JPH0675187B2 - レチクル洗浄装置 - Google Patents
レチクル洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0675187B2 JPH0675187B2 JP13984888A JP13984888A JPH0675187B2 JP H0675187 B2 JPH0675187 B2 JP H0675187B2 JP 13984888 A JP13984888 A JP 13984888A JP 13984888 A JP13984888 A JP 13984888A JP H0675187 B2 JPH0675187 B2 JP H0675187B2
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- Japan
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- cleaning
- function
- dedicated
- cleaning device
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Cleaning In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造工程のフォトリソグラフィー工程に
おける縮小投影露光装置に使用される所望のパターンを
備えたガラスマスク(以下、レチクルと呼ぶ)の洗浄を
行う装置に関するものである。
おける縮小投影露光装置に使用される所望のパターンを
備えたガラスマスク(以下、レチクルと呼ぶ)の洗浄を
行う装置に関するものである。
従来、レチクル洗浄は酸溶液等の洗浄液及び純水,アル
コール等のリンス液に浸し洗浄する薬品洗浄又は、洗浄
液を散布しながら回転ブラシを接触させるブラシ洗浄等
を利用し装置化したものとなっていた。
コール等のリンス液に浸し洗浄する薬品洗浄又は、洗浄
液を散布しながら回転ブラシを接触させるブラシ洗浄等
を利用し装置化したものとなっていた。
従来のレチクル洗浄装置にいおて、薬品洗浄は酸溶液等
の危険性が高い薬品を使用する為、取扱いが困難であり
安全性を確保する為、薬品の給廃液施設及び安全対策
等、周辺施設,機能が必要となり装置規模が大きく高価
なものとなってしまう。
の危険性が高い薬品を使用する為、取扱いが困難であり
安全性を確保する為、薬品の給廃液施設及び安全対策
等、周辺施設,機能が必要となり装置規模が大きく高価
なものとなってしまう。
又、その処理能力からバッチ処理の形式となり、縮小投
影露光装置で使用される専用レチクルケースでの直接的
対応は困難なものとなっている。
影露光装置で使用される専用レチクルケースでの直接的
対応は困難なものとなっている。
又、ブラシ洗浄においては、固体的に回転ブラシがレチ
クルに接触し擦れが起こる為、レチクルパターンに微細
な損傷を与えてしまう場合がある。
クルに接触し擦れが起こる為、レチクルパターンに微細
な損傷を与えてしまう場合がある。
さらに、経時的にブラシ材料が摩擦し微細な塵埃が発生
するという問題がある。
するという問題がある。
従来のレチクル洗浄装置に対し、本発明のレチクル洗浄
装置は紫外線照射による有機洗浄機能とメガソニック振
動を発生する洗浄液吐出ノズルによる流水洗浄機能を備
えたものであり、危険性の高い薬品の使用及び固体的な
接触を回避したものである。
装置は紫外線照射による有機洗浄機能とメガソニック振
動を発生する洗浄液吐出ノズルによる流水洗浄機能を備
えたものであり、危険性の高い薬品の使用及び固体的な
接触を回避したものである。
本発明のレチクル洗浄装置は、レチクルに対し200nm前
後の紫外線を照射しオゾン発生による有機物質塵埃の灰
化洗浄を行う紫外線照射処理部と1.8MHz前後のメガソニ
ック振動を発生するノズルからレチクル面へ洗浄液を吐
出し、その振動エネルギーにより洗浄液の吐出部を物理
的に洗浄するメガソニック洗浄処理部とフレオン、又
は、IPA等の溶剤蒸気雰囲気へレチクルを浸し、冷却凝
縮層を通し、引き上げることにより清浄な状態で乾燥す
る溶剤蒸気冷却乾燥処理部とレチクル面にレーザビーム
を走査照射し、その散乱反射光により塵埃検出を行う塵
埃検出部とレチクルが収納されている専用レチクルケー
スから搬出し、各処理,検出部を通し、専用レチクルケ
ースへ戻し収納する一連の搬送動作を行うレチクル搬送
機構を有している。
後の紫外線を照射しオゾン発生による有機物質塵埃の灰
化洗浄を行う紫外線照射処理部と1.8MHz前後のメガソニ
ック振動を発生するノズルからレチクル面へ洗浄液を吐
出し、その振動エネルギーにより洗浄液の吐出部を物理
的に洗浄するメガソニック洗浄処理部とフレオン、又
は、IPA等の溶剤蒸気雰囲気へレチクルを浸し、冷却凝
縮層を通し、引き上げることにより清浄な状態で乾燥す
る溶剤蒸気冷却乾燥処理部とレチクル面にレーザビーム
を走査照射し、その散乱反射光により塵埃検出を行う塵
埃検出部とレチクルが収納されている専用レチクルケー
スから搬出し、各処理,検出部を通し、専用レチクルケ
ースへ戻し収納する一連の搬送動作を行うレチクル搬送
機構を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の概略構成図である。
本発明によるレチクル洗浄装置は、レチクル7表裏全面
に200nm前後の波長の紫外線を照射しオゾン発生による
有機物質塵埃の灰化洗浄を行う紫外線照射処理部1と、
1.8MHz前後のメガソニック振動を発生し、レチクル引き
上げ方向に対し直交方向に走査移動する機能を備えた洗
浄液吐出ノズルをレチクル7表裏面両側に設け洗浄液を
吐出しながらレチクル7引き上げ動作と同期し吐出ノズ
ルを走査移動することにより、メガソニック振動エネル
ギーで、レチクル7表裏全面を物理的に洗浄するメガソ
ニック洗浄処理部2と、IPA,フレオン等の溶剤蒸気を発
生させ、その溶剤蒸気雰囲気中にレチクル7絶対を浸し
た後、冷却凝縮層を通し、引き上げることによりレチク
ル7を乾燥させる溶剤蒸気冷却乾燥処理部3と、レチク
ル7表裏両面にレーザビームを走査照射し、その散乱反
射光によりレチクル7表裏面の塵埃を検出する塵埃検出
部4と、縮小投影露光装置で使用される専用レチクルケ
ースを所定位置に搭載する専用レチクルケース搭載部5
と、専用レチクルケースからレチクル7を搬出し、各処
理、検出部を通し、専用レチクルケースへ戻し収納する
一連の搬送動作を行うレチクル搬送機構6と、上述した
全ての構成要素を連動し制御する制御部より構成された
ものである。
に200nm前後の波長の紫外線を照射しオゾン発生による
有機物質塵埃の灰化洗浄を行う紫外線照射処理部1と、
1.8MHz前後のメガソニック振動を発生し、レチクル引き
上げ方向に対し直交方向に走査移動する機能を備えた洗
浄液吐出ノズルをレチクル7表裏面両側に設け洗浄液を
吐出しながらレチクル7引き上げ動作と同期し吐出ノズ
ルを走査移動することにより、メガソニック振動エネル
ギーで、レチクル7表裏全面を物理的に洗浄するメガソ
ニック洗浄処理部2と、IPA,フレオン等の溶剤蒸気を発
生させ、その溶剤蒸気雰囲気中にレチクル7絶対を浸し
た後、冷却凝縮層を通し、引き上げることによりレチク
ル7を乾燥させる溶剤蒸気冷却乾燥処理部3と、レチク
ル7表裏両面にレーザビームを走査照射し、その散乱反
射光によりレチクル7表裏面の塵埃を検出する塵埃検出
部4と、縮小投影露光装置で使用される専用レチクルケ
ースを所定位置に搭載する専用レチクルケース搭載部5
と、専用レチクルケースからレチクル7を搬出し、各処
理、検出部を通し、専用レチクルケースへ戻し収納する
一連の搬送動作を行うレチクル搬送機構6と、上述した
全ての構成要素を連動し制御する制御部より構成された
ものである。
尚、メガソニック洗浄処理部で使用する洗浄液は化学的
洗浄効果を期待した薬品である必要は無く、純水あるい
は静電気発生を制御する為の添加材(アンモニア等)を
混入した水溶液等の安全で取扱いの容易なもので十分で
ある。
洗浄効果を期待した薬品である必要は無く、純水あるい
は静電気発生を制御する為の添加材(アンモニア等)を
混入した水溶液等の安全で取扱いの容易なもので十分で
ある。
前述した第一の実施例に対し、構成要素として純水及び
IPA等の溶剤によるシャワー洗浄機能及び処理部を付加
し、洗浄処理効果の向上を計ったものも、本発明の範囲
に含まれるものである。
IPA等の溶剤によるシャワー洗浄機能及び処理部を付加
し、洗浄処理効果の向上を計ったものも、本発明の範囲
に含まれるものである。
以上説明したように本発明によるレチクル洗浄装置を採
用することにより、危険性の高い薬品の使用を回避し、
又、洗浄処理においてレチクル面への固体的な接触を皆
無としたレチクル洗浄装置を実現し、半導体製造工程に
おける設備投資効果を向上し、又、レチクル損傷及び微
細塵埃発生等による不良発生の低減に多大な効果があ
る。
用することにより、危険性の高い薬品の使用を回避し、
又、洗浄処理においてレチクル面への固体的な接触を皆
無としたレチクル洗浄装置を実現し、半導体製造工程に
おける設備投資効果を向上し、又、レチクル損傷及び微
細塵埃発生等による不良発生の低減に多大な効果があ
る。
第1図は、本発明によるレチクル洗浄装置の概略構成図
である。 1……紫外線照射処理部、2……メガソニック洗浄処理
部、3……溶剤蒸気冷却乾燥処理部、4……塵埃検出
部、5……専用レチクルケース搭載部、6……レチクル
搬送機構、7……レチクル。
である。 1……紫外線照射処理部、2……メガソニック洗浄処理
部、3……溶剤蒸気冷却乾燥処理部、4……塵埃検出
部、5……専用レチクルケース搭載部、6……レチクル
搬送機構、7……レチクル。
Claims (1)
- 【請求項1】縮小投影露光装置に使用されるレチクルの
洗浄工程において、レチクルに対し、紫外線照射処理機
能およびメガソニック振動発生機能を備えた洗浄液吐出
ノズルによる流水洗浄処理機能と、溶剤蒸気冷却による
乾燥処理機能と、レーザビーム走査照射による塵埃検出
機能と、専用レチクルケースから各処理部への搬送及び
