JPH03264912A - 表面形状観測装置 - Google Patents

表面形状観測装置

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JPH03264912A
JPH03264912A JP6454790A JP6454790A JPH03264912A JP H03264912 A JPH03264912 A JP H03264912A JP 6454790 A JP6454790 A JP 6454790A JP 6454790 A JP6454790 A JP 6454790A JP H03264912 A JPH03264912 A JP H03264912A
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JP
Japan
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image signal
light
section
surface shape
linearly polarized
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JP6454790A
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Koujirou Itou
考治郎 伊藤
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 被観測体、例えば基板の表面形状を観測する表面形状観
測装置に関し、 基板の表面に被着した透明膜の表面形状を簡単且つ正確
Gこ観測できる表面形状観測装置の提供を目的とし、 進行方向に垂直な平面内であらゆる方向に振動する直線
偏光を有する光を発生する発光部と、光から任意の直線
偏光を選択して透過させる偏光部と、偏光部を透過した
直線偏光を該直線偏光の光軸と垂直な断面がスリット状
になるようにして被観測体の表面に斜めに照射する照射
部と、被観測体の表面が反射した直線偏光の反射光を受
光して撮像部に入射する結像部と、反射光を受光して該
反射光を画素毎の電気的な画像信号に変換する撮像部と
、撮像部から入力された各画素毎の画像信号を格納する
第1のフレームメモリ及び偏光部を光の光軸を回転中心
にして所定角度回転した際の直線偏光の反射光を受光し
た撮像部が出力する各画素毎の画像信号を格納する第2
のフレームメモリを有するメモリ部と、第1のフレーム
メモリ及び第2のフレームメモリからそれぞれの画像信
号を各画素毎に入力して同一画素毎の画像信号をそれぞ
れ差分演算する画像信号処理部と、画像信号処理部によ
り差分演算された画像信号を入力して画面上に表示する
画像表示部とを含ませて表面形状観測装置を構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板の表面形状を観測する表面形状観測装置
、特に基板の表面に被着した透明膜の表面形状を簡単且
つ正確に観測できる表面形状観測装置に関する。
半導体装置の製造工程において半導体ウェーハに塗布し
たレジストの膜厚を均一に保つことは、半導体装置の製
造歩留まりを向上・維持することから極めて重要である
このためには半導体装置の製造現場で簡単に使え、かつ
半導体ウェーハに塗布したレジストの膜厚の表面形状を
迅速且つ正確に観測できる表面形状観測装置が必要であ
る。
〔従来の技術〕
第2図は、従来の表面形状観測装置の説明図で、同図(
a)は装置構成を示す概略模式図、同図(b)は照射状
態を示す説明図、同図(c)は本装置が描く被観測体の
表面形状を示す図である。
尚、同し部品・材料に対しては全図を通して同し記号を
付与しである。
従来の表面形状観測装置は、光ioを発生する光源21
.例えばレーザ発振器21と、光Ioの進路を変える第
1の【ラー22aと、細長の溝状に開口したスリット(
図示せず)を設けた不透明のスリット板23と、スリッ
ト板23のスリットを通過した光1゜を収束して被観測
体10、例えば基板10の表面に結像させる集光用レン
ズ24aと、光1oの反射光Ibを収束する投影用レン
ズ24bと、反射光Ibの進路を変える第2のミラー2
2bと、反射光1bを収束する結像用レンズ24cと、
結像用レンズ24cが収束した反射光ibを受光し一つ
のセルを一つの画素として画素毎に電気的な画像信号に
変換するC OD (Charge Coupled 
Device;電荷結合素子)を撮像素子として使用し
たカメラ25と、カメラ25から入力した各画素毎の画
像信号をそれぞれ格納するメモリ部26と、メモリ部2
6から画像信号を読み出して画像信号の特徴抽出処理を
する画像処理部27、及び画像処理部27が処理したデ
ータにより基板lOの表面形状を画像で表示するCRT
表示装置28を含んで構成したものである(同図(a)
参照)。
次に、斯かる構成をした従来の表面形状観測装置の機能
