JP2001079502A - オゾン水洗浄方法及び装置 - Google Patents
オゾン水洗浄方法及び装置Info
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- JP2001079502A JP2001079502A JP25736999A JP25736999A JP2001079502A JP 2001079502 A JP2001079502 A JP 2001079502A JP 25736999 A JP25736999 A JP 25736999A JP 25736999 A JP25736999 A JP 25736999A JP 2001079502 A JP2001079502 A JP 2001079502A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】さまざまな問題を有する半導体ＲＣＡ洗浄や工
業洗浄を代替して、低コスト、省エネルギーで環境にや
さしい洗浄方法を提供する。 【解決手段】オゾンガス４を１気圧より高い圧力で純水
に溶解させてオゾン水６を製造し、圧力を保持した状態
でこのオゾン水６を密閉洗浄室９に導き、被洗浄物１０
を洗浄するようにした。
業洗浄を代替して、低コスト、省エネルギーで環境にや
さしい洗浄方法を提供する。 【解決手段】オゾンガス４を１気圧より高い圧力で純水
に溶解させてオゾン水６を製造し、圧力を保持した状態
でこのオゾン水６を密閉洗浄室９に導き、被洗浄物１０
を洗浄するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はオゾン水を用いて洗
浄する方法及び装置に関する。
浄する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】洗浄工程は被洗浄物特性に影響を与える
ことなく、表面に付着した異物を除去するもので、製品
本来の特性を得るためには必須の工程である。しかしこ
れまでは、半導体ＲＣＡ洗浄や、溶剤や強アルカリを用
いた工業用洗浄のように、高濃度で高温の薬液を大量に
用いて洗浄されるのが常であった。この方法では大電力
と大量の薬液を必要とし、地球温暖化を促進させ、廃棄
物処理でも大きな負荷があった。
ことなく、表面に付着した異物を除去するもので、製品
本来の特性を得るためには必須の工程である。しかしこ
れまでは、半導体ＲＣＡ洗浄や、溶剤や強アルカリを用
いた工業用洗浄のように、高濃度で高温の薬液を大量に
用いて洗浄されるのが常であった。この方法では大電力
と大量の薬液を必要とし、地球温暖化を促進させ、廃棄
物処理でも大きな負荷があった。
【０００３】そのような中で最近、図２に示す実開平０
５−０２９１３１のようにオゾン水を用いた洗浄方式が
注目されてきている。純水中にオゾンガスを５〜２０ｐ
ｐｍ程度溶解させたオゾン水は、その酸化性から有機物
や金属イオンの除去洗浄に適しており現状洗浄方法の代
替が望まれている。オゾンガス自体は純水の電気分解や
酸素ガスの放電により簡単に低コストで作ることがで
き、薬液を全く必要としない。またオゾンは自己分解性
があるため、洗浄後の放置や触媒処理で酸素に分解、無
害化することで、廃液、排水、排気の処理をなくせる
か、もしくは非常に軽減できるという効果を有してお
り、低コスト、省エネルギー、廃棄物削減の観点から期
待が大きい。
５−０２９１３１のようにオゾン水を用いた洗浄方式が
注目されてきている。純水中にオゾンガスを５〜２０ｐ
ｐｍ程度溶解させたオゾン水は、その酸化性から有機物
や金属イオンの除去洗浄に適しており現状洗浄方法の代
替が望まれている。オゾンガス自体は純水の電気分解や
酸素ガスの放電により簡単に低コストで作ることがで
き、薬液を全く必要としない。またオゾンは自己分解性
があるため、洗浄後の放置や触媒処理で酸素に分解、無
害化することで、廃液、排水、排気の処理をなくせる
か、もしくは非常に軽減できるという効果を有してお
り、低コスト、省エネルギー、廃棄物削減の観点から期
待が大きい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしオゾン水はその
