JP2000164552A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に供給するオゾン水中のオゾン濃度を高
めることができて、基板の表面に付着した有機物や金属
汚染物等を確実に除去できる基板処理装置および基板処
理方法を提供する 。 【解決手段】 純水導入部４から循環経路２に導入され
た純水を冷却部２５で例えば１５℃以下に冷却した後、
混合部３３に導入されたオゾンと混合させてオゾン濃度
が例えば２５ｐｐｍ以上のオゾン水を生成する。この生
成されたオゾン水は、洗浄槽１２に供給されて貯留され
る。そして、洗浄槽１２に貯留されたオゾン水１１に複
数の基板Ｗを浸漬させるとともに、超音波発生器１５に
よってオゾン水１１に超音波振動を付与して基板Ｗを洗
浄処理する。また、冷却部２５は温度センサ１７または
濃度測定部２６からそれぞれ送信された温度信号ＳＴま
たは濃度信号ＳＤに基づいて制御部６によって制御され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、液晶表示
器用基板等のＦＰＤ（Ｆｌａｔ ＰａｎｅｌＤｉｓｐｌ
ａｙ）用基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板にオ
ゾン水を供給して基板に洗浄処理などの所定の処理を施
す基板処理装置および基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板にオゾン水を供給して洗浄処理する
基板処理装置は、例えば特開平９―２１３６６６号公報
に開示されるものが知られている。この基板処理装置
は、水平面内で回転駆動される基板の表面に、純水にオ
ゾンを溶解させたオゾン水を供給し、このオゾン水中の
オゾンの酸化力を用いて基板の表面に付着した有機物や
金属汚染物等を除去して基板を洗浄するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
基板処理装置による洗浄処理おいて、基板に供給される
オゾン水中のオゾン濃度が低いと、基板の表面に付着し
た有機物や金属汚染物等を十分に除去できないという問
題が発生する。

【０００４】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、
基板に供給するオゾン水中のオゾン濃度を高めることが
できて、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を
確実に除去できる基板処理装置および基板処理方法を提
供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決する為
に、請求項１に係る発明は、基板にオゾン水を供給して
基板に所定の処理を施す基板処理装置において、純水ま
たはオゾン水を冷却する冷却手段と、冷却手段によって
冷却された純水またはオゾン水にオゾンを溶解させる溶
解手段と、溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン
水を基板に供給する供給手段とを有することを特徴とす
る。

【０００６】また請求項２に係る発明は、請求項１に係
る発明において、供給手段によって基板に供給されたオ
ゾン水を回収し、供給手段に循環させる循環経路をさら
に有し、この循環経路に溶解手段および冷却手段が介設
されていることを特徴とする。

【０００７】さらに請求項３に係る発明は、請求項１ま
たは請求項２に係る発明において、冷却手段によって冷
却されるべき純水またはオゾン水の温度を測定する温度
測定手段と、この温度測定手段による測定結果に基づい
て冷却手段を制御する制御手段とをさらに有することを
特徴とする。

【０００８】また請求項４に係る発明は、請求項１から
請求項３のいずれかに係る発明において、溶解手段によ
ってオゾンが溶解されたオゾン水中のオゾン濃度を測定
する濃度測定手段と、この濃度測定手段による測定結果
に基づいて溶解手段または冷却手段を制御する制御手段
とをさらに有することを特徴とする。

【０００９】請求項５に係る発明は、基板にオゾン水を
供給して基板に所定の処理を施す基板処理方法におい
て、０℃から１５℃の範囲内で冷却された純水またはオ
ゾン水にオゾンを溶解させてオゾン水を生成する準備工
程と、 準備工程で生成されたオゾン水を基板に供給す
る供給工程とを含むことを特徴とする。

【００１０】請求項６に係る発明は、請求項５に係る発
明において、供給工程で基板に供給されるオゾン水中の
オゾンの濃度が２５ｐｐｍ以上となるように、準備工程
で純水またはオゾン水にオゾンを溶解させることを特徴
とする。

