JP2002100605A

JP2002100605A - 基板処理装置

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Publication number: JP2002100605A
Application number: JP2001029604A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Fujikawa; 和憲藤川; Masato Tanaka; 眞人田中
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-07-19
Filing date: 2001-02-06
Publication date: 2002-04-05
Anticipated expiration: 2021-02-06
Also published as: JP3808709B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理液の特性制御を容易なものとすることが
できる基板処理装置を提供する。【解決手段】多機能槽ＭＢに新たな処理液を供給する
新液供給ラインＮＬと、多機能槽ＭＢから流出した処理
液を新液供給ラインＮＬとは異なる経路にて循環させて
多機能槽ＭＢに再供給する処理液循環ラインＣＬとが設
けられている。多機能槽ＭＢには、４本の供給ノズルＮ
Ｚ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４が配置されており、供給
バルブ２１〜２８の開閉によって４本の供給ノズルのぞ
れぞれは新液供給ラインＮＬまたは処理液循環ラインＣ
Ｌのいずれかに接続される。新液供給ラインＮＬと処理
液循環ラインＣＬとは互いに独立したものとなるため、
新液供給ラインＮＬに対する循環液による影響を排除す
ることができ、処理液の特性制御を容易なものとするこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理槽に所定の処
理液を供給しつつ、その処理液中に半導体基板、液晶表
示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光デ
ィスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を浸漬
することによって洗浄処理等の基板処理を行う基板処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、上記のような基板処理装置
は、予め定められた手順に従ってフッ酸、過酸化水素
水、アンモニア水、塩酸、オゾン水、水素水等の薬液お
よび純水（以下、薬液および純水を総称して処理液とす
る）へのロット（バッチ処理を行うときの一組の複数の
基板）の浸漬処理を繰り返し、基板表面の汚染物質を除
去したり、基板表面の酸化膜をエッチングしたり、レジ
スト膜を剥離したりする一連の基板処理を達成してい
る。浸漬処理は、処理液を貯留した処理槽に基板を浸漬
することによって行われる。

【０００３】このような基板処理装置においては浸漬処
理に多量の処理液が必要となり、処理液の消費量を節約
するために処理槽から流出した処理液を循環して再利用
する場合がある。図１７は、従来における処理液循環機
構を備えた基板処理装置の概略構成を示す図である。

【０００４】図１７の基板処理装置においては、処理槽
２０１に種々の処理液を供給することが可能であり、例
えば、純水供給源２１０から送給された純水中にミキシ
ングバルブ２１５により塩酸や過酸化水素水等の薬液を
混入してＳＣ−１（アンモニア水と過酸化水素水と純水
とを混合した洗浄液）やＳＣ−２（塩酸と過酸化水素水
と純水とを混合した洗浄液）を供給することができる。
また、洗浄液供給源２１１からオゾン水や水素水を送給
して処理槽２０１に供給することができる。

【０００５】これら種々の処理液の供給は供給ノズル２
０２から処理槽２０１内に処理液を吐出することによっ
て行われる。吐出された処理液は処理槽２０１内に貯留
され、その貯留された処理液中に基板Ｗを浸漬すること
によって基板表面処理が進行する。

【０００６】一方、供給ノズル２０２から処理槽２０１
内に処理液を吐出し続けると、やがて処理槽２０１の上
端から処理液が溢れ出す。溢れ出た処理液は処理槽２０
１に設けられた回収部２０３によって回収され、ポンプ
２２０によってフィルタ２２１を介して元の処理液供給
経路に戻される。すなわち、図１７の基板処理装置にお
いては、処理槽２０１から溢れ出た処理液が循環利用さ
れることとなる。なお、処理槽２０１から溢れ出た処理
液の一部は排液として装置外部に排出される。

【０００７】このように、処理槽２０１から溢れ出た使
用済みの処理液を循環利用することにより、基板処理装
置全体における処理液消費量を節約することができ、そ
の結果基板処理に要するコストを低減することができ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な浸漬処理において基板Ｗの表面処理の均一性を保つた
めには、供給ノズル２０２から吐出される処理液の特性
（濃度、温度等）を常に一定に保つことが重要である。
上記従来の装置においては、洗浄液供給源２１１等から
送給される新たな処理液と循環されている処理液とが混
合されて処理槽２０１に供給されることとなるため、供
給ノズル２０２から吐出される処理液の特性を一定に保
つためには、新たに送給される処理液と循環される処理
液との双方の特性を絶えず監視し、循環される処理液の
特性に応じて新たに送給される処理液の特性を適切に制
御する必要があった。例えば、オゾン水による表面処理
を行っている場合において、循環されるオゾン水中のオ
ゾン濃度が低下したときには、洗浄液供給源２１１から
送給されるオゾン水のオゾン濃度を高くすることによ
り、供給ノズル２０２から吐出されるオゾン水のオゾン
濃度を一定に維持する必要があった。

【０００９】しかしながら、循環される処理液の特性は
必ずしも一定ではなく、浸漬処理の工程等によって絶え
ず変動するものであるため、供給ノズル２０２から吐出
される処理液の特性を一定に保つための新たな処理液の
特性制御は非常に困難なものであった。しかも、循環さ
れる処理液の流量自体も浸漬処理の工程内容によって大
きく変動する値であり、その影響を受けて供給ノズル２
０２から吐出される処理液の特性も変動せざるを得なか
った。すなわち、従来においては、複雑な制御を行って
いるにもかかわらず、供給ノズル２０２から吐出される
処理液の特性は不安定なものであり、その結果基板Ｗの
処理の均一性も損なわれるという問題が生じていた。

【００１０】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、処理液の特性制御を容易なものとすることがで
きる基板処理装置を提供することを目的とする。

【００１１】また、本発明は、均一な基板処理を行うこ
とができる基板処理装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、処理槽に所定の処理液を供給し
つつ、その処理液中に基板を浸漬することによって基板
処理を行う基板処理装置において、前記処理槽に新たな
処理液を供給する新液供給ラインと、前記処理槽から流
出した処理液を前記新液供給ラインとは異なる経路にて
循環させて前記処理槽に再供給する処理液循環ライン
と、を備え、前記処理槽には複数の供給部を配置し、前
記複数の供給部のそれぞれを、前記新液供給ラインまた
は前記処理液循環ラインのいずれかに接続している。

【００１３】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記複数の供給部ごとに
前記新液供給ラインとの接続と前記処理液循環ラインと
の接続とを切り換える切換手段をさらに備えている。

【００１４】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記処理
液循環ラインに、循環される処理液の温度調節を行う温
調手段を備えている。

【００１５】また、請求項４の発明は、請求項１から請
求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記処理液循環ラインに、循環される処理液に当該処理
液の溶質を溶解する溶解手段を備えている。

【００１６】また、請求項５の発明は、請求項４の発明
に係る基板処理装置において、前記処理液をオゾン水と
し、前記溶解手段に、循環されるオゾン水にオゾンガス
を溶解させている。

【００１７】また、請求項６の発明は、処理槽に所定の
処理液を供給しつつ、その処理液中に基板を浸漬するこ
とによって基板処理を行う基板処理装置において、前記
処理槽に新たな処理液のみを供給する新液供給機構と、
前記処理槽から流出した処理液を循環させて前記処理槽
に再供給する処理液循環機構と、を備え、前記新液供給
機構と前記処理液循環機構とを互いに独立して設けてい
る。

【００１８】また、請求項７の発明は、請求項１から請
求項６のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記処理槽に貯留された処理液中にて基板を回転する基
板回転手段をさらに備えている。

【００１９】また、請求項８の発明は、請求項７の発明
に係る基板処理装置において、前記基板回転手段に、前
記処理槽に貯留された処理液中にて基板を支持する基板
支持手段と、前記基板支持手段を前記処理槽と非接触状
態にて保持する非接触保持機構と、前記処理槽外に設け
られ、前記基板支持手段を非接触にて回転させる非接触
駆動手段と、を含ませている。

【００２０】また、請求項９の発明は、請求項８の発明
に係る基板処理装置において、前記非接触保持機構に、
磁力により前記基板支持手段を前記処理槽と非接触状態
にて保持させ、前記非接触駆動手段に、前記基板支持手
段を磁力により非接触にて回転させている。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００２２】＜１．第１実施形態＞＜１−１．基板処理装置の全体構成＞図１は、本発明に
係る基板処理装置１の一例の全体構成を示す斜視図であ
る。図示のように、この基板処理装置１は、未処理基板
を収納しているカセットＣＳが投入されるカセット搬入
部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣＳが載
置され内部から複数の基板（ロット）が同時に取り出さ
れる基板取出部３と、カセットＣＳから取り出された未
処理基板が順次浸漬処理される基板処理部５と、浸漬処
理後の複数の処理済み基板が同時にカセットＣＳ中に収
納される基板収納部７と、処理済み基板を収納している
カセットＣＳが払い出されるカセット搬出部８とを備え
る。さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収
納部７にわたって基板移載搬送機構９が配置されてお
り、浸漬処理前、浸漬処理中及び浸漬処理後のロットを
一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする。

【００２３】カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣ
Ｒ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置
された一対のカセットＣＳを基板取出部３に移載する。