オゾンガス溶解濃度を高めることによって、洗浄能力を
格段に向上できるのであるが、実開平０５−０２９１３
１のように大気開放系洗浄槽ではエジェクター部のオゾ
ンガスを高圧にし高濃度にオゾンガスを溶解させても、
洗浄槽で溶解オゾンガスが気泡化し分離、蒸発してしま
うため溶解濃度は室温で４０ｐｐｍ程度が限界である。
このため従来ＲＣＡ洗浄や工業用洗浄に代替できる洗浄
力を有することができなかった。
オゾンガス溶解濃度を高めることによって、洗浄能力を
格段に向上できるのであるが、実開平０５−０２９１３
１のように大気開放系洗浄槽ではエジェクター部のオゾ
ンガスを高圧にし高濃度にオゾンガスを溶解させても、
洗浄槽で溶解オゾンガスが気泡化し分離、蒸発してしま
うため溶解濃度は室温で４０ｐｐｍ程度が限界である。
このため従来ＲＣＡ洗浄や工業用洗浄に代替できる洗浄
力を有することができなかった。
【０００５】また純水温度を５℃程度に下げ、溶解濃度
を１００ｐｐｍ程度まで高めることが行われているが、
洗浄での反応速度を抑制してしまい、かえって洗浄能力
を下げてしまう、冷却に大きなエネルギーを要する、等
の課題があった。
を１００ｐｐｍ程度まで高めることが行われているが、
洗浄での反応速度を抑制してしまい、かえって洗浄能力
を下げてしまう、冷却に大きなエネルギーを要する、等
の課題があった。
【０００６】そこで、本発明は、上述した問題点を解決
するためになされたものであり、その目的とするところ
は、さまざまな問題を有する半導体ＲＣＡ洗浄や工業洗
浄を代替して、低コスト、省エネルギーで環境にやさし
い洗浄方法及び装置を提供することにある。
するためになされたものであり、その目的とするところ
は、さまざまな問題を有する半導体ＲＣＡ洗浄や工業洗
浄を代替して、低コスト、省エネルギーで環境にやさし
い洗浄方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、オゾンガスを
１気圧より高い圧力で純水に溶解させてオゾン水を製造
し、圧力を保持した状態で前記オゾン水を密閉洗浄室に
導き、被洗浄物を洗浄することを特徴とする。このた
め、理論的には４００ｐｐｍものオゾンガスを室温の純
水中に溶解させることができ、またその高濃度溶解状態
を維持しながら被洗浄物を洗浄処理することができるの
で、効率よく有機物や金属イオンなどの汚れを除去する
ことができる。このため、さまざまな課題を有する従来
ＲＣＡ洗浄や工業用洗浄を代替して、低コスト、省エネ
ルギーで環境にやさしい洗浄が可能となる。
１気圧より高い圧力で純水に溶解させてオゾン水を製造
し、圧力を保持した状態で前記オゾン水を密閉洗浄室に
導き、被洗浄物を洗浄することを特徴とする。このた
め、理論的には４００ｐｐｍものオゾンガスを室温の純
水中に溶解させることができ、またその高濃度溶解状態
を維持しながら被洗浄物を洗浄処理することができるの
で、効率よく有機物や金属イオンなどの汚れを除去する
ことができる。このため、さまざまな課題を有する従来
ＲＣＡ洗浄や工業用洗浄を代替して、低コスト、省エネ
ルギーで環境にやさしい洗浄が可能となる。
【０００８】本発明の第２のオゾン水洗浄方法は、前記
オゾンガスを純水に溶解させるオゾン水製造工程、前記
オゾン水を密閉洗浄室に導く工程、および被洗浄物を洗
浄する工程を室温で行うことを特徴とする。室温で十分
に高濃度に溶解できるので、冷却して溶解濃度を上昇さ
せる必要がなく、低エネルギー、低コストで洗浄処理で
きる。
オゾンガスを純水に溶解させるオゾン水製造工程、前記
オゾン水を密閉洗浄室に導く工程、および被洗浄物を洗
浄する工程を室温で行うことを特徴とする。室温で十分
に高濃度に溶解できるので、冷却して溶解濃度を上昇さ
せる必要がなく、低エネルギー、低コストで洗浄処理で
きる。
【０００９】本発明の第３のオゾン水洗浄方法は、オゾ
ン濃度が５０ｐｐｍより高いことを特徴とする。室温開
放系では達成が難しい濃度であり、洗浄処理効果が大き
くなる濃度である。
ン濃度が５０ｐｐｍより高いことを特徴とする。室温開
放系では達成が難しい濃度であり、洗浄処理効果が大き
くなる濃度である。
【００１０】本発明の第４のオゾン水洗浄装置は、オゾ
