JP2003010795A - 基板洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
基板洗浄装置及び洗浄方法Info
- Publication number
- JP2003010795A JP2003010795A JP2001199714A JP2001199714A JP2003010795A JP 2003010795 A JP2003010795 A JP 2003010795A JP 2001199714 A JP2001199714 A JP 2001199714A JP 2001199714 A JP2001199714 A JP 2001199714A JP 2003010795 A JP2003010795 A JP 2003010795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- water
- gas
- substrate
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
ができ、また、高濃度のオゾン水でバッチ処理を行うこ
とができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも、水にオゾンガスを溶解する
工程が行われるオゾン溶解モジュールと、オゾン水で基
板を洗浄する工程が行われる反応槽とを有する基板洗浄
装置であって、前記オゾン溶解モジュール内には、非多
孔性膜からなるガス溶解膜が収容されており、前記反応
槽と前記オゾン溶解モジュールとの間をオゾン水が循環
する基板洗浄装置。
Description
オゾン水を再利用することができ、また、高濃度のオゾ
ン水でバッチ処理を行うことができる基板洗浄装置に関
する。
の製造過程において基板表面に付着した有機物や金属等
の異物を除去するために必須の工程である。従来、半導
体等の基板洗浄には、硫酸、アンモニアや塩酸等を用い
たRCA洗浄法が用いられていた。一般的に行われてい
るRCA洗浄法では、有機物を洗浄する場合と金属を洗
浄する場合とでは異なった薬液が用いられており、有機
物を洗浄するためには、硫酸と過酸化水素との混合薬液
が用いられ、金属を洗浄するためには、塩酸と過酸化水
素との混合薬液が用いられていた。また、十数バッチご
とに新たな薬液を用いて洗浄が行われるために、大量の
薬液が必要とされていた。このため、RCA洗浄法を用
いた場合は薬液コストがかさむとともに、大量の廃液が
生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大
きな不利益があった。
オゾン水は、オゾンの持つ強い酸化力により殺菌・脱臭
・漂白等に優れた効果を発揮し、しかもオゾンガスは時
間とともに無害な酸素(気体)に自己分解して残留性が
ないことから、環境にやさしい殺菌・洗浄・漂白剤等と
して注目されており、基板の洗浄においてもオゾン水を
用いることが検討されている
理装置としては、曝気方式(バブリングタイプ)のもの
や、混合器(エジェクタ)を用いたエジェクタタイプの
ものが一般的である。曝気方式は、水中にオゾンガスの
気泡を注入して、オゾンを水に溶解させる方法である。
この方式では、得られたオゾン水中に気泡が含まれてい
ると充分な洗浄効果を発揮することが困難となるため、
気液分離層で気泡を除去する必要があり、また、オゾン
の溶解速度を上げるために曝気の気泡を細かくすると、
気液分離に時間がかかるという問題があった。
オゾンガスと水とを接触させて、オゾンを水に溶解させ
る方法である。モジュールタイプとしては、特開平7−
213880号公報に、多孔質中空管状のオゾンガス透
過膜を用いた装置が開示されている。しかしながら、多
孔質のオゾンガス透過膜は、孔が詰まりやすく、また、
多孔質のオゾンガス透過膜では、孔内にしみこんだ水を
経由してオゾンガスが水中に拡散するので、水を孔内に
しみこませるためにオゾンガス圧を水圧よりやや弱くな
るように厳密に調整することが必要である。また、多孔
質中空管状のオゾンガス透過膜を用いた基板洗浄装置で
は、装置の稼働開始時と稼働終了時に、オゾン水中に気
泡が混入しやすく、洗浄効率が低下するという問題があ
る。
は、その構造より、オゾンガス圧を水圧より高くするこ
とができないので、高濃度のオゾン水を調製することが
困難である。低濃度のオゾン水を用いて基板の洗浄を行
う場合は、オゾン溶解量が少ないのでバッチ処理を行う
ことができない。また、多孔質のガス溶解膜は目詰まり
しやすいのでオゾン溶解量が減少しモジュールの寿命が
短くなるという問題がある。
鑑み、一旦洗浄に用いたオゾン水を再利用することがで
き、また、高濃度のオゾン水でバッチ処理を行うことが
できる基板洗浄装置を提供することを目的とする。
水にオゾンガスを溶解する工程が行われるオゾン溶解モ
ジュールと、オゾン水で基板を洗浄する工程が行われる
反応槽とを有する基板洗浄装置であって、前記オゾン溶
解モジュール内には、非多孔性膜、好ましくは中空糸か
らなるガス溶解膜が収容されており、前記反応槽と前記
オゾン溶解モジュールとの間をオゾン水が循環する基板
洗浄装置である。以下に本発明を詳述する。
にオゾンガスを溶解する工程が行われるオゾン溶解モジ
ュールと、オゾン水で基板を洗浄する工程が行われる反
