KR20190053816A - 희석 약액 제조 장치 및 희석 약액 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

희석 약액의 제조 장치는, 초순수 (W) 의 공급 라인 (1) 에 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 과, 막식 탈기 장치 (3) 와, 가스 용해막 장치 (4) 를 구비하고, 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 과 막식 탈기 장치 (3) 사이에 세정 약액의 주입 장치 (5) 를 형성한 구성을 갖는다. 막식 탈기 장치 (3) 의 기상측에는 불활성 가스원 (6) 이 접속되어 있음과 함께 가스 용해막 장치 (4) 의 기상측에도 불활성 가스원 (7) 이 접속되어 있고, 가스 용해막 장치 (4) 에는 배출 라인 (8) 이 연통되어 있다. 이러한 희석 약액의 제조 장치에 의하면, 반도체 세정시의 세정 공정에 있어서, 용존 산소 및 용존 과산화수소의 양방을 제거한 희석 약액을 안전하게 제조·공급하는 것이 가능하다.

Description

희석 약액 제조 장치 및 희석 약액 제조 방법
본 발명은 전자 산업 분야 등에서 사용되는 희석 약액의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 세정 약액 중의 용존 가스 등에 의한 악영향을 배제한 고순도의 희석 약액의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.
반도체용 실리콘 기판, 액정용 유리 기판 혹은 포토마스크용 석영 기판 등의 전자 재료에는, 고도로 청정화된 표면이 요구되고, 소정의 약액을 초순수로 희석시킨 고순도 희석 약액을 사용하여 여러 가지 방법으로 웨트 세정이 실시되고 있다. 이 경우, 공급되는 초순수에 기포가 혼입됨으로써 여러 가지 문제가 생기는 경우가 있다. 예를 들어 반도체 웨이퍼 상에 적층되는 박막에 레지스트를 도포하고, 패턴이 형성된 마스크를 통하여 노광, 현상 후 에칭하여 박막에 패턴을 형성시키는 리소그래피 공정에 있어서, 레지스트액 혹은 현상액에 기포가 혼입된 채로 반도체 웨이퍼에 스핀 코트하면 처리 불균일에 의한 패턴 불량이 생기는 등의 트러블이 발생한다.
이 때문에 희석 약액에의 기포의 혼입을 해결하기 위한 세정 방법이 여러 가지 개시되어 있다. 특허문헌 1 에는, 반도체의 세정 공정에 있어서 사용되는 희불산 수용액의 용존 산소를 저감시키기 위해, 용존 산소량이 10 ppm 이하인 순수로 희석시키고, 또한 세정 공정에 있어서 희불산 수용액과 접하는 기체의 대부분을 실온에 있어서 불활성인 기체 (산소의 체적 비율 21 ％ 이하) 로 함으로써, 희불산 중의 용존 산소의 상승을 억제하는 세정 약액의 제조 방법이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 및 특허문헌 3 에는, 약액 중의 용존 가스종의 저감을 위해서, 약액 저장 탱크 혹은 약액을 반송하는 라인 중에, 진공 펌프를 사용한 탈기 수단을 형성함으로써 탈기를 실시하여, 약액에의 용존 가스종의 용해를 억제하는 기술이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 평7-312359호 일본 공개특허공보 평8-337296호 일본 공개특허공보 평9-94447호
그런데, 최근 반도체의 미세화에 수반하여, 세정액에 포함되는 극미량 (ppb 오더) 의 용존 산소나 용존 과산화수소가, 세정 반도체의 전기적인 특성이나 신뢰성을 악화시키는 것을 알게 되었다. 따라서, 특허문헌 1 에 기재되어 있는 바와 같이 용존 산소량이 10 ppm 이하인 순수로 희석시킨 것으로는, 현행의 반도체 제조 공정에 있어서의 표면 세정에는 적합하지 않고, 또한 희석 전의 세정 약액인 불산 수용액에 원래 포함되어 있는 용존 산소에 대해서는 제거할 수 없다는 문제점이 있다.