について説明する。
まず、レーザ発振器21を作動すると、レーザ発振器は
平行性の良い光1oを発生する。
この光■0は、第1のミラー22aで進路を変え、スリ
ット板23に設けたスリットを通過し、集光用レンズ2
4aにより基板10の表面に線状となって結像する。な
お、光1oは、通常、基板10の表面に対して45度程
度の入射角となるように調整されている(同図(b)参
照)。
そして、基板IOの表面で反射された光Eoの反射光1
bは、投影用レンズ24bにより収束され、第2のξク
ー22bで進路を変え、結像用レンズ24cで収束され
てカメラ25のCOD (図示せず)の表面に結像する
すると、カメラ25のCCDは、一つのセルを一つの画
素として反射光Ibを画素毎の電気的な画像信号に変換
し、この画素毎の画像信号をメモリ部26に出力すると
、メモリ部26は画素毎に画像信号を格納する。
斯かる一連の処理は、基板10を矢印A方向に一定距離
移動される度毎に行われるため、メモリ部26には基板
lOの表面形状に関する複数の画像信号が格納されるこ
ととなる。
画像処理部27は、メモリ部26から画像信号を読み出
し、基板10の表面形状の状態を強調且つ特徴的に表示
するための特徴抽出処理をして画像表示部28、例えば
CR7表示装置28に出力する。
斯くして、CR7表示装置28は、基板10の表面形状
を目視による視認が容易な立体像的に表示することとな
る(同図(c)参照)。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の表面形状観測装置は、基板10が不透明の材料か
ら出来たものであれば何隻問題ない。
ところが、第2図の(b)に示した基板10を第1図の
(b)図に示した透明膜、例えばレジスト膜10aを被
着した基板10に換えると、第2図の(b)図に示す反
射光1bは、基板10の表面からの反射光とレジスト膜
10aの表面からの反射光とが入り混しったものとなる
従って、従来の表面形状観測装置により基板■0に被着
したレジスト膜10aの表面形状を観察することは不可
能であった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたも
ので、その目的は基板等の表面に被着した透明膜の表面
形状を簡単且つ正確に観測できる表面形状観測装置の提
供にある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的は、第1図に示す如く進行方向に垂直な平面内
であらゆる方向に振動する直線偏光を有する光Loを発
生する発光部11と、光Loから任意の直線偏光Laを
選択して透過させる偏光部12と、偏光部12が透過し
た直線偏光Laを該直線偏光Laの光軸と垂直な断面が
スリット状になるようにして被観測体10の表面に斜め
に照射する照射部13と、被観測体10の表面が反射し
た直線偏光Laの反射光Lbを受光して撮像部15に入
射する結像部14と、反射光Lbを受光して該反射光L
bを画素毎の電気的な画像信号に変換する撮像部15と
、撮像部15から入力された各画素毎の画像信号を格納
する第1のフレームメモリ16a及び偏光部12を光L
oの光軸を回転中心にして所定角度回転した際の直線偏
光Lcの反射光Ldを受光した撮像部15が出力する各
画素毎の画像信号を格納する第2のフレームメモリ16
bを有するメモリ部16と、第1のフレームメモリ16
a及び第2のフレームメモリ16bからそれぞれの画像
信号を各画素毎に入力して同一画素毎の画像信号をそれ
ぞれ差分演算する画像信号処理部17と、画像信号処理
部17により差分演算された画像信号を人力して画面上
に表示する画像表示部18とを含んで構成したことを特
徴とする表面形状観測装置により達成される。
〔作 用] 本発明の表面形状観測装置の偏光部12は、光り。
の光軸を回転中心にして回転角度を調整することにより
、光Loの中から被観測体10への入射面に対して垂直
に振動する直線偏光LaであるS偏光、及び入射面に対
して水平に振動する直線偏光LcであるP偏光をそれぞ
れ別々に透過する。
なお、被観測体■0への入射面は、被観測体10の表面
に垂直な法線と被観測体1oの表面に入射する直線偏光
La (Lc)とが含まれる平面を言う。
従って、S偏光の直線偏光LaをP偏光の直線偏光Lc
に替えるには偏光部12を光Loの光軸を回転中心にし
て90度回転すればよい。またP偏光の直線偏光Lcを
S偏光の直線偏光Laに替えるには偏光部12を光Lo
の光軸を回転中心にして90度回転すればよいことにな
る。
透明膜表面のS偏光に対する反射率と、P偏光に対する
反射率とは異なり、第3図の直線偏光に対する透明膜の
表面の反射率の比較図に示すようにS偏光(第3図の曲
線l)対する反射率がP偏光(第3図の曲線2)に対す
る反射率より大きくなることが知られている。
従って、透明膜10a 、例えばレジスト膜10aを被
着した被観測体10の表面にS偏光の直線偏光Laを結
