JP2004241726A - レジスト処理方法およびレジスト処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レジスト被膜の形成されている基板とオゾン水とを接触させながら紫外線を照射する従来の方法では、酸化性ラジカルの生成量が少なく、レジスト除去能力が不充分であった。また、従来の方法はバッチ処理であり、液晶パネル用などの大型基板に対応できないと言う問題があった。
【解決手段】低温加圧状態の高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、オゾン水中にレジスト被膜と反応するのに充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、直ちにこのオゾン水を大気圧雰囲気に解放して、基板表面に噴射供給し、基板表面のレジスト被膜を除去する。この方法によれば、バッチ処理を行う必要はなく、平流し処理が可能なので、大型基板のレジスト被膜を均一に除去することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】低温加圧状態の高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、オゾン水中にレジスト被膜と反応するのに充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、直ちにこのオゾン水を大気圧雰囲気に解放して、基板表面に噴射供給し、基板表面のレジスト被膜を除去する。この方法によれば、バッチ処理を行う必要はなく、平流し処理が可能なので、大型基板のレジスト被膜を均一に除去することができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト処理方法およびレジスト処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいては、基板の表面に対して、レジスト塗布−エッチング−レジスト剥離の工程が繰り返される。レジスト剥離の方法は、剥離液として有機溶剤、硫酸/過酸化水素水混合液などの薬液を使用するウェット処理と、プラズマを利用するドライ処理とに大別され、それぞれ用途に応じて使い分けられている。両者を比較すると、一般的にはウェット処理の方が経済的である。しかしながら、ウェット処理は使用する薬液が総じて環境汚染物質であり、ウェット処理による廃液をそのまま廃棄すると環境保全上好ましくないので、廃液を廃棄するための特別な処理が必要になるという問題がある。
【0003】
環境面での問題がないクリーンで経済的なレジスト剥離方法として、近年、オゾンを利用する処理方法が注目されている。オゾンは強力な酸化力を有しており、しかも分解して酸素になるので、環境汚染の懸念がなく、排ガス、排液処理の問題もなく、クリーンな酸化分解剤として認知されている。オゾンを利用する方法は、オゾンガスによって基板表面を処理する気相処理と、オゾン水によって基板表面を処理する液相処理とに大別される。
【0004】
オゾン水は、オゾンガスよりも酸化力が弱く、レジスト被膜を分解する能力が小さい。ところが、オゾン水に紫外線を照射すると、オゾンガスよりも酸化力の強い酸化性ラジカルを生成することが知られており、オゾン水の酸化分解能力を高めることが可能である。このようなオゾン水の特性を利用し、低温の高濃度オゾン水を拡散供給しながら紫外線を照射して基板表面のレジストを処理する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。図4は、従来のレジスト処理方法を実現するためのレジスト処理装置101の構成を示す模式図である。レジスト処理装置101は、基板102を洗浄する洗浄槽103と、洗浄槽103の中底部に設けられるオゾン水拡散器104と、洗浄槽103の底部に設けられ、254nmの紫外光を照射するUVランプ105と、オゾン水生成装置106と、オゾン水生成装置106にオゾンの原料になる酸素を供給する酸素ガスライン107と、オゾン水生成装置106によって得られるオゾン水をオゾン水拡散器104に供給するオゾン水ライン108と、冷却装置109と、冷却装置109に純水を供給する純水ライン110と、冷却装置109によって冷却される純水をオゾン水生成装置106に供給する冷却水ライン111とを含んで構成される。
【0005】
まず、純水を、純水ライン110から冷却装置109に導入し、3〜7℃に冷却する。この純水は、冷却水ライン111を介してオゾン水生成装置106に供給される。また、酸素は、酸素ガスライン107を介してオゾン水生成装置106に供給される。オゾン水生成装置106において、酸素からオゾンガスが合成され、このオゾンガスと純水とを混合することによってオゾン水が生成する。オゾン水は水温が低いので、50〜100ppm程度の高濃度である。この低温・高濃度オゾン水を、オゾン水ライン108およびオゾン水拡散器104を介して洗浄槽103に供給するとともに、UVランプ105から254nm光を照射する。低温・高濃度のオゾン水に254nm光を照射すると、洗浄槽103内でラジカル生成反応が促進される。このような状態の洗浄槽103にレジストが付着している半導体ウェハ102を投入すると、レジストと酸化性ラジカルとが反応し、レジストの除去時間が短縮される。しかしながら、特許文献1のように、オゾン水に大気圧下で紫外線を照射するだけでは、たとえオゾン水を冷却していても、酸化性ラジカルの生成量は少なく、レジスト除去能力は不充分である。
【0006】
また、基板を温純水中で高温に加熱し、温純水中から取り出して低温・高濃度のオゾン水に浸漬して基板のレジストを除去する方法が提案されている(たとえば、特許文献2参照)。さらに、特許文献2には、オゾン水のオゾン濃度を高めるために上記の方法を加圧下に行うこと、酸化性ラジカルを発生させるために、オゾン水に紫外線を照射することなどが記載されている。
【0007】
特許文献2の方法は、特許文献1と同様に、基板と低温・高濃度のオゾン水とを接触させた状態で紫外線を照射し、酸化性ラジカルを発生させようとするものである。しかしながら、特許文献2の基板は高温に加熱されているので、オゾン水が冷却されかつ加圧されて非常に高濃度になっているとしても、基板周辺のオゾン水は熱せられ、オゾン水中のオゾン濃度が低下するのを避けることができない。したがって、レジスト除去を効率的に行うのに必要な量の酸化性ラジカルを発生させることはできず、レジスト除去能力は不充分になる。特許文献2には、オゾン水を基板に接触させる前に、オゾン水中に、レジストを除去するのに充分な量の酸化性ラジカルを発生させることについて、具体的に記載するところはなく、示唆すら見当たらない。
【0008】