【００２４】基板取出部３は、昇降移動する一対のホル
ダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣＳ中の
未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能
にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、
カセットＣＳ中から基板が押し上げられる。カセットＣ
Ｓ上方に押し上げられた基板は、基板移載搬送機構９に
設けられた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後
に基板処理部５に投入される。

【００２５】基板処理部５は、フッ酸等の薬液を貯留し
て薬液処理を行う薬液槽ＣＢを備える薬液処理部５２
と、純水を貯留して水洗処理を行う水洗槽ＷＢを有する
水洗処理部５４と、薬液または純水を貯留して単一槽内
で各種の薬液処理や水洗処理を行う多機能槽ＭＢを有す
る多機能処理部５６とを備える。なお、本明細書におい
ては、基板に何らかの処理を行う薬液槽ＣＢ、水洗槽Ｗ
Ｂ、多機能槽ＭＢを総称して処理槽とする。

【００２６】基板処理部５において、薬液処理部５２お
よび水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５
５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能
なリフターＬＨ１によって、搬送ロボットＴＲから受け
取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬した
り、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。リ
フターＬＨ１は、薬液槽ＣＢと水洗槽ＷＢとの間で基板
を搬送することが可能であるとともに、それら処理槽に
対して基板を昇降させることによって当該基板を処理槽
に貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離
脱させることができる。

【００２７】また、多機能処理部５６の後方側には、第
２基板浸漬機構５７が配置されており、これに設けた上
下動可能なリフターＬＨ２によって、搬送ロボットＴＲ
から受け取った基板を多機能処理部５６の多機能槽ＭＢ
内に支持する。リフターＬＨ２は、基板を保持して多機
能槽ＭＢに当該基板を搬入するとともに多機能槽ＭＢか
ら当該基板を搬出する役割を担っている。なお、５２
ａ、５６ａはリフターＬＨ１、ＬＨ２にそれぞれ設けら
れた基板を支持するための基板受部を示す。

【００２８】また、多機能処理部５６には、蓋５８が設
けられている。蓋５８は、その下部に駆動機構（図示省
略）を有しており、当該駆動機構によって多機能槽ＭＢ
の上端部を開閉する開閉動作を行うことができる。蓋５
８は、多機能槽ＭＢの上端部を閉鎖することにより、多
機能槽ＭＢに貯留された処理液への汚染物質の流入を防
止するとともに、多機能槽ＭＢ内の雰囲気が外部に漏洩
するのを防ぐ役割を有している。

【００２９】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによっ
て、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットＣＳ中に収納する。

【００３０】また、カセット搬出部８は、カセット搬入
部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対の
カセットＣＳをカセットステージ８ａ上の所定位置に移
載する。

【００３１】基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この
搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９
１、９２よってロットを把持することにより、基板取出
部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部
５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフターＬＨ１側に
移載したり、このリフターＬＨ１側から隣りの第２基板
浸漬機構５７に設けたリフターＬＨ２側に基板を移載し
たり、このリフターＬＨ２側から基板収納部７のホルダ
７ａ、７ｂに基板を移載したりする。

【００３２】＜１−２．基板処理装置の制御機構＞次
に、上記基板処理装置１の制御機構について説明する。
図２は、図１の基板処理装置１の制御機構を説明するた
めの機能ブロック図である。この基板処理装置１には、
卓上型コンピュータ等からなる制御部３０が組み込まれ
ており、オペレータは制御部３０を介して装置に指令を
与えたり、処理パターンや処理条件の設定を行ったりで
きる。

【００３３】制御部３０は、その本体部であるＣＰＵ３
１と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ３２と、読み
書き自在のメモリーであるＲＡＭ３３と、制御用ソフト
ウェアやレシピ（処理手順を既述したファイル）などを
記憶しておく磁気ディスク３４と、付随する入出力機器
とのインターフェイスである入出力ポート３５と、基板
処理装置１を直接制御する装置とのインターフェイスで
あるネットワークポート３６と、基板処理装置１外部に
設けられているホストコンピュータなどと通信を行う通
信ポート３７とを備えている。また、制御部３０には、
入出力ポート３５を介してディスプレイ３８とキーボー
ド３９とが付随して設けられており、オペレータはディ
スプレイ３８の表示を確認しつつ、キーボード３９から
コマンドやパラメータを入力することができる。

【００３４】制御部３０に入力された指令は、処理用の
ソフトウェアに基づいて処理され、必要に応じて制御部
３０からネットワークポート３６を介してマスターコン
トローラ４０および槽コントローラ５０などに伝達され
る。マスターコントローラ４０は、搬送ロボットＴＲ
（図１参照）の動作を制御する。また、槽コントローラ
５０は、各処理槽に付随して設けられている各種バルブ
や後述の加熱ヒータ１２、溶解モジュール１５等を制御
するとともに、温度センサ１３や濃度センサ１６を管理
する。なお、制御部３０からの指示に基づいた槽コント
ローラ５０による制御内容ついてはさらに後述する。

【００３５】＜１−３．処理槽および処理液供給機構＞
次に、基板処理装置１の処理槽およびその処理槽に処理
液を供給する機構について説明する。ここでは、上述の
多機能槽ＭＢを処理槽の例として説明する。

【００３６】図３は、多機能槽ＭＢおよび多機能槽ＭＢ
に処理液を供給する機構を示す図である。多機能槽ＭＢ
の内部には、リフターＬＨ２（図１参照）によって基板
Ｗが支持されている。そして、多機能槽ＭＢの内部壁面
には４本の供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４
が配置されている。それぞれの供給ノズルＮＺ１（ＮＺ
２、ＮＺ３、ＮＺ４）は円筒形状の供給管であり、その
円筒表面に処理液を吐出するための複数の吐出孔が設け
られている。それぞれの供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、Ｎ
Ｚ３、ＮＺ４に形成された複数の吐出孔から多機能槽Ｍ
Ｂに処理液を吐出することによって、多機能槽ＭＢ内に
処理液が貯留し、その処理液中にリフターＬＨ２によっ
て基板Ｗが支持されることにより、基板Ｗの表面処理が
行われる。

【００３７】また、多機能槽ＭＢの上端部外壁面には回
収部２０が設けられている。回収部２０は、多機能槽Ｍ
Ｂの上端から溢れ出た処理液を回収する機能を有する。

【００３８】基板処理装置１においては、多機能槽ＭＢ
に処理液を供給するための供給ラインが２系統設けられ
ている。一方の系統は多機能槽ＭＢに新たな処理液を供
給する新液供給ラインＮＬであり、他方の系統は多機能
槽ＭＢから流出した処理液を新液供給ラインＮＬとは異
なる経路にて循環させて多機能槽ＭＢに再供給する処理
液循環ラインＣＬである。

【００３９】新液供給ラインＮＬは、新たな処理液（以
下、単に「新液」と称する場合もある）を供給すること
が可能であり、主として複数の液供給源とバルブとを備
えている。バルブ７５およびバルブ４９を開放すること
によって純水供給源７７から新たな純水を供給すること
ができる。純水の供給量はレギュレータ７４によって調
節される。また、バルブ７２およびバルブ４９を開放す
ることによって洗浄液供給源７３からオゾン水、水素水
等の洗浄液を供給することができる。流量計７１は、そ
こを通過する純水または洗浄液の流量を計測する。

【００４０】バルブ４１を開放することによって塩酸供
給源４５から塩酸（ＨＣｌ）を、バルブ４２を開放する
ことによってアンモニア水供給源４６からアンモニア水
（ＮＨ₄ＯＨ）を、バルブ４３を開放することによって
フッ酸供給源４７からフッ酸（ＨＦ）を、バルブ４４を
開放することによって過酸化水素水供給源４８から過酸
化水素水（Ｈ₂Ｏ₂）をそれぞれ供給することができる。
塩酸、アンモニア水、フッ酸、過酸化水素水のそれぞれ
は、流量調整弁７８，７９，８０，８１によってその供
給量を調整することができる。なお、通常バルブ４１，
４２，４３，４４およびバルブ４９は一体のミキシング
バルブとして構成されている。

【００４１】図３に示す如き構成によって、新液供給ラ
インＮＬは、複数種類の新たな処理液を多機能槽ＭＢに
供給することが可能である。例えば、新液供給ラインＮ
ＬからＳＣ−１を供給するときには、バルブ４２、バル
ブ４４、バルブ７５およびバルブ４９を開放し、純水に
アンモニア水と過酸化水素水とを混合して多機能槽ＭＢ
に送給する。純水、アンモニア水、過酸化水素水のそれ
ぞれの流量はレギュレータ７４、流量調整弁７９、流量
調整弁８１によって調整される。

【００４２】また、新液供給ラインＮＬからＳＣ−２を
供給するときには、バルブ４１、バルブ４４、バルブ７
５およびバルブ４９を開放し、純水に塩酸と過酸化水素
水とを混合して多機能槽ＭＢに送給する。純水、塩酸、
過酸化水素水のそれぞれの流量はレギュレータ７４、流
量調整弁７８、流量調整弁８１によって調整される。な
お、ＳＣ−１やＳＣ−２を供給するときには、加熱ヒー
タ７６によって純水を加熱・昇温した状態にて薬液を混
合する場合が多い。

