JPS59195652A - 光露光用マスクの洗浄方法 - Google Patents
光露光用マスクの洗浄方法Info
- Publication number
- JPS59195652A JPS59195652A JP58070501A JP7050183A JPS59195652A JP S59195652 A JPS59195652 A JP S59195652A JP 58070501 A JP58070501 A JP 58070501A JP 7050183 A JP7050183 A JP 7050183A JP S59195652 A JPS59195652 A JP S59195652A
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- JP
- Japan
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- mask
- vessel
- washed
- cleaning
- back surfaces
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ 等の半導体素子製
造に用いる光露光用マスクの洗浄方法に係るものである
。
造に用いる光露光用マスクの洗浄方法に係るものである
。
半導体素子製造工程に於て経済性を最も大きく支配して
いるものは光露光工程であり、従来光露光用マスクさの
欠陥発生および光露光工程での半導体基板からマスクへ
の異物付着が検討されている０殊に、密着式露光方式か
ら投影式露光方式や縮小投影露光方式への露光技術の変
更は、半導体基板からマスクへの異物転写が無くなり顕
著に製造７ストを減少した。しかし乍ら、光霧光方式は
遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マスクの透明
基板の一生表面上に形成されている遮光用の所要パター
ンの導電層もしくは半導体層への静電荷蓄積圧より、マ
スクの使用前後に浮遊塵埃が表裏面に吸着される。この
吸着された塵埃は、従来のマスク洗浄機において、中性
洗剤、純水、ジェットスクラブ等で片面もしくは両面（
表裏面）を洗浄しているが、従来装置では転写パターン
チップの５チ未満に塵埃が出ないことを保証することも
不可能であった。更に、縮小投影露光方式では、３μ以
上の欠陥を“Ｏｌとし、且つ洗浄液の乾燥時のシミ、ヨ
ゴレ等を発生することのないしチクル・マスク洗浄機が
要望されて居シ、この種の要望に応じ、且つ作業性の良
好なマスク洗浄技術は未知であった。
いるものは光露光工程であり、従来光露光用マスクさの
欠陥発生および光露光工程での半導体基板からマスクへ
の異物付着が検討されている０殊に、密着式露光方式か
ら投影式露光方式や縮小投影露光方式への露光技術の変
更は、半導体基板からマスクへの異物転写が無くなり顕
著に製造７ストを減少した。しかし乍ら、光霧光方式は
遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マスクの透明
基板の一生表面上に形成されている遮光用の所要パター
ンの導電層もしくは半導体層への静電荷蓄積圧より、マ
スクの使用前後に浮遊塵埃が表裏面に吸着される。この
吸着された塵埃は、従来のマスク洗浄機において、中性
洗剤、純水、ジェットスクラブ等で片面もしくは両面（
表裏面）を洗浄しているが、従来装置では転写パターン
チップの５チ未満に塵埃が出ないことを保証することも
不可能であった。更に、縮小投影露光方式では、３μ以
上の欠陥を“Ｏｌとし、且つ洗浄液の乾燥時のシミ、ヨ
ゴレ等を発生することのないしチクル・マスク洗浄機が
要望されて居シ、この種の要望に応じ、且つ作業性の良
好なマスク洗浄技術は未知であった。
この発明の目的は、作業性に優れ且つマスクの表裏面に
吸着している塵埃等を確実に除去するマスク洗浄方法を
提供することにある。
吸着している塵埃等を確実に除去するマスク洗浄方法を
提供することにある。
この発明の他の目的は、縮小投影線光装置に用いるレチ
クル・マスクの３μ以上の付着物を完全に除去できるレ
チクル・マスク洗浄方法を提供することにある。
クル・マスクの３μ以上の付着物を完全に除去できるレ
チクル・マスク洗浄方法を提供することにある。
この発明によれば、ガラスもしくは石英吟の透明基板の
一主表面に所要形状のクロム−酸化クロム積層の導電性
もしくはゲルマニウム、酸化鉄等の半導電性の遮光パタ
ーンを備えた半導体素子製造用の光露光マスクの洗浄方
法が実現される。即ち、この発明の光露光マスクは第一
の工程に於て、基板表裏面をアンモニヤ水、燐酸、苛性
ソーダ。
一主表面に所要形状のクロム−酸化クロム積層の導電性
もしくはゲルマニウム、酸化鉄等の半導電性の遮光パタ
ーンを備えた半導体素子製造用の光露光マスクの洗浄方
法が実現される。即ち、この発明の光露光マスクは第一
の工程に於て、基板表裏面をアンモニヤ水、燐酸、苛性
ソーダ。
燐酸ソーダ等の親水性の電解液に浸漬されマスク表裏面
は濡れた状態になる。次にマスクの表裏面にリンス液と
して純水を供給しつつ回転プランでブラシ洗浄する。ブ
ラシで機械的洗浄を経たマスクはアルコール系の有機液
で洗浄され、表面の水溶液が有機液で置換される。この
後マスクはアルコール蒸気またはフレオン蒸気等の有機
ガスで蒸気洗浄と乾燥が成される。
は濡れた状態になる。次にマスクの表裏面にリンス液と
して純水を供給しつつ回転プランでブラシ洗浄する。ブ