さらに、最近では、基板の大型化が進み、たとえば液晶パネルなどにおいて、1辺の長さが1mを超えるような大型基板が用いられるようになってきている。このような大型基板を処理するには、従来のバッチ処理では非常に大きな処理槽が必要になり、そのような非常に大きな処理槽は生産性、作業性、一般的な設備の設置面積などからみて現実的ではないので、また従来のスピン処理では均一な処理ができないので、ローラなどの基板搬送手段の上に大型基板を載せて搬送しながら、処理液を大型基板表面に供給する平流し処理が主流になっている。これに対し、特許文献1および特許文献2のレジスト除去方法は、いずれもバッチ処理であるので、大型基板のレジスト除去には対応できない。
【0009】
【特許文献1】
特開2000−058496号公報(第4頁、第5図)
【特許文献2】
特開2002−110605号公報(第9頁、第35〜36段落)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来の方法よりもレジスト除去能力が大きく、大型基板のレジスト除去にも対応できるレジスト処理方法およびレジスト処理装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理方法において、
加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を、大気圧雰囲気中の前記基板に噴射供給することを特徴とするレジスト処理方法である。
【0012】
本発明に従えば、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高め、この低温加圧状態にある高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、レジスト被膜の除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、この酸化性ラジカルを豊富に含むオゾン水を大気雰囲気中すなわち常圧下の基板に噴射供給することによって、酸化性ラジカルが不足することなく基板表面の全面に行き渡るので、基板表面のレジスト被膜を非常に効率よく除去することができる。
【0013】
本発明は、表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理装置において、
加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を前記基板に噴射供給するノズルと、
オゾン水生成手段とノズルとの間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を活性化手段に導くための配管と、
配管中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段とを含むことを特徴とするレジスト処理装置である。
【0014】
本発明に従えば、前述のレジスト処理方法を実現することができるレジスト処理装置が提供される。
【0015】
本発明のレジスト処理装置は、前述のように、オゾン水を基板に供給する前に、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルがオゾン水中に生成しているので、基板に接触するオゾン水の濃度変化などに影響を受けることなく、レジスト被膜をきわめて効率よく除去することができる。
【0016】
また本発明のレジスト処理装置は、さらに基板加熱手段を含むことを特徴とする。
【0017】
本発明に従えば、基板を加熱することによって、基板表面のレジスト被膜とオゾン水中の酸化性ラジカルとの反応が一層促進される。本発明で使用するオゾン水中には、基板と接触する前に酸化性ラジカルが充分に含まれているので、加熱によるオゾン濃度の低下などの影響を受けることがない。
【0018】
また本発明のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を含むことを特徴とする。
【0019】
本発明に従えば、前述のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を備えることによって、平流し処理が可能になり、液晶パネルなどの大型基板のレジスト被膜を除去するのにも有効である。
【0020】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段が、
加圧されかつ冷却されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管と、
前記紫外線透過配管の周囲に設けられる紫外線発生手段とを含むことを特徴とする。
【0021】
本発明に従えば、紫外線を透過する素材からなる配管にオゾン水を流し、その周囲に紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0022】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段が、
加圧され及び冷却されているオゾン水の流路を構成する配管と、
前記配管の内部に設けられる1または複数の紫外線発生手段とを含むことを特徴とする。
【0023】
本発明に従えば、オゾン水が流れている配管の内部に1または複数の紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0024】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段と前記ノズルとが一体化され、
加圧および冷却されているオゾン水を活性化するオゾン水活性化槽と、
前記オゾン水活性化槽の内部に設けられる1または複数の紫外線発生手段と、
前記オゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルとを含むことを特徴とする。
【0025】
本発明に従えば、活性化手段およびノズルとを、オゾン水活性化槽とオゾン活性化層の内部に設けられる紫外線発生手段とオゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルを含む一体化構造とすることによって、オゾン水をさらに効率よく活性化させて酸化性ラジカルの生成を促進し、レジスト被膜の除去能力を向上させるとともに、基板表面をさらに均一に処理することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト処理方法は、大気圧雰囲気中にある、表面にレジスト被膜が形成されている基板に、加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を噴射供給することによって、基板表面のレジスト被膜を除去するものである。
【0027】
