JP2000058496A - 半導体ウエハのオゾン水洗浄システム - Google Patents
半導体ウエハのオゾン水洗浄システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハからのレジストの除去時間が短
縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエ
ハのオゾン水洗浄システムを提供する。 【解決手段】 半導体ウエハのオゾン水洗浄システムに
おいて、洗浄槽２とオゾン水生成装置６の間のオゾン水
供給ライン４上にオゾン水を昇温するためのヒータ５を
設ける。
縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエ
ハのオゾン水洗浄システムを提供する。 【解決手段】 半導体ウエハのオゾン水洗浄システムに
おいて、洗浄槽２とオゾン水生成装置６の間のオゾン水
供給ライン４上にオゾン水を昇温するためのヒータ５を
設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造方法の一部である半導体ウエハのオゾン水洗浄シス
テムに関するものである。
製造方法の一部である半導体ウエハのオゾン水洗浄シス
テムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、 （１）特表平９−５０１０１７号公報 （２）特表平９−５０３０９９号公報 （３）「ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＯＲＧＡＮＩＣ ＲＥＭＯ
ＶＡＬ ＰＲＯＣＥＳＳ；ＧＲＥＥＮ ＭＡＮＵＦＡＣ
ＴＵＲＩＮＧ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ，Ｌｅｇａｃｙ
Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ」が挙げられる。
例えば、 （１）特表平９−５０１０１７号公報 （２）特表平９−５０３０９９号公報 （３）「ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＯＲＧＡＮＩＣ ＲＥＭＯ
ＶＡＬ ＰＲＯＣＥＳＳ；ＧＲＥＥＮ ＭＡＮＵＦＡＣ
ＴＵＲＩＮＧ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ，Ｌｅｇａｃｙ
Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ」が挙げられる。
【０００３】すなわち、従来の装置としては、例えば、
図８に示すように、洗浄槽１、その内部に拡散器付きガ
ス発生装置２、オゾン発生器３、冷却器４、循環ポンプ
５、オゾンプレミックス室６より構成される。この装置
の動作について説明する。まず、純水を循環ポンプ５を
使って循環する。循環される純水は冷却器４によって、
３〜７℃程度まで冷却される。その冷却された純水中に
拡散器付きガス発生装置２及びオゾンプレミックス室６
でオゾン発生器３から発生しているオゾンを溶け込ませ
る。冷却された純水には高濃度のオゾンが溶け込むた
め、常温で溶解させるよりも純水中のオゾン濃度は１０
倍程度となる。この高濃度のオゾン水により、ウエハ７
のレジストの除去が可能となる。
図８に示すように、洗浄槽１、その内部に拡散器付きガ
ス発生装置２、オゾン発生器３、冷却器４、循環ポンプ
５、オゾンプレミックス室６より構成される。この装置
の動作について説明する。まず、純水を循環ポンプ５を
使って循環する。循環される純水は冷却器４によって、
３〜７℃程度まで冷却される。その冷却された純水中に
拡散器付きガス発生装置２及びオゾンプレミックス室６
でオゾン発生器３から発生しているオゾンを溶け込ませ
る。冷却された純水には高濃度のオゾンが溶け込むた
め、常温で溶解させるよりも純水中のオゾン濃度は１０
倍程度となる。この高濃度のオゾン水により、ウエハ７
のレジストの除去が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置で生成されるオゾン（Ｏ3 ）水のレジスト
除去レートは、図９に示すように、６００Å／ｍｉｎと
非常に遅い。６００Å／ｍｉｎのエッチングレートで
は、例えば、１００００Åのレジストを除去するのに１
７分程度必要となる。また、このジャストエッチングで
は多くの微粒子が表面上に残っており、十分な除去を得
るためには１．５倍程度の２５分の処理が必要となる。
た従来の装置で生成されるオゾン（Ｏ3 ）水のレジスト
除去レートは、図９に示すように、６００Å／ｍｉｎと
非常に遅い。６００Å／ｍｉｎのエッチングレートで
は、例えば、１００００Åのレジストを除去するのに１
７分程度必要となる。また、このジャストエッチングで
は多くの微粒子が表面上に残っており、十分な除去を得
るためには１．５倍程度の２５分の処理が必要となる。
【０００５】上述した例は、レジストのコートのみを行
ったウエハでの場合であり、レジストのパターニングま
で行ったウエハの場合には、さらにその３倍程度の処理
時間が必要となる。現状のレジスト除去では、ＳＰＭ
（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液）を使用しているが、
その場合と比較して５倍以上の処理時間が必要となる。
本発明は、上記状況に鑑みて、半導体ウエハからのレジ
ストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうこと
ができる半導体ウエハのオゾン水洗浄システムを提供す
ることを目的とする。
ったウエハでの場合であり、レジストのパターニングま
で行ったウエハの場合には、さらにその３倍程度の処理
時間が必要となる。現状のレジスト除去では、ＳＰＭ
（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液）を使用しているが、
その場合と比較して５倍以上の処理時間が必要となる。
本発明は、上記状況に鑑みて、半導体ウエハからのレジ
ストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうこと
ができる半導体ウエハのオゾン水洗浄システムを提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体ウエハのオゾン水洗浄システムにおいて、
洗浄槽とオゾン水生成装置の間のオゾン水供給ライン上
にオゾン水を昇温するためのヒータを設けるようにした
ものである。
成するために、 〔１〕半導体ウエハのオゾン水洗浄システムにおいて、
洗浄槽とオゾン水生成装置の間のオゾン水供給ライン上
にオゾン水を昇温するためのヒータを設けるようにした
ものである。
【０００７】〔２〕半導体ウエハのオゾン水洗浄システ
ムにおいて、オゾン水生成装置からオゾン水供給ライン
を介して洗浄槽へ接続するとともに、オゾン水生成時に
オゾン水に含有できなかったオゾンガスを取り出し、そ
のガスを昇温するためのヒータを設け、昇温されたオゾ
ンガスを洗浄槽に導入するようにしたものである。 〔３〕上記〔２〕記載の半導体ウエハのオゾン水洗浄シ
ステムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾン水供
給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、生成され
たオゾン水を溜めるための前記洗浄槽の下部に超音波発
生装置を設けるようにしたものである。
ムにおいて、オゾン水生成装置からオゾン水供給ライン
を介して洗浄槽へ接続するとともに、オゾン水生成時に
オゾン水に含有できなかったオゾンガスを取り出し、そ
のガスを昇温するためのヒータを設け、昇温されたオゾ
ンガスを洗浄槽に導入するようにしたものである。 〔３〕上記〔２〕記載の半導体ウエハのオゾン水洗浄シ
ステムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾン水供
給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、生成され
たオゾン水を溜めるための前記洗浄槽の下部に超音波発
生装置を設けるようにしたものである。
【０００８】〔４〕上記〔２〕記載の半導体ウエハのオ
ゾン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置か
らオゾン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するととも
に、不活性ガスを昇温するためのヒータを設け、その昇
温された不活性ガスを洗浄槽に導入するようにしたもの
である。 〔５〕上記〔２〕記載の半導体ウエハのオゾン水洗浄シ
ステムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾン水供
給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、生成され
たオゾン水を溜めるための前記洗浄槽内の下部に２５７
ｎｍ紫外線を発生させるＵＶランプを設けるようにした
ものである。
ゾン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置か
らオゾン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するととも
に、不活性ガスを昇温するためのヒータを設け、その昇
温された不活性ガスを洗浄槽に導入するようにしたもの
である。 〔５〕上記〔２〕記載の半導体ウエハのオゾン水洗浄シ
ステムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾン水供
給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、生成され
