JPS63228624A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPS63228624A JPS63228624A JP62062067A JP6206787A JPS63228624A JP S63228624 A JPS63228624 A JP S63228624A JP 62062067 A JP62062067 A JP 62062067A JP 6206787 A JP6206787 A JP 6206787A JP S63228624 A JPS63228624 A JP S63228624A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微小な凹凸段差を有するパターンが形成された
基板、特に半導体製造時のフォトリソグラフィ工程に使
用されるフォトマスク、又はレティクルや半導体ウェハ
等を洗浄する方法に関する。
基板、特に半導体製造時のフォトリソグラフィ工程に使
用されるフォトマスク、又はレティクルや半導体ウェハ
等を洗浄する方法に関する。
（発明の背景）
フォトマスク等のガラス基板の洗浄方法として、例えば
超音波洗浄槽を用いたものはフォトマスクの清浄化に対
しては非常に効果があるが、溶液（洗浄材）の管理が不
完全であると水シミが発生することがあった。水シミは
フォトリソグラフィ工程において投影パターンを散乱さ
せ、ウニへの正確な転写を妨げるために、半導体製品の
良品率を下げる原因となる。ここで言う水シミとは大気
中または溶液中の微小な塵埃（通常０．１〜１０μｍ）
の集合体である。この水シミは厚みが小さいため、通常
洗浄後の洗浄度を見るために用いる斜光照明下での目視
検査やレーザー光を用いた自動異物検査装置では十分な
散乱光を発しない。そのため、これらの従来の洗浄方法
では水シミの有無を検査することが大変困難であった。
超音波洗浄槽を用いたものはフォトマスクの清浄化に対
しては非常に効果があるが、溶液（洗浄材）の管理が不
完全であると水シミが発生することがあった。水シミは
フォトリソグラフィ工程において投影パターンを散乱さ
せ、ウニへの正確な転写を妨げるために、半導体製品の
良品率を下げる原因となる。ここで言う水シミとは大気
中または溶液中の微小な塵埃（通常０．１〜１０μｍ）
の集合体である。この水シミは厚みが小さいため、通常
洗浄後の洗浄度を見るために用いる斜光照明下での目視
検査やレーザー光を用いた自動異物検査装置では十分な
散乱光を発しない。そのため、これらの従来の洗浄方法
では水シミの有無を検査することが大変困難であった。
一方スクラブ材による洗浄方法は、例えば特開昭６０４
０３３４９に開示されているような方法で洗浄を行うと
、水シミを残すことなく洗浄を行えるので、フォトマス
クの洗浄に威力を発揮する。しかし、その他の洗浄残留
物、特にスクラブ材の断片が残ることが考えられる。さ
きの特開昭６０−１０３３４９などの従来技術において
は、この洗浄残留物の検出を容易にする方法は開示され
ていない。
０３３４９に開示されているような方法で洗浄を行うと
、水シミを残すことなく洗浄を行えるので、フォトマス
クの洗浄に威力を発揮する。しかし、その他の洗浄残留
物、特にスクラブ材の断片が残ることが考えられる。さ
きの特開昭６０−１０３３４９などの従来技術において
は、この洗浄残留物の検出を容易にする方法は開示され
ていない。
また、先の特開昭６０−１１０１９４に開示されている
ような異物検査装置を具備した基板の洗浄装置において
は、より有効な洗浄方法を開示していなかった。
ような異物検査装置を具備した基板の洗浄装置において
は、より有効な洗浄方法を開示していなかった。
（発明の目的）
本発明はこれらの欠点を解決し、洗浄を行った後に洗浄
残留物が発生する場合においても、少なくとも洗浄前に
付着していた汚物をよりよく除去し、残った洗浄残留物
に関しては、容易に発見し除去できるよう、散乱光もし
くはケイ光を発する＠！Ｊ質が残留する様な洗浄方法を
確立することを目的とする。
残留物が発生する場合においても、少なくとも洗浄前に
付着していた汚物をよりよく除去し、残った洗浄残留物
に関しては、容易に発見し除去できるよう、散乱光もし
くはケイ光を発する＠！Ｊ質が残留する様な洗浄方法を
確立することを目的とする。
（発明の概要）
本発明は、少なくとも散乱光をより多く発生する性質、
又はケイ光を発生する性質のいづれかを有する物質を洗
浄残留物として残すことを技術的要点とする。さらに詳
しくは、先の性質を有する物質を用いて洗浄を行うこと
を技術的要点としている。
又はケイ光を発生する性質のいづれかを有する物質を洗
浄残留物として残すことを技術的要点とする。さらに詳
しくは、先の性質を有する物質を用いて洗浄を行うこと
を技術的要点としている。
（実施例）
