FR2823685A1 - Procede de nettoyage pour des photomasques - Google Patents
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Abstract
Pour nettoyer un photomasque comportant un revêtement d'arrêt de lumière sur une surface d'un substrat en verre, on utilise de l'eau contenant le gaz O3 dissous pour éliminer des substances organiques adhérant à une surface du photomasque (S120). On nettoie ensuite le photomasque pour éliminer la contamination (S122), en utilisant une substance chimique alcaline telle que de l'eau ionisée alcaline ou de l'eau hydrogénée. Après l'accomplissement de ces étapes de nettoyage, on sèche le photomasque (S124).
Description
\71113, I!Y, IIA, IIIA, IVA, VA, VIA, VIIA, VIII de la classification
périodique des éléments.
PROCEDE DE NETTOYAGE POUR DES PHOTOMASQUES
La présente invention concerne un procédé de nettoyage pour des photomasques, et en particulier un procédé de nettoyage convenant pour l'utilisation au moment du nettoyage de photomasques ayant des re vêtements d'arrêt de lumière formés sur des surfaces de substrats en
ve rre.
On connat depuis des années des photomasques avec des re-
vêtements d'arrêt de lumière en un matériau consistant en Cr ou MoSi formé sur des surfaces de substrats en verre. La figure 4 est un organi gramme d'un exemple d'un premier procédé classique pour nettoyer un
photomasque ayant la structure décrite ci-dessus.
Comme illustré sur la figure 4, conformément au procédé classi-
que pour nettoyer le photomasque, une étape de nettoyage utilisant de l'acide sulfurique ou un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hy
drogéne est accomplie initialement pour éliminer des substances organi-
ques adhérant à une surface du photomasque (S100). Le degré de conta-
mination d'un photomasque par des substances organiques peut être dé-
terminé sur la base de la mouillabilité du photomasque par de l'eau ou une substance semblable qu'on fait tomber sur sa surface. De façon spé cifique, la mouillabilité d'un photomasque par de l'eau ou une substance semblable qu'on fait tomber sur le photomasque devient meilleure au fur et à mesure que le degré de contamination du photomasque par des substances organiques diminue. En d'autres termes, on peut dire que l'objectif de l'étape de nettoyage S100 est d'améliorer la mouillabilité du
photomasque.
Pour éliminer par rinçage l'acide sulfurique ou le mélange
d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène restant sur le photomas-
que, on accomplit ensuite une étape de rinçage avec de l'eau pure (S102). Pour augmenter la propreté du photomasque, il est nécessaire
d'effectuer un rinçage rigoureux à cette étape.
Pour éliminer la contamination adhérant sur le photomasque, on accomplit ensuite une étape de nettoyage en utilisant de l'ammoniaque ou du peroxyde d'hydrogène (S104). Dans cette étape, de l'eau pure ou une solution de nettoyage préparée en aboutant un détergent à de l'eau pure peut être utilisée à la place d'ammoniaque ou de peroxyde d'hydrogène. Comme dans le nettoyage avec de l'acide sulfurique ou un mé lange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène, après l'étape S104 décrite ci- dessus, on accomplit également une étape de rinçage utilisant de l'eau pure (S106). Pour augmenter suffisamment la propreté du photo masque, il est également nécessaire d'effectuer un rinçage rigoureux à ce stade. Après que le photomasque a été complètement rincé à l'étape S106 décrite ci-dessus, on accomplit ensuite une étape de séchage pour
sécher le photomasque (S108).
La fig u re 5 est un organ igram me d'un second procédé classique pour nettoyer un photomasque ayant un revêtement d'arrêt de lumiè.re en Cr ou MoSi. Conformément au second procédé classique, on accomplit initialement une étape de nettoyage dans le but d'éliminer des substances organiques ou d'améliorer la mouillabilité, comme dans le premier procé dé classique. De façon spécifique, on accomplit une étape de nettoyage en utilisant à titre de solution de nettoyage de l'acide sulfurique ou un
mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène (S110).
Dans le second procédé classique, on accomplit ensuite une étape de nettoyage utilisant une substance chimique alcaline, comme une solution ammoniacale ou de l'eau hydrogénée, pour éliminer l'acide sulfu
rique ou la contamination qui reste encore sur le photomasque (S112).