특허문헌 2 및 특허문헌 3 의 기술에서는, 약액 희석 공정에 있어서 진공 탈기를 실시하여 약액 중의 용존 가스종을 제거하고 있으므로, 희석 약액 중의 용존 가스종을 대폭 저감시키는 것이 가능하다. 그러나, 특허문헌 2 및 특허문헌 3 에서는, 약액 중의 용존 가스종을 저감시키기 위해, 약액 저장 탱크 혹은 약액을 반송하는 라인 중에 진공 펌프를 형성하고 있지만, 반도체 표면 세정에 사용되는 불산이나 암모니아 등의 독극물의 약액을 진공 펌프로 탈기하는 것은, 진공 펌프를 내약품성, 내불산성으로 변경할 필요가 생기고, 그리고 독극물의 약액의 미스트가 확산되어, 약액 누설 등의 위험을 수반한다는 문제점이 있다.
또한 특허문헌 1 ∼ 3 중 어느 기술에 있어서 제조한 희석 약액에서도, 그 희석 약액 중에 포함되는 미량의 과산화수소를 제거하는 것은 곤란하고, 이 미량의 과산화수소에서 기인하여, 전자 재료의 세정에 악영향을 미치는 경우가 있다. 이 대책으로서, 백금족의 금속 미립자를 담체에 담지시킨 과산화수소 제거 촉매에 의해 초순수 중의 과산화수소를 제거하는 것이 생각되지만, 백금족 금속에 의해 과산화수소를 분해하면 촉매 반응에 의해 산소가 발생하여, 초순수 중의 용존 산소가 증가해 버린다.
본 발명은 상기 서술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 반도체 세정시의 세정 공정에 있어서, 용존 산소 및 용존 과산화수소의 양방을 제거한 고순도의 희석 약액을 안전하게 제조·공급하는 것이 가능한 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 감안하여, 본 발명은 첫 번째로, 약액을 초순수로 희석시키는 희석 약액의 제조 장치로서, 초순수 공급 라인에 백금족 금속 담지 수지 칼럼과 막식 탈기 장치를 순차 구비하고, 상기 백금족 금속 담지 수지 칼럼과 상기 막식 탈기 장치 사이에, 약액 주입 장치를 형성한 희석 약액의 제조 장치를 제공한다 (발명 1).
이러한 발명 (발명 1) 에 의하면, 초순수 공급 라인으로부터 초순수를 백금족 금속 담지 수지 칼럼을 통수 (通水) 함으로써, 초순수 중에 미량 포함되는 과산화수소를 제거하고, 계속해서 약액 주입 장치로부터 약액을 주입하여 희석 약액을 조제한 후, 막식 탈기 장치로 탈기하여 희석 약액 중의 용존 산소를 제거함으로써, 용존 산소 및 용존 과산화수소의 양방을 충분히 저감시켜 청정화된 고순도의 희석 약액을 안전하게 제조·공급하는 것이 가능해진다.
상기 발명 (발명 1) 에 있어서는, 상기 막식 탈기 장치의 후단에 불활성 가스 용해막 장치를 형성하는 것이 바람직하다 (발명 2).
이러한 발명 (발명 2) 에 의하면, 고순도의 희석 약액에 불활성 가스를 용해시킴으로써 희석 약액에 가스 성분을 잘 용해되지 않게 하여, 고순도를 유지할 수 있다.
상기 발명 (발명 1, 2) 에 있어서는, 상기 막식 탈기 장치가 불활성 가스를 흡입하는 방식인 것이 바람직하다 (발명 3).
이러한 발명 (발명 3) 에 의하면, 막식 탈기 장치의 기상측에 불활성 가스를 흡입하고 액상측에 희석 약액을 공급함으로써, 용존 산소 등의 용존 가스가 효과적으로 탈기되어, 얻어지는 희석 약액의 용존 산소 농도를 더욱 저감시킬 수 있다.
또, 본 발명은 두 번째로, 약액을 초순수로 희석시키는 희석 약액의 제조 방법으로서, 희석용의 초순수를 백금족 금속 담지 수지 칼럼에 통과시킨 후, 약액 성분을 첨가하여 희석 약액을 조제하고, 계속해서 얻어진 희석 약액을 탈기하는 희석 약액의 제조 방법을 제공한다 (발명 4).
