KR100431186B1 - 웨이퍼의 세정 및 건조 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 웨이퍼의 세정 및 건조방법을 개시한다. 세정 및 건조방법은: 가) 초순수와 IPA를 혼합하되, 초순수와 IPA의 혼합액에서의 IPA 농도를 시간에 따라 변화시켜 목표하는 농도로 조절하는 단계; 나) 상기 혼합액과 웨이퍼를 세정조 내에서 접촉시켜 웨이퍼를 세정하는 세정단계; 다) 상기 혼합액과 상기 웨이퍼를 상호 분리시키는 분리단계; 라) 상기 웨이퍼에 잔류하는 혼합액을 제거하는 제거단계; 마) 상기 웨이퍼 표면을 건조시키는 건조단계;를 포함한다. 이러한 방법에 따르면, 웨이퍼에서의 물반점 발생을 효과적으로 억제할 수 있고 웨이퍼의 세정 및 건조를 동시에 행할 수 있다. 또한 최근 반도체 기판의 크기가 대직경화 되면서 이에 대응하는 반도체 기판 세정 및 건조 방법에 매우 효과적이다.

Description

웨이퍼의 세정 및 건조 방법{Cleaning and drying method for wafer}

본 발명은 웨이퍼의 세정 및 건조 방법에 관한 것으로서, 상세히는 IPA(isopropyl alcohol)와 초순수(deionized water)의 혼합액에 의한 반도체 웨이퍼의 세정 및 건조 방법에 관한 것이다.

1970년대 개발된 반도체 웨이퍼 세정 방법을 근간으로 다량의 화학액을 이용한 세정방법이 현재까지 사용되고 있다. 웨이퍼에 잔류하는 오염물을 제거하기 위한 세정방법에는 암모니아, 과산화수소, 물을 1:1:5의 비율로 혼합하여 고온에서 파티클과 유기 오염물을 제거하기 위해 사용되는 SC1(standard clean 1) 세정, 염산, 과산화수소, 물을 1:1:5의 비율로 혼합하여 고온에서 천이성 금속 오염물을 제거하기 위해 사용되는 SC2(standard clean 2) 세정, 황산과 과산화수소를 혼합, 고온에서 감광제나 계면활성제 같은 유기 오염물을 제거하기 위해 수행되는 것으로 세정 공정 중 가장 먼저 수행되는 피라나(piranha) 세정, 세정 공정 중 가장 마지막에 수행되는 것으로 웨이퍼 표면의 자연산화막을 효과적으로 제거하고 동시에 자연 산화막 내의 금속 오염물을 효과적으로 제거할 수 있는 HF 세정 등이 있다.

이러한 세정 이후에는 웨이퍼를 건조시키는 과정이 진행되는데, 웨이퍼를 고속회전시켜 원심력으로 잔류액을 제거하는 스핀 드라이(spin dry), IPA 증기를 웨이퍼 표면에 접촉시켜 웨이퍼 표면에 잔류하는 습기 등의 잔류액을 IPA로 치환하여 제거하는 IPA 증기 건조, 초순수층과 그 위의 IPA 층으로 분리되어 있는 세정조 내에 웨이퍼를 침잠시켜 웨이퍼에 초순수와 IPA를 순차 접촉시켜 잔류액을 초순수로 세척한 다음 이를 IPA로 치환하는 소위 매란고니 건조라 불리우는 IPA층 건조 방법 등이 있다.

반도체 웨이퍼 표면의 효과적인 린스(수세)와 건조 공정은 습식 세정 공정 중 중요한 과정들이다. 린스 공정은 반도체 기판 세정 후 표면의 화학액이 남아 있지 않도록 수세하는 과정이다. 그리고 건조 공정은 반도체 기판 표면의 초순수, 미세 파티클 및 물반점(water mark), 오염물을 제거하는 과정이다.

세정 후에도 반도체 기판의 표면에는 여러 화학액들이 잔류하게 된다. 점성이 큰 화학액의 경우 그 잔류하는 양이 크며 이런 화학액들이 다시 제2의 오염 원인으로 작용하게 된다. 초순수가 수용된 수세조에서 웨이퍼를 린스 후 이를 수세조로 부터 꺼낼 때 웨이퍼의 표면에 초순수막이 존재하며 이것이 완전히 제거되지 않으면 물반점이 나타나게 된다. 특히 공정이 진행된 웨이퍼의 경우 불완전 건조에 의한 물반점의 형성에 의해 제품의 불량화가 초래되고 따라서 수율의 저하를 피할 수 없게 된다.