すなわち本発明の方法は、従来技術のように、オゾン水と基板と接触させた状態で、オゾン水に紫外線を照射したりまたは加圧したりするのではなく、オゾン水を基板に接触させる前に、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高めるとともに、紫外線を照射してオゾン水中にレジスト除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させておくことを特徴としている。
【0028】
本発明の方法は、表面の一部または全面にレジスト被膜が形成されている基板を処理対象にする。
【0029】
オゾン水は、公知の方法に従って、たえとば、オゾンガスを水に溶解することによって製造できる。オゾンガスの水への溶解は、オゾン濃度を高めるために、加圧下に行われる。オゾン水は、さらにオゾン濃度を高めるために加圧下に冷却される。加圧の際の圧力は特に制限されないけれども、紫外線照射によって酸化性ラジカルを効率よく生成させ、ひいてはレジスト被膜の除去能力を向上させること、作業性などを考慮すると、通常は0.5MPa程度である。また加圧下に行われる冷却は、紫外線照射によって酸化性ラジカルを効率よく生成させ、ひいてはレジスト被膜の除去能力を向上させることなどを考慮すると、オゾン水の水温が5〜15℃になるように行えばよい。オゾン水中のオゾン濃度は特に制限されず、オゾン濃度ができるだけ高くなるように、圧力および/または水温を調整すればよい。
【0030】
加圧下および冷却下にあるオゾン水は、紫外線照射によって活性化される。紫外線照射量は特に制限されず、オゾン濃度、圧力、オゾン水の水温などの各種条件に応じて広い範囲から適宜選択できる。しかしながら、酸化性ラジカルを効率よく生成させることなどを考慮すると、通常の紫外線照射には500WクラスのUVランプを使用するのが好ましい。
【0031】
加圧され、冷却されかつ紫外線によって活性化され、酸化性ラジカルを含むオゾン水は、大気圧雰囲気下すなわち常圧下で、レジスト被膜を表面に有する基板に供給される。このとき加圧されているオゾン水が急激に大気圧雰囲気に解放され、勢いよく噴射されて基板表面に到達するので、酸化性ラジカルとレジスト被膜との反応がさらに促進され、レジスト被膜の除去がきわめて効率よく行われることになる。
【0032】
つぎに、図面を参照しつつ、前述のレジスト処理方法に好適に用いられる本発明のレジスト処理装置について説明する。
【0033】
図1は、本発明の実施の第1形態であるレジスト処理装置1の構成を示す断面図である。
【0034】
レジスト処理装置1は、加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段2と、オゾン水生成手段2によって生成されるオゾン水を基板3の表面3aに噴射供給するノズル4と、オゾン水生成手段2とノズル4との間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段5と、オゾン水生成手段2によって生成されるオゾン水を活性化手段5に導くための配管6と、配管6の周囲に設けられ、配管6中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段7と、基板3を搬送するための基板搬送手段であるローラ8と、基板3を加熱するための基板加熱手段であるヒータ9とを含んで構成されている。
【0035】
活性化手段5は、一方で配管6に連結され、もう一方でノズル4に連結され、加圧されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管10と、紫外線透過配管10の周囲に設けられる紫外線発生手段であるらせん状のUVランプ11とを含んで構成される。紫外線透過配管10には、紫外線を透過できる素材が使用され、たとえば、石英などが挙げられる。らせん状UVランプ11は、紫外線を効率よく照射することができるので、オゾン水の流量が大きい場合にふさわしい紫外線発生手段である。
【0036】
冷却手段7は、配管6の周囲に設けられ、冷媒が流過する冷媒用配管7aと、配管6および冷却用配管7aを保護する保護カバー7bとを含んで構成される。冷媒は、液体および気体のいずれでもよい。また保護カバー7bは、好ましくは断熱性素材からなっている。
【0037】
ローラ8は、図に対して垂直方向に軸線を有するようにして複数配置されており、図示しない駆動装置によって軸線回りに回転駆動されて基板3を矢符12の方向に搬送することができる。ローラ8にて基板3を搬送させることによって、平流し処理を行うことができる。したがって、液晶パネル用などの大型基板も均一に処理することができる。
【0038】
ヒータ9は、複数のローラ8の間に、ローラ8によって搬送されてくる基板3を加熱することができるように配設される。ヒータ9にて基板3を加熱することによって、レジスト被膜の除去反応が一層速やかに進行する。
【0039】
オゾン水生成手段2において、加圧下に、水、好ましくは低温の純水とオゾンガスとが混合され、高濃度のオゾン水が生成する。オゾン水生成手段2は、公知のオゾン水生成手段を使用でき、たとえば、純水を加圧送水するための送水ポンプと、微細な穴が形成されたフッ素樹脂膜からなるオゾン溶解ユニットとを含んで構成されるものが挙げられる。オゾン水生成手段2によって生成する高濃度オゾン水は配管6を流過し、冷却手段7によって冷却され、オゾン濃度の低下を制御できるようになっている。このオゾン水は、低温加圧状態にあり、オゾンの常温常圧での飽和濃度よりも高いオゾン濃度を有している。冷却手段7を通過したオゾン水は、配管6から紫外線透過配管10に導かれ、低温加圧状態のままで、らせん状UVランプ11から発生する紫外線を照射され、活性化(励起)される。紫外線の照射によって、オゾン水中には、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが発生する。多量の酸化性ラジカルを含むオゾン水13は、加圧状態のままで、ノズル4から大気圧雰囲気中に放出されて解放されるので、勢いよく噴出する。
【0040】
一方、表面3aにレジスト被膜が形成された基板3は、ローラ8の上に表面3aがノズル4に対向するようにして載置され、ノズル4の直下に搬送される。この基板3はヒータ9によって加熱されるとともに、その表面3aには、ノズル4から多量の酸化性ラジカルを含むオゾン水13が噴射供給される。オゾン水13は、酸化性ラジカルを多量に含み、レジスト被膜と速やかに反応するので、レジスト被膜が極めて効率よく除去される。
【0041】
本実施の形態では、配管6を耐圧性の素材で構成することが好ましい。これによって、オゾン水が冷却手段7を通過したのちでも、オゾン水の加圧状態は一定に保持され、オゾン濃度が低下することはない。
【0042】
図2は、本発明の実施の第2形態であるレジスト処理装置14の構成を示す断面図である。本実施の形態のレジスト処理装置14は、実施の第1形態のレジスト処理装置1に類似し、対応する部分については同一の参照番号を付して説明を省略する。
【0043】
