JP2003179039A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2003179039A JP2003179039A JP2001377136A JP2001377136A JP2003179039A JP 2003179039 A JP2003179039 A JP 2003179039A JP 2001377136 A JP2001377136 A JP 2001377136A JP 2001377136 A JP2001377136 A JP 2001377136A JP 2003179039 A JP2003179039 A JP 2003179039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- manufacturing
- interlayer insulating
- insulating film
- wet etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上に形成された層間絶縁膜をウェ
ットエッチングして所望のコンタクト孔を形成した際の
スカムや残留有機成分を除去する工程の簡素化を図る。 【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導
体基板１上に形成された層間絶縁膜２をウェットエッチ
ングして所望のコンタクト孔を形成するものにおいて、
前記ウェットエッチング工程の前工程として、層間絶縁
膜２の表面をおよそ２０〜６０ｐｐｍの濃度を有するオ
ゾン水で洗浄し、スカムや残留有機成分を除去する工程
を有することを特徴とするものである。
ットエッチングして所望のコンタクト孔を形成した際の
スカムや残留有機成分を除去する工程の簡素化を図る。 【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導
体基板１上に形成された層間絶縁膜２をウェットエッチ
ングして所望のコンタクト孔を形成するものにおいて、
前記ウェットエッチング工程の前工程として、層間絶縁
膜２の表面をおよそ２０〜６０ｐｐｍの濃度を有するオ
ゾン水で洗浄し、スカムや残留有機成分を除去する工程
を有することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、更に言えば、半導体基板上に形成された層
間絶縁膜をウェットエッチングして所望のコンタクト孔
を形成するコンタクト孔の形成技術に関する。
方法に関し、更に言えば、半導体基板上に形成された層
間絶縁膜をウェットエッチングして所望のコンタクト孔
を形成するコンタクト孔の形成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法、特にコン
タクト孔の形成方法について図面を参照しながら説明す
る。
タクト孔の形成方法について図面を参照しながら説明す
る。
【０００３】図４において、例えば、半導体基板１１上
に形成されたＳｉＯ2膜から成る層間絶縁膜１２上にフ
ォトレジスト膜１３を形成し、当該フォトレジスト膜１
３を現像・露光処理して所望の開口部１４を形成する。
に形成されたＳｉＯ2膜から成る層間絶縁膜１２上にフ
ォトレジスト膜１３を形成し、当該フォトレジスト膜１
３を現像・露光処理して所望の開口部１４を形成する。
【０００４】続いて、図５において、前述したフォトレ
ジスト膜１３を現像・露光処理して所望の開口部１４を
形成した際に、前記層間絶縁膜１２の表面（開口部１４
の底部）に形成されたスカム１５や残留有機成分１６
（図４に示す○印及び黒点参照）を除去するため、アッ
シング装置を用いてＯ2プラズマによるライトアッシン
グ処理を施し、そのＯ2ラジカルの活性成分によって前
記スカム１５や残留有機成分１６を除去する。
ジスト膜１３を現像・露光処理して所望の開口部１４を
形成した際に、前記層間絶縁膜１２の表面（開口部１４
の底部）に形成されたスカム１５や残留有機成分１６
（図４に示す○印及び黒点参照）を除去するため、アッ
シング装置を用いてＯ2プラズマによるライトアッシン
グ処理を施し、そのＯ2ラジカルの活性成分によって前
記スカム１５や残留有機成分１６を除去する。
【０００５】更に、図６において、前記フォトレジスト
膜１３をマスクにして前記層間絶縁膜１２をウェットエ
ッチング処理することで、所望のコンタクト孔１７を形
成している。
膜１３をマスクにして前記層間絶縁膜１２をウェットエ
ッチング処理することで、所望のコンタクト孔１７を形
成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記コンタク
ト孔の形成方法では、フォトレジスト膜１３を現像・露
光処理して所望の開口部１４を形成した際に、前記層間
絶縁膜１２の表面（開口部１４の底部）に形成されたス
カム１５や残留有機成分１６を除去するため、ウェット
エッチング処理工程の前工程として、Ｏ2プラズマによ
るライトアッシング処理を施すことで、そのＯ2ラジカ
ルの活性成分によって前記スカムや残留有機成分を除去
していた。
ト孔の形成方法では、フォトレジスト膜１３を現像・露
光処理して所望の開口部１４を形成した際に、前記層間
絶縁膜１２の表面（開口部１４の底部）に形成されたス
カム１５や残留有機成分１６を除去するため、ウェット
エッチング処理工程の前工程として、Ｏ2プラズマによ
るライトアッシング処理を施すことで、そのＯ2ラジカ
ルの活性成分によって前記スカムや残留有機成分を除去
していた。
【０００７】このように、従来の方法ではアッシング装
置を用いた大がかりな除去工程が必要であった。また、
フォトレジスト膜１３の削れ量が比較的大きく、ＣＤ−
Ｌｏｓｓ（Critical Dimension Loss）、いわゆる線幅
変換差（フォトレジスト線幅―エッチング線幅）に影響
が出てしまっていた。更には、ライトアッシング工程で
は、面内均一性が悪く、面内バラツキが大きくなるとい
った問題があった。
置を用いた大がかりな除去工程が必要であった。また、
フォトレジスト膜１３の削れ量が比較的大きく、ＣＤ−
Ｌｏｓｓ（Critical Dimension Loss）、いわゆる線幅
変換差（フォトレジスト線幅―エッチング線幅）に影響
が出てしまっていた。更には、ライトアッシング工程で
は、面内均一性が悪く、面内バラツキが大きくなるとい
った問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題に鑑み
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成
された層間絶縁膜をフォトレジスト膜をマスクにしてウ
ェットエッチングして所望のコンタクト孔を形成するも
のにおいて、前記ウェットエッチング工程の前工程とし
て、層間絶縁膜の表面をオゾン水で洗浄し、層間絶縁膜
の表面に形成されたスカムや有機成分を除去する工程を
有することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成
された層間絶縁膜をフォトレジスト膜をマスクにしてウ
ェットエッチングして所望のコンタクト孔を形成するも
のにおいて、前記ウェットエッチング工程の前工程とし
て、層間絶縁膜の表面をオゾン水で洗浄し、層間絶縁膜
の表面に形成されたスカムや有機成分を除去する工程を
有することを特徴とする。
【０００９】また、前記オゾン水の濃度は、およそ２０
〜６０ｐｐｍであることを特徴とするものである。
〜６０ｐｐｍであることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の製造
方法、特にコンタクト孔の形成方法について図面を参照
しながら説明する。
方法、特にコンタクト孔の形成方法について図面を参照
しながら説明する。
【００１１】図１において、例えば、半導体基板１上に
形成されたＳｉＯ2膜から成る層間絶縁膜２上にフォト
レジスト膜３を形成し、当該フォトレジスト膜３を現像
・露光処理して所望の開口部４を形成する。
形成されたＳｉＯ2膜から成る層間絶縁膜２上にフォト
レジスト膜３を形成し、当該フォトレジスト膜３を現像
・露光処理して所望の開口部４を形成する。
【００１２】続いて、図２において、前述したフォトレ
ジスト膜３を現像・露光処理して所望の開口部４を形成
した際に、前記層間絶縁膜２の表面（開口部４の底部）
に形成されたスカム５や残留有機成分６（図１に示す○
印及び黒点参照）を除去するため、前記フォトレジスト
膜３の開口部４を介して前記層間絶縁膜２の表面をオゾ
ン水（Ｏ3水）を用いて洗浄する。これにより、前記層
間絶縁膜２の表面に残留したスカム５や有機成分６を除
去することができる。尚、このとき、オゾン水の濃度
を、およそ２０〜６０ｐｐｍ程度に設定することで、前
記層間絶縁膜２の表面に残留したスカム５や有機成分６
を十分に除去することができた。
ジスト膜３を現像・露光処理して所望の開口部４を形成
した際に、前記層間絶縁膜２の表面（開口部４の底部）
に形成されたスカム５や残留有機成分６（図１に示す○
印及び黒点参照）を除去するため、前記フォトレジスト
膜３の開口部４を介して前記層間絶縁膜２の表面をオゾ
ン水（Ｏ3水）を用いて洗浄する。これにより、前記層
間絶縁膜２の表面に残留したスカム５や有機成分６を除
去することができる。尚、このとき、オゾン水の濃度
を、およそ２０〜６０ｐｐｍ程度に設定することで、前
記層間絶縁膜２の表面に残留したスカム５や有機成分６
を十分に除去することができた。
【００１３】そして、図３において、前記フォトレジス
ト膜３をマスクにして前記層間絶縁膜２をフッ酸溶液等
を用いてウェットエッチング処理することで、所望のコ
ンタクト孔７を形成する。
ト膜３をマスクにして前記層間絶縁膜２をフッ酸溶液等
を用いてウェットエッチング処理することで、所望のコ
ンタクト孔７を形成する。
【００１４】このように、従来の方法では、ＳｉＯ2膜
から成る層間絶縁膜をウェットエッチングする場合、薬
液の塗れ性改善とパターニング時のスカム除去のため
に、前工程としてアッシング装置を用いたＯ2プラズマ
ライトアッシング処理を施していたが、本発明ではこの
ような大がかりなアッシング工程が不要になる。
から成る層間絶縁膜をウェットエッチングする場合、薬
液の塗れ性改善とパターニング時のスカム除去のため
に、前工程としてアッシング装置を用いたＯ2プラズマ
ライトアッシング処理を施していたが、本発明ではこの
ような大がかりなアッシング工程が不要になる。
【００１５】また、アッシング工程に比してフォトレジ
スト膜の削れ量が小さいため、ＣＤ−Ｌｏｓｓ（線幅変
換差）による影響を抑制できる。
スト膜の削れ量が小さいため、ＣＤ−Ｌｏｓｓ（線幅変
換差）による影響を抑制できる。
【００１６】更には、ライトアッシング工程では、面内
均一性が悪く、面内バラツキが大きくなるといった問題
があったが、本発明によれば、そのような問題が発生量
しないため、面内均一性が改善できる。即ち、図３に示
すように、本発明の線幅バラツキの発生量Ｃは、従来の
線幅バラツキの発生量Ａよりも小さく、また本発明の膜
減りの発生量Ｄも、従来の膜減りの発生量Ｂよりも小さ
い（図６参照）。
均一性が悪く、面内バラツキが大きくなるといった問題
があったが、本発明によれば、そのような問題が発生量
しないため、面内均一性が改善できる。即ち、図３に示
すように、本発明の線幅バラツキの発生量Ｃは、従来の
線幅バラツキの発生量Ａよりも小さく、また本発明の膜
減りの発生量Ｄも、従来の膜減りの発生量Ｂよりも小さ
い（図６参照）。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、フォトレジスト膜を現
像、露光処理した際に層間絶縁膜の表面（開口部の底
部）に形成されたスカムや残留有機成分をオゾン水で洗
浄することで、容易に除去することができる。従って、
従来のようなアッシング装置を用いた大がかりなアッシ
ング工程が不要になり、製造工程が簡素化でき、コスト
ダウン化が図れる。
像、露光処理した際に層間絶縁膜の表面（開口部の底
部）に形成されたスカムや残留有機成分をオゾン水で洗
浄することで、容易に除去することができる。従って、
従来のようなアッシング装置を用いた大がかりなアッシ
ング工程が不要になり、製造工程が簡素化でき、コスト
ダウン化が図れる。
【００１８】また、アッシング工程に比してフォトレジ
スト膜の削れ量が小さいため、ＣＤ−Ｌｏｓｓ（線幅変
換差）による影響を抑制できる。
スト膜の削れ量が小さいため、ＣＤ−Ｌｏｓｓ（線幅変
換差）による影響を抑制できる。
【００１９】更には、ライトアッシング工程では、面内
均一性が悪く、面内バラツキが大きくなるといった問題
があったが、本発明によれば、そのような問題が発生量
しないため、面内均一性が改善できる。
均一性が悪く、面内バラツキが大きくなるといった問題
があったが、本発明によれば、そのような問題が発生量
しないため、面内均一性が改善できる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された層間絶縁膜を
ウェットエッチングして所望のコンタクト孔を形成する
半導体装置の製造方法において、 前記ウェットエッチング工程の前工程として、層間絶縁
膜の表面をオゾン水で洗浄する工程を有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成された層間絶縁膜を
フォトレジスト膜をマスクにしてウェットエッチングし
て所望のコンタクト孔を形成する半導体装置の製造方法
において、 前記ウェットエッチング工程の前工程として、層間絶縁
膜の表面をオゾン水で洗浄し、層間絶縁膜の表面に形成
されたスカムや有機成分を除去する工程を有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記オゾン水の濃度が、およそ２０〜６
０ｐｐｍに設定されていることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001377136A JP2003179039A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001377136A JP2003179039A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179039A true JP2003179039A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=19185179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001377136A Pending JP2003179039A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003179039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685586B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 패턴 형성 방법 |
-
2001
- 2001-12-11 JP JP2001377136A patent/JP2003179039A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685586B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 패턴 형성 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3690619B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| US6130166A (en) | Alternative plasma chemistry for enhanced photoresist removal | |
| JP2005109146A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP3940742B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH10298589A (ja) | 洗浄液及び洗浄方法 | |
| JP2007073684A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH10172960A (ja) | アッシング方法 | |
| US5858861A (en) | Reducing nitride residue by changing the nitride film surface property | |
| JP2003179039A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001102369A (ja) | レジスト除去方法 | |
| KR100510440B1 (ko) | 세정용액및이를이용한반도체소자의세정방법 | |
| KR100255665B1 (ko) | 단일 반도체 기판에 상이한 두께의 게이트 산화막 구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPH0511458A (ja) | 現像液及び現像方法 | |
| US8932958B2 (en) | Device manufacturing and cleaning method | |
| KR100584498B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 제거 방법 | |
| JP2008244323A (ja) | ステンシルマスク | |
| KR100205096B1 (ko) | 반도체 소자의 감광막 제거방법 | |
| KR100237020B1 (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR19990011634A (ko) | 반도체장치의 반사방지막을 이용한 패턴 형성방법 | |
| JP2004235344A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6222263B2 (ja) | ||
| KR20040001037A (ko) | 에칭 공정시 발생하는 폴리머 제거 방법 | |
| JPH06349728A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR20050064265A (ko) | 반도체 소자의 절연막 패터닝 방법 | |
| KR100755065B1 (ko) | 포토마스크의 성장성 이물질 억제방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20051227 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060215 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060516 |