KR200365733Y1 - 초음파 불산 세정 장치 - Google Patents

초음파 불산 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR200365733Y1
KR200365733Y1 KR20-2004-0020803U KR20040020803U KR200365733Y1 KR 200365733 Y1 KR200365733 Y1 KR 200365733Y1 KR 20040020803 U KR20040020803 U KR 20040020803U KR 200365733 Y1 KR200365733 Y1 KR 200365733Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hydrofluoric acid
ultrasonic
tank
synthetic resin
cleaning
Prior art date
Application number
KR20-2004-0020803U
Other languages
English (en)
Inventor
김돈한
Original Assignee
비씨엔씨 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비씨엔씨 주식회사 filed Critical 비씨엔씨 주식회사
Priority to KR20-2004-0020803U priority Critical patent/KR200365733Y1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200365733Y1 publication Critical patent/KR200365733Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/106—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by boiling the liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 고안은 초음파와 불산액을 이용하여 반도체, LCD 및 이들의 장비를 세정할 수 있는 불산 세정 장치에 관한 것이다.
본 고안에 따른 불산 세정 장치는 오염된 반도체, LCD 및 이들의 장비를 불산액을 이용하여 세정하는 불산 세정 장치에 있어서, 합성수지로 이루어지고, 하부에 초음파 발진기가 구비되며, 표면이 세라믹으로 이루어지거나 세라믹 코팅 처리되는 초음파조; 합성수지로 이루어지고, 상기 초음파조의 일측에 연결되는 침지조 및 합성수지로 이루어지고, 상기 침지조의 일측에 연결되며, 하부에 가열수단이 구비되는 증기조로 이루어지고, 상기 초음파조, 침지조 또는 증기조는 초음파가 투과되는 부분은 세라믹재질로 이루어지도록 한다.
이에 따라, 오염된 부품을 불산액에 침지된 상태에서 초음파를 가함으로써 빠른 시간에 세정을 할 수 있고, 불산액의 세정력이 초음파에 의해서 배가되므로, 저순도의 불산액을 사용할 수 있다.

