DE10215759A1 - Reinigungsprozeß für eine Photomaske - Google Patents

Reinigungsprozeß für eine Photomaske

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Abstract

Eine Photomaske, die mit einer lichtabschirmenden Beschichtung auf einer Oberfläche eines Glassubstrates versehen ist, wird mit O¶3¶-Gas lösendem Wasser zum Entfernen organischer Substanzen gereinigt, die auf einer Oberfläche der Photomaske haften (S120). Indem eine alkalische Chemikalie wie alkalisches ionisiertes Wasser oder hydriertes Wasser benutzt wird, wird die Photomaske dann zum Beseitigen von Verunreinigung gereinigt (S122). Nach der Beendigung dieser Reinigungsschritte wird die Photomaske getrocknet.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Reinigungs­ prozeß für eine Photomaske und insbesondere auf einen Reini­ gungsprozeß, der geeignet zur Benutzung nach dem Reinigen von Photomasken mit Lichtabschirmbeschichtungen geeignet ist, die auf Oberflächen von Glassubstraten vorgesehen sind.
Photomasken mit Lichtabschirmbeschichtungen aus einem Cr- oder MoSi-Material, die auf Oberflächen von Glassubstraten vorgese­ hen sind, sind seit Jahren bekannt. Fig. 4 ist ein Flußdia­ gramm eines Beispieles eines ersten Prozesses zum Reinigen ei­ ner Photomaske mit dem oben beschriebenen Aufbau.
Wie in Fig. 4 dargestellt ist, wird gemäß dem Prozeß zum Rei­ nigen der Photomaske ein Reinigungsschritt, der Schwefelsäure oder eine Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid benutzt, zuerst zum Beseitigen organischer Substanzen durchge­ führt, die auf einer Oberfläche der Photomaske anhaften (S100). Der Grad der Verunreinigung einer Photomaske mit orga­ nischen Substanzen kann auf der Grundlage der Benetzbarkeit der Photomaske mit Wasser oder ähnlichem, das auf ihre Ober­ fläche getropft wird, bestimmt werden. Genauer beschrieben, die Benetzbarkeit der Photomaske mit Wasser oder ähnlichem, das auf die Photomaske getropft wird, wird besser, wenn der Grad der Verunreinigung der Photomaske mit organischen Sub­ stanzen niedriger wird. Die Aufgabe des Reinigungsschrittes S100 kann daher umbenannt werden in Verbesserung der Benetz­ barkeit der Photomaske.
Zum Abspülen der Schwefelsäure oder der Mischung aus Schwefel­ säure und Wasserstoffperoxid, die auf der Photomaske verblei­ ben, wird ein Spülschritt dann mit reinem Wasser durchgeführt (S102). Zum Verbessern der Reinheit der Photomaske ist es not­ wendig, eine gründliche Spülung in diesem Schritt durchzufüh­ ren.
Zum Beseitigen von Verunreinigungen, die an der Photomaske an­ haften, wird dann ein Reinigungsschritt durchgeführt unter Be­ nutzung von Ammoniak oder Wasserstoffperoxid (S104). In diesem Schritt kann reines Wasser oder eine Reinigungslösung, die durch Hinzufügen eines Reinigungsmittels zu reinem Wasser er­ halten wird, anstelle von Ammoniak oder Wasserstoffperoxid be­ nutzt werden.
Wie bei der Reinigung mit Schwefelsäure oder einer Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid wird nach dem oben beschriebenen Schritt S104 ein Spülschritt unter Benutzung von reinem Wasser ebenfalls durchgeführt (S106). Zum ausreichenden Erhöhen der Reinheit der Photomaske ist es auch notwendig, das Spülen dieser Stufe gründlich durchzuführen.
Nachdem die Photomaske in dem oben beschriebenen Schritt S106 vollständig gespült ist, wird dann ein Trocknungsschritt zum Trocknen der Photomaske durchgeführt (S108).
