JP3863127B2 - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3863127B2 JP3863127B2 JP2003193462A JP2003193462A JP3863127B2 JP 3863127 B2 JP3863127 B2 JP 3863127B2 JP 2003193462 A JP2003193462 A JP 2003193462A JP 2003193462 A JP2003193462 A JP 2003193462A JP 3863127 B2 JP3863127 B2 JP 3863127B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- semiconductor wafer
- ozone
- gas
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造方法の一部である半導体ウエハをオゾン水により洗浄する洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、例えば、下記特許文献１、２及び非特許文献１に示すものが挙げられる。
【０００３】
すなわち、従来の装置としては、例えば、図８に示すように、洗浄槽３１、その内部に拡散器付きガス発生装置３２、オゾン発生器３３、冷却器３４、循環ポンプ３５、オゾンプレミックス室３６より構成される。
【０００４】
この装置の動作について説明する。
【０００５】
まず、純水を循環ポンプ３５を使って循環する。循環される純水は冷却器３４によって、３〜７℃程度まで冷却される。その冷却された純水中に拡散器付きガス発生装置３２及びオゾンプレミックス室３６でオゾン発生器３３から発生しているオゾンを溶け込ませる。冷却された純水には高濃度のオゾンが溶け込むため、常温で溶解させるよりも純水中のオゾン濃度は１０倍程度となる。この高濃度のオゾン水により、ウエハ３７のレジストの除去が可能となる。
【０００６】
【特許文献１】
特表平９−５０１０１７号公報
【０００７】
【特許文献２】
特表平９−５０３０９９号公報
【０００８】
【非特許文献１】
「ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＯＲＧＡＮＩＣ ＲＥＭＯＶＡＬ ＰＲＯＣＥＳＳ；ＧＲＥＥＮ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ，Ｌｅｇａｃｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ」
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の装置で生成されるオゾン（Ｏ3 ）水のレジスト除去レートは、図９に示すように、６００Å／ｍｉｎと非常に遅い。６００Å／ｍｉｎのエッチングレートでは、例えば、１００００Åのレジストを除去するのに１７分程度必要となる。また、このジャストエッチングでは多くのパーティクルが表面上に残っており、十分なパーティクルの除去をするためには１．５倍程度の２５分の処理が必要となる。
【００１０】
上述した例は、レジストのコートのみを行ったウエハでの場合であり、レジストのパターニングまで行ったウエハの場合には、さらにその３倍程度の処理時間が必要となる。現状のレジスト除去では、ＳＰＭ（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液）を使用しているが、その場合と比較して５倍以上の処理時間が必要となる。
【００１１】
本発明は、上記状況に鑑みて、半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエハの水洗浄方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕半導体ウエハの洗浄方法において、オゾン水を生成し、前記オゾン水が生成される一方で、前記オゾン水が生成される際に溶け込まずに残存したオゾンガスを昇温し、前記昇温されたオゾンガスを前記オゾン水の中に導入することによって、前記オゾン水の温度を上昇させ、前記昇温されたオゾン水を用いて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする。
【００１３】
〔２〕上記〔１〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、昇温される前に冷却されることを特徴とする。
【００１４】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、冷却された純水を用いて生成されることを特徴とする。
【００１５】
〔４〕上記〔３〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、前記冷却された純水によって冷却されることを特徴とする。
【００１６】
〔５〕上記〔３〕又は〔４〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記純水は３℃〜７℃の温度に冷却されることを特徴とする。
【００１７】
〔６〕上記〔１〕〜〔５〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記昇温されたオゾンガスの温度は２０℃〜８０℃であることを特徴とする。
【００１８】
〔７〕上記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記昇温されたオゾン水を用いて前記半導体ウエハを洗浄する際に、前記半導体ウエハ上のレジスト膜が除去されることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体ウエハのオゾン（Ｏ3 ）水洗浄システムの模式図である。
【００２１】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には、冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するための酸素（Ｏ2 ）ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、途中ヒータ５が接続されている。オゾン水ライン４の出口にはオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００２２】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることにより、Ｏ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はヒータ５を通して２０℃から７０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２３】
このように第１実施例によれば、供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽２に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００２４】
図２は本発明の第２実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００２５】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
【００２６】
また、Ｏ3 水生成装置６には、Ｏ3 水生成装置６で純水中に溶け込まなかったＯ3 ガスを取り出すためのＯ3 ガスライン１１が設けられており、そのガスライン１１にはＯ3 ガスヒータ１０が設けられている。Ｏ3 ガスライン１１はＯ3 ガスヒータ１０を出た後、オゾンガス拡散器１２につなげられ、そのオゾンガス拡散器１２は、洗浄槽２の底部に設けられている。
【００２７】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２８】
ここで、Ｏ2 ガスと純水を混合する時に発生したＯ3 ガスは全て純水に溶け込むわけではない。その溶け込まなかったＯ3 ガスはＯ3 水生成装置６からＯ3 ガスライン１１を通して取り出される。発生したＯ3 ガスはＯ3 ガスヒータ１０により２０℃から８０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 ガスはオゾンガス拡散器１２を通して洗浄槽２に供給される。
【００２９】
このように第２実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そこに高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度は上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００３０】
図３は本発明の第３実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３１】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には伝搬水の溜まった間接槽１４を通し超音波を発振させる超音波発振装置１３が設けられている。
【００３２】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の超音波発振装置１３から超音波が発振され洗浄槽２中のＯ3 水に超音波を照射する。
【００３３】
このように第３実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならずパーティクルの除去も同時に可能となる。