【００４３】また、新液供給ラインＮＬは、オゾン水や
水素水等の機能水を供給することもできる。洗浄液供給
源７３は、純水中にオゾン等を溶解して所定濃度のオゾ
ン水等を生成する機能を有しており、バルブ７２を開放
することによってその生成したオゾン水等を多機能槽Ｍ
Ｂに送給することができる。オゾン水等の流量は流量計
７１によって計測され、バルブ７２の開閉によって調整
される。

【００４４】一方、処理液循環ラインＣＬは、多機能槽
ＭＢから流出した使用済みの処理液を循環して多機能槽
ＭＢに再供給するためのラインであり、ポンプ１０、加
熱ヒータ１２、温度センサ１３、フィルタ１４、溶解モ
ジュール１５、濃度センサ１６、バルブ１７および流量
計１８を備えている。多機能槽ＭＢの上端から溢れ出た
処理液は回収部２０によって回収され、ポンプ１０によ
って処理液循環ラインＣＬに沿って循環され多機能槽Ｍ
Ｂに再供給される。なお、処理液循環ラインＣＬに流入
した処理液の一部は排液バルブ１１を開放することによ
って装置外部に排出される。

【００４５】処理液循環ラインＣＬには加熱ヒータ１２
が設けられており、循環する処理液（以下、単に「循環
液」と称する場合もある）を加熱ヒータ１２によって加
熱することができる。また、溶解モジュール１５には図
示を省略するガス供給ラインが接続されており、循環す
る処理液中に当該処理液の溶質を溶解することができ
る。加熱ヒータ１２による処理液の加熱および溶解モジ
ュール１５による溶質の溶解は、それぞれ温度センサ１
３による測温結果および濃度センサ１６による濃度測定
結果に基づいて槽コントローラ５０が制御する。また、
フィルタ１４は循環する処理液中のパーティクル等を除
去する。

【００４６】本実施形態において、新液供給ラインＮＬ
は、供給バルブ２２、２４、２６、２８を介して供給ノ
ズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４のぞれぞれと接続
されている。一方、処理液循環ラインＣＬは、供給バル
ブ２１、２３、２５、２７を介して供給ノズルＮＺ１、
ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４のそれぞれと接続されている。
ここで、例えば、供給ノズルＮＺ１に繋がる供給バルブ
２１と供給バルブ２２とはいずれか一方が択一的に開放
され、他方は閉鎖されるものである。供給バルブ２１が
開放されるとともに供給バルブ２２が閉鎖されていると
きには、供給ノズルＮＺ１からは循環液のみが多機能槽
ＭＢに吐出される。逆に、供給バルブ２１が閉鎖される
とともに供給バルブ２２が開放されているときには、供
給ノズルＮＺ１からは新液のみが多機能槽ＭＢに吐出さ
れる。

【００４７】同様に、供給ノズルＮＺ２に繋がる供給バ
ルブ２３と供給バルブ２４とはいずれか一方が択一的に
開放され、他方は閉鎖される。供給ノズルＮＺ３に繋が
る供給バルブ２５と供給バルブ２６もいずれか一方が択
一的に開放され、他方は閉鎖される。供給ノズルＮＺ４
に繋がる供給バルブ２７と供給バルブ２８もいずれか一
方が択一的に開放され、他方は閉鎖される。すなわち、
供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４のそれぞれ
は、新液供給ラインＮＬまたは処理液循環ラインＣＬの
いずれかに接続されるのである。

【００４８】従って、本実施形態においては、多機能槽
ＭＢに処理液を供給するための供給ラインとしての新液
供給ラインＮＬおよび処理液循環ラインＣＬは、相互に
独立した機構として設けられており、供給バルブ２１〜
２８は供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４ごと
に新液供給ラインＮＬとの接続と処理液循環ラインＣＬ
との接続とを切り換える切換手段としての役割を果たし
ている。

【００４９】＜１−４．処理液供給態様＞次に、図３に
示した新液供給ラインＮＬおよび処理液循環ラインＣＬ
から多機能槽ＭＢへの処理液供給態様について説明す
る。上述のように、新液供給ラインＮＬは、種々の新液
を多機能槽ＭＢに供給することができる。処理液循環ラ
インＣＬは、多機能槽ＭＢから流出した処理液を循環し
て再供給するためのラインであるため、その循環液の種
類は新液供給ラインＮＬによって供給される処理液と同
じである。

【００５０】多機能槽ＭＢにおける一般的な処理内容
は、処理液中にリフターＬＨ２によって基板Ｗを浸漬し
て処理液を置換または処理液を置換した後基板Ｗを浸漬
し、新液供給ラインＮＬおよび処理液循環ラインＣＬの
双方から同時に多機能槽ＭＢに処理液を供給して基板Ｗ
の表面処理を行うというものである。

【００５１】図４は、多機能槽ＭＢへの新液および循環
液の供給態様の一例を示す図である。処理液の種類にか
かわらず、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４
のそれぞれからは新液または循環液が択一的に吐出され
る。図４の例では、供給バルブ２４、２８が開放され
て、供給ノズルＮＺ２、ＮＺ４からは図中矢印ＡＲ２、
ＡＲ４にて示す如く新液が吐出されると同時に、供給バ
ルブ２１、２５が開放されて、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ
３からは図中矢印ＡＲ１、ＡＲ３にて示す如く循環液が
吐出される。このときに、供給バルブ２３、２７が閉鎖
されて供給ノズルＮＺ２、ＮＺ４からの循環液吐出が停
止されるとともに、供給バルブ２２、２６も閉鎖されて
供給ノズルＮＺ１、ＮＺ３からの新液吐出も停止されて
いる。すなわち、新液供給ラインＮＬと処理液循環ライ
ンＣＬとが相互に独立して設けられていることにより、
新液および循環液は相互に相手の影響を受けることなく
多機能槽ＭＢに供給される。

【００５２】従って、供給ノズルＮＺ２、ＮＺ４からの
新液供給に際して、循環液による外乱を排除することが
でき、新液供給ラインＮＬにおける新液の特性を一定に
保っておけば、基板Ｗのうちの供給ノズルＮＺ２、ＮＺ
４に近い部分の表面処理は均一でかつ安定したものとな
る。さらに述べると、循環液による外乱をうけないため
に、新液供給ラインＮＬにおける新液の特性制御が容易
になり、しかも新液の特性を安定させることができ、そ
の結果基板Ｗのうちの供給ノズルＮＺ２、ＮＺ４に近い
部分の表面処理を均一でかつ安定したものとすることが
できるのである。そして、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ３か
らは循環液が供給されるため、多機能槽ＭＢへの処理液
供給量は豊富なものとなり、多機能槽ＭＢ内の処理液停
滞部が排除されて反応速度を増加させることができると
ともに、新液消費量を低減することができる。

【００５３】また、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ３から循環
液を供給することによって多機能槽ＭＢ内を撹拌するこ
とができる。これによって、多機能槽ＭＢ内の処理液の
特性を均一にすることができるとともに、反応速度をさ
らに高めることができる。

【００５４】また、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ
３、ＮＺ４のそれぞれから新液または循環液のいずれを
吐出するかについては槽コントローラ５０が供給バルブ
２１〜２８の開閉を制御することによって適宜切り換え
ることができる。図５は、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、
ＮＺ３、ＮＺ４のそれぞれからの新液または循環液の吐
出態様の一例を示すタイミングチャートである。

【００５５】図５の例では、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで
の間は、図４にて示したように、供給ノズルＮＺ２、Ｎ
Ｚ４から新液が吐出されると同時に、供給ノズルＮＺ
１、ＮＺ３から循環液が吐出される。その後、時刻ｔ１
において供給バルブ２２を開放するとともに、供給バル
ブ２７を開放する（供給バルブ２１および供給バルブ２
８は閉鎖する）ことにより、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで
の間は、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２から新液が吐出さ
れ、供給ノズルＮＺ３、ＮＺ４から循環液が吐出され
る。

【００５６】以後、同様に供給バルブ２１〜２８の開閉
を切り換えて、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの間は、供給
ノズルＮＺ１、ＮＺ３から新液が吐出されると同時に、
供給ノズルＮＺ２、ＮＺ４から循環液が吐出される。時
刻ｔ３から時刻ｔ４までの間は、供給ノズルＮＺ３、Ｎ
Ｚ４から新液が吐出されると同時に、供給ノズルＮＺ
１、ＮＺ２から循環液が吐出される。そして、時刻ｔ４
から時刻ｔ５までの間は、時刻ｔ０から時刻ｔ１までと
同様に、供給ノズルＮＺ２、ＮＺ４から新液が吐出され
ると同時に、供給ノズルＮＺ１、ＮＺ３から循環液が吐
出され、以降同様の工程が繰り返される。すなわち、時
刻ｔ０から時刻ｔ４までを１サイクルとして、これが複
数サイクル繰り返されるのである。

【００５７】このようにすれば、特性の安定した新液を
基板Ｗの各部分に順次に均一に供給することができるた
め、全体としての基板処理の均一性を確保することがで
きる。