Fig. 5 ist ein Flußdiagramm eines zweiten Prozesses zum Reini­ gen einer Photomaske mit einer Cr- oder MoSi-Lichtabschirmbe­ schichtung. Gemäß dem zweiten Prozeß wird ein Reinigungs­ schritt zuerst im Hinblick auf das Beseitigen von organischen Substanzen oder Verbessern der Benetzbarkeit wie bei dem er­ sten Prozeß durchgeführt. Genauer beschrieben, ein Reinigungs­ schritt wird durchgeführt unter Benutzung von Schwefelsäure oder einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid als Reinigungslösung (S110).
Bei dem zweiten Prozeß wird dann ein Reinigungsschritt unter Benutzung einer alkalischen Chemikalie wie gasförmiges Ammoni­ ak oder hydriertes Wasser (mit Wasserstoff versetztes Wasser) durchgeführt, zum Beseitigen von Schwefelsäure oder Verunrei­ nigungen, die noch auf der Photomaske verbleiben (S112).
Auf die oben erwähnten zwei Schritte folgend wird ein Trocknungsschritt zum Trocknen der Photomaske durchgeführt.
Gemäß den Reinigungsprozesses wird eine mit einer Cr- oder Mo­ Si-Lichtabschirmbeschichtung versehene Photomaske zuerst mit Schwefelsäure oder einer Mischung aus Schwefelsäure und Was­ serstoffperoxid gereinigt, wie oben erwähnt wurde. Bei dem er­ sten Prozeß (Fig. 4) kann daher eine unzureichende Leistung des Spülschrittes S102 dazu führen, daß Sulfationen auf der Oberfläche der Photomaske verbleiben, wodurch ein mögliches Problem entwickelt wird, daß Verwaschungen dazu neigen, auf der Oberfläche der Photomaske aufzutreten. Gemäß dem ersten Prozeß ist daher die Notwendigkeit aufgetreten, ein großes Maß von reinem Wasser hoher Temperatur in dem oben beschriebenen Schritt S102 zum Vermeiden eines solchen Problemes zu benut­ zen.
Insbesondere wenn eine Halbtonphotomaske mit einer MoSi- lichtabschirmenden Beschichtung zu reinigen ist, entwickeln der erste und der zweite Prozeß ein anderes Problem, das als näch­ stes beschrieben wird. Bei einer Halbtonphotomaske sind die optischen Eigenschaften (Durchlässigkeit und Phasenwinkel) ei­ ner lichtabschirmende Beschichtung von hoher Wichtigkeit. Nach dem Reinigen von Halbtonmasken ist es daher wichtig, deren op­ tischen Eigenschaften unverändert zu halten. Schritthaltend mit der Bewegung zu Maskenmustern von zunehmend geschrumpften Größen in den letzten Jahren werden die Variationen in den op­ tischen Eigenschaften von Halbtonmasken nicht länger ignorier­ bar, wobei die Variationen als ein Resultat des Reinigens mit Schwefelsäure oder Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoff­ peroxid auftreten (S100 oder S110).
Die vorliegende Erfindung wurde in Hinblick auf die oben be­ schriebenen Probleme gemacht. Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Reinigungsprozeß für eine Photo­ maske vorzusehen, der leicht das Verwaschen der Photomaske verhindern kann und keinen wesentlichen Einfluß auf die opti­ schen Eigenschaften der Photomaske ausüben, selbst wenn die Photomaske eine Halbtonphotomaske ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch einen Reinigungsprozeß nach Anspruch 1.
Der Reinigungsprozeß für eine Photomaske, die mit einer licht­ abschirmenden Beschichtung auf einer Oberfläche eines Glassub­ strates versehen ist, weist die folgenden Schritte des Reini­ gens der Photomaske mit in Wasser gelöstem O3; Beseitigen der auf einer Oberfläche der Photomaske anhaftenden Verunreinigun­ gen und Trocknen der Photomaske auf.
Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteran­ sprüchen angegeben.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispie­ les anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Flußdiagramm, das die Schritte eines Photomasken­ reinigungsprozesses gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2 eine grafische Darstellung von Meßresultaten, die die Beziehungen zwischen Kontaktwinkeln von Tröpfchen von reinem Wasser, das auf die Photomasken getropft wird, und Reinigungsprozessen zeigt;
Fig. 3 eine grafische Darstellung von Meßresultaten, die Be­ ziehungen zwischen optischen Eigenschaften einer Halb­ tonphotomaske mit MoSi-Lichtabschirmbeschichtungen und Reinigungsprozesses darstellt;
Fig. 4 ein Flußdiagramm eines ersten Prozesses zum Reinigen einer Photomaske; und
Fig. 5 ein Flußdiagramm eines zweiten Prozesses zum Reinigen einer Photomaske.
Es wird zuerst Bezug genommen auf das Flußdiagramm von Fig. 1, der Photomaskenreinigungsprozeß gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Der Reinigungs­ prozeß gemäß dieser Ausführungsform dient zum Reinigen einer Photomaske, die auf einer Oberfläche eines Glassubstrates mit einer Cr- oder MoSi-Lichtabschirmbeschichtung vorgesehen ist.
Wie in Fig. 1 dargestellt ist, wird gemäß dem Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform ein erster Schritt durchgeführt zum Reinigen der Photomaske mit in Wasser gelöstem O3-Gas/O3-Gas lösendem Wasser (S120). Dieser Reinigungsschritt wird durchge­ führt zum Beseitigen von organischen Substanzen, die auf der Oberfläche der Photomaske anhaften, das heißt zum Verbessern der Benetzbarkeit der Oberfläche der Photomaske.
Unter Benutzung einer alkalischen Chemikalie, genau hydriertem Wasser, hydriertem Wasser mit einem kleinen Betrag von dazuge­ fügtem wässrigen Ammoniak, alkalischem ionisiertem Wasser oder ähnlichem wird ein anderer Schritt dann ausgeführt zum Reini­ gen der Photomaske (S122). Dieser Reinigungsschritt wird durchgeführt zum Beseitigen von Verunreinigungen, die an der Oberfläche der Photomaske anhaften.
Schließlich wird ein weiterer Schritt zum Trocknen der Photo­ maske durchgeführt, die durch die oben beschriebene Verarbei­ tung in S120 und S122 gereinigt worden ist (S124). Durch Durchführen dieser Schritte kann die Oberfläche der Photomaske mit der Cr- oder MoSi-Lichtabschirmbeschichtung reingewaschen werden.
Bei dem oben erwähnten Prozeß der Ausführungsform wurde das Reinigen der Photomaske in S120 unter Benutzung von O3-Gas lö­ sendem Wasser durchgeführt. Es wird jedoch angemerkt, daß bei der vorliegenden Erfindung die Reinigungslösung zur Benutzung in diesem Schritt nicht auf O3-Gas lösende Wasser beschränkt ist. Genauer beschrieben, das Reinigen der Photomaske in S120 kann durchgeführt werden unter Benutzung anstelle von O3-Gas lösendem Wasser von O3-Gas lösendem Wasser, das sauer durch die Auflösung von Kohlendioxidgas dargestellt wird, oder von O3-Gas lösendem Wasser, das sauer durch das Hinzufügen eines kleinen Betrages von Schwefelsäure dargestellt wird.
Bei dem oben erwähnten Prozeß der Ausführungsform wurde das Reinigen der Photomaske und der Benutzung von O3-Gas lösendem Wasser bei Zimmertemperatur durchgeführt. Es ist jedoch zu be­ merken, daß bei der vorliegenden Erfindung die Temperatur der Reinigungslösung nicht auf Zimmertemperatur begrenzt ist. Ge­ nauer beschrieben, O3-Gas lösendes Wasser oder saures O3-Gas lösendes Wasser, das anstelle des O3-Gas lösenden Wassers be­ nutzbar ist, kann auf eine Temperatur höher als Zimmertempera­ tur aber nicht höher als ungefähr 80°C, bevorzugter um 40°C erwärmt sein.
Als nächstes wird auf Fig. 2 und 3 Bezug genommen, eine Be­ schreibung wird über die vorteilhaften Effekte gegeben, die aus dem Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform erhältlich sind.