【００３４】
図４は本発明の第４実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３５】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはガス拡散器１７が設置されており、ガス拡散器１７にはガスヒータ１０を通してＮ2 ガスライン１５が接続されている。
【００３６】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部のガス拡散器１７から温度を３０℃から９０℃に上げられたＮ2 ガスが導入される。
【００３７】
このように第４実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水はガス拡散器１７により導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００３８】
そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが洗浄槽２の底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００３９】
図５は本発明の第５実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはＵＶランプ１８が設置されている。ＵＶランプ１８には２５４ｎｍ光を照射できるような低圧水銀ランプを用いる。
【００４１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部のＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射される。
【００４２】
このように第５実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射されると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００４３】
図６は本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４４】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には薬品拡散器１９が設置されており、薬品拡散器１９には薬品供給ライン２０が接続されている。
【００４５】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の薬品拡散器１９から酸性の薬品２０Ａ、例えばＨ2 ＳＯ4 やＨＣｌが導入される。
【００４６】
このように第６実施例によれば、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性の薬品２０Ａを導入すると、酸性の薬品２０Ａを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性の薬品２０Ａが供給されるため槽内が酸性となり、その場合、半導体ウエハ１上の微量金属が除去される。
【００４７】
また、この実施例において、酸性の薬品２０Ａに代えて、アルカリ性の薬品２０Ｂ、例えば、ＮＨ4 ＯＨを導入するようにしてもよい。
【００４８】
更に、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水にアルカリ性の薬品２０Ｂを導入するとアルカリ性の薬品２０Ｂを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、アルカリ性の薬品２０Ｂが供給されるため槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００４９】
図７は本発明の第７実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００５０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ラインとしての白金パイプ２１が接続され、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、そのオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００５１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は、冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水は白金パイプ２１からなるオゾン水ラインを通り、オゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００５２】
このように第７実施例によれば、生成されたＯ3 水は、白金パイプ２１を通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、オゾン水ラインとして白金パイプを用いるだけなので容易に製作することができる。
【００５３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば次のような効果を奏することができる。
【００５５】
（１）供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００５６】
（２）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００５７】
（３）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならずパーティクルの除去も同時に可能となる。
【００５８】
（４）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水は導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００５９】
このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが槽底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００６０】
（５）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプより２５４ｎｍ光を照射すると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００６１】
（６）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性薬品を導入すると、酸性薬品を触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性薬品が供給されるため槽内が酸性となりその場合、半導体ウエハ上の微量金属が除去される。
【００６２】
また、アルカリ性薬品が供給されると、槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００６３】
（７）生成されたＯ3 水は、白金パイプを通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、白金パイプを用いるだけであり、容易に製作することができる。
【００６４】
（８）冷却装置を付加することにより、一度冷却した後に昇温することで、より洗浄効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図２】 本発明の第２実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図３】 本発明の第３実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図４】 本発明の第４実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図５】 本発明の第５実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図６】 本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図７】 本発明の第７実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図８】 従来のＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図９】 従来のＯ3 水によるレジスト除去評価結果を示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウエハ
２ 洗浄槽
３ オゾン水拡散器
４ オゾン水ライン
５ ヒータ
６ Ｏ3 水生成装置
７ 冷却装置
８ 純水ライン
９ Ｏ2 ガスライン
１０ Ｏ3 ガスヒータ
１１ Ｏ3 ガスライン
１２ オゾンガス拡散器
１３ 超音波発振装置
１４ 間接槽
１５ Ｎ2 ガスライン
１７ ガス拡散器
１８ ＵＶランプ
１９ 薬品拡散器
２０ 薬品供給ライン
２０Ａ 酸性の薬品
２０Ｂ アルカリ性の薬品
２１ 白金パイプ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造方法の一部である半導体ウエハをオゾン水により洗浄する洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、例えば、下記特許文献１、２及び非特許文献１に示すものが挙げられる。
【０００３】
すなわち、従来の装置としては、例えば、図８に示すように、洗浄槽３１、その内部に拡散器付きガス発生装置３２、オゾン発生器３３、冷却器３４、循環ポンプ３５、オゾンプレミックス室３６より構成される。