ンガスを発生させるためのオゾンガス発生装置、前記オ
ゾンガスを１気圧より高い圧力で純水に溶解させオゾン
水を製造するためのオゾンガス溶解装置、１気圧より高
い圧力状態で被洗浄物を前記オゾン水に浸漬し洗浄する
ための密閉洗浄室、前記オゾンガス発生装置から発生し
たオゾンガスを前記オゾンガス溶解装置に導く管路、前
記オゾンガス溶解装置で製造されたオゾン水を前記密閉
洗浄室に導く管路、を備えたことを特徴とする。このた
め、このオゾン水洗浄装置を用いることにより、室温で
５０ｐｐｍ以上の高濃度のオゾン水で洗浄ができるた
め、さまざまな課題を有する従来ＲＣＡ洗浄や工業用洗
浄を代替して、低コスト、省エネルギーで環境にやさし
い洗浄が可能となる。
ンガスを発生させるためのオゾンガス発生装置、前記オ
ゾンガスを１気圧より高い圧力で純水に溶解させオゾン
水を製造するためのオゾンガス溶解装置、１気圧より高
い圧力状態で被洗浄物を前記オゾン水に浸漬し洗浄する
ための密閉洗浄室、前記オゾンガス発生装置から発生し
たオゾンガスを前記オゾンガス溶解装置に導く管路、前
記オゾンガス溶解装置で製造されたオゾン水を前記密閉
洗浄室に導く管路、を備えたことを特徴とする。このた
め、このオゾン水洗浄装置を用いることにより、室温で
５０ｐｐｍ以上の高濃度のオゾン水で洗浄ができるた
め、さまざまな課題を有する従来ＲＣＡ洗浄や工業用洗
浄を代替して、低コスト、省エネルギーで環境にやさし
い洗浄が可能となる。
【００１１】本発明の第５のオゾン水洗浄装置は、前記
密閉洗浄室の圧力を下げることなく大気中より被洗浄物
を出し入れできる機構が設けられている。これにより高
い圧力を常に維持できるため密閉洗浄室内のオゾン濃度
を下げることがなく、また被洗浄物を処理するまでの時
間を短くすることができる。前記機構で最も簡単な機構
は二重扉である。外側の扉を開け被洗浄物をロードロッ
ク室に入れ外側の扉を閉める。続いてロードロック室に
余剰オゾンガスを流し込み内部ガスをオゾンガスに置換
する。続いて内側の扉を開け、被洗浄物を密閉洗浄室内
のオゾン水に浸漬、扉を閉め、洗浄をする。
密閉洗浄室の圧力を下げることなく大気中より被洗浄物
を出し入れできる機構が設けられている。これにより高
い圧力を常に維持できるため密閉洗浄室内のオゾン濃度
を下げることがなく、また被洗浄物を処理するまでの時
間を短くすることができる。前記機構で最も簡単な機構
は二重扉である。外側の扉を開け被洗浄物をロードロッ
ク室に入れ外側の扉を閉める。続いてロードロック室に
余剰オゾンガスを流し込み内部ガスをオゾンガスに置換
する。続いて内側の扉を開け、被洗浄物を密閉洗浄室内
のオゾン水に浸漬、扉を閉め、洗浄をする。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のオゾン水洗浄装
置の好適な実施形態を示す図である。オゾンガス発生装
置１は、酸素ガスを用い放電によってオゾンガスを発生
させる方式で、酸素ガス２を高圧ボンベから供給するの
で、この圧力を用いて全ての系を高圧に上昇、維持する
ことが比較的容易である。この放電方式の他に純水の電
気分解によりオゾンガスを発生させる方式があり、酸素
ガスを必要としない、電気分解電力も小さい、クリーン
という長所があるが、高い圧力を作りづらい、オゾン発
生濃度の立ち上がりが遅いなどの課題もある。求められ
る装置の特性により使い分けている。
置の好適な実施形態を示す図である。オゾンガス発生装
置１は、酸素ガスを用い放電によってオゾンガスを発生
させる方式で、酸素ガス２を高圧ボンベから供給するの
で、この圧力を用いて全ての系を高圧に上昇、維持する
ことが比較的容易である。この放電方式の他に純水の電
気分解によりオゾンガスを発生させる方式があり、酸素
ガスを必要としない、電気分解電力も小さい、クリーン
という長所があるが、高い圧力を作りづらい、オゾン発
生濃度の立ち上がりが遅いなどの課題もある。求められ
る装置の特性により使い分けている。
【００１３】発生したオゾンガス４は管路３を通り、オ
ゾンガス溶解装置５内に高圧力で吹き込まれる。オゾン
ガス溶解装置内には室温の純水が供給されており、吹き
込まれることでオゾン水６を作るが、オゾンガス発生装