【００１１】請求項１に係る発明の基板処理装置におい
ては、冷却手段により純水またはオゾン水が冷却される
ため、純水またはオゾン水に対するオゾンの溶解度が高
まる。このように冷却されて溶解度が高まった純水また
はオゾン水に溶解手段によりオゾンが溶解させられ、そ
の結果、供給手段により基板に供給されるオゾン水中の
オゾン濃度が所望値以上となる。

【００１２】また、請求項２に係る発明の基板処理装置
は、溶解手段および冷却手段が循環手段に介設され、こ
の循環手段が供給手段によって基板に供給されたオゾン
水を回収し、供給手段に循環させることにより、基板に
オゾン水が循環供給される。

【００１３】さらに、請求項３に係る発明の基板処理装
置は、温度測定手段により冷却手段によって冷却される
べき純水またはオゾン水の温度が測定され、この温度測
定手段による測定結果に基づいて制御手段によって冷却
手段が制御される。

【００１４】またさらに、請求項４に係る発明の基板処
理装置は、溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン
水中のオゾン濃度が濃度測定手段により測定され、この
濃度測定手段による測定結果に基づいて制御手段によっ
て溶解手段または冷却手段が制御される。

【００１５】また、請求項５に係る発明の基板処理方法
においては、準備工程で純水またはオゾン水を０℃から
１５℃の範囲内で冷却されるので、純水またはオゾン水
に対するオゾンの溶解度が高くなり、その結果、所望値
以上のオゾン濃度を有するオゾン水が生成される。そし
て、準備工程で生成されたオゾン水が供給工程で基板に
供給される。

【００１６】また、請求項６に係る発明の基板処理方法
は、準備工程で生成され、オゾン濃度が２５ｐｐｍ以上
であるオゾン水が供給工程で基板に供給される。

【００１７】

【発明の実施の形態】図1は、この発明の１実施形態を
示し、オゾン水を基板に供給して基板を洗浄処理する基
板処理装置の概略構成を示す模式図である。

【００１８】まず、図１に基づいて基板処理装置の構成
について説明する。基板処理装置は、基板にオゾン水を
供給する供給部１と、供給部１で基板に供給されたオゾ
ン水を回収するとともに供給部１に再びオゾン水を送液
する循環経路２とを備える。また、基板処理装置は、循
環経路２中を流れる純水またはオゾン水にオゾンを溶解
させるオゾン溶解部３と、循環経路２に純水を導入する
純水導入部４と、循環経路２からオゾン水を排液する排
液部５とを備える。さらに、基板処理装置は、上述の供
給部１、循環経路２、オゾン溶解部３、純水導入部４お
よび排液部５などを制御する制御部６を備える。

【００１９】供給部１は、洗浄処理すべき半導体ウエハ
などの複数の基板Ｗを収納するとともにオゾン水１１な
どを貯留する洗浄槽１２を備えている。一対の支持部材
１３は、洗浄槽１１内の底部付近に設けられ、複数の基
板Ｗをオゾン水１１に浸漬させた状態で支持する。ま
た、一対の支持部材１３は、紙面に垂直な方向（以下、
Ｙ方向と称す）に沿って延設され、この延設方向に沿っ
て図示しない複数の細い溝が形成されている。そして、
複数の基板Ｗはその下部端縁が一対の支持部材１３の複
数の溝にそれぞれ挿入されて、その主面が鉛直方向に沿
うとともに互いに平行にＹ方向に沿って配列される。

【００２０】一対の供給パイプ１４は、洗浄槽１２の内
部にオゾン水または純水を供給するものであり、洗浄槽
１２の底部付近の両側に、Ｙ方向に沿って配置されてい
る。また、一対の供給パイプ１４は、洗浄槽１２内で互
いに流路接続されている。各供給パイプ１４には、オゾ
ン水を吐出するための図示しない吐出口がＹ方向に沿っ
て複数形成されている。この複数の吐出口は、複数の基
板Ｗに対しオゾン水を均等に供給できるように、一対の
支持部材１３によって支持された複数の基板Ｗの間隔に
対応する位置にそれぞれ形成されている。

