JP3862868B2 - 半導体ウエハの洗浄システム - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造方法の一部である半導体ウエハの洗浄システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、例えば、
（１）特表平９−５０１０１７号公報
（２）特表平９−５０３０９９号公報
（３）「ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＯＲＧＡＮＩＣ ＲＥＭＯＶＡＬ ＰＲＯＣＥＳＳ；ＧＲＥＥＮ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ，Ｌｅｇａｃｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ」が挙げられる。
【０００３】
すなわち、従来の装置としては、例えば、図８に示すように、洗浄槽３１、その内部に拡散器付きガス発生装置３２、オゾン発生器３３、冷却器３４、循環ポンプ３５、オゾンプレミックス室３６より構成される。
【０００４】
この装置の動作について説明する。
【０００５】
まず、純水を循環ポンプ３５を使って循環させる。循環される純水は冷却器３４によって、３〜７℃程度まで冷却される。その冷却された純水中に拡散器付きガス発生装置３２及びオゾンプレミックス室３６でオゾン発生器３３から発生しているオゾンを溶け込ませる。冷却された純水には高濃度のオゾンが溶け込むため、常温で溶解させる場合よりも純水中のオゾン濃度は１０倍程度となる。この高濃度のオゾン水により、ウエハ３７のレジストの除去が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の装置で生成されるオゾン（Ｏ3 ）水のレジスト除去レートは、図９に示すように、６００Å／ｍｉｎと非常に遅い。６００Å／ｍｉｎのエッチングレートでは、例えば、１００００Åのレジストを除去するのに１７分程度必要となる。また、このジャストエッチングでは多くのパーティクルが表面上に残っており、十分なパーティクルの除去をするためには１．５倍程度の２５分の処理が必要となる。
【０００７】
上述した例は、レジストのコートのみを行ったウエハでの場合であり、レジストのパターニングまで行ったウエハの場合には、さらにその３倍程度の処理時間が必要となる。現状のレジスト除去では、ＳＰＭ（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液）を使用しているが、その場合と比較して５倍以上の処理時間が必要となる。
【０００８】
本発明は、上記状況に鑑みて、半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエハの洗浄システムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕半導体ウエハの洗浄システムにおいて、半導体ウエハが洗浄される洗浄槽と、オゾン水を生成するオゾン水生成装置と、前記オゾン水を前記洗浄槽に供給するオゾン水供給ラインと、前記オゾン水生成装置に接続されており、かつ、前記オゾン水の生成の際に溶け込まなかったオゾンガスを昇温するヒータと、前記昇温されたオゾンガスを前記洗浄槽に供給するオゾンガス供給ラインとを有することを特徴とする。
【００１０】
〔２〕上記〔１〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記オゾンガスは、昇温される前に冷却されていることを特徴とする。
【００１１】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記ヒータは、前記オゾンガスを２０℃〜８０℃に昇温させることを特徴とする。
【００１２】
〔４〕上記〔１〕〜〔３〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記洗浄槽内に配置され、かつ、前記オゾン水を前記洗浄槽内に拡散させるオゾン水拡散器と、前記洗浄槽内に配置され、かつ、前記昇温されたオゾンガスを前記洗浄槽内に拡散させるオゾンガス拡散器とを有しており、前記オゾンガス拡散器は、前記オゾン水拡散器の下に配置されていることを特徴とする。
【００１３】
〔５〕半導体ウエハの洗浄システムにおいて、半導体ウエハが洗浄される洗浄槽と、オゾン水を生成するオゾン水生成装置と、前記オゾン水を洗浄槽内に供給するオゾン水拡散手段と、前記オゾン水に対する触媒としての薬品を前記洗浄槽に供給する薬品拡散手段とを有しており、前記オゾン水拡散手段及び前記薬品拡散手段は前記洗浄槽内に配置されており、前記薬品拡散手段は前記洗浄槽の底部に設けられており、かつ、前記オゾン水拡散手段の下に配置されていることを特徴とする。
【００１４】
〔６〕上記〔５〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記薬品は酸性あるいはアルカリ性の液であることを特徴とする。
【００１５】
〔７〕上記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムは、前記オゾン水を生成するために使用する純水を冷却する冷却装置を有することを特徴とする。
【００１６】
〔８〕上記〔７〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記冷却装置は、前記純水を３℃〜７℃に冷却することを特徴とする。
【００１７】
〔９〕上記〔１〕〜〔８〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記洗浄システムは、前記半導体ウエハ上のレジスト膜除去洗浄に用いられるものであることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体ウエハのオゾン（Ｏ3 ）水洗浄システムの模式図である。
【００２０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には、冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するための酸素（Ｏ2 ）ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、途中ヒータ５が接続されている。オゾン水ライン４の出口にはオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００２１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることにより、Ｏ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水は、ヒータ５を通して２０℃から７０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２２】
このように第１実施例によれば、供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽２に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００２３】
