JP2002316107A - フォトマスクの洗浄方法 - Google Patents

フォトマスクの洗浄方法

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JP2002316107A JP2001119950A JP2001119950A JP2002316107A JP 2002316107 A JP2002316107 A JP 2002316107A JP 2001119950 A JP2001119950 A JP 2001119950A JP 2001119950 A JP2001119950 A JP 2001119950A JP 2002316107 A JP2002316107 A JP 2002316107A
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    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明はガラス基板の表面に遮光膜を備える
フォトマスクを洗浄するための方法に関し、多量のリン
ス液を用いずにフォトマスクのくもりを確実に防止する
ことを目的とする。 【解決手段】 ガラス基板の表面に遮光膜を備えるフォ
トマスクをＯ３ガス溶解水で洗浄することにより、その
表面に付着している有機物を除去する（Ｓ１２０）。次
に、アルカリイオン水やＨ２溶解水などのアルカリ性の
薬液を用いて、異物の除去を目的として上記のフォトマ
スクを洗浄する（Ｓ１２２）。それらの洗浄工程が終了
した後、そのフォトマスクを乾燥させる（Ｓ１２４）。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの洗
浄方法に係り、特に、ガラス基板の表面に遮光膜を備え
るフォトマスクを洗浄するうえで好適な洗浄方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板の表面に、Cr系或いは
MoSi系の材料で形成された遮光膜を有するフォトマスク
が知られている。図４は、上記構成を有するフォトマス
クを洗浄するための第１の従来方法の一例のフローチャ
ートである。
【０００３】図４に示すように、フォトマスクを洗浄す
るための従来の方法では、先ず、フォトマスクの表面に
付着している有機物を除去するために、硫酸または硫酸
過水を用いた洗浄工程が行われる（Ｓ１００）。フォト
マスクの有機物汚染度は、その表面に滴下された水など
の濡れ性により評価することができる。すなわち、フォ
トマスク上に滴下された水などの濡れ性は、フォトマス
クの有機汚染度が低いほど良好となる。このため、Ｓ１
００の洗浄工程の目的は、図４中に示すように、フォト
マスクの濡れ性を改善すること、と換言することができ
る。
【０００４】次に、フォトマスク上に付着している硫酸
または硫酸過水を洗い流すために、純水によるリンス工
程が行われる（Ｓ１０２）。フォトマスクの清浄度を高
めるためには、この工程において、十分なリンス（すす
ぎ）を行うことが必要である。
【０００５】次に、フォトマスクに付着している異物を
除去するために、アンモニアまたは過酸化水素水を用い
た洗浄工程が行われる（Ｓ１０４）。尚、この工程で
は、アンモニアまたは過酸化水素水の代わりに、純水、
または純水に洗剤を添加した洗浄液が用いられることも
ある。
【０００６】硫酸または硫酸過水を用いた洗浄の場合と
同様に、上記Ｓ１０４の後にも、純水によるリンス工程
が行われる（Ｓ１０６）。フォトマスクの清浄度を十分
に高めるためには、この段階でも十分なリンスを行うこ
とが必要である。
【０００７】上記Ｓ１０６でフォトマスクが十分にすす
がれた後、フォトマスクを乾燥させるための乾燥工程が
行われる（Ｓ１０８）。
【０００８】図５は、Cr系やMoSi系の遮光膜を有するフ
ォトマスクを洗浄するための第２の従来方法のフローチ
ャートである。第２の従来方法では、第１の従来方法の
場合と同様に、先ず、有機物の除去、或いは濡れ性の改
善を目的とした洗浄工程、すなわち、硫酸または硫酸過
水を洗浄液とする洗浄工程が実行される（Ｓ１１０）。
【０００９】第２の従来方法では、次に、フォトマスク
上の硫酸或いは異物を除去するために、アンモニアや、
Ｈ２溶解水などのアルカリ性薬液を用いた洗浄工程が行
われる（Ｓ１１２）。
【００１０】上述した２つの洗浄工程の後、フォトマス
クを乾燥させるための乾燥工程が実行される（Ｓ１１
４）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の洗
浄方法では、Cr系或いはMoSi系の遮光膜を備えるフォト
マスクが、先ず、硫酸または硫酸過水により洗浄され
る。このため、例えば第１の従来方法（図４）では、Ｓ
１０２のリンス工程が不十分であると、フォトマスクの
表面に硫酸イオンが残留し、フォトマスクの表面にくも
りが生じ易いという問題が発生することがある。そし
て、第１の従来方法では、そのような問題を防ぐため
に、上記Ｓ１０２において、高温の純水を多量に使用す
