JP7258878B2 - ペリクルに関連する状態を決定するための装置および方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１７年１２月１２日出願の米国出願第６２/５９７，９１３号、２０１８年１月２２日出願の米国出願第６２/６２０，４２６号、および２０１８年８月１３日出願の米国出願第６２/７１８，２１１の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本明細書は、ペリクルに関連する状態を決定するための装置および方法に関する。ペリクルは、リソグラフィ装置用のパターニングデバイスと共に使用するのに適し得る。本説明は、特に、ＥＵＶリソグラフィ装置および／またはＥＵＶツールに関連するが、これら以外を除外するものではない。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）からのパターンを基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上へ投影することができる。

[0004] リソグラフィ装置によってパターンを基板上に投影するために使用される放射の波長により、この基板上に形成され得るフィーチャの最小サイズが決定される。４～２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置を使用すると、（例えば、１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用し得る）従来のリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。

[0005] リソグラフィにおいてペリクルを使用することは周知であり、十分に確立されている。ＤＵＶリソグラフィ装置における典型的なペリクルは、パターニングデバイスから離れて位置付けられる膜であり、使用中、リソグラフィ装置の焦点面から外れている。ペリクルはリソグラフィ装置の焦点面から外れているため、ペリクル上に着地した汚染粒子はリソグラフィ装置内の焦点から外れている。結果として、汚染粒子の像は基板上には投影されない。ペリクルが存在しない場合、パターニングデバイス上に着地した汚染粒子は基板上に投影され、投影されたパターンに欠陥を取り込むことになる。

[0006] ＥＵＶリソグラフィ装置ではペリクルを使用することが望ましい場合がある。ＥＵＶリソグラフィは、典型的には真空内で実行される点、および、パターニングデバイスが典型的には透過型でなく反射型である点において、ＤＵＶリソグラフィとは異なる。

[0007] 本技術に関連した１つ以上の問題を克服または軽減するような、ペリクルに関連する状態を決定するための装置および方法を提供することが望ましい。本明細書に記載される例は、ＥＵＶリソグラフィ装置における使用を含み得る。本明細書に記載される例には、ＤＵＶリソグラフィ装置および／または別の形態のリソグラフィツールにおける使用を含んでもよい。本明細書に記載される例は、ＥＵＶまたはＤＵＶを使用する他のツール、および／またはリソグラフィプロセスに関連した他のツール（例えば、パターニングデバイス検査ツールなどの検査ツール）における使用を含んでもよい。

[0008] 一態様では、リソグラフィ装置において使用するためのペリクルに関連する状態を決定するための装置が提供され、この装置はセンサを備え、センサは、ペリクルに関連する特性を測定するように構成され、特性はペリクルの状態を示す。

[0009] これは、ペリクル故障情報を提供し、基板のスループットを向上し、基板への損傷を回避するといった効果を有し得る。

[00010] ペリクルに関連する特性は、ペリクルの温度もしくは温度プロファイルであってよく、かつ／または、ペリクル上の粒子の温度もしくは温度プロファイルであってもよい。

[00011]これは、ペリクルに損傷が生じるよりも前に（粒子により誘発された、またはそれ以外の）熱のホットスポットを検出するといった利点を有し得る。これは、パワー／吸収に関連したペリクル耐用期間の不確実性、リソグラフィ装置内およびペリクルテストスタンド内の絶対パワー測定値、および／またはリソグラフィの状態へのオフラインペリクル試験の整合に関する要件を緩和することができるといった利点を有し得る。

[00012] センサは、ペリクルに関連する赤外放射（ＩＲ）を測定するように構成され得る。センサは、ペリクルに関連するＩＲ放出スペクトルを測定するように構成されてもよい。

[00013] センサは、２～８μｍの波長域内のＩＲ放出の強度を測定するように構成され得る。波長域は、２～７μｍ、２～６μｍ、２～５μｍ、２～４μｍ、２～３μｍ、３～５μｍ、４～５μｍ、３～６μｍ、４～６μｍおよび／または５～６μｍから選択される１つ以上であり得る。

[00014] センサは、ＩＲ放出差を測定するように構成され得る。ＩＲ放出差測定は、６～８μｍ帯域の強度に対する２～３μｍ帯域の強度の比率を決定するためであり得る。

[00015] センサは、ＩＲ放出スペクトルを確立するためにスキャン可能なバイアス電圧を提供するように構成されたフォトダイオードを含み得る。フォトダイオードは、バイアス印加されたショットキーバリアフォトダイオードまたはＢ－ＳＩ接合ディテクタであり得る。

[00016] 温度測定値の取得速度は、少なくとも１０Ｈｚであってよく、少なくとも１ｋＨｚであってよい。

[00017] センサは、粒子から受ける赤外放射とペリクルから受ける赤外放射との間のコントラストを識別することにより、ペリクル上の粒子の位置を特定するように構成され得る。

[00018] 装置は、放射ビームのパワーを能動的に制御して、ペリクルを所定温度に維持するように構成され得る。

[00019]これは、基板のスループットが最も高い安全なレベルでリソグラフィ装置を使用することができるといった利点を有し得る。

[00020] 装置は、温度測定値に基づいて分割露光方式を起動するように構成され得る。

[00021] これは、露光放射ビームパワーを減少させることに比べて、スループットを向上させられるといった利点を有する。

[00022] 装置は、ＩＲ放射を通過させる少なくとも１つの透明層を備え得る。

[00023] これは、この装置をリソグラフィ装置の外部に位置付けることができるといった利点を有し得る。

[00024] センサは、リソグラフィ装置において瞳ファセットモジュール内の実質的に中心に位置づけられるように構成され得る。センサは、放射ビームパスの外側に位置付けられてもよい。

[00025] センサは、ペリクルに対して少なくとも４５°の入射角で位置付けられるように構成され得る。ＩＲセンサ２６は、ペリクルに対して少なくとも５０°、５５°、６０°、６５°、７０°、７５°、８０°、または８５°の入射角度で位置付けられ得る。

[00026] これは、パターニングデバイスからセンサへの放出が抑制されるといった利点を有し得る。

[00027] センサは、ペリクルキャリア内に一体化されてもよい。

[00028] ペリクルに関連する特性は静電容量であってよく、センサは静電容量センサであってよい。

[00029] これは、リソグラフィ装置の損傷を減少または防止し、１つ以上の他のパターニングデバイスとの相互汚染を減少または防止し、かつ／またはリソグラフィ装置に多くの追加のハードウェアが必要になることを回避するといった利点を有し得る。

[00030] 装置は、センサの電気接点が、ペリクルキャリアが閉じている間に、ペリクルキャリアの外部から接続可能であるように構成され得る。

[00031] これは、ペリクルの状態を検出するためにペリクルキャリアを開く必要がないといった利点を有し得る。

[00032] 装置は、既定のペリクルエリアにわたり、ペリクルが放射で照明されるように構成されてもよく、センサは、ペリクルから反射された放射を測定するように構成される。

[00033] これは、パターニングデバイスパターンの回折パターンが粒子検出システムと干渉するリスクを減少させるといった利点を有し得る。

[00034] 装置は、既定のペリクルエリアを放射で連続的に照明するように構成され得る。

[00035] 既定のペリクルエリアは、照明線であり得る。

[00036] 照明線は、ペリクルと交差する照明面から形成され得る。

[00037] 装置は、ペリクルに対して少なくとも４５°の入射角でペリクルを照明するように構成され得る。

[00038] これは、パターニングデバイス回折が粒子検出に偽陽性をもたらすリスクを減少させるといった利点を有し得る。

[00039] センサは、ペリクルからの鏡面反射のパス内に存在しないように方向付けられ得る。

[00040] センサは、照明面に対して垂直に方向付けられ得る。

[00041] 装置は、パターニングデバイスの少なくとも一部に陰を付ける一方で、放射をペリクルに入射させるアパーチャを備えたシャドーイング構造を備え得る。

00042] これは、望ましくない放射をブロックし、ゴーストパターン（ghost pattern）を回避することができるといった利点を有し得る。これは、装置が、異なるタイプの表面を検査することができ、汎用性があるといった利点を有し得る。これは、この方法が表面の光学的特性または照明放射の波長に依存しないためであり得る。

[00043] アパーチャは、既定のペリクルエリアがセンサから見通すことができる一方、シャドーイング構造のシャドーイング効果によりパターニングデバイスパターンの視認性が実質的に減少するような幅を有し得る。

[00044] センサは、ペリクルアセンブリのペリクルフレームに関連付けられ得る。これは、ペリクルの破損または差し迫ったペリクルの破損の迅速なフィードバックを提供するといった利点を有し得る。これは、ペリクルまたはパターニングデバイスを監視するシステム全体を通して複数のディテクタを要することを回避することにより、コストを削減するといった利点を有し得る。

[00045] センサは、少なくとも部分的にペリクルフレーム内に存在し得る。

[00046] センサは、ペリクルまでの距離を測定するように構成された近接センサであってもよい。

[00047] 近接センサは、キャップゲージセンサまたは誘導センサであり得る。

[00048]装置は、センサからのデータを無線送信するように構成されてもよい。

[00049]センサは、検査面からの信号以外の信号をフィルタ除去するように構成されてもよく、検査面はペリクルの位置に対応する。これは、ペリクル内の欠陥の誤検出を回避することができるといった利点を有し得る。これは、より堅固で信頼性の高い欠陥検出方法といった利点を有し得る。

[00050] センサは明視野カメラであってもよく、明視野カメラは、検査面の深度からの放射強度情報のみを出力するように構成される。これは、単一の物体（つまり、カメラ／レンズ）のみが任意の精度で位置合わせされるといった利点を有し得る。

[00051] 明視野カメラは、検査面に対応しないことが分かっている特定の角度範囲内の放射強度情報をフィルタ除去するように構成され得る。

[00052] 装置は、検査面に対応する信号に対して粒子検出アルゴリズムを動作させるように構成され得る。

[00053] 検査面は、ある範囲の最大ペリクル変位に対応し得る。

[00054] 装置は、ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射でペリクルを照明するように構成された放射源を備えてもよく、センサは、ペリクルに関連する放射を測定するように構成されてもよい。これは、放射がペリクルを通過してパターニングデバイスに到達するのを防止するといった利点を有し得る。これにより、他の波長の放射を使用する場合と比べて、ゴーストの発生を防止または実質的に減少させることができる。

[00055] ペリクルを通る放射の透過率は、１０％以下、１％以下、または０．１％以下であり得る。

[00056] ペリクルは、多結晶ペリクルであり得る。放射の波長は、１８０ｎｍ～３８０ｎｍ、３５６ｎｍ～３６５ｎｍ、３５６ｎｍ～３７０ｎｍ、３５６ｎｍ～３７５ｎｍ、３６１ｎｍ～３６５ｎｍ、３６１ｎｍ～３７０ｎｍ、３６１ｎｍ～３７５ｎｍ、または、３６４ｎｍ～３６６ｎｍから選択される範囲であり得る。

[00057] 放射の波長は３６５ｎｍであってよい。

[00058] 装置は、放射がペリクルに入射する時に平行化または発散されるように構成され得る。

[00059] 装置は、ペリクルが、ペリクルの幅の一部、全幅、または全エリアにわたって一度に照明されるように構成され得る。

[00060] 装置は、複数の放射源を備えてもよい。

[00061] ペリクルは、ケイ素製またはＭｏＳｉ製であり得る。

[00062] センサは、放射源および／またはパターニングデバイス背面検査ツールを備えてもよい。

[00063] センサは、ペリクルがリソグラフィ装置内の放射ビーム露光位置にある時に、ペリクルに関連する特性を測定するように構成され得る。

[00064] これは、ペリクルの状態の現場（in-situ）検出といった利点を有し得る。

[00065] センサは、露光放射ビームが放射ビーム露光位置にあるペリクルに入射する時に、ペリクルに関連する特性を測定するように構成されてもよい。

[00066] これは、ペリクルの状態のリアルタイム検出といった利点を有し得る。

[00067] 装置は、露光放射ビームからの放射をフィルタ除去するためのフィルタを備え得る。

[00068] 装置は、ペリクルに関連する状態に基づいて、放射ビームを停止するように、かつ／または放射ビームのさらなるパルスを防止するように構成され得る。

[00069] これは、パターニングデバイスへの損傷を防止するといった利点を有し得る。

[00070] ペリクルに関連する状態は、ペリクルの耐用期間、ペリクルの完全性、ペリクル内の欠陥、ペリクルの局所的な透過の変化、ペリクル上に位置する粒子、ペリクル上の汚れ、ペリクルの変形、ペリクルの差し迫った破損、ペリクルの破損、および／または、ペリクルの存在から選択される１つ以上であり得る。

[00071] センサは、ペリクルの直接見通し線内に存在しなくてよい。

[00072] 一態様によると、本明細書に記載されるペリクルに関連する状態を決定するための装置とリソグラフィ装置とを備えるアセンブリが提供され、このリソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポート構造と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、を備える。

[00073] 一態様によると、リソグラフィ装置において使用するためのペリクルに関連する状態を決定する方法が提供され、この方法は、センサを使用してペリクルに関連する特性を測定することを含み、特性は、ペリクルの状態を示す。

[00074] ペリクルに関連する特性は、ペリクルの温度プロファイルであってよく、かつ／または、ペリクル上の粒子の温度プロファイルであってもよい。

[00075] 方法は、センサを使用して、ペリクルに関連する赤外放射（ＩＲ）を測定することをさらに含み得る。

[00076] 方法は、粒子から受ける赤外放射とペリクルから受ける赤外放射との間のコントラストを識別することにより、ペリクル上の粒子を識別することをさらに含み得る。

[00077] 方法は、ペリクルおよび／またはペリクルとパターニングデバイスとの対に対する最大許容パワーを決定することをさらに含み得る。

[00078] 方法は、センサがペリクルキャリア内に一体化されている場合に、ペリクルに関連する特性を測定することをさらに含み得る。

[00079] 方法は、静電容量センサを使用して、ペリクルの静電容量を測定することをさらに含み得る。

[00080] 方法は、既定のペリクルエリアにわたり、ペリクルを放射で照明することと、ペリクルから反射された放射をセンサにより測定することをさらに含み得る。

[00081] 方法は、既定のペリクルエリアを放射で連続的に照明することをさらに含み得る。

[00082] 方法は、ペリクルと交差する時に照明線を形成する照明面を使用して、既定のペリクルエリアを照明することをさらに含み得る。

[00083] 方法は、ペリクルに対して少なくとも４５°の入射角でペリクルを照明することをさらに含み得る。

[00084] 方法は、センサを照明面に対して垂直に方向付けることをさらに含み得る。

[00085] 方法は、ペリクルを照明することと、既定のペリクルエリアをセンサによって見通す一方、アパーチャを備えたシャドーイング構造のシャドーイング効果により、パターニングデバイスからのパターニングデバイスパターンの視認性を実質的に減少させることと、をさらに含み得る。

[00086] センサは、ペリクルアセンブリのペリクルフレームに関連付けられ得る。

[00087] 近接センサを使用してペリクルまでの距離を測定することをさらに含み得る。

[00088] 方法は、センサからデータを無線送信することをさらに含み得る。

[00089] 方法は、検査面からの信号以外の信号をフィルタ除去することをさらに含んでもよく、検査面はペリクルの位置に対応する。

[00090] センサは明視野カメラであってもよく、方法は、検査面の深度からの放射強度情報のみを出力することを含み得る。

[00091] 方法は、検査面に対応する信号に対して粒子検出アルゴリズムを動作させることをさらに含む。

[00092] 方法は、ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射でペリクルを照明することと、センサを使用してペリクルに関連する放射を測定することとをさらに含み得る。