図２は本発明の第２実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００２４】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
【００２５】
また、Ｏ3 水生成装置６には、Ｏ3 水生成装置６で純水中に溶け込まなかったＯ3 ガスを取り出すためのＯ3 ガスライン１１が設けられており、そのガスライン１１にはＯ3 ガスヒータ１０が設けられている。Ｏ3 ガスライン１１はＯ3 ガスヒータ１０を出た後、オゾンガス拡散器１２につなげられ、そのオゾンガス拡散器１２は、洗浄槽の底部に設けられている。
【００２６】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２７】
ここで、Ｏ2 ガスと純水を混合する時に発生したＯ3 ガスは全て純水に溶け込むわけではない。その溶け込まなかったＯ3 ガスはＯ3 水生成装置６からＯ3 ガスライン１１を通して取り出される。発生したＯ3 ガスはＯ3 ガスヒータ１０により２０℃から８０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 ガスはオゾンガス拡散器１２を通して洗浄槽２に供給される。
【００２８】
このように第２実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そこに高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度は上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００２９】
図３は本発明の第３実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には伝搬水の溜まった間接槽１４を通し超音波を発振させる超音波発振装置１３が設けられている。
【００３１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の超音波発振装置１３から超音波が発振され洗浄槽２中のＯ3 水に超音波を照射する。
【００３２】
このように第３実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならず微粒子の除去も同時に可能となる。
【００３３】
図４は本発明の第４実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３４】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはガス拡散器１７が設置されており、ガス拡散器１７にはガスヒータ１０を通してＮ2 ガスライン１５が接続されている。
【００３５】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部のガス拡散器１７から温度を３０℃から９０℃に上げられたＮ2 ガスが導入される。
【００３６】
このように第４実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水はガス拡散器１７により導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００３７】
そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが洗浄槽２の底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００３８】
図５は本発明の第５実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３９】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはＵＶランプ１８が設置されている。ＵＶランプ１８には２５４ｎｍ光を照射できるような低圧水銀ランプを用いる。
【００４０】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽底部のＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射される。
【００４１】
このように第５実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射されると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００４２】
図６は本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４３】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には薬品拡散器１９が設置されており、薬品拡散器１９には薬品供給ライン２０が接続されている。
【００４４】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の薬品拡散器１９から酸性の薬品２０Ａ、例えばＨ2 ＳＯ4 やＨＣｌが導入される。
【００４５】
このように、第６実施例によれば、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性の薬品２０Ａを導入すると、酸性の薬品２０Ａを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性の薬品２０Ａが供給されるため槽内が酸性となり、その場合、半導体ウエハ１上の微量金属が除去される。
【００４６】
また、この実施例において、酸性の薬品２０Ａに代えて、アルカリ性の薬品２０Ｂ、例えば、ＮＨ4 ＯＨを導入するようにしてもよい。
【００４７】
更に、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水にアルカリ性の薬品２０Ｂを導入するとアルカリ性の薬品２０Ｂを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、アルカリ性の薬品２０Ｂが供給されるため槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００４８】
図７は本発明の第７実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４９】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ラインとしての白金パイプ２１が接続され、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、そのオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００５０】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は、冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水は白金パイプ２１からなるオゾン水ラインを通り、オゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００５１】
このように第７実施例によれば、生成されたＯ3 水は、白金パイプ２１を通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、オゾン水ラインとして白金パイプを用いるだけなので容易に製作することができる。
【００５２】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば次のような効果を奏することができる。
【００５４】
（１）供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００５５】
（２）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００５６】
（３）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならず微粒子の除去も同時に可能となる。
【００５７】
（４）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水は導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００５８】
このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが槽底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００５９】
（５）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプより２５４ｎｍ光を照射すると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００６０】
（６）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性薬品を導入すると、酸性薬品を触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性薬品が供給されるため槽内が酸性となりその場合、半導体ウエハ上の微量金属が除去される。
【００６１】
また、アルカリ性薬品が供給されると、槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００６２】
（７）生成されたＯ3 水は、白金パイプを通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、白金パイプを用いるだけであり、容易に製作することができる。
【００６３】
（８）冷却装置を付加することにより、一度冷却した後に昇温することで、より洗浄効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図２】 本発明の第２実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図３】 本発明の第３実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図４】 本発明の第４実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図５】 本発明の第５実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図６】 本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図７】 本発明の第７実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図８】 従来のＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図９】 従来のＯ3 水によるレジスト除去評価結果を示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウエハ
２ 洗浄槽
３ オゾン水拡散器
４ オゾン水ライン
５ ヒータ
６ Ｏ3 水生成装置
７ 冷却装置
８ 純水ライン
９ Ｏ2 ガスライン
１０ Ｏ3 ガスヒータ
１１ Ｏ3 ガスライン
１２ オゾンガス拡散器
１３ 超音波発振装置
１４ 間接槽
１５ Ｎ2 ガスライン
１７ ガス拡散器
１８ ＵＶランプ
１９ 薬品拡散器
２０ 薬品供給ライン
２０Ａ 酸性の薬品
２０Ｂ アルカリ性の薬品
２１ 白金パイプ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造方法の一部である半導体ウエハの洗浄システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、例えば、
（１）特表平９−５０１０１７号公報
（２）特表平９−５０３０９９号公報
（３）「ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＯＲＧＡＮＩＣ ＲＥＭＯＶＡＬ ＰＲＯＣＥＳＳ；ＧＲＥＥＮ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ，Ｌｅｇａｃｙ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ」が挙げられる。
【０００３】
すなわち、従来の装置としては、例えば、図８に示すように、洗浄槽３１、その内部に拡散器付きガス発生装置３２、オゾン発生器３３、冷却器３４、循環ポンプ３５、オゾンプレミックス室３６より構成される。
【０００４】
この装置の動作について説明する。
【０００５】
まず、純水を循環ポンプ３５を使って循環させる。循環される純水は冷却器３４によって、３〜７℃程度まで冷却される。その冷却された純水中に拡散器付きガス発生装置３２及びオゾンプレミックス室３６でオゾン発生器３３から発生しているオゾンを溶け込ませる。冷却された純水には高濃度のオゾンが溶け込むため、常温で溶解させる場合よりも純水中のオゾン濃度は１０倍程度となる。この高濃度のオゾン水により、ウエハ３７のレジストの除去が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の装置で生成されるオゾン（Ｏ3 ）水のレジスト除去レートは、図９に示すように、６００Å／ｍｉｎと非常に遅い。６００Å／ｍｉｎのエッチングレートでは、例えば、１００００Åのレジストを除去するのに１７分程度必要となる。また、このジャストエッチングでは多くのパーティクルが表面上に残っており、十分なパーティクルの除去をするためには１．５倍程度の２５分の処理が必要となる。
【０００７】
上述した例は、レジストのコートのみを行ったウエハでの場合であり、レジストのパターニングまで行ったウエハの場合には、さらにその３倍程度の処理時間が必要となる。現状のレジスト除去では、ＳＰＭ（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液）を使用しているが、その場合と比較して５倍以上の処理時間が必要となる。
【０００８】
本発明は、上記状況に鑑みて、半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエハの洗浄システムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕半導体ウエハの洗浄システムにおいて、半導体ウエハが洗浄される洗浄槽と、オゾン水を生成するオゾン水生成装置と、前記オゾン水を前記洗浄槽に供給するオゾン水供給ラインと、前記オゾン水生成装置に接続されており、かつ、前記オゾン水の生成の際に溶け込まなかったオゾンガスを昇温するヒータと、前記昇温されたオゾンガスを前記洗浄槽に供給するオゾンガス供給ラインとを有することを特徴とする。