る必要が生じていた。
【００１２】また、第１または第２の従来方法では、特
にMoSi系の遮光膜を有するハーフトーンフォトマスクが
洗浄の対象で有る場合に、次のような問題が生じてい
た。すなわち、ハーフトーンフォトマスクにおいては、
遮光膜の光学特性（透過率および位相角）が高い重要度
を有している。このため、ハーフトーンフォトマスクを
洗浄する場合には、その光学特性を変化させないことが
重要である。しかしながら、近年では、マスクパターン
の微細化が進むに連れて、硫酸や硫酸過水による洗浄
（Ｓ１００やＳ１１０）に伴ってハーフトーンフォトマ
スクに生ずる光学特性の変化が無視できない状況になり
つつある。
【００１３】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、フォトマスクのくもりを容易に防
止することができ、かつ、ハーフトーンフォトマスクの
光学特性に実質的な影響を与えることのないフォトマス
クの洗浄方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ガラス基板の表面に遮光膜を備えるフォトマスクを洗浄
するための方法であって、前記フォトマスクをＯ３ガス
溶解水で洗浄する第１工程と、前記フォトマスクの表面
に付着している異物を除去する第２工程と、前記フォト
マスクを乾燥させる第３工程と、を含むことを特徴とす
るものである。
【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１記載のフ
ォトマスクの洗浄方法であって、前記フォトマスクは、
MoSi系の遮光膜を有するハーフトーンフォトマスクを含
むことを特徴とするものである。
【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のフォトマスクの洗浄方法であって、前記Ｏ３ガス
溶解水は、酸性に調合されていることを特徴とするもの
である。
【００１７】請求項４記載の発明は、請求項３記載のフ
ォトマスクの洗浄方法であって、前記Ｏ３ガス溶解水
は、酸性の電解物質を含むことにより酸性に調合されて
いることを特徴とするものである。
【００１８】請求項５記載の発明は、請求項３記載のフ
ォトマスクの洗浄方法であって、前記Ｏ３ガス溶解水
は、酸性のガスを含むことにより酸性に調合されている
ことを特徴とするものである。
【００１９】請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の
何れか１項記載のフォトマスクの洗浄方法であって、前
記第１工程および前記第２工程の少なくとも一方で超音
波処理が行われることを特徴とするものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
【００２１】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１であるフォトマスクの洗浄方法を説明するためのフ
ローチャートを示す。本実施形態の洗浄方法は、ガラス
基板の表面に、Cr系またはMoSi系の遮光膜を備えるフォ
トマスクを洗浄するための方法である。
【００２２】図１に示すように、本実施形態の洗浄方法
では、先ず、Ｏ３ガス溶解水を用いてフォトマスクを洗
浄する工程が実行される（Ｓ１２０）。この洗浄工程
は、フォトマスクの表面に付着している有機物の除去を
目的として、すなわち、フォトマスク表面の濡れ性改善
を目的として行われる。
【００２３】次に、アルカリ性の薬液を用いて、より具
体的には、Ｈ２ガス溶解水、微量のアンモニアを添加し
たＨ２溶解水、或いはアルカリイオン水などを用いてフ
ォトマスクを洗浄する工程が実行される（Ｓ１２２）。
この洗浄工程は、フォトマスクの表面に付着している異
物の除去を目的として行われる。
【００２４】最後に、上記Ｓ１２０およびＳ１２２の処
理により洗浄されたフォトマスクを乾燥させるための工
程が実行される（Ｓ１２４）。これらの工程が実行され
ることにより、Cr系やMoSi系の遮光膜を有するフォトマ
スクの表面を、清浄に洗浄することができる。
【００２５】ところで、上述した実施の形態１の方法で
は、Ｓ１２０において、Ｏ３ガス溶解液を用いてフォト
マスクの洗浄を行っているが、本発明はこれに限定され
るものではない。すなわち、Ｓ１２０では、Ｏ３ガス溶
解液に代えて、炭酸ガスを溶解することにより酸性に調
合されたＯ３ガス溶解液、或いは、硫酸を微量に添加す
ることで酸性に調合されたＯ３ガス溶解液を用いてフォ
トマスクを洗浄することとしてもよい。
【００２６】また、上述した実施の形態１の方法では、
常温のＯ３ガス溶解液でフォトマスクを洗浄することと
しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
すなわち、Ｏ３ガス溶解液、或いは、これに代えて用い
られる酸性のＯ３ガス溶解液は、室温より高い温度（室
温〜８０℃程度）に、より好ましくは４０℃程度に加熱
されていてもよい。
【００２７】次に、図２および図３を参照して、本実施