[00093] ペリクルを通る放射の透過率は、１０％以下、１％以下、または０．１％以下であり得る。

[00094] ペリクルは多結晶ペリクルであり得る。

[00095] 放射の波長は、１８０ｎｍ～３８０ｎｍ、３５６ｎｍ～３６５ｎｍ、３５６ｎｍ～３７０ｎｍ、３５６ｎｍ～３７５ｎｍ、３６１ｎｍ～３６５ｎｍ、３６１ｎｍ～３７０ｎｍ、または、３６１ｎｍ～３７５ｎｍから選択される範囲であり得る。

[00096] 放射の波長は３６５ｎｍであってよい。

[00097] 方法は、ペリクルに入射する時に平行化または発散される放射によってペリクルを照明することをさらに含み得る。

[00098] 方法は、ペリクルの幅の一部、全幅、または全エリアにわたって、ペリクルを一度に照明することをさらに含み得る。

[00099] 方法は、複数の放射源からペリクルを照明することをさらに含み得る。

[000100] ペリクルは、ケイ素製またはＭｏＳｉ製であり得る。

[000101] 方法は、センサを使用して、ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射でペリクルを照明することをさらに含み得る。

[000102] 方法は、ペリクルがリソグラフィ装置内の放射ビーム露光位置にある時に、ペリクルに関連する特性を測定することをさらに含み得る。

[000103] 方法は、露光放射ビームが放射ビーム露光位置にあるペリクルに入射する時に、ペリクルに関連する特性を測定することをさらに含み得る。

[000104] 方法は、ペリクルに関連する状態に基づいて、放射ビームを停止すること、および／または放射ビームのさらなるパルスを防止することをさらに含み得る。

[000105] ペリクルに関連する状態は、ペリクルの耐用期間、ペリクルの完全性、ペリクル内の欠陥、ペリクルの透過の変化、ペリクル上に位置する粒子、ペリクル上の汚れ、ペリクルの変形、ペリクルの差し迫った破損、ペリクルの破損、および／または、ペリクルの存在から選択される１つ以上であり得る。

[000106] 一態様によると、本明細書に記載される方法をコンピュータに実行させるように構成されたコンピュータ可読命令を含むコンピュータプログラムが提供される。

[000107] 一態様によると、本明細書に記載されるコンピュータプログラムを有するコンピュータ可読媒体が提供される。

[000108] 一態様によると、ペリクルに関連する状態を決定するように構成されたコンピュータ装置が提供され、コンピュータ装置は、プロセッサ可読命令を記憶するメモリと、メモリ内に記憶された命令を読取りおよび実行するように構成されたプロセッサと、を備え、プロセッサ可読命令は、コンピュータを制御して本明細書に記載される方法を実行させるように構成された命令を含む。

[000109] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。

[000110] 図１は、ペリクルアセンブリの例を備えたリソグラフィ装置を含むリソグラフィシステムを概略的に示す。 [000111] 図２は、ペリクルアセンブリおよびパターニングデバイスの側面図を概略的に示す。 [000112] 図３は、ペリクルアセンブリ、パターニングデバイス、およびＩＲセンサの側面図を概略的に示す。 [000113] 図４は、室温における黒体放出スペクトルのグラフを示す。 [000114] 図５は、７５０Ｋにおける黒体放出スペクトルのグラフを示す。 [000115] 図６は、ペリクルアセンブリ、パターニングデバイス、およびＩＲセンサの側面図を概略的に示す。 [000116] 図７は、ペリクルキャリアのベースプレート内に一体化された静電容量センサの上面図を概略的に示す。 [000117] 図８は、ペリクルキャリアのベースプレート内に一体化された静電容量センサの側面図を概略的に示す。 [000118] 図９は、ペリクルアセンブリ、パターニングデバイス、放射出力、および放射センサの側面図を概略的に示す。 [0001１９] 図１０は、ペリクルアセンブリ、パターニングデバイス、放射出力、および放射センサの側面図を概略的に示す。 [000120] 図１１は、ペリクルアセンブリ、パターニングデバイス、放射出力、および放射センサの上面図を概略的に示す。 [000121] 図１２は、ペリクル、パターニングデバイス、シャドーイング構造、および放射センサの側面図を概略的に示す。 [000122] 図１３は、ペリクル、パターニングデバイス、近接センサの側面図を概略的に示す。 [000123] 図１４は、ペリクル、パターニングデバイス、明視野センサの側面図を概略的に示す。 [000124] 図１５は、ペリクル、パターニングデバイス、明視野センサの光線図を概略的に示す。 [000125] 図１６は、位置および角度を示す明視野センサの光線空間図を概略的に示す。 [000126] 図１７は、ペリクル、パターニングデバイス、および放射センサの側面図を概略的に示す。 [000127] 図１８は、ペリクルの透過に対する放射の波長のグラフを示す。

[000128] 図１は、本発明の一実施形態に係るセンサ２６を備えたリソグラフィシステムを示している。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成されたサポート構造ＭＴ、投影システムＰＳ、および基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。照明システムＩＬは、放射ビームＢを、パターニングデバイスＭＡに入射する前に調整するように構成される。投影システムは、（この時点では、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与されている）放射ビームＢを基板Ｗ上に投影するように構成される。基板Ｗは、予め形成されたパターンを含み得る。この場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付き放射ビームＢを、基板Ｗ上に予め形成されたパターンに対して位置合わせする。

[000129] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳは、全て、外部環境から隔離されることができるように構築および配置され得る。放射源ＳＯ内には、大気圧未満の圧力でガス（例えば、水素）を供給することができる。照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳ内には真空が提供され得る。照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳ内には、大気圧を十分に下回る圧力で少量のガス（例えば、水素）が提供されてもよい。

[000130] 図１に示す放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプのものである。レーザ１は、例えばＣＯ_２レーザであってよく、燃料エミッタ３から提供されるスズ（Ｓｎ）などの燃料へとレーザビーム２を介してエネルギを付与するように配置される。以下の説明ではスズに言及しているが、任意の好適な燃料を使用することができる。燃料は、例えば、液体の形態であってよく、例えば、金属または合金であってよい。燃料エミッタ３は、スズを、例えば水滴の形態で、軌道に沿ってプラズマ形成領域４に向けて誘導するように構成されたノズルを備え得る。レーザ２は、プラズマ形成領域４でスズに入射する。スズ内へのレーザエネルギの付与により、プラズマ形成領域４にプラズマ７が生成される。ＥＵＶ放射を含む放射は、プラズマのイオンの脱励起および再結合中に放出される。

[000131] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることもある）によって集光および合焦される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、約１３．５ｎｍといった所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された多層構造を有し得る。コレクタ５は、２つの楕円形の焦点を有する楕円構造を有し得る。第１焦点は、プラズマ形成領域４にあり、第２焦点は、以下に説明するような中間焦点６にあり得る。

[000132] レーザ１は、放射源ＳＯから離れていてもよい。そのような場合、レーザ２は、レーザ１から放射源ＳＯへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダ、および／または他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示なし）を使って送られる。レーザ１および放射源ＳＯを合わせて放射システムとみなしてもよい。

[000133] コレクタ５によって反射された放射は、放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、点６において合焦され、プラズマ形成領域４の像を形成し、これが、照明システムＩＬの仮想放射源として機能する。放射ビームＢが合焦される点６は、中間焦点と呼ぶことができる。放射源ＳＯは、中間焦点６が、放射源の閉鎖構造９の開口部８に、または開口部８付近に位置付けられるように配置される。

[000134] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調整するように構成された照明システムＩＬ内へと送られる。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１を備え得る。ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１は、合わせて、放射ビームＢに所望の断面形状と所望の角度強度分布を提供する。放射ビームＢは、照明システムＩＬを通過し、サポート構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、ペリクルフレーム１７によって所定の位置に保持されるペリクル１９によって保護される。ペリクル１９およびペリクルフレーム１７は、合わせて、ペリクルアセンブリ１５を形成する。（例えば、マスクであり得る）パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射し、放射ビームＢにパターンを付ける。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、あるいはそれらの代わりに他のミラーまたはでデバイスを備えてもよい。

[000135] パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付き放射ビームＢは、投影システムＰＳに入る。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成された複数のミラーを備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する像を形成する。縮小係数として、例えば、４が適用され得る。図１において、投影システムＰＳは２つのミラー１３、１４を有するが、投影システムは、任意の数のミラー（例えば、６つのミラー）を備えることができる。

[000136] 図１に示す放射源ＳＯは、図示されていない構成要素を含んでもよい。例えば、放射源内にスペクトルフィルタが設けられてもよい。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透過性を有するが、赤外放射などの他の波長の放射は実質的にブロックするものであり得る。

[000137] 上記簡単に説明したように、ペリクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接して設けられたペリクル１９を備える。ペリクル１９は、放射ビームＢが、照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡに近づく時と、パターニングデバイスＭＡから投影システムＰＳに向けて反射される時との両方にペリクル１９を通過するように、放射ビームＢのパス内に設けられる。このリソグラフィ装置ＬＡ内のペリクル１９の位置は、ＥＵＶ放射露光位置である。ペリクル１９は、（少量のＥＵＶ放射を吸収するものの）ＥＵＶ放射に対して実質的に透明な薄膜を備える。ここで言うＥＵＶに透明なペリクルまたはＥＵＶ放射に対して実質的に透明な膜とは、ペリクル１９が、ＥＵＶ放射の少なくとも６５％、ＥＵＶ放射の少なくとも８０％、またはＥＵＶ放射の少なくとも９０の％に対して透過性であることを意味する。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡを粒子汚染から保護するように作用する。本明細書において、ペリクル１９は、ＥＵＶ透明ペリクルと呼ぶことができる。ペリクル１９は、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）などの、ＥＵＶ放射に対して実質的に透明な任意の材料から作られ得る。ＭｏＳｉは、ケイ素よりも急速に冷却するため、高温ではケイ素よりも強度がある。他の例においては、ペリクルは、ケイ素、窒化ケイ素、グラフェンもしくはグラフェン誘導体、カーボンナノチューブ、またはＥＵＶ透明材料を交互に配置することにより形成される多層膜などの他の材料によって作られてもよい。

[000138] リソグラフィ装置ＬＡ内を清浄な環境に維持するための試みが成されているものの、リソグラフィ装置ＬＡ内には依然として粒子が存在することがある。ペリクル１９を使用しない場合、粒子は、パターニングデバイスＭＡ上に付着し得る。パターニングデバイスＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン、ひいては基板Ｗに転写されるパターンに悪影響を及ぼすおそれがある。ペリクル１９は、粒子がパターニングデバイスＭＡ上に付着するのを防止するために、パターニングデバイスＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間にバリアを提供する。

[000139] 使用において、ペリクル１９は、ペリクル１９の表面に入射したいずれの粒子も放射ビームＢの焦点面内に存在しないようにするのに十分な距離をパターニングデバイスＭＡから開けて位置決めされる。このようにペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間を離隔することには、ペリクル１９の表面上の任意の粒子が放射ビームＢにパターンを付与する程度を減少させる作用がある。放射ビームＢ内に粒子が存在するものの、放射ビームＢの焦点面内ではない（つまり、パターニングデバイスＭＡの表面上ではない）位置にある場合、粒子の像はいずれも基板Ｗの表面上には合焦されないが理解されよう。いくつかの例において、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の離隔は、例えば、２ｍｍ～３ｍｍ（例えば、およそ２．５ｍｍ）であり得る。いくつかの例では、ペリクル１９とパターニングデバイスとの間の離隔は、調節可能であってもよい。

[000140] 図２は、ペリクルアセンブリ１５およびパターニングデバイスＭＡの例を示す概略的な側面図である。ペリクルアセンブリ１５およびパターニングデバイスＭＡは、まず、矢印２０によって図示されるような左から右への方向（ｙ方向）に動き得る。つまり、パターニングデバイスＭＡがこの方向にスキャンされる。その後、一般にスキャン型リソグラフィ装置において、パターニングデバイスＭＡが一方向にスキャンされ、その後反対方向にスキャンされるのと同様に、反対方向にスキャンが行われる。パターニングデバイスＭＡは、パターニングデバイスＭＡから反射された後の放射ビームＢに付与されるパターンを提供するパターン２１（例えば、デバイスパターンまたは回路パターン）を有する。ペリクル１９は、リソグラフィ装置ＬＡ内の放射ビーム露光位置内にある。つまり、ペリクル１９は現場にある。

[000141] 矢印２２によって図示される、化学線放射源（図示なし）からパターニングデバイスＭＡに向かう放射ビームＢ（つまり、化学線エネルギ）と、矢印２３によって図示される、パターニングデバイスＭＡから基板Ｗへと反射される放射ビームＢ（図１参照）は、比較的大量のエネルギをペリクルに与える。ペリクル１９は、比較的薄い（例えば、１００ｎｍ）ため、放散することができる熱の量が限られている。１０～２０％程度の本来のＥＵＶ吸収により、また、効果的な冷却機構が無い場合には、（放熱による冷却がＥＵＶ吸収負荷と均衡するまでに）ペリクル１９は数百度まで加熱することになる。これは、図２において、ペリクル１９上のホットスポット２４として概略的に示されている。

[000142] 図３は、図２と同じペリクルアセンブリ１５およびパターニングデバイスＭＡを示すが、ペリクル１９を見通すように位置決めされたセンサ２６も示している。この例において、センサ２６は、ペリクル１９を見通すように位置決めされた赤外線センサ２６（例えば、ＩＲカメラ）である。入射する放射ビームＢによりペリクル１９が加熱すると、ペリクル１９は、ＩＲ放出スペクトル内のＩＲ放射を放出し、これがＩＲセンサ２６によって検出され得る。ＩＲ放射は、矢印２８によって図示される。ＩＲセンサ２６は、ペリクル１９に関連するＩＲ放射を測定することができる。ＩＲセンサ２６は、ペリクル１９に関連するＩＲ放出スペクトルを測定してもよい。

[000143] ペリクル１９の温度は、ペリクル１９に関連する特性とみなすことができる。ペリクル１９の温度プロファイル、つまり、既定の時間にわたるペリクル１９の温度は、ペリクル１９に関連する特性とみなされ得る。ペリクル１９の温度および／または温度プロファイルは、ＩＲ放出スペクトルから導出することができる。これには、ペリクル１９の放射率が、（例えば、ペリクル１９の構成材料から理論的に、またはオフラインの熱認定（thermal qualification）から実験的に）既知である必要がある。

[000144] 上述したように、ペリクル１９は、リソグラフィ装置ＬＡの他の部分の温度と比較して、（数百度程度の）比較的高い温度まで加熱し得る。図４および５は、室温（つまり、３００Ｋ）および約４５０℃（つまり、７５０Ｋ）のそれぞれの黒体放出スペクトルを示す。図４のグラフは、３００Ｋの温度のスペクトル放射輝度に対する波長を示し、２μｍ～８μｍの間に特定の形状を有しており、図５のグラフは、７５０Ｋの温度のスペクトル放射輝度に対する波長を示し、２μｍ～８μｍの間で異なる形状を有している。これを踏まえると、ペリクル１９は、気温が上昇した際に、例えば２μｍ～８μｍの間で明確に区別できる放出スペクトルを有し得る。