【００２１】洗浄槽１２の底面には、超音波発生器１５
が取付けられている。超音波発生器１５は、洗浄槽１２
の底面を介して、約１００ｋＨｚから１ＭＨｚの範囲の
周波数を有する超音波振動をオゾン水１１に付与する。

【００２２】洗浄槽１２の外周上部には外槽１６が取付
けられ、洗浄槽１２から溢れ出たオゾン水１１などを一
旦貯留する。外槽１６に貯留されたオゾン水１１は、循
環経路２に向けて排出される。

【００２３】温度センサ１７は、洗浄槽１２に貯留され
たオゾン水または純水の温度を測定し、その測定結果を
温度信号ＳＴに変換した後、制御部６に送信する。温度
センサ１７として、例えば熱電対などを用いることがで
きる。

【００２４】循環経路２は、その一方の端部が外槽１６
に流路接続され、その他方の端部が一対の供給パイプ１
４の一方に流路接続された循環用配管２１を備えてい
る。循環用配管２１の途中にはバルブ２２、ポンプ２
３、バルブ２４、冷却部２５、オゾン溶解部３の後述す
る混合部３３、濃度測定部２６およびフィルタ２７がそ
れぞれ介設されている。バルブ２２およびバルブ２４
は、循環用配管２１の流路を開閉する開閉弁である。ま
た、バルブ２４は、後述するバルブ５２と協働してオゾ
ン水が流れる方向を供給部１への方向と排液部５への方
向とに選択的に切り替える開閉弁である。ポンプ２３
は、循環経路２の循環用配管２１または排液部５の後述
する排液管５１などを介してオゾン水または純水を送液
する。

【００２５】冷却部２５は、制御部６から送信された制
御信号ＳＣに基づいて循環用配管２１を流れる純水また
はオゾン水を冷却する。冷却部２５には、オゾン水また
は純水を冷却するための例えば熱電冷却素子が設けられ
ている。

【００２６】混合部３３は、後述するオゾン導入管３１
から導入されたオゾンと、冷却部２５で冷却された純水
またはオゾン水とを混合して、純水またはオゾン水にオ
ゾンを溶解させる。

【００２７】濃度測定部２６は、混合部３３によってオ
ゾンが溶解され、循環用配管２１を流れるオゾン水中に
含まれるオゾン濃度を測定する。そして、濃度測定部２
６は、その測定結果を濃度信号ＳＤに変換した後、制御
部６に送信する。濃度測定部２６として、紫外線吸収式
の溶存オゾン濃度計（荏原実業（株）製のＥＬ―５００
シリーズ等）などを用いることができる。フィルタ２７
は、循環用配管２１を流れるオゾン水または純水中に含
まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。

【００２８】オゾン溶解部３は上述の混合部３３を備え
ている。また、オゾン溶解部３は、その一方の端部が工
場設備として設置された図示しないオゾン供給設備に流
路接続され、その他方の端部が混合部３３に流路接続さ
れたオゾン導入管３１を備えている。オゾン導入管３１
の途中には、オゾン導入管３１の流路を開閉するバルブ
３２が設けられている。

【００２９】純水導入部４は、外槽１６とバルブ２２と
を流路接続する循環用配管２１の途中から分岐し、その
端部が工場設備として設置された図示しない純水供給設
備に流路接続された純水導入管４１を備えている。純水
導入管４１の途中には、純水導入管４１の流路を開閉す
るバルブ４２が設けられている。

【００３０】排液部５は、ポンプ２３とバルブ２４とを
流路接続する循環用配管２１の途中から分岐し、その端
部が工場設備として設置された図示しない廃液設備に流
路接続される排液管５１を備えている。排液管５１の途
中には、排液管５１の流路を開閉するバルブ５２が設け
られている。また、排液部５は、バルブ２２とポンプ２
３とを流路接続する循環用配管２１から分岐し、その端
部が洗浄槽１２に流路接続された槽内排液管５３を備え
ている。槽内排液管５３の途中には、槽内排液管５３の
流路を開閉するバルブ５４が設けられている。

【００３１】制御部６は、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭお
よびＲＡＭなどを含むマイクロコンピュータを備える。
ＲＯＭには所定の処理プログラムが保存され、この処理
プログラムに基づいて制御部６は各制御対象に各制御信
号をそれぞれ送信する。具体的には、制御部６は、バル
ブ２２、バルブ２４、バルブ３２、バルブ４２、バルブ
５２およびバルブ５４に制御信号をそれぞれ送信し各バ
ルブを開閉動作させる。また、制御部６はポンプ２３ま
たは超音波発生器１５に制御信号をそれぞれ送信し、ポ
ンプ２３または超音波発生器１５の駆動状態をそれぞれ
制御する。さらに、制御部６は、温度センサ１７から送
信された温度信号ＳＴに基づいて冷却部２５に制御信号
ＳＣを送信する。またさらに、制御部６は、濃度測定部
２６から送信された濃度信号ＳＤに基づいてオゾン溶解
部３または冷却部２５に制御信号ＳＣを送信する。

【００３２】次に、上述のように構成された基板処理装
置の動作を説明する。まず、洗浄槽１２内に複数の基板
Ｗが収納されておらずオゾン水１１が貯留されていない
状態から洗浄槽１２内にオゾン水１１を満たすまでの準
備工程について説明する。制御部６からの制御信号に基
づいて、純水導入部４のバルブ４２および循環経路２の
バルブ２２、バルブ２４が開かれるとともにポンプ２３
が駆動されて、純水供給設備から供給された純水が純水
導入部４の純水導入管４１および循環経路２の循環用配
管２１、供給部１の一対の供給パイプ１４などを介して
洗浄槽１２に純水が供給される。このとき、オゾン溶解
部３のバルブ３２および排液部５のバルブ５２、バルブ
５４は閉じられている。

【００３３】そして、一対の供給パイプ１４から洗浄槽
１２に純水が供給されて所定時間経過すると、洗浄槽１
２に供給された純水が洗浄槽１２から外槽１６に溢れ出
す。外槽１６に溢れ出した純水は外槽１６に一旦貯留さ
れた後、循環用配管２１に向けて排出される。循環用配
管２１に排出された純水は循環経路２に回収されてポン
プ２４によって再び供給部１に向けて送液される。この
ように、供給部１に対して純水が循環供給されると、制
御部６によってバルブ４２が閉じられて循環経路２への
純水の供給が停止される。

【００３４】次に、供給部１に純水が循環供給されてい
る状態で、洗浄槽１２内に配置された温度センサ１７に
よって洗浄槽１２に貯留された純水の温度が測定され
る。温度センサ１７が測定した測定結果、例えば２３℃
は温度信号ＳＴに変換された後、制御部６に送信され
る。温度信号ＳＴを受け取った制御部６は、ＲＯＭに保
存されている純水またはオゾン水の設定温度、例えば１
５℃以下と温度信号ＳＴとを比較する。この比較の結
果、温度信号ＳＴが設定温度に達していないと判断した
制御部６は、純水を設定温度まで冷却するための制御信
号ＳＣを冷却部２５に送信する。上述の設定温度は、純
水またはオゾン水に対するオゾンの溶解度を高めるため
に０℃から１５℃の範囲内とし、この設定温度まで冷却
部２５によって純水またはオゾン水を冷却することが好
ましい。

【００３５】純水を冷却するための制御信号ＳＣを受け
取った冷却部２５は、熱電冷却素子などを動作させて純
水を冷却する。そして、温度センサ１７の測定結果が設
定温度に達すると、制御部６は、冷却動作を停止させる
制御信号ＳＣを冷却部２５に送信し、冷却部２５におけ
る冷却動作が停止される。上述の設定温度は、純水また
はオゾン水に対するオゾンの溶解度を高めるために０℃
から１５℃の範囲内とし、この設定温度まで冷却部２５
によって純水またはオゾン水を冷却することが好まし
い。