【００５８】また、処理液循環ラインＣＬには、加熱ヒ
ータ１２や溶解モジュール１５が設けられており、これ
らによって循環液の特性を調整することにより、上述し
た処理液供給量確保以外の循環液供給による付加的な効
果を得ることができる。加熱ヒータ１２や溶解モジュー
ル１５の使用は処理液の種類によって異なるものであ
り、以下処理液の典型例としてオゾン水である場合およ
びＳＣ−１である場合について述べる。

【００５９】＜１−４−１．オゾン水＞オゾン水は、基
板Ｗの表面に付着した有機物等を分解するために使用さ
れる。オゾン水を処理液とするときには、新液供給ライ
ンＮＬにおけるバルブ４９およびバルブ７２を開放する
ことによって洗浄液供給源７３にて生成されたオゾン水
を多機能槽ＭＢに送給する。なお、オゾン水使用時に
は、バルブ４１，４２，４３，４４，７５は閉鎖してお
く。一方、処理液循環ラインＣＬによる処理液循環も同
時に行う。

【００６０】供給バルブ２１〜２８の開閉の態様、すな
わち供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４のそれ
ぞれから新液または循環液のいずれを吐出するかについ
ては上述と同じである。そして、新液供給ラインＮＬか
ら供給するオゾン水の温度、濃度等の特性は一定にして
おく。また、新液供給ラインＮＬからのオゾン水供給量
も一定にしておく。従って、新液供給ラインＮＬにおけ
る制御は、循環液による影響を受けない状況下にて新た
なオゾン水の特性を一定に保つような制御のみで良いた
め、非常に容易なものとなる。そして、基板処理の均一
性が確保できることは既述した通りである。さらに、処
理液循環ラインＣＬによるオゾン水循環によって、豊富
なオゾン水供給量を確保することができ、反応速度を高
くすることができることも既述した通りである。

【００６１】ところで、オゾン水はそのオゾン濃度およ
び温度が高いほど、有機物の分解速度が向上する。従っ
て、多機能槽ＭＢにオゾン濃度の高いオゾン水または温
度の高いオゾン水を供給すれば、基板Ｗの表面処理に要
する時間を短縮することができる。しかしながら、オゾ
ン水の温度が高くなるとオゾンの溶解度が低下するた
め、オゾン濃度を低下させることなく新液供給ラインＮ
Ｌからの新たなオゾン水の温度を高くすることは困難で
ある。そこで、処理液循環ラインＣＬの加熱ヒータ１２
によって循環されるオゾン水を加熱すれば、多機能槽Ｍ
Ｂ内のオゾン水のオゾン濃度を低下させることなく、そ
の温度を高くすることができ、その結果反応速度が増加
して処理時間を短縮することができる。このときに、新
液供給ラインＮＬから供給するオゾン水の特性は変化さ
せないものとし、新液供給ラインＮＬにおける制御は容
易なものとしている。

【００６２】また、オゾン水によって基板Ｗの表面洗浄
処理を行うと、有機物の分解時にオゾンが消費され、多
機能槽ＭＢから処理液循環ラインＣＬに流出したオゾン
水中のオゾン濃度は低下している。そこで、溶解モジュ
ール１５によって循環されるオゾン水にオゾンガスを再
溶解すると、消費されたオゾンを補うことができる。そ
の結果、多機能槽ＭＢ中のオゾン水のオゾン濃度を維持
することができ、反応速度を速めて処理時間を短縮する
ことができる。このときも、新液供給ラインＮＬから供
給するオゾン水の特性は変化させないものとし、新液供
給ラインＮＬにおける制御は容易なものとしている。

【００６３】以上のように、処理液循環ラインＣＬの加
熱ヒータ１２や溶解モジュール１５を用いて循環される
オゾン水の特性を調整することにより、新液供給ライン
ＮＬと処理液循環ラインＣＬとを分離したことによる上
述の効果に加えて、多機能槽ＭＢ内のオゾン濃度の調整
や処理時間を短縮等の付加的な効果を得ることもでき
る。なお、処理液として水素水を用いる場合もオゾン水
の場合とほぼ同じ態様となる。

【００６４】＜１−４−２．ＳＣ−１＞ＳＣ−１は、半
導体基板の洗浄に常用される洗浄液であり、８０℃程度
にまで昇温して使用することも多い。ＳＣ−１を処理液
とするときには、新液供給ラインＮＬにおけるバルブ４
９およびバルブ７５を開放するとともに、バルブ４２お
よびバルブ４４を開放することによって純水中にアンモ
ニア水と過酸化水素水とを混合して多機能槽ＭＢに送給
する。このときに、加熱ヒータ７６によって純水を加熱
し、昇温されたＳＣ−１を送給している。なお、ＳＣ−
１使用時には、バルブ４１，４３，７２は閉鎖してお
く。一方、処理液循環ラインＣＬによる処理液循環も同
時に行う。

【００６５】供給バルブ２１〜２８の開閉の態様、すな
わち供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４のそれ
ぞれから新液または循環液のいずれを吐出するかについ
ては上述と同じである。そして、新液供給ラインＮＬか
ら供給するＳＣ−１の温度、濃度等の特性は一定にして
おく。また、新液供給ラインＮＬからのＳＣ−１供給量
も一定にしておく。従って、新液供給ラインＮＬにおけ
る制御は、循環液による影響を受けない状況下にて新た
なＳＣ−１の特性を一定に保つような制御のみで良いた
め、非常に容易なものとなる。そして、基板処理の均一
性が確保できることは既述した通りである。さらに、処
理液循環ラインＣＬによるＳＣ−１循環によって、豊富
なＳＣ−１供給量を確保することができ、反応速度を高
くすることができることも既述した通りである。

【００６６】ところで、多機能槽ＭＢに供給されたＳＣ
−１の温度は徐々に低下し、多機能槽ＭＢから処理液循
環ラインＣＬに流出したＳＣ−１の温度は新液供給ライ
ンＮＬから供給されるＳＣ−１の温度よりも低くなって
いる。そこで、処理液循環ラインＣＬの加熱ヒータ１２
によって循環されるＳＣ−１を再加熱すれば、多機能槽
ＭＢ内のＳＣ−１の温度を維持することができ、その結
果反応速度の低下を防止することができる。このとき
に、新液供給ラインＮＬから供給するＳＣ−１の特性は
変化させないものとし、新液供給ラインＮＬにおける制
御は容易なものとしている。

【００６７】以上のように、処理液循環ラインＣＬの加
熱ヒータ１２を用いて循環されるＳＣ−１の温度を調整
することにより、新液供給ラインＮＬと処理液循環ライ
ンＣＬとを分離したことによる上述の効果に加えて、反
応速度の低下防止という付加的な効果を得ることもでき
る。なお、処理液としてＳＣ−２を用いる場合もＳＣ−
１の場合とほぼ同じ態様となる。

【００６８】＜２．第２実施形態＞＜２−１．多機能槽ＭＢの構成＞次に、本発明の第２実
施形態について説明する。図６は、第２実施形態の基板
処理装置の構成を示す図である。図３と対比すると明ら
かなように、第２実施形態の基板処理装置が第１実施形
態と相違するのは、多機能槽ＭＢの内部に基板Ｗを回転
させるための２本のローラ１４０ａ，１４０ｂを設けて
いる点および基板Ｗを回転させるのに必要な機構を設け
ている点である。残余の点、例えば装置の全体構成や処
理液供給機構については第１実施形態と同じであるた
め、同一の符号を付してその説明については省略する。

【００６９】図７は第２実施形態の多機能槽ＭＢを正面
から見た断面図であり、図８は多機能槽ＭＢを上面から
見た平面図であり、図９は多機能槽ＭＢの側面図であ
る。なお、図７および以降の各図にはそれらの方向関係
を明確にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向と
し、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付して
いる。

【００７０】第２実施形態においては、多機能槽ＭＢの
内部に４本の供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ
４の他、２本の転倒防止部１３０ａ，１３０ｂおよび２
本のローラ１４０ａ，１４０ｂを備えるとともに、多機
能槽ＭＢの外部にローラ１４０ａ，１４０ｂを回転駆動
させるローラ駆動部１５０を備えている。

【００７１】第１実施形態と同様に、多機能槽ＭＢには
４本の供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４から
処理液が供給され貯留される。このときの処理液供給態
様は第１実施形態と全く同じである。すなわち、新液供
給ラインＮＬと処理液循環ラインＣＬとが相互に独立し
て設けられていることにより、新液および循環液は相互
に相手の影響を受けることなく多機能槽ＭＢに供給され
る。なお、図示の便宜上、図８および図９では供給ノズ
ルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４の記載を省略してい
る。

【００７２】リフターＬＨ２の基板受部５６ａ（図１参
照）は、３本の保持棒１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに
よって構成されている。そして、リフターＬＨ２がその
３本の保持棒１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃに１組の複
数の基板Ｗ（ロット）を保持させつつ昇降することによ
って、それら複数の基板Ｗを多機能槽ＭＢ内の処理液中
に浸漬したり、処理液から引き揚げたりすることができ
る。