[000145] 上述したように、一実施形態において、ペリクル１９は、リソグラフィ装置ＬＡの放射ビーム露光位置（現場）にあり、放射ビームＢがオンに切り替わった時に、放射ビームＢはペリクル１９に入射する。センサ２６は、この状況でペリクル１９の温度または温度プロファイルを測定することができる。したがって、ペリクル１９について、リアルタイムで、非接触の、現場での温度測定を提供することができる。

[000146] ＩＲセンサ２６は、使用される特定のセンサ応じて異なる波長域内のＩＲ放出を測定することができる。使用可能なＩＲセンサ２６の例として、ショットキーバリア金属－シリサイドディテクタ、またはＢ－Ｓｉ接合ディテクタがある。

[000147] ペリクル１９の温度を十分な精度で決定するためには、例えば、２～３μｍ帯域または４～５μｍ帯域である任意の波長域のＩＲ放射の強度を直接測定すれば十分であり得る。ショットキーバリア金属－シリサイドディテクタまたはＢ－Ｓｉ接合ディテクタは、この波長域内での測定に使用することができる。測定された波長域におけるスペクトル放射輝度の情報を使用し、図４および５に示したような黒体放出スペクトルを把握することで、ペリクル１９の温度を決定することができる。他の例では、ＩＲセンサ２６は、例えば２～８μｍ、２～７μｍ、２～６μｍ、２～５μｍ、２～４μｍ、３～５μｍ、３～６μｍ、４～６μｍおよび／または５～６μｍから選択される１つ以上の波長域内のＩＲ放出の強度を測定するように構成され得る。

[000148] ＩＲセンサ２６は、ＩＲ放出差を測定して、ペリクル１９の温度を決定することもできる。ＩＲ放出差測定の例として、６～８μｍの波長域の強度に対する２～３μｍ波長域の強度の比率を決定することが挙げられる。２μｍ前後の帯域および６μｍ前後の帯域に使用可能なＩＲセンサ２６としていくつかの選択肢がある。８μｍ前後の帯域に対しては、バイアス印加されたショットキーバリア金属－シリサイドフォトダイオードを使用することができる。他の例においては、放出差測定毎に異なる波長域を使用してもよい。

[000149] ＩＲセンサ２６は、ＩＲ放出スペクトルを確立するためにスキャン可能なバイアス電圧を提供するように構成されたフォトダイオードであり得る。例えば、調節可能なバイアス印加されたショットキーバリアフォトダイオード（単一のフォトダイオードまたは複数のフォトダイオード）を温度測定に使用することができる。これらは、バイアス電圧をスキャンして放出スペクトルを確立し、スペクトル放射輝度対波長の曲線から温度を計算することにより使用され得る。バイアス電圧は１～１０Ｖ程度であるため、このようなバイアス電圧のスキャンは非常に迅速に適用することができ、１ｋＨｚを十分に上回る速度での温度測定を可能にして、ペリクル１９のリアルタイムの２Ｄ熱画像形成を可能にする。

[000150] ＩＲ駆動ＬＰＰ源は、上述した波長範囲では干渉し得ない。例えば、ＣＯ_２レーザは、１０．６μｍの波長を有し、Ｎｄ－ＹＡＧレーザは、１μｍの波長を有する。他の例では、装置は、放射ビームＢからの放射をフィルタ除去するためのフィルタ（図示なし）を備え得る。これにより、センサ２６を、放射ビームＢのパスの隣、または放射ビームＢのパス内といったより多くの位置に位置決めすることができるようになる。

[000151] 使用時に、ペリクル１９は、比較的速いスピードで、矢印２０の方向に放射ビームＢ通り越して移動する。これは、～ｋＨｚの取得および制御速度が必要になり得ることを意味し、これが装置の複雑性を高めることになっている。しかし、ペリクル１９の特性は、スキャン方向には急速に変化しないため、必ずしもスキャン方向の変動を追跡するのに十分な速さで測定を行う必要はない。つまり、スキャン方向にペリクルのエリア
をカバーする像（例えば、この像はペリクル１９の移動によりぼやけた像であり得る）を見るだけで、ペリクル１９に伴うあらゆる潜在的な問題を十分に特定することになる。したがって、１０Ｈｚの取得速度は許容可能であるとみなすことができ。他の例では、約１ｋＨｚまたは１ｋＨｚを超える速度など、１０Ｈｚを超えるデータ取得速度を実現することができ、これは、精度が向上するため有益である。

[000152] センサ２６は、リソグラフィ装置ＬＡ内、つまり、リソグラフィ装置ＬＡの真空密閉された筐体内に位置付けられ得る。上述したように、一実施形態において、リソグラフィ装置ＬＡは、瞳ファセットモジュール（ＰＦＭ）である瞳ファセットミラーデバイスを備える。センサ２６は、ＰＦＭの隣に、またはＰＦＭ内、望ましくは、ＰＦＭの中心に位置付けられ得る。これは、照明観察用目的であったが、使用されていない位置を利用するものである。この位置は、視野が利用可能であり、電気接続および冷却が備わっているといった利点を有する。この位置は、ペリクル１９全体の完全に含む視野を有する。

[000153] センサ２６は、空間分解熱画像形成（spatially resolved thermal imaging）または統合的な平均温度測定を実行するように構成され得る。空間分解熱画像形成は、ペリクル１９上の異なる位置を区別する（これは、ペリクル１９の特性が、ペリクル１９の見えているエリアにわたり著しく変化する場合は重要になるが、その場合、スキャンに起因するぶれを防止するために、～１ｋＨｚの高速な取得速度が必要になる）点で有益である一方、統合的な平均温度測定は、実現が容易であり、より速い測定が可能である。

[000154] 上述したように放射ビームＢがペリクル１９を加熱させるため、ホットスポット２４は、ペリクル１９上にある程度存在することが予想される。センサ２６は、ホットスポット２４内の局所的なホットスポットを観察することが可能であってもよい。これは、ホットスポット２４内の懸念される局所エリアを識別することができ、これにより潜在的な破損エリアが示され得ることを意味している。

[000155] 他の例において、センサ２６は、ペリクル１９に向かう見通し線が実現可能である限り、リソグラフィ装置ＬＡ内の別の場所に位置付けられてもよい。センサ２６は、放射ビームＢのパスの外側に位置付けられてもよい。センサ２６は、ペリクル１９に対する直接的な見通し線内に存在する必要はない。例えば、ＩＲ放射は、ＩＲセンサ２６に到達するために１つ以上の表面で反射され得る。特に、ペリクル１９の既知の吸収プロファイルと組み合わされる場合は、限定された測定フィールドで十分な場合がある。

[000156] ＩＲ放射は、１つ以上の実質的に透明な層を通過して、ＩＲセンサ２６に到達し得る。つまり、温度測定を可能にするために装置内に生成された１つ以上のＩＲウィンドウ（図示なし）があってもよい。ＩＲセンサ２６には、電子機器、ゴムなどといった、干渉または粒子による汚染を通してリソグラフィ装置ＬＡの機能に影響し得る構成要素がある。したがって、ＩＲセンサ２６をボックス内に収納しつつ、ＩＲ放射がＩＲセンサ２６まで通過することができることが有益である。他の例では、ＩＲセンサ２６は、リソグラフィ装置ＬＡの筐体の外側に位置付けられてもよい。つまり、ＩＲ放射は、筐体内の真空と筐体外の非真空との間のインタフェースを通して筐体の外側に誘導されることが必要になる。

[000157] ペリクル１９の温度または温度プロファイルの測定を使用して、ペリクル１９に関連する状態の情報を提供することができる。つまり、ペリクル１９温度または温度プロファイルは、ペリクル１９の状態を示す。ペリクルに関連する状態は、例えば、ペリクルの耐用期間、ペリクルの完全性、ペリクル内の欠陥、ペリクルの局所的な透過の変化、ペリクル上に位置する粒子、ペリクル上の汚れ、ペリクルの変形、ペリクルの差し迫った破損、ペリクルの破損、および／または、ペリクルの存在から選択される１つ以上であり得る。これらの状態は、ペリクルの「健全性」をおおむね定義するものとみなされ得る。

[000158] 温度測定は、局所的な透過の変化、粒子、汚れ、または、ゆっくりと進む材料微細構造の変化によって生じる膜内の元の張力が徐々に失われることによる、ペリクル１９のしわ、たるみ、隆起などの経時的な変形といったペリクル１９の欠陥があるかどうかを決定する方法を提供する。これらの欠陥の一部は、熱によって誘発される変化またはペリクル１９を囲むＥＵＶ生成プラズマによるゆっくりと進むエッチングであり得るが、差し迫ったペリクル１９の故障、またはペリクル１９の材料の急激な経時変化の予測信号として使用することができる。

[000159] これは、上述したように、ペリクル１９の厚さおよび熱容量が非常に小さいため、放射ビームＢによるペリクル１９の加熱のタイムスケールは数ミリ秒程度であり、これにより、例えば～４５０度を上回る温度でペリクル１９の故障が引き起こされるため、重要ある。以前は、これは、ペリクル１９を使用することができる最大パワーレベルに制限（例えば、～５０～１５０Ｗ）があったことを意味し、これは、ペリクル１９がマシン製造性における制限因子であったことを意味している。

[000160] ペリクル１９全体にわたる製造許容誤差および変動、ならびに、ペリクル１９の耐用期間を通した膜特性の変動も相まって、正確な実際のパワー制限の予測が困難である。さらに、従来は、パターニングデバイスＭＡレベルでの精度の高いパワー測定は存在しなかった。あらゆるプロセス開発が注意深く行われても、ＥＵＶ負荷下にあるペリクル１９は、予測される耐用期間よりも速く劣化することがあり、（大抵は、放射ビームＢ露光位置にある時に）リソグラフィ装置ＬＡ内に破損を引き起こすことがあり、これがマシンの可用性に影響する。

[000161] このようなことは全て、放射ビームＢのパワーが従来は控えめに設定されていたこと、つまり、ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡの損失が回避され得るレベルに設定されていたことを意味する。これは、スループットに対して、－２０～３０％（－２５～３５ｗｐｈ）程度の大きな影響を与え得る。

[000162] センサ２６を使用して温度を測定することで、ペリクル１９の状態を評価することが可能になる。例えば、特定の位置において予測されない温度上昇または非常に急速な温度上昇があった場合、これは、ペリクル１９に破損が起きそうであることの指標になり得る。別の例として、ペリクル１９の測定温度の変化は、ペリクル１９が特定の位置で変形したことを示し得る。ペリクル１９は平坦であるべきだが、ペリクル１９の温度から、ペリクル１９が隆起またはたるみ（つまり、たわみ）を起こしているかどうかを決定することができる。

[000163] さらに別の例では、非常に局所的な温度暴走と、その結果として生じるペリクル１９の故障を引き起こすおそれのある、粒子や他の欠陥などの局所的な破損リスクを検出することができる。ペリクル１９の温度プロファイルは、ペリクル１９の劣化データを提供し得る。これは、ペリクル健全性劣化レポートの形で提供され得る。損害の大きいペリクル１９の破損を回避するために、緩和対策を取ることができるように、所定の条件下で警告を発することもできる。これは、例えば、ＩＲ像内の高速な偏りによるものであり得る。ペリクル健常性劣化レポートおよび／または警告は、自動的に作動されてもよい。

[000164] センサ２６と、例えばペリクル１９からのＩＲ放出放射を使用した温度測定とを使用して、ペリクル１９の存在を示すこともできる。ペリクル１９の存在は、ペリクル１９に関連する状態とみなすことができる。

[000165] 図３に示すように放射ビームＢがペリクル１９に入射する際、上述したように、ペリクル１９は、数百℃の比較的高温まで加熱する。センサ２６が、放射ビームＢがペリクル１９と交差する位置を見通し、ペリクル１９が所定位置にある状態では、センサ２６は、数百度の温度を測定するべきである。放射ビームＢがペリクル１９に入射する時に、センサ２６が予想されるペリクル１９の温度に対応する温度を測定しない場合、ペリクル１９の損失があることは明白である。これは、パターニングデバイスＭＡがおよそ室温（±１０Ｋ）程度であることから、この背景に対する温度差が明白であるためである。このようなペリクル１９の損失は直ちに検出可能である。

[000166] 例えば、ペリクル１９が存在する場合、ＩＲセンサ２６は、図５に示すような７５０Ｋの温度に対する黒体放出スペクトルに対応する波長域のスペクトル放射輝度を測定し得る。読取り値がこれを示さず、その代わりに図４に示すような３５０Ｋの温度に対する黒体放出スペクトルを示す場合、ペリクルは既に存在しない。例えば、ＩＲセンサ２６が２～３μｍの波長域のＩＲ放出放射を測定しており、２～３μｍ帯域に放出の損失がある場合、これは、ペリクル１９の損失を表す。他のＩＲ波長域を使用することもできるが、既存の標準検出方法があるため、２～３μｍが有益であり得る。

[000167] この概念は、ペリクル１９の部分的に含む視野のみを必要とし、ペリクル１９全体を含む視野は必要としない。これは、ペリクルの故障が、大抵の場合、ペリクル１９全体を破壊するものと考えられるためである。

[000168] 温度測定値が、ペリクル１９が存在しない、または完全な状態ではないことを示し、他の情報が、ペリクル１９が存在するべきであることを示している場合、ペリクル１９が故障したことを示すフラグが立てられる。ペリクル１９が存在するべきであることを示し得る他の情報は、パターニングデバイスＭＡの情報または他のペリクル検出方式（ＴＩＳ－ベースのペリクル検出および／またはロードロック（Loadlock）－ペリクル検出および／またはペリクル前面検査）のいずれかに基づき得る。ペリクルが故障したことを把握することで、特に、その表示が早急であった場合、緩和対策を取ることが可能になる。

[000169] 他の情報に基づいてペリクルが存在するべきであるとされる間にペリクルの熱信号の検出が失われると、放射ビームＢは停止させられ得る。つまり、ペリクル１９が存在しない、または完全な状態でないと決定された場合、それ以上のＥＵＶパルスが生成されなくなる。ＥＵＶ照射の継続を防止することで、パターニングデバイスＭＡおよびリソグラフィ装置ＬＡ上のペリクル１９の微粒子および剥片が放射に誘発されて反応するのが防止されることになる。これにより、ペリクルの故障が起きた後に、パターニングデバイスＭＡを洗浄することができる可能性が高まる。

[000170] 他の例では、放射ビームＢは、ペリクル１９の差し迫った破損、ペリクルの完全性の欠如、または任意の他の関連した状態といった、ペリクル１９に関連する他の状態に応じて、放射ビームＢが停止されてもよく、またはさらなるパルスが防止されてもよい。

[000171] 他の例では、センサ２６によって測定された放射を学習データベースとして使用して、将来的なペリクルの故障を予測することもできる。ペリクルの故障を生じさせる特定の温度または温度プロファイルを記憶し、ペリクルの差し迫った破損が起こる恐れがあるといった警告を発することにより、将来的なペリクルの故障を回避するために使用することができる。