Description

초음파 불산 세정 장치{Ultrasonic Cleaner for HF}
본 고안은 반도체 및 반도체 장비를 세정하는 장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 초음파와 불산액을 이용하여 반도체 및 반도체 장비를 세정할 수 있는 초음파 불산 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼 및 웨이퍼를 가공하는 장비는 각종 이물질이 표면에 달라붙어서 제품의 수율을 저하시키는 원인이 되었다.
고정밀을 요구하는 반도체 및 LCD 가공 과정에서 폴리머 등과 같은 이물질은 지속적으로 발생하는데, 이를 제거하지 않으면 수율이 크게 저하되어 생산성이 나빠지는 원인이 되었다.
이를 개선하기 위한 종래의 기술을 살펴보면, 오염된 부품을 불산(HF)에 장시간 침지(침漬)시켜 오염된 이물질을 제거하거나, 작업자가 일일이 수세미 등을 이용하여 수작업으로 제거하였다.
오염된 부품에서 오염된 성분은 금속 성분 등이므로, 불산을 사용하여 용이하게 제거하여야 하나, 불산에 오염된 부품을 침지시킨 상태에서 오염물질이 모두 제거되려면 많은 시간이 소요되어, 생산성을 향상시키는데 한계가 있었고, 모재에 많은 손상을 발생시켜 부품 수명을 단축시키는 문제점이 있었다.
또한, 작업자가 수작업으로 세정을 실시하는 경우에도, 시간이 많이 소요되고, 오염된 환경에 작업자가 노출되는 문제점을 가지고 있었다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 반도체, LCD 및 이들의 가공 장비에 침지된 오염물질을 빠른 시간내에 용이하게 제거할 수 있는 초음파 불산 세정 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
도1은 본 고안에 따른 초음파 불산 세정 장치의 개념도.
※ 도면의 주요 부호에 대한 설명 ※
1 : 피세정물 11 : 초음파조
12 : 초음파 발진기 21 : 침지조
31 : 증기조 32 : 가열 수단
41 : 펌프 42 : 필터
43 : 수분분리기 51 : 하우징
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위해서 본 고안의 초음파 불산 세정 장치는 오염된 반도체, LCD 및 이들의 가공 장비를 불산액을 이용하여 세정하는 불산 세정 장치에 있어서, 합성수지로 이루어지고, 하부에 초음파 발진기가 구비되며, 표면이 세라믹으로 이루어지거나 세라믹 코팅 처리되는 초음파조; 합성수지로 이루어지고, 상기 초음파조의 일측에 연결되는 침지조 및 합성수지로 이루어지고, 상기 침지조의 일측에 연결되며, 하부에 가열수단이 구비되는 증기조로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 초음파조, 침지조 또는 증기조는 초음파가 투과되는 부분은 세라믹재질로 이루어지도록 한다.
상기 초음파조의 외측에는 불산액을 순환시키는 펌프와 불산액에 포함된 이물질를 걸러내는 필터가 더 구비되는 것이 바람직하다.
상기 초음파조의 상부 및 증기조의 상부는 증발된 불산액을 포집하고, 불산액을 다시 재순환 시키는 수분분리기에 연결되도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 이용하여 본 고안의 초음파 불산 세정 장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 따른 초음파 불산 세정 장치는 초음파조(11), 침지조(21) 및 증기조(31)를 주요 구성요소로 하고, 초음파조(11)와 침지조(21)의 내부에는 불산액이 채워져 있다.
초음파조(11)의 내부에는 불산액이 채워져 있고, 하부 에는 초음파 발진기(12)가 구비되어 있다. 오염된 부품의 세정시 불산 자체의 세정력에만 의존하지 않고, 초음파를 가하여 불산 자체의 세정력을 배가시킨다.
초음파조(11)의 하부에는 초음파를 발생시키는 초음파 발진기(12)를 구비하여 초음파조(11)로 이송된 피세정물(1)에 초음파를 가하게 된다.
초음파조(11)의 재질은 PVC 등과 같은 합성수지로 이루어지지만, 초음파가 투과되는 부위는 화학성분에도 안정적이고 초음파 투과율을 우수한 알루미나와 같은 세라믹 재질을 사용하거나, 세라믹 재질이 코팅되어 있는 스테인레스 플레이트를 사용하도록 한다.
초음파조(11)의 일측에는 침지조(21)가 연결되어 불산액이 채워져 있다. 침지조(21)의 재질은 초음파조(11)와 마찬가지로 기본적으로 합성수지로 형성되되, 초음파가 투과되는 부위에는 세라믹 코팅을 하거나, 세라믹이 코팅되어 있는 스테인레스 플레이트를 사용한다.
증기조(31)는 침지조(21)의 일측에 연결되되, 하부에 가열 수단(32)이 구비되어 침지조(21)에서 침지를 마친 피세정물(1)의 표면이 불산을 건조시키도록 한다.
상기의 초음파조(11), 침지조(21) 및 증기조(31)외에 불산액을 공급하기 위한 펌프(41), 필터(42) 및 수분 분리기(43)가 더 구비된다. 초음파조(11)의 하부에 펌프(41)와 필터(42)가 구비되어 초음파조(11)의 내부에서 발생한 이물질을 펌프(41)를 이용하여 외부로 배출시킨 후, 필터(42)를 정화하여 다시 초음파조(11)로 순환시킨다. 한편, 초음파조(11) 및 증기조(31)의 상부는 수분분리기(43)에 연결되도록 하여, 초음파 또는 열에 의해 증발된 불산을 회수하도록 한다.
상기의 구성요소는 하우징(51)의 내부에 수용되도록 하여, 하우징(51)의 내부에서 세정작업이 이루어지도록 한다.
상기와 같은 본 고안의 초음파 불산 세정 장치의 작용에 대하여 설명하면 다음과 같다.
세정작업을 실시하고자 하는 웨이퍼, 웨이퍼 가공장비와 같은 피세정물(1)을 불산액이 충만된 초음파조(11)로 이송시킨다.
피세정물(1)이 불산액이 채워져 있는 초음파조(11)로 이송되면, 초음파조(11)의 하부에 구비된 초음파 발진기(12)를 가동시킨다. 피세정물은 불산액에 침지된 상태에서 초음파가 가해지므로, 불산액의 세정력이 배가되어 피세정물의 오염물질을 빠른시간내에 제거할 수 있게된다.
또한, 초음파를 세정에 이용하므로, 고순도의 불산에 침지시키지 않고, 저순도의 불산을 이용하여 피세정물을 세정할 수 있게되므로, 불산에 의한 피세정물의 손상이 방지된다.
초음파조(11)에서 세정을 마침 피세정물(1)은 침지조(21)로 이송되고, 침지조(21)의 내부에서 일정 시간동안 침지를 실시한다. 초음파조(11)의 내부에서 대부분의 오염물질이 제거되지만, 일부 남아 있는 오염물질은 침지조(21)의 내부에서 피세정물(1)이 침지되어 있는 동안 모두 제거된다.
침지조(21)에서 일부 피세정물(1)의 표면에 남아있는 잔류 오염물질을 제거한 피세정물(1)을 증기조(31)로 이송된다. 증기조(31)에서는 증기조(31)에 구비된 가열수단을 이용하여 피세정물(1)에 열을 가함으로써, 피세정물(1) 표면의 수분 등을 증발시킨다. 피세정물(1)의 표면에 남아있는 수분 등은 가열 수단(32)에 의하여 빠르게 증발되므로 세정에 소요되는 전체 작업시간을 감소시키게 된다.
한편, 초음파조(11)의 하부에 구비된 펌프(41)에 의해서 초음파조(11) 내부의 불산액은 초음파조(11)의 외부로 순환되고, 이 과정에서 필터(42)에 의해서 오염물질을 걸러진다.
또한, 초음파에 의해서 초음파조(11) 내부의 불산액이 증발되거나, 증기조(31)의 내부에서 피세정물(1)의 표면의 수분 등이 증발되는데, 증발된 수분 등은 수분분리기(43)로 수집하여 이에 포함된 순수한 불산액은 다시 회수하여 재사용 하도록 한다.
상술한 바와 같은 본 고안의 초음파 불산 세정 장치는 오염된 부품을 불산액에 침지된 상태에서 초음파를 가함으로써 빠른 시간에 세정을 할 수 있고, 불산액의 세정력이 초음파에 의해서 배가되므로, 저순도의 불산액을 사용할 수 있다.
저순도의 불산액을 사용하게 되어, 세정되는 소재의 손상을 줄일 수 있다.
또한, 초음파를 사용함으로써, 발생할 수 있는 부식을 세라믹 또는 세라믹 코팅처리된 재질을 사용하여 미연에 방지함으로써, 장비의 운용성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (4)

  1. 오염된 반도체 장비를 불산(HF)액을 이용하여 세정하는 불산 세정 장치에 있어서,
    합성수지로 이루어지고, 하부에 초음파 발진기가 구비되며, 표면이 세라믹으로 이루어지거나 세라믹 코팅 처리되는 초음파조(11);
    합성수지로 이루어지고, 상기 초음파조(11)의 일측에 연결되는 침지조(21) 및
    합성수지로 이루어지고, 상기 침지조(21)의 일측에 연결되며, 하부에 가열수단이 구비되는 증기조(31)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초음파 불산 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 초음파조(11), 침지침지1) 또는 증기조(31)는 초음파가 투과되는 부분은 세라믹재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초음파 불산 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 초음파조(11)의 외측에는 불산액을 순환시키는 펌프(41)와 불산액에 포함된 이물질를 걸러내는 필터(42)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 초음파 불산 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 초음파조(11)의 상부 및 증기조(31)의 상부는 증발된 불산액을 포집하고, 불산액을 다시 재순환 시키는 수분분리기에 연결되는 것을 특징으로 하는 초음파 불산 세정 장치.
KR20-2004-0020803U 2004-07-21 2004-07-21 초음파 불산 세정 장치 KR200365733Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20-2004-0020803U KR200365733Y1 (ko) 2004-07-21 2004-07-21 초음파 불산 세정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20-2004-0020803U KR200365733Y1 (ko) 2004-07-21 2004-07-21 초음파 불산 세정 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR200365733Y1 true KR200365733Y1 (ko) 2004-10-22

Family

ID=49351317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20-2004-0020803U KR200365733Y1 (ko) 2004-07-21 2004-07-21 초음파 불산 세정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200365733Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100812359B1 (ko) * 2005-08-29 2008-03-11 (주)제이엘크린워터 수질 개선제 조성물 및 이를 이용한 수질의 개선 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100812359B1 (ko) * 2005-08-29 2008-03-11 (주)제이엘크린워터 수질 개선제 조성물 및 이를 이용한 수질의 개선 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI447799B (zh) 基板洗淨方法及基板洗淨裝置
JP3690619B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JP3940742B2 (ja) 洗浄方法
KR20020000201A (ko) 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법
TW200633813A (en) CMP method, CMP apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
KR200365733Y1 (ko) 초음파 불산 세정 장치
JP2002192089A (ja) 洗浄方法
CN106216315A (zh) 一种超声波清洗工艺方法
JP3836603B2 (ja) 配向膜印刷版剥離洗浄装置と剥離方法
CN110125069B (zh) 一种物料清洗设备和方法
JPS6072233A (ja) 半導体ウエ−ハの洗浄装置
KR20140059480A (ko) 엘씨디 유리기판 세정장치
JP3575854B2 (ja) シリコン単結晶ウエーハの洗浄方法および洗浄装置
JPH04116928A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法
JPH08229524A (ja) 液晶用カセット洗浄装置
JP2536796B2 (ja) 洗浄装置
JP2002231677A (ja) 電子材料の洗浄方法
JP3476901B2 (ja) 洗浄方法および洗浄装置
JP3521136B2 (ja) 洗浄方法
KR19980021424A (ko) 반도체 습식장치
KR20010066264A (ko) 레이저를 이용한 웨이퍼 세정 방법
JPS6395627A (ja) 薬液洗浄装置
JPH11138113A (ja) 微粒子の除去方法
RU2295399C1 (ru) Способ ультразвуковой очистки оборудования, деталей и инструмента от полимерного пригара
JPH07222961A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050816

Year of fee payment: 3

LAPS Lapse due to unpaid annual fee