応槽とを有するものである。本発明の基板洗浄装置の一
実施態様を図1に示す。図1に示す態様の基板洗浄装置
は、オゾン発生器1、オゾンガス検出器2、オゾン溶解
モジュール3、オゾン水検出器4、反応槽5、及び、水
ポンプ6から構成される。
オゾンガスが生成される。オゾン発生器1としては特に
限定されず、公知のオゾン発生器を用いることができ
る。オゾン発生器1で生成されたオゾンガスの濃度はオ
ゾンガス検出器2により測定・監視される。オゾンガス
検出器2により測定されたオゾンガス濃度の値はオゾン
発生器1にフィードバックされ、オゾン発生器1で生成
されるオゾンガスの濃度が随時調整される。
オゾン溶解モジュール3において水に溶解する。オゾン
溶解モジュール3としては、例えば、図2に示すような
構造を有するものを用いることができる。オゾン溶解モ
ジュール3の内部には、非多孔性中空糸(チューブ状)
からなるガス溶解膜7が収容されており、オゾン分子8
はガス溶解膜を構成する樹脂の分子鎖間を透過し、次い
で、水中に拡散する。
合は、まず、ガス溶解膜の孔内にしみこんだ水にオゾン
ガスが溶解し、次いで、濃度勾配に従いオゾンが水中に
拡散するので、一度基板洗浄に用い異物が混入したオゾ
ン水を流通させると孔が異物で詰まりオゾンガスを水に
溶解させることができなくなる。これに対して、本発明
においては、ガス溶解膜として孔のない非多孔性膜から
なるものが用いられるので、ガス溶解膜が目詰まりする
ことはなく、一旦洗浄に用いたオゾン水を循環させて再
利用することができる。また、多孔質からなるガス溶解
膜が用いられる場合は、孔内にしみこんだ水を介してオ
ゾンガスが水に溶解するので、孔内に水をしみこませる
ためにオゾンガス圧を水圧より低くなるように厳密に調
整することが必要であるが、本発明においては、ガス溶
解膜として非多孔性膜からなるものが用いられるので、
オゾンガス圧の調整が不要であるうえに、オゾンガスを
高圧にすることができる。更に、多孔質からなるガス溶
解膜が用いられる場合は、得られたオゾン水中に洗浄効
率を低下させる泡が混入する危険性があるが、本発明に
おいては、孔のない非多孔性膜からなるガス溶解膜が用
いられるので、泡が混入しない。
脂又はフッ素系樹脂を成形してなるものが好ましい。シ
リコーン系樹脂又はフッ素系樹脂からなる非多孔性膜
は、耐食性及び耐劣化性に優れ且つオゾンガスを効率的
に透過する性質を有する。
ラフルオロエチレン共重合体(PTFE)、パーフルオ
ロアルコキシ樹脂(PFA)、フッ化エチレンプロピレ
ン樹脂(FEP)等の四弗化エチレン系樹脂重合体;フ
ッ素系ゴム等が挙げられ、上記シリコーン系樹脂として
は、例えば、ポリジメチルシロキサン、メチルシリコー
ンゴム等が挙げられる。パーフルオロ化樹脂であれば、
いずれの樹脂でも非多孔性膜の原料として使用できる。
平幕を使用してもよいが、より効率的な膜としては、こ
のような膜材を、所要の内径及び長さに成形した非多孔
性中空管(チューブ状)にすることが好ましく、これを
複数本束ねた両端をそれぞれ熱融着するか接着して束ね
てオゾン溶解モジュール3の外套内に収容する。
は、耐オゾン性に優れ、且つ、気密性を備えたものであ
れば特に限定されず、例えば、PFA、PTFE、フッ
化ビニリデン樹脂、ステンレス材等からなるものが挙げ
られる。
多孔性中空糸の内側(チューブ内)及び外側のいずれの
側を流れてもよいが、非多孔性中空糸の外側を水が流
れ、内側をオゾンガスが通ることが好ましい。非多孔性
中空糸の内側を水が流れると、中空糸内が異物で詰まる
おそれがある。
オゾン水の溶存オゾンガス濃度は、オゾン水検出器4に
より監視・管理される。常圧・室温下でのオゾンの水に
対する飽和溶解濃度は50〜60ppmであるが、基板
の洗浄に用いられるオゾン水の溶存オゾンガス濃度は、
洗浄効果の点からより高い方が好ましい。このため、本
発明の基板洗浄装置は、オゾンガスを加圧する手段及び
反応槽内を加圧する手段を有することが好ましい。オゾ
ンガスや反応槽内を加圧する手段としては、オゾン発生
器1で発生させたオゾンガスや反応槽内を、常圧よりも
高く加圧できるものであれば特に限定されないが、耐オ
ゾンガス材料を用いた加圧ポンプが好適に用いられる。
オゾンガスや反応槽内を加圧することにより、オゾン水
の溶存オゾンガス濃度を200ppm程度にまで上げる
ことができる。
板を洗浄するために用いられる。上記基板としては特に
限定されず、例えば、シリコンウエハ等の半導体基板
や、ガラス板等の液晶基板が挙げられる。反応槽5にお
ける洗浄方法としては特に限定されず、例えば、バッチ
処理(ディップ)、枚葉処理(吹き付け)等が挙げられ
る。なかでも、バッチ処理が好ましい。従来、基板の洗
浄のために用いられていたオゾン水の溶存オゾンガス濃
度は20ppm程度であるので、枚葉処理により洗浄が
行われていた。これに対して、本発明では、オゾンガス
や反応槽内を加圧することにより、オゾン水のオゾンガ
ス濃度を200ppm程度にまで上げることができるの
で、バッチ処理により大量の基板を一度に処理すること
ができる。
してもよい。紫外線を照射することにより、オゾンの分
解速度が促進され、それに伴い洗浄効果を上げることが
できる。従って、高濃度オゾン水と紫外線照射とを併用
することによって、より高い洗浄効果を得ることができ
る。上記紫外線を照射する手段としては特に限定され