이러한 발명 (발명 4) 에 의하면, 초순수를 백금족 금속 담지 수지 칼럼에 통수함으로써 초순수 중에 미량 포함되는 과산화수소를 제거하고, 계속해서 약액 주입 장치로부터 약액 성분을 첨가하여 희석 약액을 조제한 후, 탈기하여 희석 약액 중의 용존 산소를 제거함으로써, 용존 산소 및 용존 과산화수소의 양방을 충분히 저감시킨 고순도의 희석 약액을 안전하게 제조·공급하는 것이 가능해진다.
상기 발명 (발명 4) 에 있어서는, 상기 탈기 후의 희석 약액에 불활성 가스를 용해시키는 것이 바람직하다 (발명 5).
이러한 발명 (발명 5) 에 의하면, 고순도의 희석 약액에 불활성 가스를 용해시킴으로써 희석 약액에 가스 성분을 잘 용해되지 않게 하여, 고순도를 유지할 수 있다.
상기 발명 (발명 4, 5) 에 있어서는, 상기 탈기를 기상측에 불활성 가스를 흡입하면서 실시하는 것이 바람직하다 (발명 6).
이러한 발명 (발명 6) 에 의하면, 막식 탈기 장치의 기상측에 불활성 가스를 흡입하고 액상측에 희석 약액을 공급함으로써, 용존 산소 등의 용존 가스가 효과적으로 탈기되어, 얻어지는 희석 약액의 용존 산소 농도를 더욱 저감시킬 수 있다.
본 발명의 희석 약액의 제조 장치에 의하면, 먼저 백금족 금속 담지 수지 칼럼에 의해 초순수 중에 미량 포함되는 과산화수소를 제거하고, 계속해서 약액 주입 장치로부터 약액을 주입하여 희석 약액을 조제한 후, 막식 탈기 장치로 탈기하여 희석 약액 중의 용존 산소를 제거하고 있으므로, 용존 산소 및 용존 과산화수소의 양방을 충분히 저감시킨 고순도의 희석 약액을 공급할 수 있고, 희석 약액에 의한 전자 재료의 세정에의 악영향을 배제하는 것이 가능해진다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 희석 약액 제조 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 비교예 1 의 희석 약액 제조 장치를 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 희석 약액의 제조 장치의 일 실시형태에 대해 첨부 도면을 참조로 하여 상세하게 설명한다.
[희석 약액 제조 장치]
도 1 은, 본 실시형태의 희석 약액 제조 장치를 나타내고 있고, 도 1 에 있어서 희석 약액의 제조 장치는, 초순수 (W) 의 공급 라인 (1) 에 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 과, 막식 탈기 장치 (3) 와, 가스 용해막 장치 (4) 를 순차 구비하고, 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 과 막식 탈기 장치 (3) 사이에 세정 약액의 주입 장치 (5) 를 형성한 구성을 갖는다. 그리고, 막식 탈기 장치 (3) 의 기상측에는 불활성 가스원 (6) 이 접속하고 있음과 함께 가스 용해막 장치 (4) 의 기상측에도 불활성 가스원 (7) 이 접속하고 있고, 가스 용해막 장치 (4) 에는 배출 라인 (8) 이 연통되어 있다. 또한, 도 1 에 있어서, 부호 9 는 막식 탈기 장치 (3) 및 가스 용해막 장치 (4) 의 드레인 탱크이다.
<초순수>
본 실시형태에 있어서, 희석수가 되는 초순수 (W) 란, 예를 들어, 저항률 : 18.1 MΩ·㎝ 이상, 미립자 : 입경 50 ㎚ 이상이고 1000 개/ℓ 이하, 생균 : 1 개/ℓ 이하, TOC (Total Organic Carbon) : 1 ㎍/ℓ 이하, 전체 실리콘 : 0.1 ㎍/ℓ 이하, 금속류 : 1 ng/ℓ 이하, 이온류 : 10 ng/ℓ 이하, 과산화수소 ; 30 ㎍/ℓ 이하, 수온 : 25 ± 2 ℃ 의 것이 바람직하다.