第１図は本発明の実施例であるフォトマスク自動洗浄装
置の全体を示す概略図である。
置の全体を示す概略図である。
レティクルやマスク等の透明基板５は収納部１に収納さ
れ、収納部１から最も離れた位置に、本発明の方法が適
用されるブラシ洗浄槽２が配置され、その隣の収納部１
にはさまれた位置にはアルコールを用いて透明基板５を
洗うリンス槽３が配置され、さらに、リンス槽３と収納
部１にはさまれた位置にはフレオン蒸気を用いてガラス
基板５を乾燥する蒸気乾燥槽４が配置されている。この
収納部１、ブラシ洗浄槽２、リンス槽３、及び蒸気乾燥
槽４（以下単に蒸気槽４と呼ぶ）は透明基板５の直線的
な搬送経路６に沿って配列される。
れ、収納部１から最も離れた位置に、本発明の方法が適
用されるブラシ洗浄槽２が配置され、その隣の収納部１
にはさまれた位置にはアルコールを用いて透明基板５を
洗うリンス槽３が配置され、さらに、リンス槽３と収納
部１にはさまれた位置にはフレオン蒸気を用いてガラス
基板５を乾燥する蒸気乾燥槽４が配置されている。この
収納部１、ブラシ洗浄槽２、リンス槽３、及び蒸気乾燥
槽４（以下単に蒸気槽４と呼ぶ）は透明基板５の直線的
な搬送経路６に沿って配列される。
収納部１に収納された洗浄すべき透明基板５は、縦に保
持された状態で経路６に従って、蒸気槽４、リンス槽３
を飛び越して、ブラシ洗浄槽２の上方に位置決めされる
。ブラシ洗浄槽２の内部には、上から順番に、ガラス基
板５に純水を噴射する純水噴出部（水洗手段）７と、ア
ンモニア水溶液等の洗浄液を噴出する洗浄液噴射部（洗
浄液塗布手段）８と、ガラス基板５の表面を擦るように
回転するブラシ（スクラブ材）１１とが、各々飛散防止
板９．１０によって区画して配置されている。
持された状態で経路６に従って、蒸気槽４、リンス槽３
を飛び越して、ブラシ洗浄槽２の上方に位置決めされる
。ブラシ洗浄槽２の内部には、上から順番に、ガラス基
板５に純水を噴射する純水噴出部（水洗手段）７と、ア
ンモニア水溶液等の洗浄液を噴出する洗浄液噴射部（洗
浄液塗布手段）８と、ガラス基板５の表面を擦るように
回転するブラシ（スクラブ材）１１とが、各々飛散防止
板９．１０によって区画して配置されている。
またブラシ洗浄槽２の底部１２は錐体状になっており、
廃液の回収効率を高めている。
廃液の回収効率を高めている。
リンス槽３の内部には、純水をイソプロピルアルコール
液（以下、ＩＰＡとする）等に置換するために、そのＩ
ＰＡを噴出するＩＰＡ噴出部１３が設けられ、ガラス基
板５の両面をＩＰＡでリンスする。また、このリンス槽
３の底部１４も錐体状に形成され、廃液の回収効率を高
めである。蒸気槽４の底部にはフレオン液１６が供給ラ
イン１８から所要量ずつ供給され、ヒーター１９によっ
て加熱される。これによってフレオン蒸気が槽４内に満
たされ、ガラス基板５の蒸気乾燥が行われる。
液（以下、ＩＰＡとする）等に置換するために、そのＩ
ＰＡを噴出するＩＰＡ噴出部１３が設けられ、ガラス基
板５の両面をＩＰＡでリンスする。また、このリンス槽
３の底部１４も錐体状に形成され、廃液の回収効率を高
めである。蒸気槽４の底部にはフレオン液１６が供給ラ
イン１８から所要量ずつ供給され、ヒーター１９によっ
て加熱される。これによってフレオン蒸気が槽４内に満
たされ、ガラス基板５の蒸気乾燥が行われる。
ガラス基板５によって凝縮して滴下するフレオン液は、
純度が低（、汚れているので、フレオン液１６と混じる
ことのないように受皿１７ａで受けて回収ライン１７ｂ
を介して回収される。尚、蒸気槽４の上方部周辺には冷
却管１５が設けられ、フレオン蒸気が槽外に流出するの
を防ぐ。
純度が低（、汚れているので、フレオン液１６と混じる
ことのないように受皿１７ａで受けて回収ライン１７ｂ
を介して回収される。尚、蒸気槽４の上方部周辺には冷
却管１５が設けられ、フレオン蒸気が槽外に流出するの
を防ぐ。
以上の様なブラシを用いた洗浄方法によると、ガラス基
板に残る洗浄残留物としては、ブラシ片が主なものであ
る。ゆえに、このブラシ片がより大きい状態あるいは高
い状態で残る可能性を高くすることが、より好適な洗浄
方法となる。このため、ブラシに用いる材料としては、
ブラシ片となったとき入射光に対してより散乱光を発生
する物質、及び紫外光を入射した場合、ケイ光を強く発
する物質がよい。本出願人の行った実験によれば、この
ブラシ材としては、例えばナイロン材が良いことが判っ
ている。それ以外の物質に関しては、光学的に透明かあ
るいは半透明な有機物で、破断形状が球形または角形に
なりやすい物が好適であり、又その屈折率はｎ−１，１
から３．０の物が好適である。
板に残る洗浄残留物としては、ブラシ片が主なものであ
る。ゆえに、このブラシ片がより大きい状態あるいは高
い状態で残る可能性を高くすることが、より好適な洗浄