[000172] 別の例において、図２に示すホットスポット２４は、ペリクル１９の表面上に位置した粒子から形成され得る。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡのパターン２１と比較して、小さな粒子による汚染に対する寛容性が高い。しかし、ペリクル１９は、最終的なリソグラフィを損なうのに十分なほどに汚染が酷くなることや、または、大きな粒子を有することもあり得る。ペリクル１９上の粒子（または、複数の粒子）は焦点から外れているものの、そのような粒子を検出可能であることが望ましい。

[000173] さらに、ペリクル１９上の粒子（または、複数の粒子）は放射ビームＢからのエネルギを吸収する。上述したように、ペリクル１９は比較的薄い（例えば、１００ｎｍ未満）であるため、放散することができる熱の量が限られている。したがって、ペリクル１９上の粒子は比較的高温になることがあり、このようにペリクル１９の表面の局所的で不均一な加熱は、膜内に局所的な応力を生成することがあり、破損したペリクル１９を生じさせる恐れがある。パターニングデバイスＭＡの上方に破損したペリクル１９があると、回復までに深刻なダウンタイムが生じることがあり、光学システム全体に粒子が分布する可能性がある。

[000174] 図３に示すように、センサ２６は前述したように、放射２８の熱画像を捕捉できるような態様で取り付けられる。ペリクル１９上の粒子は、放射ビームＢの化学線に露光される。粒子は、この粒子を取り囲むペリクル１９の材料よりも顕著に加熱する。センサ２８が、化学線とペリクル１９との交差点に向けられる場合、粒子からの放射２８は、ペリクル１９の材料からの放射よりも顕著に大きいことになる。ペリクル１９と粒子との温度差は、約２００℃であり得る。粒子は、より低い温度のペリクル１９による背景よりも高い温度を有するので、この粒子を検出することができる。つまり、粒子から受ける（ＩＲ）放射と、ペリクル１９から受ける（ＩＲ）放射との間のコントラストを識別することにより、粒子は、ペリクル１９上の位置を特定することができる。粒子のサイズは重要でない場合があるが、ペリクル１９をリスクにさらすあらゆる差し迫った熱のホットスポットを検出することが望ましい。

[000175] パターニングデバイスＭＡも同様に加熱するが、図６に示すように、ＩＲセンサ２６を高い入射角で取付けることで、パターニングデバイスＭＡからＩＲセンサ２６に向かう（矢印３０によって図示される）ＩＲ放出が抑制される。これは、パターニングデバイスＭＡのＩＲ放出が、ペリクル１９に対して高い入射角（つまり、ペリクル１９の法線に対する角度）を有し、パターニングデバイスＭＡに向けて反射されることになる（反射されたＩＲ放出は矢印３１によって図示される）といった事実によるものである。パターニングデバイスＭＡのＩＲ放出は、ペリクル１９に対して、少なくとも４５°（度）、５０°、５５°、６０°、６５°、７０°、７５°、８０°または８５°の入射角を有し得る。

[000176] このように、ＩＲ画像形成は、主に、ペリクル１９の前面からのＩＲ放出に限定されることになる。ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡの透過はフレネルの法則に従い、８０度で２０％を下回る。これが、ペリクル１９の４０％の反射率および吸収と相まって、結果的にパターニングデバイスＭＡの結像を抑制する。それに加えて、パターニングデバイスＭＡは冷却されるため、まず、パターニングデバイスＭＡから最小限のＩＲ放出３０は存在するはずである。

[000177] ＩＲセンサ２６は、ペリクル１９に対して、少なくとも４５°（度）、５０°、５５°、６０°、６５°、７０°、７５°、８０°、または８５°の入射角（つまり、ペリクル１９の法線に対する角度）に位置付けられ得る。入射角は、ペリクル１９上の粒子の検出にとって重要であるだけでなく、ペリクル１９に関連する他の状態を検出するのに有用であり得る。この例では、粒子の加熱によって生成されたペリクル１９のホットスポット２４の現場での検出が使用されるが、他の例では、ペリクル１９のホットスポット２４は、他の手段によって生成されてもよい。

[000178] センサ２６は、ペリクル１９全体を一度に結像してもよく、またはペリクル１９のある区分を任意の所与のタイミングで結像してもよく、パターニングデバイスＭＡおよびペリクル１９が露光のために前後にスキャンされる時に、合成画像を形成する。したがって、加熱された粒子が際立った画像を形成することができる。

[000179] ペリクル１９上の粒子は、ペリクル１９が放射ビームＢ露光位置内にある間に検出することができ、望ましくは、放射ビームＢがペリクル１９に入射する時に検出することができる。これは、ペリクル１９上で加熱する粒子によって引き起こされた熱のホットスポット２４の検出によるものであり得る。ペリクル１９に関連するこのような状態（例えば、ペリクル１９上の粒子）の検出は、軽減対策を取ることにより、ペリクル１９の損傷を回避することができるため、マシンダウンタイムを減少させるために有用である。

[000180] 一実施形態において、ペリクル１９の実際の温度をリアルタイムで把握することにより、任意の特定のペリクル１９に対するパワーリミットの不確実性およびペリクル１９レベルでの絶対的な入射パワー測定値の欠如によってもたらされるスループット対耐用期間といった難しい問題の解決が可能となる。上述したように、これらの不確実性は、局所的な材料特性に対するペリクル１９自体のばらつき、経時的な変動、欠陥等によって悪化する。

[000181] リアルタイムな現場でのペリクル１９の温度測定を使用して、露光放射パワー（つまり、放射ビームＢのパワー）を能動的に制御して、ペリクル１９を、最高許容（測定）温度のレベルを超えずに、この最高許容温度に到達させることができる。つまり、一実施形態では、フィードバック制御ループを使用して、ペリクル１９の温度測定値に関する信号に基づき、ペリクル１９に入射する放射ビームＢのパワーを制御することができる。

[000182] 放射ビームＢのパワーを減少させると、時間当たりの基板Ｗのスループットが低下する。フィードバックループにより、より高い安全レベルまたは最高安全レベルのスループットでリソグラフィ装置ＬＡを使用することが可能になり得る。

[000183] 特定のペリクル１９の破損リスクが低くなるように、放射ビームＢのパワーを、個々のペリクル１９のばらつきにおける不確実性を考慮したレベルに設定する必要がある代わりに、放射ビームＢのパワーレベルは、使用中の特定のペリクル１９に応じて変更することができる。例えば、センサ２６が、ペリクル１９の温度が所定の状態を上回って急激に上昇した、または上昇していることを測定した場合、放射ビームＢのパワーを減少させてペリクル１９への損傷を回避することができる。他方で、温度測定値が所定の状態を下回っているまたは正常である場合、放射ビームＢのパワーを増加させて、基板のスループットを高めることができる。

[000184] 放射ビームＢのパワーは、ペリクル１９を所定の温度に維持するために、センサ２６からの温度測定値に基づいて能動的に制御され得る。

[000185] 特定のペリクル１９について許容されるパワーは、このペリクル１９を放射ビームＢに露光する前に決定され得る。これは、例えば、パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとの位置合わせ手順中に、あるいは、最大パワーの検出された較正を使用して、行われ得る。これは、ペリクル１９がパターニングデバイスＭＡと共に位置付けられる時にペリクル１９のばらつきが重要になるため、パターニングデバイスＭＡとペリクル１９との対に対して行われ得る。

[000186] 場合によっては、ＥＵＶ以外の波長がオフラインのペリクルテストで使用されるが、この場合、パワーリミットの整合を～１％（１ｗｐｈ）内に収めることが非常に困難である。リソグラフィ装置ＬＡ内の温度測定値を使用することで、オフラインのペリクル１９テストをリソグラフィ装置ＬＡの状態に整合させることに関する要件が緩和される。

[000187] 露光ビームパワー（放射ビームＢのパワー）のフィードバック制御は、温度の方法を使用してペリクル１９上の粒子を検出する際にも使用することができる。

[000188] 露光ビームパワー（放射ビームＢのパワー）を制御して、スループットとマシン／パターニングデバイスＭＡの損傷との均衡をとることに代えて、リアルタイムな現場での温度測定を使用して分割露光方式を駆動させることができる。分割露光方式は自動的に作動させられ得る。分割露光方式を使用して、パターニングデバイスＭＡ上をより速くスキャンすることにより（かつ、それに対応して、より頻繁にスキャンして同一の露光量対サイズを維持することにより）ペリクル１９および／または粒子がそれらのピーク温度に到達することを防止することができる。スキャンの速度を上げると、基板Ｗが露光のための十分なエネルギを受けられないことがある。その場合、基板Ｗを露光させる時間を増やすために別のスキャンが必要になることもある。

[000189] しかし、このように分割露光を作動させることにより、単に露光ビームのパワーを減少させるのと比べて、基板Ｗの正味のスループットを高くすることができる。これは、分割露光方式が必要時にのみ作動されるためであり、より高い露光ビームのパワーを有することは、一般的に、基板Ｗのスループットがより速くなることを意味する。

[000190] さらに、分割露光方式を実際にいつ使用すべきかを把握しているということは、基板Ｗのスループットのスピードを実際に落とす分割露光方式が通常は不必要であることを意味している。このことも、所与の時間内に露光することができる基板Ｗの全体数を増加させる。

[00191] 温度の問題を検出するということは、ペリクル１９の破損につながるペリクル１９の耐用期間の問題または欠陥を、ペリクル１９が破損する前に検出することができることを意味する。これは、（例えば、損傷したペリクルの交換またはパターニングデバイスＭＡの洗浄のために）基板を露光するプロセスを中断することを回避することができ、費用および時間が削減されることを意味する。

[00192] 上記説明は、リソグラフィ装置ＬＡにおける温度測定に関して記載したが、他の例では、ペリクル１９は、測定が行われる時にリソグラフィ装置ＬＡ内に位置付けられていなくてもよい。例えば、ペリクル１９は、ペリクルスタンド内に位置付けられ得る。他の例では、以下でより詳細に説明するように、温度測定値は、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）の検査装置内でパターニングデバイス上の欠陥を検出するために使用されてもよい。

[00193] 他の例では、ペリクル１９に関連する特性を測定するように構成されたセンサは、ＩＲセンサでなく、別の形態のセンサであってもよい。例えば、ペリクル１９に関連する特性は静電容量であってもよく、センサは静電容量センサであってもよい。

[00194] 図７は、ＥＵＶ装置の関連でＥＵＶインナーポッド（ＥＩＰ）としても公知のペリクルキャリア３５のベースプレート３４内に一体化される例示的な静電容量センサ３２の上面図を示す。ペリクルキャリアについて言及されているが、本発明の実施形態は、レチクルキャリア（ＥＩＰ）にも等しく適用可能であり、したがって、言及されるペリクルキャリアの事例はいずれも、該当する場合には、レチクルキャリアもカバーするものとみなされ得る。ペリクルキャリア３５は、内部のコンポーネントを保護するために密閉可能なボックス型であり得る。ベースプレート３４は、ペリクル（図示なし）用の切り欠き３６を有し、ペリクルキャリア３５は、安全にペリクルを搬送するために使用される。ペリクルは、図１～３および６のペリクル１９であり得る。静電容量センサ３２は、少なくとも１つの感知エリア３８を備え、保護板４０を含み得る。保護板４０は、擾乱を切り離す助けとなるが、必須ではない。静電容量センサ３２は、ベースプレート３４に対して中心に位置付けられ得る。しかし、静電容量センサ３２はペリクルに対していずれに位置にあってもよいため、この位置は必須ではない。ペリクルが不合格である場合、ペリクルは、膜内のプレテンションにより、垂下されなくなる。したがって、この膜の全範囲上のいずれの位置でも故障が検出されることになる。他の例では、静電容量センサ３２は、ベースプレート３４の側方など、中心には位置付けられないこともある。

[00195] 図８は、電気接続部４２を介してペリクルキャリア３５の外部に電気的に接続される容量センサ３２を示すペリクルキャリア３５のベースプレート３４の側面図である。容量センサ３２の実施方法は多数存在するが、一例として、ベースプレート３４内の１つの感知エリア３８によってペリクル表面を測定することが挙げられる。図８の例では、一方が保護板４０に接続され、他方が感知エリア３８に接続された２つの電気接続部が存在する。電気接続部４２は、ベースプレート３４の外側で静電容量センサ３２の駆動または読み出しを行うためのものである。これは、ペリクルキャリア３５が閉じている時に静電容量センサ３２からの信号を読むことができることを示している。電気接続部４２は、ペリクルキャリア３５の外部にエクスポートされるため、例えば、真空内ロボット（ＩＶＲ）または急速交換デバイス（ＲＥＤ）に対するインタフェースとなり得る。別の例では、ベースプレート３４内に２つの感知エリア３８があってよく、ペリクルは、２つの感知エリア３８間の中間コンダクタとして使用することができる。

[00196] ペリクル膜は、導電性である限り、静電容量センサ３２によって測定することができる。ペリクルキャリア３５内の静電容量センサ３２に電気的に接触することにより、ペリクル膜の完全性、つまり、ペリクルが完全体であるか、または少なくとも部分的に破損しているかを測定することができる。この測定は、ペリクルキャリア３５を開けなくとも、フロー内の任意の位置で行うことができる。例えば、ＩＶＲまたはＲＥＤがペリクルキャリア３５に取り付けられている時はいつでも、ペリクルの完全性を測定することができる。ペリクルは破損する可能性があるため、ペリクルの完全性を知ることは重要であり、この完全性が検出されないと、リソグラフィ装置ＬＡおよび／または１つ以上の他のパターニングデバイスＭＡの汚染が発生し得る。

[00197] ペリクルキャリア３５内に一体化された静電容量センサ３２を使用することは、ペリクルの状態を検出するためにペリクルキャリア３５を開ける必要がないことを意味する。さらに、光学センサがペリクル膜を見通すことができるようにするために、ペリクルキャリアのベースプレート内に窓を作る必要がない。これは、そのような光学センサがこのような目的で開発または使用される必要がないことも意味している。

[00198] １つ以上の利点には、多くの位置におけるペリクルの状態の検出、リソグラフィ装置ＬＡへの損傷の防止、および／または１つ以上の他のパターニングデバイスＭＡへの相互汚染の防止が含まれる。さらに、リソグラフィ装置ＬＡに多くの追加のハードウェアを含まなくてもペリクルの完全性の検出を達成することができる。静電容量センサ３２は、リソグラフィ装置ＬＡおよびそれ以外の場所においてペリクルとともに移動するため、リソグラフィ装置ＬＡ内または各位置の他の装置内に追加のハードウェアを構築することなく、多くの場所で検出を実行することができる。

[00199] 他の例では、静電容量センサ３２は、ペリクルキャリアの別の部分内に一体化されてもよい。他の例では、静電容量センサ３２は、現場でペリクルの静電容量を測定するために、リソグラフィ装置ＬＡ内などの異なる位置にあってもよい。他の例では、ペリクルキャリア内に一体化されるセンサは、光学（焦点、三角測量）ベース、超音波ベース、音波ベース、またはガス流制限ベースのセンサなど、異なるタイプのセンサであってよい。

[000200] 図９は、ペリクルに関連する状態を決定するための別の例示的な装置を示している。前述した例と同様に、同一のコンポーネントには、同一の参照番号が使用されている。図９は、ペリクルアセンブリ１５およびパターニングデバイスＭＡの概略的な側面図を示している。前述したように、パターニングデバイスＭＡは、このパターニングデバイスＭＡからの反射後、放射ビームＢ（図示なし）に付与されるパターンを提供するパターン２１を有する。