ラシで機械的洗浄を経たマスクはアルコール系の有機液
で洗浄され、表面の水溶液が有機液で置換される。この
後マスクはアルコール蒸気またはフレオン蒸気等の有機
ガスで蒸気洗浄と乾燥が成される。
この発明の洗浄方法は、初めにマスクの表裏面に親水性
の電解液を接触することによシ、マスク表裏面を充分に
濡らして静電気作用を除去し、吸着されている塵埃を洗
い流す。次に、この電解液がリンス液で洗い流れる間に
ブラシ洗浄を行い、粘着物、シミ等を機械的に洗浄する
。電解液が親水性である次め、ブラシ洗浄の所要時間に
亘シマスク表裏面に電解液が残存して洗浄効果を保つこ
とができる。アルコール系の有機液はマスク表裏面の水
溶液を有機薬品と置換し、次の蒸気洗浄工程への水溶液
の混入を防止する。有機薬品の蒸気洗浄→乾燥は乾燥速
度が早く且つマスク表裏面への液滴が無いため、汚れ、
シミを発生することなく、清浄な表面乾燥が可能である
。
の電解液を接触することによシ、マスク表裏面を充分に
濡らして静電気作用を除去し、吸着されている塵埃を洗
い流す。次に、この電解液がリンス液で洗い流れる間に
ブラシ洗浄を行い、粘着物、シミ等を機械的に洗浄する
。電解液が親水性である次め、ブラシ洗浄の所要時間に
亘シマスク表裏面に電解液が残存して洗浄効果を保つこ
とができる。アルコール系の有機液はマスク表裏面の水
溶液を有機薬品と置換し、次の蒸気洗浄工程への水溶液
の混入を防止する。有機薬品の蒸気洗浄→乾燥は乾燥速
度が早く且つマスク表裏面への液滴が無いため、汚れ、
シミを発生することなく、清浄な表面乾燥が可能である
。
図はこの発明の一実施例を実現するマスク洗浄装置の模
型図である。この実施例は、透明石英基板の一表面に所
要形状の酸化クロムの遮光用ノ（ターンを被着する半導
体素子製造用マスク１１，１２゜１３．１４を工程順に
洗浄する四つの洗浄槽２０゜３０．４０．５０を有する
。各洗浄槽はそれぞれ被洗浄マスクの表裏面を同時に洗
浄可能であり、このためマスクは端部にて適切な治具に
て保持され各洗浄槽内で上下運動する。
型図である。この実施例は、透明石英基板の一表面に所
要形状の酸化クロムの遮光用ノ（ターンを被着する半導
体素子製造用マスク１１，１２゜１３．１４を工程順に
洗浄する四つの洗浄槽２０゜３０．４０．５０を有する
。各洗浄槽はそれぞれ被洗浄マスクの表裏面を同時に洗
浄可能であり、このためマスクは端部にて適切な治具に
て保持され各洗浄槽内で上下運動する。
第一の洗浄槽２０では、被洗浄マスク１４の表裏面を一
対の０．５重量％のアンモニヤ水のシャワーパイプ２１
、２１’により、同一の電解液槽２２の浸漬前後にク
ヤワー洗浄する。電解液槽２２はアンモニヤ水を洗浄期
間中オー、−＜−７ｏ Ｌ テ表面に浮遊する塵埃を
外部に流出する。マスク１４はこの槽２２から取り出さ
れた後に）くイブ２１゜２１′からのアンモニヤ水の流
動で表裏面ｉ＝洗浄され次工程に送られる。
対の０．５重量％のアンモニヤ水のシャワーパイプ２１
、２１’により、同一の電解液槽２２の浸漬前後にク
ヤワー洗浄する。電解液槽２２はアンモニヤ水を洗浄期
間中オー、−＜−７ｏ Ｌ テ表面に浮遊する塵埃を
外部に流出する。マスク１４はこの槽２２から取り出さ
れた後に）くイブ２１゜２１′からのアンモニヤ水の流
動で表裏面ｉ＝洗浄され次工程に送られる。
第二の洗浄槽３０で、マスク１３は一対のシャワーパイ
プ３１．３１’から噴射される純水または薄い炭酸水で
その表裏面がリンスされなカニら一対の回転ブラシ３２
．３２’でスクラブ洗浄され、この槽３０から次工程の
槽４０に送出される時にノくイブ３１，３１’でクヤワ
ー洗浄される。
プ３１．３１’から噴射される純水または薄い炭酸水で
その表裏面がリンスされなカニら一対の回転ブラシ３２
．３２’でスクラブ洗浄され、この槽３０から次工程の
槽４０に送出される時にノくイブ３１，３１’でクヤワ
ー洗浄される。
第三の槽４０に送られたマスク１２は、一対のシャワー
パイプ４１．４１’の間を通して洗浄され、オーバーフ
ロー型の洗浄槽４２の内部でイソプロピル・アルコール
で洗浄され、パイプ４１．４１’から同一のアルコール
でシャワー洗浄されて次工程の槽５０に送られる。
パイプ４１．４１’の間を通して洗浄され、オーバーフ
ロー型の洗浄槽４２の内部でイソプロピル・アルコール
で洗浄され、パイプ４１．４１’から同一のアルコール
でシャワー洗浄されて次工程の槽５０に送られる。
第四の槽５０に送られたマスク１１け、槽の下部に溜め
られたフレオン溶液５１を液中の加熱器で５０〜６０℃
に加熱し、槽内に７レオンガス雰囲気層を形成し、ここ
でマスクの表裏面をフレオンガスで蒸気洗浄し、この槽
から増υ出すことにより常温で急速に乾燥する。
られたフレオン溶液５１を液中の加熱器で５０〜６０℃
に加熱し、槽内に７レオンガス雰囲気層を形成し、ここ
でマスクの表裏面をフレオンガスで蒸気洗浄し、この槽
から増υ出すことにより常温で急速に乾燥する。
上述の如く、この実施例は第一の工程で洗浄されるマス
クを親水性の電解液に浸して表裏面を充分に濡らし、且
つ表裏面の静電気を除去したのち電解液にて塵埃を流出
する。次に第二の工程にて電解液のリンスとブラシによ
るスクラブ洗浄を同時に行い、粘着物、付着物等を機械
的に除去する。
クを親水性の電解液に浸して表裏面を充分に濡らし、且
つ表裏面の静電気を除去したのち電解液にて塵埃を流出
する。次に第二の工程にて電解液のリンスとブラシによ
るスクラブ洗浄を同時に行い、粘着物、付着物等を機械
的に除去する。
更に第三の工程でアルコール洗浄を行って水溶液を有機