レジスト処理装置14は、活性化手段15が、加圧されおよび冷却されているオゾン水の流路を構成する配管16と、配管16の内部に設けられる紫外線発生手段である直管型UVランプ17とを含んで構成されることを特徴とする。配管16は、一方で配管6に連結され、もう一方でノズル4に連結されている。UVランプを直管型にすることによって、UVランプを小型化することができ、ひいてはレジスト処理装置14そのものを小型化できるという長所がある。
【0044】
オゾン水生成手段2によって生成され、冷却手段7によって冷却され、配管6を流過してきた低温加圧状態にある高濃度オゾン水は、配管16に導入され、配管16の内部に設置されている直管型UVランプ17から照射される紫外線によって活性化され、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが生成する。酸化性ラジカルを含むオゾン水13は、低温加圧状態を保ったまま大気圧雰囲気中に解放されるので、ノズル4から勢いよく噴出し、基板3の表面3aに噴射供給される。
【0045】
本実施の形態においては、オゾン水を流過させる配管16は、配管6と同様に、耐圧性の素材から構成されるのが好ましい。
【0046】
本実施の形態においては、配管16の内部に、直管型のUVランプを複数配列することもできる。これによって、オゾン水の流量を大きく、またはオゾン水中の酸化性ラジカルの生成量を増加させ、レジスト除去速度をさらに高めることができる。
【0047】
図3は、本発明の実施の第3形態であるレジスト処理装置に備わる活性化手段18およびスリットノズル19の構成を示す斜視図である。
【0048】
本実施の形態のレジスト処理装置は、活性化手段18およびスリットノズル19以外は、実施の第1形態であるレジスト処理装置1と同一の構成を有するので、活性化手段18およびスリットノズル19以外の構成およびそれについての説明を省略する。
【0049】
活性化手段18とスリットノズル19とは一体化されている。活性化手段18は、オゾン水活性化槽20と、オゾン水活性化槽20の内部に配置される複数の直管型UVランプ17(本実施の形態では3つ)とを含んで構成される。オゾン水活性化槽20は、一方で配管6と連結し、もう一方でスリットノズル19と連結している。直管型UVランプ17は個々には小型で、オゾン水活性化槽20の厚みを増加させることがないので、オゾン水の噴射長さを長くすることができ、レジスト被膜の除去を効率よく行うことができる。
【0050】
図示されないオゾン生成手段によって生成され、図示されない冷却手段によって冷却され、配管6を流過してきた低温加圧状態にある高濃度オゾン水は、オゾン水活性化槽20に導入され、オゾン水活性化槽20の内部に設置されている複数の直管型UVランプ17から照射される紫外線によって活性化され、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが生成する。酸化性ラジカルを含むオゾン水は、低温加圧状態を保ったまま大気圧雰囲気中に解放されるので、スリットノズル19から矢符21の方向に勢いよく噴出し、図示されない基板の表面に噴射供給され、レジスト被膜が除去される。
【0051】
【発明の効果】
本発明によれば、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高め、この低温加圧状態にある高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、レジスト被膜の除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、この酸化性ラジカルを豊富に含むオゾン水を大気雰囲気中すなわち常圧下の基板に噴射供給することによって、酸化性ラジカルが不足することなく基板表面の全面に行き渡るので、基板表面のレジスト被膜を非常に効率よく除去することができる。
【0052】
本発明によれば、前述のレジスト処理方法を実現することができるレジスト処理装置が提供される。本発明のレジスト処理装置は、前述のように、オゾン水を基板に供給する前に、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルがオゾン水中に生成しているので、基板に接触するオゾン水の濃度変化などに影響を受けることなく、レジスト被膜をきわめて効率よく除去することができる。
【0053】
本発明によれば、基板を加熱することによって、基板表面のレジスト被膜とオゾン水中の酸化性ラジカルとの反応が一層促進される。本発明で使用するオゾン水中には、基板と接触する前に酸化性ラジカルが充分に含まれているので、加熱によるオゾン濃度の低下などの影響を受けることがない。
【0054】
本発明によれば、前述のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を備えることによって、平流し処理が可能になり、液晶パネルなどの大型基板のレジスト被膜を除去するのにも有効である。
【0055】
本発明によれば、紫外線を透過する素材からなる配管にオゾン水を流し、その周囲に紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0056】
本発明によれば、オゾン水が流れている配管の内部に1または複数の紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0057】
本発明によれば、活性化手段およびノズルとを、オゾン水活性化槽とオゾン活性化層の内部に設けられる紫外線発生手段とオゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルを含む一体化構造とすることによって、オゾン水をさらに効率よく活性化させて酸化性ラジカルの生成を促進し、レジスト被膜の除去能力を向上させるとともに、基板表面をさらに均一に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の第1形態であるレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の第2形態であるレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の第3形態であるレジスト処理装置に備わる活性化手段およびノズルの構成を示す斜視図である。
【図4】従来のレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1,14 レジスト処理装置
2 オゾン水生成手段
3 基板
3a 基板の表面
4 ノズル
5,15,18 活性化手段
6,16 配管
7 冷却手段
8 ローラ
9 ヒータ
10 紫外線透過配管
11 らせん状UVランプ
12,21 矢符
13 オゾン水
17 直管型UVランプ
19 スリットノズル
20 オゾン水活性化槽