[000201] 前述したように、リソグラフィ装置ＬＡにおいて、パターニングデバイスＭＡはペリクル１９によって保護され、ペリクル１９は、化学線によるパターニングデバイスＭＡの像に対して焦点外にある。焦点から外れていることにより、ペリクル１９は、小さい粒子による汚染に対して寛容性が高くなり得る。しかし、ペリクル１９は、最終的なリソグラフィを損なうのに十分なほどに汚染が酷くなること、または、大きな粒子（ペリクル１９上の粒子４４等）を有することもあり得る。これもまた、不均一な熱分布によるペリクル１９の破損のリスクを生じさせることがある。したがって、望ましくはリソグラフィ装置ＬＡ自体の内部に、ペリクル１９の汚染を検査する何らかの手段を有することが好ましい。ペリクル１９上の粒子４４の検出には、照明放射の反射が使用される。

[000202] 図９において、放射出力４６（例えば、放射源または放射源から放射を提供するように構成された開口部）は、ペリクル１９に対して比較的高い入射角で照明放射Ｌを提供する。ペリクル１９に対する入射角（つまり、ペリクル１９の法線に対する角度）は、少なくとも、４５°（度）、５０°、５５°、６０°、６５°、７０°、７５°、８０°、または８５°であり得る。放射が表面に衝突する時、反射、透過、吸収される量は、材料特性、放射波長、および入射角によって表される。一般的には、入射角が大きいほど、透過される放射は少ない。

[000203] 照明放射Ｌは、放射出力４６から延出してペリクル１９と交差する照明面Ｐの形態であり得る（これの上面図については、図１１を参照のこと）。つまり、照明ビームは照明の平面Ｐを形成するように広がる。この照明面Ｐは、既定のエリア上でペリクル１９（図１１を参照のこと）と交差する時、ペリクル照明線４７を形成する。ペリクル照明線４７は、状況に応じて任意の好適な幅を有し得る。他の例において、照明は、別の既定のペリクルエリアにわたって行われてもよく、つまり、必ずしも線でなくてもよい。他の例において、照明線は、別の方法で形成されてもよい（つまり、照明面によって形成されなくてもよい）。

[000204] ペリクル１９の表面は、比較的平滑であり、鏡面反射、つまり鏡面反射ビームＲを生じさせる。すなわち、ペリクル１９の非汚染表面は、低拡散性の反射を有する。反射ビームＲは、ビーム吸収体４８に向けて誘導されるため、照明放射Ｌの大半は、吸収体４８内に鏡面反射される。放射センサ５２およびレンズ５４を備えた結像システム５０は、鏡面反射ビームＲのパス内に入らないように方向付けられる。この例では、放射センサ５２は、照明面Ｐに垂直に配置される。ペリクル１９が清浄で欠陥（粒子）を含まない場合、放射センサ５２は、ペリクル１９から反射される放射を全く検出しないことになる。

[000205] しかし、ペリクル１９は放射に対して実質的に透明であるため、照明放射Ｌの一部は、ペリクル１９を通過してパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによって分散するように反射する（図９の破線５６を参照）。照明面Ｐは、パターニングデバイスＭＡと交差する時に、パターニングデバイス照明線５３を形成する（図１１を参照）。この場合、一部の放射は、パターニングデバイスＭＡのパターン２１から散乱し、放射センサ５２上に結像される。レンズ５４は、パターニングデバイスＭＡから反射した放射を放射センサ５２上に合焦する。ペリクル１９は、薄膜であってよく、一部の波長の放射に対して透過性が低くてもよい。

[000206] 汚染されていないペリクル１９は鏡面であるため、ペリクル１９からは結像が生じない。図９に示すように、照明放射Ｌ（つまり、ペリクル照明線４７）が粒子４４上に入射しない場合、ペリクル１９からの像は放射センサ５２上には形成されないことになる。

[000207]ペリクル１９の汚染検出における重要な問題は、ペリクル１９上の粒子４４からの放射を、パターニングデバイスＭＡのフィーチャから回折される放射から区別することである。任意の瞬間にペリクル１９の線のみを高い入射角で照明することにより、パターニングデバイスＭＡへと透過される放射の量は最小限になる。ペリクル１９上への照明放射Ｌの入射角が高いと、パターニングデバイスＭＡの回折のリスクが減少する。

[000208] より高い入射角は、ペリクル照明線４７の像と、パターニングデバイスＭＡの照明線５３の像との離隔も最大にする（図１１を参照）。また、放射センサ５２を照明面Ｐに対して直角で配置することもまた、放射センサ５２内でペリクルからの像とパターニングデバイスＭＡからの像との離隔を最大にする。

[000209] 図１０に示すように、照明放射Ｌが粒子４４に入射する場合（つまり、ペリクル照明線４６が粒子４４上に入る場合）、ペリクル１９からの像は（二点鎖線５８を参照）放射センサ５２上に形成されることになるが、いずれのパターニングデバイスＭＡの散乱（破線５６）とも異なる領域内に形成される。パターニングデバイスＭＡおよびペリクル１９は、（矢印２０の方向、つまりｙ方向に）スキャンされるが、これは、パターニングデバイスＭＡおよびペリクル１９が放射出力４６に対して移動することになることを意味する。パターニングデバイスＭＡおよびペリクル１９は、反対方向にもスキャンされる。これは、ペリクル照明線４７がペリクル１９の表面を効果的に横断することになることを意味する。したがって、ペリクル照明線４７の下ではペリクル１９のエリアが連続的に照明される。これは、ペリクル１９上のいずれかの位置に汚染がある場合、照明放射Ｌがスキャン中にそれを照らし、汚染粒子４４が放射センサ５２上に結像することになる拡散性の散乱を生じさせることを意味する。

[000210] 図１１は、図１０と同じ構成を上面図で示す。放射出力４６からの照明放射Ｌの照明面Ｐが図１１に示されている。図１１には、照明放射Ｌがペリクル１９と交差する照明線４７、および、照明放射ＬがパターニングデバイスＭＡと交差するパターニングデバイス照明線５３も示されている。この例において、矢印２０は、パターニングデバイスＭＡおよびペリクル１９がスキャンのために移動させられる方向（ｙ方向）を示す。パターニングデバイスＭＡおよびペリクル１９は、反対方向にもスキャンされる。他の例では、放射出力４６を代わりに移動してもよい。これは、照明放射の平面角度を精査することにより、また結像システム５０を注意深く設計することにより行われ得る。

[000211] 放射センサ５２上の粒子４４の回折像を分析することにより、粒子４４のサイズおよび数を決定することができ、リソグラフィ装置ＬＡの性能に与える可能性のある影響を評価することができる。

[000212] ペリクル１９は、例えば、リソグラフィ装置の外部であっても、または放射ビームＢが入射していない状態のリソグラフィ装置の内部であっても、オフラインで監視することができる。あるいは、ペリクル１９は、例えば放射ビームが入射している状態で、リアルタイムで監視されてもよい。

[000213] 特定のペリクル１９からパターニングデバイスＭＡの離隔があるとすると、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡの照明線との交差は、以下の式によって表されるように結像する。

上記式において、「Ｓ」は、照明面Ｐに垂直な結像システム５０によって観察される線の離隔であり、「Ｄｉｓｔａｎｃｅ」は、ペリクルとパターニングデバイスＭＡとの間の距離であり、「θ」は、ペリクル１９に対する入射角（照明角度）である。パターニングデバイスＭＡからペリクル１９への距離が２．５ｍｍであり、照明角度が８０度である場合、線離隔Ｓは、１４ｍｍの距離として現れる。

[000214] パターニングデバイスＭＡの回折による誤検出のリスクをさらに低くするために、反対方向にスキャンして共通の位置の回折を検出する２つの放射出力４６を使用してもよい。これは、両方の放射出力４６からのペリクル１９上の特定位置の照明が、パターニングデバイスＭＡの異なる位置を照明することになるためである。

[000215] 図１２は、ペリクルに関連する状態を決定するための別の例示的な装置を示している。前述の例と同様に、同一のコンポーネントには、同一の参照番号が使用されている。図１２は、ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡの概略的な側面図を示す。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡからギャップだけ離隔されている。このギャップｇは、２～３ｍｍ、または約２．５ｍｍであり得る。ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡは、矢印２０によって図示されるように左から右への方向に移動する（つまり、この方向にスキャンされる）。ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡは、反対方向にもスキャンされてもよい。パターニングデバイスＭＡは、パターニングデバイスＭＡからの反射後の放射ビームＢ（図示なし）に付与されるパターンを提供するパターン２１を有する。

[000216] ペリクル１９上には、１つまたは複数の粒子が存在し得る。このような粒子は、露光欠陥を生じさせ、不均一な熱分布によってペリクル１９の破損のリスクを生じさせるおそれがある。ペリクル１９上の（複数の）粒子を検出するために、図９～１１の例と同様に照明放射からの反射が使用される。ただし、本例では、（複数の）粒子の検出は、異なる方法で行われる。

[000217] 粒子を検出するために、照明放射Ｌは、照明出力（例えば、照明源）（図示なし）からペリクル１９上に投光される。照明放射Ｌの波長は、検出可能である限り、重要ではない。照明放射Ｌは、２つの異なる放射出力から投光されてもよい。照明放射Ｌは、ペリクル１９に対して比較的高い入射角であり得る。ペリクル１９に対する入射角（つまり、ペリクルの法線に対する角度）は、少なくとも、４５°（度）、５０°、５５°、６０°、６５°、７０°、７５°、８０°、または８５°であり得る。

[000218] ペリクル１９および（複数の）粒子からの反射放射Ｒは、反射放射Ｒを検出するように位置決めされた放射センサ６０（つまり、高解像度カメラ等のカメラ）によって捕捉される。放射センサ６０は、ペリクル１９に垂直に位置決めされ得る。他の例では、放射センサ６０は、相応な異なる位置および角度で位置付けられてもよい。放射センサ６０を使用してこの反射放射を見通すことにより、粒子の位置を決定することができる。

[000219] しかし、ペリクル１９は実質的に透過性であるため、照明放射Ｌの一部は、ペリクル１９も通過してパターニングデバイスＭＡのパターン２１で反射する。そのため、パターニングデバイスＭＡのパターンが反射放射内に含まれることがあり、これが放射センサ６０により検出されるゴーストパターンを生成し得る。このようなゴーストパターンは、誤って欠陥とみなされる可能性があるため、望ましくない。ゴーストパターンをフィルタ除去するために追加の像後処理アルゴリズムが必要になり得るが、これが常に信頼性が高いわけではない。

[000220] これに対処するために、ペリクル１９と放射センサ６０との間にはシャドーイング構造６２が設けられ、パターニングデバイスＭＡの少なくとも一部に影を付ける一方、照明放射Ｌをペリクル１９上に投影させる。シャドーイング構造６２は、スリットの形態であり得るアパーチャ６４を有し、既定のペリクル１９のエリアが放射センサ６０によって見通され得る一方、パターニングデバイスのパターン（ゴーストパターン）の視認性が実質的に減少するようなサイズに設定された幅ｗを有する。つまり、ゴーストパターンを不可視にするか、あるいはその視認性を大きく減少することで、ゴーストパターンが欠陥として報告されることを防止する。

[000221] アパーチャ６４の幅ｗと、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間のギャップｇと、放射Ｌが誘導される角度とにより、反射放射Ｒがペリクル１９から検出され得る有効検出距離ｄが存在する。これは、パターニングデバイスＭＡには、放射が反射されず、放射センサ６０によって検出されないシャドーイングエリア６６が存在することを意味している。このことは、有効検出距離ｄ内に欠陥（つまり、粒子）が検出される場合、それはペリクル１９上の実際の欠陥であって、パターニングデバイスＭＡからのゴーストパターンではないことを意味する。

[000222] パターニングデバイスＭＡおよびペリクル１９は、連続モードまたはステップモードでスキャンされることにより、ペリクル１９の完全な表面検査を達成することができる。様々な検査ゾーンが照明され、その後処理および統合されて、完全な表面検査を実現することができる。

[000223] シャドーイング構造６０および照明放射Ｌを使用する方法は、ペリクル１９の表面の光学特性または照明放射Ｌの波長に依存しない。したがって、汎用性があり、異なるタイプの表面を検査するように適合され得る。

[000224] 図１３は、図２に示すものと同様のペリクルアセンブリ１５およびパターニングデバイスＭＡを示すが、本例では、ペリクルアセンブリ１５のペリクルフレーム１７が、ペリクルフレーム１７に埋め込まれた複数の近接センサを備える点で異なる。特に、本例において、近接センサはキャップゲージセンサ６８（静電容量センサ）である。キャップゲージセンサ６８は、ペリクルフレーム１７内に嵌め込むために小型化されてもよい。図１３には２つのキャップゲージセンサ６８のみが示されているが、所望の数のキャップゲージセンサ６８があってもよい。例えば、１つのキャップゲージセンサ６８を使用することができる。しかし、この場合、ペリクル１９の部分的な破損が報告されないことがある。キャップゲージセンサ６８の数を増やすための費用およびシステム複雑性との兼ね合いはあるが、２つ以上のキャップゲージセンサ６８がより適切である。キャップゲージセンサ６８は、ペリクルフレーム１７の周囲に間隔をあけて配置され得る。１つ以上のキャップゲージセンサ６８および任意の関連機器は、パターニングフィールドの外に位置付けられるべきである。望ましくは、１つ以上のキャップゲージセンサ６８は、迷光放射から保護される。１つ以上のキャップゲージセンサ６８（および関連機器）にとって望ましい位置は、ペリクルフレーム１７内に埋め込まれた位置である。

[000225] １つ以上のキャップゲージセンサ６８は、ペリクル１９までの距離を検出するように構成される。１つ以上のキャップゲージセンサ６８は、各キャップゲージセンサ６８とターゲット（つまり、ペリクル１９）との間の静電容量の局所的な変化を報告することにより機能する。１つ以上のキャップゲージセンサ６８によってペリクル１９までの距離を検出することで、ペリクル１９の存在をチェックすることが可能になる。つまり、キャップゲージセンサ６８は、ペリクルとキャップゲージセンサ６８との間の距離が所定量変化したかどうか、または、ペリクル１９がキャップゲージセンサ６８によって検出されなくなったかどうかを決定することにより、ペリクル１９の存在または現存を監視する。ペリクル１９の存在は、ペリクル１９に関連する状態とみなすことができる。

[000226] ペリクル１９の存在の監視は、一定間隔で行われ得る。つまり、キャップゲージセンサ６８は、ペリクル１９が存在しているか否かを特定の時間間隔で決定し得る。ペリクル上１９の状態に何らかの変化があった場合、つまり、ペリクル１９がキャップゲージセンサ６８によって検出されなくなった場合、これが報告され得る。ペリクル１９が存在することが検出されない場合、これは、ペリクル１９の破損またはペリクル１９の穴があることを示し得る。ペリクル１９が存在しないことが報告された場合、補正措置が取られ得る。例えば、補正措置は、放射ビームＢをオフにするもしくはブロックすること、またはリソグラフィ装置ＬＡ内の１つ以上の基板Ｗのスキャンを停止することであり得る。