ず、例えば、UVランプ等が挙げられる。照射される紫
外線の波長は、オゾンが吸収する254nm近辺である
ことが好ましい。
化合物及び/又は有機溶剤を添加する手段を有すること
が好ましい。オゾン水に酸性化合物及び/又は有機溶剤
を添加することにより、洗浄効果を向上することができ
る。また、実施例5に示すとおり、有機溶剤を添加した
場合は、オゾンガスの水への溶解度が高くなることも明
らかとなった。このことも洗浄効果向上の一因であると
思われる。上記酸性化合物としては特に限定されず、例
えば、硫酸、塩酸、硝酸、フッ酸等が挙げられる。上記
有機溶剤としては特に限定されず、例えば、酢酸、アセ
トン、アセトニトリル等が挙げられる。
溶解モジュールとの間をオゾン水が循環する構成を有す
る。反応槽5において基板の洗浄に用いられたオゾン水
は、水ポンプ6によりオゾン溶解モジュール3に戻さ
れ、消費した分のオゾンガスが供給される。オゾンガス
が補充されたオゾン水は、再度反応槽5において基板の
洗浄に用いることができる。実施例3及び実施例4に示
すとおり、オゾン水が装置内を循環することにより洗浄
効率も向上することが明らかとなった。この現象の機構
は不明であるが、オゾンが自己分解すると強い酸化作用
を発揮し、これにより洗浄作用が生じるが、オゾン水が
循環することにより、被分解物質からのラジカルも反応
に寄与するものと考えられる。
循環することにより減少したオゾン水を補うための水供
給ラインや、オゾン水中の有機物や金属等の異物を取り
除くための除去手段等を有していてもよい。本発明の基
板洗浄装置に供給する水としては特に限定されないが、
基板洗浄に用いられることから、超純水が好適に用いら
れる。
性中空糸からなるガス溶解膜が用いられることより、多
孔質からなるガス溶解膜とは異なり目詰まりすることが
ないので、一旦洗浄に用いたオゾン水を再利用すること
ができる。これにより、水や薬品の使用量及び廃水量を
抑制することができ、コスト削減及び環境への負荷を減
少させることができる。また、非多孔性中空糸からなる
ガス溶解膜が用いられることより、オゾンガスを加圧す
ることができ、オゾン水の溶存オゾンガス濃度を高く保
つことができるので、洗浄効果を高めバッチ処理を行う
ことができる。更に、非多孔性中空糸からなるガス溶解
膜が用いられるので、洗浄効率を低下させる泡が混入し
ない。本発明では、基板洗浄の際に、紫外線照射を併用
することによって、より高い洗浄効果を得ることができ
る。本発明の基板洗浄装置を用いて基板の洗浄を行う洗
浄方法もまた、本発明の1つである。
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
ン溶解モジュールに、オゾンガス検出器(理工科学社
製:OZR−3000)を介してオゾンガス発生器(三
菱電機社製:オゾンジェネレーションユニットOP−3
5N−S)を接続し、オゾンガス発生器に、酸素流量2
L/分、窒素流量40mL/分で原料ガスを送り込み、
発生電流0.8〜1.55Aでオゾンガスを発生させ、
発生したオゾンガスをオゾンガス圧0.25MPaに加
圧して送り出し、発生したオゾンガスのオゾン濃度をオ
ゾンガス検出器でモニターし、ガス濃度170mg/
L、ガス流量2L/分のオゾンガスをオゾン溶解モジュ
ールに供給し、オゾン水を生成した。このとき、水温は
20℃、水の流量は0.1L/分であった。生成したオ
ゾン水の溶存オゾンガス濃度を、オゾン水検出器(理工
科学社製:OZR−3000)で測定した。結果を表3
に示した。
表2に示す仕様のものを使用し、水の流量を0.05L
/分としたこと以外は、実施例1と同様にしてオゾン水
を生成し、生成したオゾン水の溶存オゾンガス濃度を測
定した。結果を表3に示した。
られるオゾン溶解モジュールによれば、反応性が極めて
高い超高濃度のオゾン水が得られることが分かった。
解効率を、オゾン溶解モジュールを通過した液体が系内
を循環する方式(還流方式)と、一旦オゾン溶解モジュ
ールを通過した液体が再度循環しない方式(通水方式)
との2通りの方式で比較した。還流方式では図3に示す
装置を使用し、通水方式では図4に示す装置を使用し
た。
2L/分、窒素流量40mL/分で原料ガスを送り込
み、発生電流0.8〜1.55Aでオゾンガスを発生さ
せ、発生したオゾンガスを、オゾンガス圧0.25MP
aに加圧して送り出し、オゾンガス検出器でオゾン濃度
をモニターした後、オゾン溶解モジュールに供給した。
に水に溶解したオレンジ2水溶液2Lを調製し、これを
還流方式と通水方式との2種類の装置に供給した。この
とき、水温は20℃、オレンジ2水溶液の流量は600
mL/分とした。オゾン溶解後のオレンジ2溶液の54
6nmにおける吸光度をそれぞれ測定し、1分間当たり
に分解されたオレンジ2の分解量を算出した。結果を表
4に示した。
表5に示す仕様のものを使用したこと以外は、実施例3
と同様にして、通水方式と還流方式とにおいて、それぞ
れオレンジ2の分解量を測定した。結果を表6に示し
た。
のオゾンを使用しても、通水方式より循環方式のほう
が、分解効率は3倍程度高いことが分かった。
して酢酸の10%水溶液を使用したこと以外は実施例2
と同様にしてオゾン水を生成し、溶存オゾンガス濃度を
測定した。結果を表7に示した。
せる水に有機溶媒を添加することによりオゾンガスの溶
解度が高くなることが分かった。
て、酢酸の10%水溶液を使用したこと以外は実施例4
の還流方式と同様にしてオレンジ2の分解速度を測定し
た。このときのオレンジ2の分解速度は0.37(ΔA
bs/分)であり、酢酸を加えなかった場合と比較して
2.2倍であった。
いて基板の洗浄試験を行った。オゾンガス発生器1、オ
ゾンガス検出器2、オゾン溶解モジュール3及びオゾン
水検出器4としては実施例1と同様のものを使用し、水
の流量を100mL/分とし、上記オゾン溶解モジュー
ル内及び上記反応槽内を加圧して、オゾンガス圧0.2
MPa、水圧0.2MPaとなるように調整したこと以
外は実施例1と同様な条件でオゾン水を生成した。
エハを入れ、生成したオゾン水を反応槽5に供給し、オ
ゾン水によるウエハの洗浄を行った。異なる溶存オゾン
ガス濃度のオゾン水にウエハを漬浸した後、ウエハ表面
の接触角を接触角計(協和界面科学社製:CA−X15
0)で測定した。アセトンで洗浄後、クリーンルームで
はない実験室内に72時間放置したときのウエハの接触
角をブランクとした。結果を表8に示した。反応槽5に
おいて基板の洗浄を行ったオゾン水は、水ポンプ6(タ
クミナ社製:CS−52−FCT−HW)によって、再
び上記オゾン溶解モジュール3に循環し、ここで再びオ
ゾンガスを補充した。
ミトロニクス社製:C−250WZ、波長254nm)
を設置したこと以外は実施例7と同様の基板洗浄装置を
用いた。上記反応槽5に、厚さ0.8mmの6インチウ
エハを入れ、100mmの距離から紫外線を照射しなが
ら、オゾン水による洗浄を行い、実施例7と同様の方法
でウエハ表面の接触角を測定した。結果を表8に示し
た。
水濃度を上げるにつれ接触角が減少し、濡れ性が向上し
ていること、即ち、高い洗浄効果が得られていることが
わかった。また、オゾン水単独処理に比べて、紫外線照
射を併用した方が、より高い洗浄効果が得られることが
わかった。
ン水を再利用することができ、また、高濃度のオゾン水
でバッチ処理を行うことができる基板洗浄装置を提供す
ることができる。
図である。
式図である。
式図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 少なくとも、水にオゾンガスを溶解する
工程が行われるオゾン溶解モジュールと、オゾン水で基
板を洗浄する工程が行われる反応槽とを有する基板洗浄
装置であって、前記オゾン溶解モジュール内には、非多
孔性膜からなるガス溶解膜が収容されており、前記反応
槽と前記オゾン溶解モジュールとの間をオゾン水が循環
することを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項2】 非多孔性膜は、非多孔性中空糸からなる
ことを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。 - 【請求項3】 非多孔性膜は、シリコーン系樹脂又はフ
ッ素系樹脂からなることを特徴とする請求項1又は2記
載の基板洗浄装置。 - 【請求項4】 オゾンガスを加圧する手段及び反応槽内
を加圧する手段を有することを特徴とする請求項1、2
又は3記載の基板洗浄装置。 - 【請求項5】 反応槽は、紫外線を照射する手段を有す
ることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の基板
洗浄装置。 - 【請求項6】 オゾン水に酸性化合物及び/又は有機溶
剤を添加する手段を有することを特徴とする請求項1、
2、3、4又は5記載の基板洗浄装置。 - 【請求項7】 請求項1、2、3、4、5又は6記載の
基板洗浄装置を用いて基板の洗浄を行うことを特徴とす
る洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001199714A JP2003010795A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001199714A JP2003010795A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003010795A true JP2003010795A (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=19036970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001199714A Pending JP2003010795A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003010795A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220059343A1 (en) * | 2018-10-11 | 2022-02-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor silicon wafer and method for cleaning semiconductor silicon wafer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058496A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのオゾン水洗浄システム |