종래의 세정 방법의 문제점 중의 하나는 세정 시 과다한 화학액을 사용하고 있고, 그리고 대부분 이 화학액은 과산화수소를 베이스 물질로한 산과 염기의 혼합액이기 때문에 폐수 처리가 용이하기 않다는 것이다. 이와 같은 다량의 화학액과 세정수의 사용은 세정 비용의 증가를 불러 일으키고 한편으로는 환경적인 규제를 받게 된다.

대부분의 세정 공정이 고온 하에서 진행되므로 세정을 위한 화학액의 분해와 증발로 인한 세정액의 수명 및 세정효과의 감소가 나타난다. 또한 과다한 초순수의 사용 및 첨가된 화학액으로 인해 재활용율이 저하된다.

한편, 상기와 같은 종래의 세정공정은 반도체 제조공정 중 다단계로 이루어 지기 때문에 이를 위한 장비의 거대화가 초래된다. 그리고, 상기와 같은 세정에 이은 건조 방법에 있어서의 문제점은 다음과 같다. 건조 공정 중 웨이퍼의 표면이 노출된 상태로 진행되기 때문에 활성화된 실리콘 표면에 H₂SiO₃수화물, 즉 물반점이 생길 가능성이 매우 높다.

따라서, HF 세정 처리 후 마무리 건조 단계에서는 물반점의 형성을 억제하기위하여 IPA를 이용한 건조 방법이 요구된다. 전술한 스핀 드라이는 웨이퍼의 대전현상에 의한 먼지의 흡착, 회전장치에서의 먼지 발생 및 이로 인한 웨이퍼의 오염 등의 문제가 있다. 또한 이 방법은 웨이퍼 치핑(Chipping), 트렌치(Trench)나 콘택홀(Contact hole) 내부의 수분 잔류, 물반점 발생 등의 문제가 있다.

IPA 증기에 의한 건조는 증기 영역이 불안정하여 IPA 증기가 균일하게 웨이퍼에 접촉될 수 없고, 따라서 물반점의 발생의 가능성이 높다. 또한 연소성 IPA 증기가 사용되므로 만일의 화재에 대응해야하는 문제가 있다.

본 발명은 웨이퍼에서의 물반점 발생을 효과적으로 억제할 수 있고 웨이퍼의 세정 및 건조를 동시에 행할 수 있는 웨이퍼의 세정 및 건조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정하기 위해 세정조 하부에 마련된 혼합조에 대한 IPA 및 초순수의 공급 방법의 한 예를 보인다.

도 2는 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정하기 위해 세정조 하부에 마련된 혼합조에 대한 IPA 및 초순수의 공급 방법의 다른 예를 보인다.

도 3은 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정하기 위해 혼합액에 채워진 세정조에 웨이퍼를 투입하는 방법의 한 예를 보인다.

도 3a는 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정하기 위해 혼합액에 채워진 세정조에 웨이퍼를 투입하는 방법의 다른 예를 보인다.

도 4의 가), 나), 다) 및 라)는 세정조에 투입된 웨이퍼를 보다 효과적으로 세정하기 위해 웨이퍼를 혼합액 내에서 운동시키는 다양한 예를 보인다.

도 5a는 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정조 내에서 세정한 후 혼합액과 웨이퍼를 분리하는 방법의 한 예를 보인다.

도 5b는 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정조 내에서 세정한 후 혼합액과 웨이퍼를 분리하는 방법의 다른 예를 보인다.

도 5c는 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정조 내에서 세정한 후 혼합액과 웨이퍼를 분리하는 방법의 또 다른 예를 보인다.

도 6은 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정하는 과정 중, 잉여의 혼합액을 처리하는 계통을 보이는 도면이다.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정하기 위한 혼합액에서 IPA의 시간별 농도의 조절 방법의 다양한 예의 과정을 설명하는 그래프들이다.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 세정 및 건조 방법에 따라 웨이퍼를 세정하기 위한 혼합액을 만들기 위한 혼합조에 대한 IPA와 초순수(DIW)의 공급 구조의 다양한 예를 보이는 도면이다.

도 9는 본 발명의 세정 및 건조 방법에서, 웨이퍼를 건조 시키기 위한 고온 질소가스를 분사방법의 한 예를 보이는 도면이다.