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト処理方法およびレジスト処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいては、基板の表面に対して、レジスト塗布−エッチング−レジスト剥離の工程が繰り返される。レジスト剥離の方法は、剥離液として有機溶剤、硫酸/過酸化水素水混合液などの薬液を使用するウェット処理と、プラズマを利用するドライ処理とに大別され、それぞれ用途に応じて使い分けられている。両者を比較すると、一般的にはウェット処理の方が経済的である。しかしながら、ウェット処理は使用する薬液が総じて環境汚染物質であり、ウェット処理による廃液をそのまま廃棄すると環境保全上好ましくないので、廃液を廃棄するための特別な処理が必要になるという問題がある。
【0003】
環境面での問題がないクリーンで経済的なレジスト剥離方法として、近年、オゾンを利用する処理方法が注目されている。オゾンは強力な酸化力を有しており、しかも分解して酸素になるので、環境汚染の懸念がなく、排ガス、排液処理の問題もなく、クリーンな酸化分解剤として認知されている。オゾンを利用する方法は、オゾンガスによって基板表面を処理する気相処理と、オゾン水によって基板表面を処理する液相処理とに大別される。
【0004】
オゾン水は、オゾンガスよりも酸化力が弱く、レジスト被膜を分解する能力が小さい。ところが、オゾン水に紫外線を照射すると、オゾンガスよりも酸化力の強い酸化性ラジカルを生成することが知られており、オゾン水の酸化分解能力を高めることが可能である。このようなオゾン水の特性を利用し、低温の高濃度オゾン水を拡散供給しながら紫外線を照射して基板表面のレジストを処理する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。図4は、従来のレジスト処理方法を実現するためのレジスト処理装置101の構成を示す模式図である。レジスト処理装置101は、基板102を洗浄する洗浄槽103と、洗浄槽103の中底部に設けられるオゾン水拡散器104と、洗浄槽103の底部に設けられ、254nmの紫外光を照射するUVランプ105と、オゾン水生成装置106と、オゾン水生成装置106にオゾンの原料になる酸素を供給する酸素ガスライン107と、オゾン水生成装置106によって得られるオゾン水をオゾン水拡散器104に供給するオゾン水ライン108と、冷却装置109と、冷却装置109に純水を供給する純水ライン110と、冷却装置109によって冷却される純水をオゾン水生成装置106に供給する冷却水ライン111とを含んで構成される。
【0005】
まず、純水を、純水ライン110から冷却装置109に導入し、3〜7℃に冷却する。この純水は、冷却水ライン111を介してオゾン水生成装置106に供給される。また、酸素は、酸素ガスライン107を介してオゾン水生成装置106に供給される。オゾン水生成装置106において、酸素からオゾンガスが合成され、このオゾンガスと純水とを混合することによってオゾン水が生成する。オゾン水は水温が低いので、50〜100ppm程度の高濃度である。この低温・高濃度オゾン水を、オゾン水ライン108およびオゾン水拡散器104を介して洗浄槽103に供給するとともに、UVランプ105から254nm光を照射する。低温・高濃度のオゾン水に254nm光を照射すると、洗浄槽103内でラジカル生成反応が促進される。このような状態の洗浄槽103にレジストが付着している半導体ウェハ102を投入すると、レジストと酸化性ラジカルとが反応し、レジストの除去時間が短縮される。しかしながら、特許文献1のように、オゾン水に大気圧下で紫外線を照射するだけでは、たとえオゾン水を冷却していても、酸化性ラジカルの生成量は少なく、レジスト除去能力は不充分である。
【0006】
また、基板を温純水中で高温に加熱し、温純水中から取り出して低温・高濃度のオゾン水に浸漬して基板のレジストを除去する方法が提案されている(たとえば、特許文献2参照)。さらに、特許文献2には、オゾン水のオゾン濃度を高めるために上記の方法を加圧下に行うこと、酸化性ラジカルを発生させるために、オゾン水に紫外線を照射することなどが記載されている。
【0007】
特許文献2の方法は、特許文献1と同様に、基板と低温・高濃度のオゾン水とを接触させた状態で紫外線を照射し、酸化性ラジカルを発生させようとするものである。しかしながら、特許文献2の基板は高温に加熱されているので、オゾン水が冷却されかつ加圧されて非常に高濃度になっているとしても、基板周辺のオゾン水は熱せられ、オゾン水中のオゾン濃度が低下するのを避けることができない。したがって、レジスト除去を効率的に行うのに必要な量の酸化性ラジカルを発生させることはできず、レジスト除去能力は不充分になる。特許文献2には、オゾン水を基板に接触させる前に、オゾン水中に、レジストを除去するのに充分な量の酸化性ラジカルを発生させることについて、具体的に記載するところはなく、示唆すら見当たらない。
【0008】
さらに、最近では、基板の大型化が進み、たとえば液晶パネルなどにおいて、1辺の長さが1mを超えるような大型基板が用いられるようになってきている。このような大型基板を処理するには、従来のバッチ処理では非常に大きな処理槽が必要になり、そのような非常に大きな処理槽は生産性、作業性、一般的な設備の設置面積などからみて現実的ではないので、また従来のスピン処理では均一な処理ができないので、ローラなどの基板搬送手段の上に大型基板を載せて搬送しながら、処理液を大型基板表面に供給する平流し処理が主流になっている。これに対し、特許文献1および特許文献2のレジスト除去方法は、いずれもバッチ処理であるので、大型基板のレジスト除去には対応できない。
【0009】
【特許文献1】
特開2000−058496号公報(第4頁、第5図)
【特許文献2】
特開2002−110605号公報(第9頁、第35〜36段落)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来の方法よりもレジスト除去能力が大きく、大型基板のレジスト除去にも対応できるレジスト処理方法およびレジスト処理装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理方法において、
加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を、大気圧雰囲気中の前記基板に噴射供給することを特徴とするレジスト処理方法である。
【0012】
本発明に従えば、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高め、この低温加圧状態にある高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、レジスト被膜の除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、この酸化性ラジカルを豊富に含むオゾン水を大気雰囲気中すなわち常圧下の基板に噴射供給することによって、酸化性ラジカルが不足することなく基板表面の全面に行き渡るので、基板表面のレジスト被膜を非常に効率よく除去することができる。