【００７３】より具体的には、リフターＬＨ２の３本の
保持棒１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃのそれぞれには基
板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢にて保持
する複数の保持溝が所定間隔に配列して刻設されてい
る。複数の基板Ｗを多機能槽ＭＢの処理液中に浸漬する
ときには、まず３本の保持棒１２５ａ、１２５ｂ、１２
５ｃの保持溝に各基板Ｗの端縁部がはまり込み、それぞ
れの主面が鉛直方向に沿って相互に所定の間隔を隔てて
積層された状態にて複数の基板Ｗが３本の保持棒１２５
ａ、１２５ｂ、１２５ｃに保持される（図７の一点鎖線
の状態）。その状態からリフターＬＨ２が降下すると、
３本の保持棒１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃに保持され
た複数の基板Ｗも降下してやがて多機能槽ＭＢ内の処理
液中に浸かる。さらに、リフターＬＨ２が降下を続ける
と、複数の基板Ｗの全体が処理液中に浸漬され、３本の
保持棒１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃから２本のローラ
１４０ａ，１４０ｂに複数の基板Ｗが渡されるととも
に、３本の保持棒１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃが基板
Ｗから離れて若干下方に降下した位置にて停止する（図
７の実線の状態）。

【００７４】逆に、複数の基板Ｗを多機能槽ＭＢの処理
液から引き揚げるときには、図７の実線の状態からリフ
ターＬＨ２が上昇し、ローラ１４０ａ，１４０ｂに支持
されている複数の基板Ｗに３本の保持棒１２５ａ、１２
５ｂ、１２５ｃが当接し、その保持溝に各基板Ｗの端縁
部がはまり込む。そして、リフターＬＨ２がさらに上昇
すると、ローラ１４０ａ，１４０ｂから３本の保持棒１
２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃに複数の基板Ｗが受け渡さ
れ、やがて複数の基板Ｗが３本の保持棒１２５ａ、１２
５ｂ、１２５ｃに相互に所定の間隔を隔てて積層保持さ
れた状態にて処理液から引き揚げられ、図７の一点鎖線
の状態に戻る。

【００７５】２本のローラ１４０ａ，１４０ｂは、多機
能槽ＭＢに貯留された処理液中にて複数の基板Ｗを支持
するとともに、それら基板ＷをＸ方向を軸として回転さ
せる機能を有する。２本のローラ１４０ａ，１４０ｂ
は、それぞれ多機能槽ＭＢの底面と平行に配置され、複
数の基板Ｗの主面を鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿わせた状
態にてその端縁部を支持する円柱状体である。複数の基
板Ｗの支持を容易にするため、各ローラ１４０ａ，１４
０ｂの表面には所定間隔にて凹凸を形成するようにして
も良い。各凹部に複数の基板Ｗの端縁部がそれぞれはま
り込むことにより、各基板Ｗが所定の間隔を隔てて主面
を鉛直方向に沿わせた状態にて２本のローラ１４０ａ，
１４０ｂに保持されることとなる。

【００７６】洗浄処理や薬液処理を行うときには、図７
に示すように、複数の基板Ｗは２本のローラ１４０ａ，
１４０ｂのみによって支持されており、リフターＬＨ２
の保持棒１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃが基板Ｗから離
間している。すなわち、リフターＬＨ２は処理の前後に
単に基板Ｗを多機能槽ＭＢの内外で昇降させるだけの機
能を有しているのである。そして、洗浄処理や薬液処理
を行うときには、図７中矢印ＡＲ７にて示すように、２
本のローラ１４０ａ，１４０ｂがそれらの長手方向（Ｘ
軸方向）を軸としてそれぞれ回転し、これに伴ってロー
ラ１４０ａ，１４０ｂに支持された複数の基板Ｗが図７
中矢印ＡＲ８にて示すようにＸ軸方向を軸として回転す
る。

【００７７】ここで第２実施形態では、２本のローラ１
４０ａ，１４０ｂがローラ駆動部１５０から非接触にて
回転駆動力を受け、多機能槽ＭＢとは非接触にて回転す
るのであるが、この機構の詳細についてはさらに後述す
る。

【００７８】２本の転倒防止部１３０ａ，１３０ｂは、
ローラ１４０ａ，１４０ｂによって支持された複数の基
板Ｗの転倒を防止するための部材である。２本の転倒防
止部１３０ａ，１３０ｂは、それぞれ固定部材１３５
ａ，１３５ｂを介して多機能槽ＭＢの内壁面に固設され
ている（図８参照）。図９に示すように、２本の転倒防
止部１３０ａ，１３０ｂのそれぞれには凹部１３１と凸
部１３２とが所定のピッチにて形成されている。凹部１
３１および凸部１３２が形成されるピッチは、２本のロ
ーラ１４０ａ，１４０ｂによって複数の基板Ｗが支持さ
れる配列間隔と同じである。

【００７９】ローラ１４０ａ，１４０ｂによって支持さ
れ回転される基板Ｗは、２本の転倒防止部１３０ａ，１
３０ｂによっては支持されていない。図１０は、ローラ
１４０ａ，１４０ｂによって支持された基板Ｗと転倒防
止部１３０ａ，１３０ｂとの位置関係を示す図である。
ローラ１４０ａ，１４０ｂによって支持された基板Ｗの
端縁部は、転倒防止部１３０ａ（１３０ｂ）の凹部１３
１には接触していない。すなわち、転倒防止部１３０
ａ，１３０ｂには基板Ｗの荷重が作用することはないの
である。

【００８０】一方、転倒防止部１３０ａ（１３０ｂ）の
相互に隣接する凸部１３２は、ローラ１４０ａ，１４０
ｂによって支持された基板Ｗの端縁部を非接触にて挟む
位置に形成されている。この凸部１３２は、ローラ１４
０ａ，１４０ｂによって基板Ｗが鉛直方向に沿って正確
に支持されているときはその端縁部に接触するものでは
ないが、何らかの原因によって基板ＷがＸ方向に倒れか
けたときにその端縁部に接触して転倒を防止する。つま
り、２本の転倒防止部１３０ａ，１３０ｂは、ローラ１
４０ａ，１４０ｂによって支持された基板Ｗの荷重を支
持するものではないが、その端縁部を非接触にて挟む位
置に設けられて基板Ｗの転倒を防止する役割を果たして
いる。この目的のためには、ローラ１４０ａ，１４０ｂ
によって支持された基板Ｗの可能な限り上方側端縁部を
挟む位置に２本の転倒防止部１３０ａ，１３０ｂを設け
るのが好ましい。

【００８１】ローラ駆動部１５０は、多機能槽ＭＢの外
部に設けられるとともに、主としてモータ１５２と駆動
力伝達シャフト１５１ａ，１５１ｂとを備えている。図
１１は、ローラ駆動部１５０を示す図であって、多機能
槽ＭＢを背面から（（−Ｘ）向きに）見た図である。駆
動力伝達シャフト１５１ａ，１５１ｂは、ローラ１４０
ａ，１４０ｂの長手方向（Ｘ方向）を軸として回転自在
に設けられたシャフトであり、モータ１５２の回転駆動
力をそれぞれ２本のローラ１４０ａ，１４０ｂに伝達す
るものであるが、後述の如く各ローラ１４０ａ，１４０
ｂとは直接接触していない。２本の駆動力伝達シャフト
１５１ａ，１５１ｂには、それぞれプーリ１５５ａ，１
５５ｂが固設されている。モータ１５２のモータ軸１５
３とプーリ１５５ａとにはベルト１５４ａが巻き掛けら
れるとともに、モータ軸１５３とプーリ１５５ｂとには
ベルト１５４ｂが巻き掛けられる。

【００８２】このような構成により、モータ１５２がモ
ータ軸１５３を回転させると、その回転駆動力はベルト
１５４ａ，１５４ｂを介してプーリ１５５ａ，１５５ｂ
に伝達され、駆動力伝達シャフト１５１ａ，１５１ｂが
回転することとなる。なお、プーリ１５５ａ，１５５ｂ
の径は全く同一である。従って、モータ軸１５３の回転
数にかかわらず、２本の駆動力伝達シャフト１５１ａ，
１５１ｂの回転数は相互に同一である。

【００８３】＜２−２．ローラの保持機構および回転機
構＞上述したように、２本のローラ１４０ａ，１４０ｂ
はローラ駆動部１５０から非接触にて回転駆動力を受
け、多機能槽ＭＢと非接触にて回転するものであり、以
下これを実現するための機構について説明する。第２実
施形態では、かかる機構として磁力によりローラ１４０
ａ，１４０ｂを多機能槽ＭＢと非接触状態にて保持する
非接触保持機構と、磁力により非接触にて回転させる非
接触回転機構とを備えている。さらに、非接触保持機構
はローラ１４０ａ，１４０ｂをその径方向について多機
能槽ＭＢと非接触状態とする径方向接触防止機構および
ローラ１４０ａ，１４０ｂをその長手方向について多機
能槽ＭＢと非接触状態とする長手方向接触防止機構によ
り構成されている。なお、以下においてはローラ１４０
ａについて説明するが、ローラ１４０ｂについても全く
同様である。

【００８４】図１２は、ローラ１４０ａの保持機構およ
び回転機構を示す図である。図１３は、図１２の左側部
分を拡大した図であり、ローラ１４０ａにおけるローラ
駆動部１５０から遠い側の部分を示す図である。また、
図１４は、図１２の右側部分を拡大した図であり、ロー
ラ１４０ａにおけるローラ駆動部１５０に近い側の部分
を示す図である。