像手段14により結像した際の反射光Lbは、当然被観
測体10の表面からの反射光と被観測体10の表面に被
着したレジスト膜の表面からの反射光とが入り混しった
ものとなるが、その成分構成はレジスト膜の表面からの
反射光が多くなる。
一方、P偏光の直線偏光Lcの反射光Ldは、上記の如
くレジスト膜からの反射率が小さいため、被観測体10
の表面からの反射光が主体となる。
斯くして、S偏光の直線偏光Laの反射光Lbを撮像部
15で画素毎に変換された画像信号と、P偏光の直線偏
光Lcの反射光Ldを撮像部15で画素毎に変換された
画像信号とは、同じ画素の画像信号であっても異なるこ
ととなる。
したがって、撮像部15から入力されてメモリ部16の
第1のフレームメモリ16aに格納されているS偏光で
得られた画像信号、第2のフレームメモリ16bに格納
されているP偏光で得られた画像信号とを、画像信号処
理部17に入力してそれぞれの画像信号を各画素毎に差
分演算することによりレジスト膜の表面形状だけの画像
信号が得られることとなる。
斯くして、この画像信号を画像表示部18に人力すると
、レジスト膜の表面形状の画像信号が画面上に表示され
る。
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
第1図は、本発明の一実施例の表面形状観測装置の説明
図で、同図(a)は装置構成を示す概略模式図、同図(
b)はレジスト膜を被着した基板の斜視図、同図(c)
は本装置が描くレジスト膜の表面形状を示す図である。
本発明の一実施例の表面形状観測装置は、進行方向に垂
直な平面内であらゆる方向に振動する直線偏光を有する
光Loを発生する発光部11、例えばレーザ発振器11
と、 光Loから任意の直線偏光Laを選択して透過させる偏
光部12、例えば電気石型の偏光板12と、直線偏光L
aを反射してその進路を変える第1のミラー13aと、
細長のスリット〈図示せず)を設けたスリット板13b
と、スリット板13bのスリットを通過してスリット状
になった直線偏光Laを収束して被観測体10、例えば
透明膜であるレジスト膜IQaを被着した基板lOの表
面に斜めに照射する集光用レンズ13cよりなる照射部
13と、直線偏光Laの反射光Lbを収束する受光用レ
ンズ14aと、反射光Lbの進路を変更する第2のミラ
ー14bと、反射光Lbを収束して撮像手段15、例え
ばCODを使用したカメラ15に結像する結像用レンズ
14cとで構成した結像部14と、 反射光Lbを受光してCCDの一つのセルを一つの画素
として反射光Lbを画素毎に電気的な画像信号に変換す
るCODカメラ15と、 CODカメラ15から入力された画素毎の画像信号を格
納する第1のフレームメモリ部16a及び偏光板12を
光Loの光軸を回転中心にして所定角度回転した際の光
Loのなかの直線偏光Lcの反射光Ldから得られる画
像信号を格納する第2のフレームメモリ部16bを有す
るメモリ部16と、第1のフレームメモリ部16a 及
ヒ第20:)フレームメモリ部16bからそれぞれの画
像信号を入力して対応する画素毎の画像信号を差分演算
する画像信号処理部17と、 歯像信号処理部17により差分演算された画像信号を入
力して画面上に画像を表示する画像表示手段18、例え
ばCRT表示装置18とを含んで構成したものである(
同図(a)参照)。
斯かる本発明の表面形状観測装置により、基板に塗布さ
れた透明なレジスト膜の表面形状を観測する方法につい
て説明する(同図(b)参照)。
まず、レーザ発振器11を作動し、このレーザ発振器1
1が発生する光Loを偏光板12に垂直に照射すると、
偏光板12は光Loの中からS偏光の直線偏光Leaを
通過する。
なお、偏光板12は、かの偏光板12を通過した光Lo
、即ち直線偏光LaがS偏光となるように調整されてい
る。
そして、S偏光Laは、第1のミラー13aで進路を変
えられて細長のスリットを設けたスリ、7ト板13bを
照射する。
このスリット板13bのスリットを通過してスリット状
になった直線偏光La(S偏光)は、集光用レンズ13
cで収束されて基板lOに塗布された透明なレジスト膜
の表面に結像する。
なお、直線偏光Laは、レジスト膜の表面に対する入射
角度が45度程度で調整されている。
レジスト膜の表面に照射された直線偏光Laの反射光L
bは、受光用レンズ14aにより収束した後、第2のミ
ラー14bにより進路を変えられて、そして結像用レン
ズ14cにより再び収束されてカメラ15に入射するこ
ととなる。
反射光Lbを受光したカメラ15は、CCDの一つのセ
ルを一画素として反射光Lbを画素毎に画像信号に変換
してメモリ部16のどちらかのフレームメモリ部、例え
ば第1のフレームメモリ部16aに格納する。
この後、偏光板12を、光Loの光軸を回転中心として
90度回転し、光LoO中からP偏光の直線偏光Lcだ
けを通過させ、直線偏光Laの場合と同し手順により直
線偏光Lcの反射光Lclをカメラ15に受光させて画