【００３６】純水の温度が設定温度に達すると、オゾン
溶解部３のバルブ３２が制御部６によって開けられ、オ
ゾン導入管３１を介して混合部３３にオゾンが導入され
る。混合部３３内では導入されたオゾンと純水とが混合
されてオゾンが純水に溶解される。

【００３７】次に、濃度測定部２６によって混合部３３
でオゾンが溶解された純水、すなわちオゾン水中のオゾ
ン濃度が測定される。この測定結果は濃度信号ＳＤに変
換されて制御部６に送信される。濃度信号ＳＤを受け取
った制御部６は、ＲＯＭに保存されているオゾン水中の
オゾンの設定濃度、例えば２５ｐｐｍ以上と濃度信号Ｓ
Ｄとを比較する。制御部６は、濃度信号ＳＤが設定濃度
に達するまで、オゾン溶解部３による循環経路２へのオ
ゾンの導入を継続する。上述の設定濃度、すなわちオゾ
ン水中のオゾン濃度は、オゾンの酸化力を複数の基板Ｗ
に十分に作用させるために２５ｐｐｍ以上とすることが
好ましい。

【００３８】また、濃度信号ＳＤを受け取った制御部６
は、設定濃度と濃度信号ＳＤとを比較し、その差が大き
い場合は、オゾン水に対するオゾンの溶解度をさらに高
めるために冷却部２５に制御信号ＳＣを送信する。この
制御信号ＳＣを受け取った冷却部６はオゾン水をさらに
冷却するように動作する。

【００３９】濃度測定部２６の測定結果が設定濃度に達
すると、制御部６は、オゾン溶解部３のバルブ３２を閉
じて混合部３３へのオゾンの導入を停止させるととも
に、冷却部２５が動作している場合はその冷却動作を停
止させる。そして、オゾン濃度が設定濃度に達っしたオ
ゾン水が供給部１に対して循環供給されて準備工程が完
了する。

【００４０】次に、複数の基板Ｗを洗浄する洗浄工程に
ついて説明する。複数の基板Ｗは、図示しない搬送ロボ
ットによって洗浄槽１２内の支持部材１３に載置され、
洗浄槽１２に貯留されたオゾン水１１に浸漬される。

【００４１】複数の基板Ｗが浸漬されると制御部６によ
って超音波発生器１５が駆動されて、洗浄槽１２に貯留
されたオゾン水１１に超音波振動が付与される。このよ
うにオゾン水１１に超音波振動が付与されると、超音波
の周波数に応じて洗浄槽１２に貯留されたオゾン水１１
中にキャビテーション（空洞）や衝撃波が発生する。こ
のキャビテーションや衝撃波の作用によって複数の基板
Ｗに付着したパーティクルを容易に除去することが可能
となり、基板Ｗの洗浄効率をさらに向上させることがで
きる。

【００４２】そして、複数の基板Ｗをオゾン水１１に浸
漬させて所定時間が経過した後、搬送ロボットによって
複数の基板Ｗが支持部材１３から洗浄槽１２外へと搬出
されて、洗浄工程が完了する。この洗浄工程は複数の処
理ロット毎に繰り返される。

【００４３】上述のように複数の基板Ｗは、十分にオゾ
ンが溶解され、超音波振動が付与されたオゾン水１１に
浸漬されるので、オゾン水１１中のオゾンの酸化力を用
いて基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実
に除去できるとともに、超音波振動よるキャビテーショ
ンや衝撃波の作用によって、複数の基板Ｗの洗浄処理を
促進することができ洗浄効率が向上できる。

