JPH05259144A - 基板洗浄方法 - Google Patents
基板洗浄方法Info
- Publication number
- JPH05259144A JPH05259144A JP5200092A JP5200092A JPH05259144A JP H05259144 A JPH05259144 A JP H05259144A JP 5200092 A JP5200092 A JP 5200092A JP 5200092 A JP5200092 A JP 5200092A JP H05259144 A JPH05259144 A JP H05259144A
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- Japan
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- substrate holder
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- cleaning
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板洗浄方法に関し，乾燥後に洗浄染みの生
じない基板洗浄方法を目的とする。 【構成】 基板１を基板ホルダー２に保持し, 基板１を
保持した基板ホルダー２を薬液3aに浸漬して洗浄し, そ
の後基板１を保持した基板ホルダー２を加熱炉５に入れ
て加熱し, 基板１表面に付着している薬品を飛散させる
工程を有するように構成する。また，前記の工程の後，
基板１を保持した基板ホルダー２を超音波洗浄槽６に入
れ，超音波洗浄を行う工程を有するように構成する。
じない基板洗浄方法を目的とする。 【構成】 基板１を基板ホルダー２に保持し, 基板１を
保持した基板ホルダー２を薬液3aに浸漬して洗浄し, そ
の後基板１を保持した基板ホルダー２を加熱炉５に入れ
て加熱し, 基板１表面に付着している薬品を飛散させる
工程を有するように構成する。また，前記の工程の後，
基板１を保持した基板ホルダー２を超音波洗浄槽６に入
れ，超音波洗浄を行う工程を有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板洗浄方法に関する。
近年，半導体装置の微細化に伴い，半導体装置製造に使
用するレチクルの表面品質に関して無欠陥が要求されて
いる。問題となる粒子のサイズの限界はますます厳しく
なり，例えば１６Ｍビット級のチップ用としては 0.5μ
ｍ程度のサイズのゴミは１つでもあってはいけない。
近年，半導体装置の微細化に伴い，半導体装置製造に使
用するレチクルの表面品質に関して無欠陥が要求されて
いる。問題となる粒子のサイズの限界はますます厳しく
なり，例えば１６Ｍビット級のチップ用としては 0.5μ
ｍ程度のサイズのゴミは１つでもあってはいけない。
【０００２】それゆえ，レチクル基板の洗浄には精密な
洗浄方法が要求される。
洗浄方法が要求される。
【０００３】
【従来の技術】図２は基板洗浄の従来例の工程を示す模
式図であり，１は基板，２は基板ホルダー，３は洗浄
槽，3aは薬液, ４は濯ぎ槽，4aは濯ぎ液，６は超音波洗
浄槽，6aは超純水を表す。
式図であり，１は基板，２は基板ホルダー，３は洗浄
槽，3aは薬液, ４は濯ぎ槽，4aは濯ぎ液，６は超音波洗
浄槽，6aは超純水を表す。
【０００４】基板１は例えばレチクル基板であり，それ
を基板ホルダー２に保持して，洗浄槽３の薬液3aに浸漬
する。薬液3aは例えば硫酸または硫酸と過酸化水素水の
混合液（ＰＯＳ）である。
を基板ホルダー２に保持して，洗浄槽３の薬液3aに浸漬
する。薬液3aは例えば硫酸または硫酸と過酸化水素水の
混合液（ＰＯＳ）である。
【０００５】薬液3aによる洗浄後，基板１を保持した基
板ホルダー２を濯ぎ槽４の濯ぎ液4aに浸漬する。濯ぎ液
4aは例えば温純水である。その後，基板１を保持した基
板ホルダー２を超音波洗浄槽６に入れて超音波洗浄す
る。洗浄液は例えば超純水である。その後，自然乾燥ま
たは温風乾燥する。
板ホルダー２を濯ぎ槽４の濯ぎ液4aに浸漬する。濯ぎ液
4aは例えば温純水である。その後，基板１を保持した基
板ホルダー２を超音波洗浄槽６に入れて超音波洗浄す
る。洗浄液は例えば超純水である。その後，自然乾燥ま
たは温風乾燥する。
【０００６】ところが，この従来方法では薬液3aの薬品
を基板１表面から完全に除去することが難しい。硫酸は
純水と完全には置換せず，乾燥後に洗浄染み（モヤ）と
なることがある。また，後になって基板上に残る薬品が
大気中の水分を吸収して結晶化し，微細な結晶となって
析出するといった問題がある。
を基板１表面から完全に除去することが難しい。硫酸は
純水と完全には置換せず，乾燥後に洗浄染み（モヤ）と
なることがある。また，後になって基板上に残る薬品が
大気中の水分を吸収して結晶化し，微細な結晶となって
析出するといった問題がある。
【０００７】したがって，レチクルの出荷時の検査で欠
陥が見つからなくても，後になってレチクルをステッパ
ー等に使用する際，モヤや析出した結晶が問題となるこ
とがしばしば発生する。
陥が見つからなくても，後になってレチクルをステッパ
ー等に使用する際，モヤや析出した結晶が問題となるこ
とがしばしば発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，洗浄後の基板にモヤや析出結晶の生じない精密な
洗浄方法を提供するものである。
鑑み，洗浄後の基板にモヤや析出結晶の生じない精密な
洗浄方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の工程を示
す模式図である。上記課題は，基板１を基板ホルダー２