[000227] １つ以上のキャップゲージセンサ６８は、１つ以上のキャップゲージセンサ６８と共に、または１つ以上のキャップゲージセンサ６８の近くに位置付けられた１つまたは複数のバッテリ（図示なし）によって電力供給を受け得る。バッテリは、ペリクルフレーム１７に接続されてもよく、またはペリクルフレーム１７に埋め込まれてもよい。バッテリは、電磁誘導充電されてもよく、一定の時間間隔で充電されてもよい。他の例では、バッテリは、一時的な電気接続などの他の手段によって充電され得る。

[000228] １つ以上のキャップゲージセンサ６８は、回路基板（図示なし）に接続され得る。この回路基板は、１つ以上のキャップゲージセンサ６８とペリクル１９との間の距離において、検出されたあらゆる有意な変化を、ペリクル１９の破損の可能性を示す信号として無線送信し得る。無線送信により、１つ以上のキャップゲージセンサ６８のそれぞれまたは１つ以上のキャップゲージセンサ６８のグループに接続すべきワイヤの必要性がなくなる。

[000229] ペリクル１９の破損は、深刻な有害事象であり、機器を回復するには費用および時間がかかるものである。例えば、リソグラフィ装置ＬＡ全体は、手動による洗浄サービスのために解体しなくてはならないこともある。ペリクル１９の破損は、熱的要因、動的要因、静電的要因等のいくつかの原因により発生し得る。

[000230] ペリクルフレーム１７内に位置決めされた１つ以上のキャップゲージセンサ６８有し、ペリクル１９の存在を監視することにより、ペリクル１９の破損または差し迫ったペリクル１９の破損の迅速なフィードバックを可能にする。そうすると、リソグラフィ装置ＬＡをより速く補修することができる。さらに、損なわれたペリクル化されたパターニングデバイスＭＡによる他ロットの基板Ｗに対するさらなる処理を回避することができる。つまり、、破損したペリクル１９の粒子または残渣により他の基板が汚染されることを回避することができる。

[000231] １つ以上のキャップゲージセンサ６８を使用することで、例えば、放射ビームＢ露光位置においてペリクル１９に放射ビームＢが入射する時に、ペリクル１９の連続的なリアルタイム監視が可能になる。さらに、システム全体を通して、ペリクルまたはパターニングデバイスを監視するために複数のディテクタを使用することが避けられ得る。複数のパターニングデバイスに対して単一のペリクルディテクタを使用すること（例えば、１つ以上の近接センサを使用すること）により、リソグラフィ装置ＬＡ内の多様なエリアにおいて多くのセンサを実施および稼働することに比べて、費用の削減がもたらされ得る。

[000232] 上述した例は、ペリクルキャリア（例えば、ＥＩＰ）の外部でのペリクル１９の検出に関連する。つまり、ペリクル検出は、ペリクルアセンブリ１５がペリクルキャリアから取り外された後にリソグラフィ装置ＬＡ内で行われている。しかし、他の例では、１つ以上のキャップゲージセンサ６８は、ペリクルキャリア内のペリクルフレーム１７内に存在してもよく、ペリクル１９の検出（破損したペリクル１９の検出）は、上述したのと同様の方法によりペリクルキャリア内で行われてもよい。これにより、破損したペリクルがリソグラフィ装置ＬＡ内に放出されるのを防止することができる。

[000233] 他の例では、１つ以上の近接センサは、ペリクルフレーム１７内に完全に埋め込まれてなくてもよく、ペリクルフレーム１７と関連付けられてもよい。１つ以上の近接センサは、例えば、ペリクルフレーム１７に部分的に埋め込まれてもよく、部分的に、ペリクルフレーム１７に接続、ペリクルフレーム１７に取付、ペリクルフレーム１７に固定、ペリクルフレーム１７と共に移動、ペリクルフレーム１７と共に位置付け、ペリクルフレーム１７上またはその周りに位置付けされてもよい。他の例では、ペリクルフレーム１７内には１つの近接センサのみがあってもよい。

[000234] 他の例において、１つ以上の近接センサは、１つ以上の誘導センサであり得る。誘導センサは、ペリクル材料が導電性であるか、または導電性のコーティングを有する場合に使用され得る。別の例では、レーザベースのセンサが使用されることもあるが、これは、１つ以上のキャップゲージセンサ６８を使用する場合と比較して、より高いシステムの複雑性を伴うことがある。他の例では、１つ以上の近接センサは、ペリクルに関連する状態を決定することができるのであれば、異なるタイプのセンサであってもよい。

[000235] 図１４は、図２に示されるものと同様のペリクルアセンブリ１５およびパターニングデバイスＭＡを示すが、図１４にはペリクル１９を見通すように位置決めされた明視野カメラ（プレノプティックカメラ）も示されている。明視野カメラ７０は、矢印７１によって図示されるような放射によって照明される時に、ペリクル１９の表面を検査するように位置決めされる。ペリクル１９を照明するために使用される放射は、従来のガラス透過およびカメラディテクタの量子効率がともに高い任意の可視波長放射またはＩＲ波長放射であり得る。解像度の点から、可視光が好ましい。放射の偏光状態もまた、特定のパターニングデバイスＭＡに対して選択および最適化され得るが、公称上は無偏光であってもよい。照明放射は、明視野カメラ７０の近くから生じ、散乱し、かつ／または明視野カメラ７０内へと回折され得る。照明放射の入射角もまた、特定のパターニングデバイスＭＡに対して（例えば、明視野カメラ７０への戻りを最小限にするために）最適化され得るパラメータである。

[000236] 放射は、パターニングデバイスＭＡのパターン２１から反射されてもよく（矢印７２を参照）、放射は、ペリクル１９から反射されてもよい（矢印７３を参照）。ペリクル１９は、検査面に対応するとみなすことができる。つまり、ペリクル１９は、検査面内に位置付けられる。ペリクル１９は、深さＺにあるとみなされ得る。しかし、ペリクル１９のＺ方向の位置は、（例えば、製造許容誤差により）不確実なことがある。したがって、検査面は、Ｚ方向の最大ペリクル変位の範囲をカバーし得る。つまり、検査面は、図１４に示すΔＺの範囲を有する。

[000237] 明視野カメラ７０は、表面から発出する明視野（つまり、表面からの放射の強度）に関する情報および放射光線が空間内を進む方向を捕捉することができる。これは、放射強度のみを記録する従来のカメラとは異なる。明視野カメラ７０は、一度の露光のみで３Ｄ像を再構築することができる。すなわち、従来の２Ｄ像に加えて、深度情報も捕捉される。明視野カメラ７０のソフトウェアを使用して、検査面に対応するＺ平面のみに対する２Ｄ像ファイルを出力することができる（例えば、明視野カメラ７０は、Ｚ範囲（＝ΔＺ）の検査面から発生する強度情報のみを出力する）。

[000238] 明視野カメラ７０によって深度情報を捕捉することができるため、明視野カメラ７０を使用して特定の深度からの情報（例えば、像）のみを得ることができる。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡから（例えば、少なくとも２ｍｍほど）離れているため、明視野カメラ７０を使用してペリクル１９のみから（つまり、反射された放射から（矢印７３を参照））情報を得ることができる。つまり、明視野カメラ７０を使用して、深度情報を利用することにより、ペリクル１９（検査面）から発生する信号のみをフィルタ選別することができる。したがって、パターニングデバイスＭＡから反射した放射強度情報（つまり、反射された放射（矢印７２を参照））は、フィルタ除去され得る。

[000239] パターニングデバイスＭＡのパターン２１から放射強度信号をフィルタ除去することは、ペリクル１９内の欠陥（ペリクル１９上の粒子など）の誤検出を回避することができることを意味する。検査面（ペリクル１９）を照明するプロセスにおいて、パターニングデバイスＭＡのパターン２１も照明される。共に放射（矢印７１）によって照明され、同時に結像されている２つの表面のうち一方の表面上のフィーチャのみを検出する試みるには問題がある。これは、特に、大抵が透過性であるペリクル１９と、完全にまたは少なくとも部分的に反射性であるパターニング表面とに関する問題である。欠陥の誤検出は、パターニングデバイスＭＡからのパターン回折および散乱に起因する。これらの信号は、ペリクル１９上に存在する可能性があり、検出が望ましい粒子（例えば、５ミクロンのサイズ）からの信号よりもかなり明るいことがある。

[000240] 明視野カメラ７０を使用してペリクル１９内の欠陥を検出することは、検査面以外の発生源からの信号が除去される、つまり、ペリクル１９以外の１つ以上の他の表面から来る放射強度情報がフィルタ除去されるといった利点を有する。これにより、より堅固で信頼性の高い（ペリクル１９上に位置する粒子などの）欠陥検出方法が得られる。明視野カメラ７０を使用することは、任意の精度で位置合わせするものとして、単一のオブジェクト（つまり、カメラ／レンズ）のみがあるいった利点を有する。

[000241] パターニングデバイスＭＡの反射等からの強度情報がフィルタ除去されると（つまり、検査面に対応するＺ平面のみに対する２Ｄ像が得られると）、この２Ｄ像に対して検出アルゴリズムが動作させられる。この検出アルゴリズムは、低い誤警報率でペリクル１９に関連するあらゆる欠陥についての情報を提供するはずである。これは、パターニングデバイスＭＡ（誤警報源）からの強度情報が既に除去されているためである。したがって、粒子検出アルゴリズムは、検査面に対応する信号に対して動作されられ得る。

[000242] パターニングデバイスＭＡからの信号のフィルタリングは、任意の好適な方法で行うことができるが、一例として、図１５および１６に示す方法を使用することが挙げられ得る。この例では、４次元空間（明確性を目的として１つの角度（ｕ）および１つの空間次元（ｘ）が示されているが、ｙおよびｖも利用可能である）に対して検出および区分化が行われる。望ましくない角度範囲にわたる検出は、フィルタ除去することができる。

[000243] 図１５は、ペリクル１９の検査を混乱させ得る、パターニングデバイスＭＡからの迷光放射または回折放射といった、異なるフィールド深度から検出されたオブジェクトを明視野カメラ７０がどのようにフィルタ除去するかを概念的に示している。明視野（プレノプティック）カメラ７０は、レンズアパーチャ７６からの従来の焦点面に小型レンズアレイ７４と、リレー光学系と、小型レンズアレイ７４から１つの小型レンズ焦点長さ分後方にあるイメージセンサ７８（例えば、ＣＣＤまたはＣＭＯＳディテクタ）とを有し得る。小型レンズアレイ７４は、複数の小型レンズを有する。この構成では、小型レンズのサイズおよび数により、空間解像度が効果的に決まり、各小型レンズの後方の画素数により角度解像度が決まる。

[000244] 図１５に示すように、ペリクル１９上の粒子８０からの放射は、パターニングデバイスＭＡのオブジェクト８２からの放射（例えば、パターン２１の一部またはパターン２１上のオブジェクトからの反射）とは異なる組の角度画素を占めることになる。オブジェクト８２からの放射光線は、小型レンズアレイ７４の前で交差し、イメージセンサ７８の中心部分を占める。一方で、粒子８０からの放射光線は、小型レンズアレイ７４上に合焦され、その後、イメージセンサ７８上のより広い部分を占める。イメージセンサ７８上の画素１Ｐ１および画素２Ｐ２は、オブジェクト８２から入射する放射光線を有さないが、それらの画素は、ペリクル１９上の粒子８０から入射する放射光線を有する。

[000245] 明視野カメラ７０は、位置および角度、ひいては深度情報を検出する。従来のカメラは、ｘ軸上の放射投影のみを観察することになり（図１６参照）、ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡの両方からの像を取り違えることになる。しかし、Ｕ（角度）次元の全長をより小さくすることで、深度の解像が可能になる。角度の広がり（ｕ）は、図１６の上のグラフに示され、図１６における画素１Ｐ１および画素２Ｐ２は、図１５の画素Ｐ１および画素Ｐ２に対応している。検出アルゴリズムは、４Ｄ空間に描画され、誤った角度の広がりを有する検出は、フィルタ除去され得る、または適合外（fitted out）とされ得る。図１６の下のグラフは、ペリクル検出に対する汚染として作用する、パターニングデバイスＭＡ上のフィーチャであるオブジェクト８２に対する１次元の画素強度分布を表す。直接的な空間重畳の場合、２つの画素強度分布は、明視野カメラ７０により合計され得る。これらの範囲にわたる放射の正確な分布は、散乱および回折の物理現象と、材料とに依存することになるが、図１６のグラフ内のエッジは、真正の像エッジまたは半値全幅などのパラメータを表し得る。ガウス分布、シルクハット分布、ランバート分布、またはボイト分布などの１つの特徴的な機能との整合が成され得るが、そのような整合は、重畳後のよりコンパクトかつより広い角度分布のために、全分布を十分に記述することはできないであろう。２つの整合分布による統計的テストは、誤差内のデータが２つの検出をもたらすことのより適切な説明を示すことになり、より狭い分布がペリクル１９上の粒子８０に割り当てられることになる。

[000246] 画像処理は、従来の画像処理の方法で検出を行い、区分化し、その後、対象の深度に対応しないことが分かっている特定の確度範囲の検出をフィルタ除去することにより、実行され得る。これらの検出は差し引かれ、その後、別の回の検出で、所望の対象深度のみから有意なフィーチャを発見することができる。他の例では、明視野情報は、別の方法で活用されてもよい。

[000247] 明視野カメラ７０によるペリクル１９の検査は、ペリクルに関する特性を測定するものとみなすことができ、この特性はペリクルの状態を示す。ペリクルの状態は、例えば、ペリクル１９上に位置する粒子、またはペリクルの穴もしくは破損といったペリクル１９内の欠陥であり得る。

[000248] 図１７は、ペリクルに関連する状態を決定するための別の例示的な装置を示す。前述の例と同様に、同一のコンポーネントには、同一の参照番号が使用されている。図１７は、ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡの概略的な側面図を示す。ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡは、矢印２０によって図示されるように左から右に移動する、つまり、この方向にスキャンされる。ペリクル１９およびパターニングデバイスＭＡは、反対方向にスキャンされてもよい。パターニングデバイスＭＡは、パターニングデバイスＭＡからの反射後の放射ビームＢ（図示なし）に付与されるパターンを提供するパターン２１（例えば、デバイスパターン）を有する。

[000249] ペリクル１９上に粒子２４または複数の粒子が存在することがある。これらの粒子２４は、露光欠陥を引き起こし、不均一な熱分布によるペリクル１９の破損のリスクをもたらすおそれがある。ペリクルは、リソグラフィ装置ＬＡ内で露光される前に、粒子関して検査されるべきである。ペリクル１９上の粒子２４を検出するために、図９～１１の例と同様に照明放射の反射が使用される。この例では、粒子の検出は異なる方法で実行され得る。

[000250] 粒子２４を検出するために、照明放射Ｌは、照明（放射）出力（例えば、照明源）からペリクル１９上に投光される。ペリクル１９および（複数の）粒子からの反射放射Ｒは、反射放射Ｒを検出するように位置決めされた放射センサ８４（ディテクタ）によって捕捉される。照明放射は、図示されるように、放射センサ８４から発せられ得る。他の実施形態では、照明放射Ｌは、放射センサ８４から離隔された放射源から発せられてもよい。放射センサ８４は、ペリクル１９に実質的に垂直に位置決めされ得る。他の例では、放射センサ８４は、相応な異なる位置および角度で位置付けられてもよい。