方法となる。このため、ブラシに用いる材料としては、
ブラシ片となったとき入射光に対してより散乱光を発生
する物質、及び紫外光を入射した場合、ケイ光を強く発
する物質がよい。本出願人の行った実験によれば、この
ブラシ材としては、例えばナイロン材が良いことが判っ
ている。それ以外の物質に関しては、光学的に透明かあ
るいは半透明な有機物で、破断形状が球形または角形に
なりやすい物が好適であり、又その屈折率はｎ−１，１
から３．０の物が好適である。
尚、以上の洗浄方法でブラシ洗浄を行う他、純水、イソ
プロピルアルコール、フレオン等の純度を十分高め、塵
埃等が混じらないようにすることはいうまでもない。
プロピルアルコール、フレオン等の純度を十分高め、塵
埃等が混じらないようにすることはいうまでもない。
更に、ナイロン等は、フォトマスク基板として用いるガ
ラスやクロムに対して不活性で、融食することがないの
で、再洗浄により容易に除去できる。
ラスやクロムに対して不活性で、融食することがないの
で、再洗浄により容易に除去できる。
また、洗浄残留物がブラシ片だけではなく、例えば洗浄
液が水シミとなり残る場合も考慮せねばならない、この
場合、洗浄剤中にケイ光を発する物質を予め混入してお
くか、または、洗浄と同時に噴出させることも効果があ
る。この場合、紫外線を洗浄後に照射することにより、
容易に水シミ部分を検知できる。この場合のケイ先刻と
しては、例えば漂白剤などがある。
液が水シミとなり残る場合も考慮せねばならない、この
場合、洗浄剤中にケイ光を発する物質を予め混入してお
くか、または、洗浄と同時に噴出させることも効果があ
る。この場合、紫外線を洗浄後に照射することにより、
容易に水シミ部分を検知できる。この場合のケイ先刻と
しては、例えば漂白剤などがある。
第２図は、以上の様な方法による洗浄の後に、時として
残っている洗浄残留物、例えばブラシ片、ケイ光を発し
易い水シミを、効果的に検出する装置である。以下、ブ
ラシ片の検出に関して説明を行うが、水シミの検出に関
しても同様にして検出を行うことができる。
残っている洗浄残留物、例えばブラシ片、ケイ光を発し
易い水シミを、効果的に検出する装置である。以下、ブ
ラシ片の検出に関して説明を行うが、水シミの検出に関
しても同様にして検出を行うことができる。
ここで、平行光とした紫外線２３が集光レンズ２４を透
過後、透明基板５に入射する。ブラシ片２１゜２２が例
えばナイロン材である場合、ブラシ片はケイ光を発する
。そのケイ光のうち光遮光部のある面に発するケイ光２
８を集光レンズ２９を通して光電変換素子３０に入射し
てケイ光量に応じた電気信号を得る。
過後、透明基板５に入射する。ブラシ片２１゜２２が例
えばナイロン材である場合、ブラシ片はケイ光を発する
。そのケイ光のうち光遮光部のある面に発するケイ光２
８を集光レンズ２９を通して光電変換素子３０に入射し
てケイ光量に応じた電気信号を得る。
一方、他方の面には、ブラシ片２２のケイ光２５シか発
射されない、そしてそのケイ光２５は集光レンズ２６を
通して光電変換素子２７に入射してケイ光に応じた電気
信号を得る。また、各光電変換素子２７゜３０に入る光
のうち、紫外線の波長の光を遮断するフィルター３１．
３２が入っていて、光電変換された電気信号は、ケイ光
からのもののみとなる。
射されない、そしてそのケイ光２５は集光レンズ２６を
通して光電変換素子２７に入射してケイ光に応じた電気
信号を得る。また、各光電変換素子２７゜３０に入る光
のうち、紫外線の波長の光を遮断するフィルター３１．
３２が入っていて、光電変換された電気信号は、ケイ光
からのもののみとなる。
以上の如き装置であれば、クロムパターンのエツジ等の
散乱光及び装置の壁面からの反射光（いわゆる迷光）を
受光して誤動作することがな（、ブラシ片、水シミによ
る光電信号のみを検出することができ、更にそのブラシ
片が光遮断部２０上のブラシ片２１であるか、或いは光
透過部上のブラシ片２２であるかも、光電信号Ａ、Ｂの
出力により判別することができる。つまり、光電信号が
Ａ。
散乱光及び装置の壁面からの反射光（いわゆる迷光）を
受光して誤動作することがな（、ブラシ片、水シミによ
る光電信号のみを検出することができ、更にそのブラシ
片が光遮断部２０上のブラシ片２１であるか、或いは光
透過部上のブラシ片２２であるかも、光電信号Ａ、Ｂの
出力により判別することができる。つまり、光電信号が
Ａ。
Ｂ両方に発する場合には、光透過部上のブラシ片２２で
あると判定し、光電信号がＡのみに発する場合には、光
遮断部上のブラシ片２１であると判定する。
あると判定し、光電信号がＡのみに発する場合には、光
遮断部上のブラシ片２１であると判定する。
更に、ガラス基板５を不図示の２次元移動ステージに載
置して、Ｘ−Ｙ平面上で移動可能にすると、ガラス基板
５の全面に渡ってブラシ片の検出が可能になる。