に保持し, 該基板１を保持した基板ホルダー２を薬液3a
に浸漬して洗浄し, その後該基板１を保持した基板ホル
ダー２を加熱炉５に入れて加熱し, 該基板１表面に付着
している薬品を飛散させる工程を有する基板洗浄方法に
よって解決される。
す模式図である。上記課題は，基板１を基板ホルダー２
に保持し, 該基板１を保持した基板ホルダー２を薬液3a
に浸漬して洗浄し, その後該基板１を保持した基板ホル
ダー２を加熱炉５に入れて加熱し, 該基板１表面に付着
している薬品を飛散させる工程を有する基板洗浄方法に
よって解決される。
【００１０】また，前記の工程の後，該基板１を保持し
た基板ホルダー２を超音波洗浄槽６に入れ，超音波洗浄
を行う工程を有する基板洗浄方法によって解決される。
た基板ホルダー２を超音波洗浄槽６に入れ，超音波洗浄
を行う工程を有する基板洗浄方法によって解決される。
【００１１】
【作用】本発明では，基板１を保持した基板ホルダー２
を薬液3aに浸漬して洗浄し, その後，基板１を保持した
基板ホルダー２を加熱炉５に入れて加熱する。加熱によ
り基板１表面に付着している薬品は分解し，飛散する。
このようにして，洗浄のみで除去できなかった薬品が除
去される。
を薬液3aに浸漬して洗浄し, その後，基板１を保持した
基板ホルダー２を加熱炉５に入れて加熱する。加熱によ
り基板１表面に付着している薬品は分解し，飛散する。
このようにして，洗浄のみで除去できなかった薬品が除
去される。
【００１２】また，その後基板１を保持した基板ホルダ
ー２を超音波洗浄槽６に入れ，超音波洗浄を行うことに
より，加熱時またそれ以降，基板表面に付着したゴミ等
が除去されるので，さらに清浄な表面の基板が得られ
る。
ー２を超音波洗浄槽６に入れ，超音波洗浄を行うことに
より，加熱時またそれ以降，基板表面に付着したゴミ等
が除去されるので，さらに清浄な表面の基板が得られ
る。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の工程を示す模式図であり，１
は基板，２は基板ホルダー，３は洗浄槽，3aは薬液, ４
は濯ぎ槽，4aは濯ぎ液，５は加熱炉，６は超音波洗浄
槽，6aは純水を表す。
は基板，２は基板ホルダー，３は洗浄槽，3aは薬液, ４
は濯ぎ槽，4aは濯ぎ液，５は加熱炉，６は超音波洗浄
槽，6aは純水を表す。
【００１４】以下，レチクル基板の洗浄を例として説明
する。基板１は例えば５インチ□の石英ガラス基板にＣ
ｒパターンの形成されたレチクル基板であり，それを基
板ホルダー２に例えば５枚保持する。基板ホルダー２は
例えば石英製である。基板１を保持した基板ホルダー２
を洗浄槽３の薬液3aに浸漬する。薬液3aは例えば硫酸ま
たは硫酸と過酸化水素水の混合液（ＰＯＳ）である。
する。基板１は例えば５インチ□の石英ガラス基板にＣ
ｒパターンの形成されたレチクル基板であり，それを基
板ホルダー２に例えば５枚保持する。基板ホルダー２は
例えば石英製である。基板１を保持した基板ホルダー２
を洗浄槽３の薬液3aに浸漬する。薬液3aは例えば硫酸ま
たは硫酸と過酸化水素水の混合液（ＰＯＳ）である。
【００１５】薬液3aにより，例えば基板表面に残存する
レジストは完全に除去される。洗浄後，基板１を保持し
た基板ホルダー２を濯ぎ槽４の濯ぎ液4aに浸漬する。濯
ぎ液4aは例えば８０℃の温純水である。濯ぎ後，基板１
を保持した基板ホルダー２を濯ぎ槽４から引き上げる
が，その段階では濯ぎ液4aが基板１及び基板ホルダー２
に付着している。濯ぎ液4aには若干ではあるが薬品やレ
ジストの成分が溶解して残存している。
レジストは完全に除去される。洗浄後，基板１を保持し
た基板ホルダー２を濯ぎ槽４の濯ぎ液4aに浸漬する。濯
ぎ液4aは例えば８０℃の温純水である。濯ぎ後，基板１
を保持した基板ホルダー２を濯ぎ槽４から引き上げる
が，その段階では濯ぎ液4aが基板１及び基板ホルダー２
に付着している。濯ぎ液4aには若干ではあるが薬品やレ
ジストの成分が溶解して残存している。
【００１６】その後，基板１を保持した基板ホルダー２
を，そのまま加熱炉５に収容して加熱する。加熱温度は
200〜300 ℃とする。硫酸に起因する硫化物やレジスト
の分解は 200℃°くらいから始まるが，300 ℃で完全に
分解できる。
を，そのまま加熱炉５に収容して加熱する。加熱温度は
200〜300 ℃とする。硫酸に起因する硫化物やレジスト
の分解は 200℃°くらいから始まるが，300 ℃で完全に
分解できる。
【００１７】加熱により硫化物やレジストは完全に除去
できるが，さらにゴミなどの付着することを考慮し，そ
れを除去するために基板１を保持した基板ホルダー２を
超音波洗浄槽６に入れて超音波洗浄する。洗浄液は例え
ば抵抗率１８ＭΩ・cm程度の超純水であり，印加する超
音波の周波数は例えば１ＭHzである。
できるが，さらにゴミなどの付着することを考慮し，そ
れを除去するために基板１を保持した基板ホルダー２を
超音波洗浄槽６に入れて超音波洗浄する。洗浄液は例え
ば抵抗率１８ＭΩ・cm程度の超純水であり，印加する超
音波の周波数は例えば１ＭHzである。
【００１８】このようにして，表面が極めて清浄なレチ
クル基板を得た。 0.5μｍ以上のサイズのゴミは皆無で
あり，時間が経過しても洗浄染み（モヤ）や析出結晶の
発生はなかった。
クル基板を得た。 0.5μｍ以上のサイズのゴミは皆無で
あり，時間が経過しても洗浄染み（モヤ）や析出結晶の
発生はなかった。
【００１９】基板１を基板ホルダー２に保持したまま，
薬品洗浄，濯ぎ，加熱，超音波洗浄の一連の工程の処理
を行うことは生産性がよく，また，ゴミ発生を防ぐ上か
らもメリットが大きい。
薬品洗浄，濯ぎ，加熱，超音波洗浄の一連の工程の処理
を行うことは生産性がよく，また，ゴミ発生を防ぐ上か
らもメリットが大きい。
【００２０】なお，上記の例はレチクル基板の洗浄につ