[000251] 放射センサ８４を使用してこの反射放射Ｒを見通すことにより、放射センサ８４によってピックアップされている（複数の）粒子からの拡散性の反射放射に基づくスキャトロメトリの原理を使用して、（複数の）粒子２４の位置を決定することができる。照明放射Ｌは、ペリクル１９の上方に放射センサ８４が位置付けられている状態で、ペリクル１９からはね返るように、ペリクル１９の一方側から投光される。照明放射Ｌの入射角は、ペリクル１９からの反射放射が放射センサ８４に到達しないように設定されるべきである。完全に平坦な表面上では、いずれの放射も放射センサ８４に到達することはない。ペリクル１９上の粒子２４などの、ペリクル１９に関連した欠陥がある場合、この欠陥は放射を全方向（拡散方向）に反射し、この放射が放射センサ８４によってピックアップされることになる。

[000252] 本実施形態において、照明放射Ｌは、ペリクル１９に入射する時、平行化（平行ビーム）または発散される。これにより、ペリクル１９全体、少なくともペリクル１９の一部の幅もしくは全幅、または少なくともペリクル１９の実質部を、一度に（つまり、同時に、瞬時に）照明することができる。ペリクル１９の表面全体を一度に、一回の露光で（例えば、約１００ｍｍ×１４０ｍｍの露光エリア）測定することが望ましい場合がある。ペリクル１９の実質部は、単にペリクル１９の局所的なエリアとはみなされないことがある。ペリクルの幅は、ｘ方向またはｙ方向のいずれかのペリクルのサイズとみなすことができる。ペリクル１９の幅を照明するために、照明放射Ｌは、図１１に関連して上述したのと同様に、既定のエリア上でペリクル１９と交差する時に、ペリクル照明線を形成するペリクル照明面を形成するとみなされ得る。これは、ペリクル１９が、例えばｙ方向に移動する時に、ペリクル照明線がペリクル１９を効果的に横断し得ることを意味する。したがって、ペリクル照明線の下では、ペリクル１９エリアが連続的に照明される。ペリクル照明線は、状況に応じて任意の好適な幅を有し得る。

[000253] 提案される方法では、例えば小さい照明点でペリクル１９全体をスキャンする必要があり時間がかかる方法の代わりに、ペリクル１９上の粒子の確認が露光の前に迅速に行えることを意味する。他の実施形態において、照明放射Ｌは、例えば放射源自体により、または他の光学コンポーネントにより、ペリクル上に合焦され得る。これは、照明放射Ｌがペリクルの小さいエリア上に合焦され、局所的な検査を提供するためのものであり得る。

[000254] いくつかの実施形態において、照明放射Ｌは、複数の放射源、例えば、２つ、３つ、または４つの別個の放射源から発せられてもよい。複数の放射源は、ペリクル１９全体、ペリクル１９の幅、または少なくともペリクル１９の実質部を照明し得る。これにより、他の方法よりも迅速にペリクル１９上の粒子２４を確認することができ、ペリクル１９上に位置する２つ以上の粒子２４を同時に検出することができる。いくつかの実施形態において、放射源は、ＬＥＤ源であり得る。他の実施形態では、放射源は、レーザまたは任意の他の単色放射源などといったＬＥＤとは異なるタイプであってもよい。

[000255] ペリクル１９は実質的に透過性であるため、照明放射Ｌの一部は、ペリクル１９も通過して（破線で示す透過放射Ｔを参照）パターニングデバイスＭＡのパターン２１で反射する（破線で示す反射された透過放射ＲＴを参照）。反射された透過放射ＲＴは、ペリクル１９を通過し、放射センサ８４に入射し得る。したがって、パターニングデバイスＭＡのパターンまたはパターニングデバイスＭＡ上の他のオブジェクトが、反射放射に含まれることがあり、これが放射センサ８４によって検出される１つ以上のゴーストパターンを生成することがある。１つ以上のゴーストパターンは、誤って欠陥とみなされる可能性があるため、望ましくない。１つ以上のゴーストパターンをフィルタ除去するために追加の像後処理アルゴリズムが使用され得るが、これが常に信頼性が高いわけではない。

[000256] ペリクルの欠陥について測定されたパターニングデバイスＭＡおよびペリクルは、ゴーストの発生に直面し得る。ゴーストの発生は、例えば、入射放射を回折させ、それによりスキャトロメータの粒子測定を擾乱させるパターニングデバイスＭＡのフィーチャから生じる。

[000257] この問題を解決するために、一実施形態では、ペリクル１９を実質的に透過しない波長を有する照明放射Ｌの波長が使用される。すなわち、この波長ではペリクル１９による放射の透過が非常に少ない。ペリクルを通る放射の透過率は、１０％以下、１％以下、または０．１％以下であり得る、ペリクルを通る放射の透過率は、１～１０％の範囲であり得る。換言すると、使用される照明放射Ｌの波長は、ペリクル１９によって実質的に吸収および反射されるようなものであるため、ペリクル１９を透過してパターニングデバイスＭＡに入射する放射はほとんどない。したがって、本実施形態では、照明放射Ｌの波長が重要である。ほんのわずかな放射しか透過されず、残りの放射は、例えば、約５０％が吸収され、５０％が反射される

[000258] ペリクルおよびペリクル上に位置する任意の（複数の）粒子に入射し、かつ／または反射され得る照明放射Ｌは、ペリクルに関連する放射とみなすことができる。ペリクル１９は、実質的に光学的に平坦であるため、放射の散乱を生成せず、放射の鏡面反射のみを生成することになる。しかし放射がパターニングデバイスに到達すると、放射の散乱が起こることがある。

[000259] 放射センサ８４は、ペリクル１９に対して実質的に低い透過率を有する波長を有する放射を測定するように構成される。放射センサ８４は、放射を受け、ペリクル上に粒子が存在するか否かを決定することができる。放射センサは、この波長でペリクル１９に入射する放射を提供するようにも構成される。

[000260] 放射センサ８４は、パターニングデバイスＭＡの背面を検査するために既に使用されていることもあるレチクル背面検査（ＲＢＩ）システムであり得る。このようなＲＢＩシステムを使用してペリクル前面検査（ＰＦＩ）も実行する方法では、検査に使用されるコンポーネントの数が少なくなる。また、これは、検査がリソグラフィ装置ＬＡ内で実行され得ることを意味している。

[000261] 放射の波長は３６５ｎｍであり得る。この波長では、多結晶ケイ素（ｐＳｉ）ペリクルを通る放射の透過は非常に少ない。放射の透過は、非常に低く、約２００ｎｍを下回る。他の実施形態では、放射の波長は、例えば１９２ｎｍに選択され得る。より高い波長の放射は、より低い波長の放射と比較して、低コストで使用することができるため、選択され得る。他の実施形態において、ｐＳＩペリクル用の放射の波長は、３５６ｎｍ～３６５ｎｍ、３５６ｎｍ～３７０ｎｍ、３５６ｎｍ～３７５ｎｍ、３６１ｎｍ～３６５ｎｍ、３６１ｎｍ～３７０ｎｍ、３６１ｎｍ～３７５ｎｍ、または３６４ｎｍ～３６６ｎｍから選択され得る。他の放射の波長を使用してもよく、例えば、約１８０ｎｍ～３８０ｎｍの任意の放射の波長を使用することができる。

[000262] 図１８は、ｐＳｉベースのペリクル１９を通る透過（％）に対する放射の波長（ｎｍ）のグラフを示す。ペリクルは、異なる材料から作られてもよい。例えば、ペリクルは、ケイ素製またはＭｏＳｉ製であってもよい。グラフから、ペリクル１９を通る透過は、４４０ｎｍ付近で下降し始め、約３７０ｎｍで約０．０１の透過に到達することがわかる。およそ３６５ｎｍにおいて、ペリクル１９を通る透過はほぼゼロである。他の材料から作られたペリクルもまた、これらの波長で、またはこれらの波長付近で、下降を有し得る。典型的に使用されるペリクルの厚さは５０ｎｍほどであり得る。しかし、ペリクルの実際の厚さは、照明波長が十分に抑制され、照明放射Ｌの透過が十分に減少される限り、重要ではない。

[000263] ３６５ｎｍの波長のシヤリング入射放射を使用してペリクル１９を照明することは、放射がペリクル１９を通過してパターニングデバイスＭＡに到達するのが実質的に防止されることを意味する。したがって、この方法を使用すると、他の放射の波長を使用するのに比べて、ゴーストの発生を防止することができるか、または少なくとも実質的に減少させることができる。

[000264] 放射センサ８４によるペリクル１９の検査は、ペリクル１９に関連する特性の測定とみなすことができ、この特性はペリクルの状態を示す。ペリクルの状態は、例えば、ペリクル１９上に位置する粒子、またはペリクルの穴もしくは破損といったペリクル１９内の欠陥であり得る。

[000265] １つまたは複数のセンサによるペリクルに関連する１つまたは複数の特性の測定を使用して、ペリクルに関連する１つまたは複数の状態を決定する。これは、当該技術において公知の任意の方法で行うことができる。例えば、これには、人間のオペレータによる手動処理が含まれてもよく、またはコンピュータ装置を伴ってもよい。

[000266] コンピュータに本明細書に記載される方法を実行させるように構成されたコンピュータ可読命令を含むコンピュータプログラムが使用されてもよい。コンピュータ可読媒体がこのコンピュータプログラムを有してもよい。

[000267] コンピュータ装置を使用して、ペリクルに関連する状態を決定してもよい。コンピュータ装置は、プロセッサ可読命令を記憶するメモリと、メモリ内に記憶された命令を読取りおよび実行するように構成されたプロセッサとを備え得る。プロセッサ可読命令は、コンピュータを制御して本明細書に記載される方法を実行させるように構成された命令を含み得る。

[000268] 一例において、本発明の一実施形態は、パターニングデバイス（マスク）ＭＡ検査装置の一部を形成し得る。パターニングデバイス検査装置は、ＥＵＶ放射を使用してパターニングデバイス（例えば、マスク）を照明し、照明センサを使用してパターニングデバイスから反射した放射を監視することができる。イメージセンサによって受けられる像を使用して、パターニングデバイス内に欠陥が存在するか否かを決定する。これらのイメージングセンサは、例えば、センサ２６または放射センサ５２であってもよく、像は、ＩＲ放射または他の形態の放射であってもよい。したがって、パターニングデバイスの状態は、上述したのと同様にイメージングセンサを使用して決定することができる。パターニングデバイス検査装置は、ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を受け、これをパターニングデバイスに誘導される放射ビームへと形成するように構成された光学系（例えば、ミラー）を備え得る。パターニングデバイス検査装置は、パターニングデバイスから反射されたＥＵＶ放射を集光し、イメージングセンサにおいてパターニングデバイスの像を形成するように構成された光学系（例えば、ミラー）をさらに備えてもよい。パターニングデバイス検査装置は、イメージングセンサにおいてパターニングデバイスの像を分析して、その分析から、パターニングデバイス上に何らかの欠陥が存在するか否かを決定するように構成されたプロセッサを備え得る。プロセッサは、さらに、検出されたパターニングデバイスの欠陥が、このパターニングデバイスがリソグラフィ装置によって使用された際に、基板上に投影される像に許容不可能な欠陥を生じさせることになるか否かを決定するように構成されてもよい。

[000269] 一例において、本発明の実施形態は、メトロロジ装置の一部を形成してもよい。メトロロジ装置を使用して、基板上に既に存在するパターンに対する、基板上のレジスト内に形成される投影パターンの位置合わせを測定することができる。このような相対的な位置合わせの測定は、オーバレイと呼ぶことができる。メトロロジ装置は、例えば、リソグラフィ装置ＬＡに直接隣接して位置付けられてもよく、基板（およびレジスト）が処理される前にオーバレイを測定するために使用されてもよい。

[000270] 本明細書において、リソグラフィ装置の関連で、本発明のいくつかの例について具体的な言及がなされ得るが、本発明の例は、他の装置において使用されてもよい。本発明の例は、パターニングデバイス検査装置、メトロロジ装置、または、ウェーハ（もしくは他の基板）またはマスク（もしくは他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定または処理する任意の他の装置の一部を形成し得る。これらの装置は、概してリソグラフィツールと呼ぶことができる。このようなリソグラフィツールは、真空条件を使用してもよく、または周囲条件（非真空）を使用してもよい。

[000271] 「ＥＵＶ放射」という用語は、４～２０ｎｍの範囲、例えば、１３～１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含するものとみなされ得る。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満の波長、例えば、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍなど、４～１０ｎｍ未満の波長を有し得る。

[000272] 図１は、レーザ生成プラズマＬＰＰ源としての放射源ＳＯを示しているが、任意の好適な放射源を使用してＥＵＶ放射を生成することができる。例えば、放電を使用することによりＥＵＶ放出プラズマを生成して、燃料（例えば、スズ）をプラズマ状態に変換することができる。このタイプの放射源は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と呼ぶことができる。放電は、放射源の一部を形成し得る電源によって生成されてもよく、放射源ＳＯに電気接続によって接続される別個の構成要素であってもよい。

[000273] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、他の用途を有し得ることが理解されるべきである。考えられる他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造が含まれる。

[000274] 光リソグラフィの関連での本発明の例の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

[000275] 本発明の例は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の例はまた、機械可読媒体に記憶され、１つまたは複数のプロセッサにより読み出されて実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読み取りが可能な形態で情報を記憶または送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、または電気、光、音、もしくはその他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。本発明のいくつかの実施形態は、装置の制御システムとして実現され得る。制御システムは、ハードウェアおよび／またはソフトウェアを含み得る。