JP2000164552A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2001079502A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-27 | Seiko Epson Corp | オゾン水洗浄方法及び装置 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001199714A patent/JP2003010795A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058496A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのオゾン水洗浄システム |
JP2000164552A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2001079502A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-27 | Seiko Epson Corp | オゾン水洗浄方法及び装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220059343A1 (en) * | 2018-10-11 | 2022-02-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor silicon wafer and method for cleaning semiconductor silicon wafer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1299333C (zh) | 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置 | |
KR101364903B1 (ko) | 가스용해 세정수의 제조방법, 제조장치 및 세정장치 | |
KR102660335B1 (ko) | 가열 오존수의 제조 방법, 가열 오존수 및 반도체 웨이퍼 세정액 | |
KR19990036525A (ko) | 반도체 기판의 처리시스템 및 처리방법 | |
KR20190053816A (ko) | 희석 약액 제조 장치 및 희석 약액 제조 방법 | |
US20150303053A1 (en) | Method for producing ozone gas-dissolved water and method for cleaning electronic material | |
KR20020071011A (ko) | 오존처리장치 | |
US20200255312A1 (en) | Wash water processing method | |
JP2006278644A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
JPH04146616A (ja) | 有機物被膜の除去方法 | |
JPH04179225A (ja) | 洗浄方法 | |
JP3940967B2 (ja) | 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法 | |
JP4273440B2 (ja) | 電子材料用洗浄水及び電子材料の洗浄方法 | |
JP2003010795A (ja) | 基板洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP2006278838A (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム | |
JP4039662B2 (ja) | 半導体基板又は素子の洗浄方法 | |
WO2004093172A1 (ja) | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 | |
JP2004241726A (ja) | レジスト処理方法およびレジスト処理装置 | |
JP2003103227A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP4153706B2 (ja) | オゾン−有機酸液生成装置、レジスト剥離装置及びレジスト剥離方法 | |
TW201729914A (zh) | 超純水製造系統的洗淨方法 | |
JP2003142449A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP2000288495A (ja) | 洗浄方法 | |
JP3814719B2 (ja) | オゾン溶解水の製造方法及び製造装置 | |
KR101987705B1 (ko) | Uv 램프를 이용한 기판 세정 노즐 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080121 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100713 |