JPH0927474A - アッシング方法およびその装置 - Google Patents
アッシング方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH0927474A JPH0927474A JP17318195A JP17318195A JPH0927474A JP H0927474 A JPH0927474 A JP H0927474A JP 17318195 A JP17318195 A JP 17318195A JP 17318195 A JP17318195 A JP 17318195A JP H0927474 A JPH0927474 A JP H0927474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ashing
- resist
- gas
- ozone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】レジストの除去方法ではレジストのアッシング
前に、アッシング処理と同じ温度でウェハ１１を加熱
し、予めレジストから脱ガスを行う。脱ガス時にはレジ
ストから発生したガスを拡散させるためウェハ表面ある
いは処理室全体にパージガスを流し、排気手段９により
排出する。排気口１０にはコールドトラップを設置し、
レジストから発生したガスを回収する。 【効果】レジストのアッシングに伴う処理装置内の汚れ
が防止でき、汚れによるウェハの汚染，処理室内の清
掃、それに伴う装置の停止を行わずに済み、半導体装置
の生産性を向上させることができる。
前に、アッシング処理と同じ温度でウェハ１１を加熱
し、予めレジストから脱ガスを行う。脱ガス時にはレジ
ストから発生したガスを拡散させるためウェハ表面ある
いは処理室全体にパージガスを流し、排気手段９により
排出する。排気口１０にはコールドトラップを設置し、
レジストから発生したガスを回収する。 【効果】レジストのアッシングに伴う処理装置内の汚れ
が防止でき、汚れによるウェハの汚染，処理室内の清
掃、それに伴う装置の停止を行わずに済み、半導体装置
の生産性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造プロセ
ス等で使用されるレジストの除去方法およびその装置に
関する。
ス等で使用されるレジストの除去方法およびその装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおけるレジ
ストの除去工程では酸素プラズマによるレジストのアッ
シングが行われていたが、半導体装置の微細化により、
プラズマ中の荷電粒子による半導体装置のダメージが顕
在化し、プラズマ（荷電粒子）を使用しないオゾン、あ
るいはオゾンと紫外線の作用により有機物を灰化除去す
るアッシング装置が採用されている。
ストの除去工程では酸素プラズマによるレジストのアッ
シングが行われていたが、半導体装置の微細化により、
プラズマ中の荷電粒子による半導体装置のダメージが顕
在化し、プラズマ（荷電粒子）を使用しないオゾン、あ
るいはオゾンと紫外線の作用により有機物を灰化除去す
るアッシング装置が採用されている。
【０００３】このオゾン、あるいはオゾンと紫外線の作
用によるアッシング装置ではオゾンの分解過程で発生す
るラジカル酸素によりレジストをＣＯ2やＨ2Ｏ等に分解
揮発させてレジストを除去している。
用によるアッシング装置ではオゾンの分解過程で発生す
るラジカル酸素によりレジストをＣＯ2やＨ2Ｏ等に分解
揮発させてレジストを除去している。
【０００４】この種の装置例として、日立評論 第７３
巻 第９号（１９９１−９）第３７頁から第４２頁が挙
げられる。
巻 第９号（１９９１−９）第３７頁から第４２頁が挙
げられる。
【０００５】図２に上記装置の構成図を示す。同図を用
いて従来技術の問題点を説明する。被処理物であるウェ
ハを２５０℃〜３００℃に加熱したヒータステージに載
せると共に、ウェハ表面に対向して石英ガラス製のガス
案内板を設け、かつウェハ中心付近にガスノズルを設置
し、ノズルからオゾンを供給し案内板とウェハ間の間隙
にオゾンを流してレジストをアッシングする構造となっ
ている。なお紫外線は案内板を通して任意にウェハに照
射可能となっている。またアッシングの均一性を向上す
るため処理中はヒータステージが回転する。更に、アッ
シング速度を高めるため、ウェハと案内板の間隙は、ウ
ェハをヒータステージに載せた後、処理中は常に０.３m
m 程度に管理されている。
いて従来技術の問題点を説明する。被処理物であるウェ
ハを２５０℃〜３００℃に加熱したヒータステージに載
せると共に、ウェハ表面に対向して石英ガラス製のガス
案内板を設け、かつウェハ中心付近にガスノズルを設置
し、ノズルからオゾンを供給し案内板とウェハ間の間隙
にオゾンを流してレジストをアッシングする構造となっ
ている。なお紫外線は案内板を通して任意にウェハに照
射可能となっている。またアッシングの均一性を向上す
るため処理中はヒータステージが回転する。更に、アッ
シング速度を高めるため、ウェハと案内板の間隙は、ウ
ェハをヒータステージに載せた後、処理中は常に０.３m