[000276] 以上、本発明の具体的な例を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、以下に記載する特許請求の範囲および条項を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
１．リソグラフィ装置において使用するためのペリクルに関連する状態を決定するための装置であって、センサを備え、センサは、ペリクルに関連する特性を測定するように構成され、特性は、ペリクルの状態を示す、装置。
２．ペリクルに関連する特性は、ペリクルの温度もしくは温度プロファイル、またはペリクル上の粒子の温度もしくは温度プロフィルである、条項１に記載の装置。
３.センサは、ペリクルに関連する赤外放射（ＩＲ）を測定するように構成される、条項２に記載の装置。
４．センサは、２～８μｍの波長域のＩＲ放出の強度を測定するように構成される、条項３に記載の装置。
５．センサは、ＩＲ放出差を測定するように構成される、条項３または条項４に記載の装置。
６．センサは、ＩＲ放出スペクトルを構築するためにスキャン可能なバイアス電圧を提供するように構成されたフォトダイオードを備える、条項３～５のいずれかに記載の装置。
７．センサは、粒子から受ける赤外放射とペリクルから受ける赤外放射との間のコントラストを識別することにより、ペリクル上の粒子の位置を特定するように構成される、条項２～６のいずれかに記載の装置。
８．放射ビームのパワーを能動的に制御して、ペリクルを所定温度に維持するように構成される、条項２～７のいずれかに記載の装置。
９．装置は、温度測定値に基づいて、分割露光方式を作動させるように構成される、条項２～８のいずれかに記載の装置。
１０．ＩＲ放射を通過させる少なくとも１つの透明層を備える、条項２～９のいずれかに記載の装置。
１１．センサは、リソグラフィ装置内の瞳ファセットモジュール内の実質的に中心に位置付けられるように構成される、条項１～１０のいずれかに記載の装置。
１２．センサは、ペリクルに対して少なくとも４５°の入射角で位置付けられるように構成される、条項１～１１のいずれかに記載の装置。
１３．センサは、ペリクルキャリア内に一体化される、条項１に記載の装置。
１４．ペリクルに関連する特性は静電容量であり、センサは静電容量センサである、条項１または１３に記載の装置。
１５．センサの電気接続部は、ペリクルキャリアが閉じられている間、ペリクルの外部から接続可能であるように構成される、条項１４に記載の装置。
１６．ペリクルが既定のペリクルエリアにわたり放射によって照明され、センサがペリクルから反射された放射を測定するように構成されるように、構成された条項１に記載の装置。
１７．既定のペリクルエリアを放射によって連続的に照明するように構成される、条項１６に記載の装置。
１８．既定のペリクルエリアは照明線である、条項１６または条項１７に記載の装置。１９．照明線は、ペリクルと交差する照明面から形成される、条項１８に記載の装置。
２０．ペリクルに対して少なくとも４５°の入射角でペリクルを照明するように構成される、条項１６～１９のいずれかに記載の装置。
２１．センサは、ペリクルからの鏡面反射のパス内に入らないように方向付けられる、条項１６～２０のいずれかに記載の装置。
２２.センサは、照明面に垂直に方向づけられる、条項２１に記載の装置。
２３．パターニングデバイスの少なくとも一部に陰を付ける一方、放射をペリクル上に入射させるように構成されたアパーチャを備えたシャドーイング構造を備える、条項１６に記載の装置。
２４．アパーチャは、既定のペリクルエリアがセンサによって見通される一方、シャドーイング構造のシャドーイング効果によりパターニングデバイスパターンの視認性が実質的に減少するような幅を有する、条項２３に記載の装置。
２５．センサは、ペリクルアセンブリのペリクルフレームに関連付けられる、条項１に記載の装置。
２６．センサは、少なくとも部分的にペリクルフレーム内にある、条項２５に記載の装置。
２７．センサは、ペリクルまでの距離を測定するように構成された近接センサである、条項２５または条項２６に記載の装置。
２８．近接センサは、キャップゲージセンサまたは誘導センサである、条項２７に記載の装置。
２９.センサからのデータを無線送信するように構成される、条項２５～２８のいずれかに記載の装置。
３０．センサは、検査面からの信号以外の信号をフィルタ除去するように構成され、検査面はペリクルの位置に対応する、条項１に記載の装置。
３１．センサは明視野カメラであり、明視野カメラは、検査面の深度からの放射強度情報のみを出力するように構成される、条項３０に記載の装置。
３２．明視野カメラは、検査面に対応しないことが分かっている特定の角度範囲内の放射強度情報をフィルタ除去するように構成される、条項３１に記載の装置。
３３．検査面に対応する信号に対して粒子検出アルゴリズムを動作させるように構成される、条項３０～３２のいずれかに記載の装置。
３４．検査面は、最大ペリクル変位の範囲に対応する、条項３０～３３のいずれかに記載の装置。
３５．ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射でペリクルを照明するように構成された放射源をさらに備え、センサは、ペリクルに関連する放射を測定するように構成される、条項１に記載の装置。
３６．ペリクルを通る放射の透過率は、１０％以下、１％以下、または０．１％以下である、条項３５に記載の装置。
３７．ペリクルは、多結晶ペリクルであり、放射の波長は、１８０ｎｍ～３８０ｎｍ、３５６ｎｍ～３６５ｎｍ、３５６ｎｍ～３７０ｎｍ、３５６ｎｍ～３７５ｎｍ、３６１ｎｍ～３６５ｎｍ、３６１ｎｍ～３７０ｎｍ、３６１ｎｍ～３７５ｎｍ、または、３６４ｎｍ～３６６ｎｍの範囲である、条項３５または条項３６に記載の装置。
３８．放射の波長は３６５ｎｍである、条項３７に記載の装置。
３９．放射がペリクルに入射する時に平行化または発散されるように構成される、条項３５～３８のいずれかに記載の装置。
４０．ペリクルは、ペリクルの幅の一部、全幅、または全エリアにわたって一度に照明されるように構成される、条項３９に記載の装置。
４１．複数の放射源を備える、条項３９または条項４０に記載の装置。
４２．ペリクルは、ケイ素製またはＭｏＳｉ製である、条項３５～４１のいずれかに記載の装置。
４３．センサは、放射源および／またはパターニングデバイス背面検査ツールを備える、条項３５～４２のいずれかに記載の装置。
４４．センサは、ペリクルがリソグラフィ装置内の放射ビーム露光位置にある時に、ペリクルに関連する特性を測定するように構成される、条項１～４３のいずれかに記載の装置。
４５．センサは、露光放射ビームが放射ビーム露光位置にあるペリクルに入射する時に、ペリクルに関連する特性を測定するように構成される、条項４４に記載の装置。
４６．露光放射ビームからの放射をフィルタ除去するように構成されたフィルタを備える、条項４４または条項４５に記載の装置。
４７．ペリクルに関連する状態に基づいて、露光放射ビームを停止するように、かつ／または露光放射ビームのさらなるパルスを防止するように構成される、条項４４～４６のいずれかに記載の装置。
４８．ペリクルに関連する状態は、ペリクルの耐用期間、ペリクルの完全性、ペリクル内の欠陥、ペリクルの局所的な透過の変化、ペリクル上に位置する粒子、ペリクル上の汚れ、ペリクルの変形、ペリクルの差し迫った破損、ペリクルの破損、および／または、ペリクルの存在から選択される１つ以上である、条項１～４７のいずれかに記載の装置。
４９．センサは、ペリクルの直接見通し線内に存在しない、条項１～４８のいずれかに記載の装置。
５０．条項１～４９のいずれかに記載の装置とリソグラフィ装置とを備えるアセンブリであって、リソグラフィ装置は、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポート構造と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、を備える、アセンブリ。
５１．リソグラフィ装置において使用するためのペリクルに関連する状態を決定する方法であって、センサを使用してペリクルに関連する特性を測定することを含み、特性は、ペリクルの状態を示す、方法。
５２．ペリクルに関連する特性は、ペリクルの温度プロファイル、および／またはペリクル上の粒子の温度プロフィルである、条項５１に記載の方法。
５３．測定することは、センサを使用して、ペリクルに関連する赤外放射（ＩＲ）を測定することを含む、条項５２に記載の方法。
５４．粒子から受ける赤外放射とペリクルから受ける赤外放射との間のコントラストを識別することにより、ペリクル上の粒子を識別することをさらに含む、条項５３に記載の方法。
５５．ペリクルおよび／またはペリクルとパターニングデバイスとの対に対する最大許容パワーを決定することをさらに含む、条項５１～５４のいずれかに記載の方法。
５６．センサがペリクルキャリア内に一体化されている場合に、ペリクルに関連する特性を測定することをさらに含む、条項５１に記載の方法。
５７．静電容量センサを使用して、ペリクルの静電容量を測定することをさらに含む、条項５１または条項５６に記載の方法。
５８．既定のペリクルエリアにわたり、ペリクルを放射で連続的に照明することと、ペリクルから反射される放射をセンサで測定することとをさらに含む、条項５１に記載の方法。
５９．既定のペリクルエリアを放射で連続的に照明することをさらに含む、条項５８に記載の方法。
６０．ペリクルと交差する時に照明線を形成する照明面を使用して、既定のペリクルエリアを照明することをさらに含む、条項５８または条項５９に記載の方法。
６１．ペリクルに対して少なくとも４５°の入射角でペリクルを照明することをさらに含む、条項５８～４０のいずれかに記載の方法。
６２．センサを照明面に対して垂直に方向付けることをさらに含む、条項５８～６１のいずれかに記載の方法。
６３．ペリクルを照明することと、既定のペリクルエリアをセンサによって見通す一方、アパーチャを備えたシャドーイング構造のシャドーイング効果により、パターニングデバイスからのパターニングデバイスパターンの視認性を実質的に減少させることと、をさらに含む、条項５１に記載の方法。
６４．センサは、ペリクルアセンブリのペリクルフレームに関連付けられる、条項５１に記載の方法。
６５．近接センサを使用してペリクルまでの距離を測定することをさらに含む、条項６４に記載の方法。
６６．センサからデータを無線送信することをさらに含む、条項６４または条項６５に記載の方法。
６７．検査面からの信号以外の信号をフィルタ除去することをさらに含み、検査面はペリクルの位置に対応する、条項５１に記載の方法。
６８．センサは明視野カメラであり、方法は、検査面の深度からの放射強度情報のみを出力することをさらに含む、条項６７に記載の方法。
６９．検査面に対応する信号に対して粒子検出アルゴリズムを動作させることをさらに含条項６７または条項６８に記載の方法。
７０．ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射でペリクルを照明することと、センサを使用してペリクルに関連する放射を測定することとをさらに含む、条項５１に記載の方法。
７１．ペリクルを通る放射の透過率は、１０％以下、１％以下、または０．１％以下である、条項７０に記載の方法。
７２．ペリクルは多結晶ペリクルであり、放射の波長は、１８０ｎｍ～３８０ｎｍ、３５６ｎｍ～３６５ｎｍ、３５６ｎｍ～３７０ｎｍ、３５６ｎｍ～３７５ｎｍ、３６１ｎｍ～３６５ｎｍ、３６１ｎｍ～３７０ｎｍ、または、３６１ｎｍ～３７５ｎｍの範囲である、条項７０または７１に記載の方法。
７３．放射の波長は３６５ｎｍである、条項７２に記載の方法。
７４．ペリクルに入射する時に平行化または発散される放射によってペリクルを照明することをさらに含む、条項７０～７３のいずれかに記載の方法。
７５．ペリクルの幅の一部、全幅、または全エリアにわたって、ペリクルを一度に照明することをさらに含む、条項７４に記載の方法。
７６．複数の放射源からペリクルを照明することをさらに含む、条項７４または条項７５に記載の方法。
７７．ペリクルは、ケイ素製またはＭｏＳｉ製である、条項７０～７６のいずれかに記載の方法。
７８．センサを使用して、ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射でペリクルを照明することをさらに含む、条項７０～７７のいずれかに記載の方法。
７９．測定することは、ペリクルがリソグラフィ装置内の放射ビーム露光位置にある時に、ペリクルに関連する特性を測定することを含む、条項５１～７８のいずれかに記載の方法。
８０．露光放射ビームが放射ビーム露光位置にあるペリクルに入射する時に、ペリクルに関連する特性を測定することをさらに含む、条項７９に記載の方法。
８１．ペリクルに関連する状態に基づいて、露光放射ビームを停止すること、および／または露光放射ビームのさらなるパルスを防止することをさらに含む、条項７９または８０に記載の方法。
８２．ペリクルに関連する状態は、ペリクルの耐用期間、ペリクルの完全性、ペリクル内の欠陥、ペリクルの透過の変化、ペリクル上に位置する粒子、ペリクル上の汚れ、ペリクルの変形、ペリクルの差し迫った破損、ペリクルの破損、および／または、ペリクルの存在から選択される１つ以上である、条項５１～８０のいずれかに記載の方法。
８３．コンピュータに条項５１～８２のいずれかに記載の方法を実行させるように構成されたコンピュータ可読命令を含むコンピュータプログラム。
８４．条項８３に記載のコンピュータプログラムを有するコンピュータ可読媒体。
８５．ペリクルに関連する状態を決定するように構成されたコンピュータ装置であって、
プロセッサ可読命令を記憶するメモリと、
メモリ内に記憶された命令を読取りおよび実行するように構成されたプロセッサと、を備え、
プロセッサ可読命令は、コンピュータを制御して条項５１～８２のいずれかに記載の方法を実行させるように構成された命令を含む、
コンピュータ装置。

Claims (15)

1. リソグラフィ装置において使用するためのペリクルに関連する状態を決定するための装置であって、センサを備え、前記センサは、前記ペリクルに関連する特性を測定するように構成され、前記特性は、前記ペリクルの状態を示し、前記ペリクルに関する前記特性は、前記ペリクルの温度もしくは温度プロファイル、および／または前記ペリクル上の粒子の温度もしくは温度プロフィルである、装置。
2. 前記ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射で前記ペリクルを照明するように構成された放射源をさらに備え、前記センサは、前記ペリクルに関連する前記放射を測定するように構成される、請求項１に記載の装置。
3. 前記ペリクルを通る前記放射の透過率は、１０％以下、１％以下、または０．１％以下である、請求項２に記載の装置。
4. 前記ペリクルは、多結晶ペリクルであり、前記放射の前記波長は、１８０ｎｍ～３８０ｎｍ、３５６ｎｍ～３６５ｎｍ、３５６ｎｍ～３７０ｎｍ、３５６ｎｍ～３７５ｎｍ、３６１ｎｍ～３６５ｎｍ、３６１ｎｍ～３７０ｎｍ、３６１ｎｍ～３７５ｎｍ、または、３６４ｎｍ～３６６ｎｍの範囲である、請求項２または３に記載の装置。
5. 前記放射が前記ペリクルに入射する時に平行化または発散されるように構成される、請求項２～４のいずれかに記載の装置。
6. 前記ペリクルが、前記ペリクルの幅の一部、全幅、または全エリアにわたって一度に照明されるように構成される、請求項５に記載の装置。
7. 複数の放射源をさらに備える、請求項５または６に記載の装置。
8. 前記ペリクルは、ケイ素製またはＭｏＳｉ製である、請求項２～７のいずれかに記載の装置
9. センサは、ペリクルに関連する赤外放射（ＩＲ）を測定するように構成される、請求項１に記載の装置。
10. 前記センサは、前記ペリクルが前記リソグラフィ装置内の放射ビーム露光位置にある時に、前記ペリクルに関する前記特性を測定するように構成される、請求項１～９のいずれかに記載の装置。
11. 前記ペリクルに関する前記状態は、前記ペリクルの耐用期間、前記ペリクルの完全性、前記ペリクル内の欠陥、前記ペリクルの局所的な透過の変化、前記ペリクル上に位置する粒子、前記ペリクル上の汚れ、前記ペリクルの変形、前記ペリクルの差し迫った破損、前記ペリクルの破損、および／または、前記ペリクルの存在から選択される１つ以上である、請求項１～１０のいずれかに記載の装置
12. 請求項１～１１のいずれかに記載の装置とリソグラフィ装置とを備えるアセンブリであって、前記リソグラフィ装置は、
    放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポート構造と、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板上に投影するように構成された投影システムと、を備える、
    アセンブリ。
13. リソグラフィ装置において使用するためのペリクルに関連する状態を決定する方法であって、センサを使用して前記ペリクルに関連する特性を測定することを含み、前記特性は、前記ペリクルの状態を示し、前記ペリクルに関する前記特性は、前記ペリクルの温度もしくは温度プロファイル、および／または前記ペリクル上の粒子の温度もしくは温度プロフィルである、方法。
14. 前記ペリクルを照明することと、既定のペリクルエリアをセンサによって見通す一方、アパーチャを備えたシャドーイング構造のシャドーイング効果により、パターニングデバイスからのパターニングデバイスパターンの視認性を実質的に減少させることと、をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記ペリクルに実質的に透過されない波長を有する放射で前記ペリクルを照明することと、前記センサを使用して前記ペリクルに関連する前記放射を測定することと、をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
    
    

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