置して、Ｘ−Ｙ平面上で移動可能にすると、ガラス基板
５の全面に渡ってブラシ片の検出が可能になる。
尚、基板上で発するケイ光はブラシ片の発するケイ光は
だけではなく、他の異物からも発生するが、本実施例に
よれば両者を同時に検出することができるだけではなく
、ガラス基キ反５あるいは他の平面基板上に、例えばフ
ォトリソグラフィ工程で用いられるフォトレジストが一
様に存在していても、フォトレジストから発生するケイ
光の波長をフィルタ３１．３２で効果的に除去できるの
で、容易にブラシ片や異物検出が行える。また、ガラス
基板５を２次元移動ステージによって移動しなくとも、
紫外線２３を走査することによって、ガラス基板全面の
ブラシ片の検出が可能になる。
だけではなく、他の異物からも発生するが、本実施例に
よれば両者を同時に検出することができるだけではなく
、ガラス基キ反５あるいは他の平面基板上に、例えばフ
ォトリソグラフィ工程で用いられるフォトレジストが一
様に存在していても、フォトレジストから発生するケイ
光の波長をフィルタ３１．３２で効果的に除去できるの
で、容易にブラシ片や異物検出が行える。また、ガラス
基板５を２次元移動ステージによって移動しなくとも、
紫外線２３を走査することによって、ガラス基板全面の
ブラシ片の検出が可能になる。
以上のような装置を第１図に示した洗浄方法に組み込め
ば、洗浄残留物を自動的に検出する機能を有する洗浄装
置を構成することができる。尚、特開＠６０−１１０１
９４に開示されているような異物からの散乱光を検出す
る異物検査装置においても、ブラシ片はより強い散乱光
を発するので、検出能力が上がり、本実施例と同様、よ
り効果的な洗浄方法を提供することができるのは言うま
でもない。
ば、洗浄残留物を自動的に検出する機能を有する洗浄装
置を構成することができる。尚、特開＠６０−１１０１
９４に開示されているような異物からの散乱光を検出す
る異物検査装置においても、ブラシ片はより強い散乱光
を発するので、検出能力が上がり、本実施例と同様、よ
り効果的な洗浄方法を提供することができるのは言うま
でもない。
（発明の効果）
以上のように本発明に依れば、洗浄残留物が存在した場
合でも、洗浄度をチェックすることが容易であるのみな
らず、再洗浄時に、洗浄残留物が容易に除去できる利点
がある。
合でも、洗浄度をチェックすることが容易であるのみな
らず、再洗浄時に、洗浄残留物が容易に除去できる利点
がある。
更に、本発明の異物検査装置を洗浄残留物検出時に用い
れば、パターンエツジ又は迷光等の影響を受けることな
く、有効に洗浄残留物を検出することができるので、よ
り効果的な異物検査機能を有する洗浄装置を提供できる
。
れば、パターンエツジ又は迷光等の影響を受けることな
く、有効に洗浄残留物を検出することができるので、よ
り効果的な異物検査機能を有する洗浄装置を提供できる
。
第１図は本発明による、好適な洗浄方法の実施例の全体
概略図 第２図は本発明の方法による特長を活用した洗浄残留物
検出装置の構成図 （主要部分の符号の説明） １・・・被洗浄物収納部 ２・・・ブラシ洗浄槽 ３・・・リンス槽 ４・・・蒸気乾燥槽 ５・・・被洗浄物 ６・・・搬送経路 ７・・・水洗手段 ８・・・洗浄液噴射部 １１・・・スクラブ材 １９・・・ヒーター ２１、２２・・・ブラシ片
概略図 第２図は本発明の方法による特長を活用した洗浄残留物
検出装置の構成図 （主要部分の符号の説明） １・・・被洗浄物収納部 ２・・・ブラシ洗浄槽 ３・・・リンス槽 ４・・・蒸気乾燥槽 ５・・・被洗浄物 ６・・・搬送経路 ７・・・水洗手段 ８・・・洗浄液噴射部 １１・・・スクラブ材 １９・・・ヒーター ２１、２２・・・ブラシ片
Claims (3)
- （１）半導体素材もしくは半導体原版の表面を洗浄する
洗浄行程と該洗浄行程後に前記被洗浄物の表面の洗浄度
を検査するために光を照射する検査行程とを有する洗浄
装置に於いて行われる洗浄方法であって、 前記洗浄行程は、少なくとも散乱光をより多く発生する
性質、又はケイ光を発生する性質のいづれかを有する物
質を用いて洗浄を行う行程を含む事を特徴とする洗浄方
法。 - （２）前記洗浄方法は洗浄剤としてケイ光を発する物質
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
洗浄方法。 - （３）前記洗浄方法は被洗浄物の表面をスクラブ材で摩
擦するブラシ洗浄方法であり、前記洗浄残留物が主とし
て前記スクラブ材の破片であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062067A JPH0812850B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062067A JPH0812850B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228624A true JPS63228624A (ja) | 1988-09-22 |
| JPH0812850B2 JPH0812850B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=13189385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062067A Expired - Fee Related JPH0812850B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812850B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003164A1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-01-11 | Lam Research Corporation | Method for validating pre-process adjustments to a wafer cleaning system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673165A (en) * | 1979-10-26 | 1981-06-17 | Unilever Nv | Fabric washing method and detergent composition |
| JPS56136900A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-26 | Unilever Nv | Bleaching detergent composition |
| JPS59195646A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | 半導体素子製造用マスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPS59195645A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | 露光マスク洗浄装置 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62062067A patent/JPH0812850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673165A (en) * | 1979-10-26 | 1981-06-17 | Unilever Nv | Fabric washing method and detergent composition |
| JPS56136900A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-26 | Unilever Nv | Bleaching detergent composition |
| JPS59195646A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | 半導体素子製造用マスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPS59195645A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Nec Corp | 露光マスク洗浄装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003164A1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-01-11 | Lam Research Corporation | Method for validating pre-process adjustments to a wafer cleaning system |
| US6368416B1 (en) | 1999-07-01 | 2002-04-09 | Lam Research Corporation | Method for validating pre-process adjustments to a wafer cleaning system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812850B2 (ja) | 1996-02-07 |
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