いて説明したが，本発明の方法はそれに限らず，半導体
基板の洗浄にも適用でき，半導体装置製造の各種の工程
途中にも適用できる。また，液晶パネルのガラス基板洗
浄等にも適用できる。
いて説明したが，本発明の方法はそれに限らず，半導体
基板の洗浄にも適用でき，半導体装置製造の各種の工程
途中にも適用できる。また，液晶パネルのガラス基板洗
浄等にも適用できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
極めて清浄な表面を有する基板を得ることができる。こ
れをレチクル基板に適用する時，従来のモヤ，洗浄染
み，結晶の析出といった問題から開放される。
極めて清浄な表面を有する基板を得ることができる。こ
れをレチクル基板に適用する時，従来のモヤ，洗浄染
み，結晶の析出といった問題から開放される。
【００２２】本発明は半導体装置の微細化，高密度化に
寄与するものである。
寄与するものである。
【図１】本発明の工程を示す模式図である。
【図２】従来例の工程を示す模式図である。
１は基板であってレチクル基板 ２は基板ホルダー ３は洗浄槽 3aは洗浄液であって薬液 ４は濯ぎ槽 4aは濯ぎ液 ５は加熱炉 ６は超音波洗浄槽 6aは超純水
Claims (2)
- 【請求項１】 基板(1) を基板ホルダー(2) に保持し,
該基板(1) を保持した基板ホルダー(2) を薬液(3a)に浸
漬して洗浄し, その後該基板(1) を保持した基板ホルダ
ー(2) を加熱炉(5) に入れて加熱し, 該基板(1) 表面に
付着している薬品を飛散させる工程を有することを特徴
とする基板洗浄方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の工程の後，該基板(1) を
保持した基板ホルダー(2) を超音波洗浄槽(6) に入れ，
超音波洗浄を行う工程を有することを特徴とする基板洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5200092A JPH05259144A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 基板洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5200092A JPH05259144A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 基板洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259144A true JPH05259144A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12902572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5200092A Withdrawn JPH05259144A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 基板洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259144A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996021242A1 (fr) * | 1995-01-06 | 1996-07-11 | Tadahiro Ohmi | Procede de nettoyage |
| KR100606132B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 초음파를 이용한 웨이퍼 세척 방법 |
| US7452475B2 (en) * | 2003-07-24 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
| WO2012099126A1 (ja) | 2011-01-18 | 2012-07-26 | 電気化学工業株式会社 | 超音波洗浄方法及び装置 |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP5200092A patent/JPH05259144A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996021242A1 (fr) * | 1995-01-06 | 1996-07-11 | Tadahiro Ohmi | Procede de nettoyage |
| US5954885A (en) * | 1995-01-06 | 1999-09-21 | Ohmi; Tadahiro | Cleaning method |
| US7452475B2 (en) * | 2003-07-24 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
| KR100606132B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 초음파를 이용한 웨이퍼 세척 방법 |
| WO2012099126A1 (ja) | 2011-01-18 | 2012-07-26 | 電気化学工業株式会社 | 超音波洗浄方法及び装置 |
| US9643221B2 (en) | 2011-01-18 | 2017-05-09 | Denka Company Limited | Ultrasonic cleaning method and apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |