CN114985366A - 一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，涉及碳化硅部件清洗技术领域。包括以下步骤：S1、遮蔽处理；S2、有机浸泡；S3、有机擦拭；S4、去遮蔽；S5、水洗操作；S6、干冰操作；S7、CDA吹干；S8、检测处理；S9、超声处理；S10、烘干处理。该适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，本发明通过对碳化硅部件进行遮蔽、有机浸泡、有机擦拭、去遮蔽、水洗操作、干冰操作、CDA吹干以及烘干操作，实现对碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行清洗，进而便于去除沉积物以及附着的膜，便于实现适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗；本发明清洗方法改善了以往繁琐清洗的方式，本发明清洗方法清洗效果好以及方便工作人员的操作。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅部件清洗技术领域，具体为一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法。
背景技术
碳化硅部件用于制造IC(集成电路)的干刻中的工艺腔体中，碳化硅部件产品具有较高的抗氧化性、化学稳定性和耐热性，具备在2000度高温时也可保持稳定的优良特性，它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的夹具产品。在半导体生产设备、汽车领域、能源领域等领域有广泛应用，干刻工艺是将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成plasma，对特定膜层加以化学刻蚀和等离子轰击，达到去膜的一种去膜刻蚀方式，碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，耐腐蚀性能佳的特性。其在干刻工艺腔体内对其损耗极小，极大的降低了运营成本。
由于干刻工艺对碳化硅部件膜层的腐蚀及其气体的沉积，会在部件表面形成沉积物，故须对其定期进行膜层的去除，不然会影响工艺运作，而且高效的清洗工艺尤为重要，为此，我们提出了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法来解决上述问题。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，包括以下步骤：
S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理；
S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮、异丙醇的一种或者两种的浸泡液中进行浸泡处理；
S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮、异丙醇的一种或者两种的混合液进行蘸取擦拭；
S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；
S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净；
S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底；
S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；
S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测；
S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理；
S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作。
进一步优化本技术方案，所述步骤S1中的遮蔽处理采用热熔遮蔽胶带遮蔽。
进一步优化本技术方案，所述步骤S2中浸泡液的时间为30-60min，浸泡的温度为常温。
进一步优化本技术方案，所述步骤S3中采用百洁布进行擦拭处理。
进一步优化本技术方案，所述步骤S5中水洗水枪采用30～100Mpa进行冲洗4～6min，距离为30～70cm。
进一步优化本技术方案，所述步骤S6中干冰的距离为300～500mm，速度为500～1500mm/S，压力为2.5～5kg。
进一步优化本技术方案，所述步骤S8中碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰。
进一步优化本技术方案，所述步骤S9中的超声水洗的时间为5～10min，超声的频率为20KHZ～100KHZ。
进一步优化本技术方案，所述步骤S10中的烘干为在90～150℃的烤箱内烘烤1～3H。
与现有技术相比，本发明提供了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，具备以下有益效果：
1、该适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，本发明通过对碳化硅部件进行遮蔽、有机浸泡、有机擦拭、去遮蔽、水洗操作、干冰操作、CDA吹干以及烘干操作，实现对碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行清洗，进而便于去除沉积物以及附着的膜，便于实现适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗。
2、该适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，本发明清洗方法改善了以往繁琐清洗的方式，本发明清洗方法清洗效果好以及方便工作人员的操作，符合清洗要求和使用要求，具有很高的社会效益和经济效益。
附图说明
图1为本发明提出的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
请参考图1所示，本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，包括以下步骤：
S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；
S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮和异丙醇两种的浸泡液中进行浸泡处理，浸泡液的时间为30min，浸泡的温度为常温；
S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮和异丙醇两种的混合液进行蘸取擦拭，采用百洁布进行擦拭处理；
S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；
S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净，水洗水枪采用70Mpa进行冲洗5min，距离为40cm；
S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底，干冰的距离为400mm，速度为1000mm/S，压力为3.5kg；
S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；
S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测，碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰；
S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理，超声水洗的时间为8min，超声的频率为80KHZ；
S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作，烘干为在120℃的烤箱内烘烤2H。
实施例二：
请参考图1所示，本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，包括以下步骤：
S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；
S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮的浸泡液中进行浸泡处理，浸泡液的时间为50min，浸泡的温度为常温；
S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用含有丙酮的混合液进行蘸取擦拭，采用百洁布进行擦拭处理；
S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；
S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净，水洗水枪采用80Mpa进行冲洗5min，距离为60cm；
S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底，干冰的距离为300mm，速度为800mm/S，压力为3.0kg；
S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；
S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测，碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰；
S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理，超声水洗的时间为10min，超声的频率为80KHZ；
S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作，烘干为在120℃的烤箱内烘烤3H。
实施例三：
请参考图1所示，本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，包括以下步骤：
S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；
S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮、异丙醇的浸泡液中进行浸泡处理，浸泡液的时间为50min，浸泡的温度为常温；
S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用异丙醇浸泡液进行蘸取擦拭，采用百洁布进行擦拭处理；
S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；
S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净，水洗水枪采用90Mpa进行冲洗5min，距离为65cm；
S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底，干冰的距离为400mm，速度为1200mm/S，压力为3.8kg；
S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；
S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测，碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰；
S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理，超声水洗的时间为8min，超声的频率为90KHZ；
S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作，烘干为在140℃的烤箱内烘烤2H。
实施例四：
请参考图1所示，本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，包括以下步骤：
S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；
S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮和异丙醇的浸泡液中进行浸泡处理，浸泡液的时间为55min，浸泡的温度为常温；
S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮和异丙醇的浸泡液进行蘸取擦拭，采用百洁布进行擦拭处理；
S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；
S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净，水洗水枪采用90Mpa进行冲洗6min，距离为60cm；
S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底，干冰的距离为400mm，速度为1200mm/S，压力为4.0kg；
S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；
S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测，碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰；
S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理，超声水洗的时间为8min，超声的频率为90KHZ；
S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作，烘干为在140℃的烤箱内烘烤2.8H。
实施例五：
请参考图1所示，本发明公开了一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，包括以下步骤：
S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理，采用热熔遮蔽胶带遮蔽；
S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮的浸泡液中进行浸泡处理，浸泡液的时间为55min，浸泡的温度为常温；
S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮进行蘸取擦拭，采用百洁布进行擦拭处理；
S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；
S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净，水洗水枪采用80Mpa进行冲洗4.5min，距离为65cm；
S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底，干冰的距离为400mm，速度为1200mm/S，压力为4.0kg；
S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；
S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测，碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰；
S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理，超声水洗的时间为8min，超声的频率为90KHZ；
S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作，烘干为在135℃的烤箱内烘烤2.6H。
判断标准：对实施例一至五以及对比例得到的碳化硅部件的清洗性能检测，结果如表1所示:
表1性能检测结果由上表中检测数据可以看出，本发明的清洗方法具有广阔的应用前景，通过五个实施例对比，效果最佳者为实施例二，因此，选择实施例二为最佳实施例，具体对量的改变，也属于本技术方案保护的范围。
本发明的有益效果：该适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，本发明通过对碳化硅部件进行遮蔽、有机浸泡、有机擦拭、去遮蔽、水洗操作、干冰操作、CDA吹干以及烘干操作，实现对碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行清洗，进而便于去除沉积物以及附着的膜，便于实现适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗；本发明清洗方法改善了以往繁琐清洗的方式，本发明清洗方法清洗效果好以及方便工作人员的操作，符合清洗要求和使用要求，具有很高的社会效益和经济效益。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、遮蔽处理：将碳化硅部件进行自检后，对其螺纹区域进行遮蔽处理；
S2、有机浸泡：将步骤S1中遮蔽处理后的碳化硅部件放置在含有丙酮、异丙醇的一种或者两种的浸泡液中进行浸泡处理；
S3、有机擦拭：将步骤S2中浸泡处理后的碳化硅部件取出并采用丙酮、异丙醇的一种或者两种的混合液进行蘸取擦拭；
S4、去遮蔽：将步骤S3中擦拭后的碳化硅部件自检合格后，将遮蔽胶带去除；
S5、水洗操作：利用水洗水枪将步骤S4中碳化硅部件全部冲洗，将有机物及颗粒物冲洗干净；
S6、干冰操作：利用干冰对步骤S5中水洗后的碳化硅部件的表面、孔内及螺纹处进行物理清洗，进一步去膜彻底；
S7、CDA吹干：将步骤S6中去膜后的碳化硅部件进行吹干操作；
S8、检测处理：对步骤S7中吹干后的碳化硅部件进行外观检测；
S9、超声处理：将步骤S8中检测处理后的碳化硅部件进行超声水洗研磨处理；
S10、烘干处理：将步骤S9中超声水洗后的碳化硅部件在烤箱中高温烘烤操作。
2.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中的遮蔽处理采用热熔遮蔽胶带遮蔽。
3.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中浸泡液的时间为30-60min，浸泡的温度为常温。
4.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S3中采用百洁布进行擦拭处理。
5.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S5中水洗水枪采用30～100Mpa进行冲洗4～6min，距离为30～70cm。
6.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S6中干冰的距离为300～500mm，速度为500～1500mm/S，压力为2.5～5kg。
7.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S8中碳化硅部件的外观检测为无异物残留、无异色以及无磕碰。
8.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S9中的超声水洗的时间为5～10min，超声的频率为20KHZ～100KHZ。
9.根据权利要求1所述的一种适用于干刻工艺的碳化硅部件的清洗方法，其特征在于，所述步骤S10中的烘干为在90～150℃的烤箱内烘烤1～3H。
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