像信号を得る。
そして、この画像信号をメモリ部16のS偏光の画像信
号を格納した第1のフレームメモリ部16aとは別のフ
レームメモリ部、即ち第2のフレームメモリ部16bに
格納する。
以上の説明した処理を基板10をB方向に所定距離移動
毎に行った後、画像信号処理部エフは、第1のフレーム
メモリ部16aと、第2のフレームメモリ部16bから
それぞれの画像信号を画素毎に人力し、CC,Dの同し
セルで得られたそれぞれの画像信号を差分演算し、この
差分演算に新たに構成された画像信号をCR7表示装置
18に送出する。
すると、CR7表示装置18は、その画面上に塗布され
た透明なレジスト膜の表面形状を表示することとなる(
同図(c)参照)。
このように本発明の一実施例の表面形状観測装置は、基
板に被着した透明膜の表面形状をCR7表示装置18の
画面上に正確に表示することを可能にするものである。
なお、本発明の一実施例の表面形状観測装置による表面
形状の観測例の説明は、基板の表面に塗布された透明膜
の表面形状を観測するケースを採り上げて行ったが、不
透明な表面形状の観測に対して通用できることは勿論で
ある。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、基板に
被着した透明膜の表面形状を簡単且つ正確に観測できる
表面形状観測装置を提供することができることとなる。
従って、本発明の表面形状観測装置を半導体装置の製造
工程などに導入すれば、基板表面に被着させたレジスト
膜の状態把握が正確となり、半導体装置などの製造歩留
まりを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の表面形状観測装置の説明
図、 第2図は、従来の表面形状観測装置の説明図、第3図は
、直線偏光に対する透明膜の表面の反射率の比較図であ
る。 図において、 10は被観測体く基板)、 10aはレジスト膜、 11は発光部(レーザ発振器)、 12は偏光部(偏光板)、 13は照射部、 13aは第1のミラー 13bはスリット板、 13cは集光用レンズ、 14は結像部、 14aは受光レンズ、 14bは第2のミラー 14cは結像用レンズ、 15は撮像部(カメラ)、 16はメモリ部、 16aは第1のフレームメモリ部、 16bは第2のフレームメモリ部、 17は画像信号処理部、 18は画像表示部(CRT表示装置) 示す。 をそれぞれ 直#停芝1;かT縫9V謄汀命へl欅ぺ較閉s3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 進行方向に垂直な平面内であらゆる方向に振動する直線
    偏光を有する光(Lo)を発生する発光部(11)と、 光(Lo)から任意の直線偏光(La)を選択して透過
    させる偏光部(12)と、 偏光部(12)を透過した直線偏光(La)を該直線偏
    光(La)の光軸と垂直な断面がスリット状になるよう
    にして被観測体(10)の表面に斜めに照射する照射部
    (13)と、 被観測体(10)の表面が反射した直線偏光(La)の
    反射光(Lb)を受光して撮像部(15)に入射する結
    像部(14)と、 反射光(Lb)を受光して該反射光(Lb)を画素毎の
    電気的な画像信号に変換する撮像部(15)と、撮像部
    (15)から入力された各画素毎の画像信号を格納する
    第1のフレームメモリ(16a)及び偏光部(12)を
    光(Lo)の光軸を回転中心にして所定角度回転した際
    の直線偏光(Lc)の反射光(Ld)を受光した撮像部
    (15)が出力する各画素毎の画像信号を格納する第2
    のフレームメモリ(16b)を有するメモリ部(16)
    と、 第1のフレームメモリ(16a)及び第2のフレームメ
    モリ(16b)からそれぞれの画像信号を各画素毎に入
    力して同一画素毎の画像信号をそれぞれ差分演算する画
    像信号処理部(17)と、 画像信号処理部(17)により差分演算された画像信号
    を入力して画面上に画像を表示する画像表示部(18)
    とを含んで構成したことを特徴とする表面形状観測装置
JP6454790A 1990-03-14 1990-03-14 表面形状観測装置 Pending JPH03264912A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06281589A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 欠陥評価装置
JP2005033177A (ja) * 2003-05-05 2005-02-03 Kla-Tencor Technologies Corp 反射率測定によるエッジビード除去の検査
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