形態の洗浄方法により得られる効果について説明する。
図２は、本実施形態の洗浄方法を含む複数の洗浄方法に
つき、洗浄前後のフォトマスクの清浄度を対比して表し
た図を示す。図２において、縦軸は、フォトマスクの表
面に滴下された純水滴の接触角を示す。フォトマスク上
に滴下された純水は、フォトマスクの有機汚染度が低い
ほど良好な濡れ性を示す。従って、その接触角は、フォ
トマスクの有機汚染度が低いほど小さな値となる。
【００２８】以下、図２に示す結果を得るために行った
実験の方法について説明する。この測定実験では、先
ず、Crの遮光膜を有する清浄なフォトマスクの上、すな
わち、Cr層の上に、HMDS（ヘキサメチルジシラザン）を
均一に塗布することでテストピースが作成される。HMDS
は、フォトマスクの表面を有機物により標準的に汚染す
るための評価用薬液である。
【００２９】個々のテストピースには、洗浄工程に付さ
れる前に、純水が滴下される。そして、滴下された純水
の接触角が、洗浄前の接触角として測定される。洗浄前
の接触角が測定された後、個々のテストピースは、所定
の洗浄方法で洗浄される。その後、再びテストピースの
上に純水が滴下され、洗浄後の接触角が測定される。
【００３０】図２において、符号Ａを付して表す２つの
結果は、上述したテストピース（標準的に汚染されたフ
ォトマスク）が硫酸過水で洗浄される前後の接触角を示
す。符号Ｂを付して表す２つの結果は、テストピースが
Ｏ３ガス溶解水で洗浄される前後の接触角を示す。ま
た、符号Ｃを付して表す２つの結果は、テストピース
が、４０℃に加熱された高温のＯ３ガス溶解液で洗浄さ
れる前後の接触角を示す。更に、符号Ｄを付して表す２
つの結果は、テストピースが、酸性に調合されたＯ ３ガ
ス溶解液で洗浄される前後の接触角を示す。
【００３１】尚、符号Ｄに対応するＯ３ガス溶解水は、
バブリングによって炭酸ガスを溶解させることにより、
そのphが４〜５になるように調合された溶液である。但
し、図２には表示を省略しているが、硫酸を僅かに添加
することによりph４〜５に調合したＯ３ガス溶解水を洗
浄液として用いる場合にも、符号Ｄを付して示す結果と
同等の結果を得ることができる。
【００３２】図２に示す結果より明らかなように、Ｏ３
ガス溶解水を用いた洗浄によれば、硫酸過水を用いた洗
浄と同等の接触角を得ることができる。より具体的に
は、Ｏ ３ガス溶解水を用いた洗浄によれば、洗浄液とし
て硫酸過水が用いられる場合と同等に、フォトマスクの
濡れ性を改善すること、すなわち、フォトマスク上の有
機物を除去することができる。
【００３３】また、その洗浄能力は、Ｏ３ガス溶解水が
室温より高い温度（室温〜８０℃程度）に加熱された場
合、およびＯ３ガス溶解水が弱酸性に調合された場合に
も、ほぼ同様に確保される。更に、それらの溶解水によ
る優れた洗浄能力は、洗浄の対象が、MoSi系の遮光膜を
有するハーフトーンフォトマスクである場合にも同様に
得られる。
【００３４】このように、本実施形態の洗浄方法におい
て用いられる洗浄液、すなわち、Ｏ ３ガス溶解水、酸性
のＯ３ガス溶解水、および加熱されたＯ３ガス溶解水
は、Cr系またはMoSi系の遮光膜を有するフォトマスクの
洗浄液として、何れも十分な有機物除去能力、すなわ
ち、十分な濡れ性改善能力を有している。このため、本
実施形態の洗浄方法によれば、硫酸または硫酸過水を用
いることなく、それらが用いられる場合と同等の清浄度
を確保することができる。つまり、本実施形態の洗浄方
法によれば、硫酸や硫酸過水などの薬液の使用量を削減
し、また、フォトマスクの表面に硫酸イオンが残留する
のを防止し、更に、従来の洗浄方法（図４参照）では多
量に使用されていたリンス液（純水）の使用量を大幅に
削減することができる。
【００３５】図３は、ハーフトーンフォトマスクが洗浄
されることにより、そのマスクが有するMoSi系の遮光膜
に生ずる光学特性の変化を、本実施形態の洗浄方法を含
む複数の洗浄方法のそれぞれについて対比して表した図
を示す。図３において、縦軸は、MoSi系遮光膜の透過率
変化量（％）（図中、左側に表示）と、MoSi系遮光膜の
位相角変化量（deg）（図中、右側に表示）とを示す。
また、図３において横軸は、洗浄の繰り返し回数を示
す。
【００３６】以下、図３に示す結果を得るために行った
実験の方法について説明する。この測定実験では、先
ず、MoSi系の遮光膜を有するハーフトーンフォトマスク
をテストピースとして準備する。このテストピースを、
硫酸過水、Ｏ３ガス溶解水、および酸性に調合されたＯ
３ガス溶解水（炭酸ガスのバブリングによって、ph４〜
５とされたもの）の何れかで繰り返し洗浄する。そし
て、個々の洗浄の前後でMoSi系遮光膜に生ずる透過率変
化量と、位相角変化量とを測定する。
【００３７】図３において、□で示す結果は、硫酸過水
を用いた洗浄が行われることにより遮光膜に生じた透過
率の変化量を示す。この結果が示すように、洗浄液とし
て硫酸過水が用いられる場合、MoSi系遮光膜の透過率は
比較的大きく変化する。
【００３８】図３において、△で示す結果、および▲で