たオゾン水を溜めるための前記洗浄槽内の下部に２５７
ｎｍ紫外線を発生させるＵＶランプを設けるようにした
ものである。
【０００９】〔６〕上記〔２〕記載の半導体ウエハのオ
ゾン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置か
らオゾン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するととも
に、生成されたオゾン水を溜めるための前記洗浄槽内に
薬品拡散器を設け、薬品を供給するようにしたものであ
る。 〔７〕上記〔６〕記載の半導体ウエハのオゾン水洗浄シ
ステムにおいて、前記薬品は酸性の液又はアルカリ性の
液である。
ゾン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置か
らオゾン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するととも
に、生成されたオゾン水を溜めるための前記洗浄槽内に
薬品拡散器を設け、薬品を供給するようにしたものであ
る。 〔７〕上記〔６〕記載の半導体ウエハのオゾン水洗浄シ
ステムにおいて、前記薬品は酸性の液又はアルカリ性の
液である。
【００１０】〔８〕上記〔２〕記載の半導体ウエハのオ
ゾン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置か
らオゾン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するととも
に、前記オゾン水供給ラインとして白金パイプを設ける
ようにしたものである。
ゾン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置か
らオゾン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するととも
に、前記オゾン水供給ラインとして白金パイプを設ける
ようにしたものである。
〔９〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体ウエハのオゾ
ン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置の前
に冷却装置を設けるようにしたものである。
ン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置の前
に冷却装置を設けるようにしたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半
導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この
図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には、冷却装置７を
通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成
するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ
3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾ
ン水ライン４には、途中ヒータ５が接続されている。オ
ゾン水ライン４の出口にはオゾン水拡散器３が設けら
れ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられ
ている。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半
導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この
図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には、冷却装置７を
通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成
するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ
3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾ
ン水ライン４には、途中ヒータ５が接続されている。オ
ゾン水ライン４の出口にはオゾン水拡散器３が設けら
れ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられ
ている。
【００１２】そこで、まず、純水ライン８から導入され
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることにより、Ｏ3 水が生成される。生
成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐ
ｍと濃度が高くなる。そのＯ3 水はヒータ５を通して２
０℃から７０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 水
はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることにより、Ｏ3 水が生成される。生
成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐ
ｍと濃度が高くなる。そのＯ3 水はヒータ５を通して２
０℃から７０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 水
はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００１３】このように第１実施例によれば、供給され
たＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、
洗浄槽２に導入された時に常圧となるので急激な分解が
起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた
半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に
反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮さ
れ現状の生産量と同程度にすることが可能となる。ま
た、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
たＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、
洗浄槽２に導入された時に常圧となるので急激な分解が
起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた
半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に
反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮さ
れ現状の生産量と同程度にすることが可能となる。ま
た、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００１４】図２は本発明の第２実施例を示す半導体ウ
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するため
のＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成
装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライ
ン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オ
ゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するため
のＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成
装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライ
ン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オ
ゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
【００１５】また、Ｏ3 水生成装置６には、Ｏ3 水生成
装置６で純水中に溶け込まなかったＯ3 ガスを取り出す
ためのＯ3 ガスライン１１が設けられており、そのガス
ライン１１にはＯ3 ガスヒータ１０が設けられている。
Ｏ3 ガスライン１１はＯ3 ガスヒータ１０を出た後、オ
ゾンガス拡散器１２につなげられ、そのオゾンガス拡散
器１２は、洗浄槽の底部に設けられている。
装置６で純水中に溶け込まなかったＯ3 ガスを取り出す
ためのＯ3 ガスライン１１が設けられており、そのガス
ライン１１にはＯ3 ガスヒータ１０が設けられている。
Ｏ3 ガスライン１１はＯ3 ガスヒータ１０を出た後、オ
ゾンガス拡散器１２につなげられ、そのオゾンガス拡散
器１２は、洗浄槽の底部に設けられている。
【００１６】そこで、まず、純水ライン８から導入され
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。
【００１７】ここで、Ｏ3 ガスと純水を混合する時に発
生したＯ3 ガスは全て純水に溶け込むわけではない。そ
の溶け込まなかったＯ3 ガスはＯ3 水生成装置６からＯ
3 ガスライン１１を通して発生する。発生したＯ3 ガス
はＯ3 ガスヒータ１０により２０℃から８０℃程度まで
昇温される。昇温されたＯ3 ガスはオゾンガス拡散器１
２を通して洗浄槽２に供給される。
生したＯ3 ガスは全て純水に溶け込むわけではない。そ
