A (ja) * 2008-05-01 2011-07-21 Nikon Corp 表面検査装置
JP5007979B2 (ja) 2008-05-22 2012-08-22 独立行政法人産業技術総合研究所 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置
FR2935055B1 (fr) * 2008-08-14 2012-08-10 Tpl Vision Systeme d'eclairage pour la mise en contraste de codes graves
JP2010096554A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検出方法の高感度化
WO2010071209A1 (ja) * 2008-12-19 2010-06-24 富士フイルム株式会社 検査装置
KR101737663B1 (ko) 2010-02-17 2017-05-18 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 필터 및 멤브레인 결함 검출 시스템
CA2813354A1 (en) 2010-10-01 2012-04-05 Dow Global Technologies Llc System and method for analyzing pore sizes of substrates
DE102012102756A1 (de) 2012-03-30 2013-10-02 Hseb Dresden Gmbh Verfahren zur Detektion vergrabener Schichten
CN103445764B (zh) * 2013-09-04 2014-11-19 广州医软智能科技有限公司 微循环成像监测装置与方法
JP6387650B2 (ja) * 2014-03-28 2018-09-12 三菱マテリアル株式会社 セラミックス基板の内部欠陥検査方法
US9217713B1 (en) 2014-06-19 2015-12-22 The Boeing Company System and method for detecting pin-holes in fiberglass and composite parts
JP2016057180A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 東レエンジニアリング株式会社 基板検査装置
JP2016105052A (ja) * 2014-12-01 2016-06-09 東レエンジニアリング株式会社 基板検査装置
KR20220003134A (ko) 2014-12-05 2022-01-07 케이엘에이 코포레이션 워크 피스들에서의 결함 검출을 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
CN116130377B (zh) * 2023-04-17 2023-09-29 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60220940A (ja) * 1983-05-20 1985-11-05 Hitachi Ltd 異物自動検査装置
JPS61182553A (ja) * 1985-02-08 1986-08-15 Hitachi Ltd 等方性物体内部の異常検出装置
US4893932A (en) * 1986-05-02 1990-01-16 Particle Measuring Systems, Inc. Surface analysis system and method
JPH0731133B2 (ja) * 1987-09-30 1995-04-10 コニカ株式会社 感光材料の検査方法
US5046847A (en) * 1987-10-30 1991-09-10 Hitachi Ltd. Method for detecting foreign matter and device for realizing same
JPH03264912A (ja) * 1990-03-14 1991-11-26 Fujitsu Ltd 表面形状観測装置
JPH03291552A (ja) * 1990-04-09 1991-12-20 Konica Corp 表面欠陥検査装置
US5177559A (en) * 1991-05-17 1993-01-05 International Business Machines Corporation Dark field imaging defect inspection system for repetitive pattern integrated circuits

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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