【0013】
本発明は、表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理装置において、
加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を前記基板に噴射供給するノズルと、
オゾン水生成手段とノズルとの間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を活性化手段に導くための配管と、
配管中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段とを含むことを特徴とするレジスト処理装置である。
【0014】
本発明に従えば、前述のレジスト処理方法を実現することができるレジスト処理装置が提供される。
【0015】
本発明のレジスト処理装置は、前述のように、オゾン水を基板に供給する前に、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルがオゾン水中に生成しているので、基板に接触するオゾン水の濃度変化などに影響を受けることなく、レジスト被膜をきわめて効率よく除去することができる。
【0016】
また本発明のレジスト処理装置は、さらに基板加熱手段を含むことを特徴とする。
【0017】
本発明に従えば、基板を加熱することによって、基板表面のレジスト被膜とオゾン水中の酸化性ラジカルとの反応が一層促進される。本発明で使用するオゾン水中には、基板と接触する前に酸化性ラジカルが充分に含まれているので、加熱によるオゾン濃度の低下などの影響を受けることがない。
【0018】
また本発明のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を含むことを特徴とする。
【0019】
本発明に従えば、前述のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を備えることによって、平流し処理が可能になり、液晶パネルなどの大型基板のレジスト被膜を除去するのにも有効である。
【0020】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段が、
加圧されかつ冷却されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管と、
前記紫外線透過配管の周囲に設けられる紫外線発生手段とを含むことを特徴とする。
【0021】
本発明に従えば、紫外線を透過する素材からなる配管にオゾン水を流し、その周囲に紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0022】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段が、
加圧され及び冷却されているオゾン水の流路を構成する配管と、
前記配管の内部に設けられる1または複数の紫外線発生手段とを含むことを特徴とする。
【0023】
本発明に従えば、オゾン水が流れている配管の内部に1または複数の紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0024】
また本発明のレジスト処理装置は、前記活性化手段と前記ノズルとが一体化され、
加圧および冷却されているオゾン水を活性化するオゾン水活性化槽と、
前記オゾン水活性化槽の内部に設けられる1または複数の紫外線発生手段と、
前記オゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルとを含むことを特徴とする。
【0025】
本発明に従えば、活性化手段およびノズルとを、オゾン水活性化槽とオゾン活性化層の内部に設けられる紫外線発生手段とオゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルを含む一体化構造とすることによって、オゾン水をさらに効率よく活性化させて酸化性ラジカルの生成を促進し、レジスト被膜の除去能力を向上させるとともに、基板表面をさらに均一に処理することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト処理方法は、大気圧雰囲気中にある、表面にレジスト被膜が形成されている基板に、加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を噴射供給することによって、基板表面のレジスト被膜を除去するものである。
【0027】
すなわち本発明の方法は、従来技術のように、オゾン水と基板と接触させた状態で、オゾン水に紫外線を照射したりまたは加圧したりするのではなく、オゾン水を基板に接触させる前に、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高めるとともに、紫外線を照射してオゾン水中にレジスト除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させておくことを特徴としている。
【0028】
本発明の方法は、表面の一部または全面にレジスト被膜が形成されている基板を処理対象にする。
【0029】
オゾン水は、公知の方法に従って、たえとば、オゾンガスを水に溶解することによって製造できる。オゾンガスの水への溶解は、オゾン濃度を高めるために、加圧下に行われる。オゾン水は、さらにオゾン濃度を高めるために加圧下に冷却される。加圧の際の圧力は特に制限されないけれども、紫外線照射によって酸化性ラジカルを効率よく生成させ、ひいてはレジスト被膜の除去能力を向上させること、作業性などを考慮すると、通常は0.5MPa程度である。また加圧下に行われる冷却は、紫外線照射によって酸化性ラジカルを効率よく生成させ、ひいてはレジスト被膜の除去能力を向上させることなどを考慮すると、オゾン水の水温が5〜15℃になるように行えばよい。オゾン水中のオゾン濃度は特に制限されず、オゾン濃度ができるだけ高くなるように、圧力および/または水温を調整すればよい。
【0030】
加圧下および冷却下にあるオゾン水は、紫外線照射によって活性化される。紫外線照射量は特に制限されず、オゾン濃度、圧力、オゾン水の水温などの各種条件に応じて広い範囲から適宜選択できる。しかしながら、酸化性ラジカルを効率よく生成させることなどを考慮すると、通常の紫外線照射には500WクラスのUVランプを使用するのが好ましい。
【0031】