【０００４】
この装置の動作について説明する。
【０００５】
まず、純水を循環ポンプ３５を使って循環する。循環される純水は冷却器３４によって、３〜７℃程度まで冷却される。その冷却された純水中に拡散器付きガス発生装置３２及びオゾンプレミックス室３６でオゾン発生器３３から発生しているオゾンを溶け込ませる。冷却された純水には高濃度のオゾンが溶け込むため、常温で溶解させるよりも純水中のオゾン濃度は１０倍程度となる。この高濃度のオゾン水により、ウエハ３７のレジストの除去が可能となる。
【０００６】
【特許文献１】
特表平９−５０１０１７号公報
【０００７】
【特許文献２】
特表平９−５０３０９９号公報
【０００８】
【非特許文献１】
「ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＯＲＧＡＮＩＣ ＲＥＭＯＶＡＬ ＰＲＯＣＥＳＳ；ＧＲＥＥＮ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ，Ｌｅｇａｃｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ」
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の装置で生成されるオゾン（Ｏ3 ）水のレジスト除去レートは、図９に示すように、６００Å／ｍｉｎと非常に遅い。６００Å／ｍｉｎのエッチングレートでは、例えば、１００００Åのレジストを除去するのに１７分程度必要となる。また、このジャストエッチングでは多くのパーティクルが表面上に残っており、十分なパーティクルの除去をするためには１．５倍程度の２５分の処理が必要となる。
【００１０】
上述した例は、レジストのコートのみを行ったウエハでの場合であり、レジストのパターニングまで行ったウエハの場合には、さらにその３倍程度の処理時間が必要となる。現状のレジスト除去では、ＳＰＭ（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液）を使用しているが、その場合と比較して５倍以上の処理時間が必要となる。
【００１１】
本発明は、上記状況に鑑みて、半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエハの水洗浄方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕半導体ウエハの洗浄方法において、オゾン水を生成し、前記オゾン水が生成される一方で、前記オゾン水が生成される際に溶け込まずに残存したオゾンガスを昇温し、前記昇温されたオゾンガスを前記オゾン水の中に導入することによって、前記オゾン水の温度を上昇させ、前記昇温されたオゾン水を用いて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする。
【００１３】
〔２〕上記〔１〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、昇温される前に冷却されることを特徴とする。
【００１４】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、冷却された純水を用いて生成されることを特徴とする。
【００１５】
〔４〕上記〔３〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、前記冷却された純水によって冷却されることを特徴とする。
【００１６】
〔５〕上記〔３〕又は〔４〕記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記純水は３℃〜７℃の温度に冷却されることを特徴とする。
【００１７】
〔６〕上記〔１〕〜〔５〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記昇温されたオゾンガスの温度は２０℃〜８０℃であることを特徴とする。
【００１８】
〔７〕上記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記昇温されたオゾン水を用いて前記半導体ウエハを洗浄する際に、前記半導体ウエハ上のレジスト膜が除去されることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体ウエハのオゾン（Ｏ3 ）水洗浄システムの模式図である。
【００２１】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には、冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するための酸素（Ｏ2 ）ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、途中ヒータ５が接続されている。オゾン水ライン４の出口にはオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００２２】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることにより、Ｏ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はヒータ５を通して２０℃から７０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２３】
このように第１実施例によれば、供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽２に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００２４】
図２は本発明の第２実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００２５】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
【００２６】
また、Ｏ3 水生成装置６には、Ｏ3 水生成装置６で純水中に溶け込まなかったＯ3 ガスを取り出すためのＯ3 ガスライン１１が設けられており、そのガスライン１１にはＯ3 ガスヒータ１０が設けられている。Ｏ3 ガスライン１１はＯ3 ガスヒータ１０を出た後、オゾンガス拡散器１２につなげられ、そのオゾンガス拡散器１２は、洗浄槽２の底部に設けられている。
【００２７】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２８】
ここで、Ｏ2 ガスと純水を混合する時に発生したＯ3 ガスは全て純水に溶け込むわけではない。その溶け込まなかったＯ3 ガスはＯ3 水生成装置６からＯ3 ガスライン１１を通して取り出される。発生したＯ3 ガスはＯ3 ガスヒータ１０により２０℃から８０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 ガスはオゾンガス拡散器１２を通して洗浄槽２に供給される。
【００２９】
このように第２実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そこに高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度は上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００３０】
図３は本発明の第３実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３１】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には伝搬水の溜まった間接槽１４を通し超音波を発振させる超音波発振装置１３が設けられている。
【００３２】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の超音波発振装置１３から超音波が発振され洗浄槽２中のＯ3 水に超音波を照射する。
【００３３】
このように第３実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならずパーティクルの除去も同時に可能となる。
【００３４】
図４は本発明の第４実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３５】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはガス拡散器１７が設置されており、ガス拡散器１７にはガスヒータ１０を通してＮ2 ガスライン１５が接続されている。
【００３６】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部のガス拡散器１７から温度を３０℃から９０℃に上げられたＮ2 ガスが導入される。
【００３７】
このように第４実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水はガス拡散器１７により導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００３８】
そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが洗浄槽２の底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００３９】
図５は本発明の第５実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはＵＶランプ１８が設置されている。ＵＶランプ１８には２５４ｎｍ光を照射できるような低圧水銀ランプを用いる。