【００１０】
〔２〕上記〔１〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記オゾンガスは、昇温される前に冷却されていることを特徴とする。
【００１１】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記ヒータは、前記オゾンガスを２０℃〜８０℃に昇温させることを特徴とする。
【００１２】
〔４〕上記〔１〕〜〔３〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記洗浄槽内に配置され、かつ、前記オゾン水を前記洗浄槽内に拡散させるオゾン水拡散器と、前記洗浄槽内に配置され、かつ、前記昇温されたオゾンガスを前記洗浄槽内に拡散させるオゾンガス拡散器とを有しており、前記オゾンガス拡散器は、前記オゾン水拡散器の下に配置されていることを特徴とする。
【００１３】
〔５〕半導体ウエハの洗浄システムにおいて、半導体ウエハが洗浄される洗浄槽と、オゾン水を生成するオゾン水生成装置と、前記オゾン水を洗浄槽内に供給するオゾン水拡散手段と、前記オゾン水に対する触媒としての薬品を前記洗浄槽に供給する薬品拡散手段とを有しており、前記オゾン水拡散手段及び前記薬品拡散手段は前記洗浄槽内に配置されており、前記薬品拡散手段は前記洗浄槽の底部に設けられており、かつ、前記オゾン水拡散手段の下に配置されていることを特徴とする。
【００１４】
〔６〕上記〔５〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記薬品は酸性あるいはアルカリ性の液であることを特徴とする。
【００１５】
〔７〕上記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムは、前記オゾン水を生成するために使用する純水を冷却する冷却装置を有することを特徴とする。
【００１６】
〔８〕上記〔７〕記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記冷却装置は、前記純水を３℃〜７℃に冷却することを特徴とする。
【００１７】
〔９〕上記〔１〕〜〔８〕のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記洗浄システムは、前記半導体ウエハ上のレジスト膜除去洗浄に用いられるものであることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体ウエハのオゾン（Ｏ3 ）水洗浄システムの模式図である。
【００２０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には、冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するための酸素（Ｏ2 ）ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、途中ヒータ５が接続されている。オゾン水ライン４の出口にはオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００２１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることにより、Ｏ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水は、ヒータ５を通して２０℃から７０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２２】
このように第１実施例によれば、供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽２に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００２３】
図２は本発明の第２実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００２４】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。
【００２５】
また、Ｏ3 水生成装置６には、Ｏ3 水生成装置６で純水中に溶け込まなかったＯ3 ガスを取り出すためのＯ3 ガスライン１１が設けられており、そのガスライン１１にはＯ3 ガスヒータ１０が設けられている。Ｏ3 ガスライン１１はＯ3 ガスヒータ１０を出た後、オゾンガス拡散器１２につなげられ、そのオゾンガス拡散器１２は、洗浄槽の底部に設けられている。
【００２６】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００２７】
ここで、Ｏ2 ガスと純水を混合する時に発生したＯ3 ガスは全て純水に溶け込むわけではない。その溶け込まなかったＯ3 ガスはＯ3 水生成装置６からＯ3 ガスライン１１を通して取り出される。発生したＯ3 ガスはＯ3 ガスヒータ１０により２０℃から８０℃程度まで昇温される。昇温されたＯ3 ガスはオゾンガス拡散器１２を通して洗浄槽２に供給される。
【００２８】
このように第２実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そこに高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度は上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００２９】
図３は本発明の第３実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３０】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、また、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には伝搬水の溜まった間接槽１４を通し超音波を発振させる超音波発振装置１３が設けられている。
【００３１】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の超音波発振装置１３から超音波が発振され洗浄槽２中のＯ3 水に超音波を照射する。
【００３２】
このように第３実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならず微粒子の除去も同時に可能となる。
【００３３】
図４は本発明の第４実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３４】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはガス拡散器１７が設置されており、ガス拡散器１７にはガスヒータ１０を通してＮ2 ガスライン１５が接続されている。
【００３５】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部のガス拡散器１７から温度を３０℃から９０℃に上げられたＮ2 ガスが導入される。