加圧され、冷却されかつ紫外線によって活性化され、酸化性ラジカルを含むオゾン水は、大気圧雰囲気下すなわち常圧下で、レジスト被膜を表面に有する基板に供給される。このとき加圧されているオゾン水が急激に大気圧雰囲気に解放され、勢いよく噴射されて基板表面に到達するので、酸化性ラジカルとレジスト被膜との反応がさらに促進され、レジスト被膜の除去がきわめて効率よく行われることになる。
【0032】
つぎに、図面を参照しつつ、前述のレジスト処理方法に好適に用いられる本発明のレジスト処理装置について説明する。
【0033】
図1は、本発明の実施の第1形態であるレジスト処理装置1の構成を示す断面図である。
【0034】
レジスト処理装置1は、加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段2と、オゾン水生成手段2によって生成されるオゾン水を基板3の表面3aに噴射供給するノズル4と、オゾン水生成手段2とノズル4との間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段5と、オゾン水生成手段2によって生成されるオゾン水を活性化手段5に導くための配管6と、配管6の周囲に設けられ、配管6中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段7と、基板3を搬送するための基板搬送手段であるローラ8と、基板3を加熱するための基板加熱手段であるヒータ9とを含んで構成されている。
【0035】
活性化手段5は、一方で配管6に連結され、もう一方でノズル4に連結され、加圧されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管10と、紫外線透過配管10の周囲に設けられる紫外線発生手段であるらせん状のUVランプ11とを含んで構成される。紫外線透過配管10には、紫外線を透過できる素材が使用され、たとえば、石英などが挙げられる。らせん状UVランプ11は、紫外線を効率よく照射することができるので、オゾン水の流量が大きい場合にふさわしい紫外線発生手段である。
【0036】
冷却手段7は、配管6の周囲に設けられ、冷媒が流過する冷媒用配管7aと、配管6および冷却用配管7aを保護する保護カバー7bとを含んで構成される。冷媒は、液体および気体のいずれでもよい。また保護カバー7bは、好ましくは断熱性素材からなっている。
【0037】
ローラ8は、図に対して垂直方向に軸線を有するようにして複数配置されており、図示しない駆動装置によって軸線回りに回転駆動されて基板3を矢符12の方向に搬送することができる。ローラ8にて基板3を搬送させることによって、平流し処理を行うことができる。したがって、液晶パネル用などの大型基板も均一に処理することができる。
【0038】
ヒータ9は、複数のローラ8の間に、ローラ8によって搬送されてくる基板3を加熱することができるように配設される。ヒータ9にて基板3を加熱することによって、レジスト被膜の除去反応が一層速やかに進行する。
【0039】
オゾン水生成手段2において、加圧下に、水、好ましくは低温の純水とオゾンガスとが混合され、高濃度のオゾン水が生成する。オゾン水生成手段2は、公知のオゾン水生成手段を使用でき、たとえば、純水を加圧送水するための送水ポンプと、微細な穴が形成されたフッ素樹脂膜からなるオゾン溶解ユニットとを含んで構成されるものが挙げられる。オゾン水生成手段2によって生成する高濃度オゾン水は配管6を流過し、冷却手段7によって冷却され、オゾン濃度の低下を制御できるようになっている。このオゾン水は、低温加圧状態にあり、オゾンの常温常圧での飽和濃度よりも高いオゾン濃度を有している。冷却手段7を通過したオゾン水は、配管6から紫外線透過配管10に導かれ、低温加圧状態のままで、らせん状UVランプ11から発生する紫外線を照射され、活性化(励起)される。紫外線の照射によって、オゾン水中には、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが発生する。多量の酸化性ラジカルを含むオゾン水13は、加圧状態のままで、ノズル4から大気圧雰囲気中に放出されて解放されるので、勢いよく噴出する。
【0040】
一方、表面3aにレジスト被膜が形成された基板3は、ローラ8の上に表面3aがノズル4に対向するようにして載置され、ノズル4の直下に搬送される。この基板3はヒータ9によって加熱されるとともに、その表面3aには、ノズル4から多量の酸化性ラジカルを含むオゾン水13が噴射供給される。オゾン水13は、酸化性ラジカルを多量に含み、レジスト被膜と速やかに反応するので、レジスト被膜が極めて効率よく除去される。
【0041】
本実施の形態では、配管6を耐圧性の素材で構成することが好ましい。これによって、オゾン水が冷却手段7を通過したのちでも、オゾン水の加圧状態は一定に保持され、オゾン濃度が低下することはない。
【0042】
図2は、本発明の実施の第2形態であるレジスト処理装置14の構成を示す断面図である。本実施の形態のレジスト処理装置14は、実施の第1形態のレジスト処理装置1に類似し、対応する部分については同一の参照番号を付して説明を省略する。
【0043】
レジスト処理装置14は、活性化手段15が、加圧されおよび冷却されているオゾン水の流路を構成する配管16と、配管16の内部に設けられる紫外線発生手段である直管型UVランプ17とを含んで構成されることを特徴とする。配管16は、一方で配管6に連結され、もう一方でノズル4に連結されている。UVランプを直管型にすることによって、UVランプを小型化することができ、ひいてはレジスト処理装置14そのものを小型化できるという長所がある。
【0044】
オゾン水生成手段2によって生成され、冷却手段7によって冷却され、配管6を流過してきた低温加圧状態にある高濃度オゾン水は、配管16に導入され、配管16の内部に設置されている直管型UVランプ17から照射される紫外線によって活性化され、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが生成する。酸化性ラジカルを含むオゾン水13は、低温加圧状態を保ったまま大気圧雰囲気中に解放されるので、ノズル4から勢いよく噴出し、基板3の表面3aに噴射供給される。
【0045】
本実施の形態においては、オゾン水を流過させる配管16は、配管6と同様に、耐圧性の素材から構成されるのが好ましい。
【0046】
本実施の形態においては、配管16の内部に、直管型のUVランプを複数配列することもできる。これによって、オゾン水の流量を大きく、またはオゾン水中の酸化性ラジカルの生成量を増加させ、レジスト除去速度をさらに高めることができる。
【0047】
図3は、本発明の実施の第3形態であるレジスト処理装置に備わる活性化手段18およびスリットノズル19の構成を示す斜視図である。
【0048】
本実施の形態のレジスト処理装置は、活性化手段18およびスリットノズル19以外は、実施の第1形態であるレジスト処理装置1と同一の構成を有するので、活性化手段18およびスリットノズル19以外の構成およびそれについての説明を省略する。