【００４４】上述の準備工程終了後、洗浄工程開始ま
で、および、処理ロット毎に繰り返される洗浄工程中や
洗浄工程間において、循環経路２および供給部１を循環
するオゾン水中のオゾン濃度およびオゾン水の温度は、
濃度測定部２６、温度センサ１７および制御部６によっ
て常時監視されている。そして、濃度測定部２６および
制御部６がオゾン水中のオゾン濃度が設定濃度より低く
なったことを検出すると、制御部６によってオゾン導入
部３のバルブ３２が開かれ、混合部３３にオゾンが導入
されて、混合部３３によって循環用配管２１中を流れる
オゾン水にオゾンをさらに溶解させて、オゾン濃度を設
定濃度とする。また、温度センサ１７および制御部６が
オゾン水の温度が設定温度より高いことを検出すると、
制御部６によって冷却部２５が動作させられ、冷却部２
５によって循環用配管２１中を流れるオゾン水を冷却し
てオゾン水の温度を設定温度とする。

【００４５】次に排液工程について説明する。上述のよ
うに処理ロット毎に洗浄工程を繰り返すと、洗浄槽１２
内のオゾン水１１中に、複数の基板Ｗから除去された有
機物や金属汚染物などが増加し洗浄効率が次第に低下す
る。このようにオゾン水の洗浄効率が低下すると、循環
経路２のバルブ２２および排液部５のバルブ５２、バル
ブ５４が制御部６によって開けられるとともに、ポンプ
２３が駆動される。このときバルブ４２、バルブ２４お
よびバルブ３２は閉じられている。

【００４６】バルブ２２、バルブ５２およびバルブ５４
が開けられることにより、洗浄槽１１に貯留されたオゾ
ン水１１は、槽内排液管５３、循環用配管２１の一部分
および排液管５１を介してポンプ２３によって送液さ
れ、廃液設備に向けて排出される。また、外槽１６に貯
留されたオゾン水１１は、循環用配管２１の一部分およ
び排液管５１を介してポンプ２３によって送液され、廃
液設備に向けて排出される。そして、排液工程が終了す
ると上述の準備工程が再び開始される。

【００４７】上述の実施の形態においては、温度センサ
１７および濃度測定部２６からの温度信号ＳＴおよび濃
度信号ＳＤに基づいて制御部６が冷却部２５を制御する
が、温度信号ＳＴまたは濃度信号ＳＤのいずれか一方の
みを制御部６に送信し、温度信号ＳＴまたは濃度信号Ｓ
Ｄのいずれかのみに基いて冷却部２５を制御しても良
い。具体的には、温度信号ＳＴのみに基いて冷却部２５
を制御する場合は、温度センサ１７による測定結果が設
定温度に達するまで冷却部２５を動作させれば良い。濃
度信号ＳＤのみに基いて冷却部２５を制御する場合は、
濃度測定部２６による測定結果が設定濃度に達していな
いときに、冷却部２５を動作させれば良い。

【００４８】本発明の実施の形態は上述の実施の形態に
限定されず、例えば、温度センサ１７を洗浄槽１２内に
配置するのではなく、循環経路２の循環用配管２１に介
設させても良い。また、オゾン水または純水を冷却する
機構は熱電冷却素子を用いた機構に限定されず、例えば
熱電冷却素子に代えて、冷却部２５内を流れるオゾン水
中に冷媒として冷却水が流れる冷却用配管を設けても良
い。

【００４９】さらに、濃度測定部２６は、循環用配管２
１から分岐したサンプリング用の配管を介して循環用配
管２１から一定量のオゾン水を随時抽出しオゾン濃度を
測定するように介設しても良い。また、濃度測定部２６
を洗浄槽１２内に設けても良い。

【００５０】また、工場設備として設置されたオゾン供
給設備を用いる代わりに、基板処理装置にオゾンを生成
するオゾン生成部を設けても良い。このオゾン生成部と
して、酸素ガスが充満した反応室内に放電を与えてオゾ
ンを発生させる生成機構や水を電気分解し、分解された
酸素原子からオゾンを生成する機構などを用いることが
できる。