【００８５】＜２−２−１．径方向接触防止機構＞ロー
ラ１４０ａの径方向接触防止機構は、円柱磁石１４１，
１４４およびリング状磁石１４２，１４５によって構成
されており、磁力により円柱状体のローラ１４０ａをそ
の径方向について多機能槽ＭＢと非接触状態とする。

【００８６】円柱磁石１４１は、その中心軸がローラ１
４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿った円柱形状の磁石
であって、ローラ受け部１４９に内蔵されている。ロー
ラ受け部１４９は、多機能槽ＭＢに固設された部材であ
って、径の異なる２つの円柱１６２，１６３をＸ軸方向
に沿って２段に積み重ねた形状を有している。円柱磁石
１４１は、それらのうちの径の小さい方の円柱１６３に
内蔵されている。円柱磁石１４１の（＋Ｘ）側にはＮ極
が形成され、（−Ｘ）側にはＳ極が形成されている（図
１３参照）。

【００８７】リング状磁石１４２は、その中心軸がロー
ラ１４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に一致する円環形状
の磁石であって、ローラ１４０ａの一端側（（−Ｘ）側
端部）に内蔵されている。ローラ１４０ａの上記一端側
には円柱形状の凹部１６１が形成されており、リング状
磁石１４２はその凹部１６１の周囲を囲むようにしてロ
ーラ１４０ａ内に配置されている。リング状磁石１４２
の（＋Ｘ）側にはＮ極が形成され、（−Ｘ）側にはＳ極
が形成されている。なお、凹部１６１の内径は円柱１６
３の径よりも大きく、凹部１６１の深さ（Ｘ軸方向長
さ）は円柱１６３の高さ（Ｘ軸方向長さ）と等しい。

【００８８】一方、円柱磁石１４４は、その中心軸がロ
ーラ１４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に一致する円柱形
状の磁石であって、ローラ１４０ａの他端側（（＋Ｘ）
側端部）に内蔵されている。ローラ１４０ａの上記他端
側には円柱形状の凸部１６４が形成されており、円柱磁
石１４４はその凸部１６４内に配置されている。円柱磁
石１４４の（＋Ｘ）側にはＮ極が形成され、（−Ｘ）側
にはＳ極が形成されている（図１４参照）。

【００８９】リング状磁石１４５は、その中心軸がロー
ラ１４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿った円環形状の
磁石であって、多機能槽ＭＢの槽壁内に内蔵されてい
る。多機能槽ＭＢの槽壁の一部には中空円筒形状の凸部
１１５が形成されており、リング状磁石１４５はその凸
部１１５内に配置されている。リング状磁石１４５の
（＋Ｘ）側にはＮ極が形成され、（−Ｘ）側にはＳ極が
形成されている。なお、多機能槽ＭＢの凸部１１５の内
径はローラ１４０ａの凸部１６４の径よりも大きく、凸
部１１５の長さ（Ｘ軸方向長さ）は凸部１６４の長さ
（Ｘ軸方向長さ）と等しい。

【００９０】ローラ１４０ａの上記一端側の凹部１６１
にはローラ受け部１４９の径の小さい方の円柱１６３が
遊嵌されるとともに（図１３）、上記他端側の凸部１６
４は多機能槽ＭＢの中空円筒形状の凸部１１５に遊嵌さ
れている（図１４）。これにより、円柱磁石１４１がリ
ング状磁石１４２の内側に位置するとともに、円柱磁石
１４４がリング状磁石１４５の内側に位置する。その結
果、円柱磁石１４１のＮ極およびＳ極がそれぞれリング
状磁石１４２のＮ極およびＳ極と対向することとなり、
円柱磁石１４１とリング状磁石１４２との間には磁力に
よる斥力が作用する。リング状磁石１４２は円柱磁石１
４１の周囲を覆うように配置されているものであり、両
者の間に斥力が作用するとリング状磁石１４２の中心に
円柱磁石１４１が位置するように、より正確には円柱磁
石１４１の中心軸とリング状磁石１４２の中心軸とが一
致するように双方の位置が規制される。

【００９１】その結果、ローラ１４０ａの凹部１６１と
ローラ受け部１４９の円柱１６３との間には円柱１６３
の周方向の全体にわたって一定間隔の隙間が生じ、ロー
ラ１４０ａの一端側ではその径方向について、すなわち
ＹＺ平面に関して多機能槽ＭＢと非接触状態となる。

【００９２】同様に、円柱磁石１４４がリング状磁石１
４５の内側に位置すると、円柱磁石１４４のＮ極および
Ｓ極がそれぞれリング状磁石１４５のＮ極およびＳ極と
対向することとなり、円柱磁石１４４とリング状磁石１
４５との間には磁力による斥力が作用する。リング状磁
石１４５は円柱磁石１４４の周囲を覆うように配置され
ているものであり、両者の間に斥力が作用するとリング
状磁石１４５の中心に円柱磁石１４４が位置するよう
に、より正確には円柱磁石１４４の中心軸とリング状磁
石１４５の中心軸とが一致するように双方の位置が規制
される。

【００９３】その結果、ローラ１４０ａの凸部１６４と
多機能槽ＭＢの凸部１１５内側との間には凸部１６４の
周方向の全体にわたって一定間隔の隙間が生じ、ローラ
１４０ａの他端側ではその径方向について、すなわちＹ
Ｚ平面に関して多機能槽ＭＢと非接触状態となる。

【００９４】以上のようにして、ローラ１４０ａの両端
において磁力によりその径方向について多機能槽ＭＢと
非接触状態となり、いわばローラ１４０ａが中空に浮遊
した状態となる。

【００９５】＜２−２−２．長手方向接触防止機構＞上
述した径方向接触防止機構のみではローラ１４０ａが中
空に浮遊したとしても、Ｘ軸方向に滑動して多機能槽Ｍ
Ｂと接触する可能性がある。これを防止するために、ロ
ーラ１４０ａのＸ軸方向の移動を規制するのが長手方向
接触防止機構である。ローラ１４０ａの長手方向接触防
止機構は、リング状磁石１４２，１４５およびリング状
磁石１４３，１４６によって構成されており、磁力によ
り円柱状体のローラ１４０ａをその長手方向について多
機能槽ＭＢと非接触状態とする。なお、リング状磁石１
４２，１４５については、径方向接触防止機構と長手方
向接触防止機構との双方の役割を担っている。

【００９６】リング状磁石１４２，１４５については、
上述した通りである。リング状磁石１４３は、その中心
軸がローラ１４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿った円
環形状の磁石であって、ローラ受け部１４９の径の大き
い方の円柱１６２に内蔵されている。リング状磁石１４
３の中心軸は、円柱磁石１４１の中心軸と一致してい
る。また、リング状磁石１４３は、リング状磁石１４２
と等しい径を有している。リング状磁石１４３の（＋
Ｘ）側にはＳ極が形成され、（−Ｘ）側にはＮ極が形成
されている。

【００９７】リング状磁石１４６は、その中心軸がロー
ラ１４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に一致する円環形状
の磁石であって、ローラ１４０ａの本体部の他端側
（（＋Ｘ）側端部）に内蔵されている。リング状磁石１
４６の中心軸は、円柱磁石１４４の中心軸と一致してい
る。また、リング状磁石１４６は、リング状磁石１４５
と等しい径を有している。リング状磁石１４６の（＋
Ｘ）側にはＳ極が形成され、（−Ｘ）側にはＮ極が形成
されている。

【００９８】上述したように、ローラ１４０ａの一端側
の凹部１６１にはローラ受け部４９の径の小さい方の円
柱１６３が遊嵌されるとともに、他端側の凸部１６４は
多機能槽ＭＢの中空円筒形状の凸部１１５に遊嵌され
る。これにより、リング状磁石１４２のＳ極とリング状
磁石１４３のＳ極とが対向するとともに、リング状磁石
１４５のＳ極とリング状磁石１４６のＳ極とが対向する
こととなる。その結果、リング状磁石１４２とリング状
磁石１４３との間に磁力による斥力が作用するととも
に、リング状磁石１４６とリング状磁石１４５との間に
も磁力による斥力が作用する。

【００９９】従って、ローラ１４０ａはリング状磁石１
４３およびリング状磁石１４５によって両側から押圧さ
れることとなり、ローラ１４０ａの一端側とローラ受け
部１４９との間およびローラ１４０ａの他端側と多機能
槽ＭＢの凸部１１５との間のそれぞれにはＸ軸方向につ
いての一定間隔の隙間が生じる。すなわち、ローラ１４
０ａはその長手方向について多機能槽ＭＢと非接触状態
となる。

【０１００】以上説明したように、径方向接触防止機構
および長手方向接触防止機構の双方によって、ローラ１
４０ａの位置はＸＹＺの全方向について規制されること
となり、ローラ１４０ａは多機能槽ＭＢと非接触状態に
て保持されることとなる。なお、基板処理中において
は、ローラ１４０ａと多機能槽ＭＢとの間に生じた隙間
には処理液が満たされる。