<백금족 금속 담지 수지 칼럼>
(백금족 금속)
본 실시형태에 있어서, 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 에 사용하는 백금족 금속 담지 수지에 담지시키는 백금족 금속으로는, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐 및 백금을 들 수 있다. 이들 백금족 금속은, 1 종을 단독으로 사용할 수 있고, 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있고, 2 종 이상의 합금으로서 사용할 수도 있고, 혹은 천연으로 산출되는 혼합물의 정제품을 단체로 분리하는 일 없이 사용할 수도 있다. 이들 중에서 백금, 팔라듐, 백금/팔라듐 합금의 단독 또는 이들의 2 종 이상의 혼합물은, 촉매 활성이 강하기 때문에 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
(담체 수지)
백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 에 있어서, 백금족 금속을 담지시키는 담체 수지로는, 이온 교환 수지를 사용할 수 있다. 이들 중에서, 아니온 교환 수지를 특히 바람직하게 사용할 수 있다. 백금계 금속은, 부 (負) 로 대전하고 있으므로, 아니온 교환 수지에 안정적으로 담지되어 잘 박리되지 않는 것이 된다. 아니온 교환 수지의 교환기는, OH 형인 것이 바람직하다. OH 형 아니온 교환 수지는, 수지 표면이 알칼리성이 되어, 과산화수소의 분해를 촉진한다.
<막식 탈기 장치>
본 실시형태에 있어서, 막식 탈기 장치 (3) 로는, 탈기막의 일방의 측 (액상측) 에 초순수 (W) 를 흘리고, 타방의 측 (기상측) 을 진공 펌프로 배기함으로써, 용존 산소를 막을 투과시켜 기상실측으로 이행시켜 제거하도록 한 것을 사용할 수 있다. 또한, 이 막의 진공측 (기상측) 에는 질소 등의 불활성 가스원 (6) 을 접속하여, 탈기 성능을 향상시키는 것이 바람직하다. 탈기막은, 산소, 질소, 증기 등의 가스는 통과하지만 물은 투과하지 않는 막이면 바람직하고, 예를 들어, 실리콘 고무계, 폴리테트라플루오로에틸렌계, 폴리올레핀계, 폴리우레탄계 등이 있다. 이 탈기막으로는 시판되는 각종의 것을 사용할 수 있다.
<가스 용해막 장치>
본 실시형태에 있어서, 가스 용해막 장치 (4) 는, 가스 투과막의 일방의 측 (액상측) 에 초순수 (W) 를 흘리고, 타방의 측 (기상측) 에 가스를 유통시켜 액상측으로 가스를 이행시켜 용해시키는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 폴리프로필렌, 폴리디메틸실록산, 폴리카보네이트-폴리디메틸실록산 블록 공중합체, 폴리비닐페놀-폴리디메틸실록산-폴리술폰 블록 공중합체, 폴리(4-메틸펜텐-1), 폴리(2,6-디메틸페닐렌옥사이드), 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 고분자막 등을 사용할 수 있다. 이 물에 용해시키는 가스로는, 본 실시형태에 있어서는 질소 등의 불활성 가스를 사용하고, 이 불활성 가스는 불활성 가스원 (7) 으로부터 공급한다.
<세정 약액>
본 실시형태에 있어서, 세정 약액의 주입 장치 (5) 로부터 주입하는 세정 약액으로는, 특별히 제한은 없고, 염산, 질산, 황산, 불산, 암모니아 등을 사용할 수 있다.
[희석 약액 제조 방법]
상기 서술한 바와 같은 구성을 갖는 본 실시형태의 희석 약액의 제조 장치를 사용한 고순도의 희석 약액의 제조 방법에 대해 이하에 설명한다.
먼저, 희석용의 초순수 (W) 를 공급 라인 (1) 으로부터 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 에 공급한다. 이 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 에서는 백금족 금속의 촉매 작용에 의해, 초순수 (W) 중의 과산화수소를 분해 제거한다. 단, 여기서는 초순수 (W) 중의 용존 산소는, 과산화수소의 분해에 의해 증가한다.
다음으로, 이 초순수 (W) 에 대해 세정 약액의 주입 장치 (5) 로부터 세정 약액을 주입하여 희석 약액 (W1) 을 조제한다. 이 세정 약제의 주입량 (유량) 은, 세정 약액이 원하는 농도로 희석되도록 초순수 (W) 의 유량에 따라 제어하면 된다. 이 희석 약액 (W1) 중에는 초순수 (W) 의 용존 산소와, 세정 약액으로부터 반입된 용존 산소가 포함되게 된다.