도 9는 본 발명의 세정 및 건조 방법에서, 웨이퍼를 건조 시키기 위한 고온 질소가스를 분사 방법의 다른 예를 보이는 도면이다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 세정 및 건조 방법은:

가) 초순수와 IPA를 혼합하되, 초순수와 IPA의 혼합액에서의 IPA 농도를 시간에 따라 변화시켜 목표하는 농도로 조절하는 단계

나) 상기 혼합액과 웨이퍼를 세정조 내에서 접촉시켜 웨이퍼를 세정하는 세정단계;

다) 상기 혼합액과 상기 웨이퍼를 상호 분리시키는 분리단계;

라) 상기 웨이퍼에 잔류하는 혼합액을 제거하는 제거단계;

마) 상기 웨이퍼 표면을 건조시키는 건조단계;를 포함하는 웨이퍼 세정 및건조 방법이 제공된다.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 상기 가) 단계는 상기 세정조에 연결된 혼합조 내에서 수행된다. 또한, 본 발명의 한 실시예에 따르면 상기 나) 단계는 상기 웨이퍼를 먼저 상기 세정조 내에 투입한 후 상기 세정조 내에 상기 혼합액을 투입하여 비로서 혼합액과 웨이퍼의 접촉이 일어나고, 다른 실시예에 따르면 상기 나) 단계에서 세정조에 대한 혼합액의 공급이 완료된 후 상기 웨이퍼가 세정조 내로 투입되어 혼합액과 웨이퍼의 접촉이 일어난다. 후자의 실시예에 있어서, 바람직하게는 상기 웨이퍼를 세정조 내로 투입할때에 비직선적인 지그재그 또는 갈 지(之) 형태의 경로로 진행시킴으로써 웨이퍼에 대한 세척효율을 증대시킨다.

한편, 본 발명의 한 실시예에 따르면, 상기 다) 단계에서 상기 세정조로 부터 상기 웨이퍼를 분리하는 것에 의해 웨이퍼와 혼합액 간의 상호 분리가 수행되며, 다른 실시예에 따르면, 상기 세정조로 부터 혼합액을 배출함으로써 웨이퍼와 혼합액간의 분리 과정이 수행된다. 전자의 실시예의 경우, 상기 웨이퍼를 세정조로 부터 분리해 낼 때에 비직선적인 지그재그 또는 갈 지(之) 형태의 경로로 진행시킴으로써 웨이퍼와 혼합액의 상호 분리 과정에서도 웨이퍼에 대한 세척이 이루어 질 수 있도록 한다.

상기 본 발명에 있어서, 가) 단계에서의 IPA와 초순수의 혼합은 지속적으로 이루어 질 수 있으며, 그리고 나) 단계에서 웨이퍼와 혼합액 간의 접촉이 진행되는 과정에서 상기 혼합액의 공급이 계속되며, 계속적인 공급에 의한 세정조에서의 잉여의 혼합액을 별도로 회수되는 것이 바람직하다. 회수된 혼합액은 정제과정을 거쳐 IPA와 초순수로 분리되고 각 IPA와 초순수는 재사용을 위하여 별도로 저장된다.

상기 정제 과정은 상기 혼합액을 가열하여 초순수에 비해 증기압이 높은 IPA를 기화시키고 기체상태로 분리된 IPA를 필터링 및 액상으로의 응축 과정을 거친다. IPA가 제거된 혼합액(엄밀히는 다소 불순물이 포함된 초순수)을 필터링하여 순수한 초순수를 얻도록 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 웨이퍼 세정방법의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.

제 1 단계

초순수와 IPA를 혼합하는 혼합 단계이다. 초순수와 IPA의 혼합은 웨이퍼에 대한 세정이 일어나는 즉 웨이퍼와 혼합액 간의 접촉이 일어나는 세정조와 분리된 상태로 이루어 지며, 세정조로는 초순수와 IPA가 혼합된 혼합액이 공급된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)가 위치할 세정조(2)와 세정조로 공급된 IPA와 초순수(DIW)의 혼합이 일어나는 혼합조(2)는 하나로 결합되어 있고, 세정조(2)와 혼합조(3)는 상호 연결되어 있다. 도 1의 구조에 따르면, 초순수(DIW)와 IPA가 혼합조(3)에서 혼합되고, 계속된 초순수(DIW)와 IPA의 공급에 의해 혼합액이 혼합조(3) 위의 세정조(2)로 혼합조(3)와 세정조(2) 사이의 혼합액 공급통로(4)를 통해 차오름으로써 세정조(2)에 혼합액이 공급되게 된다. 이때에 도 2에 도시된 바와 같이, 혼합액이 세정조(2)에 공급되기 전에 먼저 혼합조(3) 내에 위치해 있고, 이 상태에서 하부의 혼합조(3)로 부터 혼합액(5)이 공급되어 혼합액(5)의 수위가 점차적으로 높아지게 하여 충분히 세정조(2) 내로 혼합액이 공급되게 할 수 있다. 한편으로는도 3에 도시된 바와 같이 세정조(2)에 혼합액이 충분히 공급된 이후에 웨이퍼가(1)가 세정조(2) 내로 설치될 수 있다.