【０１０１】＜２−２−３．非接触回転機構＞非接触回
転機構は、円柱状駆動磁石１４７とリング状駆動磁石１
４８とによって構成されており、ローラ駆動部１５０か
らの回転駆動力を非接触にてローラ１４０ａに伝達す
る。

【０１０２】円柱状駆動磁石１４７は、その中心軸がロ
ーラ１４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に一致する円柱形
状の磁石であって、ローラ１４０ａの凸部１６４に内蔵
されている。図１５は、円柱状駆動磁石１４７をその中
心軸方向（Ｘ軸方向）から見た平面図である。円柱状駆
動磁石１４７はその周方向に８つの領域に分割されてい
る。８つの領域のそれぞれはＮ極またはＳ極の極性を交
互に有している。換言すれば、４本のＮ極の扇形柱と４
本のＳ極の扇形柱とを交互に組み合わせて円柱状駆動磁
石１４７を構成している。

【０１０３】リング状駆動磁石１４８は、その中心軸が
ローラ１４０ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿ったリング
形状の磁石であって、駆動力伝達シャフト１５１ａの先
端に内蔵されている。リング状駆動磁石１４８は、ロー
ラ１４０ａの他端側の凸部１６４が多機能槽ＭＢの中空
円筒形状の凸部１１５に遊嵌された状態において、円柱
状駆動磁石１４７の周囲に多機能槽ＭＢの壁を挟み込ん
で配置されることとなる（図１４参照）。

【０１０４】図１６は、リング状駆動磁石１４８をその
中心軸方向（Ｘ軸方向）から見た平面図である。円柱状
駆動磁石１４７と同様に、リング状駆動磁石１４８はそ
の周方向に８つの領域に分割されている。８つの領域の
それぞれはＮ極またはＳ極の極性を交互に有している。

【０１０５】円柱状駆動磁石１４７の周囲に多機能槽Ｍ
Ｂの壁を挟み込んでリング状駆動磁石１４８が配置され
ると、円柱状駆動磁石１４７のＳ極とリング状駆動磁石
１４８のＮ極との間に磁力による引力が作用するととも
に、円柱状駆動磁石１４７のＮ極とリング状駆動磁石１
４８のＳ極との間にも磁力による引力が作用する。この
状態にて、ローラ駆動部１５０のモータ１５２が駆動力
伝達シャフト１５１ａを回転させると、駆動力伝達シャ
フト１５１ａに内蔵されたリング状駆動磁石１４８も回
転する。そして、リング状駆動磁石１４８と円柱状駆動
磁石１４７との間に作用する引力によって、モータ１５
２の回転駆動力がローラ１４０ａに伝達され、ローラ１
４０ａが回転することとなる。

【０１０６】以上のようにして、ローラ１４０ａにはロ
ーラ駆動部１５０から非接触にて回転駆動力が伝達さ
れ、ローラ１４０ａはローラ駆動部１５０によって磁力
により非接触にて回転される。なお、ローラ１４０ｂの
構成についてもローラ１４０ａの構成と同一である。

【０１０７】＜２−３．回転処理内容＞次に、上記構成
を有する第２実施形態の基板処理装置における処理内容
について説明する。ここでは処理の一例としてオゾン水
による基板Ｗの洗浄処理を行うものとする。

【０１０８】多機能槽ＭＢへの処理液供給態様について
は上記の第１実施形態と同じである。すなわち、供給ノ
ズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４のそれぞれから新
液または循環液が順次に切り換えられて供給される。そ
して、新液供給ラインＮＬから供給するオゾン水の温
度、濃度等の特性は一定にするとともに、処理液循環ラ
インＣＬの加熱ヒータ１２や溶解モジュール１５を用い
て循環されるオゾン水の特性を調整する。

【０１０９】一方、オゾン水による洗浄処理中において
は２本のローラ１４０ａ，１４０ｂによって基板Ｗが所
定の間隔を隔てて主面を鉛直方向に沿わせた状態にて支
持され、３本の保持棒１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃは
基板Ｗから離間している。この状態にて、ローラ駆動部
１５０が２本のローラ１４０ａ，１４０ｂを回転させる
ことによってそれらに支持された複数の基板Ｗを一斉に
回転させる。このようにしてオゾン水による複数の基板
Ｗに対する洗浄処理が進行する。

【０１１０】やがて、所定の処理時間が経過して基板洗
浄処理が終了した時点で、ローラ１４０ａ，１４０ｂに
よる基板Ｗの回転が停止し、リフターＬＨ２が上昇して
複数の基板Ｗを多機能槽ＭＢから引き揚げる。

【０１１１】以上のようにすれば、第１実施形態と同様
の効果が得られるのに加えて、ローラ１４０ａ，１４０
ｂが基板Ｗを回転させるため、より均一な基板処理を行
うことができる。

【０１１２】また、ローラ駆動部１５０が多機能槽ＭＢ
の外部に設けられ、ローラ１４０ａ，１４０ｂを磁力に
よって非接触にて回転させるため、ローラ駆動部１５０
が発塵したとしても、それがパーティクルとして多機能
槽ＭＢ内に混入することは防止される。すなわち、パー
ティクル発生源たるローラ駆動部１５０と多機能槽ＭＢ
内部とが完全に分離されることとなり、多機能槽ＭＢ内
でのパーティクル発生が防止されるのである。

【０１１３】また、径方向接触防止機構および長手方向
接触防止機構の双方によって、ローラ１４０ａ，１４０
ｂは多機能槽ＭＢと非接触状態にて保持されることとな
るため、ローラ駆動部１５０によってローラ１４０ａ，
１４０ｂが回転したとしても、ローラ１４０ａ，１４０
ｂと多機能槽ＭＢとの摺動による発塵が防止されること
となる。

【０１１４】さらに、特性の安定した新液を基板Ｗの各
部分に順次に均一に供給することに加えて、ローラ１４
０ａ，１４０ｂが基板Ｗを回転させることにより、全体
としての基板処理の均一性をがより一層確実なものとな
る。

【０１１５】すなわち、本実施形態の基板処理装置にお
いては、パーティクルを発生させることなく処理液中に
て基板Ｗを回転させることができ、清浄な環境中にて均
一な基板処理を行うことができるのである。その結果、
処理時間の短縮、高スループットを実現することができ
るとともに、コスト低減を図ることができる。

【０１１６】また、基板Ｗの回転数によっては、基板Ｗ
上の反応を支配している境膜の膜厚を薄くできるため、
反応速度を大きくすることができる。

【０１１７】また、ローラ１４０ａ，１４０ｂが多機能
槽ＭＢと非接触状態にて保持されているため、ローラ１
４０ａ，１４０ｂの回転に摩擦が生じず、ローラ駆動部
１５０はローラ１４０ａ，１４０ｂを容易に回転させる
ことができる。

【０１１８】さらに、転倒防止部１３０ａ，１３０ｂが
各基板Ｗの転倒を防止しているため、ローラ１４０ａ，
１４０ｂが複数の基板Ｗを回転させたとしても、それら
が転倒して破損することが防止される。

【０１１９】＜３．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記各実施形態においては、４
本の供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４のそれ
ぞれから新液または循環液を択一的に吐出するようにし
ていたが、新液および循環液のための専用供給ノズルを
少なくとも１本ずつ設けておけば、他の供給ノズルにつ
いては新液および循環液を混合して吐出するようにして
も良い。具体的には、例えば供給ノズルＮＺ１から新液
および循環液を混合して吐出する場合には、供給バルブ
２１および供給バルブ２２の双方を開放する。このよう
にすれば上記実施形態における効果に加えて、混合して
吐出する供給ノズルからの流速が増加し、多機能槽ＭＢ
内における処理液置換効率が高まる。

【０１２０】また、上記各実施形態においては、４本の
供給ノズルＮＺ１、ＮＺ２、ＮＺ３、ＮＺ４を設けてい
たが、供給ノズルは２本以上設けてあれば良い。

【０１２１】また、上記各実施形態においては、処理液
循環ラインＣＬに加熱ヒータ１２を設けていたが、加熱
ヒータ１２に代えてまたは加熱ヒータ１２と併せて冷却
機能を有する冷却装置を設けるようにしても良い。すな
わち、処理液循環ラインＣＬに循環液の温調手段を設け
て循環液の温調を行うことにより、新液供給ラインＮＬ
と処理液循環ラインＣＬとを分離したことによる上述の
効果に加えて、多機能槽ＭＢ内の処理液の温度を調整す
ることができるという付加的な効果を得ることができ
る。なお、処理液循環ラインＣＬにおける加熱ヒータ１
２および溶解モジュール１５は必須のものではなく、処
理液の種類等の必要に応じて適宜設ければ良いものであ
る。