계속해서, 이 희석 약액 (W1) 을 막식 탈기 장치 (3) 에 공급한다. 막식 탈기 장치 (3) 에서는, 소수성 기체 투과막에 의해 구성된 액상실 및 기상실의 액상실측에 희석 약액 (W1) 을 흘림과 함께, 기상실을 도시되지 않은 진공 펌프로 감압함으로써, 희석 약액 (W1) 중에 포함되는 용존 산소 등의 용존 가스를 소수성 기체 투과막을 통하여 기상실로 이행시킴으로써 제거한다. 이 때 기상실측에 발생하는 응축수는 드레인 탱크 (9) 에 회수한다. 본 실시형태에 있어서는, 막식 탈기 장치 (3) 의 기상실에 불활성 가스원 (6) 으로부터 스위프 가스로서 불활성 가스를 감압하에서 공급함으로써, 탈기 효과가 높아져 피처리수의 용존 산소 제거 효과가 더욱 높아지는 점에서 바람직하다. 불활성 가스로는, 특별히 한정되지 않고 희가스나 질소 가스 등을 사용할 수 있다. 특히, 질소는 용이하게 입수할 수 있고, 또한 고순도 레벨에서도 저렴하기 때문에, 바람직하게 사용할 수 있다. 이로써 희석 약액 (W1) 의 용존 산소 농도를 저감시킬 수 있다. 이와 같이 세정 약액을 직접 탈기하지 않고 희석 약액 (W1) 으로 한 후 탈기함으로써, 독극물의 약품을 진공 탈기할 때의 약액 누설 등의 리스크를 저감시킬 수 있다.
그리고, 본 실시형태에 있어서는, 이 탈기한 희석 약액 (W1) 을 가스 용해막 장치 (4) 에 공급한다. 가스 용해막 장치 (4) 에서는, 소수성 기체 투과막에 의해 구성된 액상실 및 기상실의 액상실측에 희석 약액 (W1) 을 흘림과 함께, 기상실측의 압력이 액상실측보다 높아지는 조건하에서 불활성 가스원 (7) 으로부터 기상실로 불활성 가스를 공급함으로써, 액상실측으로 불활성 가스를 이행시켜 희석 약액 (W1) 에 용해시켜, 최종적인 희석 약액 (청정 희석 약액) (W2) 을 얻을 수 있다. 이 때 기상실측에 발생하는 응축수는 드레인 탱크 (9) 에 회수한다. 이 불활성 가스의 용해에 의해 청정 희석 약액 (W2) 으로의 가스종의 재용해를 억제할 수 있고, 희석 약액 (W2) 을 용존 산소가 저감된 상태로 유지할 수 있다. 불활성 가스로는, 특별히 한정되지 않고 희가스나 질소 가스 등을 사용할 수 있다. 특히, 질소는 용이하게 입수할 수 있고, 또한 고순도 레벨에서도 저렴하기 때문에, 바람직하게 사용할 수 있다. 이와 같은 가스 용해막 모듈을 사용하는 방법이면, 수중에 용이하게 가스를 용해시킬 수 있고, 또, 용존 가스 농도의 조정, 관리도 용이하게 실시할 수 있다.
이 청정 희석 약액 (W2) 은, 반도체용 실리콘 기판, 액정용 유리 기판 혹은 포토마스크용 석영 기판 등의 전자 재료의 세정기에 공급된다. 본 실시형태에 의해 제조되는 청정 희석 약액 (W2) 은, 예를 들어 과산화수소 농도 1 ppb 이하, 용존 산소 농도 100 ppb 이하로 매우 낮은 레벨로 하는 것이 가능하고, 희석 약액 (W2) 으로의 가스종의 재용해를 요청하여 낮은 상태를 유지하는 것이 가능한 것으로 되어 있어, 이들의 세정용으로 바람직하다.
이상, 본 발명에 대해 첨부 도면을 참조하여 설명해 왔지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 여러 가지 변경 실시가 가능하다. 예를 들어, 세정기의 직전에 한외 여과막 등의 미립자 제거 장치를 필요에 따라 적절히 형성해도 된다. 또, 유량계, 온도계, 압력계, 기체 농도계 등의 계기류를 임의의 장소에 형성할 수 있다. 또한 세정 약액의 주입 장치 (5) 에 약액 유량 조정 밸브를 형성하거나, 불활성 가스원 (6) 및 불활성 가스원 (7) 에 기체 유량 조정 밸브 등의 제어 기기를 필요에 따라 형성하거나 해도 된다.