여기에서, 상기 세정조(2) 내에 설치되는 웨이퍼(1)는 하나 또는 그 이상 설치되며, 일반적으로, 소위 카세트 타입 또는 카세트리스 타입 즉, 카세트에 다수의 웨이퍼가 적재된 상태 또는 카세트가 없이 웨이퍼 지지용 지그에 다수 웨이퍼가 장착된 상태로 상기 세정조(2) 내에 설치된다. 본 실시예의 설명에서는 양자 모두를 고려하고 편의상 웨이퍼(1)로서 설명된다.

상기 세정조(2)에 혼합액이 충분히 공급된 상태에서 웨이퍼(1)가 세정조(2) 내로 진입할때에 도 3a에 도시된 바와 같이 수직하방으로 진입할 수 있고, 바람직하게는 도 3b에 도시된 바와 같이, 수직하방으로 하강하면서 수평방향으로 소정 거리를 왕복 운동하는 지그재그 또는 갈 지(之)자 형의 경로로 진행할 수 있다. 이와 같이 함으로써 웨이퍼(1)이 세정조(2)에 진입하면서 혼합액(5)과의 마찰력이 증대되어 세정효과가 향상된다.

도 1 내지 도 3a의 과정 뿐만 아니라 웨이퍼의 세정에 관계되는 후술되는 과정에서 상기 혼합액의 혼합 세정조 내로의 혼합액 공급이 지속적으로 이루어 질 수 있다. 이와 같이 되면 세정조에서 혼합액이 넘쳐 흐를수 있는데, 이 잉여의 혼합액을 별도의 배출 또는 회수 수단에 의해 회수되며, 이러한 잉여 혼합액의 회수 장치는 일반적으로 알려진 기술이기 때문에 여기에서는 설명되지 않는다.

제 2 단계

이 단계에서는 세정조 내에서 혼합액과 웨이퍼의 접촉이 일어나게 되는데,이러한 접촉은 사실상 전술한 1단계에서 이미 나타나는 현상이다. 이 상태에서 일정 시간 유지함으로써 전술한 바와 같은 IPA에 의한 웨이퍼의 세정이 진행되게 한다. 이때에 보다 효율적인 세정 진행을 위하여, 도 4의 가), 나), 다) 및 라) 에 도시된 바와 같은 형태로 웨이퍼(1)를 세정조(2)의 혼합액(5) 내에서 운동시킨다.

도 4의 가)는 웨이퍼(1)를 수직 방향으로 흔들어 주는 것을 보여 주며, 도 4의 나)는 웨이퍼(1)를 수평 방향으로 흔들어 주는 것을 보여 주며, 도 4의 다)는 웨이퍼를 수직 방향의 축을 중심으로 웨이퍼(1)의 회전시키는 것을 보여 주며, 그리고 도 4의 라)는 수평방향의 회전축을 중심으로 웨이퍼(1)를 회전시키는 것을 보여 준다.

제 3 단계

이 단계에서는 세정조(2) 내에서 상호 접촉된 상기 혼합액(5)과 웨이퍼(1)를 분리하는 과정이 진행된다. 이와 같이 혼합액(5)과 웨이퍼(1)를 상호 분리하는 방법에는 도 5a와 도 5b에 도시된 바와 같이 혼합액(5)이 수용된 세정조(2) 내에서 혼합액(5)을 그대로 두고 웨이퍼(1)만 위로 들어 내는 것과, 도 5c에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)를 세정조(2) 내에 둔 채로 세정조(2)의 하부에 마련된 드레인 또는 전술한 상기 공급통로를 통해 배출하는 것이다. 물론 이때에는 혼합액(5)의 공급이 중단된 상태이다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)를 세정조(2)로 부터 들어내는 과정의 경우에 비해 도 5b에 도시된 바와 같이 지그재그 형 또는 갈 지(之)자 형의 경로로 웨이퍼(1)를 들어내는 경우 웨이퍼(1)와 혼합액(5)의 마찰증가로 보다 효과적인 세정이 가능하게 된다.

제 4 단계

본 단계는 혼합액으로 부터 분리된 웨이퍼의 표면으로 부터 웨이퍼 표면에 잔류하는 혼합액을 제거한다. 이것은 혼합액이 제거된 세정조의 내부 또는 그 상부에서 이루어진다.

제 5 단계

본 단계는 전술한 제 4 단계 이후, 웨이퍼 표면에 잔류하고 있는 혼합액을 증발 제거시킨다. 이를 위하여 웨이퍼 표면에 고온의 질소가스, 바람직하기로는 50내지 150도 온도 범위의 질소가스를 일정 압력으로 웨이퍼 표면에 분사하여 웨이퍼의 표면에 잔류하는 혼합액을 제거한다.

도 9는 웨이퍼(1)의 건조를 위하여, 웨이퍼(1)가 세정조(2) 상방으로 들어 올려진 상태에서 고온 질소가스가 웨이퍼 표면으로 집중 분사되는 상태를 보인다. 이 상태에서는 질소가스의 분사압력 및 질소가스로 부터 전달된 열에 의해 상기 잔류 혼합액이 제거 및 건조 된다.

도 9a는 웨이퍼(1)의 건조를 위하여, 웨이퍼(1)가 세정조(2) 상방으로 들어 올려진 상태에서 웨이퍼의 상방에서 고온 질소가스가 수직하방으로 층류(laminar flow) 상태로 공급되는 상태를 보인다. 이 상태에서는 정숙하게 공급되는 고온 질소가스의 웨이퍼 표면에 접촉되어 열을 웨이퍼 표면에 공급하고 이에 의해 혼합액이 증발 및 건조되도록 한다.

도 6은 전술한 제 1 단계에서 언급된 잉여 혼합액의 처리계통의 한 예를 보인다. 혼합액(5)이 수용된 세정조(2)의 주위에 넘쳐 흐르는(over flow)잉여 혼합액(5a)을 회수하는 회수조(7)가 마련되어 있다. 회수조(7)의 잉여 혼합액(5a)은 가열에 의해 분리기(8)로 보내진다. 분리기(8)에서 가열에 의해 초순수에 비해 비등점이 낮은 IPA는 증기상태로 IPA 필터(9a)로 보내어져 불순물이 제거되어 불순물이 제거된 IPA 증기는 냉각에 의해 액체상태로 응축된다. 응축된 IPA는 IPA 탱크(10a)로 보내진다. 그리고 비등점이 낮은 초순수(역시 불순물이 포함되어 있을 것임)는 초순수 필터(9b)를 통과하면서 순수한 초순수로 정제된 후 초순수 탱크(10b)로 보내진다.

도 7a 내지 도 7g는 세정조로 공급되는 혼합액에서 시간 변화에 따른 IPA 농도 조절을 설명하는 그래프이다.

도 7a는 초기에 일정 농도의 IPA가 초순수에 혼합되어 일정 농도를 가진 IPA와 초순수의 혼합액이 세정조에 공급되는 것을 나타낸다.

도 7b는 초기에 혼합조에 초순수만 공급되다가 IPA가 첨가량이 점진적으로 증가되어 IPA 농도에 일정 수준에 도달했을 때 혼합액이 세정조로 공급되는 것을 나타낸다.

도 7c는 초기에는 일정 농도의 IPA-초순수 혼합액이 공급되다가 IPA의 첨가량이 점진적으로 증가하여 초기보다 증가하고 일정한 수준에 IPA 농도가 도달했을 때 혼합액이 세정조로 공급되는 것을 나타낸다.

도 7d는 초순수에 대한 IPA의 농도가 점진적으로 변화하지 않고 일정한 시간 간격을 두고 단계적으로 증가하고, IPA 농도가 일정 수준에 도달했을 때 세정조에혼합액이 공급되는 것을 보인다.

도 7e는 7d의 과정의 반대의 과정을 갖는 것으로서 순수 IPA 용액만 공급되다가 소정 시간 간격으로 증가하는 량의 초순수를 공급한 후 이의 혼합액을 세정조에 공급하는 것을 보인다.

도 7f는 초기 일정 농도의 IPA가 혼합된 혼합 용액이 공급되다가 일정 시간 경과 후 초순수만 공급되는 것을 나타낸다.

도 7g는 초기 일정 농도의 IPA 혼합 용액이 일정시간 공급되다가 IPA의 농도가 점진적으로 증가 또는 감소하여 초기 IPA 농도보다 증가 또는 감소한 IPA 혼합 용액이 공급되는 것을 설명한다.

도 7a 내지 도 7g와 함께 설명된 IPA 및 초순수의 혼합방법 및 공급과정은 본 발명의 다양 실시예가 가능함을 보여 주는데, 이러한 IPA 및 초순수의 혼합이 일어나는 혼합조에 대한 IPA 및 초순수의 공급 구조는 도 8 a 내지 도 8c에 도시된 바와 같은 유형으로 구현될 수 있다.

도 8a는 혼합조의 양측 대향된 방향에서 IPA와 초순수(DIW)가 공급되는 것을 보이며, 도 8b는 혼합조의 같은 방향에서 IPA와 초순수(DIW)가 공급되는 것을 보인다. 그리고 도 8c는 혼합조의 바닥으로 부터 다수의 배관이 마련되어 IPA와 초순수(DIW)가 다수의 경로로 공급되는 것을 보인다.

이상과 같은 본 발명은 웨이퍼를 단독적으로 또는 카세트 단위로 세정함에 있어서, IPA 와 초순수를 혼합한 혼합액에서 세정을 행함으로써 초순수에 의한 잔류 화합물의 제거 및 IPA에 의한 초순수의 제거에 의해 물자국 발생을 효과적으로 방지할 수 있고, 특히 전술한 세정과 건조가 한 과정 내에서 이루어 질 수 있게 된다. 즉, 본 발명은 반도체 웨이퍼를 회전시키거나 IPA 증기를 이용한 방법과 달리 IPA와 초순수 혼합액을 사용한다.또한 종래에는 단순히 반도체 웨이퍼의 건조에 초점이 맞추어져 있으나 본 발명은 건조 뿐만 아니라 세정도 동시에 진행할 수 있는 장점을 가진다. 특히 IPA와 초순수의 혼합액이 세정조에 공급되므로 IPA 증기를 이용하는 방법에 비해 단순한 메커니즘으로 반도체 웨이퍼를 세정, 건조 시킬 수 있게 된다.이러한 본원 발명은 최근 반도체 기판의 크기가 대직경화 되면서 이에 대응하는 반도체 기판 세정 및 건조 방법에 매우 효과적이다.

Claims (12)

1. 가) 초순수와 IPA를 혼합하되, 초순수와 IPA의 혼합액에서의 IPA 농도를 시간에 따라 변화시켜 목표하는 농도로 조절하는 단계;

   나) 상기 혼합액과 웨이퍼를 세정조 내에서 접촉시켜 웨이퍼를 세정하는 세정단계;

   다) 상기 혼합액과 상기 웨이퍼를 상호 분리시키는 분리단계;

   라) 상기 웨이퍼에 잔류하는 혼합액을 제거하는 제거단계;

   마) 상기 웨이퍼 표면을 건조시키는 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 가) 단계는 상기 세정조에 연결된 혼합조 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 나) 단계는 상기 세정조 내에 혼합액을 먼저 투입한 후 상기 웨이퍼를 상기 세정조 내에 투입시켜, 상기 세정조 내의 혼합액에 상기 웨이퍼를 접촉시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 나) 단계에서 세정조에 대한 혼합액의 공급이 완료된 후 상기 웨이퍼를 세정조 내로 투입시키도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 웨이퍼를 세정조 내로 투입할때에 비직선적인 지그재그 또는 갈 지(之) 형태의 경로로 진행시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 다) 단계에서, 상기 세정조로 부터 상기 웨이퍼를 분리하는 것에 의해 웨이퍼와 혼합액 간의 상호 분리가 이루어 지도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 다) 단계에서, 상기 세정조로 부터 혼합액을 배출함으로써 웨이퍼와 혼합액 간의 상호 분리가 이루어 지도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
8. 제 6 항에 있어서,

   상기 웨이퍼를 세정조로 부터 분리해 낼 때에 비직선적인 지그재그 또는 갈 지(之) 형태의 경로로 진행시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
9. 제 1 항에 있어서,

   가) 단계에서 IPA와 초순수의 혼합 및 세정조로의 혼합액의 공급이 지속으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 세정조에 공급된 혼합액의 잉여분을 회수하고 회수된 혼합액으로 부터 순수 IPA와 초순수를 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.
11. 삭제
12. 제 1 항에 있어서,

    상기 마) 단계에서 고온의 질소가스를 투입시켜 상기 웨이퍼의 표면에 상기 질소가스가 접촉됨으로써 웨이퍼의 표면이 건조되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정 및 건조방법.