【００４１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部のＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射される。
【００４２】
このように第５実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射されると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００４３】
図６は本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４４】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には薬品拡散器１９が設置されており、薬品拡散器１９には薬品供給ライン２０が接続されている。
【００４５】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の薬品拡散器１９から酸性の薬品２０Ａ、例えばＨ2 ＳＯ4 やＨＣｌが導入される。
【００４６】
このように第６実施例によれば、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性の薬品２０Ａを導入すると、酸性の薬品２０Ａを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性の薬品２０Ａが供給されるため槽内が酸性となり、その場合、半導体ウエハ１上の微量金属が除去される。
【００４７】
また、この実施例において、酸性の薬品２０Ａに代えて、アルカリ性の薬品２０Ｂ、例えば、ＮＨ4 ＯＨを導入するようにしてもよい。
【００４８】
更に、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水にアルカリ性の薬品２０Ｂを導入するとアルカリ性の薬品２０Ｂを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、アルカリ性の薬品２０Ｂが供給されるため槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００４９】
図７は本発明の第７実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００５０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ラインとしての白金パイプ２１が接続され、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、そのオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００５１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は、冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水は白金パイプ２１からなるオゾン水ラインを通り、オゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００５２】
このように第７実施例によれば、生成されたＯ3 水は、白金パイプ２１を通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、オゾン水ラインとして白金パイプを用いるだけなので容易に製作することができる。
【００５３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば次のような効果を奏することができる。
【００５５】
（１）供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００５６】
（２）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００５７】
（３）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならずパーティクルの除去も同時に可能となる。
【００５８】
（４）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水は導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００５９】
このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが槽底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００６０】
（５）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプより２５４ｎｍ光を照射すると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００６１】
（６）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性薬品を導入すると、酸性薬品を触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性薬品が供給されるため槽内が酸性となりその場合、半導体ウエハ上の微量金属が除去される。
【００６２】
また、アルカリ性薬品が供給されると、槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００６３】
（７）生成されたＯ3 水は、白金パイプを通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、白金パイプを用いるだけであり、容易に製作することができる。
【００６４】
（８）冷却装置を付加することにより、一度冷却した後に昇温することで、より洗浄効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図２】 本発明の第２実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図３】 本発明の第３実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図４】 本発明の第４実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図５】 本発明の第５実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図６】 本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図７】 本発明の第７実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図８】 従来のＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図９】 従来のＯ3 水によるレジスト除去評価結果を示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウエハ
２ 洗浄槽
３ オゾン水拡散器
４ オゾン水ライン
５ ヒータ
６ Ｏ3 水生成装置
７ 冷却装置
８ 純水ライン
９ Ｏ2 ガスライン
１０ Ｏ3 ガスヒータ
１１ Ｏ3 ガスライン
１２ オゾンガス拡散器
１３ 超音波発振装置
１４ 間接槽
１５ Ｎ2 ガスライン
１７ ガス拡散器
１８ ＵＶランプ
１９ 薬品拡散器
２０ 薬品供給ライン
２０Ａ 酸性の薬品
２０Ｂ アルカリ性の薬品
２１ 白金パイプ
Claims (7)
- オゾン水を生成し、
前記オゾン水が生成される一方で、前記オゾン水が生成される際に溶け込まずに残存したオゾンガスを昇温し、
前記昇温されたオゾンガスを前記オゾン水の中に導入することによって、前記オゾン水の温度を上昇させ、
前記昇温されたオゾン水を用いて半導体ウエハを洗浄することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。 - 請求項１記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、昇温される前に冷却されることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
- 請求項１又は２記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、冷却された純水を用いて生成されることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
- 請求項３記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記オゾンガスは、前記冷却された純水によって冷却されることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
- 請求項３又は４記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記純水は３℃〜７℃の温度に冷却されることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
- 請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記昇温されたオゾンガスの温度は２０℃〜８０℃であることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