Fig. 2 stellt die Reinigungsniveaus von Photomasken, bevor und nachdem sie durch eine Mehrzahl von Reinigungsprozessen ein­ schließlich des Reinigungsprozesses dieser Ausführungsform ge­ reinigt wurden, im Vergleich miteinander dar. In Fig. 2 sind Kontaktwinkel von reinen Wassertröpfchen, die auf die Oberflä­ chen der Photomasken getropft sind, entlang der Ordinate auf­ getragen. Wenn der Grad der Verunreinigung einer Photomaske mit organischen Substanzen niedriger wird, zeigt die Photomas­ ke eine bessere Benetzbarkeit mit reinem Wasser, das auf die Photomaske getropft wird. Folglich nimmt der Kontaktwinkel der Photomaske einen kleineren Wert an, wenn der Grad der Verun­ reinigung der Photomaske mit organischen Substanzen niedriger wird.
Eine Beschreibung wird hier im folgenden gegeben für die Pro­ zeduren eines Experimentes, das zum Erzielen der in Fig. 2 ge­ zeigten Resultate durchgeführt wurde. Auf die individuellen Proben wurde reines Wasser getropft, bevor sie dem Reinigungs­ schritt unterworfen wurden. Die Kontaktwinkel des reinen Was­ sers, das auf die Proben getropft wurde, wurden als Kontakt­ winkel vor der Reinigung gemessen. Nach der Messung der Kon­ taktwinkel vor der Reinigung wurden die individuellen Proben durch die entsprechenden vorbestimmten Reinigungsprozesse ge­ reinigt. Nach dem Reinigen wurde reines Wasser wieder auf die Proben zum Messen der Kontaktwinkel nach der Reinigung ge­ tropft.
In Fig. 2 bezeichnen die zwei Resultate, die durch das Zeichen A bezeichnet sind, die Kontaktwinkel, bevor und nachdem die oben erwähnten Proben (Photomasken mit Standardverunreinigung) mit einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid gereinigt wurden. Die zwei Resultate, die durch das Zeichen B bezeichnet sind, zeigen die Kontaktwinkel, bevor und nachdem die oben erwähnten Proben mit O3-Gas lösendem Wasser gereinigt wurden. Die zwei Resultate, die durch das Zeichen C bezeichnet sind, bezeichnen die Kontaktwinkel, bevor und nachdem eine der oben erwähnten Proben mit heißem O3-Gas lösendem Wasser, das auf 40°C erwärmt wurde, gereinigt wurde. Die zwei Resultate, die durch das Zeichen D bezeichnet sind, zeigen die Kontakt­ winkel, bevor und nachdem eine der oben erwähnten Proben mit O3-Gas lösendem Wasser gereinigt wurden, das sauer bereitet wurde.
Das O3-Gas lösende Wasser entsprechend dem Zeichen D war O3-Gas lösendes Wasser mit Kohlendioxidgas, das darin hindurchperlen gelassen und darin gelöst wurde, so daß der pH des O3-Gas lö­ senden Wassers in einem Bereich von 4 bis 5 fiel. Obwohl es nicht in Fig. 2 gezeigt ist, kann auch die Benutzung von O3-Gas lösendem Wasser, dessen pH auf 4 bis 5 durch Hinzugeben eines kleinen Betrages von Schwefelsäure eingestellt wurde, als Reinigungslösung ähnliche Resultate wie durch das Zeichen D bezeichnete Resultate erzielen.
Wie aus den in Fig. 2 gezeigten Resultaten ersichtlich ist, kann die Benutzung von O3-Gas lösendem Wasser zum Reinigen ei­ nen Kontaktwinkel gleich dem erzielen, der aus dem Reinigen mit einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid erreichbar ist. Genauer, das Reinigen mit O3-Gas lösendem Was­ ser kann die Benetzbarkeit einer Photomaske zu einem ähnlichen Ausmaß verbessern, das erzielbar ist aus der Benutzung von Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid als Reinigungslösung, das heißt, es kann organische Substanzen auf der Photomaske besei­ tigen.