の溶け込まなかったＯ3 ガスはＯ3 水生成装置６からＯ
3 ガスライン１１を通して発生する。発生したＯ3 ガス
はＯ3 ガスヒータ１０により２０℃から８０℃程度まで
昇温される。昇温されたＯ3 ガスはオゾンガス拡散器１
２を通して洗浄槽２に供給される。
【００１８】このように第２実施例によれば、洗浄槽２
には、低温のＯ3 水が入っているが、そこに高温に温め
られたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度は上昇
する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。そして、
このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウ
エハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起
こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の
生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガ
スを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つ
ことが可能となる。
には、低温のＯ3 水が入っているが、そこに高温に温め
られたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度は上昇
する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。そして、
このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウ
エハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起
こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の
生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガ
スを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つ
ことが可能となる。
【００１９】図３は本発明の第３実施例を示す半導体ウ
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するため
のＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成
装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライ
ン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オ
ゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
洗浄槽２の底部には伝搬水の溜まった間接槽１４を通し
超音波を発振させる超音波発振装置１３が設けられてい
る。
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するため
のＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成
装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライ
ン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オ
ゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
洗浄槽２の底部には伝搬水の溜まった間接槽１４を通し
超音波を発振させる超音波発振装置１３が設けられてい
る。
【００２０】そこで、まず、純水ライン８から導入され
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の
超音波発振装置１３から超音波が発振され洗浄槽２中の
Ｏ3 水に超音波を照射する。
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の
超音波発振装置１３から超音波が発振され洗浄槽２中の
Ｏ3 水に超音波を照射する。
【００２１】このように第３実施例によれば、洗浄槽２
には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音
波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく震動しＯ
3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の
洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入する
と、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、
レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度に
することが可能となる。また、超音波を用いるため、レ
ジストの除去のみならず微粒子の除去も同時に可能とな
る。
には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音
波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく震動しＯ
3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の
洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入する
と、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、
レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度に
することが可能となる。また、超音波を用いるため、レ
ジストの除去のみならず微粒子の除去も同時に可能とな
る。
【００２２】図４は本発明の第４実施例を示す半導体ウ
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2
ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６
にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４に
は、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水
拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽
２の底部にはガス拡散器１７が設置されており、ガス拡
散器１７にはガスヒータ１０を通してＮ2 ガスライン１
５が接続されている。
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2
ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６
にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４に
は、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水
拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽
２の底部にはガス拡散器１７が設置されており、ガス拡
散器１７にはガスヒータ１０を通してＮ2 ガスライン１
５が接続されている。
【００２３】そこで、まず、純水ライン８から導入され
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の
ガス拡散器１７から温度を３０℃から９０℃に上げられ
たＮ2 ガスが導入される。
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の
ガス拡散器１７から温度を３０℃から９０℃に上げられ
たＮ2 ガスが導入される。
【００２４】このように第４実施例によれば、洗浄槽２
には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水はガス
拡散器１７により導入された高温のＮ2 ガスにより温度
が上昇する。この時、Ｏ3 水の温度が上昇することによ
りＯ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状
態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入
すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのた
め、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同
程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが洗浄槽
２の底部より供給されるため、バブリングの効果が得ら
れ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の
攪拌効果が得られる。
には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水はガス
拡散器１７により導入された高温のＮ2 ガスにより温度
が上昇する。この時、Ｏ3 水の温度が上昇することによ
りＯ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状
態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入
すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのた
め、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同
程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが洗浄槽
２の底部より供給されるため、バブリングの効果が得ら
れ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の
攪拌効果が得られる。
【００２５】図５は本発明の第５実施例を示す半導体ウ
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2
ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６
にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４に
は、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水
拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽
２の底部にはＵＶランプ１８が設置されている。ＵＶラ
ンプ１８には２５４ｎｍ光を照射できるような低圧水銀
ランプを用いる。
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2
ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６
にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４に
は、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水
拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽
２の底部にはＵＶランプ１８が設置されている。ＵＶラ
ンプ１８には２５４ｎｍ光を照射できるような低圧水銀
ランプを用いる。
【００２６】そこで、まず、純水ライン８から導入され
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽底部のＵＶ
ランプ１８より２５４ｎｍ光が照射される。
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽底部のＵＶ
ランプ１８より２５４ｎｍ光が照射される。
【００２７】このように第５実施例によれば、洗浄槽２
には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプ
１８より２５４ｎｍ光が照射されると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ
* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽２にレ
ジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジスト
と、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの
除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが
可能となる。
には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプ
１８より２５４ｎｍ光が照射されると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ
* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽２にレ
ジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジスト
と、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの
除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが
可能となる。
【００２８】図６は本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗
浄システムの模式図である。この図に示すように、Ｏ3
水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接
続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が
接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ラ
イン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口に
オゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は
洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部に
は薬品拡散器１９が設置されており、薬品拡散器１９に
は薬品供給ライン２０が接続されている。
浄システムの模式図である。この図に示すように、Ｏ3
水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接
続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が
接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ラ
イン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口に
オゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は
洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部に
は薬品拡散器１９が設置されており、薬品拡散器１９に
は薬品供給ライン２０が接続されている。
【００２９】そこで、まず、純水ライン８から導入され
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の
薬品拡散器１９から酸性の薬品２０Ａ、例えばＨ2 ＳＯ
4 やＨＣｌが導入される。
る純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通
して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の
薬品拡散器１９から酸性の薬品２０Ａ、例えばＨ2 ＳＯ
4 やＨＣｌが導入される。
【００３０】このように第６実施例によれば、洗浄槽に
は、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性の
薬品２０Ａを導入すると、酸性の薬品２０Ａを触媒とし
てＯ 3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽
２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レ
ジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジス
トの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にする
ことが可能となる。また、酸性の薬品２０Ａが供給され
るため槽内が酸性となり、その場合、半導体ウエハ１上
の微量金属が除去される。
は、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性の
薬品２０Ａを導入すると、酸性の薬品２０Ａを触媒とし
てＯ 3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽
２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レ
ジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジス
トの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にする
ことが可能となる。また、酸性の薬品２０Ａが供給され
るため槽内が酸性となり、その場合、半導体ウエハ１上
の微量金属が除去される。
【００３１】また、この実施例において、酸性の薬品２
０Ａに代えて、アルカリ性の薬品２０Ｂ、例えば、ＮＨ
4 ＯＨを導入するようにしてもよい。更に、洗浄槽に
は、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水にアルカ
リ性の薬品２０Ｂを導入するとアルカリ性の薬品２０Ｂ
を触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状
態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入
すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのた
め、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程
度にすることが可能となる。また、アルカリ性の薬品２
０Ｂが供給されるため槽内がアルカリ性となり、その場
合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
０Ａに代えて、アルカリ性の薬品２０Ｂ、例えば、ＮＨ
4 ＯＨを導入するようにしてもよい。更に、洗浄槽に
は、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水にアルカ
リ性の薬品２０Ｂを導入するとアルカリ性の薬品２０Ｂ
を触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状
態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入
すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのた
め、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程
度にすることが可能となる。また、アルカリ性の薬品２
０Ｂが供給されるため槽内がアルカリ性となり、その場
合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００３２】図７は本発明の第７実施例を示す半導体ウ
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2
ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６
にはオゾン水ラインとしての白金パイプ２１が接続さ
れ、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、そのオゾ
ン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
エハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。この図に示
すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純
水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2
ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６
にはオゾン水ラインとしての白金パイプ２１が接続さ
れ、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、そのオゾ
ン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００３３】そこで、まず、純水ライン８から導入され
る純水は、冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水は白金パイプ２１からな
るオゾン水ラインを通り、オゾン水拡散器３を通して洗
浄槽２に供給される。
る純水は、冷却装置７により３℃から７℃まで冷却され
る。冷却された純水はＯ3 水生成装置６に導入されＯ3
ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成
されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍ
と濃度が高くなる。そのＯ3 水は白金パイプ２１からな
るオゾン水ラインを通り、オゾン水拡散器３を通して洗
浄槽２に供給される。
【００３４】このように第７実施例によれば、生成され
たＯ3 水は、白金パイプ２１を通過してくるため、その
パイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促
進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給され
る。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導
体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反
応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され
現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、
オゾン水ラインとして白金パイプを用いるだけなので容
易に製作することができる。
たＯ3 水は、白金パイプ２１を通過してくるため、その
パイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促
進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給され
る。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導
体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反
応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され
現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、
オゾン水ラインとして白金パイプを用いるだけなので容
易に製作することができる。
【００３５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、供給されたＯ3 水
は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽に
導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。こ
のような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハ
を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。
そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量
と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接
昇温するため構造がシンプルである。
よれば次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、供給されたＯ3 水
は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽に
導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。こ
のような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハ
を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。
そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量
と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接
昇温するため構造がシンプルである。
【００３７】（２）請求項２記載の発明によれば、洗浄
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、高温に温められ
たＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度が上昇す
る。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。このような
状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入す
ると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのた
め、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程
度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入する
ため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能と
なる。
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、高温に温められ
たＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度が上昇す
る。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。このような
状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入す
ると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのた
め、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程
度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入する
ため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能と
なる。
【００３８】（３）請求項３記載の発明によれば、洗浄
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超
音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく震動し
Ｏ3水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽
にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジス
トとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの
除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが
可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除
去のみならず微粒子の除去も同時に可能となる。
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超
音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく震動し
Ｏ3水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽
にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジス
トとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの
除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが
可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除
去のみならず微粒子の除去も同時に可能となる。
【００３９】（４）請求項４記載の発明によれば、洗浄
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水は導
入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。Ｏ3 水
の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こ
る。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体
ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起
こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状
の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2
ガスが槽底部より供給されるため、バブリングの効果が
得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3
水の攪拌効果が得られる。
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水は導
入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。Ｏ3 水
の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こ
る。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体
ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起
こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状
の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2
ガスが槽底部より供給されるため、バブリングの効果が
得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3
水の攪拌効果が得られる。
【００４０】（５）請求項５記載の発明によれば、洗浄
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶラン
プより２５４ｎｍ光を照射すると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の
反応が促進される。このような状態の洗浄槽にレジスト
のついた半導体ウエハを投入すると、レジストと、Ｏ*
が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間
が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能とな
る。
槽には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶラン
プより２５４ｎｍ光を照射すると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の
反応が促進される。このような状態の洗浄槽にレジスト
のついた半導体ウエハを投入すると、レジストと、Ｏ*
が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間
が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能とな
る。
【００４１】（６）請求項６又は７記載の発明によれ
ば、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ
3 水に酸性薬品を導入すると、酸性薬品を触媒としてＯ
3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽にレ
ジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストと
Ｏ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去
時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可
能となる。また、酸性薬品が供給されるため槽内が酸性
となりその場合、半導体ウエハ上の微量金属が除去され
る。
ば、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ
3 水に酸性薬品を導入すると、酸性薬品を触媒としてＯ
3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽にレ
ジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストと
Ｏ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去
時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可
能となる。また、酸性薬品が供給されるため槽内が酸性
となりその場合、半導体ウエハ上の微量金属が除去され
る。
【００４２】また、アルカリ性薬品が供給されると、槽
内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微
量パーティクルが除去される。 （７）請求項８記載の発明によれば、生成されたＯ3 水
は、白金パイプを通過してくるため、そのパイプ表面が
触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄
槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このよう
な状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入
すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。その
ため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同
程度にすることが可能となる。また、白金パイプを用い
るだけであり、容易に製作することができる。
内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微
量パーティクルが除去される。 （７）請求項８記載の発明によれば、生成されたＯ3 水
は、白金パイプを通過してくるため、そのパイプ表面が
触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄
槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このよう
な状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入
すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。その
ため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同
程度にすることが可能となる。また、白金パイプを用い
るだけであり、容易に製作することができる。
【００４３】（８）請求項９記載の発明によれば、冷却
装置を付加することにより、一度冷却した後に昇温する
ことで、より洗浄効果を高めることができる。
装置を付加することにより、一度冷却した後に昇温する
ことで、より洗浄効果を高めることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すＯ3 水洗浄システム
の模式図である。
の模式図である。
【図２】本発明の第２実施例を示すＯ3 水洗浄システム
の模式図である。
の模式図である。
【図３】本発明の第３実施例を示すＯ3 水洗浄システム
の模式図である。
の模式図である。
【図４】本発明の第４実施例を示すＯ3 水洗浄システム
の模式図である。
の模式図である。
【図５】本発明の第５実施例を示すＯ3 水洗浄システム
の模式図である。
の模式図である。
【図６】本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システム
の模式図である。
の模式図である。
【図７】本発明の第７実施例を示すＯ3 水洗浄システム
の模式図である。
の模式図である。
【図８】従来のＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図９】従来のＯ3 水によるレジスト除去評価結果を示
す図である。
す図である。
１ 半導体ウエハ ２ 洗浄槽 ３ オゾン水拡散器 ４ オゾン水ライン ５ ヒータ ６ Ｏ3 水生成装置 ７ 冷却装置 ８ 純水ライン ９ Ｏ2 ガスライン １０ Ｏ3 ガスヒータ １１ Ｏ3 ガスライン １２ オゾンガス拡散器 １３ 超音波発振装置 １４ 間接槽 １５ Ｎ2 ガスライン １７ ガス拡散器 １８ ＵＶランプ １９ 薬品拡散器 ２０ 薬品供給ライン ２０Ａ 酸性の薬品 ２０Ｂ アルカリ性の薬品 ２１ 白金パイプ
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体ウエハのオゾン水洗浄システムに
おいて、洗浄槽とオゾン水生成装置の間のオゾン水供給
ライン上にオゾン水を昇温するためのヒータを設けるよ
うにしたことを特徴とする半導体ウエハのオゾン水洗浄
システム。 - 【請求項２】 半導体ウエハのオゾン水洗浄システムに
おいて、オゾン水生成装置からオゾン水供給ラインを介
して洗浄槽へ接続するとともに、オゾン水生成時にオゾ
ン水に含有できなかったオゾンガスを取り出し、そのガ
スを昇温するためのヒータを設け、昇温されたオゾンガ
スを洗浄槽に導入するようにしたことを特徴とする半導
体ウエハのオゾン水洗浄システム。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体ウエハのオゾン水
洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾ
ン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、生
成されたオゾン水を溜めるための前記洗浄槽の下部に超
音波発生装置を設けることを特徴とする半導体ウエハの
オゾン水洗浄システム。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体ウエハのオゾン水
洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾ
ン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、不
活性ガスを昇温するためのヒータを設け、その昇温され
た不活性ガスを洗浄槽に導入することを特徴とする半導
体ウエハのオゾン水洗浄システム。 - 【請求項５】 請求項２記載の半導体ウエハのオゾン水
洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾ
ン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、生
成されたオゾン水を溜めるための前記洗浄槽内の下部に
２５７ｎｍ紫外線を発生させるＵＶランプを設けること
を特徴とする半導体ウエハのオゾン水洗浄システム。 - 【請求項６】 請求項２記載の半導体ウエハのオゾン水
洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾ
ン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、生
成されたオゾン水を溜めるための前記洗浄槽内に薬品拡
散器を設け、薬品を供給することを特徴とする半導体ウ
エハのオゾン水洗浄システム。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体ウエハのオゾン水
洗浄システムにおいて、前記薬品は酸性の液又はアルカ
リ性の液であることを特徴とする半導体ウエハのオゾン
水洗浄システム。 - 【請求項８】 請求項２記載の半導体ウエハのオゾン水
洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置からオゾ
ン水供給ラインを介して洗浄槽へ接続するとともに、前
記オゾン水供給ラインとして白金パイプを設けることを
特徴とする半導体ウエハのオゾン水洗浄システム。 - 【請求項９】 請求項１又は２記載の半導体ウエハのオ
ゾン水洗浄システムにおいて、前記オゾン水生成装置の
前に冷却装置を設けることを特徴とする半導体ウエハの
オゾン水洗浄システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22605898A JP3862868B2 (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | 半導体ウエハの洗浄システム |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22605898A JP3862868B2 (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | 半導体ウエハの洗浄システム |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003193462A Division JP3863127B2 (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058496A true JP2000058496A (ja) | 2000-02-25 |
| JP2000058496A5 JP2000058496A5 (ja) | 2004-07-29 |
| JP3862868B2 JP3862868B2 (ja) | 2006-12-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22605898A Expired - Fee Related JP3862868B2 (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | 半導体ウエハの洗浄システム |
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|---|---|
| JP (1) | JP3862868B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003010795A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
| US6982006B1 (en) | 1999-10-19 | 2006-01-03 | Boyers David G | Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution |
| US7156111B2 (en) * | 2001-07-16 | 2007-01-02 | Akrion Technologies, Inc | Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution |
| WO2007102604A1 (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Tokyo Electron Limited | 液処理装置及び処理液の消泡方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN109107974B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-08-11 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种太阳能电池制备用石英器件的清洗方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH04146616A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Chlorine Eng Corp Ltd | 有機物被膜の除去方法 |
| JPH0547730A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Chlorine Eng Corp Ltd | 有機物の除去方法 |
| JPH0623430A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-01 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 白金系パイプ構造体の製造方法 |
| JPH06120203A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | 液体の温度調節方法及び液体の温度調節装置 |
| JPH08274053A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | 洗浄方法および装置 |
| JPH09501017A (ja) * | 1993-07-16 | 1997-01-28 | レガシー システムズ インコーポレイテッド | 半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置 |
| JPH09129584A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
-
1998
- 1998-08-10 JP JP22605898A patent/JP3862868B2/ja not_active Expired - Fee Related
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