【００３６】
このように第４実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水はガス拡散器１７により導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００３７】
そして、このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが洗浄槽２の底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００３８】
図５は本発明の第５実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００３９】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、オゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部にはＵＶランプ１８が設置されている。ＵＶランプ１８には２５４ｎｍ光を照射できるような低圧水銀ランプを用いる。
【００４０】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽底部のＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射される。
【００４１】
このように第５実施例によれば、洗浄槽２には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプ１８より２５４ｎｍ光が照射されると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００４２】
図６は本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４３】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ライン４が接続され、オゾン水ライン４には、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、このオゾン水拡散器３は洗浄槽２の中底部に設けられている。洗浄槽２の底部には薬品拡散器１９が設置されており、薬品拡散器１９には薬品供給ライン２０が接続されている。
【００４４】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は、温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水はオゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。この時、洗浄槽２の底部の薬品拡散器１９から酸性の薬品２０Ａ、例えばＨ2 ＳＯ4 やＨＣｌが導入される。
【００４５】
このように、第６実施例によれば、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性の薬品２０Ａを導入すると、酸性の薬品２０Ａを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性の薬品２０Ａが供給されるため槽内が酸性となり、その場合、半導体ウエハ１上の微量金属が除去される。
【００４６】
また、この実施例において、酸性の薬品２０Ａに代えて、アルカリ性の薬品２０Ｂ、例えば、ＮＨ4 ＯＨを導入するようにしてもよい。
【００４７】
更に、洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水にアルカリ性の薬品２０Ｂを導入するとアルカリ性の薬品２０Ｂを触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、アルカリ性の薬品２０Ｂが供給されるため槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００４８】
図７は本発明の第７実施例を示す半導体ウエハのＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【００４９】
この図に示すように、Ｏ3 水生成装置６には冷却装置７を通して純水ライン８が接続され、Ｏ3 ガスを生成するためのＯ2 ガスライン９が接続されている。そのＯ3 水生成装置６にはオゾン水ラインとしての白金パイプ２１が接続され、その出口にオゾン水拡散器３が設けられ、そのオゾン水拡散器３は洗浄槽２の底部に設けられている。
【００５０】
そこで、まず、純水ライン８から導入される純水は、冷却装置７により３℃から７℃まで冷却される。冷却された純水はＯ3 水生成装置６にＯ2 ガスライン９を介して導入されるＯ2 ガスと混合されることによりＯ3 水が生成される。生成されたＯ3 水は温度が低いため、５０から１００ｐｐｍとＯ3 濃度が高くなる。そのＯ3 水は白金パイプ２１からなるオゾン水ラインを通り、オゾン水拡散器３を通して洗浄槽２に供給される。
【００５１】
このように第７実施例によれば、生成されたＯ3 水は、白金パイプ２１を通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽２にレジストのついた半導体ウエハ１を投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、オゾン水ラインとして白金パイプを用いるだけなので容易に製作することができる。
【００５２】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば次のような効果を奏することができる。
【００５４】
（１）供給されたＯ3 水は温度が高いため、過飽和状態となっており、洗浄槽に導入された時に常圧となるので急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 水を直接昇温するため構造がシンプルである。
【００５５】
（２）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、高温に温められたＯ3 ガスが導入されるためにＯ3 水の温度が上昇する。この時、Ｏ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｏ3 ガスを導入するため、洗浄槽内のＯ3 濃度を高濃度に保つことが可能となる。
【００５６】
（３）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に超音波が照射されているために、Ｏ3 分子が激しく振動しＯ3 水の急激な分解が起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、超音波を用いるため、レジストの除去のみならず微粒子の除去も同時に可能となる。
【００５７】
（４）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水は導入された高温のＮ2 ガスにより温度が上昇する。Ｏ3 水の温度が上昇することによりＯ3 水の急激な分解が起こる。
【００５８】
このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、Ｎ2 ガスが槽底部より供給されるため、バブリングの効果が得られ、レジストの剥離が促進され、なお、かつ、Ｏ3 水の攪拌効果が得られる。
【００５９】
（５）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、それにＵＶランプより２５４ｎｍ光を照射すると、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の反応が促進される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストと、Ｏ* が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。
【００６０】
（６）洗浄槽には、低温のＯ3 水が入っているが、そのＯ3 水に酸性薬品を導入すると、酸性薬品を触媒としてＯ3 の分解が急激に起こる。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 が急激に反応を起こす。そのため、レジストの除去時間が短縮され、現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、酸性薬品が供給されるため槽内が酸性となりその場合、半導体ウエハ上の微量金属が除去される。
【００６１】
また、アルカリ性薬品が供給されると、槽内がアルカリ性となり、その場合、半導体ウエハ上の微量パーティクルが除去される。
【００６２】
（７）生成されたＯ3 水は、白金パイプを通過してくるため、そのパイプ表面が触媒となり、Ｏ3 →Ｏ2 ＋Ｏ* の分解が促進され、洗浄槽内にＯ* の多い状態のＯ3 水が供給される。このような状態の洗浄槽にレジストのついた半導体ウエハを投入すると、レジストとＯ3 水の急激な反応が起きる。そのため、レジストの除去時間が短縮され現状の生産量と同程度にすることが可能となる。また、白金パイプを用いるだけであり、容易に製作することができる。
【００６３】
（８）冷却装置を付加することにより、一度冷却した後に昇温することで、より洗浄効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図２】 本発明の第２実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図３】 本発明の第３実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図４】 本発明の第４実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図５】 本発明の第５実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図６】 本発明の第６実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図７】 本発明の第７実施例を示すＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図８】 従来のＯ3 水洗浄システムの模式図である。
【図９】 従来のＯ3 水によるレジスト除去評価結果を示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウエハ
２ 洗浄槽
３ オゾン水拡散器
４ オゾン水ライン
５ ヒータ
６ Ｏ3 水生成装置
７ 冷却装置
８ 純水ライン
９ Ｏ2 ガスライン
１０ Ｏ3 ガスヒータ
１１ Ｏ3 ガスライン
１２ オゾンガス拡散器
１３ 超音波発振装置
１４ 間接槽
１５ Ｎ2 ガスライン
１７ ガス拡散器
１８ ＵＶランプ
１９ 薬品拡散器
２０ 薬品供給ライン
２０Ａ 酸性の薬品
２０Ｂ アルカリ性の薬品
２１ 白金パイプ
Claims (9)
- 半導体ウエハが洗浄される洗浄槽と、
オゾン水を生成するオゾン水生成装置と、
前記オゾン水を前記洗浄槽に供給するオゾン水供給ラインと、
前記オゾン水生成装置に接続されており、かつ、前記オゾン水の生成の際に溶け込まなかったオゾンガスを昇温するヒータと、
前記昇温されたオゾンガスを前記洗浄槽に供給するオゾンガス供給ラインとを有することを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。 - 請求項１記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記オゾンガスは、昇温される前に冷却されていることを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。
- 請求項１又は２記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記ヒータは、前記オゾンガスを２０℃〜８０℃に昇温させることを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。
- 請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記洗浄槽内に配置され、かつ、前記オゾン水を前記洗浄槽内に拡散させるオゾン水拡散器と、前記洗浄槽内に配置され、かつ、前記昇温されたオゾンガスを前記洗浄槽内に拡散させるオゾンガス拡散器とを有しており、前記オゾンガス拡散器は、前記オゾン水拡散器の下に配置されていることを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。
- 半導体ウエハが洗浄される洗浄槽と、
オゾン水を生成するオゾン水生成装置と、
前記オゾン水を洗浄槽内に供給するオゾン水拡散手段と、
前記オゾン水に対する触媒としての薬品を前記洗浄槽に供給する薬品拡散手段とを有しており、
前記オゾン水拡散手段及び前記薬品拡散手段は前記洗浄槽内に配置されており、前記薬品拡散手段は前記洗浄槽の底部に設けられており、かつ、前記オゾン水拡散手段の下に配置されていることを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。 - 請求項５記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記薬品は酸性あるいはアルカリ性の液であることを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。
- 請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムは、前記オゾン水を生成するために使用する純水を冷却する冷却装置を有することを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。
- 請求項７記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記冷却装置は、前記純水を３℃〜７℃に冷却することを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。
- 請求項１〜８のいずれか一項記載の半導体ウエハの洗浄システムにおいて、前記洗浄システムは、前記半導体ウエハ上のレジスト膜除去洗浄に用いられるものであることを特徴とする半導体ウエハの洗浄システム。
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