m 程度に管理されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】オゾンあるいはオゾン
と紫外線の作用でレジストをアッシングする場合、アッ
シング速度は被処理物であるウェハの温度に強く依存し
ている。そのため、スループットを稼ぐためウェハ温度
を素速く所定の温度に上げる必要がある。そこで、ウェ
ハを予め加熱してあるヒータステージに載せ処理を行
う。ところが、ウェハを急激に加熱することによりウェ
ハ表面に付けられたレジストが熱分解を起こし大量のガ
スが発生する。ガスの発生はウェハ温度の上昇と共に増
加し、ウェハ温度が一定に達するまで続く。この時、ウ
ェハを載せたヒータステージはオゾンガスの案内板との
間隙を０.３mm 程度にするため案内板に接近する。この
ためレジストから発生したガスが案内板等、ウェハ表面
に対向した処理室内壁に接触する。内壁温度はヒータス
テージより低いため接触したガスが冷却されて凝固し汚
れとなる。その後、オゾンガスの供給によりヒータステ
ージの直上はヒータの輻射熱とオゾンガスによりアッシ
ングされるが、ヒータステージ直上から外れ、オゾンガ
スの供給が少ない外周部の汚れはアッシングされずに蓄
積されていく。このため、処理室内部を定期的に清掃し
なくてはならない。
と紫外線の作用でレジストをアッシングする場合、アッ
シング速度は被処理物であるウェハの温度に強く依存し
ている。そのため、スループットを稼ぐためウェハ温度
を素速く所定の温度に上げる必要がある。そこで、ウェ
ハを予め加熱してあるヒータステージに載せ処理を行
う。ところが、ウェハを急激に加熱することによりウェ
ハ表面に付けられたレジストが熱分解を起こし大量のガ
スが発生する。ガスの発生はウェハ温度の上昇と共に増
加し、ウェハ温度が一定に達するまで続く。この時、ウ
ェハを載せたヒータステージはオゾンガスの案内板との
間隙を０.３mm 程度にするため案内板に接近する。この
ためレジストから発生したガスが案内板等、ウェハ表面
に対向した処理室内壁に接触する。内壁温度はヒータス
テージより低いため接触したガスが冷却されて凝固し汚
れとなる。その後、オゾンガスの供給によりヒータステ
ージの直上はヒータの輻射熱とオゾンガスによりアッシ
ングされるが、ヒータステージ直上から外れ、オゾンガ
スの供給が少ない外周部の汚れはアッシングされずに蓄
積されていく。このため、処理室内部を定期的に清掃し
なくてはならない。
【０００７】本発明の目的は処理室の汚れを防止し、処
理室内部清掃の手間、また装置の停止による製造ライン
の生産性低下を防ぐレジストのアッシング方法およびそ
の装置を提供することにある。
理室内部清掃の手間、また装置の停止による製造ライン
の生産性低下を防ぐレジストのアッシング方法およびそ
の装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のレジストの除去方法ではレジストのアッシ
ング前に、アッシング処理と同じ温度でウェハを加熱
し、予めレジストから脱ガスを行う。脱ガス時にはレジ
ストから発生したガスを拡散させるためウェハ表面ある
いは処理室全体にパージガスを流し、排気手段により排
出する。排気口にはコールドトラップを設置し、レジス
トから発生したガスを回収する。
め、本発明のレジストの除去方法ではレジストのアッシ
ング前に、アッシング処理と同じ温度でウェハを加熱
し、予めレジストから脱ガスを行う。脱ガス時にはレジ
ストから発生したガスを拡散させるためウェハ表面ある
いは処理室全体にパージガスを流し、排気手段により排
出する。排気口にはコールドトラップを設置し、レジス
トから発生したガスを回収する。
【０００９】このアッシング前処理はアッシングを行う
処理室内で行っても良いし、アッシング処理室とは別に
処理室を設けて行っても同一の結果が得られる。
処理室内で行っても良いし、アッシング処理室とは別に
処理室を設けて行っても同一の結果が得られる。
【００１０】
【作用】表面にレジストを有するウェハを加熱するとウ
ェハ温度の上昇と共にレジストの熱分解によりガスが発
生する。アッシングではスループットを稼ぐ目的からウ
ェハ温度を素速く上げる必要がある。このためアッシン
グ初期にレジストから大量にガスが発生し、このガスが
処理室内壁に触れて凝固して汚れとなる。特にウェハ表
面に対向している内壁は最もウェハに近い位置にあるた
め汚れが付着しやすい。
ェハ温度の上昇と共にレジストの熱分解によりガスが発
生する。アッシングではスループットを稼ぐ目的からウ
ェハ温度を素速く上げる必要がある。このためアッシン
グ初期にレジストから大量にガスが発生し、このガスが
処理室内壁に触れて凝固して汚れとなる。特にウェハ表
面に対向している内壁は最もウェハに近い位置にあるた
め汚れが付着しやすい。
【００１１】汚れ付着を防止するためには内壁の温度を
上げるのが効果的と考えられるが内壁全体を加熱するに
は加熱方法や断熱の問題等装置構成が複雑かつ大型化し
てしまう。
上げるのが効果的と考えられるが内壁全体を加熱するに
は加熱方法や断熱の問題等装置構成が複雑かつ大型化し
てしまう。
【００１２】本発明のレジスト除去方法は、アッシング