Après les deux étapes mentionnées ci-dessus, on accomplit une
étape de séchage pour sécher le photomasque (S1 14).
Conformément aux procédés de nettoyage classiques, un pho tomasque comportant un revêtement d'arrêt de lumière en Cr ou MoSi est tout d'abord nettoyé avec de l'acide sulfurique ou un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène, comme mentionné ci-dessus. Dans le premier procédé classique (figure 4), par exemple, si l'étape de rinçage
S102 est accomplie de manière insuffisante, des ions de type sulfete peu-
vent ainsi rester sur la surface du photomasque, ce qui fait apparatre un problème potentiel consistant en ce qu'un flou tend à se manifester sur la surface du photomasque. Conformément au premier procédé classique, il est donc devenu nécessaire d'utiliser une grande quantité d'eau pure à haute température à l'étape S102 décrite ci-dessus, pour éviter un tel problème. En particulier lorsqu'on doit nettoyer un photomasque pour image tramée ayant un revêtement d'arrêt de lumière en MoSi, les premier et second procédés classiques font apparatre un autre probléme, comme
décrit dans ce qui suit. Dans un photomasque pour image tramée, les ca-
ractéristiques optiques (facteur de transmission et angle de phase) d'une revêtement d'arrêt de lumière ont une grande importance. Au moment du
nettoyage de masques pour image tramée, il est donc important de main-
tenir leurs caractéristiques optiques inchangées. Cependant, pour suivre la tendance de ces dernières années vers des motifs de masque ayant des tailles de plus en plus réduites, on ne peut plus ignorer des variations dans les caractéristiques optiques de masques pour image tramée, qui résultent du nettoyage avec de l'acide sulfurique ou un mélange d'acide
sulfurique et de peroxyde d'hydrogène (S100 ou S110).
La présente invention a été faite en visant à résoudre des pro-
blèmes tels que ceux décrits ci-dessus. Un but de la présente invention est donc de procurer un procédé de nettoyage pour un photomasque qui
peut éviter aisément de rendre le photomasque ffou, et qui n'a pas d'in-
fluence notable sur les caractéristiques optiques du photomasque, même
lorsque le photomasque est un photomasque pour image tramée.
Les buts de la présente invention mentionnés ci-dessus sont atteints par un procédé de nettoyage pour un photomasque comportant un revêtement d'arrêt de lumière sur une surface d'un substrat en verre, qui comprend les étapes suivantes: nettoyage du photomasque avec de l'eau contenant le gaz O3 dissous; élimination de la contamination adhérant sur
une surface du photomasque; et séchage du photomasque.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront
mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre de mo
des de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la
description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels:
La fig u re 1 est u n org an ig ra m me mo ntra nt des éta pes d' u n pro-
cédé de nettoyage de photomasque conforme à un premier mode de réali-
sation de la présente invention; La figure 2 est une représentation graphique de résultats de
mesure qui montre des relations entre des angles de contact de goutte-
lettes d'eau pure qu'on fait tomber sur des photomasques et des procédés de nettoyage; La figure 3 est une représentation graphique de résultats de mesure qui illustre des relations entre des caractéristiques optiques de photomasques pour image tramée ayant des revêtements d'arrêt de lu mière en MoSi, et des procédés de nettoyage; La fig ure 4 est un organig ram me d' un premier procédé classique pour nettoyer un photomasque; et La figure 5 est u n organig ram me d'un second procédé classique
pour nettoyer un photomasque.
En se référant aux dessins annexés, on présentera ci-après une
description d'un mode de réalisation de la présente invention. De$ élé
ments communs aux dessins sont identifiés par des numéros de référence
semblables, et leur description redondante est omise ici.
En se référant tout d'abord à l'organigramme de la figure 1, on va décrire le procédé de nettoyage de photomasque conforme à ce mode de réalisation de la présente invention. Le procédé de nettoyage conforme à ce mode de réalisation consiste à nettoyer un photomasque formé sur une surface d'un substrat en verre avec un revêtement d'arrêt de lumière
en Cr ou MoSi.
Comme illustré sur la figure 1, conformément au procédé de nettoyage de ce mode de réalisation, on accomplit une première étape pour nettoyer le photomasque avec de l'eau contenant le gaz O3 dissous
(S120). Cette étape de nettoyage est accomplie pour éliminer des subs-
tances organiques adhérant à la surface du photomasque, c'est-à-dire
pour améliorer la mouillabilité de la surface du photomasque.
En utilisant une substance chimique alcaline, plus précisément de l'eau hydrogénée, de l'eau hydrogénée à laquelle est ajoutée une pe tite quantité de solution ammoniacale, de l'eau ionisse alcaline ou une substance semblable, on accomplit ensuite une autre étape pour nettoyer le photomasque (S122). Cette étape de nettoyage est accomplie pour éli
miner la contamination adhérant à la surface du photomasque.
Enfin, on accomplit une étape supplémentaire pour sécher le photomasque nettoyé par le traitement décrit ci-dessus en S120 et S122 (S124). En accomplissant ces étapes, la surface du photomasque ayant le revêtement d'arrêt de lumière en Cr ou MoSi peut être lavée pour devenir propre. Dans le procédé du mode de réalisation envisagé ci-dessus, le nettoyage du photomasque en S120 a été effectué en utilisant de l'eau contenant le gaz O3 dissous. Il faut cependant noter que dans la présente invention, la solution de nettoyage pour l'utilisation dans cette étape n'est pas limitée à l'eau contenant le gaz O3 dissous. De façon spécifique, le nettoyage du photomasque en S120 peut être accompli en utilisant, à la place de l'eau contenant le gaz O3 dissous, de l'eau contenant le gaz O3 dissous préparée de façon à être acide, par dissolution de dioxyde de carbone, ou de l'eau contenant le gaz O3 dissous préparée de façon à
être acide par l'ajout d'une faible quantité d'acide sulfurique.
Dans le procèdé du mode de réalisation envisagé ci-dessus, le nettoyage du photomasque a été effectué en utilisant de l'eau contenant le gaz O3 dissous à la température ambiante. Il faut cependant noter que dans la présente invention, la température de la solution de nettoyage n'est pas limitée à la température ambiante. De façon spécifique, l'eau contenant le gaz O3 dissous ou l'eau acide contenant le gaz O3 dissous, utilisable à la place de l'eau contenant le gaz O3 dissous, peut être chauffée à une température supérieure à la température ambiante, mais
non supérieure à environ 80 C, plus préférablement à environ 40 C.
En se référant ensuite à la figure 2 et à la figure 3, on présente
ra une description concernant des effets avantageux que procure le pro
cédé de nettoyage de ce mode de réalisation.
La figure 2 illustre les niveaux de propreté de photomasques avant et après leur nettoyage par plusieurs procèdés de nettoyage in cluant le procédé de nettoyage de ce mode de réalisation, respective ment, en comparaison mutuelle. Sur la figure 2, des angles de contact de gouttelettes d'eau pure qu'on a fait tomber sur des surfaces de photo masques sont portés en ordonnée. Au fur et à mesure que le degré de contamination d'un photomasque par des substances organiques devient inférieur, le photomasque présente une meilleure mouillabilité avec de I'eau pure qu'on a fait tomber sur le photomasque. Par conséquent, I'an gle de contact du photomasque prend une plus faible valeur au fur et à mesure que le degré de contamination du photomasque par les substan
ces organiques devient inférieur.
On décrira ci-après les procédures d'une expérience qui a été effectuée pour obtenir les résultats représentés sur la figure 2. Dans l'ex périence, on a tout d'abord préparé des échantillons en formant un revê tement uniforme de HMDS (hexaméthyldisilazane) sur des photomasques propres ayant des revêtements d'arrêt de lumière en Cr. c'est-a-dire sur leurs couches de Cr. Le HMDS est une substance chimique d'évaluation concernant l'application d'une contamination organique standard sur des
surfaces de photomasques.
On a fait tomber de l'eau pure sur les échantillons individuels, avant de les soumettre à une étape de nettoyage. On a mesuré les angles de contact de l'eau pure qu'on a fait tomber sur les échantillons, à titre d'angles de contact avant nettoyage. Après la mesure des angles de contact avant nettoyage, on a nettoyé les échantillons individuels par les procédés de nettoyage respectifs prédéterminés. Après le nettoyage, on a fait tomber à nouveau de l'eau pure sur les échantillons pour mesurer des
angles de contact après le nettoyage.
Sur la figure 2, les deux résultats identifiés par le symbole A indiquent les angles de contact avant et après le nettoyage de l'un des échantillons mentionnés ci-dessus (photomasques avec une contamina tion standard), avec un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hy drogène. Les deux résultats identifiés par le symbole B montrent les an gles de contact avant et après le nettoyage d'un autre des échantillons mentionnés ci-dessus avec de l'eau contenant le gaz O3 dissous. Les deux résultats identifiés par le symbole C indiquent les angles de contact avant et après le nettoyage de l'un supplémentaire des échantillons men tionnés ci-dessus avec de l'eau chaude contenant le gaz O3 dissous, chauffée à 40 C. Les deux résultats identifiés par le symbole D montrent les angles de contact avant et après le nettoyage de l'un supplémentaire des échantillons mentionnés ci-dessus avec de l'eau contenant le gaz O3
dissous, préparée de façon à être acide.
L'eau contenant le gaz O3 dissous correspondant au symbole D était de l'eau contenant le gaz O3 dissous dans laquelle on a fait barboter et on a dissous du dioxyde de carbone, de façon que le pH de l'eau contenant le gaz O3 dissous tombe dans une plage allant de 4 à 5. Bien
que ceci ne soit pas représenté sur la figure 2, I'utilisation de l'eau conte-
nant le gaz O3 dissous dont le pH a été ajusté à une valeur de 4 à 5 par
I'ajout d'une faible quantité d'acide sulfurique, à titre de solution de net-
toyage, peut également produire des résultats similaires aux résultats in-
diqués par le symbole D. Comme il est évident d'après les résultats représentés sur la figure 2, ie fait d'utiliser pour le nettoyage l'eau contenant le gaz O3 dis sous permet d'obtenir un angle de contact qui équivaut à celui qui résulte
du nettoyage par un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydro-
gène. Plus précisément, le nettoyage avec l'eau contenant le gaz O3 dis-
sous peut améliorer la mouillabilité d'un photomasque dans une mesure similaire à celle qu'on peut obtenir par l'utilisation du mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène à titre de solution de nettoyage,
c'est-à-dire qu'il peut éliminer des substances organiques sur le photo-
masque. On appréciera également que l'aptitude au nettoyage de l'eau contenant le gaz O3 dissous est également conservée pratiquement au
même niveau même lorsque l'eau contenant le gaz O3 dissous est chauf-
fée jusqu'à une température supérieure à la température ambiante, mais
non supérieure à environ 80 C, ou lorsque l'eau contenant le gaz O3 dis-
sous est préparée de façon à être faiblement acide. L'excellente aptitude au nettoyage de ces eaux contenant le gaz O3 dissous se manifeste éga
lement de façon similaire lorsque le nettoyage est appliqué à des mas-
ques d'image tramée ayant des revêtements d'arrêt de lumière en MoSi.
Comme on peut l'envisager aisément d'après ce qui précède, les solutions de nettoyage utilisables dans le procédé de nettoyage de ce mode de réalisation, c'est-à-dire l'eau contenant le gaz O3 dissous, I'eau acide contenant le gaz O3 dissous et l'eau chauffée contenant le gaz O3 dissous, ont toutes une aptitude suffisante à l'élimination de substances
organiques soit, en d'autres termes, une aptitude suffisante à l'améliora-
tion de la mouillabilité, en tant que solutions de nettoyage pour des pho-
tomasques ayant des revêtements d'arrêt de lumière en Cr ou MoSi. Sans utiliser de l'acide sulfurique ou un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène, I'utilisation du procédé de nettoyage de ce mode de réalisation peut donc assurer un niveau de propreté similaire à celui qu'on peut obtenir par l'utilisation de l'acide sulfurique ou du mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène. Ceci signifie que le procédé de nettoyage de ce mode de réalisation permet de réduire la quantité d'une substance chimique, telle que l'acide sulfurique ou le mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène à utiliser, pour éviter que des ions de type sulfate restent sur les surfaces de photomasques, et en outre pour économiser notablement une solution de rinçage (eau pure) qui est utilisée en grandes quantités dans les procédés de nettoyage classiques
(voir la figure 4).
La figure 3 montre des variations de caractéristiques optiques
de revêtements d'arrêt de lumière en MoSi de masques pour image tra-
mée, en comparaison mutuelle, lorsque les masques pour image tramée ont été nettoyés par plusieurs procédés de nettoyage respectifs, incluant le procédé de nettoyage de ce mode de réalisation. Sur la figure 3, des variations (%) du facteur de transmission de chaque revêtement d'arrêt de lumière en MoSi sont portées en ordonnée (du côté gauche sur la figure), et des variations (degré) de l'angle de phase de chaque revêtement d'ar
rêt de lumière en MoSi sont portées en ordonnce (du côté droit sur la fi-
gure). D'autre part, I'abscisse sur la figure 3 représente le nombre de cy-
cles de nettoyage.
On présentera ci-après une description des procédures d'une
expérience qui a été effectuée pour obtenir les résultats représentés sur
la figure 3. Dans l'expérience, on a tout d'abord fourni à titre d'échan-
tillons les masques pour image tramée ayant les revêtements d'arrêt de
lumière en MoSi. On a nettoyé ces échantillons de façon répétée, respec-
tivement avec un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène, de l'eau contenant le gaz O3 dissous et de l'eau contenant le gaz O3 dis sous préparée de façon à être acide (c'est-à-dire de l'eau contenant le
gaz O3 dissous dont le pH avait été ajusté à une valeur de 4 à 5 en fai-
sant barboter du dioxyde de carbone). On a mesuré des variations du facteur de transmission et de l'angle de phase, qui sont apparues sur chaque revêtement d'arrêt de lumière en MoSi après chaque opération de nettoyage. Sur la figure 3, les résultats indiqués par des carrés montrent
des variations de facteur de transmission qui sont apparues sur le revê-
tement d'arrêt de lumière lorsque le nettoyage a été effectué avec un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène. Comme indiqué par les résultats, le facteur de transmission d'un revêtement d'arrêt de lumière en MoSi varie de façon assez marquée lorsqu'un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène est utilisé en tant que solution de nettoyage. Sur la figure 3, les résultats indiqués par des triangles et les résultats indiqués par des points triangulaires - montrent des variations respectivement du facteur de transmission et de l'angle de phase qui sont apparues sur le revêtement d'arrêt de lumière lorsque le nettoyage a été effectué avec de l'eau contenant le gaz O3 dissous. Comme indiqué par les résultats, le facteur de transmission d'un revêtement d'arrêt de lu
mière en MoSi reste pratiquement inchangé, même par un nettoyage ré-
pété, à condition d'utiliser en tant que solution de nettoyage de l'eau
contenant le gaz O3 dissous.
Sur la figure 3, les résultats indiqués par des cercles o et les résultats indiqués par des points circulaires À montrent respectivement des variations du facteur de transmission et de l'angle de phase qui sont apparues sur le revêtement d'arrêt de lumière lorsque le nettoyage a été effectué en utilisant l'eau contenant le gaz O3 dissous qui a été préparée de façon à être acide. Comme indiqué par les résultats, le facteur de transmission d'un revêtement d'arrêt de lumière en MoSi ne varie pas no tablement sous l'effet d'un nettoyage répété, même lorsqu'on utilise de
l'eau acide contenant le gaz O3 dissous.
L'eau contenant le gaz O3 dissous correspondant aux résultats
indiqués par les cercles o ou les points circulaires À, était de l'eau conte-
nant le gaz O3 dissous dans laquelle on a fait barboter et on a dissous du dioxyde de carbone, de façon que le pH de l'eau contenant le gaz O3 dis sous tombe à l'intérieur d'une plage de 4 à 5. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure 3, l'utilisation en tant que solution de nettoyage de l'eau contenant le gaz O3 dissous dont le pH a été ajusté à une valeur de 4 à 5 par l'ajout d'une faible quantité d'acide sullurique, peut égale ment procurer des résultats similaires aux résultats indiqués par le sym bole D. Bien que ceci ne soit également pas représenté sur la figure 3, même lorsqu'on utilise en tant que solution de nettoyage de l'eau conte nant le gaz O3 dissous, qui a été chauffée jusqu'à une température supé rieure à la température amblante mais ne dépassant pas environ 80 C, il n'apparat pas de variations notables des caractéristiques optiques (fac teur de transmission, angle de phase) d'un revêtement d'arrêt de lumière
en MoSi.
Comme on l'appréciera aisément d'après ce qui précède, les solutions de nettoyage utilisables dans le procédé de nettoyage de cette invention, de façon spécifique l'eau contenant le gaz O3 dissous, l'eau acide contenant le gaz O3 dissous et l'eau chauffée contenant le gaz O3 dissous, sont supérieures à des solutions d'acide sulfurique pour mainte nir de façon stable les caractéristiques optiques de revêtements d'arrêt de lumière en MoSi. En conséquence, le procédé de nettoyage de ce mode de réalisation permet de laver proprement des photomasques pour image tramée, sans faire apparatre de variations des caractéristiques optiques des photomasques pour image tramée, alors que de telles variations sont restées des problèmes non résolus dans les procédés de nettoyage clas
siq ues.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on a fait barboter et on a dissous du dioxyde de carbone dans l'eau contenant le gaz O3 dissous, pour l'acidifier. Il faut cependant noter que le gaz à dissoudre dans l'eau contenant le gaz O3 dissous, pour l'acidifier, n'est pas limité au dioxyde de carbone. On peut utiliser un autre gaz pour le gaz à dissoudre
dans l'eau contenant le gaz O3 dissous, à condition qu'il puisse l'acidifier.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, l'eau contenant le gaz O3 dissous a été acidifiée par l'ajout d'une faible quantité d'acide sulfurique. Il faut cependant noter que le procèdé pour acidifier l'eau
contenant le gaz O3 dissous n'est pas limité à l'ajout d'acide sulfurique.
Par exemple, l'eau contenant le gaz O3 dissous peut être préparée de fa çon à être acide par l'ajout d'un électrolyte acide, tel que l'acide chlorhy
drique, au lieu de l'acide sulfurique.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on n'a fait aucune référence spécifique à la manière selon laquelle les étapes de nettoyage S120, S122 étaient accomplies. Ces étapes de nettoyage peuvent être réalisées en immergeant des photomasques dans des bacs à déborde ment remplis de solutions de nettoyage correspondantes, comme de l'eau contenant le gaz O3 dissous et une substance chimique alcaline. On peut obtenir des effets de nettoyage encore supérieurs à condition que des ondes ultrasonores soient appliquées aux photomasques à travers les
solutions de nettoyage, à l'intérieur des bacs à débordement.
Les principaux avantages de la présente invention décrite ci dessus sont résumés dans ce qui suit: Conformément à un premier aspect de la présente invention, des substances organiques déposées sur le revêtement d'arrêt de lumière du photomasque peuvent être éliminées sans utiliser de l'acide sulfurique ou une substance chimique semblable. Par conséquent, le procédé de nettoyage peut empêcher de façon sûre que des ions de type sulfate res tent sur la surface du photomasque et, en outre, il peut réduire la quantité
d'eau pure qu'on doit utiliser pour rincer le photomasque.
Conformément à un second aspect de la présente invention, il est possible d'éliminer des substances organiques adhérant au photomas que pour image tramée, qui porte le revêtement d'arrêt de lumière en Mo Si, sans changer des caractéristiques optiques du masque pour image tramée. Conformément à un troisième aspect de la présente invention, le photomasque peut être lavé de manière à être propre, par l'utilisation de l'eau contenant le gaz O3 dissous qui a été préparée de façon à être acide. Conformément à un quatrième aspect de la présente invention, un nettoyage ultrasonore est combiné avec au moins une étape parmi l'étape de nettoyage utilisant l'eau contenant le gaz O3 dissous (la pre mière étape), et l'étape de nettoyage destinée à l'élimination de la conta mination (la seconde étape) . On peut donc obtenir des effets de net
toyage élevés.
En outre, la présente invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation, et de nombreux changements et modifications peuvent être
effectués sons sortir du cadre de l'invention.
Claims (4)
- 2. Procédé de nettoyage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le photomasque est un photomasque pour image tramée ayant unrevêtement d'arrêt de lumière en MoSi.
- 3. Procédé de nettoyage selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'eau contenant le gaz O3 dissous a été préparée de façon à être acide. 4. Procédé de nettoyage selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'eau contenant le gaz O3 dissous a été préparée de façon à êtreacide par l'ajout d'un électrolyte acide.
- 5. Procédé de nettoyage selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'eau contenant le gaz O3 dissous a été préparée de façon à êtreacide par dissolution d'un gaz acide.
- 206. Procédé de nettoyage selon la revendication 1, caractérisé en ce que qu'on effectue un nettoyage ultrasonore dans l'une au moins des
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