실시예
이하의 구체적 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
[실시예 1]
도 1 에 나타내는 구성으로 희석 약액 제조 장치를 구성하고, 공급 라인 (1) 으로부터 초순수 (W) 를 0.7 ℓ/분의 유량으로 공급하고, 백금족 금속으로서 백금을 담지한 백금족 금속 담지 수지 칼럼 (2) 에 유통한 후, 약액 주입 장치 (5) 로부터 세정 약액으로서 불산 (농도 7.5 중량％) 을 약액 주입 장치 (5) 로부터 0.05 ℓ/분의 유량으로 공급하여 희석 약액 (W1) 을 조제하였다. 이 희석 약액 (W1) 을 막식 탈기 장치 (3) 및 가스 용해막 장치 (4) 로 처리하여 청정 희석 약액 (W2) 을 제조하였다. 이 청정 희석 약액 (W2) 의 용존 산소 농도와 용존 과산화수소 농도를 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 막식 탈기 장치 (3) 로는, 리퀴셀 (셀가드사 제조) 을 사용하여, 스위프 가스로서 질소 가스를 10 ℓ/분의 유량으로 유통하였다. 또, 가스 용해막 장치 (4) 로는, 미츠비시 레이욘 제조 「MHF1704」 를 사용하여, 질소 가스를 0.1 ℓ/분의 유량으로 공급하였다.
[비교예 1]
도 2 에 나타내는 바와 같이, 도 1 에 나타내는 장치에 있어서 약액 주입 장치 (5) 를 가스 용해막 장치 (4) 의 후단에 형성한 것 이외에는 동일하게 하여 희석 약액 제조 장치를 구성하였다. 이 희석 약액 제조 장치에 의해 실시예 1 과 동일한 조건으로 청정 희석 약액 (W2) 을 제조하고, 용존 산소 농도와 용존 과산화수소 농도를 측정한 결과를 표 1 에 합하여 나타낸다.
Figure pct00001
표 1 로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 의 희석 약액 제조 장치에서는, 용존 산소 농도가 100 PPB 미만이고 용존 과산화수소 농도가 1 PPB 미만으로 매우 낮은 레벨인 데에 대해, 비교예 1 의 희석 약액 제조 장치에서는, 용존 산소 농도는 ppm 오더이고, 용존 과산화수소도 많고, 특히 산화제 성분이 될 수 있는 용존 산소가 많이 존재하고 있는 것을 알 수 있었다. 이것은 약액 주입 장치 (5) 로부터 공급되는 불산에 용해되어 있는 용존 산소의 영향인 것으로 생각된다.
2 백금족 금속 담지 수지 칼럼
3 막식 탈기 장치
4 가스 용해막 장치
5 세정 약액의 주입 장치
6 불활성 가스원
7 불활성 가스원
W 초순수
W1 희석 약액
W2 청정 희석 약액

Claims (6)

  1. 약액을 초순수로 희석시키는 희석 약액의 제조 장치로서, 초순수 공급 라인에 백금족 금속 담지 수지 칼럼과 막식 탈기 장치를 순차 구비하고, 상기 백금족 금속 담지 수지 칼럼과 상기 막식 탈기 장치 사이에, 약액 주입 장치를 형성한, 희석 약액의 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 막식 탈기 장치의 후단에 불활성 가스 용해막 장치를 형성한, 희석 약액의 제조 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 막식 탈기 장치가 불활성 가스를 흡입하는 방식인, 희석 약액의 제조 장치.
  4. 약액을 초순수로 희석시키는 희석 약액의 제조 방법으로서, 희석용의 초순수를 백금족 금속 담지 수지 칼럼에 통과시킨 후, 약액 성분을 첨가하여 희석 약액을 조제하고, 계속해서 얻어진 희석 약액을 탈기하는, 희석 약액의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 탈기 후의 희석 약액에 불활성 가스를 용해시키는, 희석 약액의 제조 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 탈기를 기상측에 불활성 가스를 흡입하면서 실시하는, 희석 약액의 제조 방법.
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