前に、アッシング処理と同じ温度でウェハを加熱し、予
めレジストから脱ガスを行うことを特徴とする。脱ガス
時にレジストから発生したガスが処理室内壁に触れるの
を防止するため、ウェハ表面あるいは処理室全体に窒素
等のキャリアガスをパージし、排気手段により排出す
る。排気口にはコールドトラップを設置し、レジストか
ら発生したガスを回収する。また、脱ガス時にはウェハ
表面と対向した案内板等との距離を５mm以上離して行う
ことによりウェハ表面直上の内壁に発生ガスが接触する
のを防止する。
前に、アッシング処理と同じ温度でウェハを加熱し、予
めレジストから脱ガスを行うことを特徴とする。脱ガス
時にレジストから発生したガスが処理室内壁に触れるの
を防止するため、ウェハ表面あるいは処理室全体に窒素
等のキャリアガスをパージし、排気手段により排出す
る。排気口にはコールドトラップを設置し、レジストか
ら発生したガスを回収する。また、脱ガス時にはウェハ
表面と対向した案内板等との距離を５mm以上離して行う
ことによりウェハ表面直上の内壁に発生ガスが接触する
のを防止する。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照しながら説明す
る。図１に本発明によるレジスト除去装置の構成図を示
す。図で１はウェハが格納されているカセット、２はウ
ェハ搬送用ロボットアーム、３はアッシング処理室、４
はヒータステージ、５は搬送用ピン、６はオゾンガス案
内板、７はオゾンガスノズル、８は紫外線ランプ、９は
パージ用ガスノズル、１０は排気口である。
る。図１に本発明によるレジスト除去装置の構成図を示
す。図で１はウェハが格納されているカセット、２はウ
ェハ搬送用ロボットアーム、３はアッシング処理室、４
はヒータステージ、５は搬送用ピン、６はオゾンガス案
内板、７はオゾンガスノズル、８は紫外線ランプ、９は
パージ用ガスノズル、１０は排気口である。
【００１４】同図のレジスト除去装置によるウェハの処
理方法を説明する。カセットに格納されているウェハ１
１はその表面にレジストを有している。ウェハ１１はカ
セット１から搬送アーム２によりアッシング処理室３内
に搬送され、ヒータステージ４にある搬送ピン５上に載
せられる。ウェハの搬送が開始されるとオゾンガスノズ
ル７及びパージ用ガスノズル９からはパージガスが供給
される。搬送アーム２が退避した後、２５０℃〜３００
℃に加熱したヒータステージ４が上昇しウェハ１１と接
触する。ヒータステージには真空吸着機構があり、ウェ
ハをヒータステージに密着させる。ウェハがヒターステ
ージに密着するとヒータステージの上昇は停止し、ウェ
ハ温度が所定の温度に落ち着くまで待機する。
理方法を説明する。カセットに格納されているウェハ１
１はその表面にレジストを有している。ウェハ１１はカ
セット１から搬送アーム２によりアッシング処理室３内
に搬送され、ヒータステージ４にある搬送ピン５上に載
せられる。ウェハの搬送が開始されるとオゾンガスノズ
ル７及びパージ用ガスノズル９からはパージガスが供給
される。搬送アーム２が退避した後、２５０℃〜３００
℃に加熱したヒータステージ４が上昇しウェハ１１と接
触する。ヒータステージには真空吸着機構があり、ウェ
ハをヒータステージに密着させる。ウェハがヒターステ
ージに密着するとヒータステージの上昇は停止し、ウェ
ハ温度が所定の温度に落ち着くまで待機する。
【００１５】この時、ウェハ表面とそれに対向するオゾ
ンガス案内板との距離は５mmに保たれる。またパージガ
スはこの間常に供給され続ける。パージガスとレジスト
から発生したガスは排気口から処理室外に排気され排気
口内に設置されたコールドトラップによりレジストから
発生したガスは冷却され回収される。
ンガス案内板との距離は５mmに保たれる。またパージガ
スはこの間常に供給され続ける。パージガスとレジスト
から発生したガスは排気口から処理室外に排気され排気
口内に設置されたコールドトラップによりレジストから
発生したガスは冷却され回収される。
【００１６】ヒータステージ上でウェハ温度が所定の温
度に達した後、ヒータステージはオゾンガス案内板とウ
ェハ表面との間隙が０.３mm になるまで上昇する。ヒー
タステージが上昇するとオゾンガスノズル９からはオゾ
ンが供給されパージガスは供給が停止する。オゾンが供
給されるとレジストのアッシングが開始され、アッシン
グが終了するとウェハは搬送アーム２によりカセット１
に搬送され処理は終わる。
度に達した後、ヒータステージはオゾンガス案内板とウ
ェハ表面との間隙が０.３mm になるまで上昇する。ヒー
タステージが上昇するとオゾンガスノズル９からはオゾ
ンが供給されパージガスは供給が停止する。オゾンが供
給されるとレジストのアッシングが開始され、アッシン
グが終了するとウェハは搬送アーム２によりカセット１
に搬送され処理は終わる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、レジストのアッシング
に伴う処理装置内の汚れが防止でき、汚れによるウェハ
の汚染，処理室内の清掃、それに伴う装置の停止を行わ
ずに済み、半導体装置の生産性を向上させることができ
る。