- 請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄方法において、前記昇温されたオゾン水を用いて前記半導体ウエハを洗浄する際に、前記半導体ウエハ上のレジスト膜が除去されることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003193462A JP3863127B2 (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003193462A JP3863127B2 (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22605898A Division JP3862868B2 (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | 半導体ウエハの洗浄システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004031972A JP2004031972A (ja) | 2004-01-29 |
| JP3863127B2 true JP3863127B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=31185473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003193462A Expired - Fee Related JP3863127B2 (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3863127B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4791867B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-10-12 | 日立マクセル株式会社 | 貴金属コート磁性粒子を用いた被検物質の検出方法 |
| JP4824479B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2011-11-30 | 倉敷紡績株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
| JP5939373B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2016-06-22 | 栗田工業株式会社 | 電子材料洗浄方法および洗浄装置 |
| JP6996438B2 (ja) * | 2018-07-11 | 2022-01-17 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの洗浄方法、および該洗浄方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02164035A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP3152430B2 (ja) * | 1990-10-09 | 2001-04-03 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 有機物被膜の除去方法 |
| JP3196963B2 (ja) * | 1991-08-20 | 2001-08-06 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 有機物の除去方法 |
| JP2863379B2 (ja) * | 1992-07-10 | 1999-03-03 | 田中貴金属工業株式会社 | 白金系パイプ構造体の製造方法 |
| JPH06120203A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | 液体の温度調節方法及び液体の温度調節装置 |
| US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| JPH08274053A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | 洗浄方法および装置 |
| JP3591088B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2004-11-17 | 三菱住友シリコン株式会社 | 半導体基板の洗浄装置 |
-
2003
- 2003-07-08 JP JP2003193462A patent/JP3863127B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004031972A (ja) | 2004-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5378317A (en) | Method for removing organic film | |
| JP3624162B2 (ja) | 半導体ウェーハをメガソニック洗浄するための脱イオン水の温度制御されたガス化 | |
| WO2009128327A1 (ja) | 電子材料用洗浄水、電子材料の洗浄方法及びガス溶解水の供給システム | |
| JP2009219995A (ja) | ガス溶解水供給システム | |
| JPWO2010140581A1 (ja) | ヒドロキシルラジカル含有水供給方法、及び、ヒドロキシルラジカル含有水供給装置 | |
| WO2000030164A1 (fr) | Procede d'elimination d'un film de photoresine | |
| JP2007150164A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JP4088810B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| JP2007059603A (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム | |
| JPH04146616A (ja) | 有機物被膜の除去方法 | |
| JP2008016620A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JP2001077069A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP3863127B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| JP3862868B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄システム | |
| JP2007266497A (ja) | 半導体基板洗浄システム | |
| JPH01226156A (ja) | 基板の清浄化処理方法およびその装置 | |
| JP2000058496A5 (ja) | ||
| JP2002192089A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2004241726A (ja) | レジスト処理方法およびレジスト処理装置 | |
| JPH1129794A (ja) | 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法 | |
| JP2006278838A (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム | |
| JPH0910713A (ja) | ウエット処理方法および処理装置 | |
| JP2004241414A (ja) | 剥離洗浄装置 | |
| JP4560966B2 (ja) | 電子材料の洗浄方法 | |
| JP3910190B2 (ja) | 洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060627 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060821 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060829 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060926 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060927 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091006 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091006 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111006 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 6 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131006 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |