KR100248797B1 - 감광막제거방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감광막 제거방법에 관한 것으로, 신나를 사용하여 감광막을 제거하는 단계와, 상기 감광막이 제거된 웨이퍼를 건조하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써 신나만으로 감광막을 제거함으로써 공간을 작게 차지하는 라인 하나만으로 작업할 수 있고, 공정 소요시간 또한 종래의 세시간에서 한시간으로 줄일 수 있다.
또한, 감광막 제거후 오염입자 흡착을 줄임으로써 재작업을 실시하지 않은 웨이퍼 상태와 유사한 수율을 얻을 수 있어, 종래방법에 비해 15퍼센트 이상 수율을 향상 시킬 수 있고, 종래 플라즈마 식각과 크린배스 식각하던 공정을 신나만으로 제거할 수 있어 타 공정에 영향을 끼치지 않고 문제발생 단계에서 즉시 해결할 수 있는 잇점을 갖는 본 발명은 소자의 특성향상 및 공정단순화의 이중 효과를 얻을 수 있다.
Description
제1도는 감광막 제거 공정 흐름도.
제2도는 종래 방법에 따른 제1a도의 감광막제거 공정흐름도.
제3도는 본 발명에 따른 제1a도의 감광막제거 공정 흐름도.
제4도는 종래방법과 본 발명의 특성 비교도.
본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 패턴형성시 빛을 차단하여 마스크역할을 하는 감광막 제거방법에 관한 것이다.
일반적으로 패턴 형성을 위한 감광막 코팅후 코팅불량, 긁힘(scratch), 오정렬(misalignment), 임계선폭조정불량(critical dimension control out), 현상 불량 등 바람직하지 못한 결과가 발생할 경우 도면 제1도에 도시된 바와 같이 매 공정 마다 코팅된 감광막을 제거하고 다시 감광막을 코팅하는 재작업을 하는데, 이런 이상 공정은 감광막 마스크 작업량의 3 내지 4 퍼센트를 차지한다.
종래의 감광막 제거방법은 먼저 플라즈마를 이용해 건식식각한 후 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)가 혼합된 크린배스(Clean Bath) 내에서 습식식각하여 감광막을 제거하는 방법이다.
이를 첨부된 도면 제2도 공정흐름도를 참조하여 살펴보면, 도시된 바와 같이 먼저 플라즈마를 이용해 제거하는데 공정 소요시간은 웨이퍼 마흔 여덟장 즉, 한 롯트(Lot)당 한 시간 삼십분이 소요된다. 다음으로 황산과 과산화수소가 혼합된 크린배스에서 제거하는데 한 시간이 소요된다.
상기와 같이 이루어지는 종래방법은 감광막이 완전히 제거되지 않아 제작업 후 마스킹시 마스크 패턴이 불량하게 형성되고, 오염 입자가 많이 발생되는 문제점이 따른다.
또한 상기 종래방법으로 공정시간이 많이 소요될 뿐 아니라 재작업 할 경우 재작업 하지 않은 웨이퍼에 비해 20퍼센트 정도 수율이 저하되고, 타 공정에 간접적으로 영향을 끼쳐 작업을 방해하는 문제점이 따랐다.
상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 비교적 간편한 공정으로 감광막을 제거하고 오염입자 또한 크게 감소시킬 수 있는 감광막 제거방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 감광막 제거방법은 신나를 사용하여 감광막을 제거하는 단계와, 상기 감광막이 제거된 웨이퍼를 건조하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제3도 및 제4도를 참조하여 본 발명을 상술한다.
본 발명은 희석제로 주로 사용되는 신나(Thinner:Ethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate; 이하 '신나'라 칭함)가 감광막을 녹이는 성질이 있음에 착안하여 감광막 제거시 다른 화학용제의 사용 없이 신나만으로 제거하는 방법이다.
이는 공정흐름도인 제3도에 도시된 바와 같이 감광막 제거 단계에서 신나만으로 제거하는 방법으로 6인치(inch) 웨이퍼의 경우 15cc의 신나를 1분가량 주입하여 코팅된 감광막을 녹여서 제거한다.
도면 제4도는 종래방법과 본 발명에 따른 감광막 제거후 웨이퍼 특성을 측정한 비교도로서, 각 항목별 특성을 살펴보면 Good은 오염입자 흡착정도 등 웨이퍼 수율결정의 전반적 요소를 내포하며, REP는 필요한 세그먼트에 부가되어 불량부분을 보완하는 정도를, LPY는 상기 Good와 REP의 합을, LKG는 누설, Row는 가로열, Col은 세로열을 각각 나타낸다.
이어서, 본 발명의 다른 실시예를 살펴보면 마스킹 공정후 감광막 패턴에 따른 식각을 하는 경우가 있고, 마스킹 공정후 이온 주입만 하고 감광막을 스트립하는 경우가 있는데 이 경우 이온주입후 감광막을 제거할 때 사용할 수 있다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 다음과 같은 여러 잇점이 있다.
첫째, 신나만으로 감광막을 제거하으로서 공간을 작게 차지하는 라인 하나만으로 작업할 수 있고, 공정 소요시간 또한 종래의 세시간에서 한시간으로 줄일 수 있다.
둘째, 감광막 제거후 오염입자 흡착을 크게 줄일 수 있다.
세째, 재작업을 실시하지 않은 웨이퍼 상태와 유사한 수율을 얻을 수 있어, 종래방법에 비해 15퍼센트 이상 수율을 향상 시킬 수 있다.
네째, 종래 플라즈마 식각과 크린배스식각하던 공정을 신나만으로 제거할 수 있어 타 공정에 영향을 끼치지 않고 문제발생 단계에서 즉시 해결할 수 있다.
따라서, 본 발명은 소자의 특성향상 및 공정단순화의 이중 효과를 얻을 수 있다.
Claims (2)
- 감광막 제거방법에 있어서, 신나를 사용하여 감광막을 제거하는 단계와, 상기 감광막이 제거된 웨이퍼를 건조하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 제거방법;
- 제1항에 있어서, 상기 신나 주입량은 6인치 웨이퍼를 기준으로 15cc의 신나를 1분가량 주입하는 것을 특징으로 하는 감광막 제거방법.
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