に伴う処理装置内の汚れが防止でき、汚れによるウェハ
の汚染，処理室内の清掃、それに伴う装置の停止を行わ
ずに済み、半導体装置の生産性を向上させることができ
る。
【図１】第一実施例によるレジスト除去装置の説明図。
【図２】従来のレジスト除去装置の説明図。
１…カセット、２…搬送用ロボットアーム、３…アッシ
ング処理室、４…ヒータステージ、５…搬送用ピン、６
…オゾンガス案内板、７…オゾンガスノズル、８…紫外
線ランプ、９…パージ用ガスノズル、１０…排気口、１
１…ウェハ。
ング処理室、４…ヒータステージ、５…搬送用ピン、６
…オゾンガス案内板、７…オゾンガスノズル、８…紫外
線ランプ、９…パージ用ガスノズル、１０…排気口、１
１…ウェハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲田 暁勇 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日立 製作所熱器ライティング事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】オゾンあるいはオゾンと紫外線の作用によ
りレジストの除去を行うアッシング方法において、レジ
ストのアッシング前に試料をアッシング時と同一温度で
加熱し、前記試料の表面及びアッシング処理室をガスパ
ージしつつ処理室を排気することを特徴とするアッシン
グ方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記試料の表面及び前
記処理室をパージするガスにＯ2 あるいはＮ2ガスを用
いるアッシング方法。 - 【請求項３】オゾンあるいはオゾンと紫外線の作用でレ
ジストの除去を行うアッシング装置において、アッシン
グ処理前に、試料をアッシング時と同一温度で加熱する
ことができる処理室を有し、加熱中に前記試料の表面と
加熱処理室内をガスパージする手段と、前記加熱処理室
を排気する手段を有することを特徴とするアッシング装
置。 - 【請求項４】請求項３において、前記試料の表面と対向
する前記処理室の内壁との距離はアッシング処理時より
離して前記試料を加熱するアッシング装置。 - 【請求項５】請求項３または４において、前記試料の加
熱中に前記試料の表面および前記処理室をパージするガ
スにＯ2あるいはＮ2ガスを用いるアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17318195A JPH0927474A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | アッシング方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17318195A JPH0927474A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | アッシング方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927474A true JPH0927474A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15955600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17318195A Pending JPH0927474A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | アッシング方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927474A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6412498B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low temperature plasma strip process |
| KR100621788B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2006-09-19 | 두산디앤디 주식회사 | 오존 애셔 장치 |
| KR100718276B1 (ko) * | 2006-08-01 | 2007-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 에싱 방법 |
| JP2007335465A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| KR100981098B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2010-09-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치의 벤트 결합구조 |
| JP4701496B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びその装置 |
