KR19990011070A - 원형 결함을 방지하는 무기 반사 방지막 제거방법 - Google Patents

Abstract

원형 결함(circle defect)을 방지하는 무기 ARC(Anti-Reflective Coating)막의 제거 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 무기 ARC막이 형성된 웨이퍼를 HF 용액으로 처리한다. 상기 HF 용액으로 처리된 웨이퍼를 알칼리계 세정액으로 세정한다. 상기 웨이퍼를 IPA(isopropyl alcohol)를 이용한 증기 건조법에 의하여 건조시킨다.

Description

원형 결함을 방지하는 무기 반사 방지막 제거 방법

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 무기 반사 방지막(Anti-Reflective Coating; 이하 ARC막이라 함) 제거 방법에 관한 것이다.

반도체 소자가 고집적화되어감에 따라 패턴이 점차 미세해지고 웨이퍼 표면에서의 단차가 커지게 된다. 반도체 소자의 제조시에 패턴을 형성하기 위하여 사진 식각 방법을 이용하는 데, 더욱 미세해진 패턴을 구현하기 위하여 사진 식각 공정중 노광 공정에서 사용되는 광원이 점차 단파장화되어가고 있다. 이와 같이 광원이 단파장화되어감에 따라 기존의 반도체 제조 공정에서 사용되어온 동일 막질에서의 반사율이 증가하게 되고, 패턴을 형성할 때 하부 구조의 큰 단차에 의하여 스탠딩 웨이브 효과(standing wave effect)가 증대되는 등 하부 구조에 의하여 큰 영향을 받게 되었다.

상기와 같이, 웨이퍼 표면으로부터 반사되는 노광 광원의 반사광을 제어하기 위하여 ACR를 적용하여 왔다. ARC중에서 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 기술에 의하여 형성되는 무기 ARC중에서 SiO_xN_y막을 ARC막으로 사용하는 경우, 패턴을 형성을 위하여 사용된 ARC막을 종래 기술에 의하여 제거하면 패턴의 계면에 원형 결함(circle defect)이 발생되는 문제가 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 원형 결함을 방지할 수 있는 무기 반사 방지막 제거 방법을 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 무기 ARC막 제거 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 무기 ARC막 제거 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 양태에 따른 무기 ARC막 제거 방법에서는 상기 무기 ARC막이 형성된 웨이퍼를 HF 용액으로 처리한다. 상기 HF 용액으로 처리된 웨이퍼를 알칼리계 세정액으로 세정한다. 상기 웨이퍼를 건조시킨다.

상기 건조 단계는 IPA(isopropyl alcohol)를 이용한 증기 건조법에 의하여 행하거나, 스핀 드라이어(spin dryer)를 사용하여 행한다.

또한, 본 발명의 다른 양태에서는 무기 ARC막을 제거하기 위하여, 상기 무기 ARC막이 형성된 웨이퍼를 알칼리계 세정액으로 세정한다. 상기 세정된 웨이퍼를 HF 용액으로 처리한다. 상기 HF 용액으로 처리된 웨이퍼를 스핀 드라이어를 사용하여 건조시킨다.

본 발명에 의하면, 무기 ARC막이 제거된 후 남아 있는 패턴에 원형 결함이 발생되지 않는다.

다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 무기 ARC막 제거 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.

도 1을 참조하면, 무기 ARC막, 예를 들면 SiO_xN_y막을 사용한 사진 식각 공정에 의하여 웨이퍼상에 원하는 패턴을 형성한 후 상기 패턴 위에 남아 있는 무기 ARC막을 제거하기 위하여, 먼저 무기 ARC막이 형성되어 있는 웨이퍼를 처리한다. (단계 10). 그 결과, 대부분의 무기 ARC막은 제거된다. 이어서, 알칼리계 세정액, 예를 들면 NH₄OH, H₂O₂및 순수의 혼합액으로 이루어지는 세정액을 사용하여 상기 웨이퍼를 세정한다(단계 20). 그 후, 상기 웨이퍼를 IPA(isopropyl alcohol)를 이용한 증기 건조법에 의하여 건조시킨다(단계 30). 이 건조 단계에서 IPA를 이용한 증기 건조 대신 스핀 드라이어(spin dryer)를 사용하여 웨이퍼를 건조시키는 것도 가능하다.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 무기 ARC막 제거 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.

도 2를 참조하면, 무기 ARC막, 예를 들면 SiO_xN_y막을 사용한 사진 식각 공정에 의하여 웨이퍼상에 원하는 패턴을 형성한 후 상기 패턴 위에 남아 있는 무기 ARC막을 제거하기 위하여, 먼저 알칼리계 세정액, 예를 들면 NH₄OH, H₂O₂및 순수의 혼합액으로 이루어지는 세정액을 사용하여 상기 무기 ARC막이 형성되어 있는 웨이퍼를 세정한다(단계 40). 이어서, HF 용액으로 무기 ARC막을 제거한다(단계 50). 그 후, 상기 웨이퍼를 스핀 드라이어를 사용한 건조법에 의하여 건조시킨다(단계 60).

상기 방법에 의하면, 무기 ARC막이 제거된 후 남아 있는 패턴에 원형 결함이 발생되지 않는다.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (8)

1. 웨이퍼상에서 사진 식각 공정에 사용된 무기 ARC(Anti-Reflective Coating)막을 제거하는 방법에 있어서,

   상기 무기 ARC막이 형성된 웨이퍼를 HF 용액으로 처리하는 단계와,

   상기 HF 용액으로 처리된 웨이퍼를 알칼리계 세정액으로 세정하는 단계와,

   상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 무기 ARC막은 SiO_xN_y막인 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 알칼리계 세정액은 NH₄OH, H₂O₂및 순수의 혼합액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 건조 단계는 IPA(isopropyl alcohol)를 이용한 증기 건조법에 의하여 행하는 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 건조 단계는 스핀 드라이어(spin dryer)를 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.
6. 웨이퍼상에서 사진 식각 공정에 사용된 무기 ARC막을 제거하는 방법에 있어서,

   상기 무기 ARC막이 형성된 웨이퍼를 알칼리계 세정액으로 세정하는 단계와,

   상기 세정된 웨이퍼를 HF 용액으로 처리하는 단계와,

   상기 HF 용액으로 처리된 웨이퍼를 스핀 드라이어를 사용하여 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 무기 ARC막은 SiO_xN_y막인 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.
8. 제6항에 있어서, 상기 알칼리계 세정액은 NH₄OH, H₂O₂및 순수의 혼합액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 반사 방지막 제거 방법.