【０１２２】また、第２実施形態においては、モータ１
５２がリング状駆動磁石１４８を回転させることにより
円柱状駆動磁石１４７に非接触にて回転駆動力を伝達し
てローラ１４０ａ，１４０ｂを回転させていたが、これ
に限定されるものではなく、円柱状駆動磁石１４７の周
囲に多機能槽ＭＢの壁を挟み込んでリング状に配置され
た電磁石をローラ駆動部１５０としても良い。より具体
的には、円柱状駆動磁石１４７の周囲に多機能槽ＭＢの
壁を挟み込んで８個の電磁石をリング状に配置する。各
電磁石には同一の所定周波数の交流電流を通電するとと
もに、隣接する電磁石に通電する交流の位相は相互に半
周期だけ異なるようにする。このようにしても、第２実
施形態と同じように電磁石の磁力によって円柱状駆動磁
石１４７に非接触にて回転駆動力を伝達することがで
き、通電する交流の周波数に応じた回転数にてローラ１
４０ａ，１４０ｂを非接触にて回転させることができ
る。

【０１２３】また、電磁石を用いれば機械的な摩擦や摺
動を生じることがないため、多機能槽ＭＢの外部におい
てもパーティクルの発生を抑制することができ、より清
浄度の高い環境を実現することができる。

【０１２４】また、第２実施形態における各磁石の極性
を全て逆転させるようにしても良いことは勿論である。

【０１２５】また、第２実施形態においては、円柱状駆
動磁石１４７およびリング状駆動磁石１４８を８分割す
るようにしていたが、これに限定されるものではなく、
双方の間に磁力による引力を作用させることができる形
態であれば例えば４分割とするようにしても良い。

【０１２６】また、例えば、第２実施形態におけるロー
ラ１４０ａの一端側（（−Ｘ）側端部）に凸部を形成す
るようにし、その凸部に内蔵した円柱磁石をリング状磁
石１４３の内側に配置するようにしても良い。すなわ
ち、磁力によってローラ１４０ａの位置をＸＹＺの全方
向について規制し、ローラ１４０ａを処理槽１０と非接
触状態にて保持できる形態であれば種々の変更が可能で
ある。

【０１２７】さらに、上記各実施形態においては、多機
能槽ＭＢを処理槽の例として説明したが、薬液槽ＣＢや
水洗槽ＷＢについても本発明に係る技術を適用すること
ができる。

【０１２８】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、複数の供給部のそれぞれが新液供給ラインま
たは処理液循環ラインのいずれかに接続されるため、新
液供給ラインと処理液循環ラインとは互いに独立したも
のとなり、処理液の循環によって豊富な処理液供給量を
確保しつつも、新液供給ラインに対する循環液による影
響を排除することができ、処理液の特性制御を容易なも
のとすることができる。

【０１２９】また、請求項２の発明によれば、複数の供
給部ごとに新液供給ラインとの接続と処理液循環ライン
との接続とを切り換える切換手段を備えているため、供
給管ごとに適当なタイミングにて新液供給と循環液供給
とを切り換えることにより、全体としての基板処理の均
一性を確保することができる。

【０１３０】また、請求項３の発明によれば、循環され
る処理液の温度調節を行う温調手段を処理液循環ライン
に備えているため、新液の特性を変化させることなく、
循環液を温調することによって処理槽内の処理液の温度
を調整することができる。

【０１３１】また、請求項４の発明によれば、循環され
る処理液に当該処理液の溶質を溶解する溶解手段を処理
液循環ラインに備えているため、新液の特性を変化させ
ることなく、循環液に溶質を再溶解することによって処
理槽内の処理液の濃度を調整することができる。

【０１３２】また、請求項５の発明によれば、処理液を
オゾン水とし、循環されるオゾン水にオゾンガスを溶解
するため、新液の特性を変化させることなく、処理槽内
のオゾン水のオゾン濃度を調整することができる。

【０１３３】また、請求項６の発明によれば、新液供給
機構と処理液循環機構とは互いに独立して設けられてい
るため、処理液の循環によって豊富な処理液供給量を確
保しつつも、新液供給機構に対する循環液による影響を
排除することができ、処理液の特性制御を容易なものと
することができる。

【０１３４】また、請求項７の発明によれば、処理槽に
貯留された処理液中にて基板を回転するため、均一な基
板処理を行うことができる。

【０１３５】また、請求項８の発明によれば、基板回転
手段が、処理槽に貯留された処理液中にて基板を支持す
る基板支持手段と、基板支持手段を処理槽と非接触状態
にて保持する非接触保持機構と、処理槽外に設けられ、
基板支持手段を非接触にて回転させる非接触駆動手段
と、を含むため、処理槽内における発塵が防止され、パ
ーティクルを発生させることなく処理液中にて基板を回
転させて均一な基板処理を行うことができる。

【０１３６】また、請求項９の発明によれば、非接触保
持機構が磁力により基板支持手段を処理槽と非接触状態
にて保持し、非接触駆動手段が基板支持手段を磁力によ
り非接触にて回転させるため、請求項８の発明による効
果を容易に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜
視図である。

【図２】図１の基板処理装置の制御機構を説明するため
の機能ブロック図である。

【図３】図１の基板処理装置の多機能槽およびその多機
能槽に処理液を供給する機構を示す図である。

【図４】多機能槽への新液および循環液の供給態様の一
例を示す図である。

【図５】供給ノズルのそれぞれからの新液または循環液
の吐出態様の一例を示す図である。

【図６】本発明の第２実施形態の基板処理装置の構成を
示す図である。

【図７】第２実施形態の多機能槽を正面から見た断面図
である。

【図８】多機能槽を上面から見た平面図である。

【図９】多機能槽の側面図である。

【図１０】ローラによって支持された基板と転倒防止部
との位置関係を示す図である。

【図１１】ローラ駆動部を示す図である。

【図１２】ローラの保持機構および回転機構を示す図で
ある。

【図１３】図１２の左側部分を拡大した図である。

【図１４】図１２の右側部分を拡大した図である。

【図１５】円柱状駆動磁石をその中心軸方向から見た平
面図である。

【図１６】リング状駆動磁石をその中心軸方向から見た
平面図である。

【図１７】従来における処理液循環機構を備えた基板処
理装置の概略構成を示す図である。

【符号の説明】

１２加熱ヒータ１５溶解モジュール２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８供
給バルブ１３０ａ，１３０ｂ転倒防止部１４０ａ，１４０ｂローラ１４１，１４４円柱磁石１４２，１４３，１４５，１４６リング状磁石１４７円柱状駆動磁石１４８リング状駆動磁石１５０ローラ駆動部１５２モータＣＬ処理液循環ラインＭＢ多機能槽ＮＬ新液供給ラインＮＺ１，ＮＺ２，ＮＺ３，ＮＺ４供給ノズルＷ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ６４７ 21/306 Ｊ 21/68 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者田中眞人京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 2H096 LA01 LA02 LA03 3B201 AA02 AA03 AB08 AB23 AB33 AB44 BB05 BB22 BB82 BB92 BB93 BB96 CB15 CC01 CD22 5F031 CA02 HA73 MA23 MA24 5F043 AA31 AA37 AA40 CC16 EE21 EE27 EE35 EE40 5F046 MA02 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理槽に所定の処理液を供給しつつ、そ
の処理液中に基板を浸漬することによって基板処理を行
う基板処理装置であって、前記処理槽に新たな処理液を供給する新液供給ライン
と、前記処理槽から流出した処理液を前記新液供給ラインと
は異なる経路にて循環させて前記処理槽に再供給する処
理液循環ラインと、を備え、前記処理槽には複数の供給部を配置し、前記複数の供給部のそれぞれは、前記新液供給ラインま
たは前記処理液循環ラインのいずれかに接続されること
を特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置において、前記複数の供給部ごとに前記新液供給ラインとの接続と
前記処理液循環ラインとの接続とを切り換える切換手段
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処
理装置において、前記処理液循環ラインは、循環される処理液の温度調節
を行う温調手段を備えることを特徴とする基板処理装
置。
【請求項４】請求項１から請求項３のいずれかに記載
の基板処理装置において、前記処理液循環ラインは、循環される処理液に当該処理
液の溶質を溶解する溶解手段を備えることを特徴とする
基板処理装置。
【請求項５】請求項４記載の基板処理装置において、前記処理液はオゾン水であり、前記溶解手段は、循環されるオゾン水にオゾンガスを溶
解することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】処理槽に所定の処理液を供給しつつ、そ
の処理液中に基板を浸漬することによって基板処理を行
う基板処理装置であって、前記処理槽に新たな処理液のみを供給する新液供給機構
と、前記処理槽から流出した処理液を循環させて前記処理槽
に再供給する処理液循環機構と、を備え、前記新液供給機構と前記処理液循環機構とは互いに独立
して設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項１から請求項６のいずれかに記載
の基板処理装置において、前記処理槽に貯留された処理液中にて基板を回転する基
板回転手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装
置。
【請求項８】請求項７記載の基板処理装置において、前記基板回転手段は、前記処理槽に貯留された処理液中にて基板を支持する基
板支持手段と、前記基板支持手段を前記処理槽と非接触状態にて保持す
る非接触保持機構と、前記処理槽外に設けられ、前記基板支持手段を非接触に
て回転させる非接触駆動手段と、を含むことを特徴とす
る基板処理装置。
【請求項９】請求項８記載の基板処理装置において、前記非接触保持機構は、磁力により前記基板支持手段を
前記処理槽と非接触状態にて保持し、前記非接触駆動手段は、前記基板支持手段を磁力により
非接触にて回転させることを特徴とする基板処理装置。