Es wird auch erkannt, daß die Reinigungsfähigkeit von O3-Gas lösendem Wasser auf im wesentlichen dem gleichen Niveau gehal­ ten wird, selbst wenn das O3-Gas lösende Wasser auf eine Tem­ peratur höher als Zimmertemperatur aber nicht höher als unge­ fähr 80°C erwärmt wird oder wenn das O3-Gas lösende Wasser schwach sauer dargestellt wird. Die hervorragende Reinigungs­ fähigkeit dieser O3-Gas lösenden Wasser wird auch entsprechend gezeigt, wenn das Reinigen auf Halbtonphotomasken mit MoSi- Lichtabschirmbeschichtungen angewendet wird.
Wie leicht aus dem Vorangehenden ersichtlich ist, sind alle Reinigungslösungen, die bei dem Reinigungsprozeß dieser Aus­ führungsform verwendbar sind, nämlich O3-Gas lösendes Wasser, saures O3-Gas lösendes Wasser und erwärmtes O3-Gas lösendes Wasser alle mit ausreichender Fähigkeit zum Beseitigen von or­ ganischen Substanzen ausgestattet, mit anderen Worten mit ei­ ner ausreichend verbesserten Fähigkeit der Benetzbarkeit als Reinigungslösungen für Photomasken mit Cr- oder MoSi-Licht­ abschirmbeschichtungen. Ohne die Benutzung von Schwefelsäure oder einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid kann somit der Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform ein ähnliches Niveau der Reinheit sicherstellen, wie es durch die Benutzung von Schwefelsäure oder einer Mischung von Schwefel­ säure und Wasserstoffperoxid zur Verfügung stand. Das bedeu­ tet, daß der Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform es mög­ lich macht, den Betrag von Chemikalien wie Schwefelsäure oder einer Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid, die zu benutzen sind, zu verringern, so daß verhindert wird, daß Sulfationen auf den Oberflächen der Photomasken verbleiben, und weiter kann deutlich die Spüllösung (reines Wasser) ver­ ringert werden, die in großen Mengen bei den Reinigungsprozes­ sen von Fig. 4 benutzt werden.
Fig. 3 zeigt Variationen in optischen Eigenschaften von MoSi- Lichtabschirmbeschichtungen oder Halbtonphotomasken im Ver­ gleich mit einander, wenn die Halbtonmasken durch ein Mehrzahl von Reinigungsprozessen gereinigt wurden einschließlich des Reinigungsprozesses dieser Ausführungsform. In Fig. 3 sind Va­ riationen (%) in der Durchlässigkeit einer jeden MoSi-Licht­ abschirmbeschichtung auf der Ordinate aufgetragen (auf der linken Seite in der Figur), und Variationen (Grad) in dem Pha­ senwinkel einer jeden MoSi-Lichtabschirmschicht sind entlang der Ordinate aufgetragen (auf der rechten Seite in der Figur). Dagegen stellt die Abzisse in Fig. 3 die Zahl von Reinigungs­ zyklen dar.
Eine Beschreibung wird im folgenden über die Prozeduren eines Experimentes gegeben, das zum Erzielen der in Fig. 3 gezeigten Resultate durchgeführt wurde. Bei dem Experiment wurden die Halbtonphotomasken mit MoSi-Abschirmbeschichtungen zuerst als Proben vorgesehen. Diese Proben wurden wiederholt gereinigt mit einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid, aus O3-Gas lösendem Wasser und aus O3-Gas lösendem Wasser, das sauer dargestellt wurde (d. h. O3-Gas lösendem Wasser, dessen pH auf 4 bis 5 eingestellt wurde durch Durchperlenlassen von Kohlendioxidgas). Variationen in der Durchlässigkeit und in dem Phasenwinkel, die in jeder MoSi-Lichtabschirmbeschichtung nach jeder Reinigungstätigkeit auftraten, wurden gemessen.
In Fig. 3 zeigen die Resultate, die durch offene Quadrate bezeichnet sind, Variationen in der Durchlässigkeit, die bei der lichtabschirmenden Beschichtung auftraten, wenn das Reini­ gen mit der Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid durchgeführt wurde. Wie durch die Resultate gezeigt ist, vari­ iert die Durchlässigkeit einer MoSi-Lichtabschirmbeschichtung ziemlich deutlich, wenn die Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid als Reinigungslösung benutzt wird. In Fig. 3 zeigen die Resultate, die durch gefüllte Quadrate ∎ gekenn­ zeichnet sind, die Variation des Phasenwinkels bei der Reini­ gung mit dem Schwefelsäure-Wasserstoffperoxidgemisch.
In Fig. 3 zeigen die Resultate, die durch offene Dreiecke ∆ gekennzeichnet sind, und die Resultate, die durch gefüllte Dreiecke ▲ gekennzeichnet sind, Variationen der Durchlässig­ keit bzw. des Phasenwinkels, die bei der lichtabschirmenden Beschichtung auftrat, wenn die Reinigung mit O3-Gas lösendem Wasser durchgeführt wurde. Wie durch die Resultate gezeigt ist, bleibt die Durchlässigkeit einer MoSi-Lichtabschirm­ schicht im wesentlichen ohne Variation selbst bei wiederholter Reinigung, insoweit als O3-Gas lösendes Wasser als eine Reini­ gungslösung benutzt wurde.
In Fig. 3 zeigen die Resultate, die durch offene Kreise ○ ge­ kennzeichnet sind, und die Resultate, die durch gefüllte Krei­ se ⚫ gekennzeichnet sind, Variationen in der Durchlässigkeit bzw. dem Phasenwinkel, die auftraten bei der lichtabschirmen­ den Beschichtung, wenn die Reinigung durchgeführt wurde unter Benutzung von O3-Gas lösendes Wasser, das sauer bereitet wur­ de. Wie durch die Resultate gezeigt ist, variiert die Durch­ lässigkeit einer MoSi-Lichtabschirmschicht nicht sehr durch wiederholtes Reinigen, selbst wenn saures O3-Gas lösendes Was­ ser benutzt wird.
Das O3-Gas lösende Wasser entsprechend den Resultaten, die durch offene Kreise ○ oder gefüllte Kreise ⚫ bezeichnet sind, O3-Gas lösendes Wasser, durch das Kohlendioxidgas geperlt und gelöst wurde, so daß der pH des O3-Gas lösenden Wassers in ei­ nem Bereich von 4 bis 5 fiel. Obwohl es nicht in Fig. 3 ge­ zeigt ist, kann auch die Benutzung von O3-Gas lösendem Wasser, dessen pH auf 4 bis 5 durch Hinzufügen eines kleinen Betrages von Schwefelsäure eingestellt wurde, als Reinigungslösung ähn­ liche Resultate erzielen, wie durch das Zeichen D gezeigt ist. Obwohl es nicht in Fig. 3 gezeigt ist, zeigt selbst die Benut­ zung von O3-Gas lösendem Wasser, das auf eine Temperatur höher als Zimmertemperatur erwärmt worden ist aber nicht höher als 80°C, als Reinigungslösung keine wesentlichen Variationen in den optischen Eigenschaften (Durchlässigkeit, Phasenwinkel) einer MoSi-Lichtabschirmbeschichtung.
Wie leicht aus dem Vorangehenden ersichtlich ist, sind die für den Reinigungsprozeß dieser Erfindung benutzbaren Lösungen, insbesondere O3-Gas lösendes Wasser, saures O3-Gas lösendes Wasser und erwärmtes O3-Gas lösendes Wasser Schwefelsäurelö­ sungen überlegen beim stabilen Aufrechterhalten der optischen Eigenschaften der MoSi-Lichtabschirmbeschichtungen. Als Konse­ quenz macht der Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform es möglich, Halbtonphotomasken sauber zu waschen, ohne daß Varia­ tionen der optischen Eigenschaften der Halbtonphotomasken ver­ ursacht werden, obwohl solche Variationen als ungelöste Pro­ bleme bei vorhandenen Reinigungsprozessen geblieben sind.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wurde Kohlendioxid­ gas zum Säuern des O3-Gas lösenden Wassers durchgeperlt und darin gelöst. Es sei jedoch angemerkt, daß das in dem O3-Gas lösendem Wasser zu lösende Gas zum Säuern desselben nicht auf Kohlendioxidgas begrenzt ist. Andere Gase können als das in dem O3-Gas lösendem Wasser zu lösenden Gas benutzt werden, so­ weit sie dasselbe nur säuern.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wurde das O3-Gas lösende Wasser durch Zugeben eines kleinen Betrages von Schwe­ felsäure gesäuert. Es soll jedoch angemerkt werden, daß das Verfahren zum Säuern des O3-Gas lösenden Wassers nicht auf die Zugabe von Schwefelsäure begrenzt ist. Zum Beispiel kann das O3-Gas lösende Wasser sauer gemacht werden, indem ein saurer Elektrolyt wie Hydrochloridsäure anstelle der Schwefelsäure hinzugegeben werden.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wurde keine spezi­ elle Angabe gemacht, wie die Reinigungsschritte S120, S122 auszuführen sind. Diese Reinigungsschritte können erzielt wer­ den durch Eintauchen von Photomasken in Überströmtanke mit entsprechenden Reinigungslösungen wie O3-Gas lösendem Wasser und einer alkalischen Chemikalie, die darin eingefüllt sind. Noch höhere Reinigungseffekte können erzielt werden, wenn Ul­ traschallwellen an die Photomasken durch die Reinigungslösun­ gen innerhalb des Überströmtankes angelegt werden.
Die wesentlichen Vorteile der oben beschriebenen Erfindung können wie folgt zusammengefaßt werden:
Organische Substanzen, die auf der lichtabschirmenden Be­ schichtung der Photomaske abgeschieden sind, können beseitigt werden, ohne daß Schwefelsäure oder ähnliche Chemikalien be­ nutzt werden. Daher kann der Reinigungsprozeß sicher verhin­ dern, daß Sulfationen auf der Oberfläche der Photomaske ver­ bleiben und weiter kann der Betrag von reinem Wasser verrin­ gert werden, der zum Spülen der Photomaske nötig ist.
Es ist möglich, organische Substanzen, die auf der Halbtonpho­ tomaske anhaften, zu beseitigen, wobei die Halbtonphotomaske eine MoSi-Lichtabschirmbeschichtung aufweist, ohne daß die op­ tischen Eigenschaften der Halbtonmaske geändert werden.
Die Photomaske kann reingewaschen werden unter Benutzung von O3-Gas lösendem Wasser, das sauer dargestellt ist.
Ultraschallreinigen kann mit mindestens einem der Reinigungs­ schritte kombiniert werden, bei dem das O3-Gas lösende Wasser (der erste Schritt) benutzt wird, und bei dem Reinigungs­ schritt, der zum Beseitigen von Verunreinigung (der zweite Schritt) gedacht ist. Daher kann eine hohe Reinigungswirksam­ keit erzielt werden.

Claims (6)

1. Reinigungsprozeß für eine Photomaske, die mit einer lichtabschirmenden Beschichtung auf einer Oberfläche eines Glassubstrates versehen ist, mit den Schritten:
Reinigen der Photomaske mit Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist (S20);
Beseitigen von Verunreinigungen, die auf einer Oberfläche der Photomaske anhaften (S122); und
Trocknen der Photomaske (S124).
2. Reinigungsprozeß nach Anspruch 1, bei dem die Photomaske eine Halbtonphotomaske mit einer MoSi-Lichtabschirmbeschichtung ist.
3. Reinigungsprozeß nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist, sauer bereitet ist.
4. Reinigungsprozeß nach Anspruch 3, bei dem das Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist, durch Hinzu­ fügen eines sauren Elektrolyten sauer bereitet ist.
5. Reinigungsprozeß nach Anspruch 3, bei dem das Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist, durch Lösen eines sauren Gases sauer bereitet ist.
6. Reinigungsprozeß nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem Ultraschallreinigen in mindestens einem von dem ersten und dem zweiten Schritt ausgeführt wird.
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