専用レチクルケースへ戻し収納を行う搬送機構とを有す
るレチクル洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13984888A JPH0675187B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | レチクル洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13984888A JPH0675187B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | レチクル洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02966A JPH02966A (ja) | 1990-01-05 |
JPH0675187B2 true JPH0675187B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=15254938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13984888A Expired - Lifetime JPH0675187B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | レチクル洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0675187B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0430513A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Nec Kyushu Ltd | 縮少投影露光装置 |
JPH04109247A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Nec Kyushu Ltd | レチクル洗浄装置 |
JPH04186351A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Kyushu Ltd | レチクルの洗浄方法 |
JPH04298747A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Nec Corp | フォトマスクの洗浄方法 |
JP4000247B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2007-10-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスクの洗浄方法 |
JP5045382B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2012-10-10 | 大日本印刷株式会社 | マスク基板の洗浄方法 |
JP5692849B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-04-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法 |
JP2012211951A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク関連基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
CN117644074A (zh) * | 2024-01-30 | 2024-03-05 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | 掩模版清洗方法、装置、终端设备以及存储介质 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5153766A (ja) * | 1974-11-07 | 1976-05-12 | Kaijo Denki Kk | Nozurugatachoonpasenjosochi |
JPS61144830A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
JPS61147534A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 超音波化学処理方法 |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP13984888A patent/JPH0675187B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02966A (ja) | 1990-01-05 |
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