【0049】
活性化手段18とスリットノズル19とは一体化されている。活性化手段18は、オゾン水活性化槽20と、オゾン水活性化槽20の内部に配置される複数の直管型UVランプ17(本実施の形態では3つ)とを含んで構成される。オゾン水活性化槽20は、一方で配管6と連結し、もう一方でスリットノズル19と連結している。直管型UVランプ17は個々には小型で、オゾン水活性化槽20の厚みを増加させることがないので、オゾン水の噴射長さを長くすることができ、レジスト被膜の除去を効率よく行うことができる。
【0050】
図示されないオゾン生成手段によって生成され、図示されない冷却手段によって冷却され、配管6を流過してきた低温加圧状態にある高濃度オゾン水は、オゾン水活性化槽20に導入され、オゾン水活性化槽20の内部に設置されている複数の直管型UVランプ17から照射される紫外線によって活性化され、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルが生成する。酸化性ラジカルを含むオゾン水は、低温加圧状態を保ったまま大気圧雰囲気中に解放されるので、スリットノズル19から矢符21の方向に勢いよく噴出し、図示されない基板の表面に噴射供給され、レジスト被膜が除去される。
【0051】
【発明の効果】
本発明によれば、オゾン水を加圧および冷却してオゾン濃度を高め、この低温加圧状態にある高濃度オゾン水に紫外線を照射して活性化し、レジスト被膜の除去に充分な量の酸化性ラジカルを発生させたのち、この酸化性ラジカルを豊富に含むオゾン水を大気雰囲気中すなわち常圧下の基板に噴射供給することによって、酸化性ラジカルが不足することなく基板表面の全面に行き渡るので、基板表面のレジスト被膜を非常に効率よく除去することができる。
【0052】
本発明によれば、前述のレジスト処理方法を実現することができるレジスト処理装置が提供される。本発明のレジスト処理装置は、前述のように、オゾン水を基板に供給する前に、レジスト被膜を除去するのに充分な量の酸化性ラジカルがオゾン水中に生成しているので、基板に接触するオゾン水の濃度変化などに影響を受けることなく、レジスト被膜をきわめて効率よく除去することができる。
【0053】
本発明によれば、基板を加熱することによって、基板表面のレジスト被膜とオゾン水中の酸化性ラジカルとの反応が一層促進される。本発明で使用するオゾン水中には、基板と接触する前に酸化性ラジカルが充分に含まれているので、加熱によるオゾン濃度の低下などの影響を受けることがない。
【0054】
本発明によれば、前述のレジスト処理装置は、さらに基板搬送手段を備えることによって、平流し処理が可能になり、液晶パネルなどの大型基板のレジスト被膜を除去するのにも有効である。
【0055】
本発明によれば、紫外線を透過する素材からなる配管にオゾン水を流し、その周囲に紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0056】
本発明によれば、オゾン水が流れている配管の内部に1または複数の紫外線発生手段を設けることによって、オゾン水が効率よく活性化されて、酸化性ラジカルが充分に発生し、レジスト被膜の除去能力が向上する。
【0057】
本発明によれば、活性化手段およびノズルとを、オゾン水活性化槽とオゾン活性化層の内部に設けられる紫外線発生手段とオゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルを含む一体化構造とすることによって、オゾン水をさらに効率よく活性化させて酸化性ラジカルの生成を促進し、レジスト被膜の除去能力を向上させるとともに、基板表面をさらに均一に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の第1形態であるレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の第2形態であるレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の第3形態であるレジスト処理装置に備わる活性化手段およびノズルの構成を示す斜視図である。
【図4】従来のレジスト処理装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1,14 レジスト処理装置
2 オゾン水生成手段
3 基板
3a 基板の表面
4 ノズル
5,15,18 活性化手段
6,16 配管
7 冷却手段
8 ローラ
9 ヒータ
10 紫外線透過配管
11 らせん状UVランプ
12,21 矢符
13 オゾン水
17 直管型UVランプ
19 スリットノズル
20 オゾン水活性化槽
Claims (7)
- 表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理方法において、
加圧され、冷却されかつ紫外線の照射により活性化されているオゾン水を、大気圧雰囲気中の前記基板に噴射供給することを特徴とするレジスト処理方法。 - 表面にレジスト被膜が形成されている基板にオゾン水を供給して前記レジスト被膜を除去するレジスト処理装置において、
加圧されているオゾン水を生成するオゾン水生成手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を前記基板に噴射供給するノズルと、
オゾン水生成手段とノズルとの間に設けられ、紫外線を照射することによってオゾン水を活性化する活性化手段と、
オゾン水生成手段によって生成されるオゾン水を活性化手段に導くための配管と、
配管中を流過するオゾン水を冷却する冷却手段とを含むことを特徴とするレジスト処理装置。 - さらに基板加熱手段を含むことを特徴とする請求項2記載のレジスト処理装置。
- さらに基板搬送手段を含むことを特徴とする請求項2または3記載のレジスト処理装置。
- 前記活性化手段が、
加圧および冷却されているオゾン水の流路を構成し、紫外線を透過する素材からなる紫外線透過配管と、
前記紫外線透過配管の周囲に設けられる紫外線発生手段とを含むことを特徴とする請求項2〜4のうちのいずれかに記載のレジスト処理装置。 - 前記活性化手段が、
加圧および冷却されているオゾン水の流路を構成する配管と、
前記配管の内部に設けられる1または複数の紫外線発生手段とを含むことを特徴とする請求項2〜4のうちのいずれかに記載のレジスト処理装置。 - 前記活性化手段と前記ノズルとが一体化され、
加圧および冷却されているオゾン水を活性化するオゾン水活性化槽と、
前記オゾン水活性化槽の内部に設けられる1または複数の紫外線発生手段と、
前記オゾン水活性化槽に連結されるスリットノズルとを含むことを特徴とする請求項2〜4のうちのいずれかに記載のレジスト処理装置。
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