示す結果は、それぞれ、Ｏ３ガス溶解水を用いた洗浄が
行われることにより遮光膜に生じた透過率および位相角
の変化量を示す。この結果が示すように、洗浄液として
Ｏ３ガス溶解水が用いられる場合、MoSi系遮光膜の透過
率は繰り返し洗浄が行われてもほとんど変化しない。
【００３９】また、図３において、○で示す結果、およ
び●で示す結果は、それぞれ、酸性に調合されたＯ３ガ
ス溶解水を用いた洗浄が行われることにより遮光膜に生
じた透過率および位相角の変化量を示す。この結果が示
すように、酸性のＯ３ガス溶解水が用いられた場合に
も、MoSi系遮光膜の透過率は、繰り返し洗浄が行われて
も大きく変化することはない。
【００４０】尚、○または●で示す結果に対応するＯ３
ガス溶解水は、バブリングによって炭酸ガスを溶解させ
ることにより、そのphが４〜５になるように調合された
溶液である。但し、図３には表示を省略しているが、硫
酸を僅かに添加することによりph４〜５に調合したＯ３
ガス溶解水を洗浄液として用いる場合にも、符号Ｄを付
して示す結果と同等の結果を得ることができる。また、
図３には表示を省略しているが、室温より高い温度（室
温〜８０℃程度）に加熱されたＯ３ガスが洗浄液として
用いられる場合にも、MoSi系遮光膜の光学特性（透過
率、位相角）に大きな変化が生ずることはない。
【００４１】このように、本実施形態の洗浄方法におい
て用いられる洗浄液、すなわち、Ｏ ３ガス溶解水、酸性
のＯ３ガス溶解水、および加熱されたＯ３ガス溶解水
は、MoSi系遮光膜の光学特性を安定に維持するうえで、
硫酸系の溶液に比して優れている。このため、本実施形
態の洗浄方法によれば、従来の洗浄方法において問題と
なっていた遮光膜の光学特性変化を引き起こすことな
く、ハーフトーンフォトマスクを清浄に洗浄することが
できる。
【００４２】ところで、上述した実施の形態１では、Ｏ
３ガス溶解水を酸性にするために、バブリングによって
炭酸ガスを溶解させる手法が用いられているが、Ｏ３ガ
ス熔解水を酸性にするためにその中に熔解させるガスは
炭酸ガスに限定されるものではない。すなわち、Ｏ３ガ
ス溶解水に溶解させるガスは、その熔解水を酸性にでき
るものであれば、他のガスであってもよい。
【００４３】また、上述した実施の形態１では、Ｏ３ガ
ス溶解水を酸性にするために、硫酸を微量に添加する手
法が用いられているが、Ｏ３ガス熔解水を酸性にするた
めの手法はこれに限定されるものではない。すなわち、
Ｏ３ガス溶解水は、硫酸の他、塩酸などの電解物質を添
加することにより酸性に調合してもよい。
【００４４】また、上述した実施の形態１では、Ｓ１２
０やＳ１２２の洗浄工程を、どのように行うかは特に言
及していないが、それらの洗浄工程は、Ｏ３ガス溶解水
やアルカリ性の薬液などが導入されたオーバーフロー槽
にフォトマスクを浸漬させることにより実現することが
できる。更に、オーバーフロー槽の内部で、洗浄液を介
して、フォトマスクに超音波を印加することによれば、
より高い洗浄効果を得ることができる。
【００４５】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に示すような効果を奏する。請求項１
記載の発明によれば、フォトマスクの遮光膜に付着した
有機物を、硫酸系の薬液を用いることなく除去すること
ができる。このため、本発明によれば、フォトマスクの
表面に硫酸イオンが残留するのを確実に防止し、また、
フォトマスクのリンスに要する純水の使用を削減するこ
とができる。
【００４６】請求項２記載の発明によれば、MoSi系の遮
光膜を有するハーフトーンフォトマスクに付着した有機
物を、ハーフトーンマスクの光学特性を変化させること
なく除去することができる。
【００４７】請求項３乃至５の何れか１項記載の発明に
よれば、酸性に調合されたＯ３ガス溶解水を用いて、フ
ォトマスクを清浄に洗浄することができる。
【００４８】請求項６記載の発明によれば、Ｏ３ガス溶
解水を用いた洗浄工程（第１工程）、および異物の除去
を目的とした洗浄工程（第２工程）の少なくとも一方に
おいて超音波洗浄が組み合わされるため、高い洗浄効果
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１のフォトマスクの洗浄
方法の流れを説明するためのフローチャートである。
【図２】 フォトマスク上に滴下された純水滴の接触角
と洗浄方法との関係を表す測定結果である。
【図３】 MoSi系の遮光膜を有するハーフトーンフォト
マスクの光学特性と洗浄方法との関係を表す測定結果で
ある。
【図４】 フォトマスクを洗浄するための第１の従来方
法のフローチャートである。
【図５】 フォトマスクを洗浄するための第２の従来方
法のフローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｃ１１Ｄ 17/08 (72)発明者 永村 美一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 細野 邦博 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 菊地 保貴 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 大政 友紀 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 木戸 光一 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA01 AA46 BB02 BB82 BB83 BB92 BB93 BB96 CC01 CC11 4H003 BA12 DA15 DC02 DC04 EA03 EA20 EA31 ED02 FA21

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス基板の表面に遮光膜を備えるフォ
    トマスクを洗浄するための方法であって、 前記フォトマスクをＯ３ガス溶解水で洗浄する第１工程
    と、 前記フォトマスクの表面に付着している異物を除去する
    第２工程と、 前記フォトマスクを乾燥させる第３工程と、 を含むことを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。
  2. 【請求項２】 前記フォトマスクは、MoSi系の遮光膜を
    有するハーフトーンフォトマスクを含むことを特徴とす
    る請求項１記載のフォトマスクの洗浄方法。
  3. 【請求項３】 前記Ｏ３ガス溶解水は、酸性に調合され
    ていることを特徴とする請求項１または２記載のフォト
    マスクの洗浄方法。
  4. 【請求項４】 前記Ｏ３ガス溶解水は、酸性の電解物質
    を含むことにより酸性に調合されていることを特徴とす
    る請求項３記載のフォトマスクの洗浄方法。
  5. 【請求項５】 前記Ｏ３ガス溶解水は、酸性のガスを含
    むことにより酸性に調合されていることを特徴とする請
    求項３記載のフォトマスクの洗浄方法。
  6. 【請求項６】 前記第１工程および前記第２工程の少な
    くとも一方で超音波処理が行われることを特徴とする請
    求項１乃至５の何れか１項記載のフォトマスクの洗浄方
    法。
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FR0204538A FR2823685A1 (fr) 2001-04-18 2002-04-11 Procede de nettoyage pour des photomasques
KR10-2002-0020780A KR100456760B1 (ko) 2001-04-18 2002-04-17 포토마스크의 세정 방법
TW091107842A TW584890B (en) 2001-04-18 2002-04-17 Cleaning process for photomasks
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006101315A1 (en) * 2005-03-21 2006-09-28 Pkl Co., Ltd. Device and method for cleaning photomask
JP2008102402A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
US7527921B2 (en) 2005-06-28 2009-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of treating and removing a photoresist pattern and method of manufacturing a semiconductor device using the same
JP2011013382A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk ハーフトーンマスクの製造方法
KR101129023B1 (ko) 2008-02-26 2012-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반사형 포토마스크의 세정방법
JP2023037572A (ja) * 2021-09-03 2023-03-15 エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1707746A (zh) * 2004-06-10 2005-12-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于处理半导体器件的光掩模的方法
US20070012335A1 (en) * 2005-07-18 2007-01-18 Chang Hsiao C Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (VUV) light cleaning
JP4940614B2 (ja) * 2005-09-29 2012-05-30 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法およびパターン形成体製造用装置
US20070215188A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Pkl Co., Ltd. Device for cleaning a photomask
WO2007138747A1 (ja) * 2006-05-30 2007-12-06 Hoya Corporation レジスト膜剥離方法、マスクブランクスの製造方法および転写マスクの製造方法
US7462248B2 (en) * 2007-02-06 2008-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for cleaning a photomask
WO2010083655A1 (zh) * 2009-01-23 2010-07-29 常州瑞择微电子科技有限公司 一种光掩模的清洗方法
KR20130072664A (ko) 2011-12-22 2013-07-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자의 제조방법
CN114985366A (zh) * 2022-05-25 2022-09-02 合肥升滕半导体技术有限公司 一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5924849A (ja) 1982-08-02 1984-02-08 Hitachi Ltd フオトマスクの洗浄方法
JPS59195649A (ja) * 1983-04-21 1984-11-06 Nec Corp ホトマスク洗浄装置
JPS6195356A (ja) * 1984-10-16 1986-05-14 Mitsubishi Electric Corp フオトマスクブランク
JPH0675187B2 (ja) * 1988-06-06 1994-09-21 日本電気株式会社 レチクル洗浄装置
US5290647A (en) * 1989-12-01 1994-03-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask and method of manufacturing a photomask
JPH05241321A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Hitachi Ltd 光学マスク及びその修正方法
JPH05134397A (ja) * 1991-11-14 1993-05-28 Nikon Corp ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置
JPH0611826A (ja) * 1992-04-28 1994-01-21 Mitsubishi Electric Corp フォトマスク及びその製造方法
JP3277404B2 (ja) * 1993-03-31 2002-04-22 ソニー株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
JP3197484B2 (ja) * 1995-05-31 2001-08-13 シャープ株式会社 フォトマスク及びその製造方法
JP3590470B2 (ja) * 1996-03-27 2004-11-17 アルプス電気株式会社 洗浄水生成方法および洗浄方法ならびに洗浄水生成装置および洗浄装置
JP3274389B2 (ja) * 1996-08-12 2002-04-15 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
JPH1062965A (ja) 1996-08-23 1998-03-06 Nec Corp フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法
US5723238A (en) 1996-12-04 1998-03-03 Advanced Micro Devices, Inc. Inspection of lens error associated with lens heating in a photolithographic system
US6240933B1 (en) * 1997-05-09 2001-06-05 Semitool, Inc. Methods for cleaning semiconductor surfaces
JPH1129795A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Kurita Water Ind Ltd 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法
US6027837A (en) 1997-10-14 2000-02-22 International Business Machines Corporation Method for tuning an attenuating phase shift mask
JP3920429B2 (ja) * 1997-12-02 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置
US6346505B1 (en) * 1998-01-16 2002-02-12 Kurita Water Industries, Ltd. Cleaning solution for electromaterials and method for using same
US6138694A (en) * 1998-03-06 2000-10-31 Scp Global Technologies Multiple stage wet processing platform and method of use
JPH11297657A (ja) 1998-04-08 1999-10-29 Kurita Water Ind Ltd 電子材料の洗浄方法
JP2000012500A (ja) 1998-04-20 2000-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
JP2000098320A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Toshiba Corp 洗浄方法および洗浄装置
JP2000117208A (ja) * 1998-10-13 2000-04-25 Kurita Water Ind Ltd 電子材料の洗浄方法
US20010001392A1 (en) 1998-11-12 2001-05-24 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JP2000164552A (ja) 1998-11-24 2000-06-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6799583B2 (en) * 1999-05-13 2004-10-05 Suraj Puri Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
JP4484980B2 (ja) 1999-05-20 2010-06-16 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液
JP2004500701A (ja) 1999-07-23 2004-01-08 セミトゥール・インコーポレイテッド 半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置
WO2001026144A1 (en) 1999-10-01 2001-04-12 Fsi International, Inc. Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006101315A1 (en) * 2005-03-21 2006-09-28 Pkl Co., Ltd. Device and method for cleaning photomask
US7527921B2 (en) 2005-06-28 2009-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of treating and removing a photoresist pattern and method of manufacturing a semiconductor device using the same
JP2008102402A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
KR101129023B1 (ko) 2008-02-26 2012-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반사형 포토마스크의 세정방법
JP2011013382A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk ハーフトーンマスクの製造方法
JP2023037572A (ja) * 2021-09-03 2023-03-15 エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク
JP7351978B2 (ja) 2021-09-03 2023-09-27 エスケー エンパルス カンパニー リミテッド ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク

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