【００５１】さらに、オゾン水を用いて基板に施す処理
は洗浄処理に限定されず基板にオゾン水を供給して基板
を処理するものであれば、本発明を適用することができ
る。

【００５２】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理装置によ
れば、供給手段により基板に供給されるオゾン水中のオ
ゾン濃度を高めることができて、基板の表面に付着した
有機物や金属汚染物等を確実に除去できる。

【００５３】また、請求項２に係る発明の基板処理装置
によれば、循環手段によって供給手段から基板にオゾン
水が循環供給されるので、オゾン水の使用量を削減する
ことができる。また、溶解手段および冷却手段が循環手
段に介設されるので、純水またはオゾン水に対するオゾ
ンの溶解処理および冷却処理が簡素な構成で実行するこ
とができる。

【００５４】さらに、請求項３に係る発明の基板処理装
置によれば、温度測定手段による測定結果に基づいて制
御手段によって冷却手段が制御されるので、純水または
オゾン水の冷却処理を確実に実行することができる。

【００５５】またさらに、請求項４に係る発明の基板処
理装置によれば、濃度測定手段による測定結果に基づい
て制御手段によって溶解手段または冷却手段が制御され
るので、純水またはオゾン水の冷却処理を確実に実行で
きるとともに、供給手段から基板に供給するオゾン水中
のオゾン濃度を所望値以上にできる。

【００５６】また、請求項５に係る発明の基板処理方法
によれば、準備工程で０℃から１５℃の範囲内で冷却さ
れた純水またはオゾン水にオゾンが溶解されて生成され
たオゾン水が供給工程で基板に供給されるので、基板に
供給されるオゾン水中のオゾン濃度を高めることができ
て、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実
に除去できる。

【００５７】また、請求項６に係る発明の基板処理方法
によれば、オゾンの濃度が２５ｐｐｍ以上であるオゾン
水が供給工程で基板に供給されるので、オゾン水中のオ
ゾンの酸化力を十分に基板に作用させることができて処
理効率が向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の１実施形態を示し、オゾン水を基板
に供給して基板を洗浄処理する基板処理装置の概略構成
を示す模式図である。

【符号の説明】

１ 供給部 ２ 循環経路 ３ オゾン溶解部 ４ 純水導入部 ５ 排液部 ６ 制御部 Ｗ 基板 １２ 洗浄槽 １７ 温度センサ ２５ 冷却部 ２６ 濃度測定部 ＳＴ 温度信号 ＳＤ 濃度信号 ＳＣ 制御信号

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項1】 基板にオゾン水を供給して基板に所定の
   処理を施す基板処理装置において、 純水またはオゾン水を冷却する冷却手段と、 冷却手段によって冷却された純水またはオゾン水にオゾ
   ンを溶解させる溶解手段と、 溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン水を基板に
   供給する供給手段と、を有することを特徴とする基板処
   理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 供給手段によって基板に供給されたオゾン水を回収し、
   供給手段に循環させる循環経路をさらに有し、 この循環経路に溶解手段および冷却手段が介設されてい
   ることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 冷却手段によって冷却されるべき純水またはオゾン水の
   温度を測定する温度測定手段と、 この温度測定手段による測定結果に基づいて冷却手段を
   制御する制御手段とをさらに有することを特徴とする基
   板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
   の基板処理装置において、 溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン水中のオゾ
   ン濃度を測定する濃度測定手段と、 この濃度測定手段による測定結果に基づいて溶解手段ま
   たは冷却手段を制御する制御手段とをさらに有すること
   を特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 基板にオゾン水を供給して基板に所定の
   処理を施す基板処理方法において、 ０℃から１５℃の範囲内で冷却された純水またはオゾン
   水にオゾンを溶解させてオゾン水を生成する準備工程
   と、 準備工程で生成されたオゾン水を基板に供給する供給工
   程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理方法におい
   て、 供給工程で基板に供給されるオゾン水中のオゾン濃度が
   ２５ｐｐｍ以上となるように、準備工程で純水またはオ
   ゾン水にオゾンを溶解させることを特徴とする基板処理
   方法。