薬品と置換し、フレオンによる蒸気乾燥への水溶液の残
存を防止し、蒸気乾燥時の汚れ、シミの発生を防ぐこと
ができる。又、この実施例によれば、無汚染、無塵埃の
洗浄がきわめて合理的に短時間で実行され１作業性が優
れている。
薬品と置換し、フレオンによる蒸気乾燥への水溶液の残
存を防止し、蒸気乾燥時の汚れ、シミの発生を防ぐこと
ができる。又、この実施例によれば、無汚染、無塵埃の
洗浄がきわめて合理的に短時間で実行され１作業性が優
れている。
図はこの発明の好ましい実施例を説明するだめの模型的
断面図である。 １１．１２，１３，１４・・・・・・マスク、２０，３
０゜４０．５０・・・・・・各工程の洗浄槽、２２・・
・・・・親水性電解液の槽、３１．３１’・・・・・・
リンス用のシャワーパイプ、４２・・・・・・アルコー
ル系の槽。
断面図である。 １１．１２，１３，１４・・・・・・マスク、２０，３
０゜４０．５０・・・・・・各工程の洗浄槽、２２・・
・・・・親水性電解液の槽、３１．３１’・・・・・・
リンス用のシャワーパイプ、４２・・・・・・アルコー
ル系の槽。
Claims (1)
- 透明基板の一生面に所要形状の遮光パターンを有する半
導体素子製造用マスクの洗浄方法において、前記マスク
の表裏面を親水性の電解液にて儒らす第一の工程と、次
に、前記マスクの表裏面にリンス液を供給しつつプラン
洗浄する第二の工程と、前記マスクの表裏面にアルコー
ル系の有機液を接触する第三の工程と、面後前記マスク
の表裏面を有機ガスで蒸気洗浄し乾燥する第四の工程と
を含む先棒光用マスクの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070501A JPS59195652A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光露光用マスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070501A JPS59195652A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光露光用マスクの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195652A true JPS59195652A (ja) | 1984-11-06 |
| JPS649619B2 JPS649619B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=13433330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070501A Granted JPS59195652A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光露光用マスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195652A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279857A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の洗浄方法 |
| JPS6268581A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-28 | 松下電器産業株式会社 | 一槽式水洗槽 |
| JP2018027526A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 東洋製罐株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115044A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-08 | Watanabe Shoko:Kk | ガラスの洗浄方法 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070501A patent/JPS59195652A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115044A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-08 | Watanabe Shoko:Kk | ガラスの洗浄方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279857A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の洗浄方法 |
| JPS6268581A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-28 | 松下電器産業株式会社 | 一槽式水洗槽 |
| JP2018027526A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 東洋製罐株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649619B2 (ja) | 1989-02-17 |
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