置からの圧力で高濃度にオゾンガスが溶解される。図１
はエジェクタータイプであるが、霧吹きのように純水と
オゾンガスを混合する場合や、プロペラで溶解装置内を
強制攪拌する場合もある。また溶解膜を用いた溶解モジ
ュールタイプもある。溶解モジュールタイプはフッ素系
膜を用い気液接触で溶解させる方式であるが、溶解膜か
らのＦの溶出があり、構造は簡単だが品質上の課題もあ
る。これも求められる装置の特性により使い分けてい
る。オゾンガス溶解装置５内は強い腐食性のオゾン水が
接触するため、テフロン製が求められる。管路４もテフ
ロンかステンレスとなる。
ゾンガス溶解装置５内に高圧力で吹き込まれる。オゾン
ガス溶解装置内には室温の純水が供給されており、吹き
込まれることでオゾン水６を作るが、オゾンガス発生装
置からの圧力で高濃度にオゾンガスが溶解される。図１
はエジェクタータイプであるが、霧吹きのように純水と
オゾンガスを混合する場合や、プロペラで溶解装置内を
強制攪拌する場合もある。また溶解膜を用いた溶解モジ
ュールタイプもある。溶解モジュールタイプはフッ素系
膜を用い気液接触で溶解させる方式であるが、溶解膜か
らのＦの溶出があり、構造は簡単だが品質上の課題もあ
る。これも求められる装置の特性により使い分けてい
る。オゾンガス溶解装置５内は強い腐食性のオゾン水が
接触するため、テフロン製が求められる。管路４もテフ
ロンかステンレスとなる。
【００１４】製造されたオゾン水６はポンプ１２の作用
により密閉洗浄室９に移送され、密閉洗浄室にセットさ
れた被洗浄物１０の有機物や金属イオンを酸化分解洗浄
する。洗浄に使われたオゾン水は同様にポンプ１２の作
用でフィルター１１に移送され、洗浄難分解物質がトラ
ップされクリーンとなって、再びオゾンガス溶解装置５
に戻り、オゾンガス溶解濃度を上昇させる。
により密閉洗浄室９に移送され、密閉洗浄室にセットさ
れた被洗浄物１０の有機物や金属イオンを酸化分解洗浄
する。洗浄に使われたオゾン水は同様にポンプ１２の作
用でフィルター１１に移送され、洗浄難分解物質がトラ
ップされクリーンとなって、再びオゾンガス溶解装置５
に戻り、オゾンガス溶解濃度を上昇させる。
【００１５】オゾンガス溶解装置５でオゾン水６を製造
した後の余剰オゾンガス７は通常一定の圧力以上で開放
する弁８Ａを通じ系外へ排出されスクラバーや触媒に輸
送され排気されるが、密閉洗浄室９に被洗浄物１０を導
入する際は、別シーケンスで制御される。この時、弁８
Ａはオゾンガス溶解装置５からの排気に、弁８Ｂはやは
りスクラバーや触媒に通じるよう排気側に開き、窒素ガ
ス１４を流入させ、弁８Ｂより排気しながら十分にロー
ドロック室内の雰囲気を窒素ガス置換した後、二重扉１
６Ａを開き被洗浄物１０をロードロック室１５に入れ
る。続いて、二重扉１６Ａを閉め、窒素ガス１４を止
め、弁８Ａを操作し、余剰オゾンガス７を１気圧より高
い圧力でロードロック室に流入させる。十分にロードロ
ック室内の雰囲気をオゾンガスに置換した後、弁８Ｂを
閉じ、ロードロック室内の圧力を上昇させる。目的の圧
力に到達したなら弁８Ａを操作し、再びスクラバーや触
媒に輸送排気させ、ロードロック室内の圧力を維持す
る。次に二重扉１６Ｂを開きオゾン水６中に被洗浄物１
０を浸漬、二重扉を閉め、所定時間洗浄する。洗浄が終
了したら、二重扉１６Ｂを開け、被洗浄物１０をロード
ロック室内に戻した後、閉じる。続いて、弁８Ｂを開放
しロードロック室１５の圧力を下げ、窒素ガス１４を流
し込み、雰囲気を置換してから二重扉１６Ａを開き、被
洗浄物を取り出す。
した後の余剰オゾンガス７は通常一定の圧力以上で開放
する弁８Ａを通じ系外へ排出されスクラバーや触媒に輸
送され排気されるが、密閉洗浄室９に被洗浄物１０を導
入する際は、別シーケンスで制御される。この時、弁８
Ａはオゾンガス溶解装置５からの排気に、弁８Ｂはやは
りスクラバーや触媒に通じるよう排気側に開き、窒素ガ
ス１４を流入させ、弁８Ｂより排気しながら十分にロー
ドロック室内の雰囲気を窒素ガス置換した後、二重扉１
６Ａを開き被洗浄物１０をロードロック室１５に入れ
る。続いて、二重扉１６Ａを閉め、窒素ガス１４を止
め、弁８Ａを操作し、余剰オゾンガス７を１気圧より高