| CN112525656A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-19 | 上海彤程电子材料有限公司 | 除溶剂设备及树脂溶液除溶剂方法 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17318195A patent/JPH0927474A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6412498B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low temperature plasma strip process |
| JP4701496B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びその装置 |
| KR100621788B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2006-09-19 | 두산디앤디 주식회사 | 오존 애셔 장치 |
| KR100981098B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2010-09-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치의 벤트 결합구조 |
| JP2007335465A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| KR100718276B1 (ko) * | 2006-08-01 | 2007-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 에싱 방법 |
| CN112525656A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-19 | 上海彤程电子材料有限公司 | 除溶剂设备及树脂溶液除溶剂方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100320585B1 (ko) | 레지스트 처리장치 | |
| JP3086719B2 (ja) | 表面処理方法 | |
| KR100335845B1 (ko) | 표면처리장치및표면처리방법 | |
| US7740768B1 (en) | Simultaneous front side ash and backside clean | |
| US5709754A (en) | Method and apparatus for removing photoresist using UV and ozone/oxygen mixture | |
| US6767698B2 (en) | High speed stripping for damaged photoresist | |
| JP2008294453A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPH0927474A (ja) | アッシング方法およびその装置 | |
| JP3131860B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| US20050136576A1 (en) | Plasma treatment method and plasma treatment apparatus | |
| JP3066691B2 (ja) | マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
| JPH09162165A (ja) | 処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH10144580A (ja) | 半導体熱処理用ダミーウエハ及びその再生方法 | |
| JPH03256326A (ja) | 処理装置 | |
| JP2005044975A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2000243719A (ja) | ランプアニール方法とその装置 | |
| JPH05347281A (ja) | アッシング方法及びアッシング装置 | |
| JPS6191930A (ja) | 半導体基板の清浄方法 | |
| JPH0611347U (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JP3248320B2 (ja) | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 | |
| JPH0497515A (ja) | レジスト除去装置 | |
| JPH09270390A (ja) | 基板の光照射式熱処理装置 | |
| JPS61101032A (ja) | 処理装置 | |
| JPH09223688A (ja) | 有機物除去装置 |