い圧力でロードロック室に流入させる。十分にロードロ
ック室内の雰囲気をオゾンガスに置換した後、弁８Ｂを
閉じ、ロードロック室内の圧力を上昇させる。目的の圧
力に到達したなら弁８Ａを操作し、再びスクラバーや触
媒に輸送排気させ、ロードロック室内の圧力を維持す
る。次に二重扉１６Ｂを開きオゾン水６中に被洗浄物１
０を浸漬、二重扉を閉め、所定時間洗浄する。洗浄が終
了したら、二重扉１６Ｂを開け、被洗浄物１０をロード
ロック室内に戻した後、閉じる。続いて、弁８Ｂを開放
しロードロック室１５の圧力を下げ、窒素ガス１４を流
し込み、雰囲気を置換してから二重扉１６Ａを開き、被
洗浄物を取り出す。
【００１６】被洗浄物１０の密閉洗浄室９内へのセット
方法は前記のように二重扉等を用いたロードロック室を
用いる方式が最も容易である。密閉洗浄室９、フィルタ
ー１１、ポンプ１２は耐腐食性や汚染防止からテフロン
製が望ましい。管路１３もテフロン製かステンレス製が
適している。
方法は前記のように二重扉等を用いたロードロック室を
用いる方式が最も容易である。密閉洗浄室９、フィルタ
ー１１、ポンプ１２は耐腐食性や汚染防止からテフロン
製が望ましい。管路１３もテフロン製かステンレス製が
適している。
【００１７】（実施例）薄膜プロセスでは有機レジスト
の剥離にＲＣＡ洗浄のＳＰＭ（硫酸＋過酸化水素水）洗
浄が多用されているのでＳｉウェハにポジレジストＯＦ
ＰＲ８００を塗布し、剥離洗浄を実施した。
の剥離にＲＣＡ洗浄のＳＰＭ（硫酸＋過酸化水素水）洗
浄が多用されているのでＳｉウェハにポジレジストＯＦ
ＰＲ８００を塗布し、剥離洗浄を実施した。
【００１８】本発明実施例を図１に示す。高純度酸素ガ
スボンベ（９９．９９９％）を用い、３気圧でオゾンガ
ス発生装置１に酸素ガス２を１０Ｌ／分で流入させた。
オゾンガス発生装置１の電極に種々のＲＦパワーをかけ
放電させ、オゾンガス４を発生させオゾンガス溶解装置
５に流した。オゾンガス溶解装置５には予め室温の超純
水（１８ＭΩ）が満たされており、エジェクター方式で
吹き込み攪拌することでオゾンガスを溶解させた。ポン
プ１２を始動させ、５Ｌ／分の流量でオゾン水をオゾン
ガス溶解装置５、密閉洗浄室９、フィルター１１、ポン
プ１２と循環させたところ約１０分後には純水中にＲＦ
パワーによって、３０、５０、８０、１２０ｐｐｍのオ
ゾンガスが溶解した。この間もオゾンガス４はオゾンガ
ス溶解装置５内に流れており、オゾンガス溶解装置内部
の圧力を２．９気圧とさせるように圧力弁８を開閉させ
ている。余剰となったオゾンガス７は圧力弁８を通り、
触媒除害装置で処理された。
スボンベ（９９．９９９％）を用い、３気圧でオゾンガ
ス発生装置１に酸素ガス２を１０Ｌ／分で流入させた。
オゾンガス発生装置１の電極に種々のＲＦパワーをかけ
放電させ、オゾンガス４を発生させオゾンガス溶解装置
５に流した。オゾンガス溶解装置５には予め室温の超純
水（１８ＭΩ）が満たされており、エジェクター方式で
吹き込み攪拌することでオゾンガスを溶解させた。ポン
プ１２を始動させ、５Ｌ／分の流量でオゾン水をオゾン
ガス溶解装置５、密閉洗浄室９、フィルター１１、ポン
プ１２と循環させたところ約１０分後には純水中にＲＦ
パワーによって、３０、５０、８０、１２０ｐｐｍのオ
ゾンガスが溶解した。この間もオゾンガス４はオゾンガ
ス溶解装置５内に流れており、オゾンガス溶解装置内部
の圧力を２．９気圧とさせるように圧力弁８を開閉させ
ている。余剰となったオゾンガス７は圧力弁８を通り、
触媒除害装置で処理された。
【００１９】密閉洗浄室９内のオゾン水濃度がそれぞれ
の濃度で安定したところで、ポジレジストＯＦＰＲ８０
０を塗布したＳｉウェハを密閉洗浄室内にセットした。
密閉洗浄室には二重扉が設けられており、内部の圧力を
低下させることなく、ウェハをセットした。
の濃度で安定したところで、ポジレジストＯＦＰＲ８０
０を塗布したＳｉウェハを密閉洗浄室内にセットした。
密閉洗浄室には二重扉が設けられており、内部の圧力を
低下させることなく、ウェハをセットした。
【００２０】レジスト剥離洗浄を１０分行い、同じよう
に二重扉を介して、ウェハを取り出し、純水でリンス、
乾燥後、膜厚を測定し、除去レートを求めた。その結
果、オゾン水のオゾンガス濃度が３０，５０，８０，１
２０ｐｐｍについて除去レートが、５００、１０００、
２６００、４０００オングストローム／分であり、５０
ｐｐｍ以上で効率が良いことがわかった。洗浄後のウェ
ハには残渣もなく、レジストに含まれる金属イオンも検
出されず、ＳＰＭ洗浄と同等以上の洗浄性が確認され
た。しかるにオゾン水洗浄は室温であったため消費電力
はＳＰＭ洗浄の１／２０、使用した薬液はなく、廃液、
排水処理も必要なかった。余剰オゾンガス排気も触媒に
通すことで無害化でき、スクラバーなどの大掛かりな設
備も必要ないことがわかった。なお、前述の通り室温で
これらの処理を行うことが好ましく、特にオゾンガスを
純水に溶解させるオゾン水製造工程、オゾン水を密閉洗
浄室に導く工程、および被洗浄物を洗浄する工程、とも
に室温で行うことが好ましい。
に二重扉を介して、ウェハを取り出し、純水でリンス、
乾燥後、膜厚を測定し、除去レートを求めた。その結
果、オゾン水のオゾンガス濃度が３０，５０，８０，１
２０ｐｐｍについて除去レートが、５００、１０００、
２６００、４０００オングストローム／分であり、５０
ｐｐｍ以上で効率が良いことがわかった。洗浄後のウェ
ハには残渣もなく、レジストに含まれる金属イオンも検
出されず、ＳＰＭ洗浄と同等以上の洗浄性が確認され
た。しかるにオゾン水洗浄は室温であったため消費電力
はＳＰＭ洗浄の１／２０、使用した薬液はなく、廃液、
排水処理も必要なかった。余剰オゾンガス排気も触媒に
通すことで無害化でき、スクラバーなどの大掛かりな設
備も必要ないことがわかった。なお、前述の通り室温で
これらの処理を行うことが好ましく、特にオゾンガスを
純水に溶解させるオゾン水製造工程、オゾン水を密閉洗
浄室に導く工程、および被洗浄物を洗浄する工程、とも
に室温で行うことが好ましい。
【００２１】
【発明の効果】以上に示したように、さまざまな課題を
有する従来ＲＣＡ洗浄や工業用洗浄を代替して、低コス
ト、省エネルギーで環境にやさしい洗浄が可能となる。
有する従来ＲＣＡ洗浄や工業用洗浄を代替して、低コス
ト、省エネルギーで環境にやさしい洗浄が可能となる。
【図１】実施例１のオゾン水洗浄装置の概略断面図であ
る。
る。
【図２】従来技術のオゾン水洗浄装置の概略模式図であ
る。
る。
１ オゾンガス発生装置 ２ 酸素ガス ３ 管路 ４ オゾンガス ５ オゾンガス溶解装置 ６ オゾン水 ７ 余剰オゾンガス ８Ａ 弁 ８Ｂ 弁 ９ 密閉洗浄室 １０ 被洗浄物 １１ フィルター １２ ポンプ １３ 管路 １４ 窒素ガス １５ ロードロック室 １６Ａ 二重扉Ａ １６Ｂ 二重扉Ｂ ２１ オゾンガス発生装置 ２２ オゾンガス ２３ ポンプ ２４ フィルター ２５ エジェクター ２６ オゾン水 ２７ 洗浄槽 ２８ バブラー
フロントページの続き (72)発明者 砂川 強志 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB44 BB02 BB90 BB92 CB01 CD33 4D050 AB11 BB02 BC02 BD02 BD04 BD06 BD08 4G035 AA01 AE13
Claims (5)
- 【請求項１】オゾンガスを１気圧より高い圧力で純水に
溶解させてオゾン水を製造し、圧力を保持した状態で前
記オゾン水を密閉洗浄室に導き、被洗浄物を洗浄するこ
とを特徴とするオゾン水洗浄方法。 - 【請求項２】請求項１記載のオゾン水洗浄方法におい
て、前記オゾンガスを純水に溶解させるオゾン水製造工
程、前記オゾン水を密閉洗浄室に導く工程、および被洗
浄物を洗浄する工程を室温で行うことを特徴とするオゾ
ン水洗浄方法。 - 【請求項３】請求項１及び２記載のオゾン水洗浄方法に
おいて、オゾン濃度が５０ｐｐｍより高いことを特徴と
するオゾン水洗浄方法。 - 【請求項４】オゾンガスを発生させるためのオゾンガス
発生装置、前記オゾンガスを１気圧より高い圧力で純水
に溶解させオゾン水を製造するためのオゾンガス溶解装
置、１気圧より高い圧力状態で被洗浄物を前記オゾン水
に浸漬し洗浄するための密閉洗浄室、前記オゾンガス発
生装置から発生したオゾンガスを前記オゾンガス溶解装
置に導く管路、前記オゾンガス溶解装置で製造されたオ
ゾン水を前記密閉洗浄室に導く管路、を備えたことを特
徴とするオゾン水洗浄装置。 - 【請求項５】請求項４記載のオゾン水洗浄装置におい
て、前記密閉洗浄室の圧力を下げることなく大気中より
被洗浄物を出し入れできる機構が設けられていることを
特徴とするオゾン水洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25736999A JP2001079502A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | オゾン水洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25736999A JP2001079502A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | オゾン水洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001079502A true JP2001079502A (ja) | 2001-03-27 |
Family
ID=17305438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25736999A Withdrawn JP2001079502A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | オゾン水洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001079502A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078562A (ko) * | 2001-04-04 | 2002-10-19 | (주)미지텍 | 강제산기식 오존발생장치 |
| JP2003010795A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2003033634A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-04 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン処理システム |
| JP2014036716A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Aichi Gakuin | 生体親和性に優れたインプラント材料の処理方法及び処理装置 |
| JP2016143872A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25736999A patent/JP2001079502A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078562A (ko) * | 2001-04-04 | 2002-10-19 | (주)미지텍 | 강제산기식 오존발생장치 |
| JP2003010795A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2003033634A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-04 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン処理システム |
| JP2014036716A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Aichi Gakuin | 生体親和性に優れたインプラント材料の処理方